專利名稱：安裝結(jié)構(gòu)體及安裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將半導(dǎo)體元件安裝在印刷基板等電路基板上的安裝結(jié)構(gòu)體及 安裝方法，特別是涉及設(shè)置在半導(dǎo)體元件的電極上的凸塊的結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
圖17示出現(xiàn)有的凸塊形成方法(例如，參照松下技術(shù)期刊(Matsushita Technical Journal),Vol.47，No.3，2001年6月,松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社發(fā)行)。該凸 塊形成方法是利用引線接合技術(shù)。如圖17(a)所示，使用火花放電在通過毛細(xì) 管203的Au線201的前端形成Au球202。如圖17(b)所示，使Au球202與 利用加熱臺(未示出)加熱后的半導(dǎo)體元件101的電極102接觸，通過施加壓力 和超聲波使其接合。如圖17(c)所示，在拉出一定量的Au線201的同時使毛細(xì) 管203上升，從而拉斷Au線201。由此，形成柱形凸塊208。
圖18(a)(b)示出日本國專利第3150347號公報所記載的倒裝芯片安裝結(jié)構(gòu) 體的整體結(jié)構(gòu)及連接部分的截面。使如上所述形成于半導(dǎo)體元件101的電極 102上的柱形凸塊208與印刷基板301的電極302連接。
圖19及圖20示出日本國專利特開平8 — 264540號公報所記載的凸塊形成 方法。該凸塊形成方法也利用引線接合技術(shù)。如圖19(a)所示，在通過毛細(xì)管 203的引線204的前端形成金屬球205，如圖19(b)所示， 一邊用毛細(xì)管203的 前端將金屬球205按壓在半導(dǎo)體元件101的電極102上， 一邊施加超聲波，從 而進(jìn)行接合。如圖19(c)及圖19(d)所示，使毛細(xì)管203的前端橫向移動后，一 邊按壓金屬球205的接合物， 一邊施加超聲波，從而如圖19(e)所示，切斷引 線204。由此形成第一凸塊206。
此后，同樣地形成金屬球205，如圖19(f)所示，使其與第一凸塊206的上 方接合，如圖20(a)及圖20(b)所示，使毛細(xì)管203的前端橫向移動后， 一邊按壓金屬球205的接合物， 一邊施加超聲波，從而切斷引線204。由此，形成第 二凸塊207，完成兩層凸塊218。
該兩層凸塊218中，第一凸塊206和第二凸塊207為大致相同的形狀，或 者第二凸塊207為第一凸塊206的縮小形狀。圖21中示出使用了兩層凸塊218 的倒裝芯片安裝結(jié)構(gòu)體的連接部分的截面。
由于上述的柱形凸塊208和兩層凸塊218都形成于半導(dǎo)體元件101的電極 102上，因此隨著電極102的高密度化、微小化的發(fā)展，凸塊直徑也變小。若 凸塊直徑變小，則安裝倒裝芯片時，柱形凸塊208或兩層凸塊218與電路基板 電極302之間的接觸面積變小，存在連接可靠性變差的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題，其目的在于提供即使半導(dǎo)體元件的電極微小也能充 分確保對電路基板電極的接觸面積、由此能確保連接可靠性的安裝結(jié)構(gòu)體及安
裝方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)體的特征為，具有半導(dǎo)體元件、包 括與所述半導(dǎo)體元件的電極相對配置的電極在內(nèi)的電路基板、及由與所述半導(dǎo) 體元件的電極接合的第一凸塊和與所述電路基板的電極接合的第二凸塊構(gòu)成 的導(dǎo)電性的兩層凸塊，所述第二凸塊比所述第一凸塊要大，所述第一凸塊的中 心軸和所述第二凸塊的中心軸不一致。
如上所述通過將兩層凸塊內(nèi)的第二凸塊做得更大，從而即使半導(dǎo)體元件的 電極微小，也能充分確保凸塊與電路基板電極之間的接觸面積，能確保連接可 靠性。另外通過使第一凸塊的中心軸與所述第二凸塊的中心軸不一致，從而能 減小冷熱沖擊試驗(yàn)等中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。
所述安裝結(jié)構(gòu)體的特征為，電路基板的電極比半導(dǎo)體元件的電極要大，第 二凸塊與所述電路基板的電極大小相同或比它要小，第一凸塊與所述半導(dǎo)體元 件的電極大小相同或比它要小。
所述安裝結(jié)構(gòu)體的特征為，通過第二凸塊的重心的假想線通過第一凸塊。 所述安裝結(jié)構(gòu)體的特征為，第一凸塊的直徑為第二凸塊的直徑的二分之一以上。所述安裝結(jié)構(gòu)體的特征為，半導(dǎo)體元件上形成有沿第一凸塊的側(cè)面的彈性 體，第二凸塊位于所述第一凸塊及所述彈性體的上方。
所述安裝結(jié)構(gòu)體的特征為，第一凸塊偏向半導(dǎo)體元件的電極的任一端部一 側(cè)配置。所述安裝結(jié)構(gòu)體的特征為，第二凸塊比第一凸塊還要偏向半導(dǎo)體元件 的電極的端部一側(cè)配置。
本發(fā)明的安裝方法的特征為，包括在通過毛細(xì)管的引線的前端形成第一 金屬球的工序； 一邊用所述毛細(xì)管將所述第一金屬球按壓在半導(dǎo)體元件的電極 上、 一邊施加超聲波從而形成第一凸塊的工序；在通過毛細(xì)管的引線的前端形 成比所述第一金屬球要大的第二金屬球的工序； 一邊用所述毛細(xì)管將所述第二 金屬球配置并按壓在所述第一凸塊上使得彼此的中心軸不一致、 一邊施加超聲 波從而形成第二凸塊的工序；及在所述第二凸塊上將形成有由所述第一凸塊和 第二凸塊構(gòu)成的兩層凸塊的半導(dǎo)體元件與電路基板的電極連接的工序。
所述安裝方法的特征為，形成第一金屬球的毛細(xì)管和形成第二金屬球的毛 細(xì)管不同。所述安裝方法的特征為，形成第一金屬球的引線和形成第二金屬球 的引線不同。
根據(jù)上述本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)體及安裝方法，即使半導(dǎo)體元件的電極微小， 也能充分確保凸塊與電路基板電極之間的接觸面積，能確保連接可靠性及高質(zhì)


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式之一的安裝結(jié)構(gòu)體的剖視圖。 圖2是構(gòu)成圖1的安裝結(jié)構(gòu)體的半導(dǎo)體元件的電極部分的剖視圖。 圖3是按照工序順序示出圖2的半導(dǎo)體元件中的兩層凸塊的形成方法的剖 視圖。
圖4是按照工序順序示出將圖2的半導(dǎo)體元件進(jìn)行倒裝芯片安裝的方法的 剖視圖。 ^
圖5是放大示出圖1的安裝結(jié)構(gòu)體中的半導(dǎo)體元件與電路基板電極之間的 接合部分的圖。
圖6是示出半導(dǎo)體元件的電極部分的其它例子的剖視圖。圖7是示出半導(dǎo)體元件上的多個電極的配置的俯視圖。
圖8是示出圖7的電極上形成的兩層凸塊的配置例的俯視放大圖。 圖9是示出圖7的電極上形成的兩層凸塊的其它配置例的俯視放大圖。 圖IO是示出半導(dǎo)體元件上的多個電極的其它配置的俯視圖。 圖11是示出圖10的電極上形成的兩層凸塊的配置例的俯視放大圖。 圖12是示出半導(dǎo)體元件的電極部分的又一其它例子的剖視圖。 圖13是示出半導(dǎo)體元件的電極部分的又一其它例子的剖視圖。 圖14是示出半導(dǎo)體元件的電極部分的又一其它例子的剖視圖。 圖15是示出半導(dǎo)體元件的電極部分的又一其它例子的剖視圖。 圖16是示出半導(dǎo)體元件的電極部分的又一其它例子的剖視圖。 圖17是按照工序順序示出以往某一柱形凸塊的形成方法的剖視圖。 圖18是使用了圖17的柱形凸塊的安裝結(jié)構(gòu)體的整體結(jié)構(gòu)及連接部分的剖 視圖。
圖19是按照工序順序示出以往某一兩層凸塊的形成方法的前半工序的剖 視圖。
圖20是按照工序順序示出圖19的兩層凸塊的形成方法的后半工序的剖視圖。
圖21是使用了圖19及圖20的兩層凸塊的安裝結(jié)構(gòu)體的連接部分的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
如圖1所示，本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)體具有半導(dǎo)體元件101、包括與該半導(dǎo)體 元件101的電極102相對配置的電極302在內(nèi)的電路基板301、及將半導(dǎo)體元 件101的電極102與電路基板301的電極302接合的導(dǎo)電性的兩層凸塊213。
兩層凸塊213中，與電路基板301的電極302接合的第二凸塊210、比與 半導(dǎo)體元件101的電極102接合的第一凸塊209要大。
圖2(a)(b)從各相差卯度的兩個方向示出圖1的安裝結(jié)構(gòu)體中使用的半導(dǎo) 體元件101的電極部分。第一凸塊209大致呈圓盤狀，并形成于電極102的電極面內(nèi)的中間。第二凸塊210形成于第一凸塊209上，呈凸出狀，該圓盤狀的 底座部212的直徑比第一凸塊209的直徑要大。這里所謂的直徑是電極102的 最大直徑。第一凸塊209的中心軸和第二凸塊210的中心軸不一致。通過第二 凸塊210的重心的假想線(與中心軸基本一致)通過第一凸塊。
例如，電極102的外形尺寸為54pm、排列間距為120|im的情況下，設(shè)第 一凸塊209其直徑為45iim，高度為l(Him,第二凸塊210其底座部212的直徑 為85pm，高度為25pm。此時，設(shè)第一凸塊209的中心軸和第二凸塊210的中 心軸之間的偏差例如為2(Him。可根據(jù)凸塊的材質(zhì)、凸塊形成條件、接合條件， 將這些尺寸調(diào)整士3 10^im左右。
電極102 —般由以Al為主要材料并包含Si或Cu的Al化合物形成。第一 凸塊209及第二凸塊210由Au(純度為99%以上)形成。在半導(dǎo)體元件101的電 極102以外的表面形成保護(hù)膜103。對于保護(hù)膜103， 一般采用感光性或非感 光性的聚酰亞胺或聚對苯撐苯并雙噁唑(PBO)等具有絕緣性和耐熱性的材料。
參照圖3說明以上述尺寸形成兩層凸塊213的工序。如圖3(a)所示，使直 徑為23pm的Au線201通過前端的孔徑為28Mm的毛細(xì)管203中，在前端形 成038pm的第一Au球214。如圖3(b)所示，將毛細(xì)管203與在加熱臺(未圖 示)上加熱至170°C 300°C的半導(dǎo)體元件101的電極102對準(zhǔn)位置，用毛細(xì)管 203的前端將第一 Au球214以荷重30 80gf按壓在電極102上，并施加超聲 波，從而使其塑性變形以進(jìn)行接合。如圖3(c)所示，在拉出30(Him 500Hm的 Au線201的同時使毛細(xì)管203上升，從而拉斷Au線201。由此，形成具有底 座部211和突起部216的第一凸塊209。
接著，如圖3(d)所示，在毛細(xì)管203的前端形成06(Him的第二 Au球215。 此時，改變火花電流及火花持續(xù)時間使得與形成第一Au球214時不同，從而 形成比第一 Au球214大的第二 Au球215。
此后，如圖3(e)所示使第二Au球215接合在第一凸塊209上，如圖3(f) 所示拉斷Au線201，從而形成第二凸塊210。由此，兩層凸塊213完成。
所形成的兩層凸塊213中，第一凸塊209成為與底座部211大致相應(yīng)的圓 盤狀，第二凸塊210成為具有直徑大于第一凸塊209的底座部U2的凸出狀。此外這里，是使用相同Au線201和毛細(xì)管203形成第一凸塊209和第二 凸塊210，但也可使用直徑不同的Au線201和毛細(xì)管203來形成。另外也可 使用由以Cu為主要材料并含有Pd的Cu化合物構(gòu)成的金屬線形成第二凸塊 210，以便以低價得到良好的散熱性。
參照圖4，說明將上述的半導(dǎo)體元件101進(jìn)行倒裝芯片安裝的方法。在圖 4(a)所示的電路基板301上，如圖4(b)所示配置熱固化性樹脂片材309，利用被 內(nèi)置的加熱器306加熱至70 120°C的粘貼工具305，以5 10kgf/cr^左右的 壓力進(jìn)行粘貼。304是配置在熱固化性樹脂片材309上的可剝離的隔離物，以 防止粘貼工具305等被粘住。
熱固化性樹脂片材309是由含有或完全不含有二氧化硅等無機(jī)類填料的絕 緣性材料(例如，環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰亞胺等)構(gòu)成，可優(yōu)選使用具有能 承受之后進(jìn)行的回流工序中的高溫的耐熱性(例如，可在26(TC下承受10秒鐘 程度的耐熱性)的材料。切割成比半導(dǎo)體元件101的大小大lmm左右的尺寸來 使用。在粘貼結(jié)束后從熱固化性樹脂片材309上剝離隔離物304。
接著，如圖4(c)所示，使用吸附工具307，將形成有兩層凸塊213的半導(dǎo) 體元件101、與粘貼有上述的熱固化性樹脂片材309的電路基板301對準(zhǔn)位置， 使得兩層凸塊213與電路基板電極302對應(yīng)，然后按壓并安裝在熱固化性樹脂 片材309上。吸附工具307的溫度是與周圍環(huán)境大致相同程度的溫度，且為熱 固化性樹脂片材309開始熱固化反應(yīng)的溫度以下。此后，如圖4(d)所示，利用 被加熱器306加熱后的壓合工具308按壓半導(dǎo)體元件101，進(jìn)行加熱，通過兩 層凸塊213使其與電路基板301電連接。
此時，兩層凸塊213被按壓在電路基板301的電路基板電極302上發(fā)生變 形，同時進(jìn)行接合。因此由壓合工具308進(jìn)行的按壓最低也需要20gf。采用不 會使半導(dǎo)體元件IOI、兩層凸塊213、電路基板301發(fā)生損傷的大小的荷重。 另一方面，利用壓合工具308隔著半導(dǎo)體元件101對熱固化性樹脂片材309施 加幾秒 30秒左右的17(TC 25(TC左右的熱量，從而進(jìn)行熱固化，利用固化 后的熱固化性樹脂303將半導(dǎo)體元件101固定在電路基板301上。由此，得到 圖4(e)所示的安裝結(jié)構(gòu)體。圖5(a)(b)放大示出半導(dǎo)體元件101和電路基板電極302之間的接合部分。 兩層凸塊213內(nèi)的第二凸塊210與電路基板電極302連接，其連接面積比現(xiàn)有 的凸塊(參照圖17、圖20)與電路基板電極302連接的連接面積要大。第一凸塊 209的中心軸和第二凸塊210的中心軸不一致。
兩層凸塊213中，如先前參照圖2所說明的那樣，在對半導(dǎo)體元件101上 形成時，第一凸塊209處于半導(dǎo)體元件I01的電極102的電極面內(nèi)，第二凸塊 210的底座部212的直徑比第一凸塊209的直徑要大。
該尺寸關(guān)系在兩層凸塊213發(fā)生變形后也相同，g卩，第一凸塊209處于半 導(dǎo)體元件101的電極102的電極面內(nèi)，第二凸塊210的直徑也比第一凸塊209 的直徑要大。而且，第二凸塊210的直徑與電路基板電極302相同或比它要大。 第一凸塊的直徑比電路基板電極302要小。
這樣，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定兩層凸塊213的尺寸，從而即使半導(dǎo)體元件101的 電極102較小，也能與比其大的電路基板電極302穩(wěn)定地接合。至少，使第一 凸塊209的直徑比第二凸塊210的直徑的一半要大。這是為了使第二凸塊210 的重心必定位于第一凸塊209的上側(cè)(上方)。
根據(jù)上述那樣的兩層凸塊213，在將半導(dǎo)體元件101倒裝芯片安裝在電路 基板301上時，能確保比利用現(xiàn)有的凸塊更大的與電路基板電極302之間的接 合面積，能確保高質(zhì)量的連接可靠性。
另外，通過使第一凸塊的中心軸與第二凸塊的中心軸不一致，具體而言， 通過使第二凸塊偏向靠近半導(dǎo)體元件102的中心軸，從而能夠使半導(dǎo)體元件 101在靠近其中心軸的位置與電路基板301接合。通過這樣使從半導(dǎo)體元件101 的中心軸到接合部分的距離減小，從而能減小冷熱沖擊試驗(yàn)等中產(chǎn)生的熱應(yīng) 力。
圖6示出其它的半導(dǎo)體元件101的電極部分。該半導(dǎo)體元件101與圖2所 示的不同之處在于，兩層凸塊213偏向電極102的單側(cè)形成。第一凸塊209偏 向電極102的周緣部(圖中右側(cè)周緣部)一側(cè)形成，第二凸塊210朝著與第一凸 塊209相同的方向進(jìn)一步偏向一側(cè)形成。第二凸塊210的一部分超出到電極102 的外側(cè)。例如，在電極102的外形尺寸為54pm、且排列間距為12(^m的情況下， 設(shè)第一凸塊209其直徑為45Mm，高度為10jiim，設(shè)第二凸塊210其底座部212 的直徑為85iim，高度為25pm，這時，可使電極102的中心軸和第一凸塊209 的中心軸之間的偏差為4.5^im，使第一凸塊209的中心軸和第二凸塊210的中 心軸之間的偏差為20pm。
圖7示出半導(dǎo)體元件101上的多個電極102的配置。于半導(dǎo)體元件101的 單面的周緣部在沿四邊的各端邊的方向上排列有電極102。
圖8示出電極102上形成的兩層凸塊213的配置的第一例。使所有的兩層 凸塊213偏向電極102的單側(cè)，即朝半導(dǎo)體元件101的中間方向(與端邊垂直 的方向)偏移。
通過這樣，半導(dǎo)體元件101在相比將兩層凸塊213形成于電極102的中間 的情況下，更接近半導(dǎo)體元件102的中心軸的位置與電路基板301接合。 一般 已知，從半導(dǎo)體元件101的中心軸到接合部分的距離越近，越能減小冷熱沖擊 試驗(yàn)等中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。
由此，根據(jù)上述的兩層凸塊213的配置，在將半導(dǎo)體元件101倒裝芯片安 裝在龜路基板301上時，不僅能確保比現(xiàn)有形狀的凸塊更大的兩層凸塊213與 電路基板電極302之間的接合面積，而且相比圖2所示的兩層凸塊213，還能
減小冷熱沖擊試驗(yàn)等中產(chǎn)生的熱應(yīng)力，能進(jìn)一步提高連接可靠性。
最好是，如圖2所說明的那樣，使第一凸塊209的直徑比第二凸塊210的 直徑的一半要大。這是為了使第二凸塊210的重心必定位于第一凸塊209的上 側(cè)(上方)。
圖9示出電極102上形成的兩層凸塊213的配置的第二例。由于半導(dǎo)體元 件101上的電極102間的距離局部較窄，因此僅將該部分的兩層凸塊213朝相 反的方向偏移，即朝著沿端邊的方向偏移。通過這樣，除了具有由圖8的配置 可得到的效果以外，還能防止形成凸塊時和倒裝芯片安裝時發(fā)生短路。
如圖IO所示在半導(dǎo)體元件101上以同心狀等配置有多排電極102的情況 下，如圖11所示，也可使內(nèi)側(cè)一排的電極102上的兩層凸塊213和外側(cè)一排 的電極102上的兩層凸塊213朝著相反的方向、即遠(yuǎn)離端邊的方向和靠近端邊 的方向偏移。由此，能防止形成凸塊時和倒裝芯片安裝時發(fā)生短路。圖12示出半導(dǎo)體元件101的電極部分的其它例子。該半導(dǎo)體元件101與
圖2所示的不同之處在于，在由半導(dǎo)體元件101的電極102和第二凸塊210的 底座部212形成的空隙中，以被覆第一凸塊209的側(cè)面的形狀設(shè)有彈性體217。
在形成第二凸塊210前，通過將感光性或非感光性的如聚酰亞胺或環(huán)氧樹 脂那樣同時具有耐熱性和絕緣性的材料進(jìn)行涂敷等，從而形成彈性體217。彈 性體217的外形尺寸與第二凸塊210的外形尺寸大致相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，除了具有對圖2所示的半導(dǎo)體元件101闡述的效果以外， 通過在第二凸塊下方的空隙中存在彈性體217，從而能使對于倒裝芯片安裝體 的可靠性試驗(yàn)中的熱應(yīng)力集中于第一凸塊209和第二凸塊210的連接部的情況 加以緩和，由此能進(jìn)一步提高連接可靠性。
如圖13所示，在將兩層凸塊213偏向電極102的單側(cè)形成的情況下，也 可利用彈性體217僅被覆第一凸塊的一部分。彈性體217的外形尺寸是與第二 凸塊210大致相同的尺寸。
如圖14所示，也可將彈性體217形成在半導(dǎo)體元件101的整個表面或較 大的區(qū)域，使得嵌入由半導(dǎo)體元件101的電極102和第二凸塊210的底座部212 形成的空隙中。
如上所述，對于兩層凸塊213，說明了第一凸塊209的中心軸和第二凸塊 210的中心軸不一致的情況，但即使如圖15、圖16所示兩者的中心軸一致， 當(dāng)然也能確保與電路基板電極302之間的接合面積比現(xiàn)有的凸塊要大。
另外，說明了在半導(dǎo)體元件101上形成兩層凸塊213的情況，但也可在電 路基板301上形成兩層凸塊213，使其與半導(dǎo)體元件101接合。也可適用于半 導(dǎo)體元件101以外的電子元器件。
如上述所說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)體，即使半導(dǎo)體元件的 電極微小，也能充分確保凸塊與電路基板電極之間的接觸面積，能確保高 質(zhì)量的連接可靠性。由此，能應(yīng)對半導(dǎo)體元件的電極的進(jìn)一步的微小化， 可廣泛用于電子設(shè)備的小型化等。
權(quán)利要求
1.一種安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于，具有半導(dǎo)體元件；包括與所述半導(dǎo)體元件的電極相對配置的電極的電路基板；及由與所述半導(dǎo)體元件的電極接合的第一凸塊和與所述電路基板的電極接合的第二凸塊構(gòu)成的導(dǎo)電性的兩層凸塊，所述第二凸塊比所述第一凸塊要大，所述第一凸塊的中心軸和所述第二凸塊的中心軸不一致。
2. 如權(quán)利要求l所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于，電路基板的電極比半導(dǎo)體元件的電極要大，第二凸塊與所述電路基板的電 極大小相同或比它要小，第一凸塊與所述半導(dǎo)體元件的電極大小相同或比它要小。
3. 如權(quán)利要求l所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 通過第二凸塊的重心的假想線通過第一凸塊。
4. 如權(quán)利要求1或3的任一項(xiàng)所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 第一凸塊的直徑在第二凸塊的直徑的二分之一以上。
5. 如權(quán)利要求l所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于，在半導(dǎo)體元件上形成沿第一凸塊的側(cè)面的彈性體，第二凸塊位于所述第一 凸塊及所述彈性體的上方。
6. 如權(quán)利要求l所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 第一凸塊偏向半導(dǎo)體元件的電極的任一端部一側(cè)而配置。
7. 如權(quán)利要求6所述的安裝結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 第二凸塊比第一凸塊更加偏向半導(dǎo)體元件的電極的端部一側(cè)而配置。
8. —種安裝方法，其特征在于，包括 在通過毛細(xì)管的引線的前端形成第一金屬球的工序；用所述毛細(xì)管將所述第一金屬球按壓在半導(dǎo)體元件的電極上、同時通過施 加超聲波以形成第一凸塊的工序；在通過毛細(xì)管的引線的前端形成比所述第一金屬球要大的第二金屬球的 工序；用所述毛細(xì)管將所述第二金屬球配置并按壓在所述第一凸塊上以使得彼 此的中心軸不一致、同時通過施加超聲波以形成第二凸塊的工序；及在所述第二凸塊上將形成有由所述第一凸塊和第二凸塊構(gòu)成的兩層凸塊 的半導(dǎo)體元件與電路基板的電極連接的工序。
9. 如權(quán)利要求8所述的安裝方法，其特征在于， 形成第一金屬球的毛細(xì)管和形成第二金屬球的毛細(xì)管是不同的。
10. 如權(quán)利要求8或9的任一項(xiàng)所述的安裝方法，其特征在于， 形成第一金屬球的引線和形成第二金屬球的引線是不同的。
全文摘要
本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu)體具有半導(dǎo)體元件101、包括與該半導(dǎo)體元件101的電極102相對配置的電極302在內(nèi)的電路基板301、及導(dǎo)電性的兩層凸塊213。將與電路基板301的電極302接合的第二凸塊210、形成得比與半導(dǎo)體元件101的電極102接合的第一凸塊209要大。第一凸塊209的中心軸和第二凸塊210的中心軸不一致。
文檔編號H01L23/482GK101615603SQ20091013952
公開日2009年12月30日 申請日期2009年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月27日
發(fā)明者中村浩二郎, 戶村善廣, 熊澤謙太郎 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社