專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示面板及應(yīng)用該顯示面板的圖像顯示系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于顯示面板，且特別是有關(guān)于有源式有機(jī)發(fā)光二極管面板及應(yīng)用該顯 示面板的圖像顯示系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
有源式發(fā)光元件，例如發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光二極管已廣泛地應(yīng)用于平面顯示器 上。其中，有源矩陣式有機(jī)電激發(fā)光二極管(AM-OLED)因具有體積薄、重量輕、自發(fā)光的高 發(fā)光效率、低耗電、廣視角、高對(duì)比、高應(yīng)答速度、及全彩化等特性而受到重視。通常，在AMOLED面板中，會(huì)使用寬(例如大于IOOym)且長(zhǎng)的金屬線路(metal track)作為圍繞面板周邊區(qū)的電源線，以提供顯示所需的電源。周邊區(qū)的金屬線路可以與 像素區(qū)的電極層(陽(yáng)極或陰極)同一層且同時(shí)形成，由于周邊區(qū)的金屬線路具有相對(duì)寬的 寬度或相對(duì)大的面積，使得其表面型態(tài)(topography)與像素區(qū)的電極層的表面型態(tài)差異 甚大，例如周邊區(qū)的金屬線路的表面粗糙度不足，如此會(huì)影響后續(xù)形成的材料層的品質(zhì)，例 如形成于周邊區(qū)的金屬線路上方的絕緣層的厚度過(guò)薄，而造成絕緣層的上方與下方的兩層 金屬線路之間的短路，進(jìn)而嚴(yán)重影響顯示面板的運(yùn)作。再者，由于周邊區(qū)的金屬線路具有相 對(duì)大的面積，而容易產(chǎn)生過(guò)大的應(yīng)力。因此，業(yè)界亟需一種顯示面板，能夠改善顯示面板的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，包括基底，包含像素區(qū)及周邊區(qū)；控制元件， 位于該像素區(qū)的該基底上；導(dǎo)電層，位于該周邊區(qū)的該基底上；第一絕緣層，位于該周邊區(qū) 的該導(dǎo)電層上，其中該第一絕緣層與該周邊區(qū)的該導(dǎo)電層的面積比介于約0. 27至0. 99之 間；下電極層，位于該第一絕緣層上；以及第二絕緣層，位于該下電極層上。本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種圖像顯示系統(tǒng)，包含顯示裝置，其中顯示裝置包括上 述的顯示面板。


圖1A-1E顯示本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的一系列工藝剖面圖；圖2A-2D顯示本發(fā)明數(shù)個(gè)實(shí)施例中，周邊區(qū)中導(dǎo)電層上的絕緣層的上視圖；圖3顯示本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的局部上視圖；圖4顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像顯示系統(tǒng)的示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明1 像素區(qū)；2 周邊區(qū)；100 基底；102 有源層；
104、106a、106b、106c 介電層；106d、106e 開(kāi)口；T1、T2 晶體管;C 電容；111 接觸開(kāi)口；112 導(dǎo)電層；113 第一溝槽；115 第二溝槽；108 第一絕緣層；114 下電極層；110 第二絕緣層；118 發(fā)光層；116 上電極層；119 第一絕緣層的開(kāi)口；121 凹部；123 凸起結(jié)構(gòu)；tl、t3 第二絕緣層110的厚度；400 顯示面板；600 顯示裝置；700 輸入裝置；800 電子裝置。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板藉由形成的周邊區(qū)中的例如金屬的導(dǎo)電線路下方的絕 緣層中開(kāi)口的設(shè)計(jì)或布局，來(lái)改變導(dǎo)電線路的表面型態(tài)，進(jìn)而確保后續(xù)形成的絕緣層具有 足夠的厚度，如此可避免作為周邊區(qū)導(dǎo)電線路的上電極層與下電極層間發(fā)生短路。圖1A-1E顯示本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的工藝剖面圖。圖3顯示本發(fā)明一實(shí)施 例的顯示面板的局部上視圖，A-A’剖面線的剖面顯示于圖1A-1D，再者，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，圖3 的上視圖未繪出像素區(qū)的細(xì)部元件。首先，如圖IA所示，提供基底100，其具有像素區(qū)1及周邊區(qū)2。在一實(shí)施例中， 可于基底100上形成緩沖層(未顯示)，其材質(zhì)可例如為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或前述 的組合。接著，透過(guò)習(xí)知方法于基底100上形成有源層102、介電層104、柵電極、及電容上 電極以形成面板的控制元件，例如包括晶體管1\、T2、及電容C，并于上述元件上形成介電層 106a及106b。介電層106a及106b可為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、前述的疊層、或前述的 組合?？赏高^(guò)選區(qū)注入依需求于有源層102的不同區(qū)域摻雜所需的雜質(zhì)，以形成例如源極 區(qū)、漏極區(qū)、及電容下電極區(qū)等。在其他實(shí)施例中，可先進(jìn)行輕摻雜，并于柵電極定義后進(jìn)行 重?fù)诫s以形成輕摻雜源極/漏極區(qū)于通道區(qū)的兩側(cè)。接著，將介電層104、106a、及106b圖 案化以形成露出晶體管T1的源極區(qū)以及晶體管T2的漏極區(qū)的開(kāi)口 106d及106e。接著，參照?qǐng)DIB及圖3，進(jìn)行導(dǎo)電材料沉積及選擇性蝕刻步驟，以在像素區(qū)1及周
4邊區(qū)2的基底100上形成導(dǎo)電層112，其中像素區(qū)1的導(dǎo)電層112會(huì)填入露出晶體管T1的 源極區(qū)以及晶體管T2的漏極區(qū)的開(kāi)口 106d及160e (請(qǐng)參照?qǐng)D1A)，而與晶體管T1及晶體 管T2電性連接，以作為數(shù)據(jù)線。另一方面，周邊區(qū)2的導(dǎo)電層112則是形成于基底100上， 周邊區(qū)2的導(dǎo)電層112中可具有第一溝槽113，此第一溝槽113有助于釋放周邊區(qū)2中大面 積的導(dǎo)電層112產(chǎn)生的較高應(yīng)力，除此之外，亦可增加工藝中光致抗蝕劑去除能力。值得注 意的是，第一溝槽113不限于圖3所示的型式與分布方式。請(qǐng)接著參照?qǐng)DIC及圖3，進(jìn)行絕緣材料形成與選擇性蝕刻步驟，在周邊區(qū)2的導(dǎo)電 層112上形成第一絕緣層108，同時(shí)此第一絕緣層108也形成于像素區(qū)1的基底100上，像 素區(qū)1的第一絕緣層108具有一接觸開(kāi)口 111，用以使作為數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電層112露出。值得 注意的是，周邊區(qū)2的第一絕緣層108具有至少一露出導(dǎo)電層112的開(kāi)口 119，使第一絕緣 層108呈現(xiàn)彼此分離的矩形島狀(如圖3的上視圖所示)，使得周邊區(qū)2的第一絕緣層108 與其下方的導(dǎo)電層112的面積比介于約0. 27至0. 99之間，較佳者，介于0. 67 0. 80之間。 本實(shí)施例的第一絕緣層108的形成方式是利用旋轉(zhuǎn)涂布法涂覆有機(jī)絕緣材料，再利用微影 及蝕刻步驟來(lái)完成。在一實(shí)施例中，周邊區(qū)2的第一絕緣層108會(huì)填入導(dǎo)電層112的中的 第一溝槽113。在一實(shí)施例中，形成第一絕緣層108之前，可在像素區(qū)1的介電層106b上形成介 電層106c。其次，請(qǐng)參照?qǐng)DID及圖3，進(jìn)行導(dǎo)電材料沉積及選擇性蝕刻的步驟，以順應(yīng)性在像 素區(qū)1與周邊區(qū)2的第一絕緣層108上形成下電極層114，此下電極層114可以由至少一金 屬層及/或其他導(dǎo)電層構(gòu)成，且像素區(qū)1的下電極層114會(huì)填入露出導(dǎo)電層112的接觸開(kāi) 口 111 (如圖1C)，而與作為數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電層112電性連接。周邊區(qū)2的下電極層114會(huì)順 應(yīng)性地形成于第一絕緣層108的上方，而具有至少一凹部121。再者，在周邊區(qū)2的下電極 層114與其下方的導(dǎo)電層112共同作為例如電源線等的導(dǎo)電線路使用，其具有相對(duì)寬的線 寬與相對(duì)大的面積。值得注意的是，由于周邊區(qū)2的第一絕緣層108具有開(kāi)口 119，使得順應(yīng)性形成的 下電極層114的上表面具有對(duì)應(yīng)于開(kāi)口 119位置的凹部121，此凹部121的寬度w介于約 2. 5μπι至300μπι之間，其間距b介于約20μπι至80μπι之間，而深度d大于介于0. 08 0. 30 μ m，且較佳值約為0. 1 μ m?？偠缘?，周邊區(qū)2的下電極層114的上表面，因?qū)?yīng)于開(kāi) 口 119(請(qǐng)參照?qǐng)D1C)的凹部121，而具有凸起結(jié)構(gòu)123。再者，在一實(shí)施例中，周邊區(qū)2的下電極層114的上表面的表面粗糙度介于約 5% 40%之間，在另一實(shí)施例中，下電極層114的表面粗糙度介于約10% 30%。在又一 實(shí)施例中，下電極層114的表面粗糙度介于約15% 25%。在此，表面粗糙度的定義為，下 電極層114的凸起結(jié)構(gòu)123的上表面與側(cè)表面的面積總和除以整個(gè)下電極層114的投影面 積得到數(shù)值。亦即，凸起結(jié)構(gòu)123的上表面與側(cè)表面所占的面積比例。由于周邊區(qū)2下電極層114的線寬較大(面積較大)，而具有較高的應(yīng)力，在一實(shí) 施例中，周邊區(qū)2的下電極層114可定義出第二溝槽115，此第二溝槽115有助于釋放周邊 區(qū)2中大面積的下電極層114產(chǎn)生的較高應(yīng)力。其次，請(qǐng)參照?qǐng)D1E，利用例如旋轉(zhuǎn)涂布法將有機(jī)絕緣材料涂布于像素區(qū)1以及周 邊區(qū)2的下電極層114上，接著進(jìn)行微影及蝕刻步驟以選擇性蝕刻上述有機(jī)絕緣材料，以形成第二絕緣層110。像素區(qū)1的第二絕緣層110具有露出下電極層114的開(kāi)口，用來(lái)作為 像素定義層(Pixel definition layer ；PDL) 0值得注意的是，由于周邊區(qū)2的第一絕緣層 108的開(kāi)口 119設(shè)計(jì)，使周邊區(qū)2的第一絕緣層108與其下方的導(dǎo)電層112的面積比介于 約0. 27至0. 99之間，進(jìn)而使后續(xù)形成的下電極層114的上表面具有特定尺寸、間距的凹部 121，換言之，使下電極層114具有特定的表面粗糙度，可使第二絕緣層110的旋轉(zhuǎn)涂布過(guò)程 中，容易留住足量的有機(jī)絕緣材料，進(jìn)而使周邊區(qū)2的第二絕緣層110具有足夠的厚度t3， 例如約1.5μπι 3μ 之間，較佳地約介于2. 0 μ m 2. 6 μ m。在一實(shí)施例中，形成于像素區(qū)1的第二絕緣層110的厚度tl以及周邊區(qū)2的第二 絕緣層110的厚度t3相當(dāng)，或者像素區(qū)1以及周邊區(qū)2的第二絕緣層110的厚度僅有些微差距。然后，在像素區(qū)1的第二絕緣層110上形成發(fā)光層118及上電極層116而完成本 發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的制作，上電極層116也形成于周邊區(qū)2的第二絕緣層110上方。如上所述，藉由第一絕緣層108開(kāi)口 119的設(shè)計(jì)，可改變周邊區(qū)2的下電極層114 的表面型態(tài)。亦即，周邊區(qū)2的下電極層114的上表面具有特定的凹部121及凸起結(jié)構(gòu)123， 在旋轉(zhuǎn)涂布過(guò)程中，有助于留住足量的有機(jī)絕緣材料，因此可使周邊區(qū)2的第二絕緣層110 具有足夠的厚度，如此一來(lái)，可避免周邊區(qū)2的下電極層114以及上電極層116之間發(fā)生短 路。再者，在周邊區(qū)2中的導(dǎo)電層112以及下電極層114的中分別設(shè)置第一溝槽113 以及第二溝槽115，可釋放過(guò)高的應(yīng)力，能夠提高顯示面板的可靠度。在周邊區(qū)，形成于第一絕緣層108的中的開(kāi)口 119不限于圖3所示的型式或布局， 例如，在一實(shí)施例中，形成于周邊區(qū)2的第一絕緣層108中的開(kāi)口 119可以呈陣列方式排 列，請(qǐng)參照?qǐng)D2A。在另一實(shí)施例中，開(kāi)口 119也可以是矩形或長(zhǎng)條狀，如圖2D所示，也可以 是圖未顯示的圓形、多邊形或其他不規(guī)則的形狀。在另一實(shí)施例中，形成于周邊區(qū)2的第一 絕緣層108中的開(kāi)口 119也可以使第一絕緣層108呈彼此分離的島狀，且也可呈陣列排列， 如圖2B所示。再者，第一絕緣層108并不限于圖2B所示的方形，具體而言，第一絕緣層108 可以是圓形與方形同時(shí)存在的形式，且呈不規(guī)則方式排列，如圖2C所示。此外，本發(fā)明實(shí)施例不限于應(yīng)用在有源陣列式有機(jī)發(fā)光二極管面板，亦可應(yīng)用于 其他顯示面板。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖像顯示系統(tǒng)方塊示意圖，其可實(shí)施于顯示 裝置600或電子裝置800，例如行動(dòng)電話(huà)、數(shù)位相機(jī)、個(gè)人數(shù)位助理(personal digital assistant, PDA)、筆記型電腦、桌上型電腦、電視、車(chē)用顯示器、或攜帶型攜帶式數(shù)位影音光 碟播放器。在此實(shí)施例中，顯示裝置600包含顯示面板400，即上述實(shí)施例的顯示面板，例如 圖3所示的顯示面板。此外，在其他實(shí)施例中，顯示裝置600可為電子裝置800的一部分， 如圖4所示，電子裝置800包括顯示裝置600及輸入單元700。其中，輸入單元700耦接至 顯示裝置600，用以提供輸入信號(hào)(例如，圖像信號(hào))至顯示裝置600以產(chǎn)生圖像。再者，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板可應(yīng)用于各種電子裝置，例如圖未顯示的行 動(dòng)電話(huà)、數(shù)位相機(jī)、個(gè)人數(shù)位助理、筆記型電腦、桌上型電腦、電視、車(chē)用顯示器或攜帶式數(shù) 位影音光碟播放器。雖然本發(fā)明已以數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
6技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動(dòng)與潤(rùn)飾， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種顯示面板，包括基底，包含像素區(qū)及周邊區(qū)；控制元件，位于該像素區(qū)的該基底上；導(dǎo)電層，位于該周邊區(qū)的該基底上；第一絕緣層，位于該周邊區(qū)的該導(dǎo)電層上，其中該第一絕緣層與該周邊區(qū)的該導(dǎo)電層的面積比介于約0.27至0.99之間；下電極層，位于該第一絕緣層上；以及第二絕緣層，位于該下電極層上。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該第一絕緣層為島狀，且該第一絕緣層為方形、 矩形、多邊形、圓形或其組合。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該第一絕緣層包括至少一開(kāi)口，且該該開(kāi)口為 方形、矩形、多邊形、圓形或其組合。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示面板，其中該開(kāi)口呈陣列方式排列。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示面板，其中該下電極層的上表面具有至少一凹部，設(shè)置于 對(duì)應(yīng)該開(kāi)口的位置。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其中該凹部的寬度介于約2.5 y m至300 y m之間，其 深度介于0. 08 0. 30 ii m,且該凹部的間距介于約20 ii m至80 ii m之間。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中第二絕緣層的厚度介于約1.5 y m至3. 0 y m之間。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該下電極層的上表面的表面粗糙度介于約 5%~ 40%之間。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中該第二絕緣層為涂布式有機(jī)絕緣層。
10.一種圖像顯示系統(tǒng)，包含一顯示裝置，其中該顯示裝置包括如權(quán)利要求1所述的顯 示面板。
11.如權(quán)利要求10所述的圖像顯示系統(tǒng)，還包含電子裝置，其中該電子裝置包含 該顯示面板；以及輸入裝置，其與該顯示裝置耦接，并提供信號(hào)至該顯示裝置以顯示圖像； 其中該電子裝置為行動(dòng)電話(huà)、數(shù)位相機(jī)、個(gè)人數(shù)位助理、筆記型電腦、桌上型電腦、電 視、車(chē)用顯示器、或攜帶式數(shù)位影音光碟播放器。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，包括基底，包含像素區(qū)及周邊區(qū)；控制元件，位于該像素區(qū)的該基底上；導(dǎo)電層，位于該周邊區(qū)的該基底上；第一絕緣層，位于該周邊區(qū)的該導(dǎo)電層上，其中該第一絕緣層與該周邊區(qū)的該導(dǎo)電層的面積比介于約0.27至0.99之間；下電極層，位于該第一絕緣層上；以及第二絕緣層，位于該下電極層上。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101872780SQ20091013564
公開(kāi)日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2009年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月23日
發(fā)明者戴宇弘, 曾章和, 蘇聰藝 申請(qǐng)人:統(tǒng)寶光電股份有限公司