專利名稱：像素陣列及顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素陣列及顯示面板，且特別是關(guān)于一種兼具省電 效果及高開口率的像素陣列及顯示面板。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)今顯示面板的像素陣列(pixel array)結(jié)構(gòu)當(dāng)中，有一類被稱為半源 極驅(qū)動(half source driving,以下簡稱為HSD)架構(gòu)。HSD架構(gòu)借著減半數(shù) 據(jù)線的數(shù)目，以達(dá)到源極驅(qū)動器(source driver)的驅(qū)動通道(driving channels) 數(shù)也可以減半的目的，因此可以節(jié)省驅(qū)動像素陣列所需的能源。
一般而言，當(dāng)將HSD架構(gòu)應(yīng)用于高解析度的產(chǎn)品中時， 一般會將紅色、 綠色、藍(lán)色彩色濾光圖案以直線型的方式排列。但是在高解析度產(chǎn)品，因?yàn)?各像素結(jié)構(gòu)中的薄膜晶體管占用面積過大，導(dǎo)致像素陣列中像素結(jié)構(gòu)的開口 區(qū)域無法對齊，也就是相鄰兩像素結(jié)構(gòu)的開口區(qū)域會有錯位的情況。如此一 來，當(dāng)此顯示面板于顯示畫面時，容易產(chǎn)生斜紋(mum)瑕疵，而造成顯示品質(zhì) 不足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種像素陣列，可維持高開口率并避免斜紋瑕疵的產(chǎn)生。 本發(fā)明又提出一種顯示面板，具有上述像素陣列，可兼具省電效果并維 持高亮度。
本發(fā)明提出一種像素陣列，其由多個像素單元所構(gòu)成，每一像素單元包 括第一掃描線、第二掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、第一開關(guān)元件、第二開關(guān)元件、第一像素電極以及第二像素電極。第一掃描線、第二掃描線、第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線設(shè)置于基板上，以于基板上定義出第一像素區(qū)，且第一像素區(qū)具有第一、第二子像素區(qū)。第一開關(guān)元件與第二掃描線以及第一數(shù)據(jù)線電連接，并位于第一像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)。第二開關(guān)元件與第—掃描線以及第一開關(guān)元件電連接，并位于第一像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)。第一像素電極位于第一像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)，并且與第一、第二開關(guān)元件電連接。第二像素電極位于第一像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)，并且與第二開關(guān)元件電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述像素陣列更包括第三掃描線、第三開關(guān)元件、第四開關(guān)元件、第三像素電極以及第四像素電極。第三掃描線設(shè)置于基板上，以于基板上定義出第二像素區(qū)，且第二像素區(qū)具有第一、第二子像素區(qū)。第三開關(guān)元件與第三掃描線以及第二數(shù)據(jù)線電連接，并且位于第二像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)。第四開關(guān)元件與第二掃描線以及第三開關(guān)元件電連接，并且位于第二像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)。第三像素電極位于第二像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)，并且與第四開關(guān)元件電連接。第四像素電極位于第二像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)，并且與第三、第四開關(guān)元件電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一開關(guān)元件與第四開關(guān)元件設(shè)置于第二掃描線的正上方。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第二開關(guān)元件設(shè)置于第一掃描線的正上方。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第三開關(guān)元件設(shè)置于第三掃描線的正上方。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一、第二、第三、第四開關(guān)元件分別為第一、第二、第三、第四薄膜晶體管，且第一薄膜晶體管的漏極與第二薄膜
晶體管的源極連接，第三薄膜晶體管的漏極與第四薄膜晶體管的源極連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述像素陣列更包括第一接觸窗、第二接觸窗、第三接觸窗以及第四接觸窗。第一接觸窗位于第一像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)，其電連接第一像素電極、第一薄膜晶體管的漏極以及第二薄膜晶體管的源極。第二接觸窗位于第一像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)，其電連接第二像素電極以及 第二薄膜晶體管的漏極。第三接觸窗位于第二像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)，其 電連接第三像素電極以及第四薄膜晶體管的漏極。第四接觸窗位于第二像素 區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)，其電連接第四像素電極、第三薄膜晶體管的漏極以及 第四薄膜晶體管的源極。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述像素陣列更包括第一補(bǔ)償線以及第二補(bǔ)償 線。第一補(bǔ)償線位于第一像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)，并往第二掃描線延伸。 第二補(bǔ)償線位于第二像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)，并往第三掃描線延伸。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述像素陣列更包括多條柵極引線，其大體平 行第一、第二數(shù)據(jù)線設(shè)置，且每一或部分柵極引線位于兩相鄰的數(shù)據(jù)線之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一、第二、第三、第四開關(guān)元件分別為 第一、第二、第三、第四薄膜晶體管，且第一薄膜晶體管的漏極以及第二薄 膜晶體管的源極分別與第一像素電極電連接，第三薄膜晶體管的漏極以及第 四薄膜晶體管的源極分別與第四像素電極電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述像素陣列更包括第一接觸窗、第二接觸窗、 第三接觸窗、第四接觸窗、第五接觸窗以及第六接觸窗。第一接觸窗位于第 一像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)，其電連接第一像素電極以及第二薄膜晶體管的 源極。第二接觸窗位于第一像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)，其電連接第二像素電 極以及第二薄膜晶體管的漏極。第三接觸窗位于第一像素區(qū)的第一子像素區(qū) 內(nèi)，其電連接第一像素電極以及第一薄膜晶體管的漏極。第四接觸窗位于第 二像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)，其電連接第三像素電極以及第四薄膜晶體管的 漏極。第五接觸窗位于第二像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)，其電連接第四像素電 極以及第四薄膜晶體管的源極。第六接觸窗位于第二像素區(qū)的第二子像素區(qū) 內(nèi)，其電連接第四像素電極與第三薄膜晶體管的漏極。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述像素陣列更包括第一擬接觸窗、以及第二 擬接觸窗。第一擬接觸窗位于第一像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)，其與第二像素電極電連接。第二擬接觸窗位于第二像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)，其與第三像素電極電連接。
本發(fā)明又提出一種顯示面板，包括上述的像素陣列、彩色濾光陣列以及顯示介質(zhì)。彩色濾光陣列位于像素陣列的對向。顯示介質(zhì)位于像素陣列與彩色濾光陣列之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述彩色濾光陣列包括多個第一、第二、第三彩色濾光圖案，且多個第一、第二、第三彩色濾光圖案各自為直列式排列。
基于上述，由于本發(fā)明所提出的像素陣列排列整齊、且開口區(qū)不容易產(chǎn)生錯位，因此可維持高開口率并避免斜紋的產(chǎn)生。此外，本發(fā)明所提出的顯示面板，由于具有上述像素陣列，因此可兼具省電效果并維持高亮度。


圖1A為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列200的等效電路圖。圖1B為像素陣列200的上視示意圖。
圖1C為對應(yīng)于圖2B的像素陣列200中，a-a， 、 b-b， 、 c-c，及d-d，的
剖面示意圖。
圖2A為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列300的等效電路圖。圖2B為像素單元304的局部上視示意圖。圖2C為對應(yīng)于圖2B的像素陣列300中，e-e'的剖面示意圖。圖3A為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素陣列400的局部上視示意圖。圖3B為對應(yīng)于圖3A的像素陣列400中，f-f 、 h-h'的剖面示意圖。圖4A為本發(fā)明較佳實(shí)施例的顯示面板500側(cè)視示意圖。圖4B為圖4A的彩色濾光陣列520的局部上視示意圖。附圖標(biāo)號
200、 410、 510:像素陣列202、 402: 基板204、 304、 404:像素單元
206、 406: 第一像素區(qū)
206a、 208a、 406a、 408a:第一子像素區(qū)
206b、 208b、楊b、 408b:第二子像素區(qū)
208、條第:二像素區(qū)
211、411:第-一掃描線
212、412:第」二掃描線
213、413:第」三掃描線
221、421:第-一數(shù)據(jù)線
222、422:第:二數(shù)據(jù)線
231、431:第--開關(guān)元件、第一薄膜晶體管
232、432:第:二開關(guān)元件、第二薄膜晶體管
233、433:第」三開關(guān)元件、第三薄膜晶體管
234、434:第四開關(guān)元件、第四薄膜晶體管
231g、 232g:柵極
231s、 232s、 233s、 234s、 431s、 432s、 433s、 434s:源極231d、 232d、 233d、 234d、 431d、 432d、 433d、 434d:漏極
241、441:第一像素電極
242、442:第二像素電極
243、443:第三像素電極
244、444:第四像素電極
251、451:第一接觸窗
252、452:第二接觸窗
253、453:第三接觸窗
254、454:第四接觸窗
261:第一補(bǔ)償線262:第二補(bǔ)償線455:第五接觸窗456:第六接觸窗
461:第一擬接觸窗
462:第二擬接觸窗G:柵絕緣層
GW:柵極接觸窗PV:保護(hù)層500:顯示面板520:彩色濾光陣列521:第一彩色濾光圖案
522:第二彩色濾光圖案523:第三彩色濾光圖案530:顯示介質(zhì)
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。
第一實(shí)施例
圖1A為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列200的等效電路圖。圖IB為像素陣列200的上視示意圖。圖lC為對應(yīng)于圖lB的像素陣列200中，a-a， 、b-b，、c-c'及d-d'的剖面示意圖。請參照圖1A、圖1B及圖1C，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，像素陣列200是由位于基板202上的多個像素單元204所構(gòu)成，但為便于說明本實(shí)施例，圖1A及圖1B僅繪示單個像素單元204作為代表。
在一實(shí)施例中，像素單元204包括第一掃描線211、第二掃描線212、第一數(shù)據(jù)線221、第一開關(guān)元件231、第二開關(guān)元件232、第一像素電極241以及第二像素電極242。在另一較佳實(shí)施例中，像素單元204還包括第三掃描線213、第二數(shù)據(jù)線222、第三開關(guān)元件233、第四開關(guān)元件234、第三像素電極243以及第四像素電極244。
第一掃描線211、第二掃描線212、第一數(shù)據(jù)線221以及第二數(shù)據(jù)線222設(shè)置于基板202上，以于基板202上定義出第一像素區(qū)206，且第一像素區(qū)206具有第一子像素區(qū)206a與第二子像素區(qū)206b。第二掃瞄線212、第三掃描線213、第一數(shù)據(jù)線221以及第二數(shù)據(jù)線222設(shè)置于基板202上，以于基板202上定義出第二像素區(qū)208，且第二像素區(qū)208具有第一子像素區(qū)208a及第二子像素區(qū)208b。
第一開關(guān)元件231與第二掃描線212以及第一數(shù)據(jù)線221電連接，并位于第一像素區(qū)206的第一子像素區(qū)206a內(nèi)。較佳的是，第一開關(guān)元件231位于第二掃描線212的正上方。
第二開關(guān)元件232與第一掃描線211以及第一開關(guān)元件231電連接，并位于第一像素區(qū)206的第一子像素區(qū)206a內(nèi)。較佳的是，第二開關(guān)元件232位于第一掃描線211的正上方。
第三開關(guān)元件233與第三掃描線213以及第二數(shù)據(jù)線222電連接，并且位于第二像素區(qū)208的第二子像素區(qū)208b內(nèi)。較佳的是，第三開關(guān)元件233位于第三掃描線的正上方。
第四開關(guān)元件234與第二掃描線212以及第三開關(guān)元件233電連接，并且位于第二像素區(qū)208的第二子像素區(qū)208b內(nèi)。較佳的是，第四開關(guān)元件234位于第二掃描線212的正上方。
第一像素電極241位于第一像素區(qū)206的第一子像素區(qū)206a內(nèi)，并且與第一開關(guān)元件231及第二開關(guān)元件232電連接。第二像素電極242位于第一像素區(qū)206的第二子像素區(qū)206b內(nèi)，并且與第二幵關(guān)元件232電連接。第三像素電極243位于第二像素區(qū)208的第一子像素區(qū)208a內(nèi)，并且與第四開關(guān)元件234電連接。第四像素電極244位于第二像素區(qū)208的第二子像素區(qū)208b內(nèi)，并且與第三開關(guān)元件233及第四開關(guān)元件234電連接。
更詳細(xì)而言，請同時參照圖1B及圖1C，在本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)200中，第一開關(guān)元件231、第二開關(guān)元件232、第三開關(guān)元件233及第四開關(guān)元件234分別為第一、第二、第三、第四薄膜晶體管。第一、第二、第三、第四薄膜晶體管分別具有柵極、源極以及漏極。
詳細(xì)而言，以第一薄膜晶體管231為例，如圖1C所示，第一薄膜晶體管231具有柵極231g、源極231s及漏極231d。在本實(shí)施例中，第一薄膜晶體管231的柵極231g即為第二掃描線212的一部份，源極231s與第一數(shù)據(jù)線221電連接，而漏極231d往第一像素區(qū)206的第一子像素區(qū)206a內(nèi)部延伸。另外，第一薄膜晶體管231的柵極231g上方設(shè)置有柵絕緣層G，而在第一薄膜晶體管231的源極231s與漏極231d上方還覆蓋有保護(hù)層PV。
類似地，第二薄膜晶體管232具有柵極232g、源極232s及漏極232d，其中第二薄膜晶體管232的柵極232g舉例為第一掃描線211的一部份。第二薄膜晶體管232的源極232s與第一薄膜晶體管231的漏極231d電連接。第二薄膜晶體管232的漏極232d則延伸至第一像素區(qū)206的第二子像素區(qū)206b中。
第三薄膜晶體管233具有柵極233g、源極233s及漏極233d，其中第三薄膜晶體管233的柵極233g即為第三掃描線213的一部份。源極233s與第二數(shù)據(jù)線222電連接，而漏極233d往第二像素區(qū)208的第二子像素區(qū)208b內(nèi)部延伸。
第四薄膜晶體管234具有柵極234g、源極234s及漏極234d，其中，第四薄膜晶體管234的柵極234g即為第二掃描線212的一部份。第四薄膜晶體管234的源極234s與第三薄膜晶體管233的漏極233d電連接。第四薄膜晶體管234的漏極234d則延伸至第二像素區(qū)208的第一子像素區(qū)208a中。
此外，第一薄膜晶體管231、第二薄膜晶體管232、第三薄膜晶體管233及第四薄膜晶體管234還包括半導(dǎo)體通道層及歐姆接觸層(未標(biāo)示)，然，本領(lǐng)域一般技術(shù)人員當(dāng)可了解薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)與工作方式，故在此不再贅述。特別要注意的是，在本實(shí)施例中，由于第一薄膜晶體管231的漏極231d 與第二薄膜晶體管232的源極232s連接，因此第一薄膜晶體管231與第二薄 膜晶體管232可以串聯(lián)的方式彼此電連接；而同樣地，由于第三薄膜晶體管 233的漏極233d與第四薄膜晶體管234的源極234s連接，因此第三薄膜晶體 管233與第四薄膜晶體管234可以串聯(lián)的方式彼此電連接。
更詳細(xì)地說，請參照圖1A與圖1B，上述像素陣列200更包括第一接觸 窗251、第二接觸窗252、第三接觸窗253以及第四接觸窗254。
第一接觸窗251位于第一像素區(qū)206的第一子像素區(qū)206a內(nèi)，且第一接 觸窗251電連接第一像素電極241、第一薄膜晶體管231的漏極231d以及第 二薄膜晶體管232的源極232s。詳細(xì)而言，第一接觸窗251是形成在保護(hù)層 PV中，而第一像素電極241則是通過第一接觸窗251而與第一薄膜晶體管231 的漏極231d以及第二薄膜晶體管232的源極232s電連接。
第二接觸窗252位于第一像素區(qū)206的第二子像素區(qū)206b內(nèi)，且第二接 觸窗252電連接第二像素電極242以及第二薄膜晶體管232的漏極232d。詳 細(xì)而言，第二接觸窗252是形成在保護(hù)層PV中，而第二像素電極242則是通 過第二接觸窗252而與第二薄膜晶體管232的漏極232d電連接。
第三接觸窗253位于第二像素區(qū)208的第一子像素區(qū)208a內(nèi)，且第三接 觸窗253電連接第三像素電極243以及第四薄膜晶體管234的漏極234d。詳 細(xì)而言，第三接觸窗253是形成在保護(hù)層PV中，而第三像素電極243則是通 過第三接觸窗253而與第四薄膜晶體管234的漏極234d電連接。
第四接觸窗254位于第二像素區(qū)208的第二子像素區(qū)208b內(nèi)，且第四接 觸窗254電連接第四像素電極244、第三薄膜晶體管233的漏極233d以及第 四薄膜晶體管234的源極234s。詳細(xì)而言，第四接觸窗254是形成在保護(hù)層 PV中，而第四像素電極244則是通過第四接觸窗254而與第三薄膜晶體管233 的漏極233d以及第四薄膜晶體管234的源極234s電連接。
另外，本實(shí)施例的像素陣列200還包括第一補(bǔ)償線261以及第二補(bǔ)償線262，如圖IB所示。第一補(bǔ)償線261位于第一像素區(qū)206的第二子像素區(qū)206b 內(nèi)，并由第二接觸窗處252往第二掃描線212延伸。第二補(bǔ)償線262位于第 二像素區(qū)208的第一子像素區(qū)208a內(nèi)，并由第三接觸窗處253往第三掃描線 213延伸。在本實(shí)施例中，設(shè)置第一補(bǔ)償線261的目的，主要是為了使第一像 素區(qū)206中的第一子像素區(qū)206a與第二子像素區(qū)206b具有相同的開口率， 以避免第一像素區(qū)206內(nèi)的第一子像素區(qū)206a與第二子像素區(qū)206b的透光 率產(chǎn)生差異。而基于相同的理由，第二補(bǔ)償線262的設(shè)置可避免第二像素區(qū) 208內(nèi)的第一子像素區(qū)208a與第二子像素區(qū)208b的透光率產(chǎn)生差異。
由于在像素結(jié)構(gòu)200中，第一薄膜晶體管231、第二薄膜晶體管232、第 三薄膜晶體管233及第四薄膜晶體管234的配置可使像素結(jié)構(gòu)200的幵口區(qū) 域?qū)R，因此采用像素結(jié)構(gòu)200的顯示面板可避免斜紋瑕疵的產(chǎn)生。
第二實(shí)施例
圖2A為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列300的等效電路圖。圖2B為像素 單元304的局部上視示意圖。圖2C為對應(yīng)于圖2B的像素陣列300中，e-e' 的剖面示意圖。由于本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列300是由多個像素單元304 所構(gòu)成，圖2B僅繪示一個像素單元304作為代表以便說明本實(shí)施例。
請參照圖2A及圖2B，各像素單元304具有與圖1A與圖1B所示的像素 單元204相同或相似的構(gòu)件，因此相同的構(gòu)件以相同的標(biāo)號表示，且在本實(shí) 施例中不再贅述。
特別要說明的是，圖2A所示的像素陣列300與圖1A的像素陣列不同之 處在于像素陣列300更包括柵極引線211w， 212w， 213w。換言之，以其中一 個像素單元為例，像素單元304與像素單元204的不同之處在于，像素單元 304更包括柵極引線211w，而柵極引線211w平行第一數(shù)據(jù)線221、第二數(shù)據(jù) 線222設(shè)置，且柵極引線211w位于相鄰的第一數(shù)據(jù)線221與第二數(shù)據(jù)線222 之間。
請參照圖2B及圖2C，各柵極引線會與對應(yīng)的一條掃描線電連接。以柵極引線211w為例，在第一掃描線211的上方設(shè)置柵極接觸窗GW便可使第一 掃描線211與柵極引線211w電連接。柵極接觸窗GW例如是形成在柵絕緣層 G與保護(hù)層PV中。
通過上述第二實(shí)施例中多條柵極引線的設(shè)置，即可在像素陣列的其中一 側(cè)設(shè)置用以連接掃描線211、 212、 213以及數(shù)據(jù)線221、 222、 223的驅(qū)動晶 片。換句話說，可將柵極驅(qū)動晶片與源極驅(qū)動晶片整合在像素陣列的其中一 側(cè)，甚至可將柵極驅(qū)動晶片與源極驅(qū)動晶片整合在相同的驅(qū)動晶片上。因此， 使用本實(shí)施例像素陣列300的產(chǎn)品可進(jìn)一步提升其空間利用率。
第三實(shí)施例
圖3A為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素陣列400的局部上視示意圖。圖3B為 對應(yīng)于圖3A的像素陣列400中，f-f' 、 h-h'的剖面示意圖。請參照圖3A及 圖3B，在此實(shí)施例中，像素陣列400是由位于基板402上的多個像素單元404 所構(gòu)成，但為便于說明本實(shí)施例，圖3A僅繪示一個像素單元404作為代表。
在一實(shí)施例中，像素單元404包括第一掃描線411、第二掃描線412、第 一數(shù)據(jù)線421、第一開關(guān)元件431、第二開關(guān)元件432、第一像素電極441以 及第二像素電極442。在另一較佳實(shí)施例中，像素陣列400還包括第三掃描線 413、第二數(shù)據(jù)線422、第三開關(guān)元件433、第四開關(guān)元件434、第三像素電極 443以及第四像素電極444。
第一掃描線411、第二掃描線412、第一數(shù)據(jù)線421以及第二數(shù)據(jù)線422 設(shè)置于基板402上，以于基板402上定義出第一像素區(qū)406，且第一像素區(qū) 406具有第一子像素區(qū)406a與第二子像素區(qū)406b。第二掃描線412、第三掃 描線413、第一數(shù)據(jù)421以及第二數(shù)據(jù)線422設(shè)置于基板402上，以于基板 402上定義出第二像素區(qū)408，且第二像素區(qū)408具有第一子像素區(qū)408a及 第二子像素區(qū)408b。
第一開關(guān)元件431與第二掃描線412以及第一數(shù)據(jù)線421電連接，并位 于第一像素區(qū)406的第一子像素區(qū)406a內(nèi)。較佳的是，第一開關(guān)元件431位于第二掃描線412的正上方。
第二開關(guān)元件432與第一掃描線411以及第一開關(guān)元件431電連接，并 位于第一像素區(qū)406的第一子像素區(qū)406a內(nèi)。較佳的是，第二開關(guān)元件432 位于第一掃描線411的正上方。
第三開關(guān)元件433與第三掃描線413以及第二數(shù)據(jù)線422電連接，并且 位于第二像素區(qū)408的第二子像素區(qū)408b內(nèi)。較佳的是，第三開關(guān)元件433 位于第三掃描線的正上方。
第四開關(guān)元件434與第二掃描線412以及第三開關(guān)元件433電連接，并 且位于第二像素區(qū)408的第二子像素區(qū)408b內(nèi)。較佳的是，第四開關(guān)元件434 位于第二掃描線412的正上方。
第一像素電極441位于第一像素區(qū)406的第一子像素區(qū)406a內(nèi)，并且與 第一開關(guān)元件431及第二開關(guān)元件432電連接。第二像素電極442位于第一 像素區(qū)406的第二子像素區(qū)406b內(nèi)，并且與第二開關(guān)元件432電連接。第三 像素電極443位于第二像素區(qū)408的第一子像素區(qū)408a內(nèi)，并且與第四開關(guān) 元件434電連接。第四像素電極244位于第二像素區(qū)408的第二子像素區(qū)408b 內(nèi)，并且與第三開關(guān)元件433及第四開關(guān)元件434電連接。
上述像素陣列400的第一開關(guān)元件431、第二開關(guān)元件432、第三開關(guān)元 件433、第四開關(guān)元件434分別為第一薄膜晶體管431、第二薄膜晶體管432、 第三薄膜晶體管433與第四薄膜晶體管434。第一、第二、第三、第四薄膜晶 體管431,432， 433， 434分別具有柵極、源極以及漏極。特別是，第一薄膜晶 體管431的漏極43ld以及第二薄膜晶體管432的源極432s分別與第一像素電 極441電連接，第三薄膜晶體管433的漏極433d以及第四薄膜晶體管434的 源極434s分別與第四像素電極444電連接。
更詳細(xì)而言，像素陣列400更包括第一接觸窗451、第二接觸窗452、第 三接觸窗453、第四接觸窗454、第五接觸窗455以及第六接觸窗456。
第一接觸窗451位于第一像素區(qū)406的第一子像素區(qū)406a內(nèi)，第一像素電極441以及第二薄膜晶體管432的源極432s通過第一接觸窗451電連接。 第二接觸窗452位于第一像素區(qū)406的第二子像素區(qū)406b內(nèi)，第二像素電極 442以及第二薄膜晶體管432的漏極432d通過第二接觸窗452電連接。第三 接觸窗453位于第一像素區(qū)406的第一子像素區(qū)406a內(nèi)，第一像素電極441 以及第一薄膜晶體管431的漏極431d通過第三接觸窗453電連接。第四接觸 窗454位于第二像素區(qū)408的第一子像素區(qū)408a內(nèi)，第三像素電極443以及 第四薄膜晶體管434的漏極434d通過第四接觸窗454電連接。第五接觸窗455 位于第二像素區(qū)408的第二子像素區(qū)408b內(nèi)，第四像素電極444以及第四薄 膜晶體管434的源極434s通過第五接觸窗455電連接。第六接觸窗456位于 第二像素區(qū)408的第二子像素區(qū)408b內(nèi)，第四像素電極444與第三薄膜晶體 管433的漏極433d通過第六接觸窗456電連接。
更詳細(xì)的來說，第一薄膜晶體管431的漏極431d通過第三接觸窗453與 第一像素電極441電連接，且第二薄膜晶體管432的源極432s又通過第一接 觸窗451與第一像素電極441電連接，因此第一薄膜晶體管431的漏極431d 與第二薄膜晶體管432的源極432s兩者便得以電連接。類似地，第三薄膜晶 體管433的漏極433d通過第六接觸窗456與第四像素電極444電連接，且第 四薄膜晶體管434的源極434s又通過第五接觸窗455與第四像素電極444電 連接，因此第三薄膜晶體管433的漏極433d與第四薄膜晶體管434的源極434s 兩者便得以電連接。
由于本實(shí)施例并非直接使第一薄膜晶體管431的漏極43ld與第二薄膜晶 體管432的源極432s兩者直接連接，因此第一薄膜晶體管431的漏極43ld 與第二薄膜晶體管432的源極432s不需跨越整個第一像素區(qū)406的第一子像 素區(qū)406a，如此可提高第一子像素區(qū)406a的開口率。類似地，并非使第三薄 膜晶體管433的漏極433d與第四薄膜晶體管434的源極434s兩者直接連接， 因此第三薄膜晶體管433的漏極433d與第四薄膜晶體管434的源極434s不需 跨越整個第二像素區(qū)408的第二子像素區(qū)408a，如此可提高第二子像素區(qū)408a的開口率。
在另一較佳實(shí)施例中，上述像素陣列400更包括第一擬接觸窗461以及 第二擬接觸窗462。第一擬接觸窗461位于第一像素區(qū)406的第二子像素區(qū) 406b內(nèi)，其與第二像素電極442電連接，如圖3B所示。而類似地，第二擬 接觸窗462位于第二像素區(qū)408的第一子像素區(qū)408a內(nèi)，其與第三像素電極 443電連接。要注意的是，上述第一擬接觸窗461與第二擬接觸窗462僅為舉 例說明，在其他的實(shí)施例中，第一擬接觸窗461也可不與第二像素電極442 電連接，而第二擬接觸窗462也可不與第三像素電極443電連接。
設(shè)置第一擬接觸窗461的目的在使第一像素區(qū)406的第一子像素區(qū)406a 與第二子像素區(qū)406b具有相同的開口率。而同樣地，第二擬接觸窗462的設(shè) 置可使第二像素區(qū)408的第一子像素區(qū)408a與第二子像素區(qū)408b具有相同 的開口率。
此外，類似于圖2B所示的像素單元304，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，像 素單元404更可包括柵極引線411w，柵極引線411w平行第一數(shù)據(jù)線421、 第二數(shù)據(jù)線422設(shè)置，且柵極引線411w位于相鄰的第一數(shù)據(jù)線421與第二數(shù) 據(jù)線422之間。而柵極引線41 lw是通過柵極接觸窗GW與第一掃描線411 電連接。
上述各實(shí)施例所述的像素陣列可與另一基板(舉例是具有彩色濾光陣列的 電極基板)組立在一起，以構(gòu)成一顯示面板，詳細(xì)說明如下。圖4A為本發(fā)明 較佳實(shí)施例的顯示面板500側(cè)視示意圖。圖4B為圖4A的彩色濾光陣列520
的局部上視示意圖。
請參照圖4A及圖4B，顯示面板500包括像素陣列510、彩色濾光陣列 520以及顯示介質(zhì)530。彩色濾光陣列520位于像素陣列510的對向。顯示介 質(zhì)530位于像素陣列510與彩色濾光陣列520之間，顯示介質(zhì)530舉例為液
晶層或是電泳等等。
特別是，像素陣列510為上述第一實(shí)施例所述的像素陣列200、第二實(shí)施例所述的像素陣列300或第三實(shí)施例所述的像素陣列400其中之一。
彩色濾光陣列520包括多個第一彩色濾光圖案521、第二彩色濾光圖案 522、第三彩色濾光圖案523，且第一彩色濾光圖案521、第二彩色濾光圖案 522及第三彩色濾光圖案523各自為直列式排列。在本實(shí)施例中，第一彩色濾 光圖案521例如為紅色濾光圖案，第二彩色濾光圖案522例如為綠色濾光圖 案，而第三彩色濾光圖案523例如為藍(lán)色濾光圖案。
上述第一至第三實(shí)施例所述的像素陣列200、 300或400其中之一中的第 一像素電極、第二像素電極、第三像素電極及/或第四像素電極舉例是包括穿 透電極、反射電極或是穿透電極與反射電極的組合，藉以實(shí)現(xiàn)穿透型顯示面 板、反射型顯示面板或是半穿反型顯示面板。
由于顯示面板500具有上述第一至第三實(shí)施例所述的像素陣列200、 300 或400其中之一，因此顯示面板500可具有良好的顯示品質(zhì)。
綜上所述，由于本發(fā)明所提出的像素陣列排列整齊、且開口區(qū)不會產(chǎn)生 錯位，因此可維持高開口率并避免斜紋的產(chǎn)生。此外，由于本發(fā)明所提出的 顯示面板具有上述像素陣列，因此顯示品質(zhì)良好、空間利用率高、并可兼具 省電效果。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所 屬技術(shù)領(lǐng)域中一般技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許 的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素陣列，其特征在于，所述像素陣列由多個像素單元所構(gòu)成，每一像素單元包括一第一掃描線、一第二掃描線、一第一數(shù)據(jù)線以及一第二數(shù)據(jù)線，設(shè)置于一基板上，以于所述基板上定義出一第一像素區(qū)，且所述第一像素區(qū)具有一第一、第二子像素區(qū)；一第一開關(guān)元件，其與所述第二掃描線以及所述第一數(shù)據(jù)線電連接，并位于所述第一像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)；一第二開關(guān)元件，其與所述第一掃描線以及所述第一開關(guān)元件電連接，并位于所述第一像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)；一第一像素電極，位于所述第一像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)，并且與所述第一、第二開關(guān)元件電連接；以及一第二像素電極，位于所述第一像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)，并且與所述第二開關(guān)元件電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述像素陣列更包括一第三掃描線，設(shè)置于所述基板上，以于所述基板上定義出一第二像素區(qū)，且所述第二像素區(qū)具有一第一、第二子像素區(qū)；一第三開關(guān)元件，其與所述第三掃描線以及所述第二數(shù)據(jù)線電連接，并 且位于所述第二像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)；一第四開關(guān)元件，其與所述第二掃描線以及所述第三開關(guān)元件電連接， 并且位于所述第二像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)；一第三像素電極，位于所述第二像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)，并且與所述 第四開關(guān)元件電連接；以及一第四像素電極，位于所述第二像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)，并且與所述 第三、第四開關(guān)元件電連接。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素陣列，其特征在于，所述第一開關(guān)元件與所 述第四開關(guān)元件設(shè)置于所述第二掃描線的正上方。
4. 如權(quán)利要求2所述的像素陣列，其特征在于，所述第二開關(guān)元件設(shè)置 于所述第一掃描線的正上方。
5. 如權(quán)利要求2所述的像素陣列，其特征在于，所述第三開關(guān)元件設(shè)置 于所述第三掃描線的正上方。
6. 如權(quán)利要求2所述的像素陣列，其特征在于，所述第一、第二、第三、 第四開關(guān)元件分別為一第一、第二、第三、第四薄膜晶體管，且所述第一薄 膜晶體管的漏極與所述第二薄膜晶體管的源極連接，所述第三薄膜晶體管的 漏極與所述第四薄膜晶體管的源極連接。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素陣列，其特征在于，所述像素陣列更包括 一第一接觸窗，位于所述第一像素區(qū)的所述第一子像素區(qū)內(nèi)，其電連接所述第一像素電極、所述第一薄膜晶體管的漏極以及所述第二薄膜晶體管的 源極；一第二接觸窗，位于所述第一像素區(qū)的所述第二子像素區(qū)內(nèi)，其電連接 所述第二像素電極以及所述第二薄膜晶體管的漏極；一第三接觸窗，位于所述第二像素區(qū)的所述第一子像素區(qū)內(nèi)，其電連接 所述第三像素電極以及所述第四薄膜晶體管的漏極；一第四接觸窗，位于所述第二像素區(qū)的所述第二子像素區(qū)內(nèi)，其電連接 所述第四像素電極、所述第三薄膜晶體管的漏極以及所述第四薄膜晶體管的 源極；一第一補(bǔ)償線，位于所述第一像素區(qū)的第二子像素區(qū)內(nèi)，并往所述第二 掃描線延伸；以及一第二補(bǔ)償線，位于所述第二像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)，并往所述第三 掃描線延伸。
8. 如權(quán)利要求2所述的像素陣列，其特征在于，所述像素陣列更包括多條柵極引線，其大體平行所述這些第一、第二數(shù)據(jù)線設(shè)置，且每一或部分柵 極引線位于兩相鄰的數(shù)據(jù)線之間。
9. 如權(quán)利要求2所述的像素陣列，其特征在于，所述第一、第二、第三、 第四開關(guān)元件分別為一第一、第二、第三、第四薄膜晶體管，且所述第一薄 膜晶體管的漏極以及所述第二薄膜晶體管的源極分別與所述第一像素電極電 連接，所述第三薄膜晶體管的漏極以及所述第四薄膜晶體管的源極分別與所述第四像素電極電連接，所述像素陣列更包括一第一接觸窗，位于所述第一像素區(qū)的所述第一子像素區(qū)內(nèi)，其電連接 所述第一像素電極以及所述第二薄膜晶體管的源極；一第二接觸窗，位于所述第一像素區(qū)的所述第二子像素區(qū)內(nèi)，其電連接 所述第二像素電極以及所述第二薄膜晶體管的漏極；一第三接觸窗，位于所述第一像素區(qū)的所述第一子像素區(qū)內(nèi)，其電連接 所述第一像素電極以及所述第一薄膜晶體管的漏極；一第四接觸窗，位于所述第二像素區(qū)的所述第一子像素區(qū)內(nèi)，其電連接 所述第三像素電極以及所述第四薄膜晶體管的漏極；一第五接觸窗，位于所述第二像素區(qū)的所述第二子像素區(qū)內(nèi)，其電連接 所述第四像素電極以及所述第四薄膜晶體管的源極， 一第六接觸窗，位于所述第二像素區(qū)的所述第二子像素區(qū)內(nèi)，其電連接 所述第四像素電極與所述第三薄膜晶體管的漏極；一第一擬接觸窗，位于所述第一像素區(qū)的所述第二子像素區(qū)內(nèi)，其與所 述第二像素電極電連接；以及一第二擬接觸窗，位于所述第二像素區(qū)的所述第一子像素區(qū)內(nèi)，其與所 述第三像素電極電連接。
10. —種顯示面板，其特征在于，所述面板包括-一像素陣列，其如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述； 一彩色濾光陣列，位于所述像素陣列的對向；以及一顯示介質(zhì)，位于所述像素陣列與所述彩色濾光陣列之間。
11. 一種像素陣列，其特征在于，所述其由多個像素單元所構(gòu)成，每一像 素單元包括一第一掃描線、 一第二掃描線、 一第一數(shù)據(jù)線以及一第二數(shù)據(jù)線，設(shè)置 于一基板上；一第一開關(guān)元件，其與所述第二掃描線以及所述第一數(shù)據(jù)線電連接； 一第二開關(guān)元件，其與所述第一掃描線以及所述第一開關(guān)元件電連接； 一第一像素電極，與所述第一、第二開關(guān)元件電連哮；以及 一第二像素電極，與所述第二開關(guān)元件電連接，其中所述第一開關(guān)元件設(shè)置于所述第二掃描線的正上方，所述第二開關(guān) 元件設(shè)置于所述第一掃描線的正上方。
12. 如權(quán)利要求ll所述的像素陣列，其特征在于，所述像素陣列更包括 一第三掃描線，設(shè)置于所述基板上；一第三開關(guān)元件，其與所述第三掃描線以及所述第二數(shù)據(jù)線電連接； 一第四開關(guān)元件，其與所述第二掃描線以及所述第三開關(guān)元件電連接； 一第三像素電極，與所述第四開關(guān)元件電連接；以及 一第四像素電極，與所述第三、第四開關(guān)元件電連接， 其中所述第四開關(guān)元件設(shè)置于所述第二掃描線的正上方，所述第三開關(guān) 元件設(shè)置于所述第三掃描線的正上方。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素陣列及顯示面板。所述像素陣列，其由多個像素單元所構(gòu)成。每一像素單元包括第一掃描線、第二掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第一開關(guān)元件、第二開關(guān)元件、第一像素電極以及第二像素電極。第一掃描線、第二掃描線以及第一數(shù)據(jù)線設(shè)置于基板上，以于基板上定義出第一像素區(qū)，且第一像素區(qū)具有第一、第二子像素區(qū)。第一開關(guān)元件與第二掃描線以及第一數(shù)據(jù)線電連接，并位于第一像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)。第二開關(guān)元件與第一掃描線以及第一開關(guān)元件電連接，并位于第一像素區(qū)的第一子像素區(qū)內(nèi)。第一像素電極與第二像素電極分別位于第一像素區(qū)的第一及第二子像素區(qū)內(nèi)，并且分別與第一以及第二開關(guān)元件電連接。
文檔編號H01L27/12GK101526710SQ20091013457
公開日2009年9月9日 申請日期2009年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月21日
發(fā)明者呂昭良, 江怡禛, 郭峻廷, 陳昱丞 申請人:友達(dá)光電股份有限公司