專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，相比陰極射線管(CRT),重量和體積被減小了的各種平板顯示裝 置被開發(fā)了出來。平板顯示裝置的類型包括液晶顯示器、場發(fā)射顯示器、等 離子體顯示板和有機(jī)發(fā)光顯示器。
有機(jī)發(fā)光顯示器利用有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示圖像并通過對應(yīng)電 流流動而產(chǎn)生的電子和空穴的重新結(jié)合來產(chǎn)生光。有機(jī)發(fā)光顯示器具有優(yōu)秀 的色彩再現(xiàn)性和薄的厚度。有機(jī)發(fā)光顯示器常常利用薄膜晶體管來控制流向 有機(jī)發(fā)光二極管的電流的流動。
在有機(jī)發(fā)光顯示器的制造過程中，可能會產(chǎn)生靜電。如果靜電傳到顯示 器中的薄膜晶體管上，則可能損壞薄膜晶體管并降低其性能，從而導(dǎo)致有機(jī) 發(fā)光顯示器出現(xiàn)故障或圖像質(zhì)量變差。在有機(jī)發(fā)光顯示器的制造過程中常常 希望進(jìn)行發(fā)光測試來測試(lighting test)顯示像素的操作；然而，靜電引起 的損壞可能干擾發(fā)光測試。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的各方面致力于提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法。 所述方法形成一種結(jié)構(gòu)以防止或減少由制造工藝中的靜電導(dǎo)致的損壞，從而 保護(hù)顯示器并有助于發(fā)光測試。
本發(fā)明的實施例提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器，所述有機(jī)發(fā)光顯示器包括 基底；顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域位于基底上并包括多個像素；信號傳輸單元，所述信號傳輸單元位于基底上并用于將發(fā)光測試信號傳輸?shù)剿龆鄠€像素， 其中，所述信號傳輸單元包括多個用于傳輸所述發(fā)光測試信號的晶體管和與 所述多個晶體管的漏極和柵極結(jié)合以保護(hù)所述多個晶體管的電阻器。
本發(fā)明的另 一實施例提供了 一種制造有機(jī)發(fā)光二極管的方法，所述方法
包括在基底上圖案化半導(dǎo)體層以形成溝道區(qū)；在基底和溝道區(qū)上形成第一 絕緣膜；在第一絕緣膜上圖案化第一金屬層以形成柵金屬(gate metals);在第 一絕緣膜和柵金屬上形成第二絕緣膜；在第二絕緣膜上圖案化第二金屬層以 形成源漏金屬(source-dmin metals),其中，源漏金屬的 一端與柵金屬的 一端結(jié)合。
本發(fā)明的又一實施例提供了 一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法，所述方法 包括在基底上圖案化半導(dǎo)體層以形成第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)；在基底、 第一溝道區(qū)及第二溝道區(qū)上形成第一絕緣膜；在第一絕緣膜上圖案化第一金 屬層，從而在第 一溝道區(qū)上形成第 一柵金屬(gate metals)并在第二溝道區(qū)上形 成第二柵金屬；使第一柵金屬的一端與第二柵金屬的一端結(jié)合；在第一絕緣 膜及第一柵金屬和第二柵金屬上形成第二絕緣膜；在第二絕緣膜上圖案化第 二金屬層從而形成源漏金屬(source-drain metals)，源漏金屬的 一端與第二溝道 區(qū)的一端結(jié)合。


附圖與說明書一起闡述了本發(fā)明的示例性實施例，并和描述一起用于解 釋本發(fā)明的原理。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的各方面的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意性結(jié)構(gòu)圖2是根據(jù)本發(fā)明的各方面的發(fā)光測試中的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意性結(jié)
構(gòu)圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明的各方面的信號傳輸單元的結(jié)構(gòu)圖3B是圖3A中的信號傳輸單元的各方面的電路圖3C是圖3A中的信號傳輸單元的各方面的另一電路圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明的各方面的信號傳輸單元的另一結(jié)構(gòu)圖4B是圖4A中的信號傳輸單元的各方面的電路圖5A是示出根據(jù)本發(fā)明的各方面的信號傳輸單元的結(jié)構(gòu)圖5B是圖5A中的信號傳輸單元的各方面的電路圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的各方面的有機(jī)發(fā)光顯示器的各方面的剖視圖。
具體實施例方式
在下文的詳細(xì)描述中，只簡單地通過解釋示出并描述了本發(fā)明的 一 些示 例性實施例。正如本領(lǐng)域4支術(shù)人員會意識到的，所描述的實施例可以在不脫 離本發(fā)明的精神和范圍的情況下以各種不同的方式修改。因此，附圖和描述 應(yīng)理解為實質(zhì)上是描述性而非限制性的。在整個說明書中，相同的標(biāo)號表示 相同的元件。
在整個說明書和隨后的權(quán)利要求中，當(dāng)元件被稱作"在"另一元件"上" 時，該元件可以直接在所述另一元件上，或者可以間接在所述另一元件上并 且存在一個或多個介于它們之間的中間元件。此外，當(dāng)元件被稱為"結(jié)合到" 另一元件時，該元件可以直接結(jié)合到所述另一元件，或者可以間接結(jié)合到所 述另 一元件并且存在一個或多個介于它們之間的中間元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的各方面的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意性結(jié)構(gòu)圖。參照圖
1，有機(jī)發(fā)光顯示器包括顯示單元(或顯示區(qū)域)100、數(shù)據(jù)驅(qū)動器200、掃 描驅(qū)動器300和發(fā)光控制驅(qū)動器400。
顯示單元100包括多個像素101。每個像素101包括有機(jī)發(fā)光二極管。 所述有機(jī)發(fā)光二極管對應(yīng)于二級管中的電流流動發(fā)射光。顯示單元100具有 沿行方向延伸的用于傳輸掃描信號的n條掃描線Sl、 S2...Sn-l和Sn。顯示單 元100具有沿列方向延伸的用于傳輸數(shù)據(jù)信號的m條lt據(jù)線Dl、 D2...Dm-l 和Dm。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器200從具有紅、藍(lán)和綠(R、 G、 B)組分的圖像信號產(chǎn)生數(shù) 據(jù)信號。數(shù)據(jù)驅(qū)動器200將產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號施加到顯示單元100的數(shù)據(jù)線Dl 、 D2…Dm-l和Dm上。從數(shù)據(jù)驅(qū)動器200輸出的數(shù)據(jù)信號可以使用多路復(fù)用 (multiplexing )以減少數(shù)據(jù)驅(qū)動器200的輸出端子的數(shù)量。
掃描驅(qū)動器300產(chǎn)生掃描信號并結(jié)合到掃描線Sl、 S2...Sn-l和Sn以將 掃描信號傳輸?shù)斤@示單元100的特定行上。使掃描信號與從數(shù)據(jù)驅(qū)動器200 輸出的數(shù)據(jù)信號同步，以使與數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓傳輸?shù)胶线m的像素101。
發(fā)光控制驅(qū)動器400產(chǎn)生發(fā)光控制信號并結(jié)合到發(fā)光控制線El、 E2...En-l和En以將發(fā)光控制信號傳輸?shù)斤@示單元100的特定行上。像素101 被結(jié)合到相應(yīng)的發(fā)光控制信號，從而對應(yīng)于由數(shù)據(jù)信號產(chǎn)生的電壓的產(chǎn)生驅(qū)動電流。產(chǎn)生的驅(qū)動電流流向〗象素101中的有才幾發(fā)光二才及管。
此外，顯示單元100接收第一功率和第二功率。顯示單元100利用掃描 信號、數(shù)據(jù)信號、發(fā)光控制信號、第一功率和第二功率允許電流流入有機(jī)發(fā) 光二極管以發(fā)光，從而顯示圖像。
在有機(jī)發(fā)光顯示器上執(zhí)行發(fā)光測試以判斷是否每個像素運(yùn)行正常。發(fā)光
測試簡單地檢查像素是否運(yùn)行，因此沒必要利用數(shù)據(jù)驅(qū)動器200寫入數(shù)據(jù)。 因此，可以根據(jù)圖2示出的結(jié)構(gòu)執(zhí)行發(fā)光測試。舉例來說，可以在將數(shù)據(jù)驅(qū) 動器IC裝配到有機(jī)發(fā)光顯示器之前執(zhí)行發(fā)光測試。
圖2是發(fā)光測試中的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意性結(jié)構(gòu)圖。參照圖2，在透 明基底1000上有顯示單元100、掃描驅(qū)動器300和發(fā)光控制驅(qū)動器400。透 明基底1000包括IC區(qū)域200a。 IC區(qū)域200a包括多個將與數(shù)據(jù)驅(qū)動器的針 腳(pin)結(jié)合的端子220a。此外，在顯示單元100和IC區(qū)域200a之間形成 有多路復(fù)用單元(multiplex unit) 250,從而通過多路復(fù)用單元250使三條數(shù) 據(jù)線連接到IC區(qū)域200a中的多個端子220a中的一個上。其它實施例可能沒 有多路復(fù)用單元，所以具有不用中間多路復(fù)用單元結(jié)合到所述多個端子的數(shù) 據(jù)線。此外，在透明基底1000上還包括有用于傳輸用于控制掃描驅(qū)動器300、 發(fā)光控制驅(qū)動器400和多路復(fù)用單元250的信號的多條布線，從而將信號從 在基底1000外部的源傳輸?shù)綊呙栩?qū)動器300、發(fā)光控制驅(qū)動器400和多路復(fù) 用單元250。雖然出于解釋的目的將顯示單元100描述為具有很少的信號線， 但實際上正如本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，顯示單元100將包括在行和列 兩個方向上的數(shù)百條線。當(dāng)然，應(yīng)該提供適量的驅(qū)動電路來驅(qū)動這些信號線。
在一個實施例的發(fā)光測試中，由于數(shù)據(jù)驅(qū)動器還沒有設(shè)置到有機(jī)發(fā)光顯 示器上，因此IC區(qū)域200a基本上是空的空間。在發(fā)光測試中，用于傳輸發(fā) 光信號的信號傳輸單元處于IC區(qū)域200a中。所述信號傳輸單元包括多個晶 體管210a以從在顯示器外部的源接收發(fā)光測試信號到并將發(fā)光測試信號傳輸 到每個像素。信號傳輸單元還包括用于減少和防止源自靜電的損傷的保護(hù)單 元210b。盡管在圖2中示出了一個信號保護(hù)單元，但是一些實施例可以使用 多個保護(hù)單元。信號傳輸單元通過布線結(jié)合到顯示器外部的發(fā)光測試信號。
在以上述方式實現(xiàn)有機(jī)發(fā)光顯示器后，驅(qū)動掃描驅(qū)動器300、發(fā)光控制 驅(qū)動器400、多路復(fù)用單元250和信號傳輸單元，從而在有機(jī)發(fā)光顯示器上 執(zhí)行發(fā)光測試。在透明基底1000上的信號傳輸單元在顯示單元100形成的同時形成。即， 顯示單元100和信號傳輸單元通過同一工藝形成在透明基底1000上。掃描驅(qū) 動器300和發(fā)光控制驅(qū)動器400也可以通過與形成顯示單元100和信號傳輸 單元的同一工藝形成。
在制造工藝中，有機(jī)發(fā)光顯示器可能受到靜電的影響，并且靜電可能損 壞信號傳輸單元的晶體管210a和顯示單元100的晶體管。如果顯示單元100 被損壞，則在產(chǎn)品中產(chǎn)生缺陷，并且如果信號傳輸單元被損壞，就不能執(zhí)行 發(fā)光測試。為避免這種問題，在信號傳輸單元中形成保護(hù)單元210b。保護(hù)單 元210b保護(hù)像素和/或信號傳輸單元不受在有機(jī)發(fā)光顯示器的制造過程中傳 輸?shù)撵o電的影響。
圖3A、圖3B和3C示出信號傳輸單元的實施例的各方面。圖3A示出所 述信號傳輸單元的結(jié)構(gòu)方面。圖3B示出所述信號傳輸單元的電路圖。圖3C 示出所述信號傳輸單元的等效電路圖。參照圖3B和圖3C解釋圖3A，信號 傳輸單元包括用于傳輸發(fā)光信號的多個晶體管210a和用于保護(hù)所述多個晶體 管210a和其它元件免受靜電影響的保護(hù)單元210b。所述多個晶體管210a結(jié) 合到多個端子220a,所述多個端子220a結(jié)合到顯示單元100的數(shù)據(jù)線，在發(fā) 光測試后數(shù)據(jù)驅(qū)動器將結(jié)合到所述多個端子220a。保護(hù)單元210b將多個晶體 管210a的漏極和柵極電連接。形成如圖3B所示的電路。隨晶體管的漏極和 柵極的連接，晶體管被二極管連接(diode-connected),從而可以如圖3C所 示地表示。
現(xiàn)在參考圖6描述圖1和圖2中的顯示單元100的像素101的制造工藝。 在基底1000的緩沖層623上形成并圖案化諸如多晶硅的半導(dǎo)體層601以形成 溝道區(qū)。在半導(dǎo)體層601上形成第一絕緣膜603。然后形成并圖案化第一金 屬層605以形成柵金屬。在柵金屬上形成第二絕緣膜607。形成并圖案化第 二金屬層609以形成源漏金屬。在第一絕緣膜603和第二絕緣膜607中形成 接觸孔611以將源漏金屬結(jié)合到溝道區(qū)或柵金屬。在源漏金屬和第二絕緣層 607之上形成平坦化層625。在平坦化層625之上形成像素限定膜613。在像 素限定膜613上形成諸如ITO的透明金屬膜615以形成陽極電才及。在陽極電 極上形成有機(jī)發(fā)光層617并在有機(jī)發(fā)光層617之上形成陰極電極619。
在一個實施例中，通過與形成顯示單元100的工藝相同的工藝形成信號 傳輸單元。參照圖3A，在形成顯示單元IOO的薄膜晶體管的溝道區(qū)時，也形
8成包括在信號傳輸單元中的晶體管的溝道區(qū)Cr。
第一絕緣膜形成在溝道區(qū)Cr上。柵金屬gm形成在第一絕緣膜上。柵金 屬gm為晶體管210a的柵電極。保護(hù)單元210b也包括柵金屬gm。保護(hù)單元 210b的柵金屬具有蛇形以允許在小面積中增加長度。增加的長度提高保護(hù)單 元210b的電阻。在形成顯示單元IOO的晶體管的源漏金屬時，也形成信號傳 輸單元的多個晶體管210a的源漏金屬sdm。在第二絕緣膜中形成接觸孔hl 以將源漏金屬sdm與形成保護(hù)單元210b的柵金屬gm結(jié)合。這樣，形成如圖 3A和圖3B所示的信號傳輸單元的結(jié)構(gòu)和電路。
當(dāng)通過蝕刻對顯示單元100的陽極電極進(jìn)行圖案化時，信號傳輸單元的 保護(hù)單元210b通過蝕刻工藝被除去?？梢岳觅Z法尼效應(yīng)(galvanic effect) 來蝕刻陽極電極并去除保護(hù)單元210b。在去除保護(hù)單元210b后，信號傳輸 單元的結(jié)構(gòu)變?yōu)槿鐖D4A所示的結(jié)構(gòu)。
去除保護(hù)單元210b后，執(zhí)行發(fā)光測試。信號傳輸單元包括如圖4B中所 示的晶體管210a。因此，可以通過晶體管210a從有機(jī)發(fā)光顯示器外部的源將 信號傳輸?shù)斤@示單元100，從而使執(zhí)行發(fā)光測試變得可能。
信號傳輸單元的保護(hù)單元210b保護(hù)顯示單元IOO和信號傳輸單元的多個 晶體管210a不被靜電損壞。保護(hù)單元210b減少或防止由于靜電的損壞的工 藝如下如果靜電被傳輸?shù)叫盘杺鬏攩卧亩鄠€晶體管210a,由于多個晶體 管210a的二極管連接，因此，靜電不傳輸?shù)较袼?01。由于保護(hù)單元210b 由諸如源漏金屬sdm和柵金屬gm之類的導(dǎo)電材料制成，因此靜電傳輸?shù)皆?漏金屬sdm和柵金屬gm。當(dāng)靜電具有高電壓時，位于源漏金屬sdm和柵金 屬gm之間的第二絕緣膜被燒毀，從而使金屬短路并消除靜電。因此，只有 保護(hù)單元210b受到靜電的損壞。從而保護(hù)信號傳輸單元的晶體管210a。
圖5A是示出圖2中的信號傳輸單元的另一實施例的結(jié)構(gòu)圖，圖5B是圖 5A中的信號傳輸單元的電路圖。參照圖5A和圖5B，信號傳輸單元包括多個 用于傳輸發(fā)光測試信號的晶體管210a和用于保護(hù)所述多個晶體管和像素的保 護(hù)單元210b。保護(hù)單元210b包括結(jié)合到所述多個晶體管210a的電阻器。當(dāng) 靜電傳輸?shù)叫盘杺鬏攩卧獣r，靜電的高電壓被電阻器消除。信號傳輸單元中 所述多個晶體管210a中的至少 一個是起到保護(hù)其它晶體管不被靜電損壞的功 能的啞晶體管(dummy transistor )。啞晶體管不一皮構(gòu)造成用于傳輸發(fā)光測試信
—，現(xiàn)在描述信號傳輸單元的保護(hù)單元210b和多個晶體管210a的制造工藝。 當(dāng)形成顯示單元100的薄膜晶體管的溝道區(qū)時，也形成信號傳輸單元中的多 個晶體管210a的溝道區(qū)Cr和保護(hù)單元210b的溝道區(qū)Cr。溝道區(qū)Cr由半導(dǎo)
體層形成。
第一絕緣膜形成在溝道區(qū)Cr上。柵金屬gm形成在第一絕緣膜上。柵金 屬gm成為所述多個晶體管210a的柵電極。在第一絕緣膜中形成接觸孔h2 以將保護(hù)單元210b與柵金屬gm結(jié)合。同樣地，在保護(hù)單元210b上形成柵 金屬gm。形成柵金屬gm后，執(zhí)行離子摻雜工藝。柵金屬gm下面的形成電 阻器的溝道區(qū)Cr被阻隔而沒有進(jìn)行離子摻雜，從而保持為本征半導(dǎo)體區(qū)。因 此，保護(hù)單元210b具有高電阻值。為達(dá)到更高的電阻值，保護(hù)單元210b的 溝道區(qū)具有蛇形以允許在小面積上的增大長度。當(dāng)形成顯示單元100的所述 多個晶體管210a的源漏金屬sdm時，也形成信號傳輸單元的晶體管的源漏金 屬sdm。在第二絕緣膜中形成接觸孔h3以將源漏金屬sdm和形成保護(hù)單元 210b的溝道區(qū)Cr結(jié)合。因此，如圖5B所示，電阻器與信號傳輸單元的晶體 管210a平行地結(jié)合。
在本實施例中，在完成顯示單元時沒有除去保護(hù)單元210b。由于信號傳 輸單元形成有所述多個晶體管210a,因此沒有必要除去保護(hù)單元210b。
現(xiàn)在解釋通過信號傳輸單元的保護(hù)單元210b減少或防止靜電導(dǎo)致的損 壞的工藝。如果靜電傳輸?shù)叫盘杺鬏攩卧瑒t靜電傳輸?shù)脚c信號傳輸單元的 多個晶體管210a結(jié)合的電阻器上。因此，靜電通過電阻器消除，從而可減少 或防止靜電導(dǎo)致的損壞。
雖然已經(jīng)結(jié)合特定的示例性實施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)該理解的是，本 發(fā)明不限于公開的實施例，相反，在本發(fā)明意圖覆蓋包括在權(quán)利要求及其等 同物的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同配置。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括基底；顯示區(qū)域，位于基底上并包括多個像素；信號傳輸單元，位于基底上并用于將發(fā)光測試信號傳輸?shù)剿龆鄠€像素，其中，信號傳輸單元包括用于傳輸所述發(fā)光測試信號的多個晶體管和與所述多個晶體管的漏極和柵極結(jié)合以保護(hù)所述多個晶體管的電阻器。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，電阻器包含本征半導(dǎo)體。
3、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，信號傳輸單元的所述多 個晶體管包括溝道區(qū)，形成于基底上并包含半導(dǎo)體層； 第一絕緣膜，形成于溝道區(qū)和基底上；柵金屬，形成于第一絕緣膜上并包含第一金屬層，其中，柵金屬結(jié)合到 所述電阻器的一端。第二絕緣膜，形成于柵金屬和第一絕緣膜上；源漏金屬，形成于第二絕緣膜上并包含第二金屬層，其中，源漏金屬結(jié) 合到溝道區(qū)并結(jié)合到所述電阻器的另 一端。
4、 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，電阻器包含與所述多個 晶體管的溝道區(qū)相同的半導(dǎo)體層。
5、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，所述多個晶體管中的至 少一個不被構(gòu)造為用于傳輸發(fā)光測試信號。
6、 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，數(shù)據(jù)驅(qū)動器結(jié)合到基底 上設(shè)置信號傳輸單元的區(qū)域。
7、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，在所述電阻器上形成有柵金屬。
8、 一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法，所述方法包括 在基底上圖案化半導(dǎo)體層以形成溝道區(qū)； 在基底和溝道區(qū)上形成第 一絕緣膜；在第 一絕緣膜上圖案化第 一金屬層以形成柵金屬； 在第一絕緣膜和柵金屬上形成第二絕緣膜；在第二絕緣膜上圖案化第二金屬層以形成源漏金屬， 其中，源漏金屬的一端與柵金屬的一端結(jié)合。
9、 如權(quán)利要求8所述的方法，還包括蝕刻源漏金屬與柵金屬結(jié)合的區(qū)域。
10、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中，利用賈法尼效應(yīng)進(jìn)行蝕刻。
11、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中，通過第二絕緣膜中的接觸孔將源 漏金屬的 一端與柵金屬的被延長的 一端結(jié)合。
12、 如權(quán)利要求9所述的方法，還包括在圖案化第一金屬層以形成柵金 屬后執(zhí)行離子摻雜工藝。
13、 一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法，所述方法包括 在基底上圖案化半導(dǎo)體層以形成第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)； 在基底、第一溝道區(qū)及第二溝道區(qū)上形成第一絕緣膜； 在第一絕緣膜上圖案化第一金屬層，從而在第一溝道區(qū)上形成第一柵金屬并在第二溝道區(qū)上形成第二柵金屬，使第一斥冊金屬的一端與第二柵金屬的 一端結(jié)合；在第 一絕緣膜及第 一柵金屬和第二柵金屬上形成第二絕緣膜； 在第二絕緣膜上圖案化第二金屬層從而形成源漏金屬，源漏金屬的一端 與第二溝道區(qū)的一端結(jié)合。
14、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中，第二柵金屬覆蓋第二溝道區(qū)的整 個區(qū)域。
15、 如權(quán)利要求13所述的方法，還包括在圖案化第一金屬層后執(zhí)行離子 摻雜工藝。
16、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中，第二溝道區(qū)包含本征半導(dǎo)體。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法。所述有機(jī)發(fā)光顯示器包括保護(hù)電路以避免由靜電導(dǎo)致的損壞。所述顯示器及其制造方法允許在顯示器制造過程中執(zhí)行發(fā)光測試。所述有機(jī)發(fā)光顯示器包括基底、顯示區(qū)域和信號傳輸單元，其中，顯示區(qū)域位于透明基底上并具有像素矩陣，信號傳輸單元位于透明基底上并用于將發(fā)光測試信號傳輸?shù)剿鱿袼亍Ｐ盘杺鬏攩卧ㄓ糜趥鬏斔霭l(fā)光測試信號的晶體管和與晶體管的漏極和柵極結(jié)合以保護(hù)晶體管免受靜電損壞的電阻器。
文檔編號H01L23/64GK101582439SQ20091013357
公開日2009年11月18日 申請日期2009年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月14日
發(fā)明者辛惠真, 郭源奎 申請人:三星移動顯示器株式會社