專利名稱：顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種纟務(wù)膜以及一種4吏用沉積4氐分子量材料的掩膜 來(lái)制造顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
可以以低電壓驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器既薄又 輕，并且具有寬視角和相對(duì)較短的響應(yīng)時(shí)間。OLED包括諸如電洞 注入層和發(fā)光層的多個(gè)有4幾層，其可以通過(guò)以下方法形成^使用蔭 罩和4氏分子量材料的沉積方法、通過(guò)噴嘴滴入有才幾材沖+的噴墨印刷 方法、^使用激光的涂布方法，等等。在這些方法中，〗氐分子沉積方 法使用最為廣泛。當(dāng)通過(guò)低分子沉積方法形成有機(jī)層時(shí)，使用具有 開(kāi)口圖案的蔭罩將發(fā)光材^M青確地沉積在對(duì)應(yīng)于RGB〗象素的像素 電極上。但是，制造對(duì)應(yīng)于大尺寸顯示設(shè)備的蔭罩，并且精確地將開(kāi)口 圖案與像素電極對(duì)準(zhǔn)是比較困難的。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明，掩膜包括支承框架，形成有圖案形成區(qū)域；多 個(gè)圖案形成部分，形成在圖案形成區(qū)域中；以及輔助支承框架，形 成在圖案形成部分之間。圖案形成部分在四個(gè)方向上4皮此隔開(kāi)正方 形的一個(gè)邊長(zhǎng)的長(zhǎng)度。每一個(gè)圖案形成部分均可以包括彼此有規(guī)則 地隔開(kāi)的條紋形狀或矩形形狀。圖案形成部分可以包括多個(gè)開(kāi)口 ， 這些開(kāi)口在行方向和/或列方向之一上4皮此鄰4妄，并且在另 一方向上 彼此隔開(kāi)預(yù)定距離。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖案形成部分包括隨機(jī) 形成在其邊緣區(qū)域中的開(kāi)口。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖案形成部分包括至少 一對(duì)第 一和第二 開(kāi)口圖案，這些開(kāi)口圖案的開(kāi)口隨^L形成且;f皮此相對(duì)，而且當(dāng)?shù)谝?和第二開(kāi)口圖案重疊時(shí)，開(kāi)口有失見(jiàn)則地4非列。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖案形成部分包括兩對(duì)開(kāi)口圖案，這些 開(kāi)口圖案的開(kāi)口隨4幾形成且4皮此相對(duì)，而且當(dāng)兩對(duì)開(kāi)口圖案重疊 時(shí)，開(kāi)口有失見(jiàn)則地j非列。才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖案形成部分包4舌四個(gè)不同的角部開(kāi)口 圖案，這些角部開(kāi)口圖案形成于圖案形成部分的角部中且隨才幾形成 有開(kāi)口，而且當(dāng)多個(gè)角部開(kāi)口圖案重疊時(shí)，開(kāi)口有關(guān)見(jiàn)則地j非列。才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖案形成部分包括一對(duì)開(kāi)口圖案，這些 開(kāi)口圖案的開(kāi)口隨4幾形成，并且這些開(kāi)口圖案形成在圖案形成部分 的邊舌彖中，而且當(dāng)該對(duì)開(kāi)口圖案重疊時(shí)，開(kāi)口有-見(jiàn)則地4非列。才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，掩膜介于絕緣基板與有機(jī)材料之間，并 且4吏有才幾材沖?？梢猿练e在絕纟彖基4反的預(yù)定位置上。才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖案形成部分相對(duì)于輔助支岸義框架突出。通過(guò)提供一種掩膜，可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述和/或其它方面，該掩膜包括支承框架，形成有圖案形成區(qū)域；多個(gè)圖案形成部分， 形成在圖案形成區(qū)域中，并且包括隨機(jī)形成的開(kāi)口；以及輔助支承 框架，形成在圖案形成部分之間。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖案形成部分包括至少 一對(duì)第 一和第二 開(kāi)口圖案，這些開(kāi)口圖案4皮此相對(duì)，而且當(dāng)?shù)谝缓偷诙_(kāi)口圖案重 疊時(shí)，開(kāi)口有-見(jiàn)則地排列。通過(guò)提供一種顯示裝置的制造方法，可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述和 /或其它方面，該方法包括準(zhǔn)備包括薄膜晶體管和連4妾至該薄膜晶 體管的像素電極的基板；將掩膜附于基板上，該掩膜包括形成有圖 案形成區(qū)Jt成的支;f4匡架、形成在圖案形成區(qū)i或中的多個(gè)圖案形成部 分、以及形成在圖案形成部分之間的輔助支承框架；在對(duì)應(yīng)于圖案 形成部分的像素電極上沉積發(fā)光材料；移動(dòng)掩膜，以將圖案形成部 分設(shè)置在對(duì)應(yīng)于輔助支承框架的像素電極上；通過(guò)重復(fù)沉積發(fā)光材 料以及移動(dòng)掩膜的步驟，形成具有發(fā)光材料的發(fā)光層。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，掩膜的制造包括 一體形成支承框架和 輔助支承框架；準(zhǔn)備包括圖案形成部分和支承圖案形成部分周邊的 保持件的多個(gè)圖案形成單元；以及在對(duì)圖案形成部分施加張力的同 時(shí)將圖案形成單元焊接至輔助支承框架。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，輔助支承框架包括對(duì)應(yīng)于保持件向上突 出的突起，并且圖案形成單元以保持件安放在突起中的狀態(tài)被焊接。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，掩膜的制造包括 一體形成支承框架和 輔助支承框架；準(zhǔn)備形成有與圖案形成部分對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的矩形框 架，并且在對(duì)圖案形成部分施加張力的同時(shí)將圖案形成部分焊4妄至 框架；以及將框架與支承框架結(jié)合。
通過(guò)纟是供一種掩力莫，可以實(shí)J見(jiàn)本發(fā)明的上述和/或其它方面，該 掩膜包括支承框架，形成有圖案形成區(qū)域；多個(gè)圖案形成部分， 形成在圖案形成區(qū)域中；以及輔助支岸義框架，形成在圖案形成部分 之間，并且相對(duì)于圖案形成部分凹入。
通過(guò)才是供一種掩膜，可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述和/或其它方面，該 掩膜包括支承框架，形成有圖案形成區(qū)域；輔助支承框架，形成 在圖案形成區(qū)域中；以及圖案形成單元，包括形成有開(kāi)口部分的框 架以及焊接至與開(kāi)口部分對(duì)應(yīng)的框架的圖案形成部分，其中，圖案 形成單元結(jié)合至輔助支承框架，并與支承框架可分離地設(shè)置。


通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述和/或其它方 面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)并更容易理解。附圖中
圖1A和圖1B示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的掩膜；
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的圖案形成區(qū)域；
圖3示出了才艮據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的圖案形成區(qū)域；
圖4A和圖4B示出了才艮據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的圖案形成部分；
圖5示出了^^艮據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的圖案形成部分；
7圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的圖案形成部分；
圖7A和圖7B示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的掩膜的制造方 法；以及
圖8A至圖8C示出了^4居本發(fā)明第七實(shí)施例的顯示裝置的制 造方法。
具體實(shí)施例方式
圖1A是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的掩膜的透視圖，而圖1B示 出了掩膜的圖案形成區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的掩膜1包括 支承框架IOO，其具有圖案形成區(qū)域110;多個(gè)圖案形成部分200， 其設(shè)置在圖案形成區(qū)域110中；以及輔助支承框架300，其設(shè)置在 圖案形成部分200之間。
支承框架100具有矩形形狀，并且稍大于其上沉積有有才幾材泮牛 (諸如發(fā)光材料)的基板。支承框架100包圍并支承圖案形成區(qū)域 110。
通常，支承框架100由具有高強(qiáng)度的金屬制成。支承框架IOO 和壽#助支 |^醫(yī)架300作為一體而形成。
圖案形成區(qū)域IIO包括多個(gè)圖案形成部分200，并且輔助支岸義 框架300設(shè)置在圖案形成部分200之間。圖案形成區(qū)域110充分地 接觸基板，并且具有與基板的尺寸相對(duì)應(yīng)的尺寸。此外，圖案形成 區(qū)域110由支承沖匡架100包圍。
圖案形成部分200形成有有4幾材并+所經(jīng)過(guò)的開(kāi)口圖案。形成在 圖案形成部分200之間的輔助支承框架300在四個(gè)方向上支承圖案 形成部分200。傳統(tǒng)上，開(kāi)口圖案在整個(gè)圖案形成區(qū)i或上形成，所以傳統(tǒng)的圖 案形成部分與圖案形成區(qū)域相等。4旦是，當(dāng)圖案形成部分與圖案形 成區(qū)域相等時(shí)，開(kāi)口圖案的尺寸大得難以將掩膜與大尺寸基板精確 地對(duì)齊。通常，具有開(kāi)口圖案的圖案形成部分通過(guò)薄金屬膜實(shí)現(xiàn)， 并焊接在支承框架上。用于將開(kāi)口精確地設(shè)置在基板的像素電極上 的焊接過(guò)程包括在四個(gè)方向上膨脹和安方文圖案形成部分的過(guò)程?；?板的尺寸越大，開(kāi)口就越不能在膨脹和安放圖案形成部分的同時(shí)與 像素電極對(duì)齊。
根據(jù)本發(fā)明，圖案形成部分200未在整個(gè)圖案形成區(qū)域110上 形成，但輔助支承框架300部分地形成在圖案形成區(qū)域110中。即， 需要焊接的圖案形成部分200的尺寸減小，從而降低了開(kāi)口 201與 像素電極之間對(duì)齊誤差。
圖案形成部分200有規(guī)則地排列在圖案形成區(qū)域110中。在該 實(shí)施例中，圖案形成部分200具有正方形形狀。圖案形成部分200 在四個(gè)方向上〗皮此隔開(kāi)正方形的一個(gè)邊長(zhǎng)的長(zhǎng)度。這里，隔開(kāi)部分
對(duì)應(yīng)于輔助支承框架300。圖案形成部分200和輔助支承框架300 設(shè)置在像棋盤一樣的網(wǎng)狀圖案中。
圖案形成部分200包括已知蔭罩的開(kāi)口圖案。蔭罩設(shè)置在絕緣 基板與有機(jī)材料(如發(fā)光材料)之間，并使有機(jī)材料可以沉積在絕 桑彖基纟反上的確定位置處。此外，蔭罩包括「關(guān)見(jiàn)則排列的開(kāi)口 。例如， 開(kāi)口 201排列成矩陣。形成開(kāi)口 201以在^亍方向上對(duì)應(yīng)于每三個(gè)寸象 素電極中的一個(gè)，并在列方向上對(duì)應(yīng)于所有的像素電極。為了方便， 沒(méi)有開(kāi)口 201且對(duì)應(yīng)于4象素電極的部分將纟皮定義為假想的虛擬開(kāi)口 202。換句話說(shuō)，圖案形成部分200包4舌在列方向上對(duì)應(yīng)于一條線 的開(kāi)口 201以及對(duì)應(yīng)于兩條線的虛擬開(kāi)口 202的連續(xù)重復(fù)的開(kāi)口圖 案。但是，開(kāi)口圖案不限于上述的圖案，而是可以變化。如上所述，圖案形成部分200通過(guò)在金屬膜上形成開(kāi)口 201而 實(shí)現(xiàn)，并焊-接至輔助支承框架300。此時(shí)，為了將圖案形成部分200 的開(kāi)口 201與Y象素電極對(duì)齊，在四個(gè)方向上向金屬膜施加預(yù)定張力 的同時(shí)將金屬膜焊接至輔助支承框架300，這被稱為張力焊接。
通過(guò)將圖案形成部分200直4妄焊4妄至與輔助支承框架300 —體 形成的支承框架100,或通過(guò)將圖案形成部分200焊4妄至單獨(dú)的框 架，并將單獨(dú)的框架與支承框架100結(jié)合，可以制成掩膜l。后面 將更詳細(xì)地描述掩膜1的制造方法。當(dāng)通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的掩膜 1而在基板上形成諸如發(fā)光層的有機(jī)層時(shí)，必須進(jìn)行沉積12次，而 且掩膜1必須移動(dòng)9次。在圖案形成區(qū)域110緊密并精確地接觸基 板的同時(shí)，進(jìn)行第一次沉積。然后，在掩膜1連續(xù)沿箭頭方向移動(dòng) 的同時(shí)，進(jìn)4亍第二至第四次沉積。即，在圖案形成部分200向覆蓋 有輔助支承框架300的部分移動(dòng)的同時(shí)，沉積發(fā)光材料，從而形成 對(duì)應(yīng)于一種顏色的發(fā)光層。然后，用于第一次沉積的掩膜l對(duì)應(yīng)于 一個(gè)像素電極移動(dòng)一段距離，并根據(jù)發(fā)光材料重復(fù)上述操作。這樣， :就形成了^]"應(yīng)于RGB的發(fā)光層。
可^辜才灸i也，圖案形成部分200可以具有頭巨形形爿犬，而不是正方 形形狀。在這種情況下，i殳置在圖案形成部分200之間的輔助支承 框架300也形成為類似圖案形成部分200的形狀。即，圖案形成部 分200沿長(zhǎng)邊的方向4皮此隔開(kāi)長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度，并且沿短邊的方向4皮此 隔開(kāi)短邊的長(zhǎng)度。即4吏在這種情況下，掩膜l應(yīng)該;陂移動(dòng)三次，以 形成類似第 一 實(shí)施例的 一個(gè)發(fā)光層。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的圖案形成區(qū)域，而圖3示 出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的圖案形成區(qū)域。
參照?qǐng)D2和圖3，圖案形成部分210、 220形成為類似條紋的形 狀。根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的圖案形成部分210具有沿圖案形成區(qū)域IIO的短邊方向延伸的條紋，并且本發(fā)明第三實(shí)施例的圖案形成 部分220具有沿圖案形成區(qū)域110的長(zhǎng)邊方向延伸的條紋。這里， 條紋的寬度等于圖案形成部分210、 220之間的距離。換句話i兌， 條紋的寬度等于設(shè)置在圖案形成部分210、 220之間的輔助支承件 310、 320的寬度。
當(dāng)采用沖艮據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的掩月莫來(lái)將發(fā)光材^1"沉積在基 板上時(shí)，掩膜沿圖案形成區(qū)域IIO的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)。另一方面，當(dāng) 采用才艮據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的掩膜來(lái)將發(fā)光材料沉積在基沖反上時(shí)， 掩膜沿圖案形成區(qū)域110的短邊方向移動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明第二和第三實(shí)施例的圖案形成部分210和220需要 移動(dòng)掩力莫一次并進(jìn)4亍沉積兩次，以形成一個(gè)發(fā)光層。因此，與4吏用 根據(jù)本發(fā)明第 一 實(shí)施例掩膜的工藝相比較，根據(jù)本發(fā)明第二或第三 實(shí)施例的掩膜簡(jiǎn)化了工藝。此外，根據(jù)本發(fā)明第二和第三實(shí)施例的 掩膜降低了生產(chǎn)成本。
圖4A和圖4B示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的圖案形成部分。 圖4A示出了包括在其相對(duì)邊纟彖中的開(kāi)口圖案205的圖案形成部分 230，而圖4B示出了開(kāi)口圖案205的開(kāi)口 201。
根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的開(kāi)口圖案205包括開(kāi)口 201和類似上 述實(shí)施例的虛擬開(kāi)口 202， ^f旦開(kāi)口 201未排列成矩陣，而是隨才幾排 列。 一對(duì)開(kāi)口圖案205a和205b形成在圖案形成部分230的相對(duì)邊 緣中，并且具有開(kāi)口 201和虛擬開(kāi)口 202。這里，開(kāi)口圖案205a的 開(kāi)口 201和虛擬開(kāi)口 202與開(kāi)口圖案205b的相反。因此，當(dāng)設(shè)置 在圖案形成部分230左側(cè)的第一開(kāi)口圖案205a ^皮i殳置在圖案形成 部分230右側(cè)的第二開(kāi)口圖案205b重疊時(shí)，整個(gè)開(kāi)口圖案具有規(guī) 則地排列成矩陣的開(kāi)口 201。
ii當(dāng)根據(jù)本發(fā)明第 一 至第三實(shí)施例的掩膜用來(lái)在基板上形成發(fā) 光層時(shí)，由于掩膜可以移動(dòng)，因此發(fā)光層不均勻地形成在與圖案形 成部分相鄰的區(qū)域中。不均勻的發(fā)光層造成圖像顯示在顯示面板上 時(shí)具有條紋圖案，從而降低了顯示裝置的品質(zhì)。為了解決該問(wèn)題，
開(kāi)口形成為在與圖案形成部分230相鄰的區(qū)域中部分接合。即，當(dāng) 圖案形成部分230移動(dòng)時(shí)， 一個(gè)圖案形成部分230的相對(duì)邊緣的開(kāi) 口 201不是設(shè)置在一條直線上，而是在預(yù)定區(qū)域中接合。
因此，開(kāi)口201不具有直邊界，使得即使掩膜移動(dòng)，發(fā)光層的 均勻性也可以提高，從而減少了顯示在顯示面板上的圖像的條紋圖案。
在第四實(shí)施例中，通過(guò)改變才艮據(jù)第二實(shí)施例的具有條紋形狀的 圖案形成部分210，可以獲得圖案形成部分230。即，在圖案形成 區(qū)域的短邊方向上延伸的圖案形成部分230沿長(zhǎng)邊方向移動(dòng)。因此， 開(kāi)口 201在沿圖案形成區(qū)域的長(zhǎng)邊方向(即，沿圖案形成部分230 長(zhǎng)邊的邊緣)移動(dòng)的同時(shí)，隨才幾形成在重疊部分中。同樣，當(dāng)形成 在邊纟彖中的該對(duì)開(kāi)口圖案205a和205b重疊時(shí)，開(kāi)口 201有MJ'J地 排列。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的圖案形成部分，其中，圖 案形成部分231包括隨才幾形成在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的圖案形成 部分230邊緣中的開(kāi)口 。沿著圖案形成區(qū)域的長(zhǎng)邊方向延伸的圖案 形成部分231沿圖案形成區(qū)》或的短邊方向移動(dòng)。因此，開(kāi)口在沿圖 案形成區(qū)域的短邊方向(即，沿圖案形成部分231長(zhǎng)邊的邊緣)移 動(dòng)的同時(shí)，隨才幾形成在重疊部分中。同才羊，當(dāng)形成在邊全彖中的該對(duì) 開(kāi)口圖案重疊時(shí)，開(kāi)口 201有夫見(jiàn)則;也4非列。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的圖案形成部分。在該實(shí)施 例中，圖案形成部分223包括隨機(jī)形成在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的 圖案形成部分200的所有邊纟彖中的開(kāi)口。
圖案形成部分223包括形成在其相對(duì)邊^(qū)彖中的兩對(duì)開(kāi)口圖案 206a、 206b、 207a和207b，以及形成在其角部中的四個(gè)角部開(kāi)口 圖案208a、 208b、 208c和208d。
為了沉積有初4才泮牛，才艮據(jù)該實(shí)施例的圖案形成部分233向上、 下、左和右移動(dòng)，總共移動(dòng)四次。這里，在向左和右移動(dòng)時(shí)重疊的 第一開(kāi)口圖案206a和206b類似于第四實(shí)施例的開(kāi)口圖案205，而 在向上和下移動(dòng)時(shí)重疊的第二開(kāi)口圖案207a和207b類4以于第五實(shí) 施例的開(kāi)口圖案。
才艮據(jù)第六實(shí)施例，圖案形成部分223包括形成在其四個(gè)頂點(diǎn)中 的角部開(kāi)口圖案208a、 208b、 208c禾口 208d。當(dāng)四個(gè)角吾P開(kāi)口圖案 208a、 208b、 208c和208d者卩重疊時(shí)，開(kāi)口有夫見(jiàn)貝'Ji也4非歹'J成頭巨P車。 隨著圖案形成部分223的移動(dòng)，角部總共重疊四次，/人而形成在每 個(gè)角部開(kāi)口圖案208a、 208b、 208c和208d中的開(kāi)口應(yīng)該不重疊。 即，開(kāi)口應(yīng)該設(shè)計(jì)成一旦通過(guò)四個(gè)開(kāi)口圖案208a、 208b、 208c和 208d中的每一個(gè)就完全沉積有機(jī)材料。
圖7A和圖7B示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的掩膜的制造方 法，其中，圖7A示出了圖案形成部分200焊接至框架400,而圖 7B示出了焊-接有圖案形成部分200的框架400安方文在輔助支7K框 架300之間。如圖7A所示，在根據(jù)該實(shí)施例的掩膜1中，圖案形 成部分200被單獨(dú)地焊接至框架400。這里，在將張力沿四個(gè)方向 施加至圖案形成部分200時(shí)，通過(guò)激光進(jìn)4亍焊*接，這凈皮稱為激光焊 接。此夕卜，框架400通過(guò)形成有對(duì)應(yīng)于圖案形成部分200的開(kāi)口部 分401的矩形金屬來(lái)實(shí)現(xiàn)。在整個(gè)掩膜l中，準(zhǔn)備具有開(kāi)口圖案的多個(gè)圖案形成部分200， 然后將其安放在支承框架ioo與輔助支承框架300之間(參照?qǐng)D 7B)。這里，支承框架100和輔助支承框架300由金屬制成，并形 成為一體。此夕卜，輔助支承框架300的周邊可以具有對(duì)應(yīng)于框架400 的凹入部分，或者可以設(shè)置有支承桿，以支承框架400。
因此，將焊接至單獨(dú)框架400的圖案形成部分200結(jié)合至輔助 支承框架300，從而制造出了掩膜1。在這種情況下，不需要在每 次形成圖案形成部分200時(shí)都將圖案形成部分200之間的開(kāi)口對(duì) 齊。即，在將圖案形成部分200焊接至框架400的同時(shí)將開(kāi)口對(duì)齊， 使得當(dāng)圖案形成部分200與支承部分100及輔助支承框架300結(jié)合 時(shí)不需要額外的對(duì)齊過(guò)程。
圖8A至圖8C示出了根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的顯示裝置的制 造方法。圖8A是根據(jù)該實(shí)施例的掩膜2的示意圖；圖8B示出了將 圖案形成單元焊4妄至輔助支7 義框架的過(guò)考呈；而圖8C示出了通過(guò)4吏 用根據(jù)該實(shí)施例的掩膜2在基板10上形成發(fā)光層的過(guò)程。
如圖8A所示，支承框架120和輔助支承框架330形成為一體， 并且開(kāi)口 13(H殳置在與圖案形成部分240對(duì)應(yīng)的部分中。
保持件410設(shè)置在圖案形成部分240的周邊中，支承圖案形成 部分240，并在^皮焊4妄的同時(shí)將圖案形成部分240緊固至輔助支承 框架330。這里，保持件410以及由保持件410包圍的圖案形成部 分240纟皮焊4妄至開(kāi)口 130。
圖8B是掩膜2的截面視圖。如圖8B所示，輔助支承框架330 包括對(duì)應(yīng)于保持件410向上突出的突起331 。即，保持件410包圍 突起331并與之接合，從而結(jié)合至突起331。
14然后，將圖案形成部分240焊接至其與突起331相接觸的位置。 當(dāng)焊接圖案形成部分240時(shí)，將張力在四個(gè)方向上施加至圖案形成 部分240。而且，重要的是要將待焊接的圖案形成部分240的開(kāi)口 130與已焊接的圖案形成部分240的開(kāi)口 130對(duì)齊。
圖8C示出了通過(guò)使用已完成的掩膜2在基板10上形成發(fā)光層 的過(guò)程?；?0包括薄膜晶體管、連接至薄膜晶體管的像素電極、 以及分隔像素電極的隔離壁。如這里所示，基板10應(yīng)該緊密地接 觸才奄膜2，以1更可以形成發(fā)光層。
此時(shí)，在掩膜2的開(kāi)口 130對(duì)應(yīng)于像素電極排列的狀態(tài)下，掩 膜2緊密地接觸基板10。
參照?qǐng)D8C，圖案形成部分240相對(duì)于相鄰的輔助支承框架330 而突出。由于圖案形成部分240焊接在輔助支承框架330的突起331 上，所以與圖案形成部分240比4交而言，輔助支承4醫(yī)架330相對(duì)凹 入，從而其不接觸基板。因此，即使掩膜2移動(dòng)，輔助支承框架330 也不與基板10接觸，從而避免了發(fā)光層或像素電極被劃傷或有缺 陷。
同時(shí)，將發(fā)光材料20設(shè)置在掩膜2下方，并且將發(fā)光材料20 以蒸發(fā)狀態(tài)沉積在基板10上。
才艮據(jù)本發(fā)明，形成有開(kāi)口的圖案形成部分的尺寸可以改變，,人 而掩膜可以應(yīng)用于大尺寸基板，以便易于沉積低分子量材料。
如上所述，本發(fā)明提供了一種用于顯示裝置的低分子量沉積的 掩膜，并提供了一種使用該掩膜制造顯示裝置的方法。雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人
員可以理解，在不背離本發(fā)明精神和范圍的前^:下，可以對(duì)這些實(shí)
施例進(jìn)行更改發(fā)明內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備包括薄膜晶體管以及連接至所述薄膜晶體管的像素電極的基板；將掩膜附于基板上，所述掩膜包括形成有圖案形成區(qū)域的支承框架、形成在所述圖案形成區(qū)域中的多個(gè)圖案形成部分、以及形成在所述圖案形成部分之間的輔助支承框架；在對(duì)應(yīng)于所述圖案形成部分的所述像素電極上沉積發(fā)光材料；移動(dòng)所述掩膜，以將所述圖案形成部分設(shè)置在對(duì)應(yīng)于所述輔助支承框架的所述像素電極上；以及通過(guò)重復(fù)沉積所述發(fā)光材料以及移動(dòng)所述掩膜的步驟，形成具有所述發(fā)光材料的發(fā)光層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括制造所述掩膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，制造所述掩膜的步驟包括一體形成所述支7f^醫(yī)架和所述輔助支7 ^匡架；準(zhǔn)備包括所述圖案形成部分和支承所述圖案形成部分周 邊的保持件的多個(gè)圖案形成單元；以及在對(duì)所述圖案形成部分施加張力的同時(shí)將所述圖案形成 單元焊接至所述輔助支承框架。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述輔助支承框架包括對(duì) 應(yīng)于所述保持件向上突出的突起，并且以所述保持件安》文在所述突起中的狀態(tài)焊接所述圖案形 成單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，制造所述掩膜的步驟包括一體形成所述支承框架和所述輔助支承框架；準(zhǔn)備形成有與所述圖案形成部分對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的矩形框 架，并且在對(duì)所述圖案形成部分施加張力的同時(shí)將所述圖案形 成部分焊4妾至所述框架；以及將所述框架與所述支承框架結(jié)合。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備包括薄膜晶體管以及連接至薄膜晶體管的像素電極的基板；將掩膜附于基板上，掩膜包括形成有圖案形成區(qū)域的支承框架、形成在圖案形成區(qū)域中的多個(gè)圖案形成部分、以及形成在圖案形成部分之間的輔助支承框架；在對(duì)應(yīng)于圖案形成部分的像素電極上沉積發(fā)光材料；移動(dòng)掩膜，以將圖案形成部分設(shè)置在對(duì)應(yīng)于輔助支承框架的像素電極上；以及通過(guò)重復(fù)沉積發(fā)光材料以及移動(dòng)掩膜的步驟，形成具有所述發(fā)光材料的發(fā)光層。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101552231SQ20091013034
公開(kāi)日2009年10月7日 申請(qǐng)日期2006年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月13日
發(fā)明者樸承圭, 許宗茂 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社