專利名稱：導(dǎo)線結(jié)構(gòu)與其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是提供一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)與其制作方法，特別是指一種低抗阻的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)與其制作方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)由于具有外型輕薄、耗電量少以及無(wú) 輻射污染等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于各種信息產(chǎn)品上，從小型的可攜式信息產(chǎn)品，如個(gè)人數(shù) 字助理(PDA)、筆記型計(jì)算機(jī)(notebook)，到各種大尺寸的顯示屏幕，都可以見到液晶顯示 器的蹤影。一般的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)包含有一透明基板，其上具有許多排列 成數(shù)組的薄膜晶體管、像素電極(pixel electrode)、互相垂直交錯(cuò)(orthogonal)的掃描 線(scan or gate line)與信號(hào)線(data or signal line)、一濾光板(color filter)、以 及填充于透明基板與濾光板之間的液晶材料，并配合以適當(dāng)?shù)碾娙?、接觸墊等電子組件，來 驅(qū)動(dòng)液晶像素，進(jìn)而產(chǎn)生豐富亮麗的圖像。但隨著液晶顯示器技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)對(duì)大尺寸 顯示器的需求，不僅液晶顯示器的尺寸越來越大，顯示器的分辨率也越來越高，使得液晶顯 示器數(shù)組中導(dǎo)線的抗阻也跟著提高。導(dǎo)線抗阻的提高會(huì)使得顯示器中信號(hào)延遲的問題越來 越嚴(yán)重，也降低了顯示器的顯示質(zhì)量。公知降低顯示器中導(dǎo)線抗阻的方法，除了開發(fā)低抗阻材料外，還可采用增加導(dǎo)線 線寬的方式。增加線寬可增加導(dǎo)線的截面，因此可降低導(dǎo)線的抗阻而增加其導(dǎo)電度。但增 加導(dǎo)線的寬度卻會(huì)影響到整個(gè)像素顯示的面積，因而降低顯示器的開口率以及亮度。因此，為了因應(yīng)日益需求的大尺寸液晶屏幕，需要一種低抗阻導(dǎo)線的液晶顯示器 結(jié)構(gòu)，以提升信號(hào)傳遞效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是提供一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)與其制作方法，特別是指一種低抗阻的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)與其 制作方法。本發(fā)明提供一種低抗阻導(dǎo)線的結(jié)構(gòu)，包含有一基板、一導(dǎo)線層、一絕緣層、兩接觸 孔、一重?fù)诫s半導(dǎo)體層以及二透明電極。其中，摻雜半導(dǎo)體層設(shè)置在導(dǎo)線層相對(duì)應(yīng)的上方， 兩接觸孔貫穿絕緣層并暴露出部分的導(dǎo)線層，兩透明電極位于兩接觸孔中且電性連接導(dǎo)線 層與重?fù)诫s半導(dǎo)體層。本發(fā)明還提供一種液晶顯示器的制作方式，包含提供一基板，并于該基板上定義 出一開關(guān)組件區(qū)、一導(dǎo)線區(qū)以及一像素區(qū)。接著于基板上形成一圖案化的第一金屬層，以分 別在開關(guān)組件區(qū)形成一柵極，以及在導(dǎo)線區(qū)形成一第一導(dǎo)線。接著在基板上依序形成一絕 緣層與一半導(dǎo)體層。然后在基板上形成一圖案化的重?fù)诫s半導(dǎo)體層，以在導(dǎo)線區(qū)形成一第 二導(dǎo)線對(duì)應(yīng)于第一導(dǎo)線之上。接著形成一圖案化的第二金屬層，以在開關(guān)組件區(qū)形成一源 極與一漏極。于該基板上形成一保護(hù)層后，在于開關(guān)組件區(qū)的保護(hù)層中形成至少一第一接觸孔，以暴露出部分的漏極，以及于導(dǎo)線區(qū)的保護(hù)層中形成至少兩第二接觸孔，以暴露出部分的第一導(dǎo)線。最后形成一圖案化的透明電極于基板上，其包含一像素電極與至少兩連接 電極，其中像素電極在開關(guān)組件區(qū)內(nèi)填入第一接觸孔且與漏極電性連接并延伸至像素區(qū)， 且各連接電極在導(dǎo)線區(qū)分別填入各第二接觸孔以電性連接第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線。本發(fā)明中提供一并聯(lián)的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其抗阻值低于公知技術(shù)中單一導(dǎo)線的抗阻值， 因此在液晶顯示器中能有效降低抗阻以增加顯示器的效能。本發(fā)明還提供一種制作液晶顯示器的方法，除了能形成低抗阻的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)外，還 成功整合了公知薄膜晶體管的制程，因此維持了五道光罩與蝕刻的步驟，毋需增加額外的 光罩制程，因此可節(jié)省相當(dāng)?shù)臅r(shí)間與費(fèi)用。


圖1為本發(fā)明中液晶顯示器布局的上視圖；圖2為本發(fā)明中掃描線結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖3至圖10為本發(fā)明的掃描線結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。主要組件符號(hào)說明101 基板 309重?fù)诫s半導(dǎo)體層103 薄膜晶體管 310第二金屬層1031 柵極 311透明電極1032源極 312第一光阻層1033漏極 313接觸孔105 像素電極 314第二光阻層107 掃描線 315保護(hù)層1071第二掃描線 317第一接觸孔109數(shù)據(jù)線 318第二接觸孔110像素區(qū)域 320透明電極301 基板 321像素電極303第一金屬層322連接電極304導(dǎo)線層 400第一半穿透式光罩305 色緣層307 半導(dǎo)體層
具體實(shí)施例方式在說明書及上述的權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的組件。所屬領(lǐng)域中 具有通常知識(shí)者應(yīng)可理解，制造商可能會(huì)用不同的名詞來稱呼同樣的組件。本說明書及上 述的權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)別組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作 為區(qū)別的基準(zhǔn)。在通篇說明書及上述的權(quán)利要求當(dāng)中所提及的「包含」是為一開放式的用 語(yǔ)，故應(yīng)解釋成「包含但不限定于」。此外，「電性連接」一詞在此是包含任何直接及間接的 電氣連接手段。因此，若文中描述一第一裝置電性連接于一第二裝置，則代表該第一裝置可 直接連接于該第二裝置，或透過其它裝置或連接手段間接地連接至該第二裝置，在此容先敘明。請(qǐng)參考圖1，圖1為本發(fā)明中液晶顯示器數(shù)組布局的上視圖，其中圖1僅繪示出單 一像素區(qū)域?yàn)榇?，然本發(fā)明的液晶顯示器數(shù)組實(shí)際上可包含復(fù)數(shù)像素區(qū)域。請(qǐng)參考圖1， 本發(fā)明的液晶顯示器包含有一基板101，以及位于基板101上的復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管103、復(fù) 數(shù)個(gè)像素電極105、復(fù)數(shù)條掃描線107以及復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線109。其中，復(fù)數(shù)條掃瞄線107及 數(shù)據(jù)線109兩兩相互交錯(cuò)，并在基板101上區(qū)分出復(fù)數(shù)個(gè)像素區(qū)域110，每個(gè)像素區(qū)域110 皆包含有一薄膜晶體管103與一像素電極105。如圖1所示，在像素區(qū)域110中，掃描線 107電性連接薄膜晶體管103的柵極1031，且數(shù)據(jù)線109電性連接于薄膜晶體管103的源 極1032，像素電極105則電性連接于薄膜晶體管103的漏極1033。因此，藉由施以適當(dāng)電 壓于掃描線107上便可開啟柵極1031，數(shù)據(jù)線109的信號(hào)即可通過薄膜晶體管103而導(dǎo)通 于像素電極105，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)位于像素區(qū)域110的液晶分子(未顯示)，以 改變光線的偏振狀 態(tài)。隨著面板尺寸的加大，在液晶顯示器中的導(dǎo)線如掃描線107或數(shù)據(jù)線109的長(zhǎng)度 亦會(huì)增加，而造成其抗阻也會(huì)隨之增加，容易影響顯示器的質(zhì)量。因此，本發(fā)明提供一低抗 阻的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，如圖1左方或右方的掃描線107所示，在掃描線107的上方，還設(shè)置有一平 行分支的第二掃描線1071，并使第二掃描線1071與其下方的掃描線107采并聯(lián)方式連接， 借此可有效降低其抗阻。為了說明本發(fā)明的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的特征及制作方法，以下將配合圖示詳細(xì)敘述。首先， 請(qǐng)參考圖2，圖2為本發(fā)明中導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的剖面圖。導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包含有一基板301、一導(dǎo)線層304、 一絕緣層305、一半導(dǎo)體層307以及一重?fù)诫s半導(dǎo)體層309。導(dǎo)線層304設(shè)置于基板301上， 為一金屬導(dǎo)電層，其材質(zhì)可為銅、鋁或其它導(dǎo)電材料。絕緣層305、半導(dǎo)體層307、重?fù)诫s半 導(dǎo)體層309則依序設(shè)置于導(dǎo)線層304上。絕緣層305可為一單一(single)絕緣層或一復(fù) 合(composite)絕緣層，其材質(zhì)可包含有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy)或氮氧化硅(SiON) 等。而半導(dǎo)體層307例如是為一含氫的非晶硅層(amorphoussilicon)。半導(dǎo)體層307上具有一重?fù)诫s半導(dǎo)體層309，對(duì)應(yīng)設(shè)置于導(dǎo)線層304的上方。重?fù)?雜半導(dǎo)體層309的材質(zhì)通常為N型半導(dǎo)體，例如摻雜磷(phosphor)的非晶硅，但也可以是 P型半導(dǎo)體，例如摻雜硼(boron)的非晶硅。本發(fā)明的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)還包含有兩接觸孔313與兩透明電極311。兩接觸孔313設(shè)置 于重?fù)诫s半導(dǎo)體層309的兩端，其貫穿半導(dǎo)體層307與絕緣層305而暴露出部分的導(dǎo)線層 304。兩透明電極311的材質(zhì)例如為氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)或其它透明導(dǎo)電材質(zhì)， 其設(shè)置于兩接觸孔313中，并使導(dǎo)線層304與重?fù)诫s半導(dǎo)體層309以并聯(lián)方式電性連接。導(dǎo) 線結(jié)構(gòu)另外還具有一保護(hù)層315，設(shè)置于重?fù)诫s半導(dǎo)體層309的上方，以避免其因裸露而受 損。由圖2可以了解，本發(fā)明的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)具有一導(dǎo)線層304與一重?fù)诫s半導(dǎo)體層309， 另外有兩透明電極311將其上下相連，形成一「導(dǎo)線-導(dǎo)線分支」的并聯(lián)結(jié)構(gòu)。而根據(jù)簡(jiǎn)單 的物理規(guī)則，并聯(lián)后的等效抗阻值小于并聯(lián)前的個(gè)別單一抗阻值。因此，本發(fā)明中具有并聯(lián) 導(dǎo)線的抗阻值，將小于公知個(gè)別單一導(dǎo)線之抗阻值，是以本導(dǎo)線結(jié)構(gòu)能有效降低抗阻，而能 增加顯示器的效能。本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)在于，利用重?fù)诫s半導(dǎo)體層309作為并聯(lián)的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。一般而言，重?fù)诫s半導(dǎo)體層309是作為薄膜晶體管制程中不可或缺的組件之一。而本發(fā)明所公開的低抗阻導(dǎo)線制作方法，即是利用現(xiàn)有薄膜晶體管的材料組件，作為并聯(lián)的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，故能 有效整合于薄膜晶體管的制程中，并毋須再引進(jìn)其它制程。關(guān)于本發(fā)明的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制造方法，請(qǐng)先參考圖3至圖10，圖3至圖10為圖1中， 沿著AA切線與EE切線的剖面示意圖，其中左半部的AA區(qū)域代表薄膜晶體管103區(qū)域，右 半部的EE區(qū)域代表掃描線107區(qū)域。值得注意的是，以下說明是以掃描線為其中一種低抗 阻導(dǎo)線的實(shí)施方式，但應(yīng)不限于掃描線，亦可能應(yīng)用于液晶顯示器上其它具有類似結(jié)構(gòu)的 導(dǎo)線。首先請(qǐng)參考圖3，在基板301上全面沈積一第一金屬層303，接著進(jìn)行一第一黃光 暨蝕刻制程(PEP-I)，形成一圖案化的第一金屬層303。圖案化的第一金屬層303在AA區(qū) 域形成薄膜晶體管103的柵極1031，而在EE區(qū)域形成掃描線107，請(qǐng)一并參考圖1。接著在基板301上依序沈積一絕緣層305、一半導(dǎo)體層307與一蝕刻停止層308。 前述沈積步驟皆可利用連續(xù)的電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沈積(PECVD)制程于同一反應(yīng)室中完成。 接著再進(jìn)行一第二黃光暨蝕刻制程(PEP-2)，于相對(duì)AA區(qū)域中圖案化金屬層303上方形成 一圖案化的蝕刻停止層308，以避免半導(dǎo)體層307在后續(xù)的蝕刻制程被侵蝕。接著，于基板301的上方沈積一重?fù)诫s半導(dǎo)體層309，重?fù)诫s半導(dǎo)體層309的材質(zhì) 通常為N型半導(dǎo)體，例如摻雜磷的非晶硅，但也可以是P型半導(dǎo)體，例如摻雜硼的非晶硅。接 著，在重?fù)诫s半導(dǎo)體層309的上方沈積一第二金屬層310，作為后續(xù)形成圖1中薄膜半導(dǎo)體 103的源極1032/漏極1033。請(qǐng)參考圖4，接著，全面沈積一第一光阻層312，并利用一半穿透式光罩 400 (half-tone mask)進(jìn)行一第三黃光暨蝕刻制程(PEP-3)。如圖4所示，依據(jù)所欲形成的 結(jié)構(gòu)可分為三個(gè)區(qū)域第一區(qū)域I所對(duì)應(yīng)為薄膜晶體管的源極/漏極部位，該區(qū)域無(wú)黃光 通過，因此于第一區(qū)域I所形成的第一光阻層312最厚；第二區(qū)域II所對(duì)應(yīng)為后續(xù)并聯(lián)導(dǎo) 線的部位，僅允許部份黃光通過，因此于第二區(qū)域II形成次厚的第二光阻層312 ；其余開口 區(qū)則為第三區(qū)域III，并無(wú)使用光罩而可使全部黃光通過，因此在第三區(qū)域III上并無(wú)第一光 阻層312的產(chǎn)生。接著如圖5所示，進(jìn)行一第一蝕刻步驟，以將第三區(qū)域III裸露的部份第二金屬層 310移除。然后再進(jìn)行一第二蝕刻步驟，以將第三區(qū)域III的重?fù)诫s半導(dǎo)體層309、半導(dǎo)體層 307移除。接著請(qǐng)參考圖6，進(jìn)行一第三蝕刻步驟，將第二區(qū)域II的第一光阻層312去除，值 得注意的是，由于第一區(qū)域I的第一光阻層312較第二區(qū)域II的第一光阻層312為厚，因此 在去除了第二區(qū)域II的第一光阻層312后，第一區(qū)域I的第一光阻層312還具有一定厚度 的殘留。接著請(qǐng)參考圖7，進(jìn)行一第四蝕刻步驟，以移除位于第二區(qū)域II的第二金屬層310。 第一區(qū)域I由于具有一定厚度的第一光阻層312殘留，因此其第二金屬層310并不會(huì)受到 該第四蝕刻的影響。此外，上述第一至第四蝕刻步驟皆為干蝕刻制程，因此可以在同一反應(yīng) 室中完成。接著請(qǐng)參考圖8，形成一保護(hù)層315于基板301上，其材質(zhì)可為無(wú)機(jī)材質(zhì)，例如氧 化硅或氮化硅，或是有機(jī)材質(zhì)。接著沈積一第二光阻層314，并進(jìn)行一第四黃光暨蝕刻步驟 (PEP-4)，如圖8所示，形成第二光阻層314，其方式在此不做重復(fù)的描述。接著請(qǐng)參考圖9，進(jìn)行一濕蝕刻制程以形成一圖案化的保護(hù)層315，并以以內(nèi)的氫氟酸作為蝕刻液，在AA區(qū)域去除位于漏極上方的部份保護(hù)層315，并形成一第一接觸 孔317，此第一接觸孔317暴露出作為漏極的第二金屬層310 ；另外在EE區(qū)域，僅保留一小 于第二區(qū)域II的保護(hù)層315，以使得部分重?fù)诫s半導(dǎo)體層309暴露出，另外于半導(dǎo)體層307 與絕緣層305中形成兩第二接觸孔318，位于第二區(qū)域II的兩側(cè)。各個(gè)第二接觸孔318貫穿 半導(dǎo)體層307與絕緣層305，并暴露出下方的第一金屬層303。最后，如圖10所示，形成一透明電極320，其材質(zhì)包含有氧化銦錫或氧化銦鋅。接 著進(jìn)行一第五黃光暨蝕刻制程(PEP-5)，以形成一圖案化的透明電極320。圖案化的透明電 極320包含一像素電極321與至少 兩連接電極322。其中像素電極321在該AA區(qū)域內(nèi)填入 第一接觸孔317且與該漏極電性連接并延伸至像素區(qū)，而各連接電極322在該EE區(qū)則分別 填入第二接觸孔318，以電性連接第一金屬層303與重?fù)诫s半導(dǎo)體層309。因此，依據(jù)圖3至圖10的步驟，可在AA區(qū)域完成一薄膜晶體管，在EE區(qū)域則完成 了本發(fā)明中具有低抗阻的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。且上述的制作方法，成功整合了公知薄膜晶體管的制 程，維持了五道光罩與蝕刻(PEP-1至PEP-5)的步驟，而需增加額外的光罩制程，因此可節(jié) 省相當(dāng)?shù)臅r(shí)間與費(fèi)用。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明的權(quán)利要求所做的均等變化與修 飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
一種液晶顯示器的制作方法，其特征在于，包含提供一基板，并于該基板上定義出一開關(guān)組件區(qū)、一導(dǎo)線區(qū)以及一像素區(qū)；于該基板上形成一圖案化的第一金屬層，以分別在該開關(guān)組件區(qū)形成一柵極，以及在該導(dǎo)線區(qū)形成一第一導(dǎo)線；于該基板上依序形成一絕緣層與一半導(dǎo)體層；于該基板上形成一圖案化的重?fù)诫s半導(dǎo)體層，以在該導(dǎo)線區(qū)形成一第二導(dǎo)線對(duì)應(yīng)于該第一導(dǎo)線之上；于該基板上形成一圖案化的第二金屬層，以在該開關(guān)組件區(qū)形成一源極與一漏極；于該基板上形成一保護(hù)層；于該開關(guān)組件區(qū)的該保護(hù)層中形成至少一第一接觸孔，以暴露出部分的該漏極，以及于該導(dǎo)線區(qū)的該保護(hù)層中形成至少兩第二接觸孔，以暴露出部分的該第一導(dǎo)線；形成一圖案化的透明電極于該基板上，該圖案化的透明電極包含一像素電極與至少兩連接電極，其中該像素電極在該開關(guān)組件區(qū)內(nèi)填入該第一接觸孔且與該漏極電性連接并延伸至該像素區(qū)，且各該連接電極在該導(dǎo)線區(qū)分別填入各該第二接觸孔以電性連接該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該圖案化的重?fù)诫s 半導(dǎo)體層與該圖案化的第二金屬層之步驟，包含使用一第一半穿透式光罩以形成一光阻層，并形成一第一區(qū)域于該漏極與該源極的上 方，形成一第二區(qū)域于部份該第一導(dǎo)線的上方，其余則為第三區(qū)域；其中該第一區(qū)域的該光阻層最厚，該第二區(qū)域的該光阻層次之，該第三區(qū)域則無(wú)光阻層。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該圖案化的重?fù)诫s 半導(dǎo)體層與該圖案化的第二金屬層的步驟，包含一第一蝕刻步驟，以移除該第三區(qū)域的該第二金屬層。
4.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該重?fù)诫s半導(dǎo)體層 與該第二金屬層的步驟，包含一第二蝕刻步驟，以移除該第三區(qū)域的該重?fù)诫s半導(dǎo)體層與 該半導(dǎo)體層。
5.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該重?fù)诫s半導(dǎo)體層 與該第二金屬層的步驟，包含一第三蝕刻步驟，以移除該第二區(qū)域的該光阻層。
6.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該重?fù)诫s半導(dǎo)體層 與該第二金屬層的步驟，包含一第四蝕刻步驟，以移除該第二區(qū)域的該第二金屬層。
7.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該第一接觸孔與該 第二接觸孔的步驟，包含使用一微影步驟與一濕蝕刻步驟，該濕蝕刻步驟包含使用1 %以內(nèi) 的氫氟酸作為蝕刻液。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，還包含于該半導(dǎo)體層上 形成一圖案化的蝕刻停止層對(duì)應(yīng)于該柵極的上方。
9.一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含 一基板；一導(dǎo)線層，設(shè)置于該基板上；一絕緣層，設(shè)置于該導(dǎo)線層上；兩接觸孔，貫穿該絕緣層并暴露出部分的該導(dǎo)線層；一重?fù)诫s半導(dǎo)體層，設(shè)置于該絕緣層上并對(duì)應(yīng)該導(dǎo)線層；二透明電極，設(shè)置于該兩接觸孔中，且電性連接該導(dǎo)線層與該重?fù)诫s半導(dǎo)體層。
10.如權(quán)利要求9所述的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一設(shè)置于該絕緣層與該重?fù)诫s 半導(dǎo)體層之間的半導(dǎo)體層以及一設(shè)置于該重?fù)诫s半導(dǎo)體層之上的保護(hù)層。
11.如權(quán)利要求9所述的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該重?fù)诫s半導(dǎo)體層可以包含有P型摻 雜半導(dǎo)體，也可以包含有N型摻雜半導(dǎo)體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)與其制作方法。該導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包含有一基板、一導(dǎo)線層、一絕緣層、兩接觸孔、一重?fù)诫s半導(dǎo)體層以及二透明電極。其中，重?fù)诫s半導(dǎo)體層設(shè)置在導(dǎo)線層相對(duì)應(yīng)的上方且兩者之間設(shè)置有絕緣層，而兩透明電極設(shè)置于絕緣層的兩接觸孔中借此使導(dǎo)線層與重?fù)诫s半導(dǎo)體層以并聯(lián)方式電性連接。本發(fā)明的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)可有效降低抗阻，以增加傳輸效率。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101825818SQ20091011890
公開日2010年9月8日 申請(qǐng)日期2009年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月6日
發(fā)明者劉春福, 鄒元昕 申請(qǐng)人:華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司