專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，且特別是有關(guān)于一種使用激光剝離制作工藝(laser ablation process)來制作半導(dǎo)體層的像素結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
顯示器為人與信息的溝通界面，目前以平面顯示器為主要發(fā)展的趨勢。 平面顯示器主要有以下幾種有機(jī)電激發(fā)光顯示器(organic electroluminescence display)、 電衆(zhòng)顯示器(plasma display panel)以及薄月莫晶體 管液晶顯示器等(thin film transistor liquid crystal display)。其中，又以薄膜晶 體管液晶顯示器的應(yīng)用最為廣泛。 一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器主要由 薄膜晶體管陣列基板(thin film transistor array substmte)、彩色濾光陣列基板 (color filter substrate)和液晶層(liquid crystal layer)所構(gòu)成。其中，薄膜晶體管 陣列基板包括多條掃描線(scan lines)、多條數(shù)據(jù)線(data lines)以及多個陣列排 列的像素結(jié)構(gòu)(pixel imit)，且各個像素結(jié)構(gòu)分別與對應(yīng)的掃描線及數(shù)據(jù)線電性 連接。圖1A 圖1G為現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。首先，請參照圖1A， 提供一基板IO，并通過第一道光罩制作工藝于基板10上形成一柵極20。接 著，請參照圖1B，在基板10上形成一門介電層30以覆蓋住柵極20。然后， 請參照圖1C，通過第二道光罩制作工藝于門介電層30上形成一位于柵極20 上方的通道層40。 一般而言，通道層40的材質(zhì)為非晶硅(amorphoussilicon)。 之后，請參照圖1D，通過第三道光罩制作工藝于通道層40的部分區(qū)域以及 門介電層30的部分區(qū)域上形成一源極50以及一漏極60。由圖1D可知，源 極50與漏極60分別由通道層40的兩側(cè)延伸至門介電層30上，并將通道層 40的部分區(qū)域暴露。接著，請參照圖1E，于基板10上形成一保護(hù)層70以 覆蓋閘絕緣層30、通道層40、源極50以及漏極60。然后，請參照圖1F， 通過第四道光罩制作工藝將保護(hù)層70圖案化，以于保護(hù)層70中形成一接觸 孔H。由圖1F可知，保護(hù)層70中的的接觸孔H會將漏極60的部分區(qū)暴露。 之后，請參照圖1G，通過第四道光罩制作工藝于保護(hù)層70上形成一像素電 極80，由圖1G可知，像素電極80會透過接觸孔H與漏極60電性連接。在 像素電極80制作完成之后，便完成了像素結(jié)構(gòu)90的制作。承上所述，現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)90主要是通過五道光罩制作工藝來進(jìn)行制 作，換言之，像素結(jié)構(gòu)90需采用五個具有不同圖案的光罩(mask)來進(jìn)行制作。 由于光罩的造價十分昂貴，且每道光罩制作工藝皆須使用到具有不同圖案的 光罩，因此，若無法縮減光罩制作工藝的數(shù)目，像素結(jié)構(gòu)90的制造成本將無 法降低。此外，隨著薄膜晶體管液晶顯示面板的尺寸日益增加，用來制作薄膜晶 體管陣列基板的光罩尺寸亦會隨之增加，而大尺寸的光罩在造價上將更為昂 貴，使得像素結(jié)構(gòu)90的制造成本無法有效地降低。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其適于降低制作成本。 為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方、法，其先提 供一基板，并形成一柵極于基板上。接著，形成一門介電層于基板上，以覆 蓋柵極。繼之，形成一半導(dǎo)體層于門介電層上。然后，提供一第一遮罩于半 導(dǎo)體層上方，且第一遮罩暴露出部分的半導(dǎo)體層。接著，使用激光經(jīng)由第一 遮罩照射半導(dǎo)體層，以移除第一遮罩所暴露的部分半導(dǎo)體層，而形成一通道 層。之后，形成一源極以及一漏極于柵極兩側(cè)的通道層上，其中柵極、通道 層、源極以及漏極構(gòu)成一薄膜晶體管。接著，形成一圖案化保護(hù)層于薄膜晶 體管上，以覆蓋通道層并暴露出漏極。然后形成一導(dǎo)電層，以覆蓋圖案化保 護(hù)層與暴露的漏極，并且通過圖案化保護(hù)層使導(dǎo)電層圖案化，以形成一像素電極。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，還包括在形成圖案化保護(hù)層之后，烘烤圖案化保護(hù)層，以使圖案化保護(hù)層具有一蕈狀(mushroom)的頂表面，其 中圖案化保護(hù)層的蕈狀的頂表面略大于其底表面。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，上述形成柵極的方法，在一實(shí)施例中 例如先形成一第一金屬層于基板上。接著，再圖案化第一金屬層，以形成柵 極。在另一實(shí)施例中，形成柵極的方法例如先形成一第一金屬層于基板上。 接著，提供一第二遮罩于第一金屬層上方，且第二遮罩暴露出部分的第一金 屬層。然后，使用激光經(jīng)由第二遮罩照射第一金屬層，以移除第二遮罩所暴 露的部分第一金屬層。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，形成源極以及漏極的方法例如為先形 成一第二金屬層于通道層與門介電層上，接著，圖案化第二金屬層，以形成 源極以及漏極。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，圖案化保護(hù)層包括形成于部分門介電 層上。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，形成圖案化保護(hù)層的方法，在一實(shí)施 例中例如是在形成薄膜晶體管之后，形成一保護(hù)層于門介電層與薄膜晶體管 上。接著，再圖案化保護(hù)層。在另一實(shí)施例中，形成圖案化保護(hù)層的方法例 如是在形成薄膜晶體管之后，形成一保護(hù)層于門介電層與薄膜晶體管上。接 著，提供一第三遮罩于保護(hù)層上方，且第三遮罩暴露出部分的保護(hù)層。然后， 使用激光經(jīng)由第三遮罩照射保護(hù)層，以移除第三遮罩所暴露的部分保護(hù)層。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，形成導(dǎo)電層的方法包括通過濺鍍形成 一銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，照射于半導(dǎo)體層的激光能量例如是介 于10至500 mJ/cr^之間。另外，激光的波長例如是介于100 nm至400 nm 之間。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，圖案化保護(hù)層的蕈狀的頂表面包括圖 案化保護(hù)層的頂表面略大于其底表面。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，還包括在形成像素電極之后，移除圖 案化保護(hù)層。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，還包括在形成柵極的同時形成一下層 電容電極，而在形成源極以及漏極的同時形成一上層電容電極，其中下層電 容電極與上層電容電極構(gòu)成一儲存電容器。本發(fā)明通過圖案化保護(hù)層的適當(dāng)圖案在形成導(dǎo)電層的同時，即完成導(dǎo)電 層的圖案化，以形成像素電極，因此相較于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)制作方法，可以 簡化制作工藝步驟并減少光罩的制作成本。此外，在制作半導(dǎo)體層時，激光 剝離制作工藝所使用的遮罩較現(xiàn)有的光罩簡易，故此激光剝離制作工藝步驟 中所使用的遮罩的造價較為低廉。


圖1A 圖1G為現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。圖2A 圖2G為本發(fā)明的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。圖3A 圖3C為一種形成柵極的激光剝離制作方法示意圖。圖4A 圖4C為一種形成源極以及漏極的制作方法示意圖。圖5A 圖5C為一種形成圖案化保護(hù)層的制作方法示意圖。圖6A 圖6H為本發(fā)明的另一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。附圖標(biāo)號10、 200:基板20、 212:柵極30:第一介電層40、 232:通道層 50、 242:源極 60、 244:漏極 70:第二介電層80、 282:像素電極90:像素結(jié)構(gòu) 210:第一金屬層 216:下層電容電極 220:門介電層 230:半導(dǎo)體層 240:第二金屬層 246:上層電容電極 250:光刻膠層 260:薄膜晶體管 270:保護(hù)層 272:圖案化保護(hù)層 280:導(dǎo)電層280A、 280B:部分導(dǎo)電層C:儲存電容器 L:激光 H:接觸孔M:蕈狀的頂表面 SI:第一遮罩 S2:第二遮罩 S3:第三遮罩具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并 配合附圖，作詳細(xì)說明如下。 第一實(shí)施例
圖2A 圖2G為本發(fā)明的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。請參照圖2A， 首先提供一基板200，基板200的材質(zhì)例如為玻璃、塑膠等硬質(zhì)或軟質(zhì)材料。 接著，形成一柵極212于基板200上。在本實(shí)施例中，還包括在形成柵極212 的同時，形成下層電容電極216。接著，請參照圖2B，形成一門介電層220于基板200上，以覆蓋柵極 212以及下層電容電極216，其中門介電層220例如是通過化學(xué)氣相沉積法 (chemical vapor deposition, CVD)或其他合適的薄膜沉積技術(shù)所形成，而 門介電層220的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等介電材料。繼之， 形成一半導(dǎo)體層230于門介電層220上。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體層230的材 質(zhì)例如是非晶硅(amorphous silicon)或其他半導(dǎo)體材料。接著請參考圖2C，提供一第一遮罩S1于半導(dǎo)體層230上方，且第一遮 罩S1暴露出部分的半導(dǎo)體層230。接著，使用激光L經(jīng)由第一遮罩S1照射 半導(dǎo)體層230，以移除第一遮罩S1所暴露的部分半導(dǎo)體層230，而形成一通 道層232。詳言之，經(jīng)激光L照射后的半導(dǎo)體層230會吸收激光L的能量而 自門介電層220表面剝離(ablation)，留下被第一遮罩Sl遮住的半導(dǎo)體層230 而形成一通道層232。具體而言，用來剝離半導(dǎo)體層230的激光L的能量例 如是介于10至500 mJ/cn^之間。另外，激光L的波長例如是介于100 nm至 400 nm之間。利用半導(dǎo)體層230對特定激光吸收剝離，而底下的門介電層 220卻幾乎不吸收的特性，可避免傳統(tǒng)蝕刻制作工藝對底下門介電層220表 面的破壞，所以可以使儲存電容更佳的電荷儲存能力，進(jìn)而獲得更佳的顯示 品質(zhì)。請接著參照圖2D，形成一源極242以及一漏極244于柵極212兩側(cè)的通 道層232上，其中柵極212、通道層232、源極242以及漏極244構(gòu)成一薄膜 晶體管260。此外，在其他實(shí)施例中，可先在半導(dǎo)體層230 (繪示于圖2B) 的表面形成一歐姆接觸層(未繪示)，接著，再通過一蝕刻制作工藝移除部 分的歐姆接觸層(未繪示)。舉例而言，可利用離子摻雜(iondoping)的方式
于半導(dǎo)體層230 (繪示于圖2B)的表面形成N型摻雜區(qū)，以減少通道層232 與源極242之間以及通道層232與漏極244之間的接觸阻抗。另外，在本實(shí) 施例中，在形成源極242以及漏極244的同時，還包括形成上層電容電極246， 如圖2D所示。其中，下層電容電極216與上層電容電極246構(gòu)成一儲存電 容器C，以維持良好的顯示品質(zhì)。接著，請參照圖2E，形成一圖案化保護(hù)層272于薄膜晶體管260上，以 覆蓋通道層232并暴露出漏極244。如圖2E所示，在本實(shí)施例中，圖案化保 護(hù)層272所形成的范圍包括形成于部分門介電層272上，圖案化保護(hù)層272 的材質(zhì)可以例如是丙烯酸樹脂、感光性樹脂等有機(jī)介電材料所組成，也可以 例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等無機(jī)介電材料所組成，而形成圖案化保 護(hù)層272的方法例如是通過光刻膠涂布或其他合適的薄膜沉積技術(shù)，如化學(xué) 氣相沉積法所形成。接著，請繼續(xù)參照圖2E，以圖案化保護(hù)層272以及第二 金屬層240為罩幕，進(jìn)行一蝕刻制作工藝，以移除部分門介電層220，并同 時暴露出柵極焊墊(未繪示)上的第一金屬層210 (未繪示)。然后，請參考圖2F，形成一導(dǎo)電層280，以覆蓋圖案化保護(hù)層272與暴 露的漏極244，而形成導(dǎo)電層280的方法例如是通過濺鍍形成一銦錫氧化物 層或一銦鋅氧化物層。由于作為導(dǎo)電層280底層的圖案化保護(hù)層272具有一 適當(dāng)厚度，使得在形成導(dǎo)電層280時會形成電性絕緣的二部分導(dǎo)電層280A 與280B。詳言之，設(shè)計者可以適當(dāng)控制底層圖案化保護(hù)層272的厚度，并利 用導(dǎo)電層280的薄膜沉積制作工藝的非等向性特性，使得導(dǎo)電層280適應(yīng)底 層圖案化保護(hù)層272的厚度落差，形成不連續(xù)的二部分導(dǎo)電層280A與280B。 一部分導(dǎo)電層280A形成于圖案化保護(hù)層272上，而另一部分導(dǎo)電層280B則 形成于基板200與漏極244上。其中，部分與漏極244連接的導(dǎo)電層280B 則構(gòu)成像素電極282。值得注意的是，不同于現(xiàn)有，本實(shí)施例利用圖案化保 護(hù)層272的設(shè)計，于形成導(dǎo)電層280時同步圖案化，而完成像素電極282制 作，因此本發(fā)明可以減少一道光罩制作工藝，并降低制作工藝的復(fù)雜度。 一般而言，在形成像素電極282之后，更可以將圖案化保護(hù)層272移除， 如圖2G所示。移除圖案化保護(hù)層272的方法例如使用一剝離液于圖案化保 護(hù)層272與導(dǎo)電層280的表面，使得圖案化保護(hù)層272的底表面因剝離液的 侵入而自薄膜晶體管260表面或門介電層220表面剝離。此外，上述形成柵極212的方法例如可以使用激光剝離制作工藝來進(jìn)行 制作。圖3A 圖3C為一種形成柵極的激光剝離制作方法示意圖。請先參照 圖3A，先形成一第一金屬層210于基板200上。接著參照圖3B，提供一第 二遮罩S2于第一金屬層210上方，且第二遮罩S2暴露出部分的第一金屬層 210。然后，使用激光L經(jīng)由第二遮罩S2照射第一金屬層210，以移除第二 遮罩S2所暴露的部分第一金屬層210。最后如圖3C所示，剩余的第一金屬 層210構(gòu)成柵極212以及下層電容電極216。在另一實(shí)施例中，形成柵極212 的方法也可以是先形成一第一金屬層210于基板220上。之后再將第一金屬 層210圖案化，以形成柵極212以及下層電容電極216。第一金屬層210例 如是通過濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporation)或是其他薄膜沉積技術(shù)所形成， 而第一金屬層210的圖案化例如是通過微影蝕刻制作工藝來進(jìn)行。此外，圖4A 圖4C為一種上述形成源極242以及漏極244的制作方法 示意圖。請先參照圖4A，先形成一第二金屬層240于通道層232與門介電層 220上。接著請參照圖4B，圖案化第二金屬層240。詳言之，例如在柵極212 兩側(cè)的通道層232上形成一光刻膠層250，并以此光刻膠層250為罩幕進(jìn)行 一蝕刻制作工藝，以去除未被光刻膠層250覆蓋的第二金屬層240。移除光 刻膠層250之后，如圖4C所示，在柵極212兩側(cè)的通道層232上分別形成 源極242以及漏極242。在本實(shí)施例中，光刻膠層250還包括形成于下層電 容電極216上方的門介電層220上，以于進(jìn)行蝕刻制作工藝后，形成上層電 容電極246,使得上層電容電極246與下層電容電極216構(gòu)成一儲存電容器 C。第二金屬層240的材質(zhì)例如為鋁(A1)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、釹(Nd)、上述的 氮化物如氮化鉬(MoN)、氮化鈦(TiN)、其迭層、上述的合金或是其他導(dǎo)電材
料。在本實(shí)施例中，蝕刻制作工藝?yán)鐬檫M(jìn)行一濕式蝕刻，在其他實(shí)施例中，蝕刻制作工藝也可以是干式蝕刻。另外，去除光刻膠層250的制作工藝?yán)?是濕式蝕刻制作工藝。此外，上述形成圖案化保護(hù)層272的方法例如是在形成薄膜晶體管260 之后，形成一保護(hù)層270于門介電層220與薄膜晶體管260上。接著，再圖 案化保護(hù)層270，而圖案化保護(hù)層270的方法例如是進(jìn)行一微影蝕刻制作工 藝。另一種形成圖案化保護(hù)層272的方法為通過激光剝離制作工藝來完成制 作，圖5A 圖5C為一種形成圖案化保護(hù)層的激光剝離制作方法示意圖。請 先參照圖5A，在形成薄膜晶體管260之后，接著如圖5B,于門介電層220 與薄膜晶體管260上形成一保護(hù)層270，并提供一第三遮罩S3于保護(hù)層270 上方，且第三遮罩S3暴露出部分的保護(hù)層270。然后，使用激光L經(jīng)由第三 遮罩S3照射保護(hù)層270，以移除第三遮罩S3所暴露的部分保護(hù)層270。最 后，如圖5C所示，形成圖案化保護(hù)層272。第二實(shí)施例圖6A 圖6H為本發(fā)明的第二實(shí)施例中像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。 由于圖6A 圖6E的步驟與第一實(shí)施例的圖2A 圖2E相似，故此處省略其 描述。請參照圖6F，在形成圖案化保護(hù)層272之后，烘烤圖案化保護(hù)層272， 以使圖案化保護(hù)層272具有一蕈狀的頂表面M。烘烤后的圖案化保護(hù)層272 會呈現(xiàn)圖案化保護(hù)層272的頂表面略大于其底表面的圖案，使得圖案化保護(hù) 層272的頂表面實(shí)質(zhì)上呈現(xiàn)上述的蕈狀的頂表面M。值得一提的是，在實(shí)務(wù) 上必須考量烘烤制作工藝的溫度、加熱速度、加熱時間等制作工藝誤差，因 此圖案化保護(hù)層272的形狀可能因制作工藝誤差而產(chǎn)生些許的變異，但大致 上呈現(xiàn)頂表面略大于其底表面的蕈狀圖案，本發(fā)明的圖案化保護(hù)層272的頂 表面形狀并不以此為限。然后，請參考圖6G，形成一導(dǎo)電層280，以覆蓋圖案化保護(hù)層272與暴
露的漏極244，而形成導(dǎo)電層280的方法例如是通過濺鍍形成一銦錫氧化物 層或一銦鋅氧化物層。由于圖案化保護(hù)層272具有頂表面略大于其底表面的 蕈狀的頂表面M，因此在形成導(dǎo)電層280時會形成電性絕緣的二部分導(dǎo)電層 280A與280B。 一部分導(dǎo)電層280A形成于圖案化保護(hù)層272上，另一部分 導(dǎo)電層280B則形成于基板200以及漏極244上。其中，部分與漏極244連 接的導(dǎo)電層280B則構(gòu)成像素電極282。值得注意的是，不同于現(xiàn)有，在本實(shí) 施例中利用圖案化保護(hù)層272的蕈狀頂表面M的設(shè)計，于形成導(dǎo)電層280 時同步圖案化，而完成像素電極282制作，因此可以減少一道光罩制作工藝， 并降低制作工藝的復(fù)雜度。一般而言，在形成像素電極282之后，還可以將圖案化保護(hù)層272移除， 如圖6H所示。移除圖案化保護(hù)層272的方法例如使用一剝離液于圖案化保 護(hù)層272與導(dǎo)電層280的表面，使得圖案化保護(hù)層272的底表面因剝離液的 侵入而自薄膜晶體管260表面或門介電層220表面剝離?；谏鲜?，本發(fā)明在像素電極的制作上，不同于現(xiàn)有使用一道光罩來進(jìn) 行像素電極的的制作，而是在形成導(dǎo)電層的同時，通過適當(dāng)圖案的圖案化保 護(hù)層直接圖案化導(dǎo)電層，以形成像素電極，因此相較于現(xiàn)有具有減少制作工 藝步驟的優(yōu)點(diǎn)。并且，本發(fā)明采用激光照射的方式形成半導(dǎo)體層，而非采用 現(xiàn)有的微影蝕刻制作工藝，因此本發(fā)明所提出的像素結(jié)構(gòu)的制作方法至少具 有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提出的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其像素電極制作工藝不需使用微影 制作工藝，故相較于微影制作工藝所使用的高精度光罩制作工藝，能降低光 罩的制作成本。由于制作像素結(jié)構(gòu)的制作工藝較少，可以減少冗長的光罩制作工藝(如 光刻膠涂布、軟烤、硬烤、曝光、顯影、蝕刻、光刻膠剝除等)制作像素結(jié) 構(gòu)時所產(chǎn)生缺陷。本發(fā)明所提出的激光剝離部份半導(dǎo)體層的方法可以應(yīng)用于像素修補(bǔ)中的
像素電極的修補(bǔ)，以在像素結(jié)構(gòu)制作工藝中，移除可能殘留的像素電極(ITO residue),解決像素電極之間的短路問題，進(jìn)而增加生產(chǎn)良率。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作 些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供一基板；形成一柵極于所述的基板上；形成一門介電層于所述的基板上，以覆蓋所述的柵極；形成一半導(dǎo)體層于所述的門介電層上；提供一第一遮罩于所述的半導(dǎo)體層上方，且所述的第一遮罩暴露出部分的所述的半導(dǎo)體層；使用激光經(jīng)由所述的第一遮罩照射所述的半導(dǎo)體層，以移除所述的第一遮罩所暴露的部分半導(dǎo)體層，而形成一通道層；形成一源極以及一漏極于所述的柵極兩側(cè)的所述的通道層上，其中所述的柵極、所述的通道層、所述的源極以及所述的漏極構(gòu)成一薄膜晶體管；形成一圖案化保護(hù)層于所述的薄膜晶體管上，以覆蓋所述的通道層并暴露出所述的漏極；以及形成一導(dǎo)電層，以覆蓋所述的圖案化保護(hù)層與暴露的所述的漏極，并且通過所述的圖案化保護(hù)層使所述的導(dǎo)電層圖案化，以形成一像素電極。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，更包括在形成所述的圖案 化保護(hù)層之后，烘烤所述的圖案化保護(hù)層，以使所述的圖案化保護(hù)層具有一 蕈狀的頂表面。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，圖案化保護(hù) 層的所述的蕈狀的頂表面略大于其底表面。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，更包括在形成所述的像素 電極之后，移除所述的圖案化保護(hù)層。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述的 柵極的方法包括形成一第一金屬層于所述的基板上；以及 圖案化所述的第一金屬層，以形成所述的柵極。
6. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述的 柵極的方法包括形成一第一金屬層于所述的基板上；提供一第二遮罩于所述的第一金屬層上方，且所述的第二遮罩暴露出部 分的所述的第一金屬層；以及使用激光經(jīng)由所述的第二遮罩照射所述的第一金屬層，以移除所述的第 二遮罩所暴露的部分所述的第一金屬層。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述的 源極以及所述的漏極的方法包括形成一第二金屬層于所述的通道層與所述的門介電層上；以及 圖案化所述的第二金屬層，以形成所述的源極以及所述的漏極。
8. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述的圖案 化保護(hù)層包括形成于部分所述的門介電層上。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述的 圖案化保護(hù)層的方法包括-形成一保護(hù)層于所述的門介電層與所述的薄膜晶體管上；以及 圖案化所述的保護(hù)層。
10. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述的 圖案化保護(hù)層的方法包括形成一保護(hù)層于所述的門介電層與所述的薄膜晶體管上； 提供一第三遮罩于所述的保護(hù)層上方，且所述的第三遮罩暴露出部分的所述的保護(hù)層；以及使用激光經(jīng)由所述的第三遮罩照射所述的保護(hù)層，以移除所述的第三遮罩所暴露的部分所述的保護(hù)層。
11. 如權(quán)利要求l所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述的 導(dǎo)電層的方法包括通過濺鍍形成一銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。
12. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述的激光的能量介于10至500 mJ/cm2之間。
13. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述的激光 的波長介于100 nm至400 nm之間。
14. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，更包括在形成所述的柵極 的同時形成一下層電容電極，而在形成所述的源極以及漏極的同時形成一上 層電容電極，其中所述的下層電容電極與所述的上層電容電極構(gòu)成一儲存電 容器。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟。首先，提供一基板，并形成柵極于基板上。接著，形成門介電層于基板上，以覆蓋柵極。繼之，形成半導(dǎo)體層于門介電層上，并提供一暴露出部分半導(dǎo)體層的第一遮罩于半導(dǎo)體層上方，使用激光照射以移除部分半導(dǎo)體層，而形成通道層。之后，形成源極以及漏極于柵極兩側(cè)的通道層上。接著，形成圖案化保護(hù)層覆蓋通道層并暴露出漏極。之后，形成導(dǎo)電層以覆蓋圖案化保護(hù)層與暴露的漏極，并通過圖案化保護(hù)層使導(dǎo)電層圖案化，以形成像素電極。
文檔編號H01L21/02GK101118881SQ20071014919
公開日2008年2月6日 申請日期2007年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月6日
發(fā)明者廖達(dá)文, 廖金閱, 楊智鈞, 林漢涂, 石志鴻, 蔡佳琪, 黃明遠(yuǎn) 申請人:友達(dá)光電股份有限公司