專利名稱：感測式半導(dǎo)體裝置及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制法，尤指一種影像感測式半導(dǎo) 體裝置及其制法。
背景技術(shù)：
請參閱圖1，傳統(tǒng)的影像感測式封裝件(Image sensor package)主要 提供一導(dǎo)線架10，并利用預(yù)模壓(pre-mold)方式，通過一封裝模具以在 該導(dǎo)線架IO上形成一預(yù)設(shè)有容置空間110的欄壩結(jié)構(gòu)11，接著將感測 芯片(Sensor chip)12接置于該欄壩結(jié)構(gòu)11的容置空間110中，并通過 焊線13電性連接該感測芯片12及導(dǎo)線架10后，于該欄壩結(jié)構(gòu)11上 形成一封蓋及密封該感測芯片12的玻璃14，以供影像光線能為該感測 芯片12所擷取。如此，該完成構(gòu)裝的影像感測式封裝件即可供系統(tǒng)廠 進(jìn)行整合至如印刷電路板(PCB)等外部裝置上，以供如數(shù)字相機(DSC)、 數(shù)字?jǐn)z影機(DV)、光學(xué)鼠標(biāo)、及移動電話等各式電子產(chǎn)品的應(yīng)用。相 關(guān)的技術(shù)內(nèi)容可參閱美國專利第6,420,204、 5，436，492、 6,643,919、 6,291 ，263、 6,384,472等案。
但是對于如光學(xué)鼠標(biāo)等低階的感測式封裝件而言，并不需要使用 前述高階密封(hermetic)技術(shù)的制造工藝，因此美國專利第6,967,321、 7,045,775、 7，148，078等揭示一種利用射出成型的封裝技術(shù)，如圖2A 至圖2D所示，首先提供一導(dǎo)線架20，且于該導(dǎo)線架20表面鍍有金 (Au)(未示出)，借此供后續(xù)與感測芯片形成良好電性連接，再以射出成 型方式形成一中央設(shè)有容置空間210的多孔膠體結(jié)構(gòu)21，其中因所使 用的射出成型模具(未示出)設(shè)有許多頂針結(jié)構(gòu)，以供頂緊導(dǎo)線架10， 因此在射出成型的膠體上會留下許多頂針孔洞28(如圖2A所示)；將感 測芯片22接置于該導(dǎo)線架20上且容置于該多孔膠體結(jié)構(gòu)21的容置空 間210中，并利用焊線23電性連接該感測芯片22及導(dǎo)線架20(如圖2B 所示);于該多孔膠體結(jié)構(gòu)21的容置空間210中涂布一包覆該感測芯片
22及焊線23的透明膠24(如圖2C所示)；以及于該多孔膠體結(jié)構(gòu)21 上覆蓋一不透光的蓋板25,其中該不透光的蓋板25留有一孔洞250， 以供光線可經(jīng)由此孔洞250而到達(dá)感測芯片22，并將該導(dǎo)線架20彎腳 成型，以制得低階的感測式封裝件(如圖2D所示)。
然而如前所述，公知的射出成型模具為供頂緊導(dǎo)線架，即設(shè)有許 多頂針結(jié)構(gòu)，從而于膠體上留下許多頂針孔洞，而易有濕氣入侵污染 感測芯片的問題；再者，于制造工藝上為防止射出成型的多孔膠體結(jié) 構(gòu)會有殘存顆粒的產(chǎn)生需額外增加透明膠的涂布，但是如此將造成制 造工藝成本的增加；此外，前述制造工藝中，于涂布透明膠后須再額 外封蓋一不透光蓋板，除增加制造工藝步驟外，亦增加制造工藝費用； 另外，因前述射出成型的制造工藝限制須使用鍍金(Au)導(dǎo)線架，而使 制造工藝成本更加高漲。
另外臺灣專利公告第473954則揭露一種使用透明樹脂(transparent resin)以全面包覆感測芯片的封裝件。然而當(dāng)此種封裝件實際應(yīng)用于例 如光學(xué)鼠標(biāo)等光感電子裝置時，因光線容易自封裝件側(cè)面周圍進(jìn)入， 造成感測芯片產(chǎn)生許多不良信號(noise)，致使感測芯片無法正確傳遞信 號，導(dǎo)致應(yīng)用上明顯的限制。
因此，如何設(shè)計一種不須使用特定鍍金導(dǎo)線架及額外設(shè)置蓋板以 減少制造工藝步驟及成本的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法，同時可避免 使用信賴性不佳的射出成型的多孔膠體結(jié)構(gòu)、額外涂布透明膠以及周 圍干擾光線進(jìn)入感測芯片而產(chǎn)生不良信號的問題，確為相關(guān)領(lǐng)域上所 需迫切面對的課題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于前述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的一個目的在于提供一種感測 式半導(dǎo)體裝置及其制法，不須使用特定鍍金導(dǎo)線架及額外設(shè)置蓋板以 減少制造工藝步驟及成本。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種感測式半導(dǎo)體裝置及其制法，從 而可避免現(xiàn)有技術(shù)中使用射出成型的多孔膠體結(jié)構(gòu)，所導(dǎo)致信賴性不 佳問題。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種感測式半導(dǎo)體裝置及其制法，無
須額外涂布透明膠以防止射出成型的膠體顆粒污染問題。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種感測式半導(dǎo)體裝置及其制法，可
避免現(xiàn)有技術(shù)中僅利用透明樹脂包覆感測芯片時，因周圍干擾光線進(jìn)
入感測芯片而產(chǎn)生不良信號的問題。
為達(dá)前述目的，本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置的制法包括提供一
芯片承載件，并將至少一感測芯片接置且電性連接至該芯片承載件；
形成包覆該感測芯片及部分芯片承載件的透明封裝膠體，其中于該透
明封裝膠體上對應(yīng)該感測芯片的感測區(qū)上方設(shè)有一光線穿透部；以及 形成包覆該透明封裝膠體的非透光膠體，且使該透明封裝膠體的光線 穿透部外露出該非透光膠體。
該芯片承載件例如為一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架具有一用以接置感測芯 片的芯片座及多個設(shè)于該芯片座周圍以供與外界電性連接的導(dǎo)腳。
該透明封裝膠體可形成于該芯片承載件相對的第一及第二表面以 包覆感測芯片，或者僅形成于該芯片承載件相對接置有感測芯片的第 一表面上，以包覆該感測芯片。
該光線穿透部可例如為一設(shè)于該透明封裝膠體表面的凸部，且于 該凸部中形成有一凹孔，以作為光線穿透面，另于該凸部表面還可涂 布不透光材料以減少干擾的光線；該光線穿透部或可例如為一設(shè)于該 透明封裝膠體表面的凹部，且非透光膠體表面形成有對該透明封裝膠 體表面凹部的開口，以外露出該光線穿透部；該光線穿透部或可為一 設(shè)于該透明封裝膠體表面的凹部，且令該透明封裝膠體具有凹部的表 面外露出非透光膠體，再于外露出該非透光膠體的透明封裝膠體表面 涂布不透光材料，并使該透明封裝膠體表面凹部外露出該不透光材料。
另外，于該透明封裝膠體與該非透光膠體的接觸表面還形成有粗 糙結(jié)構(gòu)，借此提升該透明封裝膠體與非透光膠體間的結(jié)合。
本發(fā)明還揭示一種感測式半導(dǎo)體裝置，包括 一芯片承載件；至 少一感測芯片，接置且電性連接至該芯片承載件；透明封裝膠體，包 覆該感測芯片及部分芯片承載件，其中于該透明封裝膠體上對應(yīng)該感 測芯片的感測區(qū)上方設(shè)有一光線穿透部；以及非透光膠體，包覆該透 明封裝膠體，且使該透明封裝膠體的光線穿透部外露出該非透光膠體。
因此，本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法將至少一感測芯片接
置且電性連接至如導(dǎo)線架的芯片承載件，并依序進(jìn)行第一次及第二次 的封裝模壓作業(yè)，以形成包覆該感測芯片及部分導(dǎo)線架的透明封裝膠 體，及形成包覆該透明封裝膠體的非透光膠體，其中于該透明封裝膠 體上對應(yīng)該感測芯片的感測區(qū)上方設(shè)有一光線穿透部，且使該透明封 裝膠體的光線穿透部外露出該非透光膠體。如此，本發(fā)明僅須依次進(jìn) 行二次封裝模壓作業(yè)，而于導(dǎo)線架上形成包覆感測芯片的透明封裝膠 體及非透光膠體，且使透明封裝膠體的光線穿透部外露出該非透光膠 體，以供作為光線穿透面，即不須使用特定鍍金導(dǎo)線架及額外設(shè)置蓋 板以減少制造工藝步驟及成本，并可避免現(xiàn)有技術(shù)中使用射出成型的 多孔膠體結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致信賴性不佳及額外涂布透明膠防止制造工藝顆粒 污染所造成費用增加問題，此外，本發(fā)明通過在透明封裝膠體外再包 覆非透光膠體，即可避免現(xiàn)有技術(shù)中僅利用透明樹脂包覆感測芯片時， 因周圍干擾光線進(jìn)入感測芯片而產(chǎn)生不良信號的問題。
圖1是顯示現(xiàn)有影像感測式封裝件(Image sensor package)示意圖； 圖2A至圖2D是顯示現(xiàn)有利用射出成型的封裝技術(shù)制得影像感測
式封裝件示意圖3A至圖3F是顯示本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第一實
施例的示意圖4是顯示本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第二實施例的示 意圖5是顯示本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第三實施例的示 意圖6A至圖6C是顯示本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第四實 施例的示意圖7A及圖7B是顯示本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第五實 施例的示意圖；以及
圖8是顯示本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第六實施例的示 意圖。
主要元件符號說明
10導(dǎo)線架
11欄壩結(jié)構(gòu)
110容置空間
12感測芯片
13焊線
14玻璃
20導(dǎo)線架
21多孔膠體結(jié)構(gòu)
210容置空間
22感測芯片
23焊線
24透明膠
25不透光的蓋板
28頂針孔洞
250孔洞
30導(dǎo)線架
301芯片座
302導(dǎo)腳
303銀
304錫或焊錫材料
31透明封裝膠體
310光線穿透部
311凸部
312凹孔
32感測芯片
320感測區(qū)
321焊線
33第一封裝模具
34第二封裝模具
35非透光膠體
40導(dǎo)線架41透明封裝膠體
42感測芯片
51透明封裝膠體
510光線穿透部
511凸部
512凹孔
52感測芯片
520感測區(qū)
56不透光材料
560開口
60導(dǎo)線架
61透明封裝膠體
610凹部
64第二封裝模具
640凸出部
65非透光膠體
650開口
70導(dǎo)線架
71透明封裝膠體
710凹部
74第二封裝模具
75非透光膠體
76不透光材料
760開口
81透明封裝膠體
810粗糙結(jié)構(gòu)
85非透光膠體
H， h距離
具體實施例方式
以下通過特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)
人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點與功 效。
第一實施例
請參閱圖3A至圖3F，為本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第 一實施例的示意圖。
如圖3A所示，提供一芯片承載件，并將至少一感測芯片接置且電 性連接至該芯片承載件。
該芯片承載件例如為導(dǎo)線架30，其具有一芯片座301及多個設(shè)于 該芯片座301周圍的導(dǎo)腳302，該導(dǎo)線架30的材料為金屬銅(Cu)，且 于該芯片座301及導(dǎo)腳302內(nèi)端第一表面可鍍上金屬銀(Ag)303，以供 至少一主動面設(shè)有感測區(qū)320的感測芯片32接置于該芯片座301第一 表面上，并通過多個焊線321而電性連接至該導(dǎo)腳302內(nèi)端。
如圖3B所示，將該接置有感測芯片32的導(dǎo)線架30置于第一封裝 模具33中進(jìn)行第一次封裝模壓作業(yè)，以利用透明樹脂(transparentresin) 而于該導(dǎo)線架30相對的第一表面及第二表面形成包覆該感測芯片32 及部分導(dǎo)線架30的透明封裝膠體31，并使該導(dǎo)腳302的外端外露出該 透明封裝膠體31，其中于該透明封裝膠體31上對應(yīng)該感測芯片32的 感測區(qū)320上方設(shè)有一光線穿透部310。
還請配合參閱圖3C，該光線穿透部310為一設(shè)于該透明封裝膠體 31表面的凸部311，且于該凸部311中形成有一凹孔312，以供光線穿 透。該凹孔312深度約為0.5-lmm，較佳為0.5mm。
移除第一封裝模具33之后，如圖3D及圖3E所示，將形成有包覆 該感測芯片32的透明封裝膠體31的導(dǎo)線架30置于第二封裝模具34 中，并使該透明封裝膠體31的凸部311頂?shù)钟诘诙庋b模具34的模 腔頂面，以進(jìn)行第二次封裝模壓作業(yè)，其中該導(dǎo)線架30第一表面至該 透明封裝膠體凸部311的頂緣距離h(如圖3B所示)大于該導(dǎo)線架30第 一表面至該第二封裝模具34的模腔頂面距離H約0.05mm至0.15mm， 以使該透明封裝膠體31的凸部311充分頂?shù)钟诘诙庋b模具34的模 腔頂面，從而通過傳統(tǒng)的黑色模壓樹脂形成包覆該透明封裝膠體31的 非透光膠體35，且使該透明封裝膠體31的光線穿透部310外露出該非 透光膠體35，并避免黑色模壓樹脂溢流至該透明封裝膠體31的凸部
接著即移除該第二封裝模具34，借此形成包覆透明封裝膠體31 的非透光膠體35，并使該透明封裝膠體31的光線穿透部310及導(dǎo)腳 302外端外露出該非透光膠體35。
如圖3F所示，之后再于外露出該非透光膠體35的導(dǎo)腳302外端 鍍上金屬錫(Sn)或焊錫材料(solder)304，并將該導(dǎo)腳302彎折成型，以 制得本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置。
通過前述制法，本發(fā)明還揭示一種感測式半導(dǎo)體裝置，包括一 芯片承載件，例如為一導(dǎo)線架30;至少一感測芯片32，接置且電性連 接至該導(dǎo)線架30;透明封裝膠體31，包覆該感測芯片32及部分導(dǎo)線 架30，其中于該透明封裝膠體31上對應(yīng)該感測芯片32的感測區(qū)320 上方設(shè)有一光線穿透部310;以及非透光膠體35，包覆該透明封裝膠 體31 ，且使該透明封裝膠體31的光線穿透部310外露出該非透光膠體 35。該導(dǎo)線架30具有一用以接置感測芯片32的芯片座301及多個設(shè) 于該芯片座301周圍以供與外界電性連接的導(dǎo)腳302。該芯片座301 及導(dǎo)腳302內(nèi)端鍍有金屬銀303，以供感測芯片32接置至該芯片座301 并透焊線321電性連接至該導(dǎo)腳302內(nèi)端，并使該導(dǎo)腳302外端外露 出透明封裝膠體31及非透光膠體35，且在導(dǎo)腳302外端外露表面鍍上 金屬錫或焊錫材料304，借此電性連接至外部裝置。
因此，本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法將至少一感測芯片接 置且電性連接至如導(dǎo)線架的芯片承載件，并依序進(jìn)行第一次及第二次 的封裝模壓作業(yè)，以形成包覆該感測芯片及部分導(dǎo)線架的透明封裝膠 體，及形成包覆該透明封裝膠體的非透光膠體，其中于該透明封裝膠 體上對應(yīng)該感測芯片的感測區(qū)上方設(shè)有一光線穿透部，且使該透明封 裝膠體的光線穿透部外露出該非透光膠體。如此，本發(fā)明僅須依次進(jìn) 行二次封裝模壓作業(yè)，而于導(dǎo)線架上形成包覆感測芯片的透明封裝膠 體及非透光膠體，且使透明封裝膠體的光線穿透部外露出該非透光膠 體，以供作為光線穿透面，即不須使用特定鍍金導(dǎo)線架及額外設(shè)置蓋 板以減少制造工藝步驟及成本，并可避免現(xiàn)有技術(shù)中使用射出成型的 多孔膠體結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致信賴性不佳及額外涂布透明膠防止制造工藝顆粒 污染所造成費用增加問題，此外，本發(fā)明通過在透明封裝膠體外再包
覆非透光膠體，即可避免現(xiàn)有技術(shù)中僅利用透明樹脂包覆感測芯片時， 因周圍干擾光線進(jìn)入感測芯片而產(chǎn)生不良信號的問題。 第二實施例
請參閱圖4，為本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第二實施例的 示意圖。
本實施例與前述實施例大致相同，主要差異在于本實施例中，透
明封裝膠體41僅形成于導(dǎo)線架40上接置有感測芯片42的一側(cè)，借此 包覆該感測芯片42，從而減少透明樹脂的使用量。 第三實施例
請參閱圖5，為本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第三實施例的 示意圖。
本實施例的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法與前述實施例大致相同， 主要差異在于本實施例中，形成于感測芯片52感測區(qū)520上方的透明 封裝膠體51的光線穿透部510，亦即形成于透明封裝膠體51表面的凸 部511表面還可涂布覆蓋例如黑色油墨等不透光材料56，以減少干擾 的光線。
該不透光材料56形成有一開口 560以外露出該凸部511的凹孔 512及該凹孔512周圍的部分凸部511面積，其中該開口 560的面積約 為該凹孔512面積的1.1-1.5倍，較佳為l.l倍。
第四實施例
請參閱圖6A至圖6C為本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第四 實施例的示意圖。
本實施例的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法與前述實施例大致相同， 主要差異在于本實施例中，透明封裝膠體61的光線穿透部為一設(shè)于該 透明封裝膠體61表面的凹部610，以于進(jìn)行第二次封裝模壓作業(yè)時， 提供一模腔頂面形成有一凸出部640的第二封裝模具64，其中該凸出 部640的位置對應(yīng)于該透明封裝膠體凹部610位置，且該凸出部640 的面積為該透明封裝膠體凹部610面積約1.1-1.5倍，較佳者為1.1倍， 同時使導(dǎo)線架60第一表面至該透明封裝膠體61表面的距離h大于該 導(dǎo)線架60第一表面至該第二封裝模具64的凸出部640表面距離H約 0.05mm至0.15mm，從而使該透明封裝膠體61形成有凹部610的表面
充分頂?shù)钟诘诙庋b模具64的凸出部640，以避免于該第二封裝模具 64內(nèi)填充黑色模壓樹脂時發(fā)生溢膠問題。
之后即可移除該第二封裝模具64，以形成包覆該透明封裝膠體61 的非透光膠體65，并使該非透光膠體65表面形成有外露出該透明封裝 膠體凹部610(光線穿透部)的開口 650，該開口 650面積為該透明封裝 膠體凹部610面積約1.1-1.5倍，較佳者為1.1倍。
第五實施例
請參閱圖7A及圖7B為本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第五 實施例的示意圖。
本實施例的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法與前述實施例大致相同， 主要差異在于本實施例中，透明封裝膠體71的光線穿透部為一設(shè)于該 透明封裝膠體71表面的凹部710，以于進(jìn)行第二次封裝模壓作業(yè)時， 直接使該透明封裝膠體71形成有凹部710的表面頂?shù)钟诘诙庋b模具 74的模腔頂面，借此在該透明封裝膠體71外表面形成有非透光膠體 75，且令該透明封裝膠體71形成有凹部710的一側(cè)表面與該非透光膠 體75表面齊平，且外露出該非透光膠體75;其中導(dǎo)線架70第一表面 至該透明封裝膠體71形成有凹部710的表面距離h大于該導(dǎo)線架70 第一表面至該第二封裝模具74的模腔頂面距離H約0.05mm至 0.15mm，以使該透明封裝膠體71形成有凹部710的表面充分頂?shù)钟诘?二封裝模具74的模腔頂面，借此避免在模腔中填充黑色封裝樹脂而形 成非透光膠體75時發(fā)生溢膠問題。
接著于外露出該非透光膠體75的透明封裝膠體71表面涂布例如 黑色油墨的不透光材料76，其中該不透光材料76對應(yīng)該透明封裝膠體 71表面的凹部710形成有開口 760以外露出該凹部710，且該開口 760 面積約為凹部710面積的1.1-1.5倍，較佳為1.1倍。
第六實施例
請參閱圖8為本發(fā)明的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法第六實施例的 示意圖。
本實施例的感測式半導(dǎo)體裝置及其制法與前述實施例大致相同， 主要差異在于本實施例中，在透明封裝膠體81的表面還形成有粗糙結(jié) 構(gòu)810(例如凹洞、溝槽、凸出部等)，借此提升該透明封裝膠體81與
非透光膠體85間的結(jié)合力。
上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制 本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下， 對上述實施例進(jìn)行修飾與改變。因此，本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如 所附的權(quán)利要求所列。
權(quán)利要求
1. 一種感測式半導(dǎo)體裝置的制法，包括提供一芯片承載件，以將至少一感測芯片接置且電性連接至該芯片承載件；形成包覆該感測芯片及部分芯片承載件的透明封裝膠體，其中于該透明封裝膠體上對應(yīng)該感測芯片的感測區(qū)上方設(shè)有一光線穿透部；以及形成包覆該透明封裝膠體的非透光膠體，且使該透明封裝膠體的光線穿透部外露出該非透光膠體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該芯 片承載件為導(dǎo)線架，其具有一芯片座及多個設(shè)于該芯片座周圍的導(dǎo)腳， 以供該至少一感測芯片接置于該芯片座上，并通過多個焊線而電性連 接至該導(dǎo)腳內(nèi)端，且使該導(dǎo)腳外端外露出該透明封裝膠體及非透光膠 體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該導(dǎo) 線架的材料為金屬銅，該芯片座及導(dǎo)腳內(nèi)端表面鍍上金屬銀，且該導(dǎo) 腳外端表面鍍有金屬錫或悍錫材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該光 線穿透部為一設(shè)于該透明封裝膠體表面的凸部，且于該凸部中形成有 一凹孔，以供光線穿透。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，還包括有一 不透光材料覆蓋于該凸部部分面積，且該不透光材料形成有一開口以 外露出該凸部的凹孔及該凹孔周圍部分凸部面積。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該開 口面積約為該凹孔面積的1.1-1.5倍，較佳為1.1倍。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該非透光膠體的制法還包括將形成有包覆該感測芯片的透明封裝膠體的芯片承載件置于封裝 模具中，并使該透明封裝膠體的凸部頂?shù)钟诜庋b模具的模腔頂面；于該模腔中填充模壓樹脂；以及移除該封裝模具，借此形成包覆透明封裝膠體的非透光膠體，并 使該透明封裝膠體的凸部外露出該非透光膠體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該芯 片承載件表面至該透明封裝膠體凸部的頂緣距離大于該芯片承載件表 面至該封裝模具的模腔頂面距離。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該透 明封裝膠體僅形成于芯片承載件上接置有感測芯片的一側(cè)，借此包覆 該感測芯片。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該 透明封裝膠體形成于芯片承載件的兩側(cè)且包覆該感測芯片。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該 光線穿透部為一設(shè)于該透明封裝膠體表面的凹部。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中， 該非透光膠體的制法包括提供一模腔頂面形成有一凸出部的封裝模具，其中該凸出部的位 置對應(yīng)于該透明封裝膠體凹部位置；于該封裝模具內(nèi)填充模壓樹脂；以及移除該封裝模具，以形成包覆該透明封裝膠體的非透光膠體，并 使該非透光膠體表面形成有外露出該透明封裝膠體凹部的開口。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中， 該封裝模具凸出部的面積為該透明封裝膠體凹部面積的1.1-1.5倍，較 佳為1.1倍。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中， 該芯片承載件表面至該透明封裝膠體表面的距離大于該芯片承載件表 面至該封裝模具的凸出部表面距離0.05mm至0.15mm。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中， 該非透光膠體的制法包括提供一封裝模具，并使該透明封裝膠體形成有凹部的表面頂?shù)钟?該封裝模具的模腔頂面；于該封裝模具內(nèi)填充模壓樹脂；以及移除該封裝模具，以形成包覆該透明封裝膠體的非透光膠體，且 使該透明封裝膠體形成有凹部的一側(cè)表面與該非透光膠體表面齊平， 且外露出該非透光膠體。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，還包括 于外露出該非透光膠體的透明封裝膠體表面覆蓋一不透光材料，其中 該不透光材料對應(yīng)該透明封裝膠體表面的凹部形成有開口以外露出該 凹部。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中， 該開口面積約為凹部面積的1.1-1.5倍，較佳為1.1倍。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測式半導(dǎo)體裝置的制法，其中，該 透明封裝膠體與該非透光膠體的接觸表面形成有粗糙結(jié)構(gòu)。
19. 一種感測式半導(dǎo)體裝置，包括 一芯片承載件；至少一感測芯片，接置且電性連接至該芯片承載件，該感測芯片 具有一感測區(qū)；透明封裝膠體，包覆該感測芯片及部分芯片承載件，其中于該透 明封裝膠體上對應(yīng)該感測芯片的感測區(qū)上方設(shè)有一光線穿透部；以及 非透光膠體，包覆該透明封裝膠體，且使該透明封裝膠體的光線 穿透部外露出該非透光膠體。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該芯片 承載件為導(dǎo)線架，其具有一芯片座及多個設(shè)于該芯片座周圍的導(dǎo)腳， 以供該至少一感測芯片接置于該芯片座上，并通過多個焊線而電性連 接至該導(dǎo)腳內(nèi)端，且使該導(dǎo)腳外端外露出該透明封裝膠體及非透光膠 體。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該導(dǎo)線 架的材料為金屬銅，該芯片座及導(dǎo)腳內(nèi)端表面鍍上金屬銀，且該導(dǎo)腳 外端表面鍍有金屬錫或焊錫材料。
22. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該光線 穿透部為一設(shè)于該透明封裝膠體表面的凸部，且于該凸部中形成有一 凹孔，以供光線穿透。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的感測式半導(dǎo)體裝置，還包括有一不 透光材料覆蓋于該凸部部分面積，且該不透光材料形成有一開口以外 露出該凸部的凹孔及該凹孔周圍部分凸部面積。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該開口 面積約為該凹孔面積的1.1-1.5倍，較佳為1.1倍。
25. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該透明 封裝膠體僅形成于芯片承載件上接置有感測芯片的一側(cè)，借此包覆該 感測芯片。
26. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該透明 封裝膠體形成于芯片承載件的兩側(cè)且包覆該感測芯片。
27. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該光線 穿透部為一設(shè)于該透明封裝膠體表面的凹部。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該非透 光膠體表面形成有外露出該透明封裝膠體凹部的開口。
29. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該開口 面積為該透明封裝膠體凹部面積的1.1-1.5倍，較佳為1.1倍。
30. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該透明 封裝膠體形成有凹部的一側(cè)表面與該非透光膠體表面齊平，且外露出 該非透光膠體。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的感測式半導(dǎo)體裝置，還包括有一不 透光材料，覆蓋住外露出該非透光膠體的透明封裝膠體表面，且該不 透光材料對應(yīng)該透明封裝膠體表面的凹部形成有開口以外露出該凹 部。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該開口 面積約為凹部面積的1.1-1.5倍，較佳為1.1倍。
33. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的感測式半導(dǎo)體裝置，其中，該透明 封裝膠體與該非透光膠體的接觸表面形成有粗糙結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種感測式半導(dǎo)體裝置及其制法，將至少一感測芯片接置且電性連接至導(dǎo)線架，并依序進(jìn)行第一次及第二次的封裝模壓作業(yè)，以形成包覆該感測芯片及部分導(dǎo)線架的透明封裝膠體，及形成包覆該透明封裝膠體的非透光膠體，其中于該透明封裝膠體上對應(yīng)該感測芯片的感測區(qū)上方設(shè)有一光線穿透部，且使該透明封裝膠體的光線穿透部外露出該非透光膠體，從而使該光線穿透部作為外界光線的穿透面，而不須額外設(shè)置蓋板以減少制造工藝步驟及成本，并可避免現(xiàn)有技術(shù)使用射出成型的多孔膠體結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致信賴性不佳問題，及現(xiàn)有技術(shù)中僅利用透明樹脂包覆感測芯片時，因周圍干擾光線進(jìn)入感測芯片而產(chǎn)生不良信號的問題。
文檔編號H01L23/31GK101383297SQ20071014914
公開日2009年3月11日 申請日期2007年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月4日
發(fā)明者張錦煌, 蕭承旭, 詹長岳, 黃建屏, 黃致明 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司