專利名稱：：中孔納米顆粒層的構(gòu)圖方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及將基板構(gòu)圖(patterning)的方法，尤其是在基板上將中孔納米顆粒層構(gòu)圖的方法，該方法可用來(lái)制造光伏模塊。
背景技術(shù)：
：Gratzel描述的常規(guī)染料敏化太陽(yáng)能電池由在玻璃或塑料上的透明導(dǎo)電基板例如IT0構(gòu)成，在該基板的上面是涂有染料的二氧化鈦納米顆粒的燒結(jié)層(陽(yáng)極)。通常含有碘化物/三碘化物作為電子(或空穴)轉(zhuǎn)移劑的空穴攜帶電解質(zhì)置于這種層的孔隙內(nèi)和該層之上。通過將催化導(dǎo)電性電極(通常用作為催化劑的鉬制成)(陰極)放在該電解質(zhì)的上面完成太陽(yáng)能電池夾層結(jié)構(gòu)。當(dāng)光照在該電池上時(shí)，染料被激發(fā)并且電子注入二氧化鈦結(jié)構(gòu)中。這種激發(fā)、此刻帶正電的染料將電解質(zhì)中的氧化還原對(duì)的還原形式氧化至其氧化形成，例如碘化物變成三碘化物。它此刻可以朝鉬電極擴(kuò)散。當(dāng)將電池與負(fù)荷連接時(shí)，電子從陽(yáng)極穿過該負(fù)荷至陰極，并且在該陰極處，氧化還原對(duì)的氧化形式被還原，例如三碘化物至碘化物，而完成反應(yīng)。將中孔納米顆粒層構(gòu)圖的常規(guī)方法尤其包括擠出涂覆、絲網(wǎng)印刷和凹板印刷。US7186911公開了一種染料敏化的納米顆粒材料，它可以通過使用適合的技術(shù)例如擠出涂覆、噴涂、絲網(wǎng)印刷和凹板印刷將金屬氧化物納米顆粒的溶液施加到基板上來(lái)沉積。US6991958公開了將電荷-載流子傳輸溝道層模板化的方法。通過初始將可移除的模板沉積在可以包括單或多層納米顆粒例如聚苯乙烯納米球體的導(dǎo)電性基板上形成這些層。然后使用技術(shù)例如旋涂、澆鑄、蒸發(fā)或本領(lǐng)域中已知用于在基板上沉積材料的任何其它技術(shù)將第一電荷_載流子傳輸材料例如Ti02的層沉積在該模板上。然后除去該模板。US6713389公開了使用液滴沉積技術(shù)和連續(xù)噴墨印刷頭(和靜電噴霧頭)噴射一系列常規(guī)流體的液滴的方法，以致當(dāng)在特定表面上合適地干燥/凝固時(shí)形成太陽(yáng)能電池(PV)器件的元件。用于這種方法的材料可以包括金屬有機(jī)物例如Ti02。GB2427963公開了染料敏化的太陽(yáng)能電池，包括第一圖案化透明導(dǎo)電電極，該電極具有第二電極層和金屬氧化物染料敏化層的交替段。在該申請(qǐng)中，使用技術(shù)例如接觸印刷、平版印刷等將該圖案化透明電極層(例如IT0)構(gòu)圖。第二電極層(例如Pt)和金屬氧化物層(例如Ti02)都使用掩模構(gòu)圖。待由本發(fā)明解決的問題本發(fā)明目標(biāo)是提供將中孔納米顆粒層構(gòu)圖的改進(jìn)的低成本方法，該中孔納米顆粒層優(yōu)選與輥對(duì)輥方法相容。發(fā)明概述可以通過將沉積在導(dǎo)電電極上的Ti02的薄層構(gòu)圖，以致這種層僅在將是最終模塊的活性區(qū)域的區(qū)域中，而產(chǎn)生自圖案化中孔納米顆粒層。然后將中孔納米顆粒狀沉積于整個(gè)基板區(qū)域上，接著進(jìn)一步沉積另一個(gè)薄Ti02層。當(dāng)在該中孔層下面的導(dǎo)電性電極上不存在Ti02層時(shí)，該中孔層上面的所有層從基板脫落，而留下可用來(lái)產(chǎn)生PV模塊的圖案化中孔納米顆粒層。根據(jù)本發(fā)明，提供了在導(dǎo)電性基板上將中孔納米顆粒層構(gòu)圖的方法，包括以下步驟在該導(dǎo)電性基板上沉積圖案，通過原子層沉積在該基板上沉積二氧化鈦層，用溶劑除去該底層圖案以留下二氧化鈦的離散區(qū)域，在整個(gè)基板上沉積中孔納米顆粒層，和通過原子層沉積在該中孔納米顆粒層上面沉積二氧化鈦的第二層，藉此在其中以溶劑除去第一二氧化鈦層的區(qū)域上，中孔納米顆粒層和第二二氧化鈦層的區(qū)域脫落，留下圖案化中孔納米顆粒層。本發(fā)明的有利效果本發(fā)明提供將中孔層的活性區(qū)域自構(gòu)圖的低成本方法，該中孔層可用來(lái)產(chǎn)生與輥對(duì)輥方法相容的PV模塊。附圖簡(jiǎn)述現(xiàn)將參照附圖描述本發(fā)明，附圖中圖1是描述可以用于本發(fā)明的原子層沉積(ALD)方法的步驟的流程圖；圖2是可以用于本發(fā)明方法的原子層沉積的分配岐管的實(shí)施方案的橫截面?zhèn)纫晥D；圖3是將氣態(tài)材料分布至經(jīng)歷薄膜沉積的基板上的實(shí)施方案的橫截面?zhèn)纫晥D；圖4A和4B是示意性地顯示伴隨的沉積操作的將氣態(tài)材料分布的實(shí)施方案的剖面圖；圖5示出了使用Staedler標(biāo)記筆將基板構(gòu)圖；圖6示出了使用氟聚合物將基板構(gòu)圖，該氟聚合物是使用Dimatix噴墨式打印機(jī)沉積的；圖7示出了用AP-ALD(大氣壓原子層沉積)Ti02層在所需區(qū)域中構(gòu)圖的ITOPEN基板；圖8示出了圖7所示的覆蓋有中孔納米顆粒層的基板；圖9示出了在另一個(gè)AP-ALDTi02層已經(jīng)沉積于整個(gè)基板上并進(jìn)行了自構(gòu)圖后的基板；圖10示出了敏化后的基板；圖11A和11B分別是工作電極的前視圖和對(duì)電極的后視圖的示意圖；圖12示出了完成的PV模塊；和圖13是顯示根據(jù)本發(fā)明制造的模塊的電流對(duì)電壓的曲線圖。發(fā)明詳述圖1是實(shí)施本發(fā)明的方法的概括性步驟示意圖。使用兩種反應(yīng)性氣體，第一分子前體和第二分子前體。氣體從氣體源供應(yīng)并可以輸送到基板，例如，經(jīng)由分配岐管。可以使用將氣態(tài)材料提供給分配岐管的計(jì)量和閥門設(shè)備。如步驟1所示，提供為體系連續(xù)供應(yīng)氣態(tài)材料以在基板上沉積材料的薄膜。依次應(yīng)用序列15中的步驟。在步驟2中，相對(duì)于基板的給定區(qū)域(稱為溝道區(qū)域)，引導(dǎo)第一分子前體或反應(yīng)性氣態(tài)材料在第一溝道中橫向流過基板的溝道區(qū)域并與此反應(yīng)。在步驟3中，發(fā)生體系中的基板和多溝道流的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，這設(shè)定步驟4的階段，其中在所述給定溝道區(qū)域發(fā)生惰性氣體流過第二溝道(吹掃)。然后，在步驟5中，基板和多溝道流的相對(duì)運(yùn)動(dòng)設(shè)定步驟6的階段，其中所述給定溝道區(qū)域經(jīng)歷原子層沉積，其中第二分子前體此刻橫向流過(基本上平行于基板表面)基板的所述給定溝道區(qū)域，并與基板上的在前層反應(yīng)而產(chǎn)生(理論上)所需材料的單層。通常，在此種方法中，第一分子前體是呈氣體形式的含金屬化合物(例如，金屬化合物例如四氯化鈦)，沉積的材料是含金屬的化合物(例如二氧化鈦)。在這樣一個(gè)實(shí)施方案中，第二分子前體可以是，例如，非金屬氧化化合物或水解化合物，例如水。在步驟7中，基板和多溝道流的相對(duì)運(yùn)動(dòng)設(shè)定了步驟8的階段，其中再一次使用惰性氣體，這一次將過量第二分子前體掃過前述步驟6的所述給定溝道區(qū)域。在步驟9中，再一次發(fā)生基板和多溝道的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，這設(shè)定重復(fù)序列的階段，回到步驟2。多次重復(fù)這種循環(huán)直至產(chǎn)生所需膜或?qū)铀匾拇螖?shù)。這些步驟可以相對(duì)于基板的給定溝道區(qū)域重復(fù)，該給定溝道區(qū)域?qū)?yīng)于被流道覆蓋的區(qū)域。同時(shí)，用步驟1中的必要?dú)鈶B(tài)材料供應(yīng)各種溝道。與圖1中的方框15的序列同時(shí)，同時(shí)地處理其它相鄰的溝道區(qū)域，這得到平行的多溝道流程，如整個(gè)步驟11所示。第二分子前體的主要用途是調(diào)節(jié)基板表面回到第一分子前體的反應(yīng)性。第二分子前體還提供分子氣體材料以與一種或多種金屬化合物在該表面處結(jié)合，從而與新沉積的含金屬的前體形成化合物例如氧化物、氮化物、硫醚等。在將分子前體施加到基板上之后，連續(xù)ALD吹掃不需要使用真空吹掃來(lái)除去該分子前體。假定使用兩種反應(yīng)氣體AX和BY，當(dāng)供應(yīng)反應(yīng)氣體AX流并使之流過給定基板區(qū)域時(shí)，反應(yīng)氣體AX的原子化學(xué)吸附在基板上，得到A的層和配體X(的表面(締合化學(xué)吸附)(步驟2)。然后，用惰性氣體吹掃殘留的反應(yīng)氣體AX(步驟4)。然后，反應(yīng)氣體BY的流體，和AX(表面)和BY(氣體)之間的化學(xué)反應(yīng)發(fā)生，得到在基板上的AB的分子層(離解化學(xué)吸附)(步驟6)。反應(yīng)的殘留氣體BY和副產(chǎn)物被吹掃(步驟8)。薄膜的厚度可以通過重復(fù)該工藝循環(huán)(步驟2-9)來(lái)增加。因?yàn)橐淮慰梢猿练e膜的一個(gè)單層，所以它往往是共形的并具有均勻厚度?，F(xiàn)參照?qǐng)D2，示出了分配岐管10的一個(gè)實(shí)施方案的截面?zhèn)纫晥D，該分配岐管10可以在本發(fā)明方法中用于到基板20上的原子層沉積。分配岐管10具有接受第一氣態(tài)材料的進(jìn)氣口14、接受第二氣態(tài)材料的進(jìn)氣口16和接受第三氣態(tài)材料的進(jìn)氣口18。這些氣體在輸出面36經(jīng)由輸出溝道12放出，該輸出溝道具有隨后描述的結(jié)構(gòu)配置。圖2中的箭頭是指從輸出溝道接收的氣態(tài)材料的散布性運(yùn)送，并不是指流動(dòng)。這種流動(dòng)基本上導(dǎo)出該圖的頁(yè)面范圍外。進(jìn)氣口14和16適合于接受在基板表面上依次反應(yīng)來(lái)進(jìn)行ALD沉積的第一和第二氣體，進(jìn)氣口18接收對(duì)第一和第二氣體惰性的吹掃氣。分配岐管10與提供在基板支持體上的基板20相隔距離D?？梢酝ㄟ^基板20的運(yùn)動(dòng)、分配岐管10的運(yùn)動(dòng)或基板20和分配岐管10的同時(shí)運(yùn)動(dòng)在基板20和分配岐管10之間提供往復(fù)運(yùn)動(dòng)。在圖2所示的特定實(shí)施方案中，基板20以往復(fù)式方式移動(dòng)越過輸出面36(由箭頭R和虛線輪廓指示)到圖2中的基板20的右邊和左邊。應(yīng)該指出的是，往復(fù)運(yùn)動(dòng)不一定總是使用分配岐管10的薄膜淀積所必需的。也可以提供基板20和分配岐管10之間的其它類型的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，例如基板20或分配岐管10沿一個(gè)或多個(gè)方向的運(yùn)動(dòng)。圖3的剖視圖示出了在分配岐管10的前面36的一部分上放出的氣流。在這種特定的配置中，每個(gè)輸出溝道12與圖2所示的進(jìn)氣口14、16或18之一氣態(tài)流體連通。每個(gè)輸出溝道12通常輸送第一反應(yīng)物氣態(tài)材料0或第二反應(yīng)物氣態(tài)材料M或第三惰性氣態(tài)材料I。圖3示出了氣體的較基本或簡(jiǎn)單的配置?？赡艿氖?，多個(gè)非金屬沉積前體(如材料0)或多個(gè)含金屬的前體材料(如材料M)可以在薄膜單次沉積中依次在各端口輸送?；蛘撸?dāng)制造復(fù)雜薄膜材料，例如，具有金屬的交替層或具有少量摻混在金屬氧化物材料中的摻雜劑時(shí)，可以將反應(yīng)物氣體的混合物，例如，金屬前體材料的混合物或金屬和非金屬前體的混合物施加在單個(gè)輸出溝道。決定性的要求是標(biāo)記為I的惰性料流應(yīng)該隔離其中氣體很可能彼此反應(yīng)的任何反應(yīng)物溝道。第一和第二反應(yīng)物氣態(tài)材料0和M彼此反應(yīng)來(lái)進(jìn)行ALD沉積，但是反應(yīng)物氣態(tài)材料0和M都不與惰性氣態(tài)材料I反應(yīng)。圖4A和4B的剖視圖以簡(jiǎn)圖形式示出了，當(dāng)輸送反應(yīng)物氣態(tài)材料0和M時(shí)，隨著基板20沿著分配岐管10的輸出面36通過，執(zhí)行ALD涂覆操作。在圖4A中，基板20的表面首先從指定為輸送第一反應(yīng)物氣態(tài)材料0的輸出溝道12接收氧化材料。基板的表面此刻含有部分反應(yīng)形式的材料0，它易于與材料M反應(yīng)。然后，隨著基板20進(jìn)入第二反應(yīng)物氣態(tài)材料M的金屬化合物的通道，發(fā)生與M的反應(yīng)，形成可以由兩種反應(yīng)物氣態(tài)材料形成的金屬氧化物或其它薄膜材料。如圖4A和4B示出的那樣，在每個(gè)交替輸出溝道12中在第一和第二反應(yīng)物氣態(tài)材料0和M的流體之間提供惰性氣態(tài)材料I。順序輸出溝道12是相鄰的，即共用公共的界線，該界線由所示實(shí)施方案中的隔離物22形成。在此，輸出溝道12被垂直于基板20的表面延伸的隔離物22界定和隔離。特別地，輸出溝道12之間不存在交替的真空溝道，即在輸送氣態(tài)材料的溝道的兩邊沒有真空溝道來(lái)吸引隔離物周圍的氣態(tài)材料。這種有利的緊湊配置是可能的，原因在于使用的創(chuàng)新性氣流。與相對(duì)基板施加基本上豎直(即，垂直)氣流并然后將以相對(duì)的垂直方向抽取廢氣的在先方法的氣體輸送陣列不同，分配岐管10對(duì)于每種反應(yīng)物和惰性氣體引導(dǎo)氣流(在一個(gè)實(shí)施方案中，優(yōu)選基本上層流)沿著表面并以不同方式處理廢氣和反應(yīng)副產(chǎn)物。本發(fā)明中使用的氣流沿著基板表面的平面定向并大體上平行于該平面。換言之，氣體的流動(dòng)基本上橫向于基板的平面而不是垂直于正被處理的基板。上述方法和設(shè)備是可以用于本發(fā)明的氣相沉積法的一個(gè)實(shí)例。可以使用其它氣相沉積法。實(shí)施例取13Ω/平方單位(□)ITO-PEN的樣品并使用Staedtler標(biāo)記筆構(gòu)圖(參見圖5)。沒有用標(biāo)記筆覆蓋的兩個(gè)長(zhǎng)薄區(qū)域60是其中圖案化中孔納米顆粒層將在最終電池中的區(qū)域。將基板構(gòu)圖的替代方法可以是以所需圖案將氟聚合物向下噴墨(例如可以按25/75的比例使用FluoroPelPFC604A(得自CytonixCorporation)和全氟萘燒(Aldrich)的混合物)。使用這種方法的ITO-PEN的圖案化正方形的圖像可以參見圖6。區(qū)域70是氟聚合物構(gòu)圖的區(qū)域。區(qū)域80是沒有氟聚合物的區(qū)域。對(duì)于這一實(shí)施例，使用Staedtler筆將ΙΤ0-ΡΕΝ構(gòu)圖，如圖5所示。然后使用大氣壓原子層沉積(AP-ALD)將3nmTiO2層沉積于整個(gè)基板上。用于沉積的條件示于表1中。表1用于在ITO-PEN支持體上沉積第一TiO2層的AP-ALD條件<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>然后使用丙酮除去標(biāo)記筆構(gòu)圖的區(qū)域。當(dāng)已經(jīng)將AP-ALDTiO2層沉積在標(biāo)記筆的上面時(shí)，標(biāo)記筆的移除還導(dǎo)致該區(qū)域中AP-ALDTiO2層的除去，僅在其中圖案化中孔納米顆粒層將在最終電池中的區(qū)域中留下AP-ALD1102層(參見圖7)。區(qū)域50示出了TiO2層殘留的地方。然后使用這種支持體制作染料敏化的太陽(yáng)能電池模塊。在使用之前將一些二氧化鈦在烘箱中在90°C下干燥一整夜。它是具有21nm的平均粒度的二氧化鈦樣品(DegussaAeroxideP25，比表面積(BET)=50+/_15m2/g)。如下制造撓性染料敏化的太陽(yáng)能電池模塊。通過按如下量將干TiO2分散在干甲基乙基酮和乙酸乙酯的混合物中，將大約30μm厚的中孔TiO2膜的層沉積到圖案化的13Ω/平方單位ITO-PEN上DegussaP25Ti02(21nm顆粒)1.35g甲基乙基酮45g乙酸乙酯5g將所得的混合物超聲振蕩15分鐘，然后使用具有Imm噴嘴的SATAminijet3HVLP噴槍和2巴氮?dú)廨d氣從大約25cm的距離將該混合物噴涂在導(dǎo)電性塑料基板的整個(gè)面積上。將該層在烘箱中在90°C下干燥1小時(shí)，然后置于兩片Teflon之間，夾在兩個(gè)拋光不銹鋼枕塊之間并用3.75tonnes/cm2的壓力壓縮15秒。然后使該燒結(jié)層在90°C下再干燥1小時(shí)。然后使用AP-ALD將另一個(gè)3nmTiO2層沉積于整個(gè)中孔納米顆粒TiO2層上。用于沉積的條件與表1所示的相同。在其中當(dāng)擦去標(biāo)記筆圖案時(shí)已經(jīng)除去第一AP-ALDTiO2層的區(qū)域中，該結(jié)構(gòu)脫離支持體，留下可用來(lái)產(chǎn)生PV模塊的圖案化中孔納米顆粒層(參見圖9)。然后將該樣品放入烘箱中再干燥1小時(shí)。然后通過將它們置于順-雙-異硫氰酸根合雙(2，2聯(lián)吡啶_4，4'二羧酸)釕的3X10_4moldm_3溶液中一整夜，使整個(gè)樣品敏化。圖10示出了可用來(lái)產(chǎn)生PV模塊的染色圖案化中孔納米顆粒層。然后使用這種樣品構(gòu)造染料敏化的太陽(yáng)能電池模塊。通過在真空下濺鍍沉積制備鉬涂覆的不銹鋼箔電極。將鉬涂覆的不銹鋼98附著于一片未涂覆的PET上，該P(yáng)ET具有切割的窗口以允許通向該不銹鋼對(duì)電極的背面。將另一個(gè)窗口切割到PET中以允許通向ΙΤ0/ΡΕΝ工作電極。用解剖刀片刻劃該ITO以致在兩個(gè)染料敏化的中孔層91之間的ITO涂層破裂，但不會(huì)使基面分離，并使用ζ軸帶94在這兩個(gè)區(qū)域之間產(chǎn)生序列互連。將3M熱固性615材料用于該墊片92。安置該染料敏化的TiO2層和鉬對(duì)電極以產(chǎn)生如圖IlA和IlB所示的模塊。用包含以下物質(zhì)的離子液體電解質(zhì)填充該模塊的每一側(cè)0.IMLiI0.6MDMPII(1，2_二甲基_3_丙基-碘化咪唑鐺)0.05MI20.5MN-甲基苯并咪唑溶劑=MPN(甲氧基丙腈)圖12示出了完成的模塊。在制造之后，通過將該染料敏化的太陽(yáng)電池組件置于光源下來(lái)對(duì)它進(jìn)行表征，該光源人工復(fù)現(xiàn)可見光譜區(qū)中的太陽(yáng)光譜以提供0.10日光的照度。圖13中的數(shù)據(jù)證實(shí)使用上述方法制造的模塊產(chǎn)生可接受的結(jié)果。當(dāng)單獨(dú)地試驗(yàn)該模塊的每一側(cè)時(shí)，達(dá)到良好的電流和電壓，并且當(dāng)試驗(yàn)完整模塊時(shí)，獲得兩倍電壓，這是預(yù)期的，因?yàn)楦鱾€(gè)電池是串聯(lián)連接的。這一實(shí)施例證實(shí)AP-ALD層可以用來(lái)將中孔納米顆粒TiO2層自構(gòu)圖，該TiO2層然后可用來(lái)產(chǎn)生工作PV模塊。該實(shí)施例表明，通過原子層沉積將TiO2的薄層沉積在該中孔層上面，該中孔層，連同TiO2層從基板脫落，除非該導(dǎo)電性電極和中孔納米顆粒層之間還存在TiO2的薄層。這樣留下可用來(lái)產(chǎn)生PV模塊的圖案化中孔納米顆粒層。通過ALD沉積的TiO2層的厚度小于lOOnm。優(yōu)選地，該厚度小于20nm或甚至小于5nm0使用二氧化鈦進(jìn)行該實(shí)施例。該中孔層同樣可以是氧化鋅或氧化錫。任何適合的添加方法可用來(lái)在基板上沉積原始圖案。方法包括，但不限于，噴墨印刷、苯胺印刷、書寫設(shè)備等。優(yōu)選地，該方法可以輥對(duì)輥地進(jìn)行。已經(jīng)參照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案詳細(xì)地描述了本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在本發(fā)明范圍內(nèi)進(jìn)行改變和修改。權(quán)利要求在導(dǎo)電性基板上將中孔納米顆粒層構(gòu)圖的方法，包括以下步驟在該導(dǎo)電性基板上沉積圖案，通過原子層沉積在該基板上沉積二氧化鈦層，用溶劑除去底下的圖案以留下二氧化鈦的離散區(qū)域，在整個(gè)基板上沉積中孔納米顆粒層，和通過原子層沉積在該中孔納米顆粒層上面沉積二氧化鈦的第二層，藉此在以溶劑除去第一二氧化鈦層的區(qū)域上，中孔納米顆粒層和第二二氧化鈦層的區(qū)域脫落，留下圖案化中孔納米顆粒層。2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中通過同時(shí)沿著伸長(zhǎng)溝道引導(dǎo)一系列氣流，使得該氣流與基板的表面基本上平行并基本上彼此平行來(lái)沉積二氧化鈦，藉此基本上阻止氣流沿相鄰伸長(zhǎng)溝道的方向流動(dòng)，和其中該一系列氣流依次包含至少第一反應(yīng)性氣態(tài)材料、惰性吹掃氣和第二反應(yīng)性氣態(tài)材料，任選地重復(fù)多次，其中該第一反應(yīng)性氣態(tài)材料能夠與用該第二反應(yīng)性氣態(tài)材料處理過的基板表面反應(yīng)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中所述中孔納米顆粒層由二氧化鈦形成。4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的方法，其中所述中孔納米顆粒層是染料敏化的。5.根據(jù)上述任一權(quán)利要求的方法，其中通過添加式印刷方法施加圖案。6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中通過噴墨印刷施加圖案。7.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中通過苯胺印刷施加圖案。8.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中借助于含水不溶性油墨的書寫設(shè)備施加圖案。9.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中以輥對(duì)輥方式施加圖案。10.根據(jù)上述任一權(quán)利要求的方法，其中通過原子層沉積沉積的Ti02層中的每一個(gè)具有小于lOOnm的厚度。11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中通過原子層沉積沉積的打02層中的每一個(gè)具有小于20nm的厚度。12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中通過原子層沉積沉積的打02層中的每一個(gè)具有小于5nm的厚度。13.光電池的制造方法，包括根據(jù)權(quán)利要求1的層。14.包括通過權(quán)利要求1的方法制造的層的光電池。全文摘要在導(dǎo)電性基板上將中孔納米顆粒層構(gòu)圖的方法，包括以下步驟在該導(dǎo)電性基板上沉積圖案，通過原子層沉積在該基板上沉積二氧化鈦層，用溶劑除去該底層圖案以留下二氧化鈦的離散區(qū)域，在整個(gè)基板上沉積中孔納米顆粒層，和通過原子層沉積在該中孔納米顆粒層上面沉積二氧化鈦的第二層藉此中孔納米顆粒層和第二二氧化鈦層的在其中用溶劑除去第一二氧化鈦層的區(qū)域上的區(qū)域脫落，留下圖案化中孔納米顆粒層。文檔編號(hào)H01G9/20GK101809194SQ200880109109公開日2010年8月18日申請(qǐng)日期2008年9月9日優(yōu)先權(quán)日2007年9月26日發(fā)明者J·貝克申請(qǐng)人:伊斯曼柯達(dá)公司