專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有有機(jī)電致發(fā)光元件和TFT (薄膜晶體管) 的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，具體而言，涉及一種具有使用非晶氧化物半導(dǎo) 體的改善的TFT和基于濾色器的彩色發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)電致發(fā) 光顯示裝置。在本發(fā)明中，除非另有說明，TFT指場效應(yīng)TFT。
背景技術(shù)：
近年來，隨著液晶和電致發(fā)光(EL)技術(shù)的進(jìn)步，平面薄型圖像 顯示裝置(平板顯示器FPD)已經(jīng)實(shí)用化。特別地，使用通過電流激勵(lì)而發(fā) 光的薄層材料的有機(jī)電致發(fā)光元件(下面在一些情況下稱作"有機(jī)EL元件") 可以在低電壓下發(fā)出高亮度的光，并預(yù)期在包括手機(jī)顯示器、個(gè)人數(shù)字助 理(PDA)、計(jì)算機(jī)顯示器、安裝在汽車上的信息顯示器、TV顯示器和一般 照明的廣泛領(lǐng)域中的裝置的厚度、重量、尺寸和能耗方面實(shí)現(xiàn)降低。 實(shí)現(xiàn)全彩色有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的系統(tǒng)例如是其中分別發(fā) 出紅色光、綠色光和藍(lán)色光的有機(jī)發(fā)光層獨(dú)立地設(shè)置在基板上的RGB獨(dú)立 發(fā)光系統(tǒng)、具有單獨(dú)的色變換層的色變換系統(tǒng)以及分別用于R、 G和B的 單獨(dú)的濾色器設(shè)置在發(fā)出白色光的有機(jī)發(fā)光層上的濾色器系統(tǒng)。 RGB獨(dú)立發(fā)光系統(tǒng)要求利用陰影掩模使RGB材料沉積和圖 案化。相反，濾色器系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)在于，由于可以通過現(xiàn)有光刻方法設(shè)置濾 色器，可以容易地獲得相對較高清晰度的顯示面板(參見，例如，日本專利 申請未審査公開(JP-A)No. 7-220871和2004-311440)。 然而，在濾色器系統(tǒng)中，從有機(jī)EL元件發(fā)光的白色光在通過 濾色器過程中衰減，使得亮度減小不可避免。因此，為獲得高亮度顯示裝 置，高效率地發(fā)出高亮度白色光的材料是必要的。然而，與RGB獨(dú)立發(fā)光 系統(tǒng)相比，總效率仍舊較低。通過TFT的有源矩陣電路驅(qū)動(dòng)這些FPD，其中設(shè)在玻璃基板上的非晶硅薄膜或多晶硅薄膜用作有源層。 最近，已經(jīng)對具有由非晶氧化物(例如，In-Ga-Zn-O系非晶氧 化物)制成的半導(dǎo)體薄膜的TFT進(jìn)行積極地幵發(fā)(參見，例如，JP-ANo. 2006-165529)。其中使用非晶氧化物半導(dǎo)體的TFT能夠在室溫成膜，并可 以形成在膜上。因此，作為膜(柔性)TFT的有源層的材料的非晶氧化物半 導(dǎo)體最近已引起了關(guān)注。特別地，根據(jù)Tokyo Institute of Technology的 Hosono等人報(bào)道，使用a-IGZO的TFT即使在PEN基板上也實(shí)現(xiàn)了約10 cm2/Vs的場效應(yīng)遷移率(a field-effect mobility),高于玻璃基板上的a-Si系 TFT實(shí)現(xiàn)的遷移率；因此，特別地使用a-IGZO的TFT作為膜TFT已經(jīng)引 起了關(guān)注(參見，例如，iV^w vol. 432 (25 November, 2004) pp. 488-492)。 當(dāng)使用a-IGZO的TFT用作例如顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，其 問題在于，l-10cn^/Vs的遷移率對于供應(yīng)足夠的電流是不夠的，OFF電流 很大，并且ON/OFF比很低。因此，為驅(qū)動(dòng)高清晰度有機(jī)EL元件，要求遷 移率和ON/OFF比進(jìn)一步改善。 此外，為在基于濾色器的彩色有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中獲得 高亮度，希望可以控制高電流的驅(qū)動(dòng)TFT。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明解決的問題 本發(fā)明的目的是提供一種配備有具有高場效應(yīng)遷移率和高 ON/OFF比的TFT的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(下面在一些情況下稱作"有機(jī) EL顯示裝置")，特別是基于濾色器的彩色發(fā)光有機(jī)EL顯示裝置。
解決問題的方式通過以下手段實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的
本發(fā)明的第一方面提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其至少包括驅(qū)動(dòng) TFT和由有機(jī)電致發(fā)光元件形成并設(shè)置在所述TFT的基板上的像素，
其中所述驅(qū)動(dòng)TFT至少包括基板、柵電極、柵絕緣膜、有源層、源電 極和漏電極；所述驅(qū)動(dòng)TFT還包括在所述有源層與所述源電極和所述漏電 極中的至少一個(gè)之間的電阻層；和所述像素包括至少一個(gè)顏色改變的像素， 其具有改變所述顏色改變的像素的發(fā)光色的濾色器，并發(fā)出改變顏色的光。本發(fā)明的第二方面提供如第一方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述電阻層具有比所述有源層的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率。
本發(fā)明的第三方面提供如第一方面或第二方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中，在所述至少一個(gè)顏色改變的像素中，所述濾色器設(shè)置在所述有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光層的提取光的那一側(cè)。
本發(fā)明的第四方面提供如第一至第三方面中任一方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述像素包括兩種以上的分別具有不同發(fā)光色的像素，并且至少一個(gè)像素是所述至少一個(gè)顏色改變的像素。
本發(fā)明的第五方面提供如第四方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述兩種以上的具有不同發(fā)光色的像素包括紅色發(fā)光像素、綠色發(fā)光像素和藍(lán)色發(fā)光像素。
本發(fā)明的第六方面提供如第四方面或第五方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述兩種以上的分別具有不同發(fā)光色的像素包括白色發(fā)光像素、紅色發(fā)光像素、綠色發(fā)光像素和藍(lán)色發(fā)光像素。
本發(fā)明的第七方面提供如第六方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述紅色發(fā)光像素、所述綠色發(fā)光像素和所述藍(lán)色發(fā)光像素各自是其中所述白色發(fā)光像素的發(fā)光色由濾色器改變的像素。
本發(fā)明的第八方面提供如第一至第七方面中任一方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述有源層與所述柵絕緣膜接觸，所述電阻層與所述源電極和所述漏電極中的至少一個(gè)接觸。
本發(fā)明的第九方面提供如第一至第八方面中任一方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述電阻層的層厚度大于所述有源層的厚度。
本發(fā)明的第十方面提供如第一至第八方面中任一方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中電導(dǎo)率在所述電阻層和所述有源層之間連續(xù)變化。
本發(fā)明的第十一方面提供如第一至第十方面中任一方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述有源層和所述電阻層含有相同或不同的氧化物半導(dǎo)體。
本發(fā)明的第十二方面提供如第十一方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體是非晶氧化物半導(dǎo)體。
本發(fā)明的第十三方面提供如第十一方面或第十二方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述有源層中的氧濃度低于所述電阻層中的氧濃度。
本發(fā)明的第十四方面提供如第十一至第十三方面中任一方面所述的有
機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體是選自In、 Ga和Zn的氧化物或其復(fù)合氧化物中的至少一種。
本發(fā)明的第十五方面提供如第十四方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體包括In和Zn，并且所述電阻層中的Zn與In的組成比(Zn/In)比所述有源層中的高。
本發(fā)明的第十六方面提供如第一至第十五方面中任一方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置,其中有源層的電導(dǎo)率為10'4 Scm'1以上但小于102 Scm'1。
本發(fā)明的第十七方面提供如第一至第十六方面中任一方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中有源層的電導(dǎo)率與電阻層的電導(dǎo)率之比(所述有源層的電導(dǎo)率/所述電阻層的電導(dǎo)率)為102~108。
本發(fā)明的第十八方面提供如第一至第十七方面中任一方面所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述基板是柔性樹脂基板。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有使用具有高場效應(yīng)遷移率、高ON/OFF比和控制高電流能力的半導(dǎo)體的TFT的有機(jī)EL顯示裝置。特別地,可以提供基于濾色器的彩色發(fā)光高亮度有機(jī)EL顯示裝置。
圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置中的驅(qū)動(dòng)TFT和有機(jī)EL元件的構(gòu)成的概念圖。
圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明的TFT構(gòu)成的概念圖。
圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的頂柵型TFT構(gòu)成的概念圖。
具體實(shí)施例方式1.薄膜晶體管(TFT)
根據(jù)本發(fā)明的TFT是至少包括柵電極、柵絕緣膜、有源層、源電極和漏電極，并具有向柵電極施加電壓以控制流向有源層的電流從而在源電極和漏電極之間切換電流的功能的有源元件。TFT結(jié)構(gòu)可以是交錯(cuò)結(jié)構(gòu)或逆交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。 在本發(fā)明中，電阻層設(shè)置在有源層與源電極和漏電極中的至少一個(gè)之間，并與它們電連接。電阻層的電導(dǎo)率優(yōu)選低于有源層的電導(dǎo)率。
在優(yōu)選的示例性實(shí)施方式中，至少在基板上分層設(shè)置電阻層和有源層，有源層與柵絕緣膜接觸，電阻層與源電極或漏電極中的至少一個(gè)接觸。有源層的電導(dǎo)率優(yōu)選為lO^Scm-1以上但小于1(^ScnT1，更優(yōu)選10"Scm"以上但小于102Scm-'。電阻層的電導(dǎo)率優(yōu)選為lO^Scm"以下，更優(yōu)選為10力Scm"以上但小于l(T3SCm"，并低于有源層的電導(dǎo)率。更優(yōu)選地，有源層的電導(dǎo)率與電阻層的電導(dǎo)率之比(有源層的電導(dǎo)率/電阻層的電導(dǎo)率)為102~108。當(dāng)有源層的電導(dǎo)率低于10"Scm"時(shí)，不能獲得高場效應(yīng)遷移率，而當(dāng)有源層的電導(dǎo)率為1(^Scm"以上時(shí)，由于OFF電流增大而不能獲得優(yōu)異的ON/OFF比，這不是優(yōu)選的。從操作穩(wěn)定性的觀點(diǎn)來看，電阻層的厚度優(yōu)選大于有源層的厚度。
更優(yōu)選地，電阻層的厚度與有源層的厚度之比(電阻層的厚度/有源層的厚度)大于1但為100以下，再更優(yōu)選大于1但為10以下。
還優(yōu)選的是，電導(dǎo)率在電阻層和有源層之間連續(xù)變化。 從低溫成膜能力的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選地，有源層和/或電阻層含有氧化物半導(dǎo)體。特別地，氧化物半導(dǎo)體更優(yōu)選是非晶態(tài)的。當(dāng)有源層和電阻層均含有氧化物半導(dǎo)體時(shí)，氧化物半導(dǎo)體可以相同或不同。 有源層中的氧濃度優(yōu)選低于電阻層的氧濃度。
氧化物半導(dǎo)體優(yōu)選含有選自In、 Ga和Zn或其復(fù)合氧化物的至少一種。氧化物半導(dǎo)體更優(yōu)選含有In和Zn，電阻層中的Zn與In的組成比(Zn/In)優(yōu)選比有源層中的高。電阻層中的Zn與In的組成比(Zn/In)優(yōu)選比有源層中的高至少3%，更優(yōu)選地，高至少10%。
基板優(yōu)選為柔性樹脂基板。1)結(jié)構(gòu)
接下來，說明本發(fā)明中使用的TFT的構(gòu)成。圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明的具有逆交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的TFT的一個(gè)例子的示意圖。當(dāng)基板51是諸如塑料膜等柔性基板時(shí)，絕緣層56設(shè)置在基板51的一個(gè)表面上，柵電極52、柵絕緣膜53、有源層54-l、電阻層54-2層疊在其上，源電極55-1和漏電極55-2進(jìn)一步設(shè)置在其表面上。有源層54-1與柵絕緣膜53接觸，電阻層54-2與源電極55-1和漏電極55-2接觸。確定有源層和電阻層的組成，使得在電壓未施加到柵電極時(shí)有源層的電導(dǎo)率高于電阻層的電導(dǎo)率。有源層和電阻層含有可以相同或不同的氧化物半導(dǎo)體，并且氧化物半導(dǎo)體選自JP-ANo. 2006-165529中記載的那些，例如，In-Ga-Zn-0系氧化物半導(dǎo)體。已知的是當(dāng)電子載流子濃度較高時(shí)這些氧化物半導(dǎo)體表現(xiàn)出較高的電子遷移率。換句話說，較高的電導(dǎo)率導(dǎo)致較高的電子遷移率。
在根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)TFT呈電壓施加到柵電極的ON-狀態(tài)以形成通道時(shí)，實(shí)現(xiàn)高ON電流；這是因?yàn)闅w因于用作通道的有源層的高電導(dǎo)率，TFT的場效應(yīng)遷移率很高。在其中電壓未施加到柵電極和未形成通道的OFF狀態(tài)中，由于存在具有保持OFF電流低的高電阻的干預(yù)電阻層，ON/OFF比特性顯著改善。根據(jù)本發(fā)明的TFT結(jié)構(gòu)其特征在于半導(dǎo)體層，其中柵絕緣膜附近的半導(dǎo)體層的電導(dǎo)率高于源電極和漏電極附近的半導(dǎo)體層的電導(dǎo)率。本文中所用的術(shù)語"半導(dǎo)體層"指包括有源層和電阻層的層。只要可實(shí)現(xiàn)這種狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)這種狀態(tài)的方式并不限于圖2所示的具有兩層的半導(dǎo)體層。該結(jié)構(gòu)可選擇地是具有三個(gè)以上層的多層結(jié)構(gòu)，或者電導(dǎo)率可以連續(xù)變化。圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的具有頂柵結(jié)構(gòu)的TFT的一個(gè)例子的示意圖。當(dāng)基板61是諸如塑料膜等柔性基板時(shí)，絕緣層66設(shè)置在基板61的一個(gè)表面上，源電極65-1和漏電極65-2設(shè)置在絕緣層上，電阻層64-2和有源層64-1層疊在其上，柵絕緣膜63和柵電極62進(jìn)一步設(shè)置在其上。與逆交錯(cuò)結(jié)構(gòu)相似，有源層(高電導(dǎo)率層)與柵絕緣膜63接觸，電阻層(低電導(dǎo)率層)與源電極65-1和漏電極65-2接觸。確定有源層64-1和電阻層64-2的組成，使得在電壓未施加到柵電極62時(shí)有源層64-1的電導(dǎo)率高于電阻層64-2的電導(dǎo)率。2)電導(dǎo)率
下面說明根據(jù)本發(fā)明的有源層和電阻層的電導(dǎo)率。電導(dǎo)率是電傳導(dǎo)通過物質(zhì)的容易性的特性值，并由下式代表 ct = nsji
其中n代表物質(zhì)的載流子濃度，p代表載流子遷移率，(J代表物質(zhì)的電 導(dǎo)率，e代表基本電荷。當(dāng)有源層或電阻層是n型半導(dǎo)體時(shí)，載流子是電子， 載流子濃度指電子載流子濃度，載流子遷移率指電子遷移率。相似地，當(dāng) 有源層或電阻層是p型半導(dǎo)體時(shí)，載流子是空穴，載流子濃度指空穴載流 子濃度，載流子遷移率指空穴遷移率。可以通過測量空穴求得物質(zhì)的載流 子濃度和載流子遷移率。 <獲得電導(dǎo)率的方法>
通過測量厚度已經(jīng)確定的膜的薄膜電阻，可以獲得膜的電導(dǎo)率。盡管 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率隨溫度變化，但是本文提及的電導(dǎo)率指室溫下的電導(dǎo)率 (20oC)。3)柵絕緣膜
柵絕緣膜可以包括諸如Si02、 SiNx、 SiON、 A1203、 Ys03、 丁3205或Hf02 等絕緣物質(zhì)或含有選自這些化合物中的至少兩種的混合晶體化合物。高分 子絕緣材料如聚酰亞胺也可以用作柵絕緣膜。 柵絕緣膜的厚度優(yōu)選為10 nm~10 pm。柵絕緣膜應(yīng)該具有一定 厚度，以減小泄漏電流和提高電壓耐性。然而，柵絕緣膜的厚度增加導(dǎo)致 TFT驅(qū)動(dòng)電壓增加。因此，在無機(jī)絕緣材料的情況下，柵絕緣膜的厚度更 優(yōu)選為50 nm~1000 nm，在高分子絕緣材料的情況下，更優(yōu)選為0.5 pm 5 拜。特別地，當(dāng)高介電常數(shù)的絕緣材料如Hf02用作柵絕緣層時(shí)，即使膜厚 度增加，也可以在低電壓下驅(qū)動(dòng)TFT，這是優(yōu)選的。4)有源層和電阻層
本發(fā)明中使用的有源層和電阻層優(yōu)選包括氧化物半導(dǎo)體。氧化物半導(dǎo) 體更優(yōu)選是非晶氧化物半導(dǎo)體。氧化物半導(dǎo)體，特別是非晶氧化物半導(dǎo)體， 歸因于其在低溫下形成膜的能力，可以在柔性樹脂基板如塑料上形成?？?以在低溫下形成的非晶氧化物半導(dǎo)體的優(yōu)選例子包括JP-ANo. 2006-165529 中記載的含有In的氧化物、含有In和Zn的氧化物以及含有In、 Ga和Zn 的氧化物。已知的是，其組成結(jié)構(gòu)優(yōu)選是InGa03(ZnO)m，其中m代表小于 6的自然數(shù)。這些氧化物是其中載流子是電子的n型半導(dǎo)體。當(dāng)然，有源層和電阻層還可以包括p型氧化物半導(dǎo)體，如ZnO-Rh203、CuGa02或SrCu202。
具體而言，根據(jù)本發(fā)明的非晶氧化物半導(dǎo)體優(yōu)選是含有 In-Ga-Zn-0并且在結(jié)晶狀態(tài)組成為InGa03(ZnO)m (m代表小于6的自然數(shù)) 的非晶氧化物半導(dǎo)體。特別地，InGaZn04是更優(yōu)選的。具有這種組成的非 晶氧化物半導(dǎo)體的特征是具有表現(xiàn)出隨著電導(dǎo)率增加電子遷移率也增加的 傾向。JP-ANo. 2006-165529公開了通過在膜形成期間調(diào)節(jié)氧分壓而可以調(diào) 節(jié)電導(dǎo)率。
當(dāng)然，有源層和電阻層的材料不限于氧化物半導(dǎo)體，無機(jī)半導(dǎo)體如Si 和Ge、化合物半導(dǎo)體如GaAs以及有機(jī)半導(dǎo)體如并五苯和聚噻吩也適用于 有源層和/或電阻層。 <有源層和電阻層的電導(dǎo)率>
根據(jù)本發(fā)明的有源層的電導(dǎo)率其特征在于比電阻層的高。
有源層的電導(dǎo)率與電阻層的電導(dǎo)率之比(有源層的電導(dǎo)率/電阻層的電 導(dǎo)率)優(yōu)選為101 101、更優(yōu)選為102 108。有源層的電導(dǎo)率優(yōu)選為10"Scm" 以上但小于lO^cm",更優(yōu)選為10"Scm"以上但小于K^Scm^
電阻層的電導(dǎo)率優(yōu)選為1(^Scm"以下，更優(yōu)選為lO^ScrrTMo-SScm^<有源層和電阻層的厚度>
電阻層的厚度優(yōu)選大于有源層的厚度。更優(yōu)選的是，電阻層的厚度與 有源層的厚度之比(電阻層的厚度/有源層的厚度)為大于1但100以下，再 更優(yōu)選的是其比例大于1但10以下。
有源層的厚度優(yōu)選為1 nm~100 nm，更優(yōu)選為2.5 nm~30 nm。電阻層 的厚度優(yōu)選為5nm 500nm，更優(yōu)選為10 nm~100 nm。 通過使用具有上述構(gòu)成的有源層和電阻層，可以在具有高遷 移率10cmV(Vsec)以上的TFT中實(shí)現(xiàn)ON/OFF比為106以上的TFT特性。 <調(diào)節(jié)電導(dǎo)率的方法>
當(dāng)有源層和電阻層是氧化物半導(dǎo)體時(shí)，以下手段可以用作調(diào)節(jié)電導(dǎo)率 的方法。
(1)通過氧虧缺(oxygendefects)的調(diào)節(jié)
已知的是，當(dāng)在氧化物半導(dǎo)體中出現(xiàn)氧虧缺時(shí)，產(chǎn)生載流子電子以增 大電導(dǎo)率。因此，可以通過調(diào)節(jié)氧虧缺的量來調(diào)節(jié)氧化物半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。調(diào)節(jié)氧虧缺量的具體方法可以包括調(diào)節(jié)膜形成期間的氧分壓、膜形成后的 后處理期間的氧濃度和后處理的處理時(shí)間中的至少一種。具體而言，后處
理的例子包括100°C以上的熱處理、氧等離子體和uv臭氧處理。在這些
方法中，從生產(chǎn)性的觀點(diǎn)來看，調(diào)節(jié)膜形成期間的氧分壓的方法是優(yōu)選的。
JP-ANo. 2006-165529公開了可以通過調(diào)節(jié)膜形成期間的氧分壓來調(diào)節(jié)氧化 物半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，并且可以使用這種技術(shù)。
(2) 通過組成比的調(diào)節(jié)
已知的是，可以通過改變氧化物半導(dǎo)體的金屬組成比來改變電導(dǎo)率。 例如，JP-ANo. 2006-165529中公開了 InGaZni_xMgx04中的Mg比例增加導(dǎo) 致電導(dǎo)率下降。此外，據(jù)報(bào)道，在(In203)^(ZnO)x的氧化物體系中，如果 Zn/In之比為10%以上，那么Zn比例的增加導(dǎo)致電導(dǎo)率下降(參見"ro謡e/ Z)owde朋wahmo 57w'"/e朋Axw' //〃 (New Development of transparent conductive film) (CMC Publishing Co.， Ltd.) pp. 34~35)。改變組成比的具體方法例如可 以是在通過濺射的膜形成中使用選自不同組成比的各種靶的靶?？蛇x擇地， 多個(gè)靶可以被共同濺射，并且各靶的濺射比率可以單獨(dú)控制以改變膜的組 成比。
(3) 通過雜質(zhì)的調(diào)節(jié)
JP-A No, 2006-165529中公開了通過向氧化物半導(dǎo)體中加入諸如Li、 Na、 Mn、 Ni、 Pd、 Cu、 Cd、 C、 N或P的一種以上的元素作為雜質(zhì)可以減 小電子載流子濃度(即，電導(dǎo)率可以減小)。加入雜質(zhì)的方法的例子包括氧化 物半導(dǎo)體和雜質(zhì)元素的共沉積以及用雜質(zhì)元素的離子摻雜制作的氧化物半 導(dǎo)體膜的離子摻雜方法。
(4) 通過氧化物半導(dǎo)體材料的調(diào)節(jié)
在上面的項(xiàng)(1) (3)中，描述了在同一氧化物半導(dǎo)體系列內(nèi)調(diào)節(jié)電導(dǎo)率的 方法。然而，顯然，也可以通過改變氧化物半導(dǎo)體材料來改變電導(dǎo)率。例 如，已知的是，Sn02系氧化物半導(dǎo)體通常比Iri203系氧化物半導(dǎo)體具有更低 的電導(dǎo)率。因此，可以通過改變氧化物半導(dǎo)體材料來調(diào)節(jié)電導(dǎo)率。作為具 有特別小的電導(dǎo)率的氧化物材料，諸如八1203、 Ga203、 Zr02、 Y203、 Ta203、 MgO或Hf03等氧化物絕緣材料是已知的，并可用于本發(fā)明中。
為了調(diào)節(jié)電導(dǎo)率，可以單獨(dú)使用(1) (4)中記載的一種方法，或者可以組合使用(1) (4)中記載的一些或全部方法。 <形成有源層和電阻層的方法>
形成有源層和電阻層的方法優(yōu)選是使用氧化物半導(dǎo)體的多晶燒結(jié)體作 為靶的氣相膜形成方法。在氣相膜形成方法中，濺射方法和脈沖激光沉積 方法(PLD方法)是適宜的。此外，從大量生產(chǎn)的觀點(diǎn)來看，濺射方法是優(yōu)選 的。 例如，可以通過在可控的真空度和氧流量下的RF磁控濺射沉 積方法形成膜。在較大的氧流量下可以獲得更低的電導(dǎo)率。通過公知的X線衍射方法可以確實(shí)已經(jīng)形成的膜是非晶膜。 可以通過使用觸針型表面輪廓曲線儀的測量來求得膜的厚度?？梢酝ㄟ^ RBS (Rutherford后散射)分析方法來求得組成比。5)柵電極
本發(fā)明的柵電極優(yōu)選例如是諸如Al、 Mo、 Cr、 Ta、 Ti、 Au或Ag等金 屬、諸如Al-Nd或APC等合金、諸如氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫 (ITO)或氧化銦鋅(IZO)等金屬氧化物導(dǎo)電膜、諸如聚苯胺、聚噻吩或聚吡咯 等有機(jī)導(dǎo)電性化合物或其混合物。
柵電極的厚度優(yōu)選為10nm 1000nm。 形成電極膜的方法沒有特別限制，考慮到與上述材料的相容 性，可以通過例如適宜地選自諸如印刷方法和涂布方法等濕法、諸如真空 沉積方法、濺射方法和離子鍍方法等物理方法以及諸如CVD和等離子體 CVD方法等化學(xué)方法的方法在基板上形成電極。例如，當(dāng)選擇ITO時(shí)，例 如可以通過DC或射頻濺射方法、真空沉積方法或離子鍍方法提供電極。當(dāng) 有機(jī)導(dǎo)電性化合物被選擇作為柵電極的材料時(shí)，可以通過濕式膜形成方法 形成電極。6)源電極和漏電極
本發(fā)明中的源電極和漏電極的材料優(yōu)選例如選自諸如Al、 Mo、 Cr、 Ta、 Ti、 Au和Ag等金屬、諸如A1-Nd和APC等合金、諸如氧化錫、氧化鋅、 氧化銦、氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)等金屬氧化物導(dǎo)電膜、諸如聚苯胺、 聚噻吩或聚吡咯等有機(jī)導(dǎo)電性化合物和其混合物。
源電極和漏電極的厚度均優(yōu)選為10nm 1000nm。
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形成電極膜的方法沒有特別限制，考慮到與上述材料的相容 性，可以通過例如適宜地選自諸如印刷方法和涂布方法等濕法、諸如真空 沉積方法、濺射方法和離子鍍方法等物理方法以及諸如CVD和等離子體 CVD方法等化學(xué)方法的方法在基板上形成電極。例如，當(dāng)選擇ITO時(shí)，例 如可以通過DC或射頻濺射方法、真空沉積方法或離子鍍方法提供電極。當(dāng) 有機(jī)導(dǎo)電性化合物被選擇作為源電極和漏電極的材料時(shí)，可以通過濕式膜 形成方法形成電極。7)基板
本發(fā)明中使用的基板沒有特別限制，其例子包括諸如YSZ(氧化釔穩(wěn)定 的氧化鋯)和玻璃等無機(jī)材料以及諸如聚酯類(例如，聚對苯二甲酸乙二醇 酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯)和合成樹脂(例如，聚苯 乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚芳酯、烯丙基二甘醇碳酸酯、聚酰亞胺、聚 環(huán)烯烴、降冰片烯樹脂和聚(氯三氟乙烯))等有機(jī)材料。當(dāng)基板包括諸如上 述那些有機(jī)材料時(shí)，有機(jī)材料優(yōu)選具有優(yōu)異的耐熱性、尺寸穩(wěn)定性、耐溶 劑性、電絕緣性和加工性，并且優(yōu)選具有低透氣性和吸濕性。在本發(fā)明中，特別優(yōu)選使用柔性基板。作為柔性基板中使用 的材料，具有高透明度的有機(jī)塑料膜是優(yōu)選的，適用的塑料膜的例子包括 諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚苯二甲酸丁二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯 等聚酯類、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚芳酯、聚酰胺、聚環(huán)烯烴、 降冰片烯樹脂和聚(氯三氟乙烯)的塑料膜。膜狀塑料基板優(yōu)選設(shè)有一個(gè)以上 的額外層，例如當(dāng)基板的絕緣性不充分時(shí)可以設(shè)置絕緣層、用于防止水分 和氧氣透過的氣體阻擋層以及用于改善膜狀塑料基板的平坦性和與電極和/ 或有源層粘附性的下涂層。 柔性基板的厚度優(yōu)選為50pm 500nm。這是因?yàn)?，?dāng)柔性基 板的厚度小于50 pm時(shí)，基板本身難于保持充分的平坦性。當(dāng)柔性基板的 厚度大于500 pm時(shí)，難于自由地彎曲基板；換句話說，基板本身的柔軟性 差。8)保護(hù)性絕緣膜
在需要時(shí)，可以在TFT上設(shè)置保護(hù)性絕緣膜。保護(hù)性絕緣膜用于防止 半導(dǎo)體層(有源層和電阻層)由空氣引起的劣化，和/或使TFT與在TFT上制作的電氣裝置絕緣。 保護(hù)性絕緣膜材料的具體例子包括諸如MgO、 SiO、 Si02、 A1203、 GeO、 NiO、 CaO、 BaO、 Fe203、 丫203和7102等金屬氧化物、諸如 SiNj卩SiNxOy等金屬氮化物、諸如MgF2、 LiF、 A1F3和CaF2等金屬氟化物、 聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚脲、聚四氟乙烯、聚 氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯和二氯二氟乙烯的共聚物、通 過共聚包括四氟乙烯和至少一種共聚單體的單體混合物得到的共聚物、在 共聚物主鏈中具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的含氟共聚物、吸水系數(shù)為1°/。以上的吸水物質(zhì) 和吸水系數(shù)為0.1%以下的防濕物質(zhì)。形成保護(hù)性絕緣膜的方法沒有特別限制，以下方法是適用的: 真空沉積方法、濺射方法、反應(yīng)性濺射方法、MBE (分子束外延)方法、簇 離子束方法、離子鍍方法、等離子體聚合方法(射頻激勵(lì)離子鍍方法)、等離 子體CVD方法、激光CVD方法、熱CVD方法、氣體源CVD方法、涂布 方法、印刷方法和轉(zhuǎn)移方法。9)后處理
在需要時(shí)，可以進(jìn)行熱處理作為TFT上的后處理?？梢栽诳諝庵谢蛟?氮?dú)庵性?00°C以上的溫度下進(jìn)行熱處理?？梢栽谛纬砂雽?dǎo)體層之后進(jìn)行 熱處理和/或作為TFT制作過程中的最終步驟。熱處理可以有效地例如抑制 TFT特性的面內(nèi)不均勻性和改善驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性。2.有機(jī)EL元件
根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL元件在基板上具有陰極和陽極，在電極之間還具 有一個(gè)以上的有機(jī)化合物層，包括有機(jī)發(fā)光層(下面在一些情況下簡稱作"發(fā) 光層")。從發(fā)光元件的特性的觀點(diǎn)來看，選自陽極和陰極的至少一個(gè)電極優(yōu) 選是透明的。關(guān)于在本發(fā)明中有機(jī)化合物層的疊置，其中從陽極側(cè)依序設(shè) 置空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層的實(shí)施方案是優(yōu)選的。此外，電荷阻 擋層等可以設(shè)置在空穴輸送層和發(fā)光層之間，或者設(shè)置在發(fā)光層和電子輸 送層之間。在陽極和空穴輸送層之間可以有空穴注入層，在陰極和電子輸 送層之間可以有電子注入層。各層可以包括多個(gè)亞層。下面，詳細(xì)說明構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光材料的部件。
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<基板>
本發(fā)明中使用的基板優(yōu)選是不會(huì)使從有機(jī)化合物層發(fā)出的光散射或衰 減的基板。其例子包括諸如氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯(YSZ)和玻璃等無機(jī)材料、
諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚苯二甲酸丁二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯 等聚酯類、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚芳酯、聚酰亞胺、聚環(huán)烯烴、 降冰片烯樹脂和聚(氯三氟乙烯)。
例如，當(dāng)玻璃用作基板時(shí)，從減小離子從玻璃溶出的觀點(diǎn)來看，玻璃 材料優(yōu)選是無堿玻璃。當(dāng)使用鈉鈣玻璃時(shí)，優(yōu)選的是使用已經(jīng)用氧化硅等 阻擋涂布的那些。當(dāng)基板是有機(jī)材料時(shí)，材料優(yōu)選具有優(yōu)異的耐熱性、尺 寸穩(wěn)定性、耐溶劑性、電絕緣性和加工性。 基板的形狀、結(jié)構(gòu)和尺寸沒有特別限制，并可以根據(jù)發(fā)光元 件的用途、目的等適宜地選擇。通常，基板優(yōu)選為板狀?；宓慕Y(jié)構(gòu)可以 是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，并可以由一個(gè)元件構(gòu)成或者由兩個(gè)以上的元件構(gòu) 成。 基板可以是無色透明的或者是有色透明的。然而，由于從有 機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光未被散射或衰減，所以無色透明基板是優(yōu)選的。 透濕阻擋層(氣體阻擋層)可以設(shè)置在基板的正面或背面。透濕 阻擋層(氣體阻擋層)的材料優(yōu)選是諸如氮化硅或氧化硅等無機(jī)材料?？梢酝?過例如射頻濺射方法形成透濕阻擋層(氣體阻擋層)。
當(dāng)使用熱塑性基板，根據(jù)需要可以設(shè)置一個(gè)以上的額外層，如硬涂層 或下涂層。 <陽極>
陽極通常具有作為將空穴供應(yīng)到有機(jī)化合物層的電極的功能。其形狀、 結(jié)構(gòu)和尺寸沒有特別限制，并可以根據(jù)發(fā)光元件的用途和目的適宜地選自 已知的電極材料。如上所述，陽極通常設(shè)置為透明陽極。 陽極的材料優(yōu)選是例如金屬、合金、金屬氧化物、導(dǎo)電性化 合物或其混合物。陽極材料的具體例子包括諸如用銻、氟等摻雜的錫氧化 物(ATO、 FTO)、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO) 等導(dǎo)電性金屬氧化物、諸如金、銀、鉻和鎳等金屬、這些金屬和導(dǎo)電性金 屬氧化物的混合物和層疊物、諸如碘化銅和硫化銅等無機(jī)導(dǎo)電性材料、諸如聚苯胺、聚噻吩和聚吡咯等有機(jī)導(dǎo)電性材料、以及這些材料和ITO的層 疊物。其中，導(dǎo)電性金屬氧化物是優(yōu)選的，特別地，從生產(chǎn)性、高電導(dǎo)率 和透明性的觀點(diǎn)來看，ITO是更優(yōu)選的。 考慮到與構(gòu)成陽極的材料的相容性，可以通過例如適宜地選 自以下的方法在基板上形成陽極諸如印刷方法和涂布方法等濕法、諸如 真空沉積方法、濺射方法和離子鍍方法等物理方法以及諸如CVD和等離子 體CVD方法等化學(xué)方法。例如，當(dāng)選擇ITO作為陽極的材料時(shí)，例如可以 通過DC或射頻濺射方法、真空沉積方法或離子鍍方法形成陽極。 在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件中，設(shè)置陽極的位置沒有 特別限制，并可以根據(jù)發(fā)光元件的用途和目的適宜地選擇。陽極優(yōu)選形成 在基板上；在這種情況下，陽極可以設(shè)置在基板一個(gè)表面的整體上，或者 設(shè)置在基板一個(gè)表面的一部分上。 形成陽極時(shí)的圖案化可以通過諸如光刻等化學(xué)蝕刻或諸如利 用激光的蝕刻等物理蝕刻進(jìn)行?？梢酝ㄟ^用疊置掩模的真空沉積、濺射等 進(jìn)行圖案化，或者通過浮脫(lift-off)方法或印刷方法進(jìn)行。陽極的厚度可以根據(jù)構(gòu)成陽極的材料適宜地選擇，因此不能 唯一地限定。陽極的厚度通常為約10nm 約50]im,優(yōu)選為50 nm~20 nm。 陽極的電阻優(yōu)選為103n/sq以下，更優(yōu)選102^sq以下。當(dāng)陽 極是透明的時(shí)，陽極可以是無色透明或有色透明的。為了提取從透明陽極 側(cè)發(fā)出的光，陽極的透過率優(yōu)選為60%以上，和更優(yōu)選70%以上。 透明陽極詳細(xì)記載在Yutaka Sawada編的"7bwwe/ Dew^yo&wwaA:wwo 57w'"/ewW (New Development of Transparent Electrode Film) (CMC Publishing Co.， Ltd.， 1999)中，其內(nèi)容適用于本發(fā)明。當(dāng)使用耐 熱性差的塑料基板時(shí)，優(yōu)選的是使用ITO或IZO在150°C以下的低溫下進(jìn) 行膜形成，以形成透明陽極。 <陰極>
陰極通常具有作為將電子注入有機(jī)化合物層的電極的功能。其形狀、 結(jié)構(gòu)和尺寸沒有特別限制，并可以根據(jù)發(fā)光元件的用途和目的適宜地選自 已知的電極材料。構(gòu)成陰極的材料可以是例如金屬、合金、金屬氧化物、導(dǎo)電性化合物或其混合物。陰極材料的具體例子包括堿金屬(例如，Li、 Na、 K、 Cs)、堿土金屬(例如，Mg、 Ca)、金、銀、鉛、鋁、鈉-鉀合金、鋰-鋁合金、 鎂-銀合金和稀土金屬如銦和鐿。這些材料中的一種可以單獨(dú)使用；然而， 從獲得穩(wěn)定性和電子注入性的良好平衡的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選的是混合使用兩 種以上的所述材料。其中，作為構(gòu)成陰極的材料，從電子注入性的觀點(diǎn)來看，堿 金屬和堿土金屬是優(yōu)選的，并且主要成分是鋁的材料由于其優(yōu)異的保存穩(wěn) 定性而是優(yōu)選的。
主要成分是鋁的材料指鋁本身或者鋁與0.01~10重量％的堿金屬或堿土 金屬的合金或混合物(例如，鋰-鋁合金、鎂-鋁合金)。 陰極的材料詳細(xì)記載在JP-A No. 2-15595和5-121172中，其 中的材料也可適用于本發(fā)明。 形成陰極的方法沒有特別限制，可以通過已知方法形成陰極。 考慮到與構(gòu)成陰極的材料的相容性，可以通過例如適宜地選自以下的方法 形成陰極諸如印刷方法和涂布方法等濕法、諸如真空沉積方法、濺射方 法和離子鍍方法等物理方法以及諸如CVD和等離子體CVD方法等化學(xué)方 法。例如，當(dāng)選擇金屬等作為陰極的材料時(shí)，例如可以通過濺射一種材料 或者同時(shí)或相繼濺射兩種以上材料形成陰極。形成陰極時(shí)的圖案化可以通過諸如光刻等化學(xué)蝕刻或諸如利 用激光的蝕刻等物理蝕刻進(jìn)行?？梢酝ㄟ^用疊置掩模的真空沉積、濺射等 進(jìn)行圖案化，或者通過浮脫方法或印刷方法進(jìn)行。在本發(fā)明中，形成陰極的位置沒有特別限制。例如，陰極可 以形成在有機(jī)化合物層的整個(gè)表面上，或者形成在有機(jī)化合物層的僅一部 分表面上。
在陰極和有機(jī)化合物層之間可以插入厚度為0.1 nm~5 nm的堿金屬或 堿土金屬的氟化物或氧化物的介電層。介電層可以被認(rèn)為是一種電子注入 層?？梢酝ㄟ^例如真空沉積方法、濺射方法或離子鍍方法形成介電層。陰極的厚度可以根據(jù)構(gòu)成陰極的材料適宜地選擇，因此不能 唯一地限定。陰極的厚度通常為約10nm 約5pm，優(yōu)選為50 nm~l pm。
陰極可以是透明或不透明的?？梢酝ㄟ^形成厚度為lnm 10mn的陰極材料的薄膜并進(jìn)一步沉積諸如ITO或IZO等透明導(dǎo)電性材料來形成透明陰 極。 <有機(jī)化合物層> 下面說明本發(fā)明中的有機(jī)化合物層。
根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件包括一個(gè)以上的包括發(fā)光層的有機(jī)化 合物層。有機(jī)發(fā)光層之外的有機(jī)化合物層的例子包括上述的空穴輸送層、 電子輸送層、電荷阻擋層、空穴注入層和電子注入層。-有機(jī)發(fā)光層-
有機(jī)發(fā)光層是在施加電壓時(shí)具有以下功能的層從陽極、空穴注入層 或空穴輸送層接收空穴，從陰極、電子注入層或電子輸送層接收電子，并 提供空穴和電子再結(jié)合的位置，從而發(fā)光。
本發(fā)明中的發(fā)光層可以僅由發(fā)光材料構(gòu)成，或者可以是含有主體材料 和發(fā)光材料的混合物層。發(fā)光材料可以是熒光發(fā)光材料或磷光發(fā)光材料， 并可以僅含有一種摻雜劑或者含有兩種以上的摻雜劑。主體材料優(yōu)選是電 荷輸送材料。發(fā)光層可以僅含有一種主體材料或者含有兩種以上的主體材 料，例如，電子輸送主體材料和空穴輸送主體材料的混合物。發(fā)光層可以 含有不具有電子輸送性和不發(fā)光的材料。
發(fā)光層可以僅包括一層，或者包括兩個(gè)以上的層，兩個(gè)以上的層可以 分別發(fā)出不同顏色的光。 本發(fā)明中可以使用的熒光發(fā)光材料的例子包括金屬配合物， 如苯并噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基苯衍生 物、聚苯衍生物、二苯基丁二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、萘酰亞胺 衍生物、香豆素衍生物、稠合的芳香族化合物、紫環(huán)酮衍生物、噁二唑衍 生物、噁嗪衍生物、醛連氮衍生物、pyralidine衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、 二苯乙烯基蒽衍生物、喹吖啶酮衍生物、吡咯并吡啶衍生物、噻二唑并吡 啶衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、苯乙烯基胺衍生物、二酮代吡咯并吡咯衍生 物、芳香族二次甲基化合物、8-羥基喹啉衍生物和pyrromethene衍生物的金 屬配合物；高分子化合物，如聚噻吩、聚苯撐和聚苯撐乙烯；和其他化合 物，如有機(jī)硅烷衍生物。 本發(fā)明中可以使用的磷光發(fā)光材料的例子包括含有過渡金屬原子或鑭系元素原子的配合物。
過渡金屬原子沒有特別限制；釕、銠、鈀、鎢、錸、鋨、銥和鉑是優(yōu) 選的，錸、銥和鉑是更優(yōu)選的。
鑭系元素原子的例子包括鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、 鉺、銩、鐿和镥。在這些鑭系元素原子中，釹、銪和釓是優(yōu)選的。 作為配合物的配體，可以提及以下文獻(xiàn)中記載的配體作為例 子G. Wilkinson等人的Co加/ /"e/2era/ve CooWw加'ow C7zew/s/ j (Pergamon Press, 1987)、 H. Yiersin的/VzofocAew& ^v and尸/zo/og7V3; /H.C51 o/ Coon^/"ariow Cow/ ow"(is (Springer-Verlag， 1987)禾口 Akio Yamamoto 的 ！^"A7,Ai""zoA^ ^agaArw-A7sotoowyow-(Organic metal chemistry-Fundamentals and Applications) (Shokabo Publishing Co.， Ltd., 1982)。
關(guān)于具體的配體，優(yōu)選的那些包括鹵素配體(優(yōu)選氯配體)、含氮雜環(huán)配 體(例如，苯基吡啶、苯并喹啉、羥基喹啉、聯(lián)吡啶、菲咯啉)、二酮配體(例 如，乙酰丙酮)、羧酸配體(例如，乙酸配體)、 一氧化碳配體、異腈配體和 氰基配體。更優(yōu)選的那些包括含氮雜環(huán)配體。配合物可以在化合物中僅包 括一個(gè)過渡金屬原子，或者可以是具有兩個(gè)以上的過渡金屬原子的多核配 合物。例如，配合物可以同時(shí)包括不同的金屬原子。 磷光發(fā)光材料在發(fā)光層中的含有比例優(yōu)選為0.1重量％~40重 量％，更優(yōu)選為0.5重量％~20重量％。 本發(fā)明的發(fā)光層中含有的主體材料可以選自例如具有咔唑骨 架的那些、具有二芳基胺骨架的那些、具有吡啶骨架的那些、具有吡嗪骨 架的那些、具有三嗪骨架的那些、具有芳基硅垸骨架的那些和下面對于空 穴注入層、空穴輸送層、電子注入層和電子輸送層的各項(xiàng)中提到的那些。 發(fā)光層的厚度沒有特別限制，1 nm~500 nm的厚度通常是優(yōu)選 的。厚度更優(yōu)選為5 nm 200 nm，再更優(yōu)選為10 nm 100 nm。在本發(fā)明中，通過適宜地選擇發(fā)光材料可以獲得具有高發(fā)光
效率、高亮度和優(yōu)異的色度的白色發(fā)光元件。例如，通過組合藍(lán)色發(fā)光材 料和作為互補(bǔ)顏色發(fā)光材料的橙色發(fā)光材料，可以獲得白色發(fā)光元件，并
且通過適宜地選擇三種以上的不同種發(fā)光材料如藍(lán)色發(fā)光材料、綠色發(fā)光 材料和紅色發(fā)光材料的組合，可以獲得白色發(fā)光元件。特別地，藍(lán)色發(fā)光材料優(yōu)選是最大發(fā)光波長(發(fā)光強(qiáng)度最大時(shí)的波長)為400 nm~500 nm的材 料，更優(yōu)選為420 nm~490 nm，特別優(yōu)選為430 nm 470 nm。綠色發(fā)光材料 優(yōu)選其最大發(fā)光波長為500nm 570nm，更優(yōu)選為500 nm~560 nm，特別優(yōu) 選為500 nm~550 nm。紅色發(fā)光材料優(yōu)選其最大發(fā)光波長為580 nm~670 nm，更優(yōu)選為5卯nm~660 nm，特別優(yōu)選為600 nm~650 nra。其中使用高 發(fā)光效率的磷光材料的白色發(fā)光元件記載在JP-A No. 2001-319780和 2004-281087、日本專利申請國家公開No. 2004-522276等中，它們也可用在 本發(fā)明中。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光層可以僅包括一層，或者多層。
-空穴注入層，空穴輸送層-
空穴注入層或空穴輸送層是具有從陽極或從陽極側(cè)接收空穴并將空穴 輸送到陰極側(cè)的功能的層?？昭ㄗ⑷雽雍涂昭ㄝ斔蛯泳鶅?yōu)選是含有選自例 如各種金屬配合物中的至少一種的層，金屬配合物的典型例子包括具有諸 如咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、 聚芳垸烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基 胺衍生物、氨基取代的查爾酮衍生物、苯乙烯基葸衍生物、芴酮衍生物、 腙衍生物、二苯乙烯衍生物、硅氮垸衍生物、芳香叔胺化合物、苯乙烯基 胺化合物、芳香族dimethylidine化合物、卟啉化合物、有機(jī)硅烷衍生物、 碳、苯基唑或苯基嗪等配體的Ir配合物。
從降低驅(qū)動(dòng)電壓的觀點(diǎn)來看，空穴注入層和空穴輸送層的厚度均優(yōu)選 為500nm以下。
空穴輸送層的厚度優(yōu)選為lnm 500nm，更優(yōu)選為5 nm 200 nm，再更 優(yōu)選為10 nm~200 nm?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葍?yōu)選為0.1 nm~200 nm，更優(yōu)選 為0.5證~200跳再更優(yōu)選1 nm~200 nm。
空穴注入層和空穴輸送層均可以是含有一種或兩種以上上述材料的單 層結(jié)構(gòu)，或者均可以是具有相同組成或不同組成的多層的多層結(jié)構(gòu)。-電子注入層，電子輸送層-
電子注入層或電子輸送層是具有從陰極或陰極側(cè)接收電子并將電子輸 送到陽極側(cè)的功能的層。電子注入層和電子輸送層均優(yōu)選是含有金屬配合 物、有機(jī)硅烷衍生物等中的至少一種的層。金屬配合物可以選自各種金屬配合物，其典型例子包括三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、芴酮衍生物、蒽醌二甲垸衍生物、蒽酮衍生物、二苯基醌衍生物、硫代吡喃二氧化物衍生物、碳二亞胺衍生物、亞芴基甲垸衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、具有芳香環(huán)如萘或二萘嵌苯的四元羧酸酐、酞菁衍生物
或8-羥基喹啉衍生物的金屬配合物、金屬酞菁和具有諸如苯并噁唑或苯并噻唑等配體的金屬配合物。 從降低驅(qū)動(dòng)電壓的觀點(diǎn)來看，電子注入層和電子輸送層的厚度均優(yōu)選為500nm以下。
電子輸送層的厚度優(yōu)選為lnm 500nm,更優(yōu)選為5 nm~200 nm,再更優(yōu)選為10 nm 100 nm。電子注入層的厚度優(yōu)選為0.1 nm~200 nm，更優(yōu)選為0.2 nm~100 nm，再更優(yōu)選為0.5 nm~50 nm。
電子注入層和電子輸送層均可以是含有一種或兩種以上上述材料的單層結(jié)構(gòu)，或者均可以是具有相同組成或不同組成的多層的多層結(jié)構(gòu)。-空穴阻擋層-
空穴阻擋層是具有防止已從陽極側(cè)輸送到發(fā)光層的空穴通過到達(dá)陰極側(cè)的功能的層。在本發(fā)明中，空穴阻擋層可以設(shè)置作為在發(fā)光層的陰極側(cè)鄰近發(fā)光層的有機(jī)化合物層。
構(gòu)成空穴阻擋層的有機(jī)化合物的例子包括鋁配合物如BAlq、三唑衍生物和菲咯啉衍生物如BCP。
空穴阻擋層的厚度優(yōu)選為lnm 500nm，更優(yōu)選為5 nm~200 nm，再更優(yōu)選為10nm 100nm。
空穴阻擋層可以是含有一種或兩種以上上述材料的單層結(jié)構(gòu)，或者可以是具有相同組成或不同組成的多層的多層結(jié)構(gòu)。-有機(jī)化合物層的形成-
在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件中，各個(gè)有機(jī)化合物層可以優(yōu)選例如通過諸如沉積方法或?yàn)R射方法等干式膜形成方法、轉(zhuǎn)移方法或印刷方法來形成。
在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件中，常規(guī)已知的方法可以用作圖案化方法。 <保護(hù)層>在本發(fā)明中，整個(gè)有機(jī)EL元件可以用保護(hù)層保護(hù)。
保護(hù)層中所含的材料應(yīng)該具有防止促進(jìn)元件劣化的諸如水分或氧氣等物質(zhì)進(jìn)入元件的功能。
材料的具體例子包括諸如In、 Sn、 Pb、 Au、 Cu、 Ag、 Al、 Ti和Ni等金屬、諸如MgO、 SiO、 Si02、 A1203、 GeO、 NiO、 CaO、 BaO、 Fe203、Y203和Ti02等金屬氧化物、諸如SiNx和SiNxOy等金屬氟化物、諸如MgF2、LiF、 AlF3和CaF2等金屬氟化物、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚脲、聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯和二氯二氟乙烯的共聚物、通過共聚包括四氟乙烯和至少一種共聚單體的單體混合物得到的共聚物、在共聚物主鏈中具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的含氟共聚物、吸水系數(shù)為1%以上的吸水物質(zhì)和吸水系數(shù)為0.1%以下的防濕物質(zhì)。形成保護(hù)層的方法沒有特別限制，以下方法是適用的真空沉積方法、濺射方法、反應(yīng)性濺射方法、MBE (分子束外延)方法、簇離子束方法、離子鍍方法、等離子體聚合方法(射頻激勵(lì)離子鍍方法)、等離子體CVD方法、激光CVD方法、熱CVD方法、氣體源CVD方法、涂布方法、印刷方法和轉(zhuǎn)移方法。 <密封>
此外，可以使用密封容器來密封根據(jù)本發(fā)明的整個(gè)有機(jī)電致發(fā)光元件。密封容器和發(fā)光元件之間的空間中可以用吸水劑或不活潑液體填充。吸水劑沒有特別限制，其例子包括氧化鋇、氧化鈉、氧化鉀、氧化鈣、硫酸鈉、硫酸鈣、硫酸鎂、五氧化二磷、氯化鈣、氯化鎂、氯化銅、氟化銫、氟化鈮、溴化鈣、溴化釩、分子篩、沸石和氧化鎂。不活潑液體沒有特別限制，其例子包括石蠟、液體石蠟、含氟溶劑(如全氟烷烴、全氟胺和全氟醚)、含氯溶劑和硅油。 當(dāng)DC電壓(通常2~15伏，并任選地依需要含有AC成分)或DC電流被施加在陽極和陰極之間時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件發(fā)光。
關(guān)于驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件的方法，可以使用例如在JP陽ANo.2-148687、 6-301355、 5-29080、 7-134558、 8-234685和8-241047、日本專利No. 2784615和美國專利No. 5828429和6023308中記載的驅(qū)動(dòng)方
24法。3.濾色器
根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置中的各像素通過濾色器與有機(jī)EL元件的發(fā)光層的原始發(fā)光的組合而改變了原始發(fā)光色，從而實(shí)現(xiàn)了所需的發(fā)光色。
在示例性實(shí)施方案中，在同一基板上提供兩種以上的不同發(fā)光色的像素，并且至少一個(gè)像素是包括改變發(fā)光色的濾色器的像素。兩種以上的具有不同發(fā)光色的像素優(yōu)選由至少一個(gè)紅色發(fā)光像素、至少一個(gè)綠色發(fā)光像素和至少一個(gè)藍(lán)色發(fā)光像素構(gòu)成。
還優(yōu)選的是，兩種以上的具有不同發(fā)光色的像素由至少一個(gè)白色發(fā)光像素、至少一個(gè)紅色發(fā)光像素、至少一個(gè)綠色發(fā)光像素和至少一個(gè)藍(lán)色發(fā)光像素構(gòu)成。更優(yōu)選的是，至少一個(gè)紅色發(fā)光像素、至少一個(gè)綠色發(fā)光像素和至少一個(gè)藍(lán)色發(fā)光像素是如下像素，其中通過像素中配置的濾色器改變白色發(fā)光像素的光。簡言之，在本發(fā)明的實(shí)施方案中，形成的發(fā)光層含有至少一種(即， 一種或多種)發(fā)光材料，從而在使發(fā)光層中的可見光發(fā)光區(qū)域最大化的同時(shí)發(fā)出白色光。因此，發(fā)光層是白色發(fā)光層，并且通過組合白色發(fā)光層和濾色器可以提取任意的發(fā)光色。因此，通過以高精確度配置待組合的濾色器可以以高精確度配置發(fā)出紅色、綠色、藍(lán)色的微細(xì)像素，而不需要以高精確度排列發(fā)光層。 在本發(fā)明中，可以依任何方式配置濾色器，例如，可以設(shè)置在基板的表面上，或設(shè)置在基板和透明電極如ITO之間。使用選自不同顏色濾色器的濾色器，可以容易地改變發(fā)光色。當(dāng)使用白色發(fā)光層時(shí)，濾色器可以以高精確度配置在一個(gè)發(fā)光元件上。然而，使用白色發(fā)光層對于本發(fā)明不是必要的。通過組合發(fā)光材料和濾色器可以獲得所需的發(fā)光色。例如，在本發(fā)明的示例性實(shí)施方式中，通過組合濾色器和發(fā)出白色之外顏色的光的發(fā)光材料，可以再現(xiàn)所需的顏色(例如，紅色、綠色或藍(lán)色)。下面說明使用白色發(fā)光層時(shí)的本發(fā)明的像素構(gòu)成的例子。組合紅色、綠色和藍(lán)色三原色的濾色器層形成在基板上。通過諸如印刷方法一個(gè)有機(jī)層設(shè)置在整個(gè)區(qū)域上；因此，不需要以高精確度配置不同發(fā)光色 的有機(jī)層。 如JP-A No. 7-220871中所述，全彩色裝置的制作如下。制作 至少包括空穴輸送層和電子輸送發(fā)光層的有機(jī)EL裝置。在發(fā)光層中，分散 一種著色劑或兩種以上的著色劑，從而最大化發(fā)射可見光的區(qū)域，并且發(fā) 出白色光。有機(jī)EL裝置還設(shè)有濾色器，從而僅提取所需顏色的光，由此可 以制作全彩色裝置。 例如，如JP-ANo. 2004-311440中所述，采用依序在基板上設(shè) 置像素電極、白色發(fā)光層和金屬電極的構(gòu)成，其中
控制紅色像素使得從白色發(fā)光層發(fā)出的光通過設(shè)置在其驅(qū)動(dòng)TFT和其 像素電極之間的紅色濾色器層并且使得僅有光的紅色成分通過濾色器；
控制綠色像素使得從白色發(fā)光層發(fā)出的光通過設(shè)置在其驅(qū)動(dòng)TFT和其 像素電極之間的綠色濾色器層并且使得僅有光的綠色成分通過濾色器；
控制藍(lán)色像素使得從白色發(fā)光層發(fā)出的光通過設(shè)置在其驅(qū)動(dòng)TFT和其 像素電極之間的藍(lán)色濾色器層并且使得僅有光的藍(lán)色成分通過濾色器；和
控制白色像素使得從白色發(fā)光層發(fā)出的光通過設(shè)置在其驅(qū)動(dòng)TFT和其 像素電極之間的白色濾色器層并且使得僅有光的白色成分通過濾色器。濾色器層中使用的顏料或染料優(yōu)選具有適于設(shè)置濾色器的方 法(例如，涂布方法、印刷方法)的溶解度、分散性、流動(dòng)性等，以及作為濾 色器的適宜的分光吸收特性。顏料或染料可以選自已知的材料。 下面，參照
設(shè)有濾色器層的有機(jī)EL顯示裝置構(gòu)成的 具體例子。下面說明本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的一個(gè)例子，本發(fā)明不限于此。 圖1示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置?；?1是諸如PEN 膜等柔性支持體，基板絕緣層12設(shè)置在其上。圖案化的濾色器層17設(shè)置 在其上。柵電極111設(shè)置在驅(qū)動(dòng)TFT部上，柵絕緣膜112設(shè)置在TFT部上。 連接孔設(shè)置在柵絕緣膜112的一部分上，從而允許電連接。根據(jù)本發(fā)明的 有源層-電阻層113設(shè)置在驅(qū)動(dòng)TFT部上，源電極114和漏電極115設(shè)置在 其上。漏電極115和有機(jī)EL元件的像素電極(陽極)13是連續(xù)一體的，由相 同材料制成，并通過相同過程制作。切換TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的漏電極通過連 接電極202在連接孔處電連接。此外，整個(gè)表面，不包括將要設(shè)置有機(jī)EL元件的像素電極的那部分，被絕緣膜14覆蓋。在像素電極部上，設(shè)置包括 發(fā)光層的有機(jī)層15和陰極16,從而形成有機(jī)EL元件部。在具有圖1所示構(gòu)成的有機(jī)EL顯示裝置中，從發(fā)光層發(fā)出的 光通過像素電極13，被濾色器層17改變，通過基板ll,并被取出到外部。盡管圖1所示的構(gòu)成是底部發(fā)射型元件的構(gòu)成，但是頂部發(fā) 射構(gòu)成也是可能的，其中像素電極13改變?yōu)榉瓷潆姌O，陰極16是光透過 性電極，濾色器被設(shè)置到外部。(應(yīng)用)
根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置可以應(yīng)用于寬范圍的領(lǐng)域，包括手機(jī)顯 示器、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、計(jì)算機(jī)顯示器、安裝在汽車上的信息顯示器、 TV顯示器和一般照明。在本文引入日本專利申請No. 2007-99516的全部內(nèi)容作為參考。
實(shí)施例下面，參照實(shí)施例說明根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置。然而， 實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限制本發(fā)明。
實(shí)施例1 1.制作有機(jī)EL顯示裝置 1)柵電極(和掃描電線)的形成
在洗滌5英寸x 5英寸玻璃基板后，通過濺射沉積Mo至厚度為100 nm。然后涂布光致抗蝕劑，在其上重疊光掩模，通過光掩模使光致抗蝕劑 曝光。通過加熱固化未曝光部，通過用堿性顯影液進(jìn)行后續(xù)處理除去未固 化的光致抗蝕劑。然后使用蝕刻液進(jìn)行處理，溶解和除去未被固化的光致 抗蝕劑覆蓋的電極區(qū)域部。最后，剝離光致抗蝕劑，從而完成圖案化過程。 結(jié)果，形成圖案化的柵電極和圖案化的掃描電線。 各步驟的處理?xiàng)l件如下
Mo的濺射條件使用DC磁控濺射裝置在380 W的DC電源和濺射氣 體流量Ar=12sccm下進(jìn)行濺射。光致抗蝕劑涂布條件通過在4000 rpm下旋涂50 sec.來涂布光致抗蝕劑OFPR-800 (Tokyo OhkaKogyo Co" Ltd.制造)。 預(yù)烘烤條件80°C， 20min.
曝光條件5sec.(超高壓水銀燈的g線，相應(yīng)于100mJ/cm2) 顯影條件
顯影劑NMD-3 (Tokyo Ohka Kogyo Co" Ltd.制造)
30 sec.(浸漬)+ 30 sec.(攪拌) 漂洗2個(gè)循環(huán)(用純水超聲波漂洗1 min.) 后烘烤120°C， 30 min.
蝕刻條件
蝕刻液是硝酸/磷酸/乙酸的混合酸
抗蝕劑剝離條件:2個(gè)循環(huán)(剝離液104 (Tokyo Ohka Kogyo Co.， Ltd.制造)中浸漬5 min.)
洗滌2個(gè)循環(huán)(用IPA超聲波洗滌5 min,),和用水超聲波洗
漆5 min.
干燥用氮?dú)獯?，?20T下烘烤1小時(shí)。
2)形成柵絕緣膜 然后，濺射SiO2形成厚度200nm的柵絕緣膜。濺射條件使用RF磁控濺射裝置在400 W的RF電源和濺射 氣體流量Ar/02 = 12.0/2.0 seem下進(jìn)行濺射。
3)形成有源層和電阻層
在柵絕緣膜上，通過濺射順次設(shè)置具有較高電導(dǎo)率的10 nm-厚IGZO 膜(有源層)和具有較低電導(dǎo)率的40nm-厚IGZO膜(電阻層)。然后，通過光 致抗蝕劑方法進(jìn)行圖案化，形成有源層和電阻層。 具有較高電導(dǎo)率的IGZO膜和具有較低電導(dǎo)率的IGZO膜的濺 射條件如下 具有較高電導(dǎo)率的IGZO膜的濺射條件在作為耙的組成為 InGaZn04的多晶燒結(jié)體上，使用RF磁控濺射裝置在200 W的DC電源和 濺射氣體流量Ar/02 = 12.0/0.6 seem下進(jìn)行濺射。
具有較低電導(dǎo)率的IGZO膜的濺射條件在作為靶的組成為InGaZn04 的多晶燒結(jié)體上，使用RF磁控濺射裝置在200 W的DC電源和濺射氣體流量Ar/02 = 12.0/1.6 sccm下進(jìn)行濺射。通過光致抗蝕劑方法的圖案化過程與使柵電極圖案化所用的 相同，除了將鹽酸用作蝕刻液。4)源電極、漏電極和像素電極的形成
在形成有源層和電阻層之后，濺射氧化銦錫(簡稱作ITO)形成厚度為40 nm的膜。然后，通過與使柵電極圖案化所用相似的光致抗蝕劑方法進(jìn)行圖 案化過程，從而形成源電極、漏電極和像素電極。 ITO濺射條件使用RF磁控濺射裝置在40 W的DC電源和 濺射氣體流量Ar = 12.0 sccm下進(jìn)行濺射。通過光致抗蝕劑方法的圖案化過程與使柵電極圖案化所用的 過程相同，除了將草酸用作蝕刻液。5)接觸孔的形成
然后，通過與使柵電極圖案化所用相似的光致抗蝕劑方法進(jìn)行圖案化 過程。將要形成接觸孔部分之外的部分用光致抗蝕劑保護(hù)，使用緩沖的氫 氟酸作為蝕刻液在柵絕緣膜中形成孔，從而使柵電極露出。通過與使柵電 極圖案化所用相似的方式除去光致抗蝕劑，由此形成接觸孔。
6)連接電極(以及共用電線和信號電線)的形成 然后，濺射Mo形成厚度為200nm的膜。 Mo的濺射條件與柵電極形成步驟的濺射條件相同 然后，通過與使柵電極圖案化所用相似的光致抗蝕劑方法進(jìn)行圖案化 過程，從而形成連接電極以及共用電線和信號電線。
7)絕緣膜的形成
然后，涂布2pm-厚的感光性聚酰亞胺膜，并通過光致抗蝕劑方法進(jìn)行 圖案化形成絕緣膜。
涂布和圖案化條件如下
涂布條件在1000 rpm下旋涂30 sec.
曝光條件20sec.(使用超高壓水銀燈的g線，能量相應(yīng)于400 mJ/cm2) 顯影條件
顯影劑NMD-3 (Tokyo Ohka Kogyo Co" Ltd.制造) 1 min.(浸漬)+ 1 min.(攪拌)
29漂洗用純水超聲波漂洗，lmin. x 2 + 5 min. x 1 +用氮?dú)獯?br>
后烘烤120°C， l小時(shí)。
通過上述過程，制作有機(jī)EL顯示裝置的TFT基板。
8)制作有機(jī)EL元件 <濾色器層>
在形成像素電極之前，在將要形成像素電極的有機(jī)EL元件形成部中， 在像素電極和玻璃基板之間的位置配置以下的圖案化的濾色器層。
各顏色的感光性樹脂組合物是CR-2000 (紅色)、CG-2000 (綠色)和 CB陽2000 (藍(lán)色)，均由FUJIFILM Electronics Materials Co" Ltd.(之前的Fuji FilmOlinCo.,Ltd.)生產(chǎn)。首先，通過旋涂方法涂布紅色的感光性樹脂組合 物，并在卯。C下預(yù)烘烤3 min。
在預(yù)烘烤后，通過形成濾色器的光掩模使感光性樹脂組合物曝光，通 過使用顯影劑(商品名"CD"， Fuji Film Olin Co.， Ltd.制造)顯影，并在200°C 下后烘烤30 min.，在相應(yīng)于預(yù)定位置的開口部的那部分形成紅色濾色器層。 相似地，分別使用綠色和藍(lán)色的組合物順次形成綠色濾色器層和藍(lán)色濾色 器層。結(jié)果，形成三色的濾色器層。 <有機(jī)層>
通過電阻加熱真空沉積方法順次設(shè)置以下的空穴注入層、空穴輸送層、 發(fā)光層、空穴阻擋層、電子輸送層和電子注入層。
空穴注入層》
在已進(jìn)行過氧等離子體處理的TFT基板上，蒸汽沉積4，4，，4"-三(2-萘 基苯基氨基)三苯基胺(簡稱作2-TNATA)至厚度為140 nm。
氧等離子體條件如下
氧等離子體條件02流量-lOsccm， RF電源-200W,處理時(shí)間= lmin. 空穴輸送層》
N，N，-二萘基-N，N，-二苯基-[l,l，-聯(lián)苯基]-4,4，-二胺(簡稱作a-NPD)的10 nm-厚的層。<<發(fā)光層白色發(fā)光材料層>>
(第一發(fā)光層)含有92重量％的CBP和8重量％的FIrpic的混合物的層，厚度為10nm。
(第二發(fā)光層)含有92重量％的CBP和8重量％的Btp;Jr(acac)的混合 物的層，厚度為10nm。
(第三發(fā)光層):含有92重量％ CBP和8重量％的Ir(ppy)3的混合物的層， 厚度為10nm。
Ir (p p y〉 3
BtP2'r (acac) 空穴阻擋層》
雙_(2_甲基_8_醌基苯酚)鋁(簡稱作BAlq)的10nm-厚的層。
電子輸送層》
三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱作Alq3)的20 nm-厚的層。
電子注入層》 LiF的lnm-厚的層。
<陰極的形成>
通過電阻加熱真空沉積方法形成200nm-厚的陰極。
10)密封過程
c
,、o
r
11" - -C^M^l^.^
31在具有有機(jī)EL元件的TFT基板上，提供通過等離子體CVD (PECVD) 形成2pm-厚的SiNx膜作為密封膜。此外，使用熱固性環(huán)氧樹脂粘合劑將保 護(hù)膜(其上沉積有50nm-厚的SiON的PEN膜)附著(卯。C， 3小時(shí))在密封膜 上。2.有機(jī)EL顯示裝置的性能
通過上述過程制作的有機(jī)EL顯示裝置在施加7V電壓時(shí)表現(xiàn)出高清晰 度(200ppi)發(fā)光，亮度為300cd/m2。
實(shí)施例2
按與實(shí)施例1相同方式制作有機(jī)EL顯示裝置2，除了基板尺寸變?yōu)?5 英寸x 15英寸。
按與實(shí)施例1相同方式評價(jià)有機(jī)EL顯示裝置2，得到亮度為300 cd/m2 的高清晰度(200ppi)發(fā)光。
實(shí)施例3
按與實(shí)施例2相同方式制作有機(jī)EL顯示裝置3，除了用具有基板絕緣 層的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜代替玻璃基板。
按與實(shí)施例1相同方式評價(jià)有機(jī)EL顯示裝置3，得到亮度為300 cd/m2 的高清晰度(200ppi)發(fā)光。
權(quán)利要求
1.有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其至少包括驅(qū)動(dòng)TFT和由有機(jī)電致發(fā)光元件形成并設(shè)置在所述TFT的基板上的像素，其中所述驅(qū)動(dòng)TFT至少包括基板、柵電極、柵絕緣膜、有源層、源電極和漏電極；所述驅(qū)動(dòng)TFT還包括在所述有源層與所述源電極和所述漏電極中的至少一個(gè)之間的電阻層；和所述像素包括至少一個(gè)顏色改變的像素，其具有改變所述顏色改變的像素的發(fā)光色的濾色器，并發(fā)出改變顏色的光。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述電阻層具有比所述有源層的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中，在所述至少一個(gè)顏色改變的像素中，所述濾色器設(shè)置在所述有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光層的提取光的那一側(cè)。
4. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述像素包括兩種以上的分別具有不同發(fā)光色的像素，并且至少一個(gè)像素是所述至少一個(gè)顏色改變的像素。
5. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述兩種以上的具有不同發(fā)光色的像素包括紅色發(fā)光像素、綠色發(fā)光像素和藍(lán)色發(fā)光像素。
6. 如權(quán)利要求4或5所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述兩種以上的分別具有不同發(fā)光色的像素包括白色發(fā)光像素、紅色發(fā)光像素、綠色發(fā)光像素和藍(lán)色發(fā)光像素。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述紅色發(fā)光像素、所述綠色發(fā)光像素和所述藍(lán)色發(fā)光像素各自是其中所述白色發(fā)光像素的發(fā)光色由濾色器改變的像素。
8. 如權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述有源層與所述柵絕緣膜接觸，所述電阻層與所述源電極和所述漏電極中的至少一個(gè)接觸。
9. 如權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述電阻層的層厚度大于所述有源層的厚度。
10. 如權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中電導(dǎo)率在所述電阻層和所述有源層之間連續(xù)變化。
11. 如權(quán)利要求1~10中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述有源層和所述電阻層含有相同或不同的氧化物半導(dǎo)體。
12. 如權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體是非晶氧化物半導(dǎo)體。
13. 如權(quán)利要求11或12所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述有源層中的氧濃度低于所述電阻層中的氧濃度。
14. 如權(quán)利要求11~13中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體是選自In、 Ga和Zn的氧化物或其復(fù)合氧化物中的至少一種。
15. 如權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體包括In和Zn，并且所述電阻層中的Zn與In的組成比(Zn/In)比所述有源層中的高。
16. 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述有源層的電導(dǎo)率為l(T4 Scm"以上但小于102 Scm"。
17. 如權(quán)利要求1~16中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述有源層的電導(dǎo)率與所述電阻層的電導(dǎo)率之比(所述有源層的電導(dǎo)率/所述電阻層的電導(dǎo)率)為102~108。
18. 如權(quán)利要求17所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中所述基板是柔性樹脂基板。
全文摘要
本發(fā)明公開一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其至少包括驅(qū)動(dòng)TFT和由有機(jī)電致發(fā)光元件形成并設(shè)置在該TFT的基板上的像素。該驅(qū)動(dòng)TFT至少包括基板、柵電極、柵絕緣膜、有源層、源電極和漏電極。該驅(qū)動(dòng)TFT還包括在所述有源層與所述源電極和所述漏電極中的至少一個(gè)之間的電阻層。所述像素包括至少一個(gè)顏色改變的像素，其具有改變該顏色改變的像素的發(fā)光色的濾色器，并發(fā)出改變顏色的光。
文檔編號H01L29/786GK101641795SQ20088000987
公開日2010年2月3日 申請日期2008年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月5日
發(fā)明者中山昌哉, 松永淳, 田中淳 申請人:富士膠片株式會(huì)社