專利名稱：半導(dǎo)體晶圓的異物檢測和修復(fù)系統(tǒng)及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶圓的異物檢測和修復(fù)系統(tǒng)及其方法，特別涉及
一種在EDS工序之前或者EDS工序中用于檢測晶圓上的異物，并修復(fù)被檢 測出的異物的半導(dǎo)體晶圓的異物檢測和修復(fù)系統(tǒng)及其方法。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體的制作工序從最初的晶圓的制作到最終完成制品大致可分 為四個(gè)工序。即，從硅原石制出晶圓的晶圓制作工序；利用制作好的晶圓在 該晶圓表面形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片的晶圓加工工序；判別半導(dǎo)體芯片優(yōu)良與否 的半導(dǎo)體芯片的電氣特性檢測(以下稱之為EDS (Eletric Die Sorting))工序； 用加工好的晶圓制作芯片的封裝工序；以及將封裝件附著于模塊上制作成具 有完整功能的制品的模塊組裝工序。
進(jìn)行前述半導(dǎo)體裝置的制作工序期間，晶圓或者形成在晶圓上的芯片隨 時(shí)進(jìn)行規(guī)定的測定及修正操作。作為確認(rèn)對晶圓的規(guī)定的測定及修正工序是 不是按照要求進(jìn)行的工具，可使用掃描式電子顯微鏡或者透射式電子顯微鏡 等光學(xué)顯微鏡。而且，檢測形成在晶圓上的半導(dǎo)體芯片的電氣特性，以區(qū)分 正常運(yùn)作的半導(dǎo)體芯片和不良半導(dǎo)體芯片的工序就是EDS工序。
EDS工序中，利用針測卡(probe card)進(jìn)行該芯片的電氣特性檢測， 向形成在晶圓上的多個(gè)半導(dǎo)體芯片施加特定電流，以檢測半導(dǎo)體芯片是否正 常及有無不良品。
如圖1所示，用于EDS工序中的半導(dǎo)體芯片的檢測裝置由EDS測試器 IOO和支承臺130構(gòu)成。EDS測試器100用于向晶圓140上的半導(dǎo)體芯片施 加電信號，以檢測芯片內(nèi)部電路的異常與否，并包括針測卡110、針120及信號檢測器(未圖示)。針120與晶圓140的芯片襯墊部位相隔很小的距離d， 針測卡110與針120和所述信號檢測器相連接。從所述信號檢測器形成的電 信號通過針測卡IIO傳送到針120，形成在晶圓140上的半導(dǎo)體芯片從針120 處接收所述電信號。而且，由所述芯片響應(yīng)于所述電信號而輸出的信號通過 針120和針測卡IIO傳送到所述信號檢測器，而所述信號檢測器分析從晶圓 140上的芯片輸出的信號，以檢測該芯片的異常與否。
而且，支承臺130上可放置進(jìn)行EDS工序的晶圓，并包含對準(zhǔn)裝置， 可提高芯片的檢測正確度。關(guān)于EDS測試器100的技術(shù)，已經(jīng)在很多公開 公報(bào)中明示，因此對此不再詳細(xì)說明。
這些EDS測試器100為了檢測對準(zhǔn)于支承臺130上的晶圓140上形成 的半導(dǎo)體芯片而移動針120時(shí)，如果晶圓140上具有比針120和晶圓140的 許可間距d高的異物A，有可能弄折針120。這將造成制造工序中的致命缺 陷及錯(cuò)誤，而弄折了針就會產(chǎn)生要替換高價(jià)制造裝置這一問題。因此，為了 防止這一缺陷及錯(cuò)誤，進(jìn)行EDS工序之前需要用于檢測是否存在異物及異 物的大小，特別是檢測異物高度的檢測裝備。利用這一檢測裝備要檢測出可 能傷害裝備的一定高度以上的異物。
但是，經(jīng)過研磨工序之后的晶圓的表面狀態(tài)是存在微小表面凸起B(yǎng)的表
面狀態(tài)，即晶圓的表面不是絕對平滑的，只是在一定許可范圍內(nèi)。因此，微 小表面凸起B(yǎng)可能被誤檢為異物。
另外，通過所述半導(dǎo)體的各個(gè)制造工序后得到的良品生產(chǎn)物的比率稱之 為產(chǎn)率，產(chǎn)率是指制造出的量(output)與投入的量(input)的比率。假設(shè) 投入的量為100，制造出的量為80，那么產(chǎn)率為80。這一產(chǎn)率可以區(qū)分為各 個(gè)工序中的產(chǎn)率。而這么強(qiáng)調(diào)產(chǎn)率的原因是因?yàn)橹圃旃ば蛑信龅降娜魏五e(cuò)誤 或者問題會給制品帶來致命的影響。而且，從一個(gè)晶圓所獲得的多數(shù)半導(dǎo)體 芯片制作成為制品后，若判定其中任何一個(gè)為不良品就要廢棄所有半導(dǎo)體芯片。因此，在各個(gè)工序中得到的產(chǎn)率是非常重要的。所以，在沒有檢測和修
復(fù)異物的狀態(tài)下進(jìn)行EDS工序時(shí)，由于異物可能導(dǎo)致晶圓出現(xiàn)缺陷，這會 降低半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)率，從而使制造費(fèi)用上升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題提出的，其目的在于提供一種檢測修復(fù)晶圓上的 異物的系統(tǒng)及其方法。
而且，本發(fā)明的目的還在于提供一種用于檢測修復(fù)晶圓上的異物的系 統(tǒng)，以節(jié)約制造費(fèi)用并改善該工序。
而且，本發(fā)明的目的還在于提供一種用于檢測修復(fù)晶圓上的異物的系統(tǒng) 及其方法，以防止制造裝備的損耗。
而且，本發(fā)明的目的還在于提供一種用于檢測修復(fù)晶圓上的異物的系統(tǒng) 及其方法，以增加半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)率。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種用于檢測和修復(fù)半導(dǎo)體晶圓上 的異物的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括移送臂，用于移送晶圓；檢測裝置，該檢測裝 置包括用于安置所述晶圓的支承臺、位于所述支承臺的側(cè)面并用于以水平方 向照射光線的側(cè)光發(fā)生部、位于在所述支承臺的上方以接收從所述側(cè)光發(fā)生 部照射并被所述異物反射的光的成像鏡、以及位于所述成像鏡的上方以顯示 所述成像鏡接收到的光的強(qiáng)度的攝像裝置；分析模塊，用于分析由所述攝像 裝置獲取的圖像并從該圖像中獲取關(guān)于所述異物的信息；以及修復(fù)裝置，用 于接收由所述分析模塊分析的關(guān)于所述異物的信息，并修復(fù)所述異物。
其中，由所述分析模塊分析的關(guān)于所述異物的信息為關(guān)于所述異物的位 置信息和高度信息。
優(yōu)選地，所述分析模塊包括識別模塊，用于識別由所述攝像裝置獲取 的圖像；譯碼模塊，用于讀取由所述識別模塊識別的圖像，并生成關(guān)于所述異物的信息；判斷模塊，用于根據(jù)由所述譯碼模塊讀取的關(guān)于所述異物的信 息來判斷所述異物是否需要被修復(fù)；以及傳送模塊，用于將關(guān)于目標(biāo)異物的 信息傳送到所述修復(fù)裝置，所述目標(biāo)異物為將要被修復(fù)的異物。
由所述譯碼模塊讀取的關(guān)于所述異物的位置信息為根據(jù)標(biāo)記在所述晶 圓上的對齊點(diǎn)計(jì)算的絕對坐標(biāo)。
優(yōu)選地，所述修復(fù)裝置包括接收模塊，用于從所述分析模塊接收關(guān)于 所述目標(biāo)異物的信息；激光部，用于修復(fù)所述目標(biāo)異物。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種用于檢測和修復(fù)半導(dǎo)體晶圓上的異 物的方法，該方法包括如下步驟移送并對準(zhǔn)半導(dǎo)體晶圓；從所對準(zhǔn)的晶圓 的側(cè)表面照射光線，以獲取晶圓的表面圖像；識別并讀取所述表面圖像以生 成關(guān)于所述異物的位置信息和高度信息；將關(guān)于所述異物的信息與基準(zhǔn)數(shù)據(jù) 進(jìn)行比較以判斷所述異物是否需要被修復(fù)；將關(guān)于目標(biāo)異物的信息傳送到修 復(fù)裝置，所述目標(biāo)異物為將要被修復(fù)的異物；以及修復(fù)所述目標(biāo)異物。
本發(fā)明提供一種用于檢測和修復(fù)晶圓上的異物的系統(tǒng)，可節(jié)約制造費(fèi)用 并改善工序。
而且，本發(fā)明提供一種用于檢測和修復(fù)晶圓上的異物的系統(tǒng)及其方法， 可防止制造裝備的損耗。
而且，本發(fā)明提供一種用于檢測和修復(fù)晶圓上的異物的系統(tǒng)及其方法， 可增加半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)率。


從下面的結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的上述以及其它目標(biāo)、特征和 優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，其中-
圖1是EDS工序中所使用的檢測裝置的剖面圖2是本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓上的異物檢測修復(fù)系統(tǒng)的概略圖；圖3是本發(fā)明中的檢測裝置中，表示第一光線的移動路徑的剖面圖； 圖4是本發(fā)明中的檢測裝置中，表示第二光線的移動路徑的剖面圖； 圖5是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓上的異物檢測修復(fù)方法的流程圖；以及 圖6是表示本發(fā)明的側(cè)光發(fā)生部所照射光線的移動路徑的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓的異物檢測修復(fù)修系統(tǒng)的 較佳實(shí)施例。
圖2是本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓的異物檢測修復(fù)系統(tǒng)的概略圖。如圖2所示， 本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓的異物檢測及修復(fù)系統(tǒng)包括移送臂20，用于移送晶圓 10;檢測裝置30，用于檢測利用移送臂20移送的晶圓10;分析模塊40，用 于分析被檢測裝置30檢測的異物的位置；修復(fù)裝置50，用于接收通過分析 模塊分析的異物的位置信息并移除該異物。
晶圓IO的一側(cè)形成有對齊點(diǎn)11，其用于在完成前期加工工序之后，通 過移送臂20將晶圓10對準(zhǔn)并安裝在將后述的檢測裝置30的支承臺31上。
移送臂20由機(jī)械臂(mbotarm)組成，其末端設(shè)有手臂(arm) 21，用 于將晶圓10移送到檢測裝置30。
然后，詳細(xì)說明檢測裝置30。檢測裝置30設(shè)有用于對準(zhǔn)并安裝晶圓10 的支承臺31，該支承臺31的兩側(cè)配置以水平方向向晶圓IO照射光線的側(cè)光 發(fā)生部32。
側(cè)光發(fā)生部32用于檢測晶圓10上的異物A，從側(cè)光發(fā)生部32照射的 光線碰到附著于晶圓IO上面的異物A (例如，玻璃片)而反射或散射。與 平板形狀的晶圓10的上面水平配置側(cè)光發(fā)生部32的光軸，使其易于測定異 物的高度。
成像鏡33相隔一定距離隔離配置在晶圓10的上方，用于接收從側(cè)光發(fā)生部32照射并被異物A或微小表面凸起B(yǎng) (圖1)反射的光線。多個(gè)成像 鏡33配置在晶圓10上方的各自的區(qū)域，使得被異物A或者微小表面凸起反 射的光線進(jìn)入到異物A或者在微小表面凸起的上方領(lǐng)域的成像鏡33。
攝像裝置34配置在所述成像鏡33的上方，用于接收從側(cè)光發(fā)生部32 照射并被異物A或微小表面凸起反射的光。g卩，攝像裝置34配置在晶圓10 的上方，用于獲取微小表面凸起或異物A的圖像。
此時(shí)，攝像裝置可包括CCD (Charge Coupled Device,電荷耦合器件)。 而且，攝像裝置也可包括CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor, 互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體)。
利用CCD的攝像裝置單價(jià)雖貴但能夠獲取幾乎沒有干擾的清晰畫面。 與此相反，利用CMOS的攝像裝置單價(jià)雖便宜但干擾較大。整體上，CCD 比CMOS大約亮3倍并能夠得到高清晰畫質(zhì)，但是比CMOS消耗更多的電。
如上所述，從側(cè)光發(fā)生部32照射的光線可經(jīng)過多個(gè)路徑，從側(cè)光發(fā)生 部32傳播的光線被突起向上反射(即與光線的傳播方向垂直的方向)，并被 成像鏡33及攝像裝置34接收。
如上所述，根據(jù)顯示在攝像裝置34 (CCD或者CMOS)上的圖像的大 小(即根據(jù)像素的個(gè)數(shù)或面積)的比例可檢測及計(jì)算異物的高度。
然后，參照圖3、圖4比較說明本發(fā)明的檢測裝置的原理。
圖3是本發(fā)明的檢測裝置中表示第一光線路徑的剖面圖，圖4是本發(fā)明 的檢測裝置中表示第二光線路徑的剖面圖。
如圖3所示，異物A的高度為hl時(shí)，從側(cè)光發(fā)生部32傳播的光線L， 即第一光線被異物A反射，其中，在與光線的傳播方向相垂直的方向，即向 上反射的光線L'通過成像鏡33聚焦到攝像裝置34 (CCD或CMOS)上。
晶圓10到突起的高度hl越高，反射到異物A的光線L'的量也就越多， 從而聚焦在攝像裝置34 (CCD或CMOS)上的圖像也更大更亮。另一方面，如圖4所示，異物A的高度為h2 (假設(shè)比hl小)時(shí)，即從 側(cè)光發(fā)生部32傳播的光線M即第二光線被突起反射，其中與光線的傳播方 向相垂直的方向即向上反射的光線M'通過成像鏡33聚焦在攝像裝置34上。
參照圖3和圖4，假設(shè)照射第一光線時(shí)(圖3)的異物A的高度hl大于 照射第二光線時(shí)(圖4)的異物A的高度h2，照射第一光線時(shí)被異物A反 射的光線比照射第二光線時(shí)被異物A反射的光線的量更多，因此，照射第一 光線時(shí)聚焦在攝像裝置34 (CCD或CMOS)上的圖像也更大更亮。
而且，假設(shè)異物A為半球形，異物A的高度與顯示在攝像裝置34 (CCD 或CMOS)上的圖像的大小(即像素的個(gè)數(shù))和亮度成正比。
如此，檢測裝置30利用向晶圓IO上方平行照射光線的側(cè)面照明裝置和 上部成像裝置，獲取晶圓10的表面圖像。
然后，詳細(xì)說明分析模塊40 (參照圖2)。分析模塊40用于分析顯示在 所述檢測裝置30的攝像裝置34上的圖像的微小表面凸起及異物的信息(即 有關(guān)位置、高度的信息)。而且，所述分析模塊40包括識別模塊41、譯碼模 塊42、判斷模塊43和傳送模塊44。
識別模塊41用于識別顯示在所述攝像裝置的圖像。
譯碼模塊42用于讀取所述識別模塊41識別的圖像的表面凸起及異物的 信息。此時(shí)，表面凸起及異物的信息為位置信息和高度信息，而所述位置信 息為從標(biāo)示在晶圓上的對齊點(diǎn)11計(jì)算的絕對坐標(biāo)。
判斷模塊43根據(jù)在譯碼模塊42讀取的異物的信息而判斷異物是否為修 復(fù)對象。此時(shí)，判斷模塊43按高度和大小儲存基準(zhǔn)數(shù)據(jù)，并被編程為其能 夠比較判斷基準(zhǔn)數(shù)據(jù)與讀取的異物的信息(特別是高度信息)，以決定異物 是否為修復(fù)對象。
傳送模塊44用于將在所述判斷模塊42被判定為修復(fù)對象的異物的信息 傳送到要后述的修復(fù)裝置50。然后，詳細(xì)說明修復(fù)裝置50。修復(fù)裝置50用于接收由分析模塊40判定 為修復(fù)對象的異物的信息，并修復(fù)該異物。修復(fù)裝置50包括接收模塊51和 激光部52。
接收模塊51用于接收從所述分析模塊40的傳送模塊44傳送的異物的
{百息。
激光部52被設(shè)置成根據(jù)從所述接收模塊51接收的異物信息中的位置信 息(即異物的絕對坐標(biāo))向該異物照射激光，以修復(fù)晶圓上的異物。
在本實(shí)施例中，激光部52設(shè)置在檢測裝置的一側(cè)，并由附加的移送裝 置移動從而向相應(yīng)異物照射激光，但激光部52也可配置在檢測裝置30的上 方，并根據(jù)接收到的異物信息照射激光。
下面，說明本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓的異物檢測修復(fù)系統(tǒng)對晶圓上異物的檢 測及修復(fù)方法。
圖5是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓上的異物檢測修復(fù)方法的流程圖。如圖 5所示，結(jié)束前期工序之后，晶圓被移送臂移送并以對準(zhǔn)狀態(tài)安裝在檢測裝 置的支承臺上(Sl)。
其次，如圖6所示，側(cè)光發(fā)生部向經(jīng)過對準(zhǔn)的晶圓10的上方平行照射 光線N (S2)，被照射的光線在平行傳播過程中被晶圓IO上的異物A反射， 從而與光線的傳播方向垂直的方向上(即向上反射)的光N'通過成像鏡聚焦 在攝像裝置(CCD或CMOS)上(S3)。
此時(shí)，從晶圓10到異物A的高度h越高，被異物A反射的光線N'的量 也就越多，因此，聚焦在攝像裝置(CCD或CMOS)上的圖像也就更亮， 與此相對應(yīng)的CCD或CMOS的像素個(gè)數(shù)也會增加。
然后，聚焦在攝像裝置上的圖像被分析模塊的識別模塊識別(S4)。被 識別的圖像在譯碼模塊上讀取，以生成表面凸起或異物的信息，即生成位置 信息和高度信息(S5)。之后把這一生成的信息與預(yù)先儲存在判斷模塊上的基準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，以判斷表面凸起或異物是不是修復(fù)對象(S6)。此時(shí)， 進(jìn)行比較的數(shù)據(jù)是高度信息。如果，被判定為修復(fù)對象的異物，即異物的信 息的值比基準(zhǔn)數(shù)據(jù)大，就會通過傳送模塊傳送該異物的信息(S7)。
修復(fù)裝置的接收模塊接收要修復(fù)的異物的信息(S8)，而激光部根據(jù)接 收到的信息，修復(fù)該異物(S8)。此時(shí)，接收到的信息中所使用的信息是位 置信息，即異物的絕對坐標(biāo)。因此，激光部將根據(jù)絕對坐標(biāo)修復(fù)該異物。 通過如上所述方法可檢測及修復(fù)半導(dǎo)體晶圓上的異物。 而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓的異物檢測及修復(fù)系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)在于，在EDS 工序之前利用側(cè)光能夠檢測出大于規(guī)定大小的異物，并修復(fù)異物，以防止制 造裝備的損耗，能夠節(jié)約制造費(fèi)用并改善該工序，并且還能使半導(dǎo)體芯片的 產(chǎn)率增多。
本發(fā)明并不僅限于上述實(shí)施例，而是在不脫離本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，可 以體現(xiàn)為多種形式的實(shí)施例。因此，在不脫離本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，本領(lǐng)域 普通技術(shù)人員所進(jìn)行的各種變更及替換均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
工業(yè)適用性
本發(fā)明提供一種晶圓上的異物的檢測修復(fù)系統(tǒng)，能達(dá)到節(jié)約制造費(fèi)用并 改善該工序的效果。
1權(quán)利要求
1、一種用于檢測和修復(fù)半導(dǎo)體晶圓上的異物的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括移送臂，用于移送晶圓；檢測裝置，該檢測裝置包括支承臺，該支承臺用于安置所述晶圓；側(cè)光發(fā)生部，位于所述支承臺的側(cè)面，用于以水平方向照射光線；成像鏡，位于所述支承臺的上方，用于接收從所述側(cè)光發(fā)生部照射并被所述異物反射的光；以及攝像裝置，位于所述成像鏡的上方，用于顯示所述成像鏡接收到的光的強(qiáng)度；分析模塊，用于分析由所述攝像裝置獲取的圖像并從該圖像中獲取關(guān)于所述異物的信息；以及修復(fù)裝置，用于接收由所述分析模塊分析的關(guān)于所述異物的信息，并修復(fù)所述異物。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，由所述分析模塊分析的關(guān)于所 述異物的信息為關(guān)于所述異物的位置信息和高度信息。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述分析模塊包括-識別模塊，用于識別由所述攝像裝置獲取的圖像；譯碼模塊，用于讀取由所述識別模塊識別的圖像，并生成關(guān)于所述異物 的信息；判斷模塊，用于根據(jù)由所述譯碼模塊讀取的關(guān)于所述異物的信息來判斷 所述異物是否需要被修復(fù)；以及傳送模塊，用于將關(guān)于目標(biāo)異物的信息傳送到所述修復(fù)裝置，所述目標(biāo) 異物為將要被修復(fù)的異物。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，由所述譯碼模塊讀取的關(guān)于所述異物的位置信息為根據(jù)標(biāo)記在所述晶圓上的對齊點(diǎn)計(jì)算的絕對坐標(biāo)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中，所述修復(fù)裝置包括接收模塊和 激光部，所述接收模塊用于從所述分析模塊接收關(guān)于所述目標(biāo)異物的信息， 所述激光部用于修復(fù)所述目標(biāo)異物。
6、 一種用于檢測和修復(fù)半導(dǎo)體晶圓上的異物的方法，該方法包括以下步驟移送并對準(zhǔn)半導(dǎo)體晶圓；從所對準(zhǔn)的晶圓的側(cè)表面照射光線，以獲取晶圓的表面圖像； 識別并讀取所述表面圖像以生成關(guān)于所述異物的位置信息和高度信息； 將關(guān)于所述異物的信息與基準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較以判斷所述異物是否需要 被修復(fù)；將關(guān)于目標(biāo)異物的信息傳送到修復(fù)裝置，所述目標(biāo)異物為將要被修復(fù)的 異物；以及修復(fù)所述目標(biāo)異物。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體晶圓的異物檢測和修復(fù)系統(tǒng)及其方法。該系統(tǒng)包括移送臂，用于移送并對準(zhǔn)晶圓；檢測裝置，其安置晶圓，用于獲取晶圓表面的圖像；分析模塊，用于分析出現(xiàn)在由所述檢測裝置獲取的圖像上的異物；以及修復(fù)裝置，用于根據(jù)所分析的異物信息修復(fù)異物。該方法包括以下步驟移送并對準(zhǔn)晶圓；向經(jīng)過對準(zhǔn)的晶圓照射光線以獲取晶圓的表面圖像；讀取表面圖像以生成異物信息(位置、高度、直徑)；將讀取的異物信息與基準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；將根據(jù)比較結(jié)果被判定為修復(fù)對象的異物的信息傳送到修復(fù)裝置；根據(jù)接收到的異物信息修復(fù)該異物。通過本發(fā)明的簡單的結(jié)構(gòu)檢測及修復(fù)晶圓上的異物，能夠節(jié)約費(fèi)用，防止制造裝備損耗，并提高半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)率。
文檔編號H01L21/66GK101657893SQ200880009848
公開日2010年2月24日 申請日期2008年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月25日
發(fā)明者樸喜載, 李日煥, 申興鉉 申請人:株式會社Snu精密