專(zhuān)利名稱(chēng)：：氮化硅膜和非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及作為非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層有用的氮化硅膜和非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)在，作為以能夠進(jìn)行電改寫(xiě)動(dòng)作的EEPROM(ElectricallyErasableandProgrammableROM)等為代表的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，存在被稱(chēng)為SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型或MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型的具有層疊結(jié)構(gòu)的器件。在這些類(lèi)型的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，將被二氧化硅膜(Oxide)夾著的氮化硅膜(Nitride)作為電荷蓄積層進(jìn)行信息的保持。即，在上述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，通過(guò)向半導(dǎo)體基板(Silicon)和控制柵極電極(Silicon或者M(jìn)etal)之間施加電壓，向作為電荷蓄積層的氮化硅膜注入電子來(lái)保存數(shù)據(jù)，或除去蓄積在氮化硅膜中的電子來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的保存和擦除這樣的改寫(xiě)。作為涉及非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層的技術(shù)，在曰本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)公報(bào)特開(kāi)平5-145078號(hào)中記載有為了增加氮化硅膜和頂部氧化膜的界面的陷阱密度，在這些膜的中間部分設(shè)置含有大量Si的遷移層。伴隨著近年的半導(dǎo)體器件的高集成化，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的元件結(jié)構(gòu)也急速地微細(xì)化。為使非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件微細(xì)化，需要在各個(gè)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中提高作為電荷蓄積層的氮化硅膜的電荷蓄積能力，提高數(shù)據(jù)保持性能。該氮化硅膜的電荷蓄積能力與膜中的作為電荷捕獲中心的陷阱的密度存在關(guān)系。所以，可以認(rèn)為，作為提高非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)保持性能的一種方法，將陷阱密度大的氮化硅膜作為電荷蓄積層使用是有效的。但是，以往不能夠測(cè)定氮化硅膜中的陷阱的密度和分布。因此，作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層形成具有什么程度的陷阱密度的氮化硅膜為好、或者應(yīng)該形成具有什么樣的陷阱密度的分布的氮化硅膜，關(guān)于此未得到明確的方向性。另外，事實(shí)上不能在氮化硅膜的制造過(guò)程中控制膜中的陷阱的密度和分布。例如，在日本特開(kāi)平5-145078號(hào)記載的技術(shù)中，因?yàn)椴荒苤苯涌刂频枘さ南葳迕芏龋栽诘枘づc頂部氧化膜之間設(shè)置有遷移層。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于相關(guān)問(wèn)題點(diǎn)而研發(fā)的，其目的在于提供一種作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層有用且具有優(yōu)良的電荷蓄積能力的氮化硅膜。根據(jù)本發(fā)明的第一觀(guān)點(diǎn)，提供一種作為非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層使用的氮化硅膜，其特征在于膜中的陷阱的面密度在5xl0"lxl0^m-2eV"的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的第二觀(guān)點(diǎn)，提供一種作為非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層使用的氮化硅膜，其特征在于在與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)哪芰课恢玫南葳宓捏w積密度在膜的厚度方向上在lxl0175xl017cm—3eV—1的范圍內(nèi)分布。本發(fā)明的氮化硅膜也可以含有氧。根據(jù)本發(fā)明的第三觀(guān)點(diǎn)，提供一種作為非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件使用的氮化硅膜，其特征在于通過(guò)等離子體CVD法形成，該等離子體CVD法向等離子體處理裝置的處理室內(nèi)導(dǎo)入含有含氮化合物和含硅化合物的原料氣體，通過(guò)具有多個(gè)狹縫的平面天線(xiàn)向上述處理室內(nèi)導(dǎo)入微波而產(chǎn)生上述原料氣體的等離子體，通過(guò)上述等離子體在被處理體上淀積氮化硅膜。在本發(fā)明的第三觀(guān)點(diǎn)的氮化硅膜中，優(yōu)選上述等離子體CVD法分別使用氨氣作為上述含氮化合物、使用乙硅烷(disilane)作為上述含硅化合物，上述氨氣與上述乙硅垸的流量比(氨氣流量/乙硅烷流量)在0.1~1000的范圍內(nèi)，處理壓力在l~1333Pa的范圍內(nèi)，處理溫度在30080(TC的范圍內(nèi)。本發(fā)明的第三觀(guān)點(diǎn)的氮化硅膜也可以通過(guò)在形成被處理體的表面上形成二氧化硅膜后實(shí)行上述等離子體CVD法而形成。5本發(fā)明的第三觀(guān)點(diǎn)的氮化硅膜也可以是，其膜中的陷阱密度作為面密度在5xl0"lxl0m^eV1的范圍內(nèi)。本發(fā)明的第三觀(guān)點(diǎn)的氮化硅膜也可以是，膜中的陷阱密度作為在與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)哪芰课恢蒙系捏w積密度，在膜的厚度方向上在lxlO"5xlO"cm—3eV'1的范圍內(nèi)分布。根據(jù)本發(fā)明的第四的觀(guān)點(diǎn)，提供一種在半導(dǎo)體層和柵極電極之間具備一層或者多層的電荷蓄積層的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于作為上述電荷蓄積層的至少一層具備氮化硅膜，上述氮化硅膜的膜中的陷阱密度，作為面密度在5xl(TlxlO"cm、V"的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的第五的觀(guān)點(diǎn)，提供一種在半導(dǎo)體層和柵極電極之間具備一層或者多層的電荷蓄積層的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于作為上述電荷存儲(chǔ)器件層的至少一層具備氮化硅，上述氮化硅膜的膜中的陷阱密度，作為與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)哪芰课恢蒙系捏w積密度，在膜的厚度方向上在lxlO"5xl(^cn^eV1的范圍內(nèi)分布。本發(fā)明的氮化硅膜具有優(yōu)良的電荷蓄積能力，所以通過(guò)用作非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層，能夠改善半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)保持性能。圖1是表示使用本發(fā)明的氮化硅膜的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的概略結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。圖2是表示適用于本發(fā)明的氮化硅膜形成的等離子體處理裝置的一例的概略剖視圖。圖3是表示控制部的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。圖4是表示氮化硅膜(膜厚3nm)的PYS測(cè)定結(jié)果的圖表。圖5是表示氮化硅膜(膜厚10nm)的PYS測(cè)定結(jié)果的圖表。圖6是表示氮化硅膜和氫終端Si(100)面的PYS測(cè)定結(jié)果的圖表。圖7是表示氮化硅膜的電子占有缺陷密度的深度方向分布的圖表。圖8是表示氮化硅膜的XPS分析結(jié)果的圖表。6圖9是表示試驗(yàn)分區(qū)I和J的氮化硅膜的電子占有缺陷密度的深度方向分布的圖表。圖10是表示試驗(yàn)分區(qū)I的氮化硅膜的XPS分析結(jié)果的圖表。圖11是表示試驗(yàn)分區(qū)J的氮化硅膜的XPS分析結(jié)果的圖表。具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，以將本發(fā)明的氮化硅膜作為電荷蓄積層使用的n溝道型非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件為例進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件200的剖面結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件200，例如具有在p型的硅基板(Si基板)201上從該Si基板201側(cè)依次形成有隧道氧化膜205、氮化硅膜207、二氧化硅膜209和電極211的元件構(gòu)造G。隧道氧化膜205是，例如具有0.1~10nm左右的膜厚的SiOj莫或者SiON膜。氮化硅膜207是作為電荷蓄積層起作用的膜，例如由l~50nm左右的膜厚的SiN膜或者SiON膜構(gòu)成。作為該氮化硅膜207，使用在膜的厚度方向上具有大致均等的陷阱密度分布的本發(fā)明的氮化硅膜。此外，作為電荷蓄積層，也可以設(shè)置兩層以上的氮化硅膜。二氧化硅膜209是例如由CVD(ChemicalVaporDeposition;化學(xué)氣相淀積)法成膜的Si02膜，作為電極211與氮化硅膜207之間的停止層(阻擋層)起作用。二氧化硅膜209例如具有0.150nm左右的膜厚。電極211例如由用CVD法成膜的多結(jié)晶硅膜構(gòu)成，作為控制柵(CG)起作用。另外，電極211也可以是含有例如鉤、鈦、鉭、銅、鋁、金等金屬的膜。電極211例如具有0.150nm左右的膜厚。電極211，不限于單層，為了降低電極211的電阻率并高速化，也可以制為含有例如鎢、鉬、鉭、鈦、它們的硅化物、氮化物、合金等、以及銅、鋁的層疊結(jié)構(gòu)。該電極211連接在未圖示的布線(xiàn)層上。此外，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件200也可以形成在半導(dǎo)體基板內(nèi)的p阱或p型硅層上。在Si基板201的表面形成有元件分離膜203。通過(guò)元件分離膜203，劃分形成非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件200的有源區(qū)域A。在Si基板201中的元件構(gòu)造G的周?chē)鷧^(qū)域中，形成有源極區(qū)域212以及漏極區(qū)域214。在有源區(qū)域A內(nèi)，源極區(qū)域212和漏極區(qū)域214間夾著的部分成為非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件200的溝道形成區(qū)域216。在元件構(gòu)造G的兩側(cè)部形成有側(cè)壁218。對(duì)以上這樣的構(gòu)造的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件200的動(dòng)作例進(jìn)行說(shuō)明。首先，在數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)，以Si基板201的電位為基準(zhǔn)，將源極區(qū)域212以及漏極區(qū)域214保持為0V，向電極211施加規(guī)定的正電壓。此時(shí)，在溝道形成區(qū)域216蓄積電子而形成反轉(zhuǎn)層，該反轉(zhuǎn)層內(nèi)的電子的一部分因隧道效應(yīng)，通過(guò)隧道氧化膜205移動(dòng)到氮化硅膜207。移動(dòng)到氮化硅膜207的電子被在氮化硅膜207內(nèi)形成的作為電荷捕獲中心的陷阱捕獲，從而進(jìn)行數(shù)據(jù)的蓄積。數(shù)據(jù)讀出時(shí)，以Si基板201的電位為基準(zhǔn)，對(duì)源極區(qū)域212或者漏極區(qū)域214中的任意一方施加0V的電壓，向另一方施加規(guī)定的電壓。進(jìn)一步，也向電極211施加規(guī)定的電壓。通過(guò)這樣施加電壓，與蓄積在氮化硅膜207內(nèi)的電子的有無(wú)、所蓄積電子的數(shù)量相對(duì)應(yīng)，溝道的電流量、漏極電壓發(fā)生變化。所以，通過(guò)檢測(cè)該溝道電流或者漏極電壓的變化，能夠?qū)⒋鎯?chǔ)數(shù)據(jù)讀出到外部。數(shù)據(jù)擦除時(shí)，以Si基板201的電位為基準(zhǔn)，對(duì)源極區(qū)域212以及漏極區(qū)域214雙方施加0V的電壓，對(duì)電極211施加規(guī)定大小的負(fù)電壓。通過(guò)這樣施加電壓，在氮化硅膜207內(nèi)保持的電子通過(guò)隧道氧化膜205被引至溝道形成區(qū)域216。由此，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件200回到氮化硅膜207內(nèi)的電子蓄積量低的擦除狀態(tài)。在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件200中，作為氮化硅膜207，使用具有在膜的厚度方向上大致均等的陷阱密度分布的本發(fā)明的氮化硅膜，由此能得到優(yōu)異的數(shù)據(jù)保持性能。此外，本發(fā)明的氮化硅膜，不限于圖1所示那樣的n溝道型的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，在p溝道型的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，也能夠作為電荷蓄積層使用。圖2是示意性地表示在本實(shí)施方式中可用于形成氮化硅膜207的等離子體處理裝置100的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。另外，圖3是表示圖2的等離子體處理裝置100的控制部的結(jié)構(gòu)例的圖。等離子體處理裝置100，被構(gòu)成為RLSA(RadialLineSlotAntenna;徑向線(xiàn)狹縫天線(xiàn))微波等離子體處理裝置，其通過(guò)具有多個(gè)狹縫形孔的平面天線(xiàn)、尤其是RLSA向處理室內(nèi)導(dǎo)入微波而產(chǎn)生等離子體，由此能夠產(chǎn)生高密度且低電子溫度的微波激勵(lì)等離子體，該RLSA微波等離子體處理裝置能夠利用lxl01Q~5xl012/cm3的等離子體密度、且0.72eV的低電子溫度的等離子體進(jìn)行處理。所以，能夠適用于在各種半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中利用高密度的等離子體CVD進(jìn)行的無(wú)損傷的氮化硅膜的成膜處理等。等離子體處理裝置100作為主要的結(jié)構(gòu)具備氣密地構(gòu)成的腔室(處理室)1、向腔室1內(nèi)供給氣體的氣體供給機(jī)構(gòu)18;作為用于將腔室1內(nèi)減壓排氣的排氣機(jī)構(gòu)的排氣裝置24;設(shè)置于腔室1的上部、向腔室l內(nèi)導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入機(jī)構(gòu)27;和控制這些等離子體處理裝置100的各結(jié)構(gòu)部的控制部50。腔室1由接地的大致圓筒形的容器形成。此外，腔室1也可以由角筒形狀的容器形成。腔室1具有由鋁等的材質(zhì)構(gòu)成的底壁la和側(cè)壁lb。在腔室l的內(nèi)部設(shè)置有用于水平地支承作為被處理體的硅晶片(以下，僅記為"晶片")W的載置臺(tái)2。載置臺(tái)2由熱傳導(dǎo)性高的材質(zhì)例如A1N等的陶瓷構(gòu)成。該載置臺(tái)2由從排氣室11的底部中央向上方延伸的圓筒狀的支承部件3支承。支承部件3，例如由A1N等的陶瓷構(gòu)成。在載置臺(tái)2上設(shè)置有遮住其外緣部的用于引導(dǎo)晶片W的覆蓋物4。在載置臺(tái)2上，埋入有作為溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的電阻加熱型的加熱器5。該加熱器5通過(guò)從加熱器電源5a供電來(lái)加熱載置臺(tái)2，用此熱量將作為被處理基板的晶片W均勻地加熱。在載置臺(tái)2上，配備有熱電偶(TC)6。通過(guò)由該熱電偶6進(jìn)行溫度計(jì)測(cè)，能夠?qū)⒕琖的加熱溫度控制在例如從室溫到90(TC的范圍。在載置臺(tái)2上，具有用于支承晶片W而使其升降的晶片支承銷(xiāo)(未圖示)。各晶片支承銷(xiāo)被設(shè)置為能夠相對(duì)于載置臺(tái)2的表面伸出縮入。在腔室1的底壁la的大致中央部形成有圓形的開(kāi)口部10。在底壁la上設(shè)有與此開(kāi)口部10連通并向下方突出的排氣室11。在該排氣室11上連接有排氣管12，通過(guò)該排氣管12連接在排氣裝置24上。在腔室1中，氣體導(dǎo)入部14和15設(shè)置為上下2段。各氣體導(dǎo)入部14和15與供給成膜原料氣體和等離子體激勵(lì)用氣體的氣體供給機(jī)構(gòu)18連接。此外，氣體導(dǎo)入部14和15也可以設(shè)置為噴嘴狀或者噴淋頭狀。另外，在腔室1的側(cè)壁lb上，在等離子體處理裝置100和與之相鄰的搬出室(未圖示)之間設(shè)置有用于進(jìn)行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口16和開(kāi)閉該搬入搬出口16的閘閥17。氣體供給機(jī)構(gòu)18包括例如含氮?dú)怏w(含N氣體)供給源19a;含硅氣體(含Si氣體)供給源1%和不活潑氣體供給源19c。含氮?dú)怏w供給源19a連接在上段的氣體導(dǎo)入部14上。另外，含硅氣體供給源19b和不活潑氣體供給源19c連接在下段的氣體導(dǎo)入部15上。另外，氣體供給機(jī)構(gòu)18作為上述以外的未圖示的氣體供給源也可以包括例如置換腔室內(nèi)氣氛時(shí)使用的吹掃氣體供給源、清潔腔室1內(nèi)時(shí)使用的清潔氣體供給源等。作為成膜原料氣體的含氮?dú)怏w，能夠使用例如氮?dú)?N2)、氨氣(NH3)、MMH(單甲基肼)等的肼衍生物等。另外，作為其他的成膜原料氣體的含硅氣體，能夠使用例如甲硅垸(SiH4)、乙硅垸(Si2H6)，TSA(三甲硅烷基胺)等。其中，特別優(yōu)選乙硅垸(Si2H6)。進(jìn)一步，作為不活潑氣體，能夠使用例如N2氣、稀有氣體等。稀有氣體是等離子體激勵(lì)用氣體，能夠使用例如Ar氣、Kr氣、Xe氣、He氣等。含氮?dú)怏w從氣體供給機(jī)構(gòu)18的含氮?dú)怏w供給源19a經(jīng)由氣體管線(xiàn)20到達(dá)氣體導(dǎo)入部14，從氣體導(dǎo)入部14導(dǎo)入到腔室1內(nèi)。另一方面，含硅氣體和不活潑氣體，從含硅氣體供給源19b和不活潑氣體供給源19c分別經(jīng)由氣體管線(xiàn)20到達(dá)氣體導(dǎo)入部15，被從氣體導(dǎo)入部15導(dǎo)入到腔室l內(nèi)。在連接于各氣體供給源的各個(gè)氣體管線(xiàn)20上，設(shè)置有質(zhì)量流量控制器21和其前后的開(kāi)關(guān)閥22。通過(guò)這樣的氣體供給機(jī)構(gòu)18的結(jié)構(gòu)能夠控制被供給氣體的切換、流量等。此外，Ar等的等離子體激勵(lì)用的稀有氣體是任意的氣體，未必要與成膜原料氣體同時(shí)供給。作為排氣機(jī)構(gòu)的排氣裝置24，具備渦輪分子泵等的高速真空泵。如上所述，排氣裝置24經(jīng)由排氣管12連接在腔室1的排氣室11上。通過(guò)使該排氣裝置24動(dòng)作，腔室1內(nèi)的氣體被從排氣室11的空間lla經(jīng)由排氣管12向外部排出。由此，能夠?qū)⑶皇襩內(nèi)高速減壓到規(guī)定的真空程，例如0.133Pa。接著，對(duì)微波導(dǎo)入機(jī)構(gòu)27的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。微波導(dǎo)入機(jī)構(gòu)27，作為主要結(jié)構(gòu)，具有透過(guò)板28、平面天線(xiàn)31、滯波件33、屏蔽蓋體34、波導(dǎo)管37以及微波發(fā)生裝置39。透過(guò)微波的透過(guò)板28配備在支承部13上。透過(guò)板28由電介質(zhì)，例如石英構(gòu)成。該透過(guò)板28與支承部13之間通過(guò)密封部件29被氣密地密封。因此，腔室1內(nèi)被保持為氣密。在透過(guò)板28的上方，與載置臺(tái)2相對(duì)地設(shè)置平面天線(xiàn)31。該平面天線(xiàn)31卡止在支承部13的上端。平面天線(xiàn)31，具有放射微波的多個(gè)狹縫狀的微波放射孔32。微波放射孔32，以規(guī)定的圖案貫通平面天線(xiàn)31而形成。在平面天線(xiàn)31的上表面設(shè)置有具有比真空大的介電常數(shù)的滯波件33。在腔室1的上部，以覆蓋這些平面天線(xiàn)31和滯波件33的方式設(shè)置導(dǎo)電性的蓋34。蓋34由例如鋁、不銹鋼等金屬材料形成。支承部13的上端和蓋34被密封部件35密封。在蓋34的內(nèi)部形成有冷卻水流路34a。通過(guò)使冷卻水在此冷卻水流路34a流通，能夠冷卻蓋34、滯波件33、平面天線(xiàn)31以及透過(guò)板28。另外，蓋34被接地。在蓋34的上壁(頂棚部)的中央形成有開(kāi)口部36，在該開(kāi)口部36上連接著波導(dǎo)管37。波導(dǎo)管37的另一端側(cè)通過(guò)匹配電路38與產(chǎn)生微波的微波發(fā)生裝置39連接。波導(dǎo)管37具有從蓋34的開(kāi)口部36向上方延伸出來(lái)的截面圓形的同軸波導(dǎo)管37a;通過(guò)將TE模式轉(zhuǎn)換為T(mén)EM模式的模式轉(zhuǎn)換器(未圖示)連接在同軸波導(dǎo)管37a的上端部的矩形波導(dǎo)管37b。內(nèi)導(dǎo)體41在同軸波導(dǎo)管37a的中心延伸。微波經(jīng)由同軸波導(dǎo)管37a，向由蓋34和平面天線(xiàn)31形成的扁平波導(dǎo)管呈放射狀高效且均勻地傳播。通過(guò)以上這樣的結(jié)構(gòu)的微波導(dǎo)入機(jī)構(gòu)27，將在微波發(fā)生裝置39中產(chǎn)生的微波經(jīng)由波導(dǎo)管37向平面天線(xiàn)31傳輸，進(jìn)而經(jīng)由透過(guò)板28導(dǎo)入到腔室1內(nèi)。此外，作為微波的頻率，能夠使用例如2.45GHz，此外也可以使用8.35GHz、1.98GHz等。等離子體處理裝置100的各結(jié)構(gòu)部，連接在控制部50上而被控制。如圖3所示，控制部50具備具有CPU的過(guò)程控制器51、連接在該過(guò)程控制器51上的用戶(hù)界面52和存儲(chǔ)部53。過(guò)程控制器51是在等離子體處理裝置100中對(duì)與壓力、溫度、氣體流量等的過(guò)程條件有關(guān)系的各結(jié)構(gòu)部(例如，加熱器電源5a、氣體供給機(jī)構(gòu)18、排氣裝置24、微波發(fā)生裝置39等)進(jìn)行總括控制的控制機(jī)構(gòu)。為了工程管理者管理等離子體處理裝置100，用戶(hù)界面52具有進(jìn)行指令的輸入操作等的鍵盤(pán)、使等離子體處理裝置100的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況可視化進(jìn)行顯示的顯示器等。在存儲(chǔ)部53中保存有記錄控制程序(軟件)、處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等的方案(recipe)，該控制程序用于利用過(guò)程控制器51的控制實(shí)現(xiàn)在等離子體處理裝置100中實(shí)行的各種處理。然后，根據(jù)需要，利用來(lái)自用戶(hù)界面52的指示等從存儲(chǔ)部53調(diào)出任意的方案(recipe)并由過(guò)程控制器51實(shí)行，由此在過(guò)程控制器51的控制下，在等離子體處理裝置100中進(jìn)行希望的處理。另外，上述控制程序、處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等方案也能夠利用被存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)例如CD-ROM、硬盤(pán)、軟盤(pán)、閃存、藍(lán)光光盤(pán)等中的狀態(tài)下的方案，或者，從其它裝置例如通過(guò)專(zhuān)用回線(xiàn)隨時(shí)傳送并在線(xiàn)利用。在這樣構(gòu)成的等離子體處理裝置100中，能夠在800。C以下的低溫下向基底膜等進(jìn)行無(wú)損傷的CVD處理。另外，由于等離子體處理裝置100具有優(yōu)良的等離子體均勻性，因此能夠?qū)崿F(xiàn)過(guò)程的均勻性。在RLSA方式的等離子體處理裝置100中，能夠按以下的順序通過(guò)等離子體CVD法進(jìn)行在晶片W表面使氮化硅淀積的處理。首先，打開(kāi)閘閥17從搬入搬出口16將晶片W搬入到腔室1內(nèi)并載置在載置臺(tái)2上。接著，將腔室1內(nèi)減壓排氣，同時(shí)從氣體供給機(jī)構(gòu)18的含氮?dú)怏w供給源19a和含硅氣體供給源1%以規(guī)定的流量將含氮?dú)怏w和含硅氣體分別通過(guò)氣體導(dǎo)入部14、15導(dǎo)入到腔室1內(nèi)。這樣，將腔室1內(nèi)調(diào)節(jié)到規(guī)定的壓力。接著，將在微波發(fā)生裝置39中產(chǎn)生的規(guī)定頻率例如2.45GHz的微波通過(guò)匹配電路38向波導(dǎo)管37導(dǎo)入。依次通過(guò)矩形波導(dǎo)管37b、未圖示的模式變換器和同軸波導(dǎo)管37a，通過(guò)內(nèi)導(dǎo)體41向平面天線(xiàn)31供給被導(dǎo)入到波導(dǎo)管37的微波。然后，使微波從平面天線(xiàn)31的狹縫狀的12微波放射孔32通過(guò)透過(guò)板28放射到位于腔室1內(nèi)的晶片W的上方空間。此時(shí)的微波輸出，作為平面天線(xiàn)板31的每lcr^的面積的功率密度，優(yōu)選0.41W/cn^4.19W/cm2。雖然因晶片W的大小而不同，但也可以從例如5005000W左右的微波輸出進(jìn)行選擇以成為上述范圍內(nèi)的功率密度。通過(guò)從平面天線(xiàn)31經(jīng)過(guò)透過(guò)板28放射到腔室1的微波，在腔室1內(nèi)形成電磁場(chǎng)，含氮?dú)怏w、含硅氣體分別等離子化。該微波激勵(lì)等離子體，通過(guò)微波從平面天線(xiàn)31的多個(gè)微波放射孔32放射出來(lái)，以大致lX101Q~5xl012/Cm3的高密度在晶片W的附近成為大致1.5eV以下的低電子溫度等離子體。這樣形成的微波激勵(lì)高密度等離子體對(duì)基底膜的等離子體損傷少。并且，在高密度等離子體中，原料氣體進(jìn)行離解，并通過(guò)SipHq、SiHq、NHq、N(這里，p、q是任意的數(shù))等的活性種的反應(yīng)，淀積氮化硅SixNy或氮氧化硅SixOzNy(這里，x、y、z未必取決于化學(xué)計(jì)算法，是根據(jù)條件而取不同的值的任意數(shù))的薄膜。在本發(fā)明中，通過(guò)選定使用等離子體處理裝置100的等離子體CVD的條件，能夠?qū)⒊赡さ牡枘さ南葳迕芏瓤刂圃谙Ｍ拇笮　＠?，在形成陷阱密度?例如，陷阱密度的面密度在5xlO"lxlO'3cm-2eV"的范圍內(nèi)，優(yōu)選在lxlO"lxlOm-2eV1的范圍內(nèi))的氮化硅膜的情況下，作為含氮?dú)怏w，優(yōu)選使用NH3氣體，作為含硅氣體優(yōu)選使用SbH6氣體。此時(shí)，優(yōu)選NH3氣體和Si2H6氣體的流量比(NH3氣體/Si2H6氣體)在0.1-1000的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在10-300的范圍內(nèi)。具體地，將NH3氣體的流量設(shè)定在10~5000mL/min(sccm)的范圍內(nèi)，優(yōu)選100~1000mL/min(sccm)的范圍內(nèi)，將S"H6氣體的流量設(shè)定在1~100mL/min(sccm)的范圍內(nèi)，優(yōu)選在5~20mL/min(sccm)的范圍內(nèi)，以成為上述流量比。另外，優(yōu)選處理壓力為l-1333Pa，更為優(yōu)選50650Pa。進(jìn)一步，優(yōu)選微波的功率密度在平面天線(xiàn)板31的每1cn^的面積上為0.41-4.19W/cn^的范圍內(nèi)。以在這樣的條件范圍內(nèi)能夠精度良好地控制膜中的缺陷量。在上述情況下，等離子體CVD的處理溫度中，優(yōu)選將載置臺(tái)2的溫度加熱到30(TC以上80(TC以下，更優(yōu)選40060(TC。進(jìn)一步，從形成膜厚均勻且膜質(zhì)優(yōu)良的氮化硅膜的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選將位于等離子體處理裝置100的間隙(從透過(guò)板28的下表面到載置臺(tái)2的上表面的間隔)G設(shè)定在例如50~500mm左右。另外，使用等離子體處理裝置100在上述條件下實(shí)施等離子體CVD，由此能夠形成具有在膜的厚度方向上大致均等的陷阱密度的分布的氮化硅膜。§卩，例如在與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)哪芰课恢蒙系南葳宓捏w積密度在膜的厚度方向上在lxl0175xlOmV1的范圍分布，優(yōu)選在從與基底硅層之間的界面向表面?zhèn)群穸葹閘nm到3nm的范圍，上述陷阱的體積密度在lxl0172xlO"cnVVv'的范圍分布，具有高電荷蓄積密度。在實(shí)用上，氮化硅膜的厚度能夠?yàn)槔鏻nm20nm。此外，通過(guò)對(duì)上述陷阱的體積密度取2/3次冪，能夠換算成面密度。另外，在以使用等離子體處理裝置100的等離子體CVD形成氮化硅膜的情況下，通過(guò)在二氧化硅膜(Si02膜)上使氮化硅膜淀積，能夠進(jìn)一步增大氮化硅膜的陷阱密度。因此，在本實(shí)施方式中，在基底硅層為例如由單結(jié)晶硅形成的硅基板或多晶硅層的情況下，優(yōu)選在基底硅層的表面預(yù)先形成Si02的薄膜。在此情況下，Si02的薄膜可以是自然氧化膜，還可以是熱氧化膜、等離子體氧化膜。進(jìn)一步，也可以用例如HPM(鹽酸過(guò)氧化氫水)、SPM(硫酸過(guò)氧化氫水)等具有氧化作用的藥劑對(duì)Si表面進(jìn)行化學(xué)處理，從而形成化學(xué)氧化膜(化學(xué)氧化物)。優(yōu)選在基底硅層的表面上預(yù)先形成的Si02薄膜的膜厚為例如O.l-lOnm，更為優(yōu)選0.13nm。根據(jù)本實(shí)施方式的氮化硅膜的形成方法成膜的氮化硅膜的陷阱密度，能夠利用例如光電子收獲率分光法(PhotoemissionYieldSpectroscopy:PYS)來(lái)把握。PYS是向試樣(氮化硅膜)照射一定能量的光，將通過(guò)光電效應(yīng)放出的光電子的全部放出光電子量作為入射光的能量的函數(shù)來(lái)測(cè)定的方法。通過(guò)該P(yáng)YS測(cè)定，能夠不破壞氮化硅膜以及氮化硅膜和硅層之間的界面的缺陷能級(jí)密度分布且高靈敏度地對(duì)其進(jìn)行測(cè)量。用PYS測(cè)定的光電子收獲率，與電子占有狀態(tài)密度分布的能量積分相當(dāng)，因此通過(guò)S.Miyazaki等的方法[Microelectron.Eng.48(1999)63.]，由微分PYS光譜能夠求出缺陷能級(jí)密度分布。接著，對(duì)確認(rèn)了本發(fā)明的效果的試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說(shuō)明。使用等離子體處理裝置100，在p型硅基板(10Q*cm)上，改變條件形成氮化硅<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>在表1中表示的前處理的內(nèi)容如下〈DHF處理>在等離子體CVD的成膜之前，用1%稀氫氟酸溶液處理硅基板的表面，除去自然氧化膜。<HPM處理>在等離子體CVD的成膜之前，在用1%稀氫氟酸溶液處理硅基板的表面而除去自然氧化膜之后，用10%HPM(鹽酸過(guò)氧化氫水)處理從而在硅基板的表面上形成作為化學(xué)氧化膜(化學(xué)氧化物)的Si02層。圖4以及圖5中表示PYS測(cè)定的結(jié)果。圖4是氮化硅膜的膜厚為3nm的結(jié)果，圖5是氮化硅膜的膜厚為10nm的結(jié)果。與作為原料氣體使用氮和乙硅烷并在7.6Pa的處理壓力的等離子體CVD條件1下形成的氮化硅膜(試驗(yàn)分區(qū)A、B、C、D)相比，作為原料氣體使用氨氣和乙硅烷并在126Pa的處理壓力的等離子體CVD條件2下形成的氮化硅膜(試驗(yàn)分區(qū)E、F、G、H)的光電子收獲率大，表明了陷阱密度高。另外，對(duì)于因等離子體CVD條件的不同而導(dǎo)致的缺陷能級(jí)密度的差，在3nm的情況(試驗(yàn)分區(qū)A、B、E、F)下比氮化硅膜的膜厚為10nm的情況(試驗(yàn)分區(qū)C、D、G、H)表現(xiàn)得顯著。并且，如圖4所示，比較氮化膜的膜厚為3nm的試驗(yàn)分區(qū)E和F，即使等離子體CVD條件相同，通過(guò)作為前處理進(jìn)行HPM處理，在硅基板的表面上預(yù)先形成化學(xué)氧化物Si02層，由此也能夠得到具有大的缺陷能級(jí)密度的氮化硅膜。接著，對(duì)于使用等離子體處理裝置100的以等離子體CVD形成的氮化硅膜，將化學(xué)組成分布和缺陷能級(jí)密度分布定量，研究了兩者的相互關(guān)系。在經(jīng)過(guò)DHF處理的p型硅基板(10Q，cm)的Si(100)面上，在進(jìn)行HPM處理而形成化學(xué)氧化物Si02層之后，在溫度40(TC下，將厚度11.4nm的氮化硅膜成膜。等離子體CVD條件如下-<等離子體CVD條件3:NH3/Si2H6氣體類(lèi)>NH3氣體流量800mL/min(sccm)8諷氣體流量16mL/min(sccm)流量比(NH3/Si2H6):50處理壓力126Pa載置臺(tái)2的溫度400°C16微波功率2000W(功率密度為1.67W/cm2(平面天線(xiàn)板31的每lcr^的面積))用稀氫氟酸對(duì)已形成的氮化硅膜進(jìn)行蝕刻處理而薄膜化，在各蝕刻過(guò)程中，進(jìn)行了PYS測(cè)定和X射線(xiàn)光電子分光(XPS)測(cè)定。在圖6中表示對(duì)制造的氮化硅膜[SiNx/Si(100)]和蝕刻60秒后的氫終端Si(100)[H-p+Si(100)]進(jìn)行了PYS測(cè)定的結(jié)果。由圖6表示，在氮化硅膜[SiNx/Si(100)]的與Si帶隙相當(dāng)?shù)哪芰繀^(qū)域中存在電子占有缺陷(陷阱)，因此在比Si價(jià)電子帶上端(Ev)低的能量區(qū)域(<5.15eV)中，來(lái)自氮化硅膜的光電子收獲率與氫終端Si(100)相比明顯大。另外，圖7表示由各蝕刻過(guò)程中的光電子收獲率的變化量估計(jì)電子占有缺陷的深度方向分布的結(jié)果。如圖7所示，可以看出，比Si價(jià)電子帶上端(Ev)小0.28eV的能量位置(E-Ev=0.28eV)的電子占有缺陷密度(陷阱密度)，在Si基板界面附近最大(~6.0xlO'8cm'3eV—])，在距離Si基板界面4nm左右的區(qū)域中最小(~3.2xl017cm'3eV1)。另外，在與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)哪芰课恢?EEv=0.56eV)上，Si界面附近的電子占有缺陷密度顯著地減少，另一方面，在氮化硅膜中，可得到與價(jià)電子帶側(cè)同樣的電子占有缺陷密度分布。圖8表示通過(guò)XPS分析測(cè)定的氮化硅膜的化學(xué)組成分布。在圖8中，可知在氮化硅膜的表面附近的區(qū)域和距離Si基板界面厚度大約3nm以?xún)?nèi)的區(qū)域中，氧原子向氮化硅膜中顯著地?cái)U(kuò)散、混入。可以認(rèn)為，表面?zhèn)鹊难趸鹨蛴谧匀谎趸琒i基板界面?zhèn)鹊难趸鹨蛴诨瘜W(xué)氧化物Si02層和氮化硅膜的界面反應(yīng)。將圖7中的與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)哪芰课恢?E-Ev=0.56eV)的結(jié)果，與圖8所示的由XPS測(cè)定的氮化硅膜的化學(xué)組成分布相比較，可以明了，在距離Si基板界面約2nm附近電子占有缺陷局部地增大的區(qū)域與化學(xué)氧化物Si02層和氮化硅膜的界面附近相當(dāng)。以上的內(nèi)容顯示，使用等離子體處理裝置100，在通過(guò)等離子體CVD條件3成膜的氮化硅膜中，在擴(kuò)散、混入有氧原子的化學(xué)氧化物Si02層和氮化硅膜的界面附近，膜中的電子占有缺陷密度顯著增大。接著，圖9表示對(duì)使用等離子體處理裝置100并且在不同條件下成膜的2種氮化硅膜(試驗(yàn)分區(qū)I以及J)，對(duì)與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)亩确较蚍植歼M(jìn)行比較的結(jié)果。另外，在圖10以及圖11中表示通過(guò)XPS分析對(duì)試驗(yàn)分區(qū)I以及J的氮化硅膜的化學(xué)組成分布進(jìn)行測(cè)定的結(jié)果。試驗(yàn)分區(qū)I(比較例)是在上述等離子體CVD條件1下成膜的膜厚3.7nm的氮化硅膜，試驗(yàn)分區(qū)J是在上述等離子體CVD條件2下成膜的膜厚為4.1nm的氮化硅膜。試驗(yàn)分區(qū)I和J都在Si(100)面上通過(guò)HPM處理形成膜厚為3nm的化學(xué)氧化物SK)2層，并在其上進(jìn)行等離子體CVD。根據(jù)圖9，在使用氮和乙硅烷的等離子體CVD條件1下成膜的試驗(yàn)分區(qū)I(比較例)的氮化硅膜中，在距離Si基板界面2.5nm附近，存在電子占有缺陷顯著減少的區(qū)域。即，試驗(yàn)分區(qū)I的氮化硅膜的電子占有缺陷密度在界面?zhèn)群捅砻鎮(zhèn)却?，在膜的中央部分小，在下面具有凸形的分布。?dān)心具有這樣的陷阱密度分布的氮化硅膜容易發(fā)生來(lái)自界面?zhèn)群捅砻鎮(zhèn)鹊碾姾擅撾x。另一方面，確認(rèn)了作為原料氣體使用氨氣和乙硅烷的等離子體CVD條件2下成膜的試驗(yàn)分區(qū)J中，電子占有缺陷在膜厚方向上大致一樣地分布。即，試驗(yàn)分區(qū)J的氮化硅膜，在與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)哪芰课恢蒙系碾娮诱加腥毕菝芏仍谀ず竦姆较蛏显趌xl0175xl017cm^eV"的范圍內(nèi)大致均等地分布。這樣，具有在膜的厚度方向上均等的陷阱密度的試驗(yàn)分區(qū)J的氮化硅膜中，在膜的中央部分也保持有被注入的電荷，因此可以認(rèn)為，與在界面?zhèn)群捅砻鎮(zhèn)却嬖谳^多的陷阱的試驗(yàn)分區(qū)I(比較例)的氮化硅膜相比較，難于發(fā)生電荷的脫離，電荷蓄積能力高。所以，通過(guò)作為SONOS(MONOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層使用試驗(yàn)分區(qū)J的氮化硅膜，能夠期待優(yōu)越的電荷蓄積能力。進(jìn)一步，如圖9所示，試驗(yàn)分區(qū)J的氮化硅膜，特別是從Si基板界面向表面?zhèn)群穸葹閘nm到3nm的范圍，在與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)哪芰课恢蒙系碾娮诱加腥毕菝芏仍趌xlO卩2xlO"cmV1的窄范圍分布。這樣，可以認(rèn)為，具有非常均勻的陷阱密度分布的氮化硅膜，即使是試驗(yàn)分區(qū)J的膜厚程度的小的膜厚，也能發(fā)揮足夠高的電荷蓄積能力。當(dāng)然，可以認(rèn)為本發(fā)明的氮化硅膜，即使膜厚大也能夠發(fā)揮同樣的電荷蓄積能力，在實(shí)用上能夠以120nm的膜厚有效地使用。因此，也完全能應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的微細(xì)化、大容量化以及高可靠度。另外，由圖IO所示的化學(xué)組成分布可知，在試驗(yàn)分區(qū)I(比較例)的氮化硅膜中，膜中的氧濃度在Si(100)界面附近和表面附近大，但在膜中央附近基本不存在氧。另一方面，由圖ll所示的化學(xué)組成分布可知，在試驗(yàn)分區(qū)J(比較例)的氮化硅膜中，膜中央附近也存在20原子％左右的氧。根據(jù)圖9~圖11的比較，判明如果關(guān)注氮化硅膜中的氧的膜厚方向的分布，則氧存在的區(qū)域中電子占有缺陷密度增大，另一方面，即使存在例如超過(guò)20原子％的氧，電子占有缺陷密度也不會(huì)與氧的增加成比例地增加，而是達(dá)到頂點(diǎn)。因此，推測(cè)在氮化硅膜中通過(guò)二價(jià)的氧原子進(jìn)行三價(jià)的氮原子的置換反應(yīng)的過(guò)程中生成的懸掛鍵參與在氮化硅膜中存在的電子占有缺陷的生成。如上，使用等離子體處理裝置100并選擇等離子體CVD條件成膜的氮化硅膜是電子占有缺陷密度被高精度地控制的膜，具有在膜的厚度方向上均等的陷阱密度分布。本實(shí)施方式涉及的氮化硅膜，能夠作為在制造各種半導(dǎo)體器件時(shí)的絕緣層使用，特別是在作為非易失性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層使用的情況下，能夠滿(mǎn)足優(yōu)越的電荷蓄積能力、高可靠度以及大容量化的要求。以上，敘述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明不被上述實(shí)施方式制約，能夠進(jìn)行各種變形。例如，在上述的實(shí)施方式中，舉出將本發(fā)明的氮化硅膜適用于非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層的形成來(lái)提高電荷保持性能的例子。但是，本發(fā)明的氮化硅膜不限于非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，能夠適用于各種半導(dǎo)體器件的制造。19權(quán)利要求1.一種作為非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層使用的氮化硅膜，其特征在于膜中的陷阱的面密度在5×1010～1×1013cm-2eV-1的范圍內(nèi)。2.—種作為非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層使用的氮化硅膜，其特征在于與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)哪芰课恢蒙系南葳宓捏w積密度，在膜的厚度方向上在lxl017~5xl017cm-3eV"的范圍內(nèi)分布。3.—種作為非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層使用的氮化硅膜，其特征在于由等離子體CVD法形成，該等離子體CVD法向等離子體處理裝置的處理室內(nèi)導(dǎo)入包含含氮化合物和含硅化合物的原料氣體，通過(guò)具有多個(gè)狹縫的平面天線(xiàn)向所述處理室內(nèi)導(dǎo)入微波而產(chǎn)生所述原料氣體的等離子體，通過(guò)所述等離子體使氮化硅膜淀積在被處理體上。4.如權(quán)利要求3所述的氮化硅膜，其特征在于所述等離子體CVD法，使用氨氣作為所述含氮化合物，使用乙硅烷作為所述含硅化合物，所述氨氣和所述乙硅垸的流量比(氨氣流量/乙硅烷流量)在0.1-1000的范圍內(nèi)，處理壓力在11333Pa的范圍內(nèi)，處理溫度在300800。C的范圍內(nèi)。5.如權(quán)利要求3所述的氮化硅膜，其特征在于通過(guò)在被處理體的表面形成二氧化硅膜后實(shí)行所述等離子體CVD法而形成。6.如權(quán)利要求3所述的氮化硅膜，其特征在于膜中的陷阱密度，作為面密度在5xl01Q~lxlOl3Cm'2eV—1的范圍內(nèi)。7.如權(quán)利要求3所述的氮化硅膜，其特征在于-膜中的陷阱密度，作為在與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)哪芰课恢蒙系捏w積密度，在膜的厚度方向上在lxl0"5xl0^m、V"的范圍內(nèi)分布。8.—種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，在半導(dǎo)體層與柵極電極之間具備一層或者多層電荷蓄積層，其特征在于-作為所述電荷蓄積層的至少一層具備氮化硅膜，所述氮化硅膜的膜中的陷阱密度，作為面密度在5xl01Q~lxl013Cm'2eV—1的范圍內(nèi)。9.一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，在半導(dǎo)體層與柵極電極之間具備一層或者多層電荷蓄積層，其特征在于-作為所述電荷蓄積層的至少一層具備氮化硅膜，所述氮化硅膜的膜中的陷阱密度，作為與硅的禁帶中央相當(dāng)?shù)哪芰课恢蒙系捏w積密度，在膜的厚度方向上在lxlO"5xlO"cmV1的范圍內(nèi)分布。全文摘要本發(fā)明提供氮化硅膜和非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中氮化硅膜作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電荷蓄積層有用并且具有優(yōu)良的電荷蓄積能力。具有在膜的厚度方向上大致均等的陷阱密度的氮化硅膜具有高電荷蓄積能力。該氮化硅膜通過(guò)等離子體CVD成膜，該等離子體CVD使用通過(guò)具有多個(gè)孔的平面天線(xiàn)(31)向腔室(1)內(nèi)導(dǎo)入微波的等離子體處理裝置(100)，向腔室(1)內(nèi)導(dǎo)入包含含氮化合物和含硅化合物的原料氣體，由微波產(chǎn)生等離子體，通過(guò)該等離子體使氮化硅膜淀積在被處理體的表面。文檔編號(hào)H01L21/8247GK101641783SQ20088000985公開(kāi)日2010年2月3日申請(qǐng)日期2008年3月26日優(yōu)先權(quán)日2007年3月26日發(fā)明者中西敏雄,宮崎誠(chéng)一,廣田良浩,西田辰夫,鴻野真之申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社;國(guó)立大學(xué)法人廣島大學(xué)