專利名稱：：半導(dǎo)體用粘接膜、復(fù)合片及使用它們的半導(dǎo)體芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體用粘接膜、復(fù)合片以及使用了它們的半導(dǎo)體芯片的制造方法。
背景技術(shù)：
：在將半導(dǎo)體芯片安裝于支承部件上時(shí)，作為粘接半導(dǎo)體芯片和支承部件的管芯焊接(diebonding)材料，以往主要使用銀膏(silverpaste)。但是，隨著半導(dǎo)體芯片的小型化高性能化以及所使用的支承部件的小型化，精密化，在使用銀膏的方法中，存在由于膏劑的滲出、半導(dǎo)體芯片的傾斜引起的引線接合(wirebonding)時(shí)的不佳狀況的產(chǎn)生之類的問題變得日益明顯。為此，近年來逐漸取代銀膏而使用粘接膜(半導(dǎo)體用粘接膜)。作為使用粘接膜獲得半導(dǎo)體裝置的方式，有單片貼附方式及晶片背面貼附方式。在單片貼附方式中，從巻軸狀的粘接膜中利用切割或沖孔切出單片，將該粘接膜的單片粘接在支承部件。借助粘接于支承部件上的粘接膜，將另外地利用切割工序單片化了的半導(dǎo)體芯片接合在支承部件。其后，根據(jù)需要經(jīng)過引線接合工序、密封工序等得到半導(dǎo)體裝置。但是，在單片貼附方式的情況下，由于需要用于將粘接膜以單片切出而粘接于支承部件上的專用的組裝裝置，因此與使用銀膏的方法相比，有制造成本變高的問題。在晶片背面貼附方式中，首先，在半導(dǎo)體晶片的背面依次貼附粘接膜及切割膠帶。此后，將半導(dǎo)體晶片切割而分割為多個半導(dǎo)體芯片，并且將粘接膜隨著各個半導(dǎo)體芯片切斷。其后，將半導(dǎo)體芯片與層疊于其背面的粘接膜一起撿取(pick-up)，借助粘接膜將半導(dǎo)體芯片接合在支承部件。其后，再經(jīng)過加熱、固化、引線接合等工序而得到半導(dǎo)體裝置。在晶片背面貼附方式的情況下，不需要用于將粘接膜單片化的組裝裝置，可以直接使用現(xiàn)有的銀膏用組裝裝置，或者通過附加熱盤等將裝置的一部分改良而使用。由此，在使用了粘接膜的方法當(dāng)中，作為能夠?qū)⒅圃斐杀究刂频帽容^低的方法而備受關(guān)注。另一方面，近年來，作為將半導(dǎo)體晶片切割的方法，提出過如下的隱形切割(stealthdicing)方法通過對半導(dǎo)體晶片照射激光而在半導(dǎo)體晶片內(nèi)部選擇性地形成改質(zhì)部，并沿著改質(zhì)部將半導(dǎo)體晶片切斷(專利文獻(xiàn)1、2)。該方法中，例如，通過拉伸切割膠帶而對半導(dǎo)體晶片施加應(yīng)力，從而沿著改質(zhì)部將半導(dǎo)體晶片分割為多個半導(dǎo)體芯片。專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-192370號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開2003-338467號公報(bào)在上述晶片背面貼附方式的情況下，在半導(dǎo)體晶片的切割之時(shí)需要將粘接膜也同時(shí)地切斷。但是，如果利用使用了金剛石刀片的普通的切割方法將半導(dǎo)體晶片及粘接膜同時(shí)地切斷，就會有在切斷后的半導(dǎo)體芯片側(cè)面中產(chǎn)生裂紋(芯片裂紋)、或在切斷面中粘接膜形成毛口而產(chǎn)生很多毛刺(bmr)的問題。如果存在該芯片裂紋或毛剌，則在撿取半導(dǎo)體芯片之時(shí)半導(dǎo)體芯片變得容易斷裂，導(dǎo)致產(chǎn)品合格率降低。所以，為了抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生，本發(fā)明人等對如下的方法進(jìn)行了研究，該方法包括準(zhǔn)備疊層體的工序，將半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體用粘接膜及切割膠帶依次層疊，按照將半導(dǎo)體晶片分割為多個半導(dǎo)體芯片并且將半導(dǎo)體用粘接膜的厚度方向的至少一部分不切斷而殘留的方式，從半導(dǎo)體晶片側(cè)形成切槽；通過將切割膠帶沿著使多個半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將半導(dǎo)體用粘接膜沿著切槽分割的工序。然而，在使用以往的半導(dǎo)體用粘接膜并利用上述方法進(jìn)行切割時(shí)，明顯會有難以將半導(dǎo)體用粘接膜沿著切槽完全地?cái)嚅_的問題。另外，期待通過上述隱形切割在某種程度上抑制伴隨著切割而產(chǎn)生的芯片裂紋或毛刺。但是，在采用通過激光加工在半導(dǎo)體晶片形成改質(zhì)部后拉伸切割膠帶來切割半導(dǎo)體晶片的方法的情況下，僅利用切割膠帶的拉伸很難將半導(dǎo)體用粘接膜完全地?cái)嚅_，顯而易見，由此可知得到高合格率的半導(dǎo)體芯片實(shí)際上是困難的。此外，在使用形成了切槽的疊層體的方法或利用隱形切割的方法中，雖然通過在粘接膜中含有大量的填充劑，粘接膜容易斷裂，可以在一定程度上抑制毛刺的產(chǎn)生，然而該情況下會有難以在低溫下將粘接膜貼附在半導(dǎo)體晶片的問題。為了實(shí)現(xiàn)對由半導(dǎo)體晶片的翹曲或各部件的熱過程引起的損傷的抑制等，最好能夠?qū)⒄辰幽ぴ诒M可能低的溫度下貼附在半導(dǎo)體晶片。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于如上所述的情況完成的，其目的在于，提供一種半導(dǎo)體用粘接膜，其能夠在低溫下貼附在半導(dǎo)體晶片，并可以在充分地抑制芯片裂紋或毛剌的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體芯片。另外，本發(fā)明的目的還在于，提供一種方法，其使用該半導(dǎo)體用粘接膜，可以在充分地抑制芯片裂紋或毛剌的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片獲得半導(dǎo)體芯片。根據(jù)一個方面，本發(fā)明涉及一種能夠在IO(TC以下貼附在半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體用粘接膜。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜含有聚酰亞胺樹脂，可以利用以總體的50質(zhì)量％以上的比例含有由下述化學(xué)式(I)表示的4，4，-氧雙鄰苯二甲酸酐的四羧酸二酐與以總體的30質(zhì)量％以上的比例含有由下述通式(II)表示的硅氧垸二胺的二胺的反應(yīng)得到。式(II)中，R表示碳數(shù)為1~5的垸基、碳數(shù)為1~5的垸氧基、苯基或苯氧基，同一分子中的多個R可以相同或不同，n及m分別獨(dú)立地表示l-3的整數(shù)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>上述本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜通過采用上述特定的聚酰亞胺樹脂，就可以在低溫下貼附在半導(dǎo)體晶片，并且在被拉伸時(shí)也容易在沒有毛刺的情況下完全斷開。其結(jié)果是，使用該半導(dǎo)體用粘接膜，在充分地抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體芯片。上述聚酰亞胺樹脂的玻璃化溫度優(yōu)選為3(TC以上8(TC以下。如果玻璃化溫度處于該范圍內(nèi)，則在低溫下貼附在半導(dǎo)體晶片的操作就會變得特別容易，另外，粘接膜成為在室溫下沒有粘性或具有適度的粘性的材料，從操作性、處置性的方面考慮也是有利的。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜還可含有熱固化性成分及填充劑。該情況下，填充劑的含量相對于該半導(dǎo)體用粘接膜的質(zhì)量優(yōu)選小于30質(zhì)量％。通過將填充劑的含量在一定程度上控制得較低，在低溫下貼附在半導(dǎo)體晶片的操作就會變得更為容易，另外，可以進(jìn)一步抑制回流裂紋(reflowcrack)的產(chǎn)生。根據(jù)另一方面，本發(fā)明涉及一種具有上述本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜、層疊于該半導(dǎo)體用粘接膜的一方面?zhèn)鹊那懈钅z帶的復(fù)合片。通過使用該復(fù)合片，可以用簡單的工序更為有效地獲得半導(dǎo)體芯片及半導(dǎo)體裝置。如上所述的本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜或復(fù)合片適用于如下所示的本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法中。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法具有準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、上述本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜以及切割膠帶依次層疊，按照將半導(dǎo)體晶片分割為多個半導(dǎo)體芯片，并且將半導(dǎo)體用粘接膜的厚度方向的至少一部分不切斷而保留的方式，從半導(dǎo)體晶片側(cè)形成切槽；通過將切割膠帶沿著使多個半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將半導(dǎo)體用粘接膜沿著切槽分割的工序。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法也可以具有準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、上述本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜以及切割膠帶依次層疊，沿著將半導(dǎo)體晶片劃分為多個半導(dǎo)體芯片的線利用激光加工在半導(dǎo)體晶片形成改質(zhì)部；通過將切割膠帶沿著使多個半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將半導(dǎo)體晶片分割為多個半導(dǎo)體芯片并且將半導(dǎo)體用粘接膜沿著改質(zhì)部分割的工序。根據(jù)上述本發(fā)明的制造方法，可以在充分地抑制芯片裂紋或毛剌的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片獲得半導(dǎo)體芯片。根據(jù)本發(fā)明，可以提供如下的半導(dǎo)體用粘接膜，其能夠在低溫下貼附在半導(dǎo)體晶片，并且在充分地抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體芯片。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜在耐熱性(高溫下的高粘接性及耐回流裂紋性等)以及耐濕可靠性方面也很優(yōu)異。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，可以在充分地抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體芯片。另外，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，還可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的加工速度的提高。圖1是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法的剖面圖。圖2是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法的剖面圖。圖3是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法的剖面圖。圖4是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法的剖面圖。圖5是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法的剖面圖。圖6是表示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法的剖面圖。圖7是表示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法的剖面圖。圖8是表示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法的剖面圖。圖9是表示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法的剖面圖。圖IO是表示半導(dǎo)體裝置的一個實(shí)施方式的剖面圖。圖11是表示半導(dǎo)體用粘接膜的拉伸試驗(yàn)的應(yīng)力-變形曲線的圖。圖12是表示半導(dǎo)體用粘接膜的拉伸試驗(yàn)的應(yīng)力-變形曲線的圖。圖13是表示根據(jù)位移量和溫度的關(guān)系求出玻璃化溫度的方法的圖。圖14是表示用于進(jìn)行芯片剝下試驗(yàn)的測定裝置的示意圖。其中，1…半導(dǎo)體晶片，la…改質(zhì)部，2…半導(dǎo)體用粘接膜,3…切割膠帶，4…切割刀片，7…帶有布線的基材，8…接合線，9…密封樹脂層，10、10a、10b…半導(dǎo)體芯片，20…疊層體，40…切槽，50…分割預(yù)定線，100…半導(dǎo)體裝置。具體實(shí)施例方式下面，對本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。但是，本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施方式。半導(dǎo)體用粘接膜本實(shí)施方式的半導(dǎo)體用粘接膜可以在IO(TC以下貼附在半導(dǎo)體晶片。這里，在將保持為規(guī)定的溫度的半導(dǎo)體用粘接膜在根據(jù)需要進(jìn)行加壓的同時(shí)貼附在半導(dǎo)體晶片后，如果半導(dǎo)體用粘接膜被以不從半導(dǎo)體晶片自然剝離的程度固定，則判斷為可以貼附。更具體來說，例如半導(dǎo)體用粘接膜與半導(dǎo)體晶片的界面的剝除強(qiáng)度為20N/m以上即可。半導(dǎo)體用粘接膜例如可以使用設(shè)定為IO(TC以下的溫度的熱軋貼膜機(jī)貼附在半導(dǎo)體晶片。剝除強(qiáng)度的測定可以在25。C的氣氛中，采用拉伸角度90。、拉伸速度50mm/分鐘來進(jìn)行。例如，可以通過減小填充劑的含量、使用具有低Tg(優(yōu)選為8(TC以下)的聚酰亞胺樹脂，來得到能夠在IO(TC以下貼附在半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體用粘接膜?？梢詫雽?dǎo)體用粘接膜貼附在半導(dǎo)體晶片的溫度更優(yōu)選為95。C以下，進(jìn)一步優(yōu)選為9(TC以下。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體用粘接膜含有具有由下述通式(A)表示的構(gòu)成單元的聚酰亞胺樹脂。聚酰亞胺樹脂例如可以利用包含利用四羧酸二酐與二胺的反應(yīng)生成聚酰胺酸的步驟，和由聚酰胺酸生成聚酰亞胺樹脂的步驟的方法來得到。該情況下，式(10)中R'為來源于四羧酸二酐的4價(jià)的殘基，^為來源于二胺的二價(jià)的殘基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>(A)為了獲得聚酰亞胺樹脂而使用的四羧酸二酐包括由下述化學(xué)式(I)表示的4，4，-氧雙鄰苯二甲酸酐(以下根據(jù)情況稱作"ODPA"。)。換言之，聚酰亞胺樹脂含有由下述通式(I-A)表示的構(gòu)成單元。式(I-A)中的R2與式(A)的112同義。義Yo<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>優(yōu)選聚酰亞胺樹脂的合成中所用的四羧酸二酐中的50質(zhì)量％以上為ODPA。如果ODPA的比例小于50質(zhì)量。/。，則會有粘接膜的耐濕性及斷裂性容易降低的傾向。根據(jù)相同的觀點(diǎn)，ODPA的比例更優(yōu)選為60質(zhì)量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為70質(zhì)量％以上。四羧酸二酐既可以僅含有ODPA，也可以還含有ODPA以外的化合物。作為與ODPA并用的化合物，例如可以舉出苯均四酸二酐、3，3'，4，4，-聯(lián)苯四羧酸二酐、2，2，，3，3'-聯(lián)苯四羧酸二酐、2，2-雙(2，3-二羧基苯基)丙烷二酐、1，1-雙(2，3-二羧基苯基)乙垸二酐、1，1-雙(3，4-二羧基苯基)乙垸二酐、雙(2，3-二羧基苯基)甲垸二酐、雙(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3，4-二羧基苯基)砜二酐、3，4，9，10-茈四羧酸二酐、雙(3，4-二羧基苯基)醚二酐、苯-1，2，3，4-四羧酸二酐、3，4，3'，4'-二苯酮四羧酸二酐、2，3，2'，3'-二苯酮四羧酸二酐、2，3，3，，4'-二苯酮四羧酸二酐、1，2，5，6-萘四羧酸二酐、2，3，6，7-萘四羧酸二酐、1，2，4，5-萘四羧酸二酐、1，4，5，8-萘四羧酸二酐、1，2-(亞乙基)雙(偏苯三酸酐)、1，3-(三亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1，4-(四亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1，5-(五亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1，6-(六亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1，7-(七亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1，8-(八亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1，9-(九亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1，10-(十亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1，12-(十二亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1，16-(十六亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,18-(十八亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、2，6-二氯萘-l，4，5，8-四羧酸二酐、2，7-二氯萘-l，4，5，8-四羧酸二酐、2，3，6，7-四氯萘-l，4，5，8-四羧酸二酐、菲-1，8，9，10-四羧酸二酐、吡嗪-2，3，5，6-四羧酸二酐、噻吩-2，3，4，5-四羧酸二酐、2，3，3，，4，-聯(lián)苯四羧酸二酐、雙(3，4-二羧基苯基)二甲基硅烷二酐、雙(3，4-二羧基苯基)甲基苯基硅垸二酐、雙(3，4-二羧基苯基)二苯基硅烷二酐、1，4-雙(3，4-二羧基苯基二甲基甲硅烷基)苯二酐、1，3-雙(3，4-二羧基苯基)-1，1，3，3-四甲基二環(huán)己垸二酐、對亞苯基雙(偏苯三酸酐)、乙烯四羧酸二酐、1，2，3，4-丁垸四羧酸二酐、十氫化萘-1，4，5，8-四羧酸二酐、4，8-二甲基-l，2，3，5，6，7-六氫化萘-1，2，5，6-四羧酸二酐、環(huán)戊垸-1，2，3，4-四羧酸二酐、吡咯烷-2，3，4，5-四羧酸二酐、1，2，3，4-環(huán)丁烷四羧酸二酐、雙(外向國二環(huán)[2.2.1]庚垸-2，3-二羧酸酐)砜、雙環(huán)[2.2.2]辛-7-烯-2，3，5，6-四羧酸二酐、2，2-雙(3，4-二羧基苯基)六氟丙垸二酐、2，2-雙[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]六氟丙垸二酐、4，4，-雙(3，4-二羧基苯氧基)二苯基硫醚二酐、1，4-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三酸酐)、1，3-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三酸酐)、5-(2，5-二氧代四氫呋喃基)—3_甲基_3_環(huán)己烯_1，2-二羧酸二酐及四氫呋喃-2，3，4，5-四羧酸二酐。它們既可以單獨(dú)使用，也可以組合使用多種。為了獲得聚酰亞胺樹脂而使用的二胺包含由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺。換言之，聚酰亞胺樹脂含有由下述通式(II-A)表示的構(gòu)成單元。式(II-A)中的R1、n及m與式(A)的R1、n及m同義。本實(shí)施方式的聚酰亞胺樹脂經(jīng)常含有由下述通式(10)表示的構(gòu)成單元。式(10)的構(gòu)成單元與式(I-A)的構(gòu)成單元及式(II-A)的構(gòu)成單元的任意一種都相當(dāng)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>上述式中，R表示碳數(shù)為15的垸基、碳數(shù)為15的烷氧基、苯基或苯氧基，同一分子中的多個R可以相同或不同，n及m分別獨(dú)立地表示1~3的整數(shù)。R優(yōu)選為碳數(shù)為1~5的烷基，最典型的是甲基。n及m優(yōu)選為3。作為式(II)的硅氧烷二胺的具體例，可以舉出1，1，3，3-四甲基-l，3-雙(2-氨基乙基)二硅氧烷、1，1，3，3-四甲基-l，3-雙(3-氨基丙基)二硅氧烷、1，1，3，3-四苯基-1，3-雙(2-氨基乙基)二硅氧烷及l(fā)，1，3，3-四苯基-l，3-雙(3-氨基丙基)二硅氧烷。優(yōu)選聚酰亞胺樹脂的合成中所用的二胺中的30質(zhì)量％100質(zhì)量％為式(II)的硅氧烷二胺。如果式(II)的硅氧烷二胺的比例小于30質(zhì)量％，則會有難以獲得能夠在IO(TC以下貼附在半導(dǎo)體晶片的粘接膜、或難以在將粘接膜拉伸時(shí)沒有毛刺地?cái)嗔训膬A向?；谙嗤挠^點(diǎn)，式(II)的硅氧烷二胺的比例更優(yōu)選為40質(zhì)量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為50質(zhì)量％以上。聚酰亞胺樹脂的合成中所用的二胺既可以僅含有式(II)的硅氧烷二胺，也可以還含有選自脂肪族二胺、芳香族二胺、以及式(II)的硅氧烷二胺以外的硅氧垸二胺中的至少一種化合物。作為脂肪族二胺，例如可以舉出乙二胺、1，3-二氨基丙烷、1，4-二氨基丁垸、1，5-二氨基戊垸、1，6-二氨基己烷、1，7-二氨基庚垸、1，8-二氨基辛烷、1，9-二氨基壬垸、1，10-二氨基癸垸、以及1，12-二氨基十二烷。作為芳香族二胺，例如可以舉出鄰苯二胺、間苯二胺、對苯二胺、3，3'-二氨基二苯基醚、3，4'-二氨基二苯基醚、4，4，-二氨基二苯基醚、3，3，-二氨基二苯基甲烷、3，4'-二氨基二苯基甲垸、4，4，-二氨基二苯基甲垸、3，3，-二氨基二苯基二氟甲垸、3，4'-二氨基二苯基二氟甲烷、4，4'-二氨基二苯基二氟甲烷、3，3'-二氨基二苯基砜、3，4，-二氨基二苯基砜、4，4，-二氨基二苯基砜、3，3，-二氨基二苯基硫醚、3，4'-二氨基二苯基硫醚、4，4'-二氨基二苯基硫醚、3，3'-二氨基二苯基酮、3，4，-二氨基二苯基酮、4，4'-二氨基二苯基酮、2，2-雙(3-氨基苯基)丙垸、2-(3-氨基苯基)-2-(4，-氨基苯基)丙垸、2，2-雙(4-氨基苯基)丙垸、2，2-雙(氨基苯基)六氟丙烷、2-(3-氨基苯基)-2-(4，-氨基苯基)六氟丙烷、2，2-雙(4-氨基苯基)六氟丙烷、1，3-雙(3-氨基苯氧基)苯、1，4-雙(3-氨基苯氧基)苯、1，4-雙(4-氨基苯氧基)苯、3，3，-(1，4-亞苯基雙(l-甲基亞乙基))聯(lián)苯胺、3，4，-(1，4-亞苯基雙(l-甲基亞乙基))聯(lián)苯胺、4，4，-(1，4-亞苯基雙(l-甲基亞乙基))聯(lián)苯胺、2，2-雙(4-(3-氨基苯氧基)苯基)丙垸、2，2-雙(4-(4-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2，2-雙(4-(3-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2，2-雙(4-(4-氨基苯氧基)苯基)六氟丙垸、雙(4-(3-氨基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(4-氨基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(3-氨基苯氧基)苯基)砜、以及雙(4-(4-氨基苯氧基)苯基)砜。能夠與式(II)的硅氧垸二胺并用的硅氧烷二胺例如由下述通式(III)表示。式(III)中，(^及(^分別獨(dú)立地表示亞苯基或碳數(shù)為1~5的亞垸基(其中，p為1時(shí)表示碳數(shù)為46的亞烷基)，Q3、Q4、(55及(/分別獨(dú)立地表示碳數(shù)為1~5的烷基、碳數(shù)為15的烷氧基、苯基或苯氧基，p表示1~50的整數(shù)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>(ni)作為式(III)的硅氧烷二胺，在p為l時(shí)，有l(wèi)，1，3，3-四甲基-l，3-雙(4-氨基苯基)二硅氧烷、1，1，3，3-四苯氧基-l，3-雙(2-氨基乙基)二硅氧烷、1，1，3，3-四甲基-l，3-雙(4-氨基丁基)二硅氧烷、以及l(fā)，3-二甲基-l，3-二甲氧基-l，3-雙(4-氨基丁基)二硅氧垸，在p為2時(shí)，有l(wèi),1，3，3，5，5-六甲基-l，5-雙(4-氨基苯基)三硅氧垸、1，1，5，5-四苯基-3，3-二甲基-l，5-雙(3-氨基丙基)三硅氧烷、1，1，5，5-四苯基-3，3-二甲氧基-l，5-雙(4-氨基丁基)三硅氧烷、1，1，5，5-四苯基-3，3-二甲氧基-l，5-雙(5-氨基戊基)三硅氧烷、1，1,5，5-四甲基-3，3-二甲氧基-l，5-雙(2-氨基乙基)三硅氧烷、1，1，5，5-四甲基-3，3-二甲氧基-l，5-雙(4-氨基丁基)三硅氧烷、1，1，5，5-四甲基-3，3-二甲氧基-1，5-雙(5-氨基戊基)三硅氧垸、1,1，3，3，5，5-六甲基-1，5-雙(3-氨基丙基)三硅氧烷、1，1，3，3，5，5-六乙基-l，5-雙(3-氨基丙基)三硅氧烷、1，1，3，3，5，5-六丙基-l，5-雙(3-氨基丙基)三硅氧垸，在p為3~50時(shí)，有由下述化學(xué)式表示的化合物。它們也可以并用2種以上。H3H2N—(CH2)3-Si—CH3<fH3H2N-(CH2)3-Si—CH3CH3H2N—(CH2)3-Si—CHIo一s卜I-(CH2)3—NH23JlOCHI'O一Si—ICH'-(CH2)3—NH220CH3-(CH2)3—NH238從粘接膜的室溫下的處置性或粘性強(qiáng)度的合適化的觀點(diǎn)考慮，聚酰亞胺樹脂的玻璃化溫度優(yōu)選為30'C以上8(TC以下。如果聚酰亞胺樹脂的玻璃化溫度小于3(TC，則聚酰亞胺樹脂在室溫下不會變軟，容易在處置性、保管穩(wěn)定性方面產(chǎn)生問題。另外，如果聚酰亞胺樹脂的玻璃化溫度超過80°C，則會有變得難以在IO(TC以下貼附在晶片上的傾向?；谙嗤挠^點(diǎn)，聚酰亞胺樹脂的玻璃化溫度更優(yōu)選為4(TC以上8(TC以下，進(jìn)一步優(yōu)選為45'C以上8(TC以下。由四羧酸二酐及二胺來生成聚酰亞胺樹脂的反應(yīng)可以如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，適當(dāng)?shù)夭捎猛ǔＴ诰埘啺窐渲暮铣煞磻?yīng)中所采用的條件。半導(dǎo)體用粘接膜除了上述聚酰亞胺樹脂以外，也可以還含有熱固化性成分和/或填充劑。熱固化性成分是能夠利用加熱形成三維的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)而固化的成分，例如由熱固化性樹脂及其固化劑和/或固化促進(jìn)劑構(gòu)成。通過使用熱固化性成分，就會有高溫下的剪切粘接力變高的傾向。但是，由于一3o旦使用熱固化性成分，則高溫下的剝離粘接力反而有降低的傾向，因此最好根據(jù)使用目的，適當(dāng)?shù)剡x擇是否使用熱固化性成分。熱固化性樹脂的量相對于聚酰亞胺樹脂100重量份，優(yōu)選為1~100重量份，更優(yōu)選為1~50重量份。如果超過100重量份，則會有膜形成性降低的傾向。熱固化性樹脂優(yōu)選從環(huán)氧樹脂、以及具有2個熱固化性酰亞胺基的酰亞胺化合物中選擇。作為熱固化性樹脂使用的環(huán)氧樹脂是具有2個以上的環(huán)氧基的化合物。從固化性或固化物特性的方面考慮，優(yōu)選酚的縮水甘油基醚型環(huán)氧樹脂。作為酚的縮水甘油基型環(huán)氧樹脂，可以舉出雙酚A、雙酚AD、雙酚S、雙酚F或鹵化雙酚A與表氯醇的縮合物；苯酚酚醛清漆樹脂的縮水甘油基醚；甲酚酚醛清漆樹脂的縮水甘油基醚；以及雙酚A酚醛清漆樹脂的縮水甘油基醚。優(yōu)選使用環(huán)氧基當(dāng)量為100~500的環(huán)氧樹脂。作為熱固化性樹脂使用環(huán)氧樹脂時(shí)，作為其固化劑，優(yōu)選使用酚醛樹脂。酚醛樹脂的OH當(dāng)量優(yōu)選為50600。酚醛樹脂是具有2個以上的酚性羥基的化合物。作為酚醛樹脂的具體例，可以舉出苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、聚對乙烯基苯酚、以及苯基芳垸基樹脂。在使用酚醛樹脂的情況下，其量相對于環(huán)氧樹脂100重量份優(yōu)選為1-300重量份，更優(yōu)選為1-150重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為1~120重量份。如果超過300重量份，則會有固化性降低的傾向。作為與環(huán)氧樹脂組合的固化劑或固化促進(jìn)劑，除了酚醛樹脂以外，例如可以使用咪唑類、雙氰胺衍生物、二羧酸二酰肼、三苯基膦、四苯基鱗四苯基硼酸酯、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸酯以及1，8-二氮雜雙環(huán)[5.4.0]十一烯-7-四苯基硼酸酯。它們也可以并用兩種以上。固化促進(jìn)劑的量相對于環(huán)氧樹脂100重量份優(yōu)選為050重量份，更優(yōu)選為0.1~50重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為0.120重量份。如果固化促進(jìn)劑的量超過50重量份，則會有保存穩(wěn)定性降低的傾向。在將環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂及固化促進(jìn)劑組合使用的情況下，半導(dǎo)體用粘接膜的組成例如為聚酰亞胺樹脂100重量份、環(huán)氧樹脂1~100重量份、酚醛樹脂相對于環(huán)氧樹脂IOO重量份為1~600重量份、固化促進(jìn)劑相對于環(huán)氧樹脂100重量份為050重量份。作為可以用作熱固化性樹脂的酰亞胺化合物的例子，有鄰苯撐雙馬來酰亞胺、間苯撐雙馬來酰亞胺、對苯撐雙馬來酰亞胺、1，4-雙(對馬來酰亞胺枯基)苯、1，4-雙(間馬來酰亞胺枯基)苯、以及以下述式(IV)、(V)或(VI)表示的酰亞胺化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>式(IV)中，Xi表示-O-、-CH2-、-CF2-、-S02-、-S-、-CO-、-C(CH3)2-或-C(CF3)2-，R11、R12、R"及R"分別獨(dú)立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、氟、氯或溴，21表示具有乙烯性不飽和雙鍵的二羧酸殘基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>式(V)中，X2表示隱0-、-CH2-、-CF2-、-S02-、誦S-、-CO-、-C(CH3)2-或-C(CF3)2-，R15、R16、R卩及R"分別獨(dú)立地表示氫原子、低級垸基、低級垸氧基、氟、氯或溴，^表示具有乙烯性不飽和雙鍵的二羧酸殘基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>式(VI)中，ZS表示具有乙烯性不飽和雙鍵的二羧酸殘基，r表示04的整數(shù)。作為式(IV)的酰亞胺化合物，例如有4，4，-雙馬來酰亞胺二苯基醚、4，4，-雙馬來酰亞胺二苯基甲垸、4，4，-雙馬來酰亞胺-3，3，-二甲基-二苯基甲烷、4，4，-雙馬來酰亞胺二苯基砜、4，4，-雙馬來酰亞胺二苯基硫醚、4，4，-雙馬來酰亞胺二苯基酮、2，2-雙(4-馬來酰亞胺苯基)丙垸、4，4'-雙馬來酰亞胺二苯基氟甲垸、以及1，1，1，3，3，3-六氟-2，2-雙(4-馬來酰亞胺苯基)丙垸。作為式(V)的酰亞胺化合物，例如有雙[4-(4-馬來酰亞胺苯氧基)苯基]醚、雙[4-(4-馬來酰亞胺苯氧基)苯基]甲垸、雙[4-(4-馬來酰亞胺苯氧基)苯基]氟甲烷、雙[4-(4-馬來酰亞胺苯氧基)苯基]砜、雙[4-(3-馬來酰亞胺苯氧基)苯基]砜、雙[4-(4-馬來酰亞胺苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(4-馬來酰亞胺苯氧基)苯基]酮、2，2-雙[4-(4-馬來酰亞胺苯氧基)苯基]丙垸、以及1，1，1，3，3，3-六氟-2，2-雙[4-(4-馬來酰亞胺苯氧基)苯基]丙烷。為了促進(jìn)這些酰亞胺化合物的固化，也可以使用自由基聚合引發(fā)劑。作為自由基聚合引發(fā)劑，有乙?；h(huán)己基磺?；^氧化物、過氧化異丁酰、過氧化苯甲酰、過氧化辛酰、過氧化乙酰、過氧化二枯基、氫過氧化枯烯、以及偶氮異丁腈等。自由基聚合引發(fā)劑的使用量相對于酰亞胺化合物100重量份，大致上優(yōu)選為0.011.0重量份。填充劑是以提高B-stage狀態(tài)的粘接膜的斷裂強(qiáng)度以及降低拉伸斷裂伸長率、提高粘接膜的處置性、提高熱傳導(dǎo)性、調(diào)整熔融粘度、賦予觸變性等為目的而使用的。作為填充劑，例如可以使用選自銀粉、金粉及銅粉中的導(dǎo)電性填充劑；含有無機(jī)物質(zhì)的非金屬系的無機(jī)填充劑。作為構(gòu)成無機(jī)填充劑的無機(jī)物質(zhì)，例如可以舉出氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結(jié)晶性二氧化硅、非晶體二氧化硅及銻氧化物。為了提高熱傳導(dǎo)性，優(yōu)選使用氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結(jié)晶性二氧化硅及非晶體二氧化硅。出于調(diào)整熔融粘度或賦予觸變性的目的，優(yōu)選氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、結(jié)晶性二氧化硅以及非晶體二氧化硅。另外，為了提高耐濕性，優(yōu)選氧化鋁、二氧化硅、氫氧化鋁以及銻氧化物。也可以將多種填充劑并用。通過增大填充劑的含量，就可以升高粘接膜的斷裂強(qiáng)度、提高彈性模量、增大韌性。但是，如果過大地增大填充劑的含量，則會有粘接膜的耐久性降低、耐回流裂紋性降低的傾向。特別是，在用于有機(jī)基板之類的具有凹凸表面的被粘接體與半導(dǎo)體芯片的粘接時(shí)，粘接層容易破壞。另外，如果填充劑增加，則會有能夠?qū)⒄辰幽は虬雽?dǎo)體晶片貼附的溫度升高的傾向。基于此種觀點(diǎn)，填充劑的含量相對于半導(dǎo)體用粘接膜的總質(zhì)量優(yōu)選為小于30質(zhì)量％，更優(yōu)選為小于25質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為小于20質(zhì)量％。填充劑的含量相對于聚酰亞胺樹脂100重量份優(yōu)選為1重量份以上，更優(yōu)選為3重量份。半導(dǎo)體用粘接膜優(yōu)選具有在將半導(dǎo)體芯片搭載于半導(dǎo)體芯片搭載用支承部件上時(shí)所要求的耐熱性及耐濕性。為此，優(yōu)選進(jìn)行耐回流裂紋性試驗(yàn)?？梢詫⒄辰訌?qiáng)度作為指標(biāo)來評價(jià)半導(dǎo)體用粘接膜的耐回流裂紋性。為了獲得良好的耐回流裂紋性，在以4X2mm見方的粘接面積將半導(dǎo)體用粘接膜粘接在半導(dǎo)體晶片時(shí)，優(yōu)選剝離強(qiáng)度在初期為1.0kg/cm以上，在85。C/85。/。的氣氛下放置48小時(shí)后為0.5kg/cm以上。初期的剝離強(qiáng)度更優(yōu)選為1.3kg以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1.5kg/cm。在85"/85%的氣氛下放置48小時(shí)后的剝離強(qiáng)度更優(yōu)選為0.7kg/cm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.8kg/cm以上。半導(dǎo)體用粘接膜的拉伸斷裂伸長率優(yōu)選為小于5%。另外，半導(dǎo)體用粘接膜的拉伸斷裂伸長率優(yōu)選相對于拉伸試驗(yàn)的最大載荷時(shí)的伸長率來說小于110%。通過具有此種拉伸特性，半導(dǎo)體用粘接膜在因拉伸應(yīng)力而斷裂時(shí)就難以出現(xiàn)毛口，在利用后述的方法制造半導(dǎo)體芯片時(shí)，可以特別明顯地抑制毛刺的產(chǎn)生。另外，通過使半導(dǎo)體用粘接膜具有此種拉伸特性，就可以用很少的擴(kuò)大量將半導(dǎo)體用粘接膜有效地并且可靠地?cái)嚅_。如果拉伸斷裂伸長率為5%以上，則為了將半導(dǎo)體用粘接膜完全地?cái)嚅_，就需要使切割膠帶的擴(kuò)大量為通常程度以上。另外，拉伸斷裂伸長率相對于最大載荷時(shí)的伸長率的比例為110%以上會導(dǎo)致屈服狀態(tài)長，或容易引起頸縮(necking),該情況下，就會有難以在抑制毛刺的同時(shí)將半導(dǎo)體用粘接膜2完全地?cái)嚅_的傾向。基于與上述相同的觀點(diǎn)，拉伸斷裂伸長率更優(yōu)選為小于4%，進(jìn)一步優(yōu)選為小于3.5%。同樣地，拉伸斷裂伸長率與最大載荷時(shí)的伸長率的比率更優(yōu)選為小于108%,進(jìn)一步優(yōu)選為小于105%。而且，該比率在拉伸斷裂伸長率與最大載荷時(shí)的伸長率一致時(shí)，就會達(dá)到作為最低值的100%。通過將半導(dǎo)體用粘接膜利用上述的成分來構(gòu)成，適當(dāng)?shù)卣{(diào)整各成分的種類及配合量，就可以很容易地得到具有上述特定的拉伸特性的半導(dǎo)體用粘接膜。最大應(yīng)力、最大載荷伸長率及拉伸斷裂伸長率可以通過使用從B-stage狀態(tài)的半導(dǎo)體用粘接膜中切出的具有寬5mm、長50mm、厚25um的尺寸的長方形的試驗(yàn)片，在25"C的環(huán)境下，用以下的條件來進(jìn)行拉伸試驗(yàn)而求出。拉伸試驗(yàn)機(jī)SIMADZU制100N自動繪圖儀"AGS-100NH"卡盤間距離(試驗(yàn)開始時(shí))30mm拉伸速度5mm/分鐘從利用拉伸試驗(yàn)得到的應(yīng)力-變形曲線中，讀取最大載荷、最大載荷時(shí)的卡盤間長度、以及斷裂時(shí)的卡盤間長度，使用這些值和試樣截面積的實(shí)測值，利用下式算出最大應(yīng)力、最大載荷伸長率及拉伸斷裂伸長率。最大應(yīng)力(Pa)=最大載荷(N)/試樣的截面積(m2)最大載荷時(shí)的伸長率(％)={(最大載荷時(shí)的卡盤間長度(mm)-30)/30}X100拉伸斷裂伸長率(％)={(斷裂時(shí)的卡盤間長度(mm)-30)/30}X100通常來說，對多個試驗(yàn)片進(jìn)行測定，將其平均值作為該半導(dǎo)體用粘接膜的拉伸特性記錄。雖然從再現(xiàn)性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選在上述條件下進(jìn)行拉伸試驗(yàn)，然而也可以變更為能夠在實(shí)質(zhì)上提供相同的試驗(yàn)結(jié)果的其他的條件。半導(dǎo)體用粘接膜例如可以利用以下的方法來獲得，即，將含有聚酰亞胺樹脂、熱固化性成分、填充劑以及溶解或分散它們的有機(jī)溶劑的涂敷液(糊狀混合物)涂敷在基膜上，利用加熱從基膜上的涂敷液中除去有機(jī)溶劑。上述涂敷液可通過將各原料混合，并適當(dāng)組合攪拌機(jī)、研磨攪拌機(jī)、三輥滾軋機(jī)、球磨機(jī)等分散機(jī)而混煉的方法來調(diào)制。有機(jī)溶劑只要是可以將材料均勻地溶解、混勻或分散的有機(jī)容積，就沒有特別限制，例如可以舉出二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯垸酮、二甲亞砜、二甘醇二甲醚、甲苯、苯、二甲苯、甲乙酮、四氫呋喃、乙基溶纖劑、乙基溶纖劑乙酸酯、丁基溶纖劑及二噁烷。它們既可以單獨(dú)使用，也可以組合使用兩種以上。對于基膜并無特別限定，只要是能夠耐受為了除去有機(jī)溶劑而進(jìn)行的加熱即可。作為基膜的例子，可以舉出聚酯膜、聚丙烯膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亞胺膜、聚醚酰亞胺膜、聚醚萘酸酯膜以及甲基戊烯膜。也可以將組合了2種以上的這些膜而成的多層膜作為基膜使用?；さ谋砻嬉部梢杂霉柰?、二氧化硅系等脫模劑等處理。除去有機(jī)溶劑后，可以直接用作半導(dǎo)體用粘接膜的支撐體，而不必除去基膜。半導(dǎo)體用粘接膜還能夠以與切割膠帶貼合的復(fù)合片的狀態(tài)保管和使用。通過采用這樣的復(fù)合片，可簡化半導(dǎo)體裝置的制造工序。半導(dǎo)體芯片的制造方法(第一實(shí)施方式)圖1、2、3、4及5是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法的剖面圖。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法包括準(zhǔn)備依次層疊了半導(dǎo)體晶片1、半導(dǎo)體用粘接膜2及切割膠帶3的疊層體20的工序(圖1);從半導(dǎo)體晶片l側(cè)在疊層體20形成切槽40的工序(圖2、3);將半導(dǎo)體用粘接膜2沿著切槽40分割的工序(圖4);將半導(dǎo)體芯片10與半導(dǎo)體用粘接膜2—起撿取的工序(圖5)。上述的實(shí)施方式的半導(dǎo)體用粘接膜被作為半導(dǎo)體用粘接膜2使用。圖1的疊層體20利用以下的方法準(zhǔn)備，即，在半導(dǎo)體晶片1的背面依次貼附半導(dǎo)體用粘接膜2及切割膠帶3，或?qū)盈B了半導(dǎo)體用粘接膜2及切割膠帶3的復(fù)合片以半導(dǎo)體用粘接膜2位于半導(dǎo)體晶片1側(cè)的朝向貼附在半導(dǎo)體晶片l的背面。作為半導(dǎo)體晶片l，除了使用單晶硅以外還可以使用由多晶硅、各種陶瓷、鎵砷等化合物半導(dǎo)體等構(gòu)成的晶片。切割膠帶3只要是對固定用的環(huán)形件具有能夠固定程度的粘接性并能夠拉伸到使半導(dǎo)體用粘接膜2斷開，就可以沒有特別限制地使用。例如，可以將氯乙烯系膠帶作為切割膠帶使用。在將半導(dǎo)體用粘接膜2或具有它的復(fù)合片貼附在半導(dǎo)體晶片1上時(shí)，優(yōu)選將半導(dǎo)體用粘接膜的溫度保持為0100°C。通過像這樣以比較低的溫度貼附半導(dǎo)體用粘接膜2，就可以充分地抑制半導(dǎo)體晶片1的翹曲以及由切割膠帶或背面研磨膠帶的熱過程引起的損傷?；谙嗤挠^點(diǎn)，更優(yōu)選20為15。C95。C，進(jìn)一步優(yōu)選為2(TC90。C。對于疊層體20，以將半導(dǎo)體晶片1分割為多個半導(dǎo)體芯片10，并且半導(dǎo)體用粘接膜2在厚度方向的一部分不切斷而保留的方式，用切割刀片4從半導(dǎo)體晶片l側(cè)形成切槽40(圖2)。換言之，半導(dǎo)體晶片l被完全地切斷，并沿著半導(dǎo)體晶片1的線對半導(dǎo)體粘接膜2進(jìn)行半切割。圖3是表示形成于疊層體20的切槽40附近的放大剖面圖。"半切割"表示切入半導(dǎo)體用粘接膜2的厚度Tl以及半導(dǎo)體用粘接膜2的深度T2滿足T2/TK1的關(guān)系。。T2/T1優(yōu)選為1/5-4/5，更優(yōu)選為1/4-3/4，進(jìn)一步優(yōu)選為1/32/3。如果T2變小，則在沿著切槽40分割半導(dǎo)體用粘接膜2時(shí)有防止毛刺發(fā)生的趨勢，而另一方面，即使拉伸切割膠帶3，或進(jìn)一步提高撿取半導(dǎo)體芯片10時(shí)的突出高度，也存在難以完全分割半導(dǎo)體用粘接膜2的傾向。另外，如果T2變大，則即使拉伸切割膠帶的量(以下根據(jù)情況稱作"擴(kuò)大量"。)小，或者撿取半導(dǎo)體芯片10時(shí)的突出高度低，也會有容易完全分割管芯焊接膜的傾向。但是，如果T2過度地變大，則毛刺抑制的效果變小，從而會有半導(dǎo)體裝置制造的產(chǎn)品合格率提高的效果變小的傾向。在形成切槽40之后，將切割膠帶3在多個半導(dǎo)體芯片10相互分離的方向，即，沿著切割膠帶3主面的方向(圖2的箭頭的方向)上拉伸，由此將半導(dǎo)體用粘接膜2分割(圖4)。其結(jié)果是，半導(dǎo)體芯片10及具有貼附其上的半導(dǎo)體用粘接膜2的帶有粘接膜的半導(dǎo)體芯片處于排列在切割膠帶3上的狀態(tài)。擴(kuò)大量是拉伸后的切割膠帶3的寬度(最大寬度)R,與初期的切割膠帶3的寬度(最大寬度)Ro(參照圖2)之差。該擴(kuò)大量優(yōu)選為2mm10mm，更優(yōu)選為2mm8mm，進(jìn)一步優(yōu)選為2mm7mm。如本實(shí)施方式所述，在半導(dǎo)體用粘接膜2形成切槽的情況下，由于存在切斷的機(jī)會，所以與后述的第二實(shí)施的不完全切斷半導(dǎo)體粘接膜2的情況相比，可減少擴(kuò)大量。在拉伸切割膠帶3后，半導(dǎo)體芯片10與貼附在其背面的半導(dǎo)體用粘接膜2—起被撿取(圖5)。在所要撿取的半導(dǎo)體芯片10的位置上，可以將切割膠帶3從與半導(dǎo)體芯片10相反一側(cè)頂出至規(guī)定的高度。已撿取的半導(dǎo)體芯片10可使用將貼附在其背面的半導(dǎo)體用粘接膜2作為管芯焊接材料而搭載于各種支承部件等。對于撿取后的工序?qū)⒃诤竺鏀⑹觥?第二實(shí)施方式)圖6、7、8及9是表示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的制造方法的剖面圖。本實(shí)施方式的方法具有準(zhǔn)備依次層疊了半導(dǎo)體晶片1、半導(dǎo)體用粘接膜2及切割膠帶3的疊層體20的工序(圖68);通過將切割膠帶3沿多個半導(dǎo)體芯片IO相互分離的方向拉伸，而將半導(dǎo)體晶片1分割為多個半導(dǎo)體芯片10并且分割半導(dǎo)體用粘接膜2的工序(圖9);將半導(dǎo)體芯片10與半導(dǎo)體用粘接膜2—起撿取的工序。準(zhǔn)備疊層體20的工序包括沿著利用激光加工將半導(dǎo)體晶片1劃分為多個半導(dǎo)體芯片10的線50(以下稱作"分割預(yù)定線"。)在半導(dǎo)體晶片1的內(nèi)部形成改質(zhì)部la的工序(圖6);在形成了改質(zhì)部la的半導(dǎo)體晶片1貼附半導(dǎo)體用粘接膜2的工序(圖7);以及在半導(dǎo)體用粘接膜2貼附切割膠帶3的工序(圖8)。在利用激光加工形成改質(zhì)部la的工序中，沿著分割預(yù)定線50照射激光90(圖6的(a))。該激光加工可以利用已知的所謂隱形切割的方法中通常所采用的條件來進(jìn)行。利用激光加工，在半導(dǎo)體晶片1的內(nèi)部形成改質(zhì)部la。其后，如圖7、8所示，在半導(dǎo)體晶片1上依次貼附半導(dǎo)體用粘接膜2及切割膠帶3，得到疊層體20。得到疊層體20的工序并不限于本實(shí)施方式的順序。例如，也可以在半導(dǎo)體晶片貼附了半導(dǎo)體用粘接膜后，利用激光加工形成改質(zhì)部。在得到了疊層體20后，通過將切割膠帶3沿多個半導(dǎo)體芯片10相互分離的方向(圖8(b)的箭頭的方向)拉伸，從而將半導(dǎo)體晶片1分割為多個半導(dǎo)體芯片IO，并將半導(dǎo)體用粘接膜2沿著改質(zhì)部la分割(圖9)。根據(jù)本實(shí)施方式，半導(dǎo)體晶片1及半導(dǎo)體用粘接膜2可通過切割膠帶的拉伸來進(jìn)行分割，而無需利用切割刀片來切斷。根據(jù)該方法，不需要將半導(dǎo)體晶片1和半導(dǎo)體用粘接膜2利用切割刀片同時(shí)地切斷，因此可以提高半導(dǎo)體晶片的單片化的速度，還可以抑制毛剌的產(chǎn)生。本實(shí)施方式的情況下，切割膠帶3的擴(kuò)大量優(yōu)選為530mm，更優(yōu)選為1030mm，進(jìn)一步優(yōu)選為1020mm。如果擴(kuò)大量小于5mm，則會有難以將半導(dǎo)體晶片1及半導(dǎo)體用粘接膜2完全地?cái)嚅_的傾向，如果超過30mm，則會有容易引起沿著分割預(yù)定線以外的部分?jǐn)嗔训膬A向。另外，本實(shí)施方式的情況下，拉伸切割膠帶3的速度(擴(kuò)大速度)優(yōu)選為101000mm/秒，更優(yōu)選為10100mm/秒，進(jìn)一步優(yōu)選為1050mm/秒。如果擴(kuò)大速度小于10mm/秒，則會有難以將半導(dǎo)體晶片l及半導(dǎo)體用粘接膜2完全地?cái)嚅_的傾向，如果超過1000mm/秒，則會有容易引起沿著分割預(yù)定線以外的部分?jǐn)嗔训膬A向。如上說明所示，利用第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的方法得到的、與半導(dǎo)體用粘接膜2—起撿取的半導(dǎo)體芯片10，例如構(gòu)成IC、LSI之類的半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體芯片10例如可借助貼附在其背面的半導(dǎo)體用粘接膜2粘接在支承部件上。作為支承部件，例如可以舉出42合金引線框及銅引線框等引線框；由環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂及馬來酰亞胺樹脂等形成的樹脂膜；在玻璃無紡布或玻璃織布上浸漬環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺系樹脂及馬來酰亞胺系樹脂等熱固化性樹脂并使其固化而得的基板；以及玻璃基板及氧化鋁等陶瓷基板。半導(dǎo)體芯片之間可借助半導(dǎo)體用粘接膜粘接。圖10是表示利用該方法得到的半導(dǎo)體裝置的一個實(shí)施方式的剖面圖。圖10所示的半導(dǎo)體裝置100具有帶有布線的基材(支承部件)7、借助半導(dǎo)體用粘接膜2粘接在帶有布線的基材7上的半導(dǎo)體芯片10a以及借助半導(dǎo)體用粘接膜2粘接在半導(dǎo)體芯片10a的半導(dǎo)體芯片10b。半導(dǎo)體芯片10a及10b利用接合線8與帶有布線的基材7的布線連接。另外，半導(dǎo)體芯片10a及10b由埋設(shè)這些半導(dǎo)體芯片的密封樹脂層9密封。半導(dǎo)體芯片與支承部件的粘接以及半導(dǎo)體芯片之間的粘接例如可以在半導(dǎo)體芯片與支承部件之間或半導(dǎo)體芯片之間夾持了半導(dǎo)體用粘接膜的狀態(tài)下，以6030(TC加熱0.1~300秒而進(jìn)行。在半導(dǎo)體用粘接膜2含有熱固化性樹脂的情況下，優(yōu)選加熱粘接后的半導(dǎo)體芯片而促進(jìn)半導(dǎo)體用粘接膜與被粘接體的密合或固化，從而增大接合部的強(qiáng)度。此時(shí)的加熱只要根據(jù)粘接膜的組成適當(dāng)?shù)卣{(diào)整即可，通常來說為6022(TC下進(jìn)行0.1600分鐘。在進(jìn)行樹脂密封的情況下，也可以利用密封樹脂的固化工序的加熱。實(shí)施例下面，舉出實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行更具體的說明。但是，本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施例。l.半導(dǎo)體用粘接膜的制作實(shí)施例1向具有溫度計(jì)、攪拌機(jī)及氯化鈣管的500ml的四口燒瓶中，加入作為二胺的1，3-雙(3-氨基丙基)四甲基二硅氧垸(O.lmol)和作為溶劑的N-甲基-2-吡咯烷酮150g，在6(TC下攪拌。在二胺溶解后，一點(diǎn)點(diǎn)地添加1，10-(十亞甲基)雙(偏苯三酸二酐)(0.02mol)禾B4，4，-氧雙鄰苯二甲酸酐(0.08mol)，在6(TC反應(yīng)3小時(shí)。其后，在吹入N2氣的同時(shí)在170"C下加熱，用3小時(shí)利用共沸將體系中的水與溶劑的一部分一起除去。將除去水而得的聚酰亞胺樹脂的NMP溶液用于粘接膜的制作中。向利用上述操作得到的聚酰亞胺樹脂的NMP溶液(含有聚酰亞胺樹脂IOO重量份)中，加入甲酚酚醛清漆環(huán)氧樹脂(東都化成制)4重量份、4，4，-[1-[4-[1-(4-羥基苯基)-l-甲基乙基]苯基]次乙基]雙酚(本州化學(xué)制)2重量份、四苯基鱗四苯基硼酸酯(tetraphenylphosphoniumtetraphenylborate)(東京化成制)0.5重量份。繼而，相對于全部固體成分的質(zhì)量達(dá)到12質(zhì)量％地加入氮化硼填充劑(水島合金鐵制)，相對于全部固體成分的質(zhì)量達(dá)到3質(zhì)量。/。地加入Aerosil(日文7工口^A)填充劑R972(日本Aerosil制)，充分混煉，得到清漆。將所調(diào)制的清漆涂布于剝離處理完畢的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜，在8(TC下加熱30分鐘，接下來在120。C加熱30分鐘，其后，在室溫(25°C)下剝除聚對苯二甲酸乙二醇酯膜，得到厚25um的粘接膜。實(shí)施例2~4除了將合成聚酰亞胺樹脂時(shí)的原料的配合比變更為表1所示的各組成(重量份)以外，與實(shí)施例1相同地得到了粘接膜。比較例1除了將原料的配合比變更為表l所示的組成(重量份)以外，與實(shí)施例1相同地得到了聚酰亞胺樹脂的NMP溶液。使用所得的聚酰亞胺樹脂的NMP溶液，相對于全部固體成分的重量將氮化硼填充劑的配合比設(shè)為9質(zhì)量％，不使用aerosil填充劑，除此以外，與實(shí)施例1相同地得到了粘接膜。比較例2除了將原料的配合比變更為表1所示的組成(重量份)以外，與實(shí)施例1相同地得到了聚酰亞胺樹脂的NMP溶液。使用所得的聚酰亞胺樹脂的NMP溶液，相對于全部固體成分的重量將氮化硼填充劑的配合比設(shè)為10質(zhì)量％，不使用aerosil填充齊IJ，除此以外，與實(shí)施例1相同地得到了粘接膜。比較例3除了相對于全部固體成分的重量將氮化硼填充劑的配合比設(shè)為40質(zhì)量％，不使用aemsil填充劑以外，與實(shí)施例1相同地得到了粘接膜。比較例4除了將原料的配合比變更為表l所示的組成(重量份)以外，與實(shí)施例1相同地得到了聚酰亞胺樹脂的NMP溶液。使用所得的聚酰亞胺樹脂的NMP溶液，相對于全部固體成分的重量將氮化硼填充劑的配合比設(shè)為28質(zhì)量％，不使用aerosil填充劑，除此以外，與實(shí)施例1相同地得到了粘接膜。比較例5除了相對于全部固體成分的重量將氮化硼填充劑的配合比設(shè)為50質(zhì)量％，不使用aerosil填充劑以外，與實(shí)施例1相同地得到了粘接膜。比較例6除了相對于全部固體成分的重量將氮化硼填充劑的配合比設(shè)為57質(zhì)量％，不使用aerosil填充劑以外，與實(shí)施例1相同地得到了粘接膜。25<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>表1中，原料的簡縮碼表示以下的酸酐或二胺。(酸酐)ODPA:4，4，-氧雙鄰苯二甲酸酐(Manac公司制)DBTA:1，10-(十亞甲基)雙(偏苯三酸二酐)(黑金化成制)BPADA:2，2-雙[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]丙垸二酐(黑金化成制)(二胺)LP7100:1，3-雙(3-氨基丙基)四甲基二硅氧垸(信越化學(xué)公司制)B12:4，9-二氧雜癸烷-l，12-二胺(BASF公司制)D2000:聚氧化丙二胺2000(BASF公司制)BAPP:2，2雙-(4-(4-氨基苯氧基)苯基)丙烷(和歌山精化工業(yè)公司制)2.粘接膜的評價(jià)(1)最大應(yīng)力、最大載荷伸長率以及拉伸斷裂伸長率使用從B-stage狀態(tài)的粘接膜中切出的長方形的試驗(yàn)片(寬5mm、長50mm)進(jìn)行了拉伸試驗(yàn)。從所得的應(yīng)力-變形曲線中，基于下述計(jì)算式求出了最大應(yīng)力、最大載荷伸長率以及拉伸斷裂伸長率。拉伸試驗(yàn)是使用拉伸試驗(yàn)機(jī)(SIMADZU制100N自動繪圖儀、AGS-100NH)，在25。C的氣氛中，以試驗(yàn)開始時(shí)的卡盤間距離30mm、拉伸速度5mm/min.的條件進(jìn)行的。最大應(yīng)力(Pa)=最大載荷(N)/試樣的截面積(m2)最大載荷伸長率(％)=[(最大載荷下的卡盤間長度(mm)-30)/30]x簡拉伸斷裂伸長率(％)=[(斷裂時(shí)的卡盤間長度(mm)-30)/30]X100圖11是表示實(shí)施例1的粘接膜的應(yīng)力-變形曲線的圖，圖12是表示比較例1的粘接膜的應(yīng)力-變形曲線的圖。圖中，伸長(mm沁卡盤間長度-30。根據(jù)與最大載荷Pmax對應(yīng)的伸長算出最大載荷伸長率，根據(jù)試驗(yàn)片斷裂后、載荷降到0的時(shí)間點(diǎn)的伸長E算出拉伸斷裂伸長率。(2)晶片貼附溫度使用加溫到規(guī)定的溫度的熱軋貼膜機(jī)(0.3m/分鐘、0.3MPa)，將寬10mm的粘接膜與半導(dǎo)體晶片貼合，其后，對粘接膜在25"C的氣氛中，以拉伸角度90。、拉伸速度50mm/分鐘進(jìn)行剝下粘接膜的剝離試驗(yàn)，求出剝離強(qiáng)度。剝離試驗(yàn)是使用TOYOBALDWIN制UTM-4-100型TENSILON進(jìn)行的。將熱軋貼膜機(jī)的設(shè)定溫度從4(TC起每次升溫l(TC，將獲得20N/m以上的剝離強(qiáng)度時(shí)的熱軋貼膜機(jī)溫度中的最低的溫度設(shè)為晶片貼附溫度。(3)玻璃化溫度18(TC下加熱1小時(shí)而固化了的粘接膜中，切出約4X20mm大小的試樣。對該試樣，使用精工電子制TMA120，以Extension、升溫速度5°C/min、試樣測定長度10mm的條件測定試樣的位移量，得到了表示位移量與溫度的關(guān)系的曲線。從所得的曲線中求出玻璃化溫度。圖13是表示位移量與溫度的關(guān)系的一例的曲線圖。如圖13中所示，引出與玻璃化區(qū)域的前后的部分的曲線相切的2條切線，將它們的交點(diǎn)的溫度設(shè)為玻璃化溫度(Tg)。(4)室溫粘性強(qiáng)度使用Rhesca株式會社制粘性試驗(yàn)機(jī)，利用JISZ0237-1991中記載的方法(探針直徑5.1mm、剝下速度10mm/s、接觸載荷100gf/cm2、接觸時(shí)間ls)，在25'C測定了B-stage狀態(tài)的粘接膜的粘性強(qiáng)度。從操作性的觀點(diǎn)考慮，25。C下粘性強(qiáng)度優(yōu)選為小于5gf。(5)剝離強(qiáng)度(芯片剝下強(qiáng)度)將厚400ixm的硅晶片從其表面?zhèn)劝肭懈钪?50pm的深度，并在背側(cè)方向方上施加力進(jìn)行切割，由此準(zhǔn)備在周緣部形成寬150pm的爪的4mmX2mm的硅芯片。在該硅芯片與42合金引線框之間夾持以4mmX2mm大小切出的粘接膜。對整體施加200gf的載荷，在16(TC下壓接5秒，并通過在180r下加熱60分鐘使粘接膜后固化。然后，使用改良了推挽計(jì)量器(pushpullgage)的圖14所示的測定裝置15，測定了260'C、20秒加熱時(shí)的芯片剝下強(qiáng)度。測定裝置15具有熱盤14、放置于該熱盤14上的模墊(die-pad)13和推挽計(jì)量器12。在測定裝置15的模墊13上放置試樣，在硅芯片的爪安裝推挽計(jì)量器12進(jìn)行了芯片剝下強(qiáng)度的測定。對最初以及實(shí)施了在85。C、85。/。RH環(huán)境下放置48小時(shí)的高溫高濕處理后的樣本進(jìn)行該剝離強(qiáng)度的測定。根據(jù)該測定可測定粘接膜的面粘接強(qiáng)度。該數(shù)值越高，回流裂紋越難以發(fā)生。(6)耐回流裂紋性將切成5mm見方的硅芯片和具有粘貼于該硅芯片的粘接膜的帶粘接膜硅芯片與在作為基材的聚酰亞胺膜(厚度25^n)的表面形成有布線的布線基板接合。然后，在該硅芯片上接合5mm見方的帶其他粘接膜的硅芯片。對于所得到的10個樣本，使其通過按照表面溫度達(dá)到26(TC且在該溫度下保持20秒鐘的方式設(shè)定的IR回流爐，然后，反復(fù)實(shí)施兩次在室溫(25。C)下放置冷卻的處理。利用目測以及超聲波顯微鏡觀察處理后的樣本中的裂紋，確認(rèn)基板/芯片間以及芯片/芯片間的裂紋的發(fā)生狀態(tài)。根據(jù)觀察結(jié)果，按照以下基準(zhǔn)來評價(jià)抗回流裂紋性。A:在全部的樣品中都未看到裂紋產(chǎn)生。C:在l個以上的樣品中產(chǎn)生裂紋。<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>(7)斷裂性、芯片裂紋及毛刺將在上述的實(shí)施例或比較例中制作的粘接膜貼合在半導(dǎo)體晶片，利用以下的"全切割"、"半切割"或"激光切割"的方法將半導(dǎo)體晶片分割為半導(dǎo)體芯片，并確認(rèn)了此時(shí)的粘接膜的斷裂性、芯片裂紋及毛刺的產(chǎn)生狀態(tài)。在任意的方法中，都將氯乙烯系膠帶(厚9(^m)作為切割膠帶使用。全切割使用熱軋貼膜機(jī)(JCM公司制DM-300H、0.3m/分鐘、0.3MPa)，在表l的晶片貼附溫度下將各個粘接膜貼附在50um厚的半導(dǎo)體晶片。然后，在熱板溫度8(TC的條件下將切割膠帶層壓在粘接膜上，制作了切割樣品。在切割膠帶周緣部貼附不銹鋼制的環(huán)形件，并使用DISCO公司制DFD-6361將切割樣品切斷。切斷是采用以1枚刀片來完成加工的單切方式，在刀片為NBC-ZH104F-SE27HDBB、刀片轉(zhuǎn)速為45，OOOrpm、切斷速度50mm/s的條件下進(jìn)行的。切斷時(shí)的刀片切割深度(切槽深度)為完全切斷粘接膜的高度即80um。接下來，在將環(huán)形件固定的狀態(tài)下，利用擴(kuò)大裝置拉伸切割膠帶。擴(kuò)大速度為10mm/s，擴(kuò)大量為3mm。半切割將刀片切割深度(切槽深度)設(shè)為不切斷而在管芯焊接膜中保留有1(Hmi厚度份的高度10(^m，除此以外，以與上述全切割相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。對半導(dǎo)體晶片(厚度50um)進(jìn)行激光照射，在其內(nèi)部沿著劃分為半導(dǎo)體芯片的線形成改質(zhì)部。然后，按照與全切割相同的順序依次粘貼粘接膜和切割膠帶，在切割膠帶的外周部貼附不銹鋼制的環(huán)形件。然后，禾lj用擴(kuò)大裝置在固定了環(huán)形件的狀態(tài)下拉伸切割膠帶。擴(kuò)大速度為30mm/s，擴(kuò)大量為15mm。斷裂性在拉伸切割膠帶后，利用光學(xué)顯微鏡觀察粘接膜是否斷裂，求出切斷面的全長中的未完全斷裂的部分的長度的比率，利用以下的基準(zhǔn)將該比率分類而評價(jià)了斷裂性。另外，在全切割的情況下，利用切割刀片來切斷粘接膜，因此不進(jìn)行斷裂性的評價(jià)。AA:98%以上A:卯％以上B:50%以上而小于90%C:小于50%芯片裂紋在拉伸切割膠帶后，利用光學(xué)顯微鏡觀察芯片裂紋的產(chǎn)生狀態(tài)。求出在半導(dǎo)體芯片的與粘接膜相反一側(cè)的面上產(chǎn)生的芯片裂紋的長度，利用以下的基準(zhǔn)將芯片裂紋的長度分類而評價(jià)了芯片裂紋的產(chǎn)生狀態(tài)。AA:小于5umA:5iim以上且小于10ixmB:10um以上且小于25umC:25um以上毛刺在拉伸切割膠帶后，將半導(dǎo)體芯片與粘接膜一起撿取。利用光學(xué)顯微鏡觀察所撿取的帶有粘接膜的半導(dǎo)體芯片的端面，確認(rèn)了毛剌的產(chǎn)生狀態(tài)。AA:毛刺的長度小于20"mA:毛刺的長度為20um以上且小于40umB:毛刺的長度為40um以上且小于100umC:毛刺的長度為lOO"m以上[表3][<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>使用了利用含有50質(zhì)量％的4，4'-氧雙鄰苯二甲酸酐的四羧酸二酐、與含有30質(zhì)量％以上的1，3-雙(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷的二胺的反應(yīng)得到的聚酰亞胺樹脂的實(shí)施例1~4的粘接膜都可以在IO(TC以下貼附在半導(dǎo)體晶片。此外，實(shí)施例1~4的粘接膜都顯示出良好的斷裂性。另外，實(shí)施例1~4的粘接膜在耐回流裂紋性的方面也很優(yōu)異，由于在室溫下具有適度的粘性強(qiáng)度，因此在操作性方面也很優(yōu)異。采用了未使用4，4，-氧雙鄰苯二甲酸酐而得的聚酰亞胺樹脂的比較例1~3的粘接膜不能在IO(TC以下貼附在半導(dǎo)體晶片，另外，未顯示出足夠的斷裂性。比較例6的粘接膜雖然使用與實(shí)施例3相同的聚酰亞胺樹脂，然而由于填充劑的含量多，因此無法在IOO'C以下貼附在半導(dǎo)體晶片。比較例3的粘接膜雖然半切割時(shí)的斷裂性良好，然而激光切割時(shí)的斷裂性不夠充分。另外，比較例3的粘接膜在耐回流裂紋性試驗(yàn)中在基板/芯片中產(chǎn)生了裂紋。采用了未使用4，4，-氧雙鄰苯二甲酸酐而得的聚酰亞胺樹脂的比較例4的粘接膜雖然可以在IO(TC以下貼附在半導(dǎo)體晶片，然而由于玻璃化溫度低，因此室溫下粘性強(qiáng)度過高，對于操作性造成妨礙。另外，比較例4的粘接膜在斷裂性的方面也不夠充分。使用與比較例4相同的聚酰亞胺樹脂、增加了填充劑的含量的比較例6的粘接膜無法在IO(TC以下的溫度下貼附在半導(dǎo)體晶片，另外，未顯示出足夠的斷裂性。另外，在耐回流裂紋性試驗(yàn)中在基板/芯片中產(chǎn)生了裂紋。使用與實(shí)施例3相同的聚酰亞胺樹脂而得的比較例6的粘接膜雖然顯示出良好的斷裂性，然而由于填充劑的含量多，因此無法在ioo'c以下貼附在半導(dǎo)體晶片。另外，在耐回流裂紋性試驗(yàn)中在基板/芯片中產(chǎn)生了裂紋。從以上的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以清楚地確認(rèn)，能夠在IO(TC以下貼附在半導(dǎo)體晶片，并且可以在充分地抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率從半導(dǎo)體晶片中得到半導(dǎo)體芯片。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體用粘接薄膜，其含有聚酰亞胺樹脂，并且能夠在100℃以下貼附于半導(dǎo)體晶片，所述聚酰亞胺樹脂能夠利用以總體的50質(zhì)量％以上的比例含有由下述化學(xué)式(I)表示的4，4’-氧雙鄰苯二甲酸酐的四羧酸二酐與以總體的30質(zhì)量％以上的比例含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反應(yīng)來得到，式(II)中，R表示碳數(shù)為1～5的烷基、碳數(shù)為1～5的烷氧基、苯基或苯氧基，同一分子中的多個R可以相同或不同，n及m分別獨(dú)立地表示1～3的整數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其中，所述聚酰亞胺樹脂的玻璃化溫度為3(TC以上、8(TC以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其中，所述半導(dǎo)體用粘接薄膜還含有熱固化性成分及填充劑，所述填充劑的含量相對于該半導(dǎo)體用粘接薄膜的質(zhì)量小于30質(zhì)量％。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其用于如下的半導(dǎo)體芯片的制造方法中，所述半導(dǎo)體芯片的制造方法具有準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體用粘接薄膜以及切割膠帶依次層疊，按照將所述半導(dǎo)體晶片分割為多個半導(dǎo)體芯片，并且將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜的厚度方向的至少一部分不切斷而保留的方式，從所述半導(dǎo)體晶片側(cè)形成切槽；通過將所述切割膠帶沿著使所述多個半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜沿著所述切槽分割的工序。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其用于如下的半導(dǎo)體芯片的制造方法中，所述半導(dǎo)體芯片的制造方法具有準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體用粘接薄膜以及切割膠帶依次層疊，沿著將所述半導(dǎo)體晶片劃分為多個半導(dǎo)體芯片的線利用激光加工在所述半導(dǎo)體晶片形成改質(zhì)部；通過將所述切割膠帶沿著使所述多個半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo)體晶片分割為所述多個半導(dǎo)體芯片并且將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜沿著所述改質(zhì)部分割的工序。6.—種復(fù)合片，其具有權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，和層疊于該半導(dǎo)體用粘接薄膜的一面?zhèn)鹊那懈钅z帶。7.—種半導(dǎo)體芯片的制造方法，具有準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜以及切割膠帶依次層疊，按照將所述半導(dǎo)體晶片分割為多個半導(dǎo)體芯片，并且將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜的厚度方向的至少一部分不切斷而保留的方式，從所述半導(dǎo)體晶片側(cè)形成切槽；通過將所述切割膠帶沿著使所述多個半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜沿著所述切槽分割的工序。8.—種半導(dǎo)體芯片的制造方法，具有準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜以及切割膠帶依次層疊，沿著將所述半導(dǎo)體晶片劃分為多個半導(dǎo)體芯片的線利用激光加工在所述半導(dǎo)體晶片形成改質(zhì)部；通過將所述切割膠帶沿著使所述多個半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo)體晶片分割為所述多個半導(dǎo)體芯片并且將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜沿著所述改質(zhì)部分割的工序。全文摘要本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體用粘接膜，其能夠在低溫下貼附在半導(dǎo)體晶片，可以在充分地抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體芯片。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜含有聚酰亞胺樹脂，可以利用含有由下述化學(xué)式(I)表示的4，4’-氧雙鄰苯二甲酸酐的四羧酸二酐；與含有由上述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反應(yīng)得到，能夠在100℃以下貼附在半導(dǎo)體晶片。文檔編號H01L21/301GK101641766SQ200880009599公開日2010年2月3日申請日期2008年3月31日優(yōu)先權(quán)日2007年4月6日發(fā)明者中村祐樹,北勝勉,片山陽二,畠山惠一申請人:日立化成工業(yè)株式會社