專利名稱：芯片封裝結(jié)構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種芯片封裝結(jié)構，尤指一種以長出線路的方式，使芯片(Die)上的 各金屬接點(Metal Pad)可以撓曲方式與芯片座(Die Pad)及高分子聚合樹脂層(Solder Mask)連結(jié)，達成整體晶圓(Wafer)其可布線空間有效利用的芯片封裝結(jié)構。
技術背景
在已知晶圓上設置防焊層的方法中，是以鋼版印刷等方式將防焊層涂覆于該晶圓的芯片 上。其中為了讓部份的外層線路曝出以作電性連接用，多利用鉆孔方式于其芯片上垂直鉆出 凹陷區(qū)域，并于其上貼覆一層涂膜，且該涂膜于該等凹陷區(qū)域上具有一窗口，可藉由該窗口 灌入金屬，以完成其外曝線路層的制作。然而，當該涂膜貼覆于該芯片時，必然會有對準的 誤差產(chǎn)生，換言之，即窗口的位置會相對于原本預定的凹陷區(qū)域產(chǎn)生偏移，而使制作的晶圓 具有較高的不良率，造成質(zhì)量不佳；又，由于其凹陷區(qū)域是以垂直鉆孔的方式形成，在各線 路接點彼此間占用了該晶圓很大的可布線空間，致使該晶圓的使用效率不高。故， 一般無法 符合使用者于實際使用時所需
實用新型內(nèi)容
本實用新型所解決的技術問題是針對上述現(xiàn)有技術的不足，提供一種芯片封裝結(jié)構， 可達成整體晶圓可布線空間的有效利用，于提高晶圓的使用效率的同時，亦可使制程的良率 大幅提升。
為了解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案是 一種芯片封裝結(jié)構，其包括 一芯片、 一絕緣層、 一高分子聚合樹脂層及一金屬層，該芯片上含有數(shù)個芯片座；所述絕緣 層被覆于該芯片上，其特點是所述芯片上及該絕緣層內(nèi)設有一線路凹槽，該線路凹槽中并 含有一個芯片座；該高分子聚合樹脂層位于該絕緣層表面，并覆蓋該線路凹槽的預定部份； 該金屬層上含有數(shù)個金屬接點，各金屬接點連接該高分子聚合樹脂層，并電性連接該芯片的 芯片座。
該自一晶圓上切割而來的芯片，其上被覆有該絕緣層，且該絕緣層上并含有一以表面黏 著技術(Surface Mount Technology, SMT)涂覆的高分子聚合樹脂層。當欲于該芯片上長 出線路時，系先于該高分子聚合樹脂層的表面，使用一光阻劑，以曝光顯影方式于該芯片及 該絕緣層中形成該預先設計好的線路凹槽，再于該線路凹槽內(nèi)填入導電金屬質(zhì)，以形成該金屬層及各金屬接點，使各金屬接點連接該高分子聚合樹脂，并可以撓曲方式電性連接該芯片 上的芯片座，以完成該芯片封裝結(jié)構的制作。
如此，以長出線路方式，使芯片上各金屬接點可以撓曲方式與芯片座及高分子聚合樹脂 層連結(jié)，達成整體晶圓其可布線空間的有效利用，于提高晶圓的使用效率同時，亦可使制程 的良率大幅提升。


圖l是本實用新型的結(jié)構示意圖。 標號說明
芯片封裝結(jié)構1 芯片11
芯片座111 絕緣層12
線路凹槽1 2 1 高分子聚合樹脂層1 3
金屬層14 金屬接點14具體實施方式
請參閱圖l所示，本實用新型為芯片封裝結(jié)構，至少包含有一芯片(Die) 1 1、 一絕緣 層(Insulator Layer) 1 2、 一高分子聚合樹脂層(Solder Mask) 1 3及一金屬層( Metal Layer) 1 4所構成，可有效利用整體晶圓的可布線空間，進而可提升晶圓的使用效 率，使制程的良率可大幅提高。
該芯片1 1上含有復數(shù)個芯片座(Die Pad) 111。
該絕緣層1 2被覆于該芯片1 1上，且于該芯片1 1上及該絕緣層1 2內(nèi)設有一線路凹 槽1 2 1 ，該線路凹槽1 2 1中并含有一個芯片座111。
該高分子聚合樹脂層l 3由防焊材料形成，涂布于該絕緣層l 2表面，并覆蓋該線路凹 槽l21的預定部份。
該金屬層1 4上含有復數(shù)個金屬接點(Metal Pad) 14 1，各金屬接點1 4 1連接該 高分子聚合樹脂層1 3 ，并電性連接該芯片1 1的芯片座111。以上所述，構成一全新的 芯片封裝結(jié)構1。
運用時，該自一晶圓上切割而來的芯片l 1，其上被覆有該絕緣層l 2，且該絕緣層l 2上并含有一以表面黏著技術(SurfaceMountTechnology， SMT)涂覆的高分子聚合樹脂層 1 3。當欲于該芯片l l上長出線路時，是先于該高分子聚合樹脂l 3的表面，使用一光阻 劑，以曝光顯影方式于該芯片1 1及該絕緣層1 2中形成該預先設計好的線路凹槽12 1， 再于該線路凹槽l 2 1內(nèi)以濺鍍、化學氣相沈積(Chemical Vapor D印osition， CVD)、濺鍍與電鍍或化學氣相沉積與電鍍方式填入導電金屬質(zhì)，以形成該金屬層l4及復數(shù)個金屬接 點1 4 1 ，由各金屬接點1 4 1連接該高分子聚合樹脂層1 3 ，并電性連接該芯片1 1上的 芯片座111，以完成本實用新型的芯片封裝結(jié)構1。
其中，上述該金屬層l 4可由該化學氣相沉積法，以沉積較長的時間，即可獲得厚度較 大的金屬層。
藉此，由本實用新型以長出線路的方式，使芯片上各金屬接點可以撓曲的方式與芯片座 及高分子聚合樹脂層連結(jié)，達成整體晶圓其可布線空間的有效利用，于提高晶圓的使用效率 的同時，亦可使制程的良率大幅提升。
綜上所述，本實用新型的芯片封裝結(jié)構，可有效改善現(xiàn)有技術的種種缺點，以長出線路 方式，使芯片上各金屬接點可以撓曲方式與芯片座及高分子聚合樹脂層連結(jié)，達成整體晶圓 其可布線空間的有效利用，于提高晶圓的使用效率同時，亦可使制程的良率大幅提升。
權利要求權利要求1一種芯片封裝結(jié)構，其包括一芯片、一絕緣層、一高分子聚合樹脂層及一金屬層，該芯片上含有數(shù)個芯片座；該絕緣層被覆于該芯片上，其特征在于所述芯片上及該絕緣層內(nèi)設有線路凹槽，該線路凹槽中并含有一個芯片座；該高分子聚合樹脂層位于該絕緣層表面，并覆蓋該線路凹槽的預定部份；該金屬層上含有數(shù)個金屬接點，各金屬接點連接該高分子聚合樹脂層，并電性連接該芯片的芯片座。
2.如權利要求l所述的芯片封裝結(jié)構，其特征在于所述高分子聚合 樹脂層由防焊材料制成。
3.如權利要求l所述的芯片封裝結(jié)構，其特征在于所述金屬層是以 光阻劑曝光顯影出該線路凹槽，再于該線路凹槽內(nèi)填入導電金屬質(zhì)形成。
專利摘要一種芯片封裝結(jié)構，至少包含有一具數(shù)個芯片座的芯片、一設有一線路凹槽的絕緣層、一由防焊材料形成的高分子聚合樹脂層及一具數(shù)個金屬接點的金屬層。該金屬層內(nèi)設有各金屬接點，各金屬接點連接該高分子聚合樹脂層，并以撓曲方式電性連接該芯片上的芯片座，藉此，可達成整體晶圓其可布線空間的有效利用，于提高晶圓的使用效率的同時，亦可使制程的良率大幅提升。
文檔編號H01L23/48GK201256148SQ20082030212
公開日2009年6月10日 申請日期2008年9月16日 優(yōu)先權日2008年9月16日
發(fā)明者璩澤明, 馬嵩荃 申請人:茂邦電子有限公司