專利名稱：芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，特別涉及一種打線工藝與覆片工藝并用的芯片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，在集成電路(Integrated Circuits，IC)設(shè)計(jì)完成之后，便會(huì)將電路圖送至晶片廠，進(jìn)行電路的制作，通過摻雜(doping)、金屬沉積(metal deposition)、光刻(photolithography and etching)、介電層沉積(dielectricdeposition)等步驟，便制作出具有圖案化線路的晶片。之后，必須將晶片傳送至封裝廠進(jìn)行封裝工藝，比如可以利用導(dǎo)線或是凸塊使芯片與基板電性連接，并通過封裝的步驟，以保護(hù)芯片及芯片與基板之間作為電性連接的部份。
參照?qǐng)D1，其示出傳統(tǒng)芯片封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。芯片110以其背面112并通過銀膠120貼附到基板130的上表面132上，并通過導(dǎo)線140使芯片110與基板130電性連接，而絕緣材料150包覆芯片110及導(dǎo)線140，以保護(hù)芯片110并避免導(dǎo)線140之間產(chǎn)生短路的情況。另外，接點(diǎn)160植接在基板130之下表面134上，并且通過接點(diǎn)160，基板130可以與外界電路作電性連接，其中接點(diǎn)160可為焊球(ball)、針腳(pin)或電極塊等導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
同樣參照?qǐng)D1，在上述的芯片封裝結(jié)構(gòu)100中，由于導(dǎo)線140的長(zhǎng)度很長(zhǎng)(約大于130mil(千分之一英寸))，并且徑寬很細(xì)(小于1.2mil)，故導(dǎo)線140與芯片110或基板130之內(nèi)的線路將會(huì)產(chǎn)生阻抗不匹配的情形，導(dǎo)致信號(hào)會(huì)快速地衰減，如此將造成信號(hào)的讀取發(fā)生錯(cuò)誤。另外，若芯片在進(jìn)行高頻運(yùn)作時(shí)，將會(huì)伴隨產(chǎn)生嚴(yán)重地電感電容寄生效應(yīng)現(xiàn)象，以致產(chǎn)生信號(hào)反射的情形。
參照?qǐng)D2，其示出傳統(tǒng)芯片封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。芯片210通過凸塊220接合到基板230的上表面232上，并與基板230電性連接，而絕緣材料240填入到芯片210與基板230之間，并包覆凸塊220。另外，接點(diǎn)250植接在基板230的下表面234上，并且通過接點(diǎn)250，基板230可以與外界電路電性連接，其中接點(diǎn)250亦可為焊球、針腳或電極塊等導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
同樣參照?qǐng)D2，在上述的芯片封裝結(jié)構(gòu)200中，由于凸塊220均集中于基板230上的芯片置放區(qū)域，所以必須在基板230的很小的面積內(nèi)形成數(shù)目很多的接合墊，用以與凸塊220作電性及機(jī)械性連接。此外，若是在芯片210的面積過大的情況下，而要填入絕緣材料240到芯片210與基板230之間的間隙時(shí)，容易產(chǎn)生空孔的問題，因而降低芯片封裝工藝的合格率。
同時(shí)參照?qǐng)D1和2，在上述的芯片封裝結(jié)構(gòu)100、200中，由于基板130、230的用于與芯片110、210電性連接的接合墊136、236均配置在基板130、230的上表面132、232上，如此將會(huì)導(dǎo)致基板130、230的線路均高集成度地集中在基板130、230的上表面132、232上，當(dāng)這些線路在傳遞信號(hào)時(shí)，線路與線路之間極易發(fā)生串音(cross talk)的現(xiàn)象。此外，為了制作出高密度線路的基板，低成本的壓合(laminate)技術(shù)便不適用，此時(shí)必須采用高成本的增層(built-up)技術(shù)，才能制作出適用之高密度線路的基板。另外，位于基板130、230之上表面132、232上的接合墊136、236必須通過基板130、230之導(dǎo)通孔(未示出)才能與基板130、230之下表面134、234上的接合墊138、238作電性連接。因此，信號(hào)的傳遞必須經(jīng)過基板130、230的導(dǎo)通孔才能傳遞至基板130、230的下表面134、234。這樣，基板130、230還必須利用很多的空間來配置這些導(dǎo)通孔，使得基板130、230的面積無法進(jìn)一步地縮小。
實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型的目的之一是提出一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，可以改善基板的電性效能，進(jìn)而提升芯片在封裝后的電性效能。
本實(shí)用新型的目的之二是提出一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，可以利用低成本的壓合法所制作出的基板，用以降低芯片的封裝成本。
本實(shí)用新型的目的之三是提出一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，用以降低傳統(tǒng)的絕緣材料填入在芯片與基板間產(chǎn)生空孔的問題。
在敘述本實(shí)用新型之前，先對(duì)空間介詞的用法做界定，所謂空間介詞“上”指兩物的空間關(guān)系為可接觸或不可接觸均可。舉例而言，A物在B物上，所表達(dá)的意思為A物可以直接配置在B物上，A物也可與B物接觸；或者A物配置在B物上的空間中，A物沒有與B物接觸。
為達(dá)本實(shí)用新型的上述目的，提出一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，至少包括一基板、一芯片、多個(gè)凸塊、多條導(dǎo)線、一絕緣材料及多個(gè)接點(diǎn)。其中，基板具有一第一表面及對(duì)應(yīng)的一第二表面，基板還具有一貫孔，貫穿基板，基板還具有多個(gè)第一基板接合墊及多個(gè)第二基板接合墊，第一基板接合墊位于基板的第一表面上，且靠近貫孔的周圍，第二基板接合墊位于基板的第二表面上，且靠近貫孔的周圍。芯片配合貫孔的位置而配置在基板的第一表面上，芯片具有一有源表面、多個(gè)第一芯片接合墊及多個(gè)第二芯片接合墊，第二芯片接合墊配置在芯片的有源表面的中間區(qū)域上，而第一芯片接合墊環(huán)繞于芯片的有源表面的周邊區(qū)域上。每一凸塊分別接合第一芯片接合墊之一及第一基板接合墊之一。每一導(dǎo)線穿過基板的貫孔，且每一導(dǎo)線的一端接合第二芯片接合墊之一，而每一導(dǎo)線的另一端接合第二基板接合墊之一。絕緣材料位于芯片與基板之間及貫孔中，并包覆導(dǎo)線及凸塊。接點(diǎn)接合于基板的第一表面上，并與基板電性連接。
另外，芯片與基板之間的高頻信號(hào)傳遞可以通過第一基板接合墊及第一芯片接合墊，并且基板可以用低成本的壓合法(laminate)的方式制成。
基于上述，本實(shí)用新型的芯片封裝結(jié)構(gòu)使得芯片的高頻電性需求的信號(hào)可以通過凸塊來傳遞至基板之下表面，并將無須高頻電性需求之信號(hào)(例如電源或接地等)通過導(dǎo)線來傳遞至基板的上表面，在經(jīng)由基板的導(dǎo)通孔來傳遞至基板的下表面。因此，對(duì)于高頻電性需求的信號(hào)僅需通過基板的下表面的單一圖案化線路層而直接連接到接點(diǎn)，而無須依序通過基板的上層圖案化線路層、導(dǎo)通孔及下層圖案化線路層而到達(dá)接點(diǎn)。
因此，本實(shí)用新型的芯片封裝結(jié)構(gòu)除可有效地縮短信號(hào)的傳輸路徑，因而提升芯片在封裝后之電性效能以外，更可對(duì)應(yīng)減少基板的導(dǎo)通孔的數(shù)目，因而相對(duì)縮小基板的面積。此外，本實(shí)用新型的芯片封裝結(jié)構(gòu)，基板的第一表面及第二表面上均具有與芯片電性連接的基板接合墊，因此可以降低與基板接合墊連接的線路密集度，故可以減少串音(cross talk)或噪聲的產(chǎn)生，而提高電性效能。另外，本實(shí)用新型的芯片封裝結(jié)構(gòu)，由于線路密集度并不會(huì)太高，因此可以利用低成本的壓合法(lamination)便可以制作出適用于本封裝結(jié)構(gòu)的基板，而不需利用高成本的增層法(built-up)。
為讓本實(shí)用新型的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明。


圖1示出傳統(tǒng)芯片封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。
圖2示出傳統(tǒng)芯片封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。
圖3A至圖3F示出依照本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例的芯片封裝模塊制造工藝的截面示意圖。
圖4示出依照本實(shí)用新型第二優(yōu)選實(shí)施例的芯片封裝模塊的截面示意圖。
圖5示出依照本實(shí)用新型第三優(yōu)選實(shí)施例的芯片封裝模塊的截面示意圖。
圖6示出依照本實(shí)用新型第四優(yōu)選實(shí)施例的芯片封裝模塊的截面示意圖。
其中，附圖標(biāo)記的說明如下，110芯片112背面120銀膠130基板132上表面 134下表面140導(dǎo)線150絕緣材料1 60接點(diǎn) 210芯片220凸塊230基板232上表面 234下表面240絕緣材料250接點(diǎn)300基板311介電層312介電層 313介電層321圖案化金屬層322圖案化金屬層323圖案化金屬層324圖案化金屬層332導(dǎo)電插塞334導(dǎo)電插塞341焊罩層 342焊罩層343開口344開口350貫孔352第一表面
354第二表面 362基板導(dǎo)線接合墊364基板凸塊接合墊366基板接點(diǎn)接合墊400芯片 410有源表面412芯片凸塊接合墊414芯片導(dǎo)線接合墊450凸塊 510絕緣材料520導(dǎo)線 530絕緣材料531絕緣材料 540接點(diǎn)550散熱構(gòu)件 600芯片封裝結(jié)構(gòu)610芯片封裝結(jié)構(gòu) 700基板750貫孔 752第一表面754第二表面 762基板導(dǎo)線接合墊764基板凸塊接合墊766基板接點(diǎn)接合墊800芯片 812芯片凸塊接合墊814芯片導(dǎo)線接合墊850凸塊920導(dǎo)線 950接點(diǎn)具體實(shí)施方式
第一優(yōu)選實(shí)施例參照?qǐng)D3A至圖3F，其示出依照本實(shí)用新型第一優(yōu)選實(shí)施例的芯片封裝模塊制造工藝的截面示意圖。首先，如圖3A所示，先提供一基板300，其中基板300包括三層介電層311、312、313及四層圖案化金屬層321、322、323、324，其中圖案化金屬層321、322、323、324依序相互重迭，而介電層311、312、313分別配置在兩個(gè)相鄰的圖案化金屬層321、322、323、324之間，用以電性隔離圖案化金屬層321、322、323、324?；?00還具有導(dǎo)電插塞332、334，其中導(dǎo)電插塞332貫穿介電層311、312，以使圖案化金屬層321、322、323之間電性連接；而導(dǎo)電插塞334貫穿介電層311、312、313，以使圖案化金屬層321、322、323、324之間電性連接。基板300還具有焊罩層341、342分別位于介電層311、313上，并覆蓋圖案化金屬層321、324，其中焊罩層341、342分別位于基板300的第一表面352上及對(duì)應(yīng)的第二表面354上。焊罩層341具有開口343，暴露出圖案化金屬層321，以形成基板導(dǎo)線接合墊362于基板300的第二表面354上，用以與連接芯片400的導(dǎo)線(未示出)接合。焊罩層342具有開口344，暴露出圖案化金屬層324，以形成基板凸塊接合墊364于基板300的第一表面352上，用以與連接芯片400的凸塊450接合。焊罩層342還具有開口345，暴露出圖案化金屬層324，以形成基板接點(diǎn)接合墊366于基板300的第一表面352上，用以與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的接點(diǎn)(未示出)接合，該接點(diǎn)選自于由焊球、針腳及電極塊所組成的族群中的一種電性連接結(jié)構(gòu)。而基板300還具有一貫孔350，貫穿基板300的中間區(qū)域，其中基板凸塊接合墊364位于基板300的第一表面352上，并靠近貫孔350的周圍，而基板導(dǎo)線接合墊362位于基板300的第二表面354上，并靠近貫孔350的周圍。
在本實(shí)施例中，圖3A的基板300以四層板為例，然而本實(shí)用新型的應(yīng)用并不限于此，基板亦可以是具有其它層數(shù)的圖案化金屬層。另外，基板300的制造工藝比如可以利用壓合法(lamination)或增層法(built-up)的方式制成。值得注意的是，若是利用壓合法來制作基板300時(shí)，將可大幅降低基板300的成本。
繼續(xù)參照?qǐng)D3A，芯片400具有多個(gè)芯片凸塊接合墊412及多個(gè)芯片導(dǎo)線接合墊414，其中芯片導(dǎo)線接合墊414配置在芯片400的有源表面410的中間區(qū)域上，而芯片凸塊接合墊412則可環(huán)繞于芯片400的有源表面410的周邊區(qū)域上。芯片400的有源表面410的面積大于基板300的貫孔350的截面積，而芯片400在與基板300接合之前，還要先利用印刷或電鍍的方式，形成多個(gè)凸塊450到芯片凸塊接合墊414上。接著，參照?qǐng)D3B，將芯片400移動(dòng)至基板300的第一表面410上的貫孔350處，并覆蓋貫孔350，而芯片400可以通過凸塊450接合到基板300上，其中凸塊450通過基板凸塊接合墊364與基板300接合，而芯片導(dǎo)線接合墊414對(duì)應(yīng)于基板300的貫孔350的位置。參照?qǐng)D3C，接著要進(jìn)行填膠工藝，通過填充一絕緣材料510到芯片400與基板300之間的間隙，以包覆凸塊450。值得注意的是，由于絕緣材料510在此處僅是小區(qū)域地填滿于芯片400之周邊區(qū)域與基板300之間，故可以改善在填膠過程中在絕緣材料510之內(nèi)部產(chǎn)生空孔的缺點(diǎn)，因而有效地提升制程的合格率。
參照?qǐng)D3D，接下來進(jìn)行打線工藝，以形成多條導(dǎo)線520，其中導(dǎo)線520穿過基板300的貫孔350，且導(dǎo)線520的一端接合在芯片導(dǎo)線接合墊414上，而導(dǎo)線520的另一端接合在基板導(dǎo)線接合墊362上。接著，參照?qǐng)D3E，進(jìn)行封膠工藝，以形成一絕緣材料530到基板300的貫孔350中，并包覆導(dǎo)線520。接著，參照?qǐng)D3F，形成多個(gè)接點(diǎn)540到基板接合墊364上，使得基板300可通過接點(diǎn)540，而與外部線路作電性連接，其中接點(diǎn)540選自于由焊球、針腳及電極塊所組成的族群中的一種電性連接結(jié)構(gòu)。最后，在經(jīng)由單切(Singulation)的步驟之后，可以形成多個(gè)獨(dú)立的芯片封裝結(jié)構(gòu)600。
參照?qǐng)D3F，如上所述的本實(shí)用新型的芯片封裝結(jié)構(gòu)600具有很好的電性效能，原因如下1.在上述的芯片封裝結(jié)構(gòu)600中，可以將高頻電性需求的信號(hào)通過凸塊450來傳遞，而將無須高頻電性需求的信號(hào)通過導(dǎo)線520來傳遞，另外通過導(dǎo)線520也可以連接接地端電壓或電源端電壓。如此，可以將高頻電性需求的信號(hào)僅需通過圖案化線路層324便可以直接連接到接點(diǎn)540，而無須通過導(dǎo)電插塞，因此導(dǎo)電插塞的制作數(shù)目可以減少，由于減少了導(dǎo)電插塞的限制，故可以降低基板300中繞線路徑的長(zhǎng)度，而提高芯片封裝結(jié)構(gòu)600的電性效能。
2.在上述的芯片封裝結(jié)構(gòu)600中，由于導(dǎo)電插塞的數(shù)目減少且部份的導(dǎo)電插塞332并未貫穿到圖案化金屬層324，因此可以保留更大的空間給圖案化金屬層324作線路設(shè)計(jì)。比如可以將圖案化金屬層324設(shè)計(jì)出更多的保護(hù)電路，作為吸收噪聲及屏蔽之用。
3.在上述的芯片封裝結(jié)構(gòu)600中，基板300的第一表面352及第二表面354上均配置有與芯片400電性連接的基板凸塊接合墊364及基板導(dǎo)線接合墊362，因此可以避免基板300的線路高集成度地集中在基板300的一表面上，故能夠降低基板300在繞在線與基板導(dǎo)線接合墊362及基板凸塊接合墊364連接的線路密集度，同時(shí)還可以減少串音或噪聲的產(chǎn)生，而提高電性效能。
4.對(duì)于基板300在形成貫孔350之后，所損失的電氣特性，可以外加被動(dòng)組件于基板300上來作補(bǔ)償。比如在基板300形成貫孔350之后，由于圖案化金屬層322、323的面積會(huì)減少，因此會(huì)降低圖案化金屬層322、323之間能夠形成寄生電容的電容量，而所損失的電容量可以通過外加電容來補(bǔ)償，如此能夠避免突然的大電流對(duì)基板300造成太大的沖擊。
同樣參照?qǐng)D3F，在本實(shí)用新型的芯片封裝結(jié)構(gòu)600中，除了基板300的圖案化金屬層324具有較高的線路密集度之外，其余的圖案化金屬層321、322、323的線路密集度并不會(huì)太高，故可以由低成本的壓合法(lamination)，來制作出適用于本實(shí)用新型的芯片封裝結(jié)構(gòu)600的基板300，而不需利用高成本的增層法(built-up)。
第二優(yōu)選實(shí)施例然而本實(shí)用新型的應(yīng)用并非限于此，還可以安裝一散熱構(gòu)件到芯片封裝結(jié)構(gòu)上，如圖4所示，其示出依照本實(shí)用新型第二優(yōu)選實(shí)施例的芯片封裝模塊的截面示意圖。其中若是本實(shí)施例中的標(biāo)號(hào)與第一優(yōu)選實(shí)施例一樣，則表示在本實(shí)施例中所指明的構(gòu)件同于在第一優(yōu)選實(shí)施例中所指明的構(gòu)件，在此便不再贅述。
參照?qǐng)D4，芯片封裝模塊610還包括一散熱構(gòu)件550，配置在絕緣材料530上，以將絕緣材料530中的熱量快速地散出，其中散熱構(gòu)件550的材質(zhì)比如是具有高散熱系數(shù)的金屬。
第三優(yōu)選實(shí)施例在上述的優(yōu)選實(shí)施例中，利用兩道步驟來形成絕緣材料，以保護(hù)凸塊及導(dǎo)線，然而本實(shí)用新型的應(yīng)用并非限于此，也可以僅利用一道步驟來形成絕緣材料，以保護(hù)凸塊及導(dǎo)線，如圖5所示，其示出依照本實(shí)用新型第三優(yōu)選實(shí)施例的芯片封裝模塊的截面示意圖。其中若是本實(shí)施例中的標(biāo)號(hào)與第一優(yōu)選實(shí)施例一樣，則表示在本實(shí)施例中所指明的構(gòu)件同于在第一優(yōu)選實(shí)施例中所指明的構(gòu)件，在此便不再贅述。
參照?qǐng)D5，其中在芯片400利用凸塊450接合到基板300上之后，并不立即形成絕緣材料到芯片400與基板300之間，而是進(jìn)行打線工藝，接著才在基板300的貫孔350中及芯片400與基板300之間同時(shí)形成一絕緣材料531，以保護(hù)導(dǎo)線520及凸塊450。如此本實(shí)用新型在實(shí)際應(yīng)用上，也可以僅需利用一道步驟來形成絕緣材料531于基板300的貫孔350中及芯片400與基板300之間。
第四優(yōu)選實(shí)施例在上述的優(yōu)選實(shí)施例中，芯片與接點(diǎn)均配置在基板的同一側(cè)，亦即在基板的第一表面上，然而本實(shí)用新型的應(yīng)用并非限于此，亦可以將芯片與接點(diǎn)分別配置在基板的兩側(cè)，如圖6所示，其示出依照本實(shí)用新型第四優(yōu)選實(shí)施例的芯片封裝模塊的截面示意圖。
參照?qǐng)D6，基板700具有多個(gè)基板導(dǎo)線接合墊762、多個(gè)基板凸塊接合墊764及多個(gè)基板接點(diǎn)接合墊766，其中基板凸塊接合墊764位于基板700的第一表面752上，并靠近貫孔750的周圍，而基板導(dǎo)線接合墊762位于基板700的第二表面754上，并靠近貫孔750的周圍，且基板接點(diǎn)接合墊766位于基板700的第二表面754上。芯片800以其芯片凸塊接合墊8 12并通過凸塊850與基板700的基板凸塊接合墊764接合，導(dǎo)線920穿過基板700的貫孔750，導(dǎo)線920的一端接合在芯片導(dǎo)線接合墊814上，導(dǎo)線920的另一端接合在基板導(dǎo)線接合墊762上。而比如是焊球、針腳或電極塊的接點(diǎn)950配置在基板接點(diǎn)接合墊766上。如上所述，芯片800與接點(diǎn)950分別配置在基板700的兩側(cè)，亦即，芯片800配置在基板700的第一表面752上，而接點(diǎn)950配置在基板700的第二表面754上。
雖然本實(shí)用新型已經(jīng)通過至少一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例公開如上，然而其并非用以限定本實(shí)用新型，本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)至少包括一基板，具有一第一表面及對(duì)應(yīng)的一第二表面，該基板還具有一貫孔，貫穿該基板，該基板還具有多個(gè)基板凸塊接合墊及多個(gè)基板導(dǎo)線接合墊，該基板凸塊接合墊位于該基板的該第一表面上，并靠近該貫孔的周圍，該基板導(dǎo)線接合墊位于該基板的該第二表面上，并靠近該貫孔的周圍；一芯片，具有一有源表面，該芯片的該有源表面的截面積大于該基板的該貫孔的截面積，該芯片配置在該基板的該第一表面上的該貫孔處，且覆蓋該基板的該貫孔，而該芯片的該有源表面面向該貫孔，該芯片還具有多個(gè)芯片凸塊接合墊及多個(gè)芯片導(dǎo)線接合墊，該芯片導(dǎo)線接合墊配置在該芯片的該有源表面的中間區(qū)域上，而該芯片凸塊接合墊環(huán)繞于該芯片的該有源表面的周邊區(qū)域上；多個(gè)凸塊，每一個(gè)凸塊分別接合該芯片凸塊接合墊之一及該基板凸塊接合墊之一；多條導(dǎo)線，每一條該導(dǎo)線穿過該基板的該貫孔，且每一條該導(dǎo)線的一端接合該芯片導(dǎo)線接合墊之一，而每一條該導(dǎo)線的另一端接合該基板導(dǎo)線接合墊之一；以及一絕緣材料，位于該芯片與該基板之間及該基板的該貫孔中，并包覆該導(dǎo)線及該凸塊。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括多個(gè)接點(diǎn)，位于該基板的該第一表面上，并與該基板電性連接，該接點(diǎn)選自于由焊球、針腳及電極塊所組成的族群中的一種電性連接結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括多個(gè)接點(diǎn)，位于該基板的該第二表面上，并與該基板電性連接，該接點(diǎn)選自于由焊球、針腳及電極塊所組成的族群中的一種電性連接結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中通過該基板凸塊接合墊、該芯片凸塊接合墊及該凸塊來傳遞該芯片與該基板之間的高頻信號(hào)。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基板為一壓合基板。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一散熱構(gòu)件，配置在該絕緣材料上。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括基板、芯片、多個(gè)凸塊、多條導(dǎo)線及絕緣材料，其中基板具有一第一表面及對(duì)應(yīng)的一第二表面，基板還具有一貫孔，貫穿基板。一芯片配合基板的貫孔的位置而配置在基板的第一表面上。芯片透過凸塊與基板的第一表面接合。導(dǎo)線穿過基板的貫孔，且導(dǎo)線的一端接合在芯片上，而導(dǎo)線的另一端接合在基板的第二表面上。絕緣材料填入于芯片與基板之間及基板的貫孔中，并包覆導(dǎo)線及凸塊。
文檔編號(hào)H01L23/48GK2653693SQ03238410
公開日2004年11月3日 申請(qǐng)日期2003年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月14日
發(fā)明者李怡增 申請(qǐng)人:威盛電子股份有限公司