專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種像素結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal display, TFT-LCD)是目前最被廣泛使用的一種平面顯示器，它具有低功率、薄形質(zhì)輕、以 及低電壓驅(qū)動(dòng)等優(yōu)點(diǎn)。隨著面板設(shè)計(jì)尺寸的不斷增大，制作工藝的復(fù)雜度與難度 也隨著尺寸的不斷增加而日益升高。因此，在設(shè)計(jì)上很難兼顧制作工藝的限制以 及控制制作工藝誤差對(duì)面板顯示品質(zhì)的影響，而它們是影響產(chǎn)能與良率的重要因 素。通常在液晶顯示器的生產(chǎn)過程中，常易受到制作工序污染或靜電破壞，使薄 膜晶體管異常的短路或斷路，因而造成像素的點(diǎn)缺陷，如亮點(diǎn)、暗點(diǎn)以及輝點(diǎn)。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的部分像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。請(qǐng)參見圖1，柵 極線ll和數(shù)據(jù)線13相交處形成有像素電極15。由柵極(位于柵極線ll下面，圖 未示)，第一半導(dǎo)體電極121、源極電極131與漏極電極132組成的晶體管控制像 素電極15的充放電。漏極電極132通過接觸孔14和像素電極15電性接觸。此外， 該像素結(jié)構(gòu)還包括由一浮接金屬電極lll、 一第二半導(dǎo)體電極122、 一源極凸起部 133和一漏極凸起部134組成的二極管。當(dāng)該晶體管失效時(shí)，可采用激光修復(fù)的方 法，在修復(fù)點(diǎn)135處打點(diǎn)，這樣浮接金屬電極111與源極凸起部133利用熔融的 金屬電連接起來，與第二半導(dǎo)體電極122及漏極凸起部134組成一個(gè)二極管，從 而達(dá)到修復(fù)的目的。當(dāng)數(shù)據(jù)線13處于高電位時(shí)，利用二極管的正向?qū)щ娞匦?，?shù) 據(jù)線13的信號(hào)寫入到像素電極15上；當(dāng)數(shù)據(jù)線13處于低電位時(shí)，利用二極管的 反向漏電特性對(duì)像素電極15進(jìn)行放電。由于二極管這種單向?qū)ㄌ匦?，因此無法 完全對(duì)像素電極15進(jìn)行放電。
圖2為另一種現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的部分像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。請(qǐng)參見如 圖2， 一柵極線21， 一半導(dǎo)體層22，源極電極233,漏極電極231與漏極電極232 分別位于像素電極251與像素電極252上。漏極電極231通過接觸孔24和像素電極251電性接觸。這樣在柵極線上對(duì)稱分布著兩個(gè)晶體管。當(dāng)像素252上的晶體 管失效時(shí)，可以利用其位于上一個(gè)柵極線上的晶體管進(jìn)行修復(fù)。采用激光修復(fù)的 方法，利用熔融的金屬在修復(fù)點(diǎn)234處將像素電極252與漏極電極232相連接。 由于修復(fù)后像素電極252的信號(hào)完全與像素電極251相同，因此顯示的信號(hào)非預(yù) 定的設(shè)計(jì)值，而且釆用該像素設(shè)計(jì)，增加?xùn)艠O的信號(hào)延遲。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種像素結(jié)構(gòu)，可以使修復(fù)后的像素正常 充放電且獲得預(yù)定的目標(biāo)值。
本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問題而釆用的技術(shù)方案是提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括 一柵極電極層，包括一柵極線以及與該柵極線電性隔絕的第一浮接金屬電極； 一柵極絕緣層，設(shè)置于所述柵極電極層上；
一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上，包括第一半導(dǎo)體電極和第二半導(dǎo)體電
極；
一源極/漏極電極層，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層上，包括一源極電極、 一漏極電極、 數(shù)據(jù)線以及第二浮接金屬電極，該源極電極和該數(shù)據(jù)線相連，該漏極電極上形成 有一漏極凸起部，該數(shù)據(jù)線上形成有一源極凸起部，該第二浮接金屬電極和所述 源極電極、漏極電極及數(shù)據(jù)線電性隔絕；
一柵極電極層，包括一柵極線以及與該柵極線電性隔絕的第一浮接金屬電極；
其中，該源極電極與漏極電極分別與該第一半導(dǎo)體電極部分重疊，該源極凸起 部與漏極凸起部分別與該第二半導(dǎo)體電極部分重疊，該第一浮接金屬電極與該第 二浮接金屬電極部分重疊。
本實(shí)用新型對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)有如下的有益效果:本實(shí)用新型像素設(shè)計(jì)有一浮接的晶 體管。當(dāng)該像素發(fā)生點(diǎn)缺陷時(shí)，可以利用該晶體管對(duì)其進(jìn)行修復(fù)，從而使該像素 正常顯示。本實(shí)用新型提供的像素結(jié)構(gòu)可以使修復(fù)后的像素正常充放電且獲得預(yù) 定的目標(biāo)值。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的部分像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。圖2為另一種現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的部分像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。 圖3為本實(shí)用新型的部分像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。 圖4為圖3部分放大圖及修復(fù)示意圖。
圖中 11柵極線 15像素電極 122第二半導(dǎo)體電極 133源極凸起部 21柵極線 24接觸孔 233漏極電極 252第二像素電極 34接觸孔
321第一半導(dǎo)體電極 331源極電極 333源極凸起部 341第一薄膜晶體管
13數(shù)據(jù)線
111浮接金屬電極
131源極電極
134漏極凸起部
22半導(dǎo)體層
231源極電極
234修復(fù)點(diǎn)
31柵極線
35像素電極
322第二半導(dǎo)體電極
14接觸孔 121第一半導(dǎo)體電極 132漏極電極 135修復(fù)點(diǎn) 23數(shù)據(jù)線 232漏極電極 251第一像素電極 33數(shù)據(jù)線
311第一浮接金屬電極
332漏極電極
334漏極凸起部 335第二浮接金屬電極 342第二薄膜晶體管
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及典型實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
圖3為本實(shí)用新型的部分像素結(jié)構(gòu)平面示意圖，圖4為圖3部分放大圖及修 復(fù)示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3和圖4，本實(shí)用新型采用的薄膜晶體管陣列基板為多層結(jié)構(gòu)， 在基板上依次形成有一柵極電極層、 一柵極絕緣層、 一半導(dǎo)體層以及一源極/漏極 電極層。
柵極電極層上形成有一柵極線31與一第一浮接金屬電極311，第一浮接金屬 電極311與柵極線31電性隔絕。
半導(dǎo)體層上形成有第一半導(dǎo)體電極321和第二半導(dǎo)體電極322。 源極/漏極電極層上形成有一數(shù)據(jù)線33， 一源極電極331， 一漏極電極332以
5及一第二浮接金屬電極335，第二浮接金屬電極335和數(shù)據(jù)線33、源極電極331、 漏極電極332電性隔絕。
其中，柵極線31和數(shù)據(jù)線33相交處形成有像素電極35,此像素的像素電極 35與漏極電極332通過一接觸孔34電性連接。源極電極331與漏極電極332分別 與第一半導(dǎo)體電極321部分重疊，源極凸起部333與漏極凸起部334分別與第二 半導(dǎo)體電極322部分重疊，第一浮接金屬電極311與第二浮接金屬電極335部分 重疊。正常工作時(shí)，由源極電極331、第一半導(dǎo)體電極321以及漏極電極332形成 的第一薄膜晶體管341控制像素電極35的充放電。數(shù)據(jù)線33傳送源極信號(hào)到源 極電極331，柵極線31具有一位于第一半導(dǎo)體電極321下方的柵極電極(圖未示)， 柵極信號(hào)經(jīng)由柵極線31傳送到柵極電極。
當(dāng)在全黑畫面下檢查發(fā)現(xiàn)此像素為一亮點(diǎn)時(shí)，用激光修復(fù)的方法在第二浮接 金屬電極335表面上打點(diǎn)，如圖4所示。通過修復(fù)后，柵極線31、第二浮接金屬 電極335和第一浮接金屬電極311電性連接起來。由源極凸起部333、半導(dǎo)體322 以及漏極凸起部334形成第二薄膜晶體管342。柵極電極信號(hào)可以通過第二浮接金 屬電極335，到達(dá)第一浮接金屬電極311，修復(fù)后由第二薄膜晶體管342控制像素 電極35的充放電，像素電極35可以獲得和修復(fù)前一樣的信號(hào)電壓，從而達(dá)到修 復(fù)的效果。也就是說，正常情況下，由源極電極331、半導(dǎo)體321以及漏極電極 332形成的第一薄膜晶體管341工作，當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管341失效后，通過上述修 復(fù)方法，由源極凸起部333、第二半導(dǎo)體電極322以及漏極凸起部334形成的第二 薄膜晶體管342工作。
本實(shí)用新型的像素設(shè)置一浮接的晶體管，即第二薄膜晶體管342，當(dāng)該像素發(fā) 生點(diǎn)缺陷時(shí)，可以利用第二薄膜晶體管342對(duì)其進(jìn)行修復(fù)，從而使該像素正常顯 示。本實(shí)用新型的像素結(jié)構(gòu)可以使修復(fù)后的像素正常充放電且獲得預(yù)定的目標(biāo)值。
雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型， 任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改 和完善，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1、一種像素結(jié)構(gòu)，包括一柵極電極層，包括一柵極線以及與該柵極線電性隔絕的第一浮接金屬電極；一柵極絕緣層，設(shè)置于所述柵極電極層上；一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上，包括第一半導(dǎo)體電極和第二半導(dǎo)體電極；一源極/漏極電極層，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層上，包括一源極電極、一漏極電極、數(shù)據(jù)線以及第二浮接金屬電極，該源極電極和該數(shù)據(jù)線相連，該漏極電極上形成有一漏極凸起部，該數(shù)據(jù)線上形成有一源極凸起部，該第二浮接金屬電極和所述源極電極、漏極電極及數(shù)據(jù)線電性隔絕；其特征在于，該源極電極與漏極電極分別與該第一半導(dǎo)體電極部分重疊，該源極凸起部與漏極凸起部分別與該第二半導(dǎo)體電極部分重疊，該第一浮接金屬電極與該第二浮接金屬電極部分重疊。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種像素結(jié)構(gòu)，包括形成在柵極電極層上的一柵極線和第一浮接金屬電極；形成在半導(dǎo)體層上的第一半導(dǎo)體電極和第二半導(dǎo)體電極；以及形成在源極/漏極電極層上的一源極電極、一漏極電極、數(shù)據(jù)線以及第二浮接金屬電極，該源極電極和該數(shù)據(jù)線相連，該數(shù)據(jù)線上形成有一源極凸起部，該漏極電極上形成有一漏極凸起部；其中，該源極凸起部與漏極凸起部分別與該第二半導(dǎo)體電極部分重疊，該第一浮接金屬電極與該第二浮接金屬電極部分重疊。本實(shí)用新型的像素結(jié)構(gòu)可以使修復(fù)后的像素正常充放電且獲得預(yù)定的目標(biāo)值。
文檔編號(hào)H01L29/786GK201289850SQ20082015405
公開日2009年8月12日 申請(qǐng)日期2008年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月15日
發(fā)明者高孝裕 申請(qǐng)人:上海廣電光電子有限公司