專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種液晶顯示面板，且特別是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景現(xiàn)今社會(huì)多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達(dá)，多半受惠于半導(dǎo)體元件或顯示裝置的進(jìn) 步。就顯示器而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等 優(yōu)越特性的液晶顯示器己逐漸成為市場(chǎng)的主流。 一般液晶顯示器可分為穿透 式、反射式，以及半穿透半反射式三大類。其中半穿透半反射式液晶顯示器 可同時(shí)在光線充足與光線不足的情形下使用，因此可應(yīng)用的范圍較廣。
就半穿透半反射式液晶顯示器而言，在其制作時(shí)通常會(huì)將穿透區(qū)與反射區(qū)的晶穴間距(cell gap)設(shè)計(jì)成不同，即雙重晶穴間距(dual cell gap)。但是， 具有雙重晶穴間距的半穿透半反射式液晶顯示器在制作上較為復(fù)雜，且穿透 區(qū)與反射區(qū)的交接處因?yàn)橛虚g距的變化而有光穿透率不盡理想的問題，進(jìn)而 造成整體開口率(aperture ratio)下降。
因此， 一種微反射式液晶顯示器被提出，微反射式液晶顯示器屬于半穿 透半反射式液晶顯示器的一種。 一般而言，半穿透半反射式液晶顯示器中的 薄膜晶體管陣列基板上的金屬走線，如薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)、掃描線、數(shù)據(jù)線、共用配線等，會(huì)將外界光源反射，以達(dá)到1 2%的 微反射率。微反射式液晶顯示器是在薄膜晶體管陣列基板上的金屬走線密集 區(qū)域增加一平板反射層，以增加對(duì)外界光源的反射率。此外，微反射式液晶 顯示器的平板反射層與下方的金屬走線可以作為儲(chǔ)存電容。
圖1為一種微反射式液晶顯示器的儲(chǔ)存電容結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1， 儲(chǔ)存電容結(jié)構(gòu)100包括一平板反射層110、一夾層電極120以及一下電極130。 平板反射層IIO與薄膜晶體管(未繪示)電性連接而具有一電壓Vp，其中平板反射層110與下電極130連接。夾層電極120與共用配線(未繪示)電性 連接而具有一電壓Vc。因此平板反射層IIO與夾層電極120之間構(gòu)成儲(chǔ)存電 容Cl以及夾層電極120與下電極130之間構(gòu)成儲(chǔ)存電容C2。然而，此種微反射式液晶顯示器的反射率仍無法完全滿足使用上的需求， 例如在強(qiáng)光下，仍有無法辨識(shí)顯示信息的缺點(diǎn)，因此通常尚需在微反射式液 晶顯示器的上偏光片中加入擴(kuò)散膠，以使得觀察者能夠更容易觀察到被平板 反射層所反射的光線。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其具有較高的反射率。 以下為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，此像素結(jié)構(gòu) 配置于一基板上，并與一掃描線以及一數(shù)據(jù)線電性連接，像素結(jié)構(gòu)具有一反 射區(qū)，像素結(jié)構(gòu)包括一共用配線、 一半導(dǎo)體下電極、 一上電極、 一圖案化介 電層、 一反射電極以及一主動(dòng)元件。半導(dǎo)體下電極配置于反射區(qū)內(nèi)的基板上， 并與共用配線電性連接。上電極配置于半導(dǎo)體下電極上方，并與半導(dǎo)體下電 極電性絕緣。圖案化介電層配置于上電極上，并暴露出部分上電極，圖案化 介電層具有多個(gè)微形凸起結(jié)構(gòu)。反射電極配置于圖案化介電層與部分上電極 上，并與上電極電性連接。主動(dòng)元件電性連接于掃描線以及數(shù)據(jù)線，并與反 射電極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)更包括一穿透區(qū)，且像素結(jié)構(gòu)更包括 一像素電極位于穿透區(qū)內(nèi)，像素電極與反射電極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)更包括一柵絕緣層，配置于上電極以 及半導(dǎo)體下電極之間，以使半導(dǎo)體下電極與上電極之間構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖案化介電層更包括一第一接觸窗，反射電極 通過第一接觸窗與主動(dòng)元件電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖案化介電層更包括一第二接觸窗，半導(dǎo)體下 電極通過第二接觸窗與共用配線電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，主動(dòng)元件包括頂柵型薄膜晶體管。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，主動(dòng)元件具有一半導(dǎo)體層，且半導(dǎo)體層具有一 與反射電極連接的漏極區(qū)，主動(dòng)元件透過漏極區(qū)與反射電極電性連接。在另 一實(shí)施例中，半導(dǎo)體下電極與主動(dòng)元件的半導(dǎo)體層屬于同一薄膜。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，半導(dǎo)體下電極的組成包括多晶硅。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上電極的材料與反射電極的材料相同。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，反射電極的材料包括鋁、鉬或鈦。 基于上述，本發(fā)明利用具有多個(gè)微形凸起結(jié)構(gòu)的圖案化介電層，使得反 射電極表面形成多個(gè)微形凸起結(jié)構(gòu)，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明可以增加光反 射率。再者，在本發(fā)明的實(shí)施例中，半導(dǎo)體下電極與上電極分別電性連接于 共用配線以及主動(dòng)元件，以使半導(dǎo)體下電極與上電極之間構(gòu)成一儲(chǔ)存電容， 此設(shè)計(jì)亦有別于現(xiàn)有的儲(chǔ)存電容設(shè)計(jì)。


圖1為一種微反射式液晶顯示器的儲(chǔ)存電容示意圖。 圖2A為本發(fā)明的一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2B為圖2A沿A-A'剖面線的剖面圖。 圖3為本發(fā)明的另一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖。附圖標(biāo)號(hào)100:儲(chǔ)存電容結(jié)構(gòu)110:平板反射層120:夾層電極130:下電極200、300:像素結(jié)構(gòu)210:基板220、320:掃描線230:數(shù)據(jù)線 240:共用配線250:半導(dǎo)體下電極260:上電極270:圖案化介電層280:反射電極290、 390:主動(dòng)元件292:半導(dǎo)體層292D:漏極區(qū)B:微形凸起結(jié)構(gòu)C、 Cl、 C2:儲(chǔ)存電容HI:第一接觸窗H2:第二接觸窗R:反射區(qū)T:穿透區(qū)Vc、 Vp:電壓具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并 配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。圖2A為本發(fā)明的一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖，而圖2B為圖2A沿A-A'剖面 線的剖面圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2A與圖2B，此像素結(jié)構(gòu)200配置于一基板210 上，并與掃描線220以及數(shù)據(jù)線230電性連接，像素結(jié)構(gòu)200具有一反射區(qū) R，像素結(jié)構(gòu)200包括一共用配線240、 一半導(dǎo)體下電極250、 一上電極260、 一圖案化介電層270、 一反射電極280以及一主動(dòng)元件290。如圖2B所示， 半導(dǎo)體下電極250配置于反射區(qū)R內(nèi)的基板210上，并與共用配線240電性 連接。上電極260配置于半導(dǎo)體下電極250上方，并與半導(dǎo)體下電極250電 性絕緣。圖案化介電層270配置于上電極260上，并暴露出部分上電極260，
圖案化介電層270具有多個(gè)微形凸起結(jié)構(gòu)B。反射電極280配置于圖案化介 電層270與部分上電極260上，并與上電極260電性連接。主動(dòng)元件290電 性連接于掃描線220以及數(shù)據(jù)線230，并與反射電極280電性連接。在本實(shí) 施例中，像素結(jié)構(gòu)200更包括一穿透區(qū)T，且像素結(jié)構(gòu)200更包括一像素電 極位于穿透區(qū)T內(nèi)，像素電極與反射電極280電性連接。值得注意的是，反射電極280的表面對(duì)應(yīng)下方圖案化介電層270的形狀 而具有多個(gè)微形凸起結(jié)構(gòu)B，其中反射電極280的材料例如是鋁、鉬、鈦或 其它導(dǎo)電反射材料。這些微形凸起結(jié)構(gòu)B可以增加對(duì)外界光線的反射面積， 并且能使光線的反射方向較為全面化，進(jìn)而使得觀察者更容易觀察到被平板 反射層所反射的光線。因此，相較于現(xiàn)有的反射電極，本實(shí)施例的反射電極 280具有較高的光線反射效果，且不需額外搭配擴(kuò)散膠，進(jìn)而能降低制造成 本。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2A與圖2B，圖案化介電層270更包括一第一接觸窗Hl 與一第二接觸窗H2，其中反射電極280通過第一接觸窗Hl與主動(dòng)元件290 電性連接，而半導(dǎo)體下電極250通過第二接觸窗H2與共用配線240電性連 接。特別的是，在一般定義圖案化介電層270的制造工藝中，多個(gè)微形凸起 結(jié)構(gòu)B可以與第一接觸窗H1、第二接觸窗H2同時(shí)完成。換言之，本發(fā)明不 需增加原有制造工藝的光罩?jǐn)?shù)即能完成多個(gè)微形凸起結(jié)構(gòu)B的制作，在不增加制作成本的情況下大幅增加反射率。此外，如圖2B所示，像素結(jié)構(gòu)200更包括一柵絕緣層252，配置于上電 極260以及半導(dǎo)體下電極250之間，以使半導(dǎo)體下電極250與上電極260之 間構(gòu)成一儲(chǔ)存電容C。詳言之，令共用配線240所傳輸?shù)碾妷簽閂c，而經(jīng)由 數(shù)據(jù)線230傳輸?shù)碾妷簽閂p，電壓Vp透過開啟的主動(dòng)元件290輸入至反射 電極280。如此，具有電壓Vc的半導(dǎo)體下電極250、柵絕緣層252以及具有 電壓Vp的上電極260即構(gòu)成儲(chǔ)存電容C，用以穩(wěn)定像素結(jié)構(gòu)的電壓Vp,進(jìn) 而提升顯示質(zhì)量。請(qǐng)繼續(xù)參考圖2B，主動(dòng)元件290具有一半導(dǎo)體層292，且半導(dǎo)體層292 具有一與反射電極280連接的漏極區(qū)292D，主動(dòng)元件2卯透過漏極區(qū)292D 與反射電極280電性連接。在本實(shí)施例中，主動(dòng)元件290例如是頂柵型薄膜 晶體管。值得注意的是，半導(dǎo)體下電極250與主動(dòng)元件290的半導(dǎo)體層292 例如是屬于同一薄膜，舉例而言為多晶硅。因此，半導(dǎo)體下電極250的制作 也可以是與半導(dǎo)體層292同時(shí)完成，不需額外的制作成本。此外，上電極260 的材料也可以選用與反射電極280的相同材料。實(shí)務(wù)上，設(shè)計(jì)者基于減少主動(dòng)元件漏電流或其它考慮，可以使得掃描線 320的布局設(shè)計(jì)如圖3所繪示，像素結(jié)構(gòu)300中的掃描線320具有一突出部P， 以使得主動(dòng)元件390為雙柵型薄膜晶體管，因此本發(fā)明并不限定掃描線的布 局以及主動(dòng)元件的種類。此外，在本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)300的其它構(gòu)件與像 素結(jié)構(gòu)200類似，不再累述?；谏鲜?，本發(fā)明利用同一層圖案化介電層可以使得反射電極具有多個(gè) 可以提升光線反射率的微形凸起結(jié)構(gòu)，同時(shí)，反射電極可以直接與儲(chǔ)存電容 的上電極連接。因此，本發(fā)明在不增加原有制造工藝復(fù)雜度下，大幅提升像 素結(jié)構(gòu)的光反射效率，并節(jié)省成本。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作 些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，配置于一基板上，并與一掃描線以及一數(shù)據(jù)線電性連接，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)具有一反射區(qū)，所述的像素結(jié)構(gòu)包括一共用配線；一半導(dǎo)體下電極，配置于所述的反射區(qū)內(nèi)的所述的基板上，并與所述的共用配線電性連接；一上電極，配置于所述的半導(dǎo)體下電極上方，并與所述的半導(dǎo)體下電極電性絕緣；一圖案化介電層，配置于所述的上電極上，并暴露出部分所述的上電極，所述的圖案化介電層具有多個(gè)微形凸起結(jié)構(gòu)；一反射電極，配置于所述的圖案化介電層以及部分所述的上電極上，所述的反射電極與所述的上電極電性連接；一主動(dòng)元件，配置于所述的基板上，所述的主動(dòng)元件電性連接于掃描線以及數(shù)據(jù)線，且所述的主動(dòng)元件與所述的反射電極電性連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)更包括 一穿透區(qū)，且所述的像素結(jié)構(gòu)更包括一像素電極位于所述的穿透區(qū)內(nèi)，所述 的像素電極與所述的反射電極電性連接。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)更包括 一柵絕緣層，配置于所述的上電極以及所述的半導(dǎo)體下電極之間，以使所述 的半導(dǎo)體下電極與所述的上電極之間構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的圖案化介電層更 包括一第一接觸窗，所述的反射電極通過所述的第一接觸窗與所述的主動(dòng)元 件電性連接。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的圖案化介電層更 包括一第二接觸窗，所述的半導(dǎo)體下電極通過所述的第二接觸窗與所述的共 用配線電性連接。
6. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的主動(dòng)元件包括頂 柵型薄膜晶體管。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的主動(dòng)元件具有一 半導(dǎo)體層，且所述的半導(dǎo)體層具有一與所述的反射電極連接的漏極區(qū)，所述 的主動(dòng)元件透過所述的漏極區(qū)與所述的反射電極電性連接。
8. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的半導(dǎo)體下電極與 所述的主動(dòng)元件的半導(dǎo)體層屬于同一薄膜。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的半導(dǎo)體下電極的 組成包括多晶硅。
10. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的上電極的材料與 所述的反射電極的材料相同。
11. 如權(quán)利要求l所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的反射電極的材料 包括鋁、鉬或鈦。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)配置于一基板上，并與一掃描線以及一數(shù)據(jù)線電性連接，像素結(jié)構(gòu)具有一反射區(qū)，像素結(jié)構(gòu)包括共用配線、半導(dǎo)體下電極、上電極、圖案化介電層、反射電極以及主動(dòng)元件。半導(dǎo)體下電極配置于反射區(qū)內(nèi)的基板上，并與共用配線電性連接。上電極配置于半導(dǎo)體下電極上方，并與半導(dǎo)體下電極電性絕緣。圖案化介電層配置于上電極上，并暴露出部分上電極，圖案化介電層具有多個(gè)微形凸起結(jié)構(gòu)。反射電極配置于圖案化介電層與部分上電極上，并與上電極電性連接。主動(dòng)元件電性連接于掃描線以及數(shù)據(jù)線，并與反射電極電性連接。
文檔編號(hào)G02F1/136GK101158791SQ20071016964
公開日2008年4月9日 申請(qǐng)日期2007年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月13日
發(fā)明者張志明, 李錫烈, 楊敦鈞, 林敬桓, 陳卓彥 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司