專利名稱：導(dǎo)電粒子壓痕的檢測裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種導(dǎo)電粒子壓痕的檢測裝置及方法，特別是有關(guān)于一種顯示 器的異方性導(dǎo)電膠的導(dǎo)電粒子壓痕的檢測裝置及方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器目前廣泛應(yīng)用于液晶電視、筆記型計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、PDA等電子產(chǎn)品，而凡巻帶封裝TCP (tape carrier package; TCP)/薄膜覆晶 封裝COF(chip on film; COF)封裝時(shí)連接至液晶顯示器的外部引腳焊接OLB (outer lead bonding; OLB)、驅(qū)動(dòng)芯片接著于TCP/COF載板的內(nèi)部引腳焊 接ILB (inner lead bonding; ILB)制造工藝、玻璃覆晶封裝COG (chip on glass; COG)封裝時(shí)驅(qū)動(dòng)芯片與玻璃基板接合的制造工藝、將芯片直接黏在電路板 制造工藝方式(chip on board; COB)等，多以異方性導(dǎo)電膠(anisotropic conductive film; ACF)進(jìn)行，以避免高溫焊接的制造工藝。異方性導(dǎo)電膠由導(dǎo)電粒子與絕緣膠材所組成，其特殊構(gòu)造使其兼具導(dǎo)電、 隔絕和黏著的功能。 一般而言，將異方性導(dǎo)電膠貼附以及在上方對(duì)象與下方 板材精準(zhǔn)對(duì)位與壓合后，經(jīng)加熱及加壓一段時(shí)間后使絕緣膠材固化，即可形 成垂直導(dǎo)通、橫向絕緣的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。然而，當(dāng)異方性導(dǎo)電膠受壓時(shí)，壓力不均或壓力不足會(huì)導(dǎo)致兩金屬墊間 可導(dǎo)通的變形導(dǎo)電粒子數(shù)目不足，而使傳導(dǎo)性不佳；抑或當(dāng)導(dǎo)龜粒子密度分 布不均時(shí)，也會(huì)使得傳導(dǎo)性不佳。因此，為了避免上述狀況發(fā)生，以異方性導(dǎo)電膠進(jìn)行黏著時(shí)，通常需檢 測導(dǎo)電粒子壓痕的狀態(tài)、數(shù)目及分布，以確定導(dǎo)電性的狀況。然而，目前隨著細(xì)微間距(fmepitch)潮流的推動(dòng)下，非常容易誤判導(dǎo)電粒 子壓痕數(shù)目與其分布，其將影響機(jī)臺(tái)判定的可靠度
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為了解決上述問題，本發(fā)明的一目的提供一種導(dǎo)電粒子壓痕 的檢測裝置及方法，通過位于非信號(hào)傳輸區(qū)的測試墊與測試條之間導(dǎo)電粒子 壓痕狀態(tài)，來決定信號(hào)傳輸區(qū)的金屬墊間導(dǎo)電粒子的壓痕狀態(tài)。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種檢測裝置，用以檢測導(dǎo)電粒子壓痕 狀態(tài)，包括第一基板、多個(gè)第一金屬墊、至少一個(gè)測試墊、第二基板、多個(gè) 第二金屬墊、測試條與異方性導(dǎo)電膠。第一基板具有信號(hào)傳輸區(qū)及非信號(hào)傳 輸區(qū)，而多個(gè)第一金屬墊位于信號(hào)傳輸區(qū)，且至少一個(gè)測試墊位于非信號(hào)傳 輸區(qū)。多個(gè)第二金屬墊位于第二基板且對(duì)應(yīng)第一金屬墊，且測試條位于第二 基板且對(duì)應(yīng)至少一個(gè)測試墊，而異方性導(dǎo)電膠位于第一金屬墊與第二金屬墊 之間，且位于至少個(gè)一測試墊與測試條之間。本發(fā)明另提供一種導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)的檢測方法，其利用上述的檢測裝 置，根據(jù)位于非信號(hào)傳輸區(qū)的至少一測試墊與測試條之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀 態(tài)，以決定位于信號(hào)傳輸區(qū)的第一金屬墊與第二金屬墊之間的導(dǎo)電粒子壓痕 狀態(tài)。


圖1A是本發(fā)明的導(dǎo)電粒子壓痕檢測裝置的第一基板結(jié)構(gòu)示意圖。 圖1B是本發(fā)明的導(dǎo)電粒子壓痕檢測裝置的第二基板結(jié)構(gòu)示意圖。 圖1C是第一基板與第二基板組合后的導(dǎo)電粒子壓痕檢測裝置示意圖。 圖2是第一基板上的導(dǎo)電粒子壓痕檢測裝置分布示意圖。附圖標(biāo)號(hào)100:第一基板 100a:信號(hào)傳輸區(qū)100b:非信號(hào)傳輸區(qū) 110:第一金屬墊130:測試墊 150:延伸金屬墊200:第二基板 210:第二金屬墊
300:壓痕檢測裝置 330:重疊區(qū) Wl:測試條寬度 W3:重疊區(qū)寬度 W5:重疊區(qū)寬度 L2:重疊區(qū)長度230:測試條 310:重疊區(qū) 350:重疊區(qū) W2:第二金屬墊寬度 W4:重疊區(qū)寬度 Ll:重疊區(qū)長度具體實(shí)施方式
為了讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí) 施例，并配合所附圖式，做詳細(xì)說明如下。參照?qǐng)D1A，其繪示第一基板結(jié)構(gòu)示意圖。第一基板100可為玻璃基板或 是電路板。第一基板100包含信號(hào)傳輸區(qū)100a與非信號(hào)傳輸100b。多個(gè)第 一金屬墊110位于信號(hào)傳輸區(qū)100a，且至少一個(gè)測試墊130位于非信號(hào)傳輸 區(qū)100b。在較佳實(shí)施例中，第一金屬墊IIO與測試墊130在同一制造工藝中 形成。如圖1A所示，多個(gè)第一金屬墊IIO彼此之間相互平行配置，而當(dāng)測試 墊130為兩個(gè)以上，測試墊130彼此亦可相互平行配置；本發(fā)明不以上述配 置方式為限。第一基板100可包含至少一個(gè)延伸金屬墊150，其可位于非信號(hào)傳輸區(qū) 100b。延伸金屬墊150可用來檢測阻抗或相關(guān)電性性質(zhì)。延伸金屬墊150亦 可與測試墊130相互平行配置。在較佳實(shí)施例中，延伸金屬墊150、第一金 屬墊110以及測試墊130在同一制造工藝中形成。參照?qǐng)D1B，其繪示第二基板結(jié)構(gòu)示意圖。第二基板200可為可撓性電路 板。第二基板200包含多個(gè)第二金屬墊210與測試條230。在較佳實(shí)施例中， 第二金屬墊210與測試條230在同一制造工藝中形成。如圖1B所示，第二金屬墊210彼此之間相互平行配置，測試條230亦 可與第二金屬墊210平行配置；本發(fā)明不以上述配置方式為限。在較佳實(shí)施 例中，測試條230的寬度Wl大于第二金屬墊210的寬度W2。參照?qǐng)D1C，其繪示導(dǎo)電粒子壓痕檢測裝置示意圖。壓痕檢測裝置300 是以膠體黏著第一基板100與第二基板200;在較佳實(shí)施例中，此膠體為異 方性導(dǎo)電膠。詳細(xì)來說，多個(gè)第一金屬墊U0對(duì)應(yīng)多個(gè)第二金屬墊210， 二 者之間以異方性導(dǎo)電膠黏著，達(dá)到電性連結(jié)以傳輸信號(hào)。測試墊130對(duì)應(yīng)到 測試條230， 二者之間亦以異方性導(dǎo)電膠黏著。在較佳實(shí)施例中，測試墊130與測試條230彼此大致垂直。測試墊130 與測試條230其中的一重疊區(qū)330的長度U與寬度W3較佳地大于第一金 屬墊110與第二金屬墊210其中的一重疊區(qū)310的寬度W4。測試條230亦可與延伸金屬墊150重疊，并利用異方性導(dǎo)電膠黏著。在 較佳實(shí)施例中，延伸金屬墊150與測試條230其中的一重疊區(qū)350的長度L2 與寬度W5大于第一金屬墊110與第二金屬墊210其中的一重疊區(qū)310的寬 度W4。根據(jù)測試墊130與測試條230之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)，可判斷第一金 屬墊110與第二金屬墊210之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)，例如以導(dǎo)電粒子壓痕 數(shù)目來決定兩金屬墊之間導(dǎo)電能力；或以導(dǎo)電粒子分布狀況來決定兩金屬墊 之間壓合平坦度。第一基板100若包含至少一個(gè)延伸金屬墊150，則延伸金 屬墊150與測試條230之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)亦可納入考慮，藉以決定第 一金屬墊110與第二金屬墊210之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)。參照?qǐng)D2，其繪示導(dǎo)電粒子壓痕檢測裝置分布示意圖。壓痕檢測裝置300 可視為一個(gè)獨(dú)立壓痕檢測單元，用來決定壓痕檢測裝置300區(qū)域內(nèi)導(dǎo)電粒子 壓痕狀態(tài)。第一基板100亦可包含多個(gè)壓痕檢測裝置300，用來決定第一基 板IOO整體導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)。換言之，利用多個(gè)適當(dāng)配置于第一基板100 上的壓痕檢測裝置300，即可由各個(gè)壓痕檢測裝置300的導(dǎo)電粒子壓痕分布 或深淺來決定第一基板100與多個(gè)第二基板200之間整體的接合面是否平坦。 壓痕檢測裝置300可以對(duì)稱或平行方式排列，但本發(fā)明不受此限，亦可依實(shí) 際需求排列。因此，本發(fā)明的導(dǎo)電粒子壓痕檢測裝置及方法能有效地判斷導(dǎo)電粒子壓 痕狀態(tài)，且即使在顯示器的細(xì)微間距的應(yīng)用，仍可降低導(dǎo)電粒子壓痕數(shù)目與 其分布的誤判率。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電粒子壓痕的檢測裝置，用以檢測導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)，其特征在于，所述的檢測裝置包括第一基板，具有信號(hào)傳輸區(qū)及非信號(hào)傳輸區(qū)；復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬墊，位于所述的信號(hào)傳輸區(qū)；至少一個(gè)測試墊，位于所述的非信號(hào)傳輸區(qū)；第二基板；復(fù)數(shù)個(gè)第二金屬墊，位于所述的第二基板且對(duì)應(yīng)所述的這些第一金屬墊；測試條，位于所述的第二基板且對(duì)應(yīng)所述的至少一個(gè)測試墊；以及異方性導(dǎo)電膠，位于所述的這些第一金屬墊與所述的這些第二金屬墊之間，且位于所述的至少一個(gè)測試墊與所述的測試條之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述的第一基板為玻璃 基板或電路板。
3. 如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述的第二基板為可撓 性電路板。
4. 如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述的至少一個(gè)測試墊 與所述的這些第一金屬墊在同一制造工藝中形成。
5，如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述的測試條與所述的 這些第二金屬墊在同一制造工藝中形成。
6.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述的至少一個(gè)測試墊 與所述的測試條的重疊區(qū)其中之一的長度與寬度皆大于所述的這些第一金屬 墊與所述的這些第二金屬墊的重疊區(qū)其中之一的寬度。
7，如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述的檢測裝置另包括 至少一個(gè)延伸金屬墊位于所述的第一基板。
8,如權(quán)利要求7所述的檢測裝置，其特征在于，所述的至少一個(gè)延伸金屬墊與所述的至少一個(gè)測試墊相互平行配置。
9. 如權(quán)利要求7所述的檢測裝置，其特征在于，所述的至少一個(gè)延伸金 屬墊、所述的至少一個(gè)測試墊與所述的這些第一金屬墊在同一制造工藝中形 成。
10. 如權(quán)利要求7所述的檢測裝置，其特征在于，所述的測試條對(duì)應(yīng)所述 的至少一個(gè)延伸金屬墊，而所述的異方性導(dǎo)電膠位于所述的測試條與所述的 至少一個(gè)延伸金屬墊之間。
11. 如權(quán)利要求IO所述的檢測裝置，其特征在于，所述的至少一個(gè)延伸 金屬墊與所述的測試條的重疊區(qū)其中之一的長度與寬度皆大于所述的這些第 一金屬墊與所述的這些第二金屬墊的重疊區(qū)其中之一的寬度。
12. 如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述的至少一個(gè)測試墊 包含第一測試墊與第二測試墊。
13. 如權(quán)利要求12所述的檢測裝置，其特征在于，所述的第一測試墊與 所述的第二測試墊，相互平行配置。
14. 如權(quán)利要求12所述的檢測裝置，其特征在于，所述的檢測裝置另包括另一非信號(hào)傳輸區(qū)與第三基板，其中所述的另一非信號(hào)傳輸區(qū)位于所述 的第一基板，而所述的第三基板，另包含復(fù)數(shù)個(gè)第三金屬墊及另一測試條。
15. 如權(quán)利要求14所述的檢測裝置，其特征在于，所述的第三基板為可 撓性電路板。
16. 如權(quán)利要求14所述的檢測裝置，其特征在于，所述的第一測試墊配 置于所述的非信號(hào)傳輸區(qū)，所述的第二測試墊配置于所述的另一非信號(hào)傳輸 區(qū)，且所述的測試條對(duì)應(yīng)所述的第一測試墊，而所述的另一測試條對(duì)應(yīng)所述 的第二測試墊，并且所述的異方性導(dǎo)電膠位于所述的第一測試墊與所述的測 試條之間以及所述的第二測試墊與所述的另一測試條之間。
17. —種導(dǎo)電粒子壓痕的檢測方法，用以檢測導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)，所述的 檢測方法包括提供第一基板具有信號(hào)傳輸區(qū)與非信號(hào)傳輸區(qū)； 形成復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬墊位于所述的信號(hào)傳輸區(qū)； 形成至少一個(gè)測試墊位于所述的非信號(hào)傳輸區(qū)； 提供第二基板；形成復(fù)數(shù)個(gè)第二金屬墊，位于所述的第二基板且對(duì)應(yīng)所述的這些第一金 屬墊；形成測試條，位于所述的第二基板且對(duì)應(yīng)所述的至少一測試墊； 提供異方性導(dǎo)電膠，接合所述的第一基板與所述的第二基板，使所述的異方性導(dǎo)電膠位于所述的這些第一金屬墊與所述的這些第二金屬墊之間，以及所述的至少一個(gè)測試墊與所述的測試條之間；以及利用所述的至少一個(gè)測試墊與所述的測試條之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)，以決定所述的這些第一金屬墊與所述的這些第二金屬墊之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)。
18. 如權(quán)利要求17所述的檢測方法，其中所述的利用所述的至少一個(gè)測 試墊與所述的測試條之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)，以決定所述的這些第一金屬 墊與所述的這些第二金屬墊之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)，利用所述的至少一個(gè) 測試墊與所述的測試條之間導(dǎo)電粒子壓痕數(shù)目，以決定所述的這些第一金屬 墊與所述的這些第二金屬墊之間的導(dǎo)電能力。
19. 如權(quán)利要求17所述的檢測方法，其中所述的利用所述的至少一個(gè)測 試墊與所述的測試條之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)，以決定所述的這些第一金屬 墊與所述的這些第二金屬墊之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)，利用所述的至少一個(gè) 測試墊與所述的測試條之間導(dǎo)電粒子壓痕分布狀況，以決定所述的這些第一 金屬墊與所述的這些第二金屬墊之間壓合平坦度。
20. 如權(quán)利要求17所述的檢測方法，其中所述的第一基板為玻璃基板或 電路板。
21. 如權(quán)利要求17所述的檢測方法，其中所述的第二基板為可撓性電路板。
22. 如權(quán)利要求17所述的檢測方法，其中所述的至少一個(gè)測試墊與所述 的這些第一金屬墊在同一制造工藝中形成。
23. 如權(quán)利要求17所述的檢測方法，其中所述的測試條與所述的這些第 二金屬墊在同一制造工藝中形成。
24. 如權(quán)利要求17所述的檢測方法，其中所述的至少一個(gè)測試墊與所述 的測試條的重疊區(qū)其中之一的長度與寬度皆大于所述的這些第一金屬墊與所 述的這些第二金屬墊的重疊區(qū)其中之一的寬度。
25. 如權(quán)利要求17所述的檢測方法，另包括形成至少一個(gè)延伸金屬墊位 于所述的第一基板。
26. 如權(quán)利要求25所述的檢測方法，其中所述的至少一個(gè)延伸金屬墊與 所述的至少一個(gè)測試墊相互平行配置。
27. 如權(quán)利要求25所述的檢測方法，其中所述的至少一個(gè)延伸金屬墊、 所述的至少一個(gè)測試墊與所述的這些第一金屬墊在同一制造工藝中形成。
28. 如權(quán)利要求25所述的檢測方法，其中所述的測試條對(duì)應(yīng)所述的至少 一個(gè)延伸金屬墊，而所述的異方性導(dǎo)電膠，位于所述的測試條與所述的至少 一個(gè)延伸金屬墊之間，并且利用所述的至少一個(gè)延伸金屬墊與所述的測試條 之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)，以決定所述的這些第一金屬墊與所述的這些第二 金屬墊之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)。
29. 如權(quán)利要求28所述的檢測方法，其中所述的至少一個(gè)延伸金屬墊與 所述的測試條的重疊區(qū)其中之一的長度與寬度皆大于所述的這些第一金屬墊 與所述的這些第二金屬墊的重疊區(qū)其中之一的寬度。
30. 如權(quán)利要求17所述的檢測方法，其中所述的至少一個(gè)測試墊包含第 一測試墊與第二測試墊。
31. 如權(quán)利要求30所述的檢測方法，其中所述的第一測試墊與所述的第二測試墊，相互平行配置。
32. 如權(quán)利要求30所述的檢測方法，另包括提供另一非信號(hào)傳輸區(qū)與第 三基板，其中所述的另一非信號(hào)傳輸區(qū)位于所述的第一基板，而所述的第三 基板，另包含復(fù)數(shù)個(gè)第三金屬墊及另一測試條。
33. 如權(quán)利要求32所述的檢測方法，其中所述的第三基板為可撓性電路板。
34. 如權(quán)利要求32所述的檢測方法，其中所述的第一測試墊配置于所述 的非信號(hào)傳輸區(qū)，所述的第二測試墊配置于所述的另一非信號(hào)傳輸區(qū)，且所 述的測試條對(duì)應(yīng)所述的第一測試墊，而所述的另一測試條對(duì)應(yīng)所述的第二測 試墊，且所述的異方性導(dǎo)電膠接合所述的第一測試墊與所述的測試條，且接 合所述的第二測試墊與所述的另一測試條，并且利用所述的測試條對(duì)應(yīng)所述 的第一測試墊之間與所述的另一測試條對(duì)應(yīng)所述的第二測試墊之間的導(dǎo)電粒 子壓痕狀態(tài)，以決定所述的第一基板與所述的第二基板之間的導(dǎo)電粒子壓痕 狀態(tài)，以及所述的第一基板與所述的第三基板之間的導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種導(dǎo)電粒子壓痕的檢測裝置，用以檢測導(dǎo)電粒子的壓痕狀態(tài)，包括第一基板；多個(gè)第一金屬墊位于第一基板的信號(hào)傳輸區(qū)；至少一個(gè)測試墊位于第一基板的非信號(hào)傳輸區(qū)；第二基板；多個(gè)第二金屬墊，位于第二基板且對(duì)應(yīng)第一金屬墊；測試條，位于第二基板且對(duì)應(yīng)至少一個(gè)測試墊；以及異方性導(dǎo)電膠，接合第一基板與第二基板。在此亦揭露一種導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)的檢測方法。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101158756SQ20071016964
公開日2008年4月9日 申請(qǐng)日期2007年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月13日
發(fā)明者周詩頻, 陳建良 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司