專利名稱：Smd發(fā)光二極管支架改良結構的制作方法
技術領域：
SMD發(fā)光二極管支架改良結構技術領域一種SMD發(fā)光二極管支架改良結構，尤其是指一種于SMD發(fā)光二極管 支架沖壓至少一壓印以增強SMD發(fā)光二極管支架結構強度的SMD發(fā)光二極 管支架改良結構。
背景技術：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)技術發(fā)展至今，已經(jīng)被證實具 有體積小、發(fā)熱量低、耗電量少、使用壽命長以及耐震等多種優(yōu)點，而被廣 泛地使用在日常生活上各種顯示應用以及車用照明方面。通常發(fā)光二極管芯片是透過表面黏貼技術(Surface Mount Device, SMD ) 固接于SMD發(fā)光二極管支架內(nèi)，而SMD發(fā)光二極管支架的內(nèi)部結構對于發(fā) 光二極管的出光效果是具有直接性的影響。請參考圖1所示，圖1是為現(xiàn)有SMD發(fā)光二極管支架結構封裝理想狀 態(tài)示意圖?，F(xiàn)有SMD發(fā)光二極管支架結構，其包含第一支架91、第二支 架92、電性連4妻部93。第一支架91上的一端用以固接發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片可以透 過第一支架91產(chǎn)生電性連接，以提供發(fā)光二極管芯片其中一種電性極性，而 在第一支架91另一端更設有凹陷部94,其中，凹陷部94在SMD發(fā)光二極 管支架結構的設計上，是為透過射出成型方法封裝第一支架91于膠座95內(nèi)， 射出成型定位之用。第二支架92上的一端用以與第一支架91所固接的發(fā)光二極管產(chǎn)生電性 連接，以提供發(fā)光二極管芯片另外一種電性極性，而在第二支架92另一端更 設有凹陷部94,其中，凹陷部94在SMD發(fā)光二極管支架結構的設計上，是 為透過射出成型方法封裝第二支架92于膠座95內(nèi)，射出成型定位之用。電性連接部93自第一支架91以及第二支架92延伸設置，用以與外部電 源電性連接，第一支架91所延伸的電性連接部93，電性連接其中一種電性 極性，并且以提供發(fā)光二極管芯片其中一種電性極性；第二支架92所延伸的 電性連接部93,電性連接另外一種電性極性，并且以提供發(fā)光二極管芯片另 外一種電性極性。在理想狀態(tài)中，會透過射出成型將第一支架91以及第二支架92封裝于 膠座95內(nèi)，并且不會產(chǎn)生偏移的現(xiàn)象，但是，由于SMD發(fā)光二極管支架結 構的設計上，由于第一支架91以及第二支架92厚度受到限制，會影響到第 一支架91以及第二支架92本身的結構強度。因此，在將第一支架91以及第二支架92封裝于膠座95射出成型時，由 于第一支架91以及第二支架92處的結構強度不夠，因此，在射出成型時由 于進料所造成的沖擊，會導致第一支架91以及第二支架92產(chǎn)生偏移的情況， 如圖2A以及圖2B所示，為第一支架91以及第二支架92產(chǎn)生不同的偏移狀 況。第一支架91以及第二支架92除了會產(chǎn)生偏移之外，也可能造成第一支 架91以及第二支架92偏轉(圖中未繪示)，這也是由于第一支架91以及第 二支架92的結構強度不夠的關系。綜上所述，可知現(xiàn)有技術中長期以來一直存在射出成型封裝SMD發(fā)光 二極管支架產(chǎn)生支架偏移的問題，因此有必要提出改進的技術手段，來解決 此一問題。實用新型內(nèi)容有鑒于現(xiàn)有技術存在射出成型封裝SMD發(fā)光二極管支架產(chǎn)生支架偏移 的問題，本實用新型遂公開一種SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其中本實用新型所公開的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其包含第一支 架、第二支架、電性連接部以及結構強化部。第一支架，用以固接發(fā)光二極管芯片于一端；第二支架，第二支架一端 與發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生電性連接；電性連接部，自第一支架以及第二支架延 伸設置，用以與外部電源電性連接；結構強化部，配置于第一支架及第二支 架與電性連接部交界處，并設有至少一壓印，用以加強第一支架及第二支架 的結構強度。本實用新型所公開的SMD發(fā)光二極管支架改良結構如上所述，與現(xiàn)有 技術之間的差異在于本實用新型透過于第一支架及第二支架與電性連接部交 界處，配置有結構強化部并設有至少一壓印，加強第一支架及第二支架的結構強度，使得本實用新型SMD發(fā)光二極管支架采用射出成型方法將第一支 架及第二支架封裝于膠座內(nèi)時，第一支架及第二支架不會產(chǎn)生偏移，使發(fā)光 二極管芯片能正確固接于第 一支架上，以及發(fā)光二極管芯片能正確的與第二 支架一端產(chǎn)生電性連接。透過上述的技術手段，本實用新型可以達成第一支架以及第二支架封裝 過程中不會產(chǎn)生偏移的技術功效。


圖1為現(xiàn)有發(fā)光二極管支架結構封裝理想狀態(tài)示意圖。圖2A及圖2B為現(xiàn)有發(fā)光二極管支架結構偏移示意圖。圖3為本實用新型SMD發(fā)光二極管支架結構平面圖。圖4A至圖4C為本實用新型SMD發(fā)光二極管支架結構的壓印剖面示意圖。圖5A至圖5C為本實用新型SMD發(fā)光二極管支架結構的壓印配置示意圖。主要元件符號說明10第一支架20第二支架30電性連接部40結構強化部41壓印50凹陷部60膠座71V型壓印72U型壓印73凹型壓印91第一支架92第二支架5 93 電性連接部94 凹陷部95 膠座具體實施方式
以下將配合附圖及實施例來詳細說明本實用新型的實施方式，借此對本分理解并據(jù)以實施。首先介紹本實用新型所公開的發(fā)光模塊外罩，并請參照圖3所示，圖3 是為本實用新型SMD發(fā)光二極管支架結構平面圖。本實用新型所公開的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其包含第一支 架10、第二支架20、電性連接部30以及結構強化部40。第一支架10上的一端用以固接發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片可以透 過第一支架IO產(chǎn)生電性連接，以提供發(fā)光二極管芯片其中一種電性極性，而 在第一支架10另一端更設有凹陷部50，凹陷部50在SMD發(fā)光二極管支架 結構的設計上，是為封裝第一支架10于膠座60內(nèi)，射出成型定位第一支架 IO之用。第二支架20上的一端用以與第一支架10所固接的發(fā)光二極管產(chǎn)生電性 連接，以提供發(fā)光二極管芯片另外一種電性極性，而在第二支架20另一端更 設有凹陷部50，凹陷部50在SMD發(fā)光二極管支架結構的設計上，是為封裝 第二支架20于膠座60內(nèi)，射出成型定位第二支架20之用。電性連接部30自第一支架10以及第二支架20延伸設置，用以與外部電 源電性連接，第一支架10所延伸的電性連接部30，電性連接其中一種電性 極性，并且以提供發(fā)光二極管芯片其中一種電性極性；第二支架20所延伸的 電性連接部30,電性連接另外一種電性極性，并且以提供發(fā)光二極管芯片另 外一種電性極性。在電性連接部30自第一支架10以及第二支架20延伸設置封裝于膠座 60夕卜，設于膠座60的較長同一側面，并且電性連接部30可彎折且貼合于膠 座60的外部，以為后續(xù)的接點，借此，可以形成側向型(SideView)的SMD 發(fā)光二極管支架結構。
當然，電性連接部30自第一支架10以及第二支架20延伸設置封裝于膠 座60外，設于膠座60的較長不同側面，并且電性連接部30可彎折且貼合于 月交座60的外部，以為后續(xù)的4妄點，借此，可以形成正向型(Top View)的 SMD發(fā)光二極管支架結構。由于第一支架IO及第二支架20厚度受到限制，會使得第一支架10以及 第二支架20的結構強度較小，在將第一支架10以及第二支架20封裝于膠座 60射出成型時，由于第一支架10以及第二支架20的結構強度不夠，因此， 在射出成型時由于進料所造成的沖擊，會導致第一支架10以及第二支架20 產(chǎn)生偏移的情況，并請參考圖2A以及圖2B所示。因此，在第一支架10及第二支架20與電性連接部30交界處配置有結構 強化部40，并且在結構強化部40中沖壓至少一壓印41，用以加強第一支架 10及第二支架20的結構強度，借此至少一壓印41增強第一支架10及第二 支架20的結構強度，將有效克服射出成型膠座60時，由于進料所造成的沖 擊，會導致第一支架10及第二支架20偏移情況的產(chǎn)生。接著，請參考圖4A至圖4C所示，圖4A至圖4C是為本實用新型SMD 發(fā)光二極管支架結構的壓印剖面示意圖。如圖所示，壓印41剖面可以為V型壓印71、 U型壓印72以及凹型壓印 73的組合中任選其中一種形狀的剖面，在此僅為舉例，任何沖壓技術可以形 成的剖面，都應包含于本實用新型之內(nèi)，并不以此局限本實用新型的應用。最后，請參考圖5A至圖5C所示，圖5A至圖5C是為本實用新型SMD 發(fā)光二極管支架結構的壓印配置示意圖。圖5A所示，在第一支架10及第二支架20與電性連接部30交界處配置 有結構強化部40，并且在結構強化部40中沖壓至少一壓印41,其中，壓印 41的排列配置為水平排列，并且沖壓二個壓印41，更能增強第一支架10及 第二支架20的結構強度，借此至少一壓印41增強第一支架10及第二支架 20的結構強度，將有效克服射出成型膠座60時，第一支架10及第二支架20 偏移情況的產(chǎn)生。圖5B所示，在第一支架10及第二支架20與電性連接部30交界處配置 有結構強化部40,并且在結構強化部40中沖壓至少一壓印41，其中，壓印 41的排列配置為傾斜排列，并且沖壓三個壓印41，更能增強第一支架10及
第二支架20的結構強度，借此至少一壓印41增強第一支架10及第二支架 20的結構強度，將有效克服射出成型膠座60時，第一支架10及第二支架20 偏移情況的產(chǎn)生。圖5C所示，在第一支架10及第二支架20與電性連接部30交界處配置 有結構強化部40,并且在結構強化部40中沖壓至少一壓印41,其中，壓印 41的排列配置為交叉排列，并且沖壓三個壓印41,更能增強第一支架10及 第二支架20的結構強度，借此至少一壓印41增強第一支架10及第二支架 20的結構強度，將有效克服射出成型膠座60時，第一支架10及第二支架20 偏移情況的產(chǎn)生。上述的壓印41配置排列可以為水平排列、傾斜排列以及交叉排列的組合 中任選其中一種，并且配合不同的壓印剖面可以為V型壓印、U型壓印以及 凹型壓印的組合中任選一種，進行排列組合，可以達到多種的實施態(tài)樣，在 此不再——說明，應包含于本實用新型的內(nèi)容之中。綜上所述，可知本實用新型與現(xiàn)有技術之間的差異在于本實用新型透過 于第一支架及第二支架與電性連接部交界處，配置有結構強化部并設有至少 一壓印，加強第一支架及第二支架結構強度的技術手段，使得本實用新型 SMD發(fā)光二極管支架采用射出成型方法將第一支架及第二支架封裝于膠座 內(nèi)時，第一支架及第二支架不會產(chǎn)生偏移，使發(fā)光二極管芯片能正確固接于 第一支架上，以及發(fā)光二極管芯片能正確的與第二支架一端產(chǎn)生電性連接， 借由此一技術手段可以來解決現(xiàn)有技術所存在射出成型封裝SMD發(fā)光二極 管支架產(chǎn)生支架偏移的問題，進而達成第一支架以及第二支架封裝過程中不 會產(chǎn)生偏移的技術功效。雖然本實用新型所公開的實施方式如上，惟所述的內(nèi)容并非用以直接限 定本實用新型的專利保護范圍。任何本實用新型所屬技術領域中技術人員， 在不脫離本實用新型所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及 細節(jié)上作些許的更動。本實用新型的專利保護范圍，仍須以所附的權利要求 所界定者為準。
權利要求1、一種SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其包含一第一支架，用以固接一發(fā)光二極管芯片于一端；一第二支架，該第二支架一端與該發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生電性連接；一電性連接部，自該第一支架以及該第二支架延伸設置，用以與外部電源電性連接；及一結構強化部，配置于該第一支架及該第二支架與該電性連接部交界處，并設有至少一壓印。
2、 如權利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于該第一支架以及該第二支架封裝于一膠座內(nèi)，該膠座設有一內(nèi)凹的功能區(qū)。
3、 如權利要求2所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于該電性連接部封裝于該膠座外。
4、 如權利要求2所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于該第一支架以及該第二支架的該電性連接部設于該膠座的同側。
5、 如權利要求2所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于該第 一 支架以及該第二支架的該電性連接部設于該膠座的異側。
6、 如權利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于該電性連接部可彎折貼于該膠座的外壁上。
7、 如權利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于該第一支架以及該第二支架另一端更設有一凹陷部。
8、 如權利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于該壓印可以選自V型壓印、U型壓印以及凹型壓印的組合中任選其中一種。
9、 如權利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于該些壓印可以選自水平設置、傾斜設置以及交叉設置的組合中任選其中一種。
專利摘要一種SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其透過于第一支架及第二支架與電性連接部交界處，配置有結構強化部并設有至少一壓印，加強第一支架及第二支架結構強度的技術手段，可以解決現(xiàn)有技術中所存在射出成型封裝SMD發(fā)光二極管支架產(chǎn)生支架偏移的問題，借此可以達成SMD發(fā)光二極管支架封裝過程中不會產(chǎn)生偏移的技術功效。
文檔編號H01L23/13GK201210494SQ200820127030
公開日2009年3月18日 申請日期2008年6月20日 優(yōu)先權日2008年6月20日
發(fā)明者劉文忠, 朱新昌, 陳立敏 申請人:一詮精密工業(yè)股份有限公司