專利名稱：采用選擇性一次擴散工藝的太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及晶體硅太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種采用選擇性一
次擴散工藝的太陽能電池。
背景技術(shù)：
太陽能是人類取之不盡、用之不竭的可再生能源，也是清潔能源，不產(chǎn) 生任何的環(huán)境污染。在太陽能的有效利用當(dāng)中，大陽能光電利用是近些年來 發(fā)展最快，最具活力的研究領(lǐng)域。制作太陽能電池主要是以半導(dǎo)體材料為基 礎(chǔ)，其工作原理是利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電轉(zhuǎn)換。
晶體硅太陽能電池占據(jù)了光伏市場的90%以上的份額，如何進一步提高 其光電轉(zhuǎn)換效率，降低成本是國內(nèi)外晶體硅太陽能電池研究領(lǐng)域的基本目標(biāo)。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的是要提供一種采用選擇性一次擴散工藝的太陽能電 池，該太陽能電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
本實用新型所采用的技術(shù)方案為 一種采用選擇性一次擴散工藝的太陽 能電池，包括硅片，硅片表面下的高摻雜區(qū)和低摻雜區(qū)，在高摻雜區(qū)上印刷 有作為高摻雜擴散磷源的磷漿，在低摻雜區(qū)上具有該磷漿中的部分磷通過沉 積作用沉積到硅片表面形成的作為低摻雜擴散磷源的沉積磷層。
本實用新型的有益效果是本太陽電池加工簡單，易實現(xiàn)，污染小， 適于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中l(wèi).硅片，2.高摻雜區(qū)，3.低摻雜區(qū)，4.磷漿，5.沉積磷層。
具體實施方式

如圖1所示的一種采用選擇性一次擴散工藝的太陽能電池，包括硅片1， 硅片1表面下的高摻雜區(qū)2和低摻雜區(qū)3，在高摻雜區(qū)2上印刷有作為高摻 雜擴散磷源的磷漿4，在低摻雜區(qū)3上具有在擴散過程中揮發(fā)到擴散爐中的 該磷漿4中的部分磷通過沉積作用沉積到硅片1表面形成的作為低摻雜擴散 磷源的沉積磷層5。
本電池的具體加工步驟如下所述
硅片1表面首先進行清洗制絨處理，然后將磷漿4按照一定間隔選擇性地 印刷在硅片1表面，即將磷漿4如電極柵線狀印刷到硅片1表面。烘干磷漿 4，然后將此硅片1放入鏈式擴散爐中進行擴散，作為擴散磷源的磷漿4在高 摻雜區(qū)2形成高摻雜。磷漿4中的部分磷原子在鏈式擴散爐中會揮發(fā)到空氣 中，最后沉積到磷漿4的非印刷區(qū)，沉積到非印刷區(qū)的沉積磷層5作為擴散 磷源在低摻雜區(qū)3形成低摻雜。最后去硅片1表面形成的磷硅玻璃。
硅片1完成選擇性擴散后進行刻邊，鍍氮化硅、減反射膜，印刷背面電
極、印刷鋁背場，印刷正面電極，燒結(jié)成成品。
權(quán)利要求1、一種采用選擇性一次擴散工藝的太陽能電池，包括硅片(1)，硅片(1)表面下的高摻雜區(qū)(2)和低摻雜區(qū)(3)，其特征是在所述的高摻雜區(qū)(2)上印刷有作為高摻雜擴散磷源的磷漿(4)；在低摻雜區(qū)(3)上具有該磷漿(4)中的部分磷通過沉積作用沉積到硅片(1)表面形成的作為低摻雜擴散磷源的沉積磷層(5)。
專利摘要本實用新型涉及晶體硅太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種采用選擇性一次擴散工藝的太陽能電池。它包括硅片，硅片表面下的高摻雜區(qū)和低摻雜區(qū)，在高摻雜區(qū)上印刷有作為高摻雜擴散磷源的磷漿，在低摻雜區(qū)上具有該磷漿中的部分磷通過沉積作用沉積到硅片表面作為低摻雜擴散磷源的沉積磷層。本太陽電池加工簡單，易實現(xiàn)，污染小，適于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號H01L31/18GK201233896SQ20082003890
公開日2009年5月6日 申請日期2008年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月31日
發(fā)明者汪釘崇, 鄧偉偉 申請人:常州天合光能有限公司