專利名稱：采用選擇性擴散工藝的晶體硅太陽能電池的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及晶體硅太陽能電池技術(shù)領域，特別是一種采用選擇性擴 散工藝的晶體硅太陽能電池。
背景技術(shù)：
太陽能是人類取之不盡、用之不竭的可再生能源，也是清潔能源，不產(chǎn) 生任何的環(huán)境污染。在太陽能的有效利用當中，大陽能光電利用是近些年來 發(fā)展最快，最具活力的研究領域。制作太陽能電池主要是以半導體材料為基 礎，其工作原理是利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電轉(zhuǎn)換。
晶體硅太陽能電池占據(jù)了光伏市場的90%以上的份額，如何進一步提高
其光電轉(zhuǎn)換效率，降低成本是國內(nèi)外晶體硅太陽能電池研究領域的基本目標。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的是要提供一種具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率的采用選擇性 擴散工藝的晶體硅太陽能電池。
本實用新型所采用的技術(shù)方案為 一種采用選擇性擴散工藝的晶體硅太 陽能電池，包括硅片和硅片正面的電極，在正面電極的印刷區(qū)下設置通過磷 漿擴散工藝形成的高摻雜區(qū)，在正面電極的非印刷區(qū)下設置形成高摻雜區(qū)后 再次通過擴散工藝而形成的低摻雜區(qū)。
本實用新型的有益效果是本結(jié)構(gòu)的太陽能電池的加工方法簡單，易 實現(xiàn)，污染小，適于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實用新型的擴散工藝流程圖。 圖中l(wèi).硅片，2.高摻雜區(qū)，3.低摻雜區(qū)，4.磷漿。
具體實施方式

如圖l所示的一種采用選擇性擴散工藝的晶體硅太陽能電池，包括硅片 1和硅片1正面的電極，在正面電極的印刷區(qū)下設置通過磷漿擴散工藝形成 的高摻雜區(qū)2，在正面電極的非印刷區(qū)下設置形成高摻雜區(qū)2后再次通過擴 散工藝而形成的低摻雜區(qū)3。
本采用選擇性擴散工藝的晶體硅太陽能電池的加工工藝流程圖如圖2所
示，具體步驟如下所述
正面電極的印刷位置與磷漿4按照一定間隔選擇印刷位置相同，即將高
濃度磷漿4如正面電極柵線狀印刷到硅片1表面。然后將此硅片1放入擴散
爐中進行擴散，用于在印刷區(qū)形成高摻雜區(qū)2。在這一步擴散中，印刷磷漿4
的區(qū)域會形成硅磷玻璃，硅磷玻璃會對磷原子往硅片1深處的擴散有消弱的
作用，不利于下一步的擴散工藝。所以在一次擴散后，需要去除硅片l表面
形成的硅磷玻璃。去除硅磷玻璃可以使用化學腐蝕如使用氫氟酸。在去硅磷
玻璃后進行二次擴散，這次擴散為三氯氧磷擴散，在非印刷形成低摻雜區(qū)3。
硅片1完成選擇性擴散后再次進行去硅磷玻璃,然后進行刻邊，鍍氮化硅、 減反射膜，印刷背面電極、印刷鋁背場，印刷正面電極，燒結(jié)成為電池成品。
權(quán)利要求1、一種采用選擇性擴散工藝的晶體硅太陽能電池，包括硅片(1)和硅片(1)正面的電極，其特征是在所述的正面電極的印刷區(qū)下設置通過磷漿擴散工藝形成的高摻雜區(qū)(2)，在正面電極的非印刷區(qū)下設置形成高摻雜區(qū)(2)后再次通過擴散工藝而形成的低摻雜區(qū)(3)。
專利摘要本實用新型涉及晶體硅太陽能電池技術(shù)領域，特別是一種采用選擇性擴散工藝的晶體硅太陽能電池。它包括硅片和硅片正面的電極，在正面電極的印刷區(qū)下設置通過磷漿擴散工藝形成的高摻雜區(qū)，在正面電極的非印刷區(qū)下設置形成高摻雜區(qū)后再次通過擴散工藝而形成的低摻雜區(qū)。本電池易加工和實現(xiàn)，適于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號H01L31/042GK201233895SQ20082003890
公開日2009年5月6日 申請日期2008年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月31日
發(fā)明者汪釘崇, 焦云峰 申請人:常州天合光能有限公司