專利名稱：發(fā)光二極管及其晶粒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，尤指一種發(fā)光二極管晶粒。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的進步，從一般鎢絲燈發(fā)展到現(xiàn)在的冷陰極熒光燈管(ColdCathodeFluorescent Lamp, CCFL)及發(fā)光二極管(Light Emitting Diode， LED)，皆是朝向體積縮小的方向發(fā)展。 而目前CCFL因為體積幾乎是不能再縮小，而且CCFL升壓到600伏特電壓時會發(fā)生干擾，另外CCFL會造成汞污染的問題，使得部分國家也將予以禁用。而LED具有環(huán)保、亮度高、省電、壽命長等諸多特點，所以LED將漸漸取代CCFL。然，現(xiàn)有的發(fā)光二極管晶粒采用其底面作為散熱界面，不能迅速散熱。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，有必要提供一種散熱較佳的發(fā)光二極管及其晶粒。 —種發(fā)光二極管晶粒，包括若干側(cè)面，在其中一側(cè)面上設(shè)置由導(dǎo)熱材料制成的第一導(dǎo)熱層。 —種發(fā)光二極管，包括基座及發(fā)光二極管晶粒，于基座上形成相互絕緣的第一導(dǎo)電通道及第二導(dǎo)電通道，發(fā)光二極管晶粒設(shè)置于基座上，發(fā)光二極管晶粒包括上表面、下表面及連接于上、下表面之間的若干側(cè)面，發(fā)光二極管晶粒的其中一側(cè)面上設(shè)置由導(dǎo)熱材料制成的第一導(dǎo)熱層，第一導(dǎo)熱層設(shè)于第一導(dǎo)電通道上。 與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的發(fā)光二極管晶粒的側(cè)面設(shè)置高導(dǎo)熱材料制成的導(dǎo)熱層，可使得發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱量沿橫向兩側(cè)分散，增加散熱途徑，提高散熱效果。


圖1為本發(fā)明發(fā)光二極管一較佳實施例的剖面示意圖。
圖2為本發(fā)明發(fā)光二極管又一較佳實施例的剖面示意圖。
具體實施例方式
如圖1所示，發(fā)光二極管1包括基座2、發(fā)光二極管晶粒3及封裝體4?；?由絕緣材料制成，包括上表面21及下表面22，上表面21與下表面22相對設(shè)置，基座2內(nèi)設(shè)置第一導(dǎo)電通道6及第二導(dǎo)電通道7，第一導(dǎo)電通道6包括第一內(nèi)電極28、第一導(dǎo)電柱24及第一外電極26，第二導(dǎo)電通道7包括第二內(nèi)電極29、第二導(dǎo)電柱25及第二外電極27，基座2的中央開設(shè)有一盲孔23，基座2于盲孔23的外圍形成一內(nèi)壁面231，基座2于盲孔23的底部形成一底面232。該盲孔23提供發(fā)光二極管晶粒3及封裝體4的容置空間，其上寬下窄，基座2的內(nèi)壁面231自上表面21向底面232方向并沿徑向向內(nèi)傾斜，相互隔開的第一導(dǎo)電柱24及第二導(dǎo)電柱25分別由基座2的底面232向下開設(shè)并貫通基座2，即第一導(dǎo)電柱24及第二導(dǎo)電柱25分別自底面232貫通至下表面22。相互隔開的第一內(nèi)電極28及第二內(nèi)電極29設(shè)置于底面232，相互絕緣的第一外電極26及第二外電極27設(shè)置于下表面22上，第一 內(nèi)電極28及第一外電極26分別位于第一導(dǎo)電柱24的二端并通過第一導(dǎo)電柱24電連接，第二內(nèi)電極29及第二外電極27分別位于第二導(dǎo)電柱25的二端并通過第二導(dǎo)電柱25電連接。 發(fā)光二極管晶粒3收容于基座2的盲孔23內(nèi)，發(fā)光二極管晶粒3包括上表面31、下表面32以及連接于上、下表面31、32之間的第一側(cè)面33及第二側(cè)面34，第一側(cè)面33與第二側(cè)面34相對設(shè)置，第一側(cè)面33位于發(fā)光二極管晶粒3的左側(cè)，第二側(cè)面34位于發(fā)光二極管晶粒3的右側(cè)，上表面31設(shè)置第一電極311，下表面32設(shè)置第二電極321，第一側(cè)面33及第二側(cè)面34上分別設(shè)置第一導(dǎo)熱層331及第二導(dǎo)熱層341，第一導(dǎo)熱層331及第二導(dǎo)熱層341均由導(dǎo)電且高導(dǎo)熱材料制成，如鋁等金屬材料，第一導(dǎo)熱層331與第一側(cè)面33之間設(shè)置非導(dǎo)電膜35，第二導(dǎo)熱層341與第二側(cè)面34之間亦設(shè)置非導(dǎo)電膜35，非導(dǎo)電膜35由氧化硅或氮化硅制成。發(fā)光二極管晶粒3的第一電極311通過一導(dǎo)線5與第一導(dǎo)熱層331電連接，第一導(dǎo)熱層331設(shè)于第一導(dǎo)電通道6的第一內(nèi)電極28上，發(fā)光二極管晶粒3的第二電極321及第二導(dǎo)熱層341設(shè)于第二導(dǎo)電通道7的第二內(nèi)電極29上。進一步而言，第一內(nèi)電極28與第二內(nèi)電極29之間設(shè)置一絕緣層36，以提高第一內(nèi)電極28與第二內(nèi)電極29之間絕緣效果。 上述發(fā)光二極管晶粒3的第一側(cè)面33上設(shè)置第一導(dǎo)熱層331的方法包括以下步驟 提供一發(fā)光二極管晶粒3 ; 于該發(fā)光二極管晶粒3的第一側(cè)面33上通過等離子體化學(xué)氣相沉積法(PECVD)形成非導(dǎo)電膜35; 于非導(dǎo)電膜35上通過化學(xué)氣相沉積方法生長一晶層(圖未示)，該晶層的材質(zhì)為銅或鋁； 通過電鍍方法于晶層上形成第一導(dǎo)熱層331。 發(fā)光二極管晶粒3的第二側(cè)面34上設(shè)置第二導(dǎo)熱層341的方法與上述方法相同。
封裝體4填充于基座2的盲孔23內(nèi)，發(fā)光二極管晶粒3包覆于封裝體4中，封裝體4由透光材料制成，如環(huán)氧樹脂、硅膠、壓克力等。 發(fā)光二極管晶粒3發(fā)出的熱量不僅通過其下表面32依次傳向第二內(nèi)電極29、第二導(dǎo)電柱25及第二外電極27，而且熱量可以通過第一側(cè)面33依次傳向第一導(dǎo)熱層331 、第一內(nèi)電極28、第一導(dǎo)電柱24及第一外電極26，亦可以通過第二側(cè)面34依次傳向第二導(dǎo)熱層341、第二內(nèi)電極29、第二導(dǎo)電柱25及第二外電極27，故，通過在發(fā)光二極管晶粒3的第一側(cè)面33及第二側(cè)面34設(shè)置高導(dǎo)熱材料制成的第一導(dǎo)熱層331及第二導(dǎo)熱層341 ，可使得熱量沿橫向兩側(cè)分散，增加散熱途徑，提高散熱效果。進一步而言，第一導(dǎo)熱層331由導(dǎo)電材料制成，故發(fā)光二極管晶粒3的第一電極311與基座2的第一內(nèi)電極28可通過第一導(dǎo)熱層331電連接。 圖2示出本發(fā)明的又一較佳實施方式，與上述實施方式不同之處在于，第二導(dǎo)熱層342由絕緣的高導(dǎo)熱材料制成，如陶瓷等，由于第二導(dǎo)熱層342絕緣，故第二側(cè)面34與第二導(dǎo)熱層342之間不必設(shè)置非導(dǎo)電膜35，第二導(dǎo)熱層342直接與第二側(cè)面34接觸。第二導(dǎo)
4熱層342可通過黏貼鍵合(adhesive bonding)設(shè)置于第二側(cè)面34上，即包括以下步驟
提供一第二導(dǎo)熱層342，第二導(dǎo)熱層342與第二側(cè)面34的面積相同；
于第二導(dǎo)熱層342的表面上涂布黏膠(圖未示)，該黏膠為有機高分子材料，如聚酰亞胺(polyimide)、環(huán)氧樹脂(印oxy)等; 將第二導(dǎo)熱層342黏貼于第二側(cè)面34上，第二導(dǎo)熱層342通過黏膠貼附于第二側(cè)面34上。
權(quán)利要求
一種發(fā)光二極管晶粒，包括若干側(cè)面，其特征在于，在其中一側(cè)面上設(shè)置由導(dǎo)熱材料制成的第一導(dǎo)熱層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，該第一導(dǎo)熱層由導(dǎo)電材料制 成，第一導(dǎo)熱層與該側(cè)面之間設(shè)置一非導(dǎo)電膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，于發(fā)光二極管晶粒的另一 側(cè)面上形成由導(dǎo)電且導(dǎo)熱材料制成的第二導(dǎo)熱層，該第二導(dǎo)熱層與該另一側(cè)面之間設(shè)置一 非導(dǎo)電膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，于發(fā)光二極管晶粒的另一 側(cè)面上設(shè)置由絕緣且導(dǎo)熱材料制成的第二導(dǎo)熱層。
5. —種發(fā)光二極管，包括基座及發(fā)光二極管晶粒，于基座上形成相互絕緣的第一導(dǎo)電 通道及第二導(dǎo)電通道，發(fā)光二極管晶粒設(shè)置于基座上，發(fā)光二極管晶粒包括上表面、下表面 及連接于上、下表面之間的若干側(cè)面，其特征在于，發(fā)光二極管晶粒的其中一側(cè)面上設(shè)置由 導(dǎo)熱材料制成的第一導(dǎo)熱層，第一導(dǎo)熱層設(shè)于第一導(dǎo)電通道上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一導(dǎo)熱層由導(dǎo)電材料制成，第 一導(dǎo)熱層與該側(cè)面之間設(shè)置一非導(dǎo)電膜，發(fā)光二極管晶粒的上表面形成第一電極，發(fā)光二 極管晶粒的第一電極與第一導(dǎo)熱層電連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，發(fā)光二極管晶粒的另一側(cè)面上 設(shè)置由導(dǎo)電且導(dǎo)熱材料制成的第二導(dǎo)熱層，該第二導(dǎo)熱層與該另一側(cè)面之間設(shè)置一非導(dǎo)電 膜，第二導(dǎo)熱層設(shè)于第二導(dǎo)電通道上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，發(fā)光二極管晶粒的另一側(cè)面上 設(shè)置由絕緣且導(dǎo)熱材料制成的第二導(dǎo)熱層，該第二導(dǎo)熱層設(shè)于第二導(dǎo)電通道上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該基座包括上表面與下表面，該基 座從上表面向下凹陷形成一盲孔，該發(fā)光二極管晶粒收容于盲孔中。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其特征在于，第一導(dǎo)電通道包括第一內(nèi)電極、 第一導(dǎo)電柱及第一外電極，第二導(dǎo)電通道包括第二內(nèi)電極、第二導(dǎo)電柱及第二外電極，基座 于盲孔的底部形成一底面，第一內(nèi)電極及第二內(nèi)電極形成于該底面上，第一外電極及第二 外電極形成于基座的下表面，第一導(dǎo)電柱穿過基座將第一 內(nèi)電極與第一外電極電連接，第 二導(dǎo)電柱穿過基座將第二內(nèi)電極與第二外電極電連接，發(fā)光二極管晶粒的下表面形成第二 電極，該發(fā)光二極管晶粒的第二電極設(shè)于第二導(dǎo)電通道的第二內(nèi)電極上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管晶粒，包括若干側(cè)面，在其中一側(cè)面上設(shè)置由導(dǎo)熱材料制成的第一導(dǎo)熱層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的發(fā)光二極管晶粒的側(cè)面設(shè)置高導(dǎo)熱材料制成的導(dǎo)熱層，可使得發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱量沿橫向兩側(cè)分散，增加散熱途徑，提高散熱效果。本發(fā)明還公開一種發(fā)光二極管。
文檔編號H01L23/367GK101728469SQ20081030523
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月27日
發(fā)明者張家壽 申請人:富準(zhǔn)精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻準(zhǔn)精密工業(yè)股份有限公司