專利名稱：顯示器件、制備方法及制備其用的掩膜板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器件、制備方法及制備其用的掩膜板，尤其涉及一種設(shè)有防護(hù)層 的顯示器件、制備方法及制備其用的掩膜板。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、全固化、視角寬、顏 色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)，具有廣闊的應(yīng)用前景。其基本結(jié)構(gòu)是 一剛性或柔性基板，其上 發(fā)光區(qū)位置依次形成陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光層、陰極等各層，陽(yáng)極、陰極在非發(fā)光區(qū)位置依靠引 線引出，集中到一邊或幾邊，與驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行邦定。另外，由于OLED隨著使用時(shí)間增加， 環(huán)境中的水氣與氧氣很容易滲入顯示器件中，使得金屬電極與有機(jī)發(fā)光層之間剝離、材料 裂解和電極氧化，進(jìn)而產(chǎn)生暗點(diǎn)，這會(huì)大幅降低顯示器件的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光均勻度等發(fā)光 品質(zhì)。 一般而言，于0LED顯示器件的玻璃基板上完成金屬電極與有機(jī)發(fā)光體薄膜的蒸鍍 制程之后，會(huì)以封裝基板封裝玻璃基板表面的元件。
參照?qǐng)D1所示，為傳統(tǒng)OLED顯示器件的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。OLED顯示器件 包含有一玻璃基板l，以及一封裝基板2是通過封膠層7的粘接性與玻璃基板接合，進(jìn)而封 裝成一個(gè)密閉空間。玻璃基板1表面上發(fā)光區(qū)包含有一積層物，是經(jīng)由一陽(yáng)極導(dǎo)電層、一 有機(jī)發(fā)光材料層(圖中未示出)以及一陰極金屬層(圖中未示出)所構(gòu)成，非發(fā)光區(qū)為電 極引線4走線區(qū)。其中，封裝基板2是采用比玻璃基板1面積稍小的金屬或玻璃材質(zhì)所制 成，可封裝住積層物，只外露預(yù)備用以與驅(qū)動(dòng)芯片8邦定的電極引線4。
封裝完成后至綁定過程中，封裝膠外沿至綁定區(qū)域之間裸露的那部分金屬引線以及ITO 引線不可避免的受到水汽、氧氣、金屬離子或其余雜質(zhì)離子的污染，而現(xiàn)有清潔手段很難達(dá)到一個(gè)理想的效果，即使后期使用密封膠全部覆蓋起來(lái)，也會(huì)在后期導(dǎo)致引線燒毀或短 路。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能有效保護(hù)電極引線的顯示器件。 本發(fā)明的另一 目的在于提供一種所述顯示器件的制備方法。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種采用所述方法制備所述顯示器件所用的掩膜板。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明之顯示器件包括基板及其上設(shè)置 的封裝蓋板，兩板間通過封膠粘合，基板上順次形成第一電極，有機(jī)功能層，第二電極； 第一、第二電極通過引線延伸到基板或封裝蓋板邊緣處，其特征在于，所述電極引線上還 形成有至少兩層絕緣性防護(hù)層，所述防護(hù)層延伸至第一、第二電極引線與芯片綁定邊緣， 所述封膠跨涂于防護(hù)層上。
所述封膠部分涂布于基板上，部分涂布于防護(hù)層上。
所述防護(hù)層為兩層。
所述雙層防護(hù)層的第一層為與顯示器件網(wǎng)狀絕緣層相同材料，第二層為與顯示器件陰極 隔壁相同材料。
所述封膠為光固化膠或熱固化膠。
本發(fā)明的另一目的是通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的該方法包括以下步驟
① 形成第一電極及引線圖形；
② 形成后續(xù)各層圖形及防護(hù)層圖形，其中形成防護(hù)層圖形在形成電極引線圖形后任一 步驟形成。
所述步驟②形成防護(hù)層圖形與顯示器件絕緣層同層制備。
本發(fā)明的另一目的還可以通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)該方法包括以下步驟200810191773.7
形；
② 形成防護(hù)層第一層圖形，形成防護(hù)層第二層圖形；
③ 形成后續(xù)各層圖形。
所述步驟②中防護(hù)層第一層圖形與顯示器件網(wǎng)狀絕緣層同層制備，防護(hù)層第二層圖形與 顯示器件陰極隔壁同層制備。
本發(fā)明的再一目的是通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的制備本發(fā)明之顯示器件防護(hù)層圖形 過程中，掩膜板整體鏤空?qǐng)D形至少包括與防護(hù)層圖形對(duì)應(yīng)的鏤空?qǐng)D形。
所述掩膜板為制備防護(hù)層第一層的第一掩膜板，以及制備防護(hù)層第二層的第二掩膜板。
所述第一掩膜板整體鏤空?qǐng)D形包括與網(wǎng)狀絕緣層圖形及防護(hù)層第一層圖形對(duì)應(yīng)的鏤空 圖形，所述第二掩膜板整體鏤空?qǐng)D形包括與陰極隔壁圖形及防護(hù)層第二層圖形對(duì)應(yīng)的鏤空 圖形。
本發(fā)明通過在顯示器件兩基板貼合處，設(shè)于電極引線上的防護(hù)層，能夠在兩基板貼合處 空隙有效阻隔水氧，與涂布其上的封膠共同配合，實(shí)現(xiàn)貼合間隙的有效密封，防止水氧滲 透；同時(shí)，該防護(hù)層還布設(shè)于不與芯片綁定的引線區(qū)域，直至芯片邊緣，更可以保護(hù)該部 分引線被水氧腐蝕；本發(fā)明優(yōu)選方案是與顯示器件內(nèi)網(wǎng)狀絕緣層、陰極隔壁同時(shí)制備，并 不增加工藝步驟；且防護(hù)層精度要求并不很高，易于制備，使該引線區(qū)域在涂覆密封膠之 前保持最大可能的潔凈程度，降低導(dǎo)線燒毀或短路的可能性，延長(zhǎng)使用壽命。
圖1為現(xiàn)有OLED器件基板及封裝蓋板貼合處結(jié)構(gòu)剖面圖(陰極引線位置剖切)；
圖2為本發(fā)明實(shí)施例1電極引線及防護(hù)層圖形結(jié)構(gòu)剖面圖3為本發(fā)明實(shí)施例1有機(jī)電致發(fā)光器件屏體走線圖4為制備本發(fā)明實(shí)施例1防護(hù)層第一層圖形使用的掩膜板；
6圖5為制備本發(fā)明實(shí)施例1防護(hù)層第二層圖形使用的掩膜板；
圖6為本發(fā)明實(shí)施例2有機(jī)電致發(fā)光器件屏體走線圖7為制備本發(fā)明實(shí)施例2防護(hù)層第一層圖形使用的掩膜板；
圖8為制備本發(fā)明實(shí)施例2防護(hù)層第二層圖形使用的掩膜板。
圖中
l一玻璃基板，2—封裝基板，3—陽(yáng)極導(dǎo)電層，4—電極引線，5a—掩膜板對(duì)應(yīng)網(wǎng)狀絕 緣層圖形不透光部分，5a—掩膜板對(duì)應(yīng)陰極隔壁圖形透光部分，6-l—防護(hù)層第一層圖 形，6-2_防護(hù)層第一層圖形，6a—掩膜板對(duì)應(yīng)防護(hù)層第一層圖形的不透光部分，6b 一掩膜板對(duì)應(yīng)防護(hù)層第二層圖形的透光部分，7—貼合膠，8—芯片。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一歩說明，為方便說明，實(shí)施例以有機(jī)電致發(fā)光 顯示器件為例。 實(shí)施例1
參照?qǐng)D2、 3、 4。本實(shí)施例器件結(jié)構(gòu)為玻璃基板1/陽(yáng)極3 (ITO) /電極引線4 (Gr) / 絕緣層(包括網(wǎng)狀絕緣層(圖中未示出)及陰極隔壁)與防護(hù)層6-l、 6-2/有機(jī)發(fā)光層/陰極
(Al)，之后為與玻璃基板1貼合的封裝基板2。本實(shí)施例電極引線4為單邊引出，即所有 陽(yáng)極引線4-l及所有陰極引線4-2的綁定區(qū)均在玻璃基板1的同一邊；制備防護(hù)層6-l、 6-2 所用掩膜板為圖4、 5所示，圖4所示掩膜板用以在光刻段，同時(shí)刻蝕出網(wǎng)狀絕緣層圖形、 陰極隔壁圖形(圖中未示出)及防護(hù)層第一層、第二層圖形6-1、 6-2，圖4中，由于采用 正性光刻膠，因此，掩膜板不透光部分5a、 6a為最后形成于玻璃基板l上網(wǎng)狀絕緣層圖形
(圖中未示出)及防護(hù)層第一層圖形6-l的圖樣，其余為透光部分；圖5中，由于采用負(fù)性 光刻膠，因此，掩膜板不透光部分5b、 6b為最后形成于玻璃基板l上陰極隔壁圖形(圖中 未示出)及防護(hù)層第二層圖形6-2的圖樣，其余為透光部分；本實(shí)施例采用大片基板制備，待封裝完成后，進(jìn)行切割為分立器件。 本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光顯示器件制作過程為
將已制備完成完整ITO及鉻引線圖形的玻璃基板1清洗，經(jīng)過UV清洗和超聲波清洗、 烘干；將烘干后的玻璃基板l，放在甩膠機(jī)的轉(zhuǎn)臺(tái)上，滴上適量光刻膠(正性)，以低速800 轉(zhuǎn)/分勻膠20秒后，立即加速至1600轉(zhuǎn)/分，甩膠20秒，在卯r下前烘20分鐘后， 將其放至圖4所示的掩膜板下，用高壓汞燈曝光20秒。曝光后，把玻璃基板1浸入0.8。/。KOH 溶液中顯影1分鐘，吹干，120 。C下后烘20分鐘。最后在200 。C下加熱1小時(shí)，高溫 堅(jiān)膜得到網(wǎng)狀絕緣層圖形(圖中未示出)及防護(hù)層第一層圖形6-l的制備。清洗、烘干后， 采用類似方法制備陰極隔壁圖形(圖中未示出)及防護(hù)層第二層圖形6-2，由于陰極隔壁最 終形狀為倒梯形，因此，制備過程中，光刻膠采用負(fù)性光刻膠。清洗、烘干后；將巳制備 好圖形的基板1送到蒸鍍車間。將基板1放入到基片腔室內(nèi)的分層籃筐內(nèi)的hoder上，腔室 關(guān)閉后開始抽真空至lX10—3Pa ，之后傳到預(yù)處理腔室，經(jīng)過臭氧處理，去除基片上的雜質(zhì)， 傳入A腔進(jìn)行蒸鍍空穴傳輸層NPB，蒸鍍速率為0.5mn/s，該層膜厚為50nm，之后蒸鍍發(fā) 光材料R/G/B，蒸鍍陰極A1，膜厚15nm。如此器件制作完成。
之后將制作完成的基板1傳入封裝腔室，等待與封裝基板2貼合封裝。 將玻璃基板1與已涂布貼合膠7的封裝基板2定位，待兩片貼合時(shí)，基板1上還設(shè)有 掩模板，在對(duì)應(yīng)的發(fā)光區(qū)設(shè)有阻擋層，防止紫外光損壞發(fā)光區(qū)，之后照射UV光，進(jìn)行貼合 膠7固化。
對(duì)已完成封裝貼合的器件進(jìn)行切割工序。將粘合后的雙層玻璃l、 2按照單元尺寸從單 元之間進(jìn)行刀具劃痕，經(jīng)輾壓打力后掰斷分離為單獨(dú)單元。
之后進(jìn)行屏體與驅(qū)動(dòng)芯片8的綁定，首先將各向異性導(dǎo)電膠條貼于屏體綁定區(qū)，將驅(qū) 動(dòng)芯片8或印刷電路板的引線與屏體引線4對(duì)位、加熱壓接，實(shí)現(xiàn)屏體與芯片8的綁定。 由于防護(hù)層6-1、 6-2的制備，其邊緣與驅(qū)動(dòng)芯片8或印刷電路板邊緣對(duì)接，使得屏體引線
84無(wú)外露部分，有效增強(qiáng)了引線的保護(hù)作用。 實(shí)施例2
參照?qǐng)D2、 6、 7、 8。本實(shí)施例器件結(jié)構(gòu)為玻璃基板1/陽(yáng)極3 (ITO) /電極引線4 (Gr) /絕緣層(包括網(wǎng)狀絕緣層(圖中未示出)及陰極隔壁)與防護(hù)層6-l、 6-2/有機(jī)發(fā)光層/陰極 (Al)，之后為與玻璃基板1貼合的封裝基板2。本實(shí)施例電極引線4為三邊引出，防護(hù)層 6為雙層6-l、 6-2;制備防護(hù)層第一層6-l所用掩膜板為圖IO所示，該掩膜板用以在光刻 段，同時(shí)刻蝕出網(wǎng)狀絕緣層圖形(圖中未示出)及防護(hù)層第一層圖形6-l，圖7中，由于采 用正性光刻膠，因此，掩膜板不透光部分5a、 6a為最后形成于玻璃基板l上網(wǎng)狀絕緣層圖 形(圖中未示出)及防護(hù)層第一層圖形6-l的圖樣，其余為透光部分；制備防護(hù)層第二層圖 形6-2所用掩膜板為圖8所示，該掩膜板用以在光刻段，同時(shí)刻蝕出陰極隔壁圖形(圖中未 示出)及防護(hù)層第二層圖形6-2,圖8中，由于采用負(fù)性光刻膠，因此，掩膜板透光部分5b、 6b為最后形成于玻璃基板1上陰極隔壁圖形及防護(hù)層圖形6-2的圖樣，其余為不透光部分。 本實(shí)施例采用大片基板制備，即一片基板同時(shí)制備數(shù)個(gè)器件，待封裝完成后，進(jìn)行切割為 分立器件。
本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光顯示器件制作過程為
將已制備完成完整ITO及鉻引線圖形的玻璃基板1清洗，經(jīng)過UV清洗和超聲波清洗、 烘干；將烘干后的玻璃基板l，放在甩膠機(jī)的轉(zhuǎn)臺(tái)上，滴上適量光刻膠(正性)，以低速800 轉(zhuǎn)/分勻膠20秒后，立即加速至1600轉(zhuǎn)/分，甩膠20秒，在90°C下前烘20分鐘后， 將其放至圖4所示的掩膜板下，用高壓汞燈曝光20秒。曝光后，把玻璃基板l浸入0.8n/。KOH 溶液中顯影1分鐘，吹干，120 'C下后烘20分鐘。最后在200 °C下加熱1小時(shí)，高溫 堅(jiān)膜得到網(wǎng)狀絕緣層圖形(圖中未示出)及防護(hù)層第一層圖形6-l的制備。清洗、烘干后， 采用類似方法制備陰極隔壁圖形，由于陰極隔壁最終形狀為倒梯形，因此，制備過程中，
9光刻膠采用負(fù)性光刻膠。該過程中采用如圖8所示掩膜板同時(shí)制備陰極隔壁圖形及防護(hù)層 第二層圖形6-2。清洗、烘干后；將已制備好圖形的基板l送到蒸鍍車間。將基板l放入到
基片腔室內(nèi)的分層籃筐內(nèi)的hoder上，腔室關(guān)閉后開始抽真空至lXl(^Pa ，之后傳到預(yù)處 理腔室，經(jīng)過臭氧處理，去除基片上的雜質(zhì)，傳入A腔進(jìn)行蒸鍍空穴傳輸層NPB，蒸鍍速 率為0.5nm/s，該層膜厚為50nm，之后蒸鍍發(fā)光材料R/G/B，蒸鍍陰極Al,膜厚15nm。如 此器件制作完成。
之后將制作完成的基板1傳入封裝腔室，等待與封裝基板2貼合封裝。 將基板1與己涂布貼合膠7的封裝基板2定位，待兩片貼合時(shí)，基板上l還設(shè)有掩模 板，在對(duì)應(yīng)的發(fā)光區(qū)設(shè)有阻擋層，防止紫外光損壞發(fā)光區(qū)，之后照射UV光，進(jìn)行貼合膠7固化。
對(duì)已完成封裝貼合的器件進(jìn)行切割工序。將粘合后的雙層玻璃l、 2按照單元尺寸從單 元之間進(jìn)行刀具劃痕，經(jīng)輾壓打力后掰斷分離為單獨(dú)單元。
之后進(jìn)行屏體與驅(qū)動(dòng)芯片8的綁定，首先將各向異性導(dǎo)電膠條貼于屏體綁定區(qū)，將驅(qū) 動(dòng)芯片8或印刷電路板的引線與屏體引線4對(duì)位、加熱壓接，實(shí)現(xiàn)屏體與芯片8的綁定。 由于防護(hù)層6-l、 6-2的制備，其邊緣與驅(qū)動(dòng)芯片8或印刷電路板邊緣對(duì)接，使得屏體引線 4無(wú)外露部分，有效增強(qiáng)了引線的保護(hù)作用。
雖然以上描述了本發(fā)明的最佳實(shí)施例，但本發(fā)明的技術(shù)范圍并不局限于上述討論的范 圍。上述提供的實(shí)施例只是僅僅用于進(jìn)一步在發(fā)明內(nèi)容的基礎(chǔ)上解釋本發(fā)明。應(yīng)該理解的 是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)上述過程做出多種改進(jìn)，但是所有的這類改進(jìn)也都屬于本發(fā) 明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種顯示器件，包括基板及其上設(shè)置的封裝蓋板，兩板間通過封膠粘合，基板上順次形成第一電極，有機(jī)功能層，第二電極；第一、第二電極通過引線延伸到基板或封裝蓋板邊緣處，與芯片綁定，其特征在于，所述電極引線上還形成有至少兩層絕緣性防護(hù)層，所述防護(hù)層延伸至第一、第二電極引線與芯片綁定邊緣，所述封膠跨涂于防護(hù)層上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述封膠部分涂布于基板上，部 分涂布于防護(hù)層上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示器件，其特征在于，所述防護(hù)層為兩層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，所述雙層防護(hù)層的第一層為與顯 示器件網(wǎng)狀絕緣層相同材料，第二層為與顯示器件陰極隔壁相同材料。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，所述封膠為光固化膠或熱固化膠。
6. —種制備如權(quán)利要求1所述的顯示器件的方法，包括以下步驟① 形成第一電極及引線圖形；② 形成后續(xù)各層圖形及防護(hù)層圖形，其中形成防護(hù)層圖形在形成電極引線圖形后任一 步驟形成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件的制備方法，其特征在于，所述步驟②形成防護(hù) 層圖形與顯示器件絕緣層同層制備。
8. —種制備如權(quán)利要求1所述的顯示器件的方法，包括以下步驟① 形成第一電極及引線圖形；② 形成防護(hù)層第一層圖形，形成防護(hù)層第二層圖形；③ 形成后續(xù)各層圖形。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件的制備方法，其特征在于，所述步驟②中防護(hù)層第一層圖形與顯示器件網(wǎng)狀絕緣層同層制備，防護(hù)層第二層圖形與顯示器件陰極隔壁同層制備。
10. —種采用權(quán)利要求6或8的方法制備如權(quán)利要求1所述的顯示器件所用的掩膜板， 其特征在于，掩膜板整體鏤空?qǐng)D形至少包括與防護(hù)層圖形對(duì)應(yīng)的鏤空?qǐng)D形。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板為制備防護(hù)層第一層的 第一掩膜板，以及制備防護(hù)層第二層的第二掩膜板。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜板整體鏤空?qǐng)D形包括與網(wǎng)狀絕緣層圖形及防護(hù)層第一層圖形對(duì)應(yīng)的鏤空?qǐng)D形，所述第二掩膜板整體鏤空?qǐng)D形包括 與陰極隔壁圖形及防護(hù)層第二層圖形對(duì)應(yīng)的鏤空?qǐng)D形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示器件、制備方法及制備其用的掩膜板，顯示器件包括基板及其上設(shè)置的封裝蓋板，兩板間通過封膠粘合，基板上順次形成第一電極，有機(jī)功能層，第二電極；第一、第二電極通過引線延伸到基板或封裝蓋板邊緣處，電極引線上還形成有至少兩層絕緣性防護(hù)層，防護(hù)層延伸至第一、第二電極引線與芯片綁定邊緣，封膠跨涂于防護(hù)層上。本發(fā)明防護(hù)層設(shè)于不與芯片綁定的引線區(qū)域，直至芯片邊緣，更可以保護(hù)該部分引線不被水氧腐蝕；優(yōu)選方案是與顯示器件內(nèi)網(wǎng)狀絕緣層、陰極隔壁同時(shí)制備，并不增加工藝步驟；且防護(hù)層精度要求并不很高，易于制備，使該引線區(qū)域在涂覆密封膠之前保持最大可能的潔凈程度，降低導(dǎo)線燒毀或短路的可能性，延長(zhǎng)使用壽命。
文檔編號(hào)H01L51/50GK101442042SQ20081019177
公開日2009年5月27日 申請(qǐng)日期2008年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月7日
發(fā)明者粵 徐, 勇 邱, 珉 陳 申請(qǐng)人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司;清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司