專利名稱：片式電阻器及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種片式電阻器(chip resistor)以及制造片式電阻器 的方法。
背景技術：
圖16顯示出制造片式電阻器的常規(guī)方法(參見JP-A-2002-57009)。 在該方法中，首先，如圖中(a)所示，制備兩個金屬板90，和91'。接 著，如(b)中所示，金屬板91，結合到金屬板90，的下表面。接著，如 (c)中所示，金屬板91'的一部分通過機械加工切去，以形成間隙93。 接著，如(d)中所示，在金屬板91，的下表面上形成焊料層(solder layer) 92，。接著，金屬板90，和91，如(e)中所示被切割，由此獲得片式電 阻器B。以這種方式制造的片式電阻器B在電阻器元件90的下表面上 包括一對彼此經由間隙93間隔開的電極91 。為了提高安裝處理中的可 焊性，每個電極91的下表面上形成有焊料層92。
通常，在將片式電阻器結合在電路中以制造產品時，優(yōu)選地，焊 料的一部分粘附在片式電阻器的電阻器元件的端面上，以形成焊腳 (solder fillet)。形成有焊腳的結合部粘結強度高，并且結合部的導電 性是可靠的。因此，通過從外部檢査有無焊腳，可以很容易地確定結 合條件。也就是說，當從外部觀察到存在有焊腳時，可以確定片式電 阻器安裝正確。反之，當從外部觀察不到存在有焊腳時，則可以確定 片式電阻器安裝不正確。
在上述片式電阻器B中，例如，使用基于Ni-Cu的合金、基于Cu-Mn 的合金或基于Ni-Cr的合金作為電阻器元件90的材料。然而，這些合 金不具有足夠的焊料可濕性(solderwettability),使得難于直接在電阻 器元件90的兩個端面上形成適當的焊腳。盡管每個電極91的下表面 上均設置有焊料層92，設置的焊料層92不足以形成焊腳。當片式電阻器B通過回流焊接而表面安裝到物體上時，預先將膏狀焊料(cream solder)施用于物體的將要安裝片式電阻器B的部分。然而，當膏狀焊 料的量不足時，不會形成適當的焊腳。以這種方式，在常規(guī)方法中不 能可靠地形成焊腳。
此外，片式電阻器B的常規(guī)制造方法需要將金屬板90，和91，結合 在一起以及加工金屬板91'的步驟。這些都是花費相對較長時間的棘手 工作，從而降低了片式電阻器B的制造效率。

發(fā)明內容
在上述條件下提出了本發(fā)明，其目的在于提供確保在表面安裝過 程中適當地形成焊腳的片式電阻器。本發(fā)明的另一目的在于提供用于 適當、有效地制造這種片式電阻器的方法。
根據本發(fā)明的第一方面，提供一種包括片式電阻器元件的片式電 阻器，上述片式電阻器元件設置有第一電極和第二電極。片式電阻器 元件由金屬制成，并且包括第一到第六表面。第一表面和第二表面在 第一方向上彼此間隔開。類似地，第三表面和第四表面在垂直于第一 方向的第二方向上彼此間隔開，第五表面和第六表面在垂直于第一方 向、并且垂直于第二方向的第三方向上彼此間隔開。第一電極和第二 電極在電阻器元件上形成，并且在第二方向上彼此間隔開。第一電極 在電阻器元件上直接形成，以在第一表面、第三表面和第二表面上連 續(xù)延伸。第二電極在電阻器元件上直接形成，以在第一表面、第四表 面和第二表面上連續(xù)延伸。
優(yōu)選地，第一表面和第二表面可以形成有覆蓋第一電極和第二電 極之間的區(qū)域的絕緣膜。
優(yōu)選地，第一電極和第二電極可以由Cu制成。
優(yōu)選地，片式電阻器在第三方向上的尺寸可以大于在第二方向上 的尺寸，或者在第二方向上的尺寸大于在第三方向上的尺寸。
根據本發(fā)明的第二方面，提供一種制造片式電阻器的方法。根據 該方法，制備細長的電阻器元件條，該電阻器元件條具有矩形橫截面， 并包括在所述條的厚度方向上彼此間隔開的第一表面和第二表面。然 后，以如下方式在第一表面和第二表面上分別形成細長的第一絕緣膜和細長的第二絕緣膜使得第一絕緣膜沒有覆蓋第一表面的在第一表 面的寬度方向上彼此間隔開的兩個邊緣區(qū)域，并且第二絕緣膜沒有覆 蓋第二表面的在第二表面的寬度方向上彼此間隔開的兩個邊緣區(qū)域。 然后，通過在沒有被第一絕緣膜和第二絕緣膜覆蓋的電阻器元件條的 暴露部分上鍍敷，形成導體層。最后，通過在所述條的縱向上以一定 間隔切割，分割上述的電阻器元件條。
在優(yōu)選的實施方式中，電阻器元件條可以在所述條的縱向上沿著 預先設置的操作線搬送，該操作線設置有用于形成第一絕緣膜和第二 絕緣膜的絕緣膜形成部，并設置有用于形成導體層的導體層形成部。 電阻器元件條的分割在所述條己經通過絕緣膜形成部和導體層形成部 之后進行。
根據本發(fā)明的第三方面，提供另一種制造片式電阻器的方法。根 據該方法，制備電阻器元件框架，該電阻器元件框架包括多個細長的 電阻器元件條和用于連接各個電阻器元件條的端部的連接部，其中電 阻器元件條彼此平行并且間隔開，并且電阻器元件條的每一個均具有 在條的厚度方向上彼此間隔開的第一表面和第二表面。然后，對于電 阻器元件條集體進行絕緣膜形成、導體層形成和縱向分割。具體的， 在絕緣膜形成中，細長的第一絕緣膜以如下方式在每個電阻器元件條 的第一表面上形成使得第一絕緣膜沒有覆蓋第一表面的在第一表面 的寬度方向上彼此間隔開的兩個邊緣區(qū)域。類似地，細長的第二絕緣 膜以如下方式在每個電阻器元件條的第二表面上形成使得第二絕緣 膜沒有覆蓋第二表面的在第二表面的寬度方向上彼此間隔開的兩個邊 緣區(qū)域。然后，在導體層形成中，通過在沒有被第一絕緣膜和第二絕 緣膜覆蓋的每個電阻器元件條的暴露部分上鍍敷，形成導體層。最后， 在縱向分割中，通過在電阻器元件條的縱向上以一定間隔切割，分割 每個電阻器元件條。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點參照附圖從下文給出的詳細說明將會是 顯而易見的。


圖1是顯示根據本發(fā)明的片式電阻器的第一實施方式的透視圖；圖2是沿著圖i的線n-n的橫截面視圖3是顯示用于根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第一實施方 式的電阻器元件框架的實施例的透視圖4是顯示在根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第一實施方式 中形成絕緣膜的步驟的透視圖5是顯示在根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第一實施方式 中形成導體層的步驟的透視圖6是顯示在根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第一實施方式 中分割電阻器元件條的步驟的透視圖7是顯示根據本發(fā)明的片式電阻器的第一實施方式的一個變化 方式的平面圖8是顯示根據本發(fā)明的片式電阻器的第一實施方式的另一變化 方式的平面圖9是顯示用于根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第一實施方
式的電阻器元件框架的另 一實施例的透視圖10是顯示根據本發(fā)明的片式電阻器的第二實施方式的透視圖； 圖11是顯示根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第二實施方式的
透視圖12是顯示根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第三實施方式中 形成絕緣膜的步驟的透視圖13是顯示根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第三實施方式中 的導體層形成部的截面圖14是顯示在根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第三實施方式 中的其上形成有導體層的電阻器元件圈(hoop)的透視圖15是顯示在根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第三實施方式 中的分割電阻器元件圈的步驟的透視圖；和
圖16是顯示片式電阻器的常規(guī)制造方法的一個實例的透視圖。
具體實施例方式
以下將參照

本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
圖1和2顯示了根據本發(fā)明第一實施方式的片式電阻器。該實施方式的片式電阻器A1包括電阻器元件1、絕緣膜2A、 2B和一對電極 3Q
電阻器元件1由金屬制成，其形式是俯視呈矩形的薄片，并且厚 度恒定。作為電阻器元件1的材料，可以使用基于Fe-Cr的合金、基于 Ni-Cr的合金或基于Ni-Cu的合金。然而，電阻器元件1的材料不限于 這些，適當地選擇具體電阻適合于電阻器元件1的尺寸和所需電阻的 金屬材料。
絕緣膜2A和2B 二者均為由例如環(huán)氧樹脂的樹脂制成的涂層膜。 絕緣膜2A覆蓋成對電極3之間的電阻器元件1的下表面la。絕緣膜 2B覆蓋成對電極3之間的電阻器元件1的上表面lb。
成對電極3在x方向上彼此間隔開。電極3由焊料可濕性高于電 阻器元件1的焊料可濕性的金扃制成。例如，電極3由Cu制成。每一 個電極3包括在電阻器元件1的X方向上覆蓋端面lc或ld的電極端 部31、覆蓋與端面lc或ld連接的下表面la的一部分的電極下部32、 和覆蓋與端面lc或ld連接的上表面lb的一部分的電極上部33。這些 電極部31、 32和33彼此連接，以整體上呈U形。
如圖2更好地所示，電極下部32的各個內端面與絕緣膜2A的兩 個端面21a連接。也就是說，電極下部32之間的距離由絕緣膜2A的 端面21a限定，并且等于絕緣膜2A的寬度sl。電極下部32在X方向 上的尺寸大于電極上部33在X方向上的尺寸。
例如，電阻器元件1的厚度可以是大約100-500 ^m，絕緣膜2A、 2B的厚度可以是大約20 pm，電極3的厚度可以是大約30-200 pm。 電阻器元件l的長度和寬度均可以是大約2-7mm。然而，電阻器元件 1的尺寸取決于所需的電阻而變化，可以與上述不同。片式電阻器A1 設計成低電阻電阻器，成對電極3之間(裝配側上的電極下部32之間) 的電阻大約為1-10 mQ。
圖3-6顯示了根據本發(fā)明第一實施方式的片式電阻器制造方法。首 先，在該方法中，制備如圖3所示的電阻器元件框架l'。電阻器元件 框架r可以由諸如基于Fe-Cr的合金、基于Ni-Cr的合金或基于Ni-Cu 的合金制成，并且包括多個電阻器元件條1A和連接部11。電阻器元 件條1A的形式是橫截面呈矩形的條，并且布置成彼此平行。連接部
911將電阻器元件條1A各自的一端彼此連接。
然后，如圖4所示，絕緣膜2B'和2A'分別形成在每個電阻器元件 條1A的上表面和下表面上。具體地，絕緣膜2A，形成為在電阻器元件 條1A的下表面上具有恒定寬度，但下表面的兩個寬度方向相對端除 外。絕緣膜2B，形成為在電阻器元件條1A的上表面上具有恒定寬度， 但上表面的兩個寬度方向相對端除外。在該實施方式中，絕緣膜2B， 的寬度稍大于絕緣膜2A'的寬度。絕緣膜2A'、 2B'使用諸如環(huán)氧樹脂 通過例如絲網印刷(screen printing)的厚膜印刷(thick film printing) 形成。通過厚膜印刷，可以形成具有所需寬度和厚度的絕緣膜2A'、2B'。 如果需要，可以進行在絕緣膜2B'的表面上作標記的處理。
然后，如圖5所示，在每一個電阻器元件條1A的不被絕緣膜2A' 和2B'覆蓋的部分處形成導體層3'。導體層3'可以通過，例如，Cu鍍 敷來形成。盡管電鍍和無電鍍敷均可以用作鍍敷方法，優(yōu)選地使用電 鍍。電鍍適于形成厚度相對較大的導體層3'。通過鍍敷，導體層3'直 接、同時形成在電阻器元件條1A的所有暴露部分(不被絕緣膜2A'和 2B，覆蓋的部分)上。此外，通過鍍敷，可以形成尺寸準確的導體層3， 而不在導體層3'和絕緣膜2A'、 2B'之間形成間隙。此外，通過控制鍍 敷條件，可靠地形成具有所需厚度的導體層3'。
然后，如圖6所示，將每一個電阻器元件條1A分割。這種分割通 過相繼沿著垂直于電阻器元件條1A的縱向而延伸的切割線CL來切割 每一個電阻器元件條1A而執(zhí)行。通過該分割步驟，獲得多個片式電阻 器A1。
通過上述片式電阻器制造方法，可以通過改變圖6所示的切割線 之間的間距來獲得具有不同長度/寬度比率的片式電阻器Al。例如，當 切割線CL之間的間距設置成相對較大時，獲得圖7所示的片式電阻器 Al。當切割線CL之間的間距設置成相對較小時，獲得圖8所示的片 式電阻器A1。在圖8所示的片式電阻器A1中，在垂直于X方向的方 向上的尺寸大大小于X方向上的尺寸。圖7與圖8中所示的片式電阻 器A1的電阻彼此不同。具體地，圖7所示的片式電阻器A1的電阻大 大低于圖8所示的片式電阻器Al的電阻。通過進一步改變切割線CL 之間的間距，可以獲得長度/寬度比率不同于圖7和圖8所示的片式電阻器A1的多種片式電阻器。
以下將說明根據該實施方式的片式電阻器Al和片式電阻器Al的
制造方法的優(yōu)點。
將該實施方式的片式電阻器Al通過例如回流焊接表面裝配在所需的物體上。在回流焊接中，將膏狀焊料施用于物體將要安裝片式電阻器A1的區(qū)域處設置的終端。片式電阻器A1放置成電極3的電極下部32與該部分接觸，并在回流爐中加熱。
電極3的材料——Cu的焊料可濕性高于形成電阻器元件1的合金的焊料可濕性。在該實施方式中，電極3在電阻器元件1的下表面la、端面lc或ld和上表面lb上連續(xù)延伸。因此，在表面裝配片式電阻器Al時，焊劑也很容易粘附到電極端部31和電極上部33。結果，由圖1中的虛線指示的焊腳Hf適當地形成。因此，基于是否存在焊腳Hf，很容易確定片式電阻器A1是否被適當地裝配。此外，焊腳Hf增強了片式電阻器A1的焊接粘結強度。而且，在片式電阻器A1操作期間生成的熱量經由焊腳Hf有效地散發(fā)到大氣或電路板處。因此，防止了片式電阻器A1的溫度過度升高。
通過使用前述鍍敷技術，電極3很容易形成為覆蓋包括電阻器元件1的端面lc或ld和上表面lb以及下表面la的寬的區(qū)域。由于電極3在這樣寬的區(qū)域上形成，則形成足夠大的焊腳Hf。大的焊腳Hf在增強粘結強度和防止操作過程中片式電阻器的溫度升高方面是有優(yōu)勢的。
在該實施方式的片式電阻器A1中，成對電極3之間的距離在通過厚膜印刷形成絕緣膜2A作為圖案(pattern)時被限定。因此，尺寸精度很容易提高。結果，在片式電阻器A1中，獲得接近于所需值的額定
制造片式電阻器Al的方法使用例如厚膜印刷和鍍敷的有效技術并且不涉及例如不同種類金屬的結合或機械加工的復雜工作。因此，由該方法，有效地制造多個片式電阻器Al。包括多個電阻器元件條1A的電阻器元件框架l'的使用對于有效制造大量片式電阻器Al是十分有效的。此外，通過改變切割線CL之間的距離，可以適當地設置片式電阻器A1在X方向上和在垂直于X方向的方向上的尺寸。因此，可
ii從單個電阻器元件框架1'獲得具有不同電阻的片式電阻器A1。
而且，通過改變圖6所示的切割線CL之間的距離，可以制造包括如圖7和圖8所示的片式電阻器在內的具有不同長度/寬度比率的片式電阻器A1。因此，可以在不改變制造方法的情況下有效地制造具有不同電阻的片式電阻器A1。
圖9-15顯示了本發(fā)明的其它實施方式。在這些附圖中，與前述實施方式中的那些元件相同或相似的元件由與前述實施方式中使用的那些相同的附圖標記指示。
圖9顯示了在參照圖3-6的片式電阻器制造方法中使用的電阻器元件框架l，的其它實例。與上述電阻器元件框架l，不同，圖9所示的電
阻器元件框架r包括一對連接部ii。電阻器元件條ia布置成彼此平
行，并通過成對的連接部ll在各自的兩端彼此連接。當該電阻器元件
框架l'用于圖3-6所示的制造方法時，同樣有效地制造片式電阻器Al。
成對的連接部ii增強了電阻器元件框架r的強度。
圖IO顯示了根據本發(fā)明第二實施方式的片式電阻器。該實施方式的片式電阻器A2除了第一實施方式的片式電阻器A1的部件之外還包括一對焊料層4。每一個焊料層4通常側視呈U形，并且覆蓋相應電極3的表面。例如，焊料層4由Sn制成。焊料層4的厚度為，例如，大約5-20 (im。
以這種設置，所有其上將要形成有焊腳Hf的表面均覆蓋有焊料層4，這有利于形成焊腳Hf。電極3的材料——Cu的焊料可濕性高于電阻器元件1的材料的焊料可濕性。因此，與焊料層4直接形成在電阻器元件1上的結構相比，更加可靠地形成焊料層4。
圖11顯示了根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第二實施方式。具體地，該圖顯示的是制造上述片式電阻器A2的方法。在該方法中，首先，如圖11 (a)所示，制備條形式的電阻器集合體(aggregate) A2'。為了制備電阻器集合體A2'，與第一實施方式的制造方法相類似，在電阻器元件條1A的兩個表面上形成絕緣膜2A，和2B，，然后在電阻器元件條1A的暴露部分處形成導體層3'。然后，在導體層3'上形成焊料層4'，從而獲得電阻器集合體A2'。焊料層4'可以通過鍍敷形成。然后，如圖ll (b)所示，將電阻器集合體A2'相繼切開，并沿著切割線CL分割，從而獲得多個片式電阻器A2。從圖中可以看出，切割線CL在電阻器元件條1A的縱向上以相等的間隔設置，當俯視時，每一條線CL垂直于條1A的縱向而延伸。
圖12-15顯示了根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法的第三實施方式。在該實施方式中，如圖12所示，使用電阻器元件圈(hoop) IB作為電阻器元件的材料。該電阻器元件圈IB的形式是具有矩形橫截面的條帶。例如，在使用之前將圈1B保存成纏繞在巻軸上(未示出)。在制造過程中，電阻器元件圈1B從巻軸上抽出，并沿著由多個輥限定的路徑搬送。沿著該路徑相繼設置絕緣膜形成部、導體層形成部和分割部。
圖12顯示了在絕緣膜形成部中形成絕緣膜2A'和2B'的步驟。在絕緣膜形成部中，設置有用于施用例如環(huán)氧樹脂的裝置。優(yōu)選地，如圖所示，施用裝置可以包括一對布置成夾住電阻器元件圈1B的施用輥RL。施用輥RL設計成在恒定的寬度連續(xù)施用環(huán)氧樹脂。因此，當電阻器元件圈1B經過施用輥RL之間時，形式為寬度恒定的條帶的絕緣膜2A'和2B'在電阻器元件圈1B的上表面和下表面上形成。
圖13顯示了導體層形成部的一個實例。導體層形成部包括鍍敷路徑Pt和用于將電阻器元件圈1B朝著鍍敷路徑Pt搬送的輥。鍍敷路徑Pt是用于進行例如Cu的電鍍的部分，并包含鍍液。圖14顯示了經過鍍敷路徑Pt之后的電阻器元件圈1B。通過在鍍敷路徑Pt中進行電鍍，在電阻器元件圈1B的不被絕緣膜2A'、 2B'覆蓋的部分形成Cu導體層3'?？梢酝ㄟ^無電鍍敷代替電鍍來形成導體層3'。
如圖15所示，在進行鍍敷步驟之后，電阻器元件圈1B被搬送到分割部。該實施方式的分割部包括一對切割刀片BL作為切割裝置。切割刀片BL設計成以定期的時間間隔來切割處于以恒定速度搬送過程中的電阻器元件圈1B。結果，電阻器元件圈1B被分割成相同尺寸的多個片式電阻器A1。通過該制造方法，獲得如圖l所示的片式電阻器Al。當導體層形成部的下游額外地設置有用于進行Sn鍍敷的部分時，則獲得如圖10所示的片式電阻器A2。
根據該實施方式，片式電阻器Al、 A2不是通過分批生產制造，而是通過流水線生產制造。這十分有利于提高片式電阻器Al、 A2的
13制造效率。
根據本發(fā)明的片式電阻器制造方法不限于前述實施方式。根據本發(fā)明的制造方法的具體結構可以在設計上以多種方式加以變化。
在上述片式電阻器Al、 A2中，電阻器元件1的側表面le禾卩l(xiāng)f被暴露。然而，除此之外，絕緣膜可以進一步設置成覆蓋側表面le和lf。當側表面le和lf被絕緣膜覆蓋時，在表面裝配片式電阻器Al、A2時，能夠防止焊料過度地粘附到電阻器元件l上。
權利要求
1. 一種片式電阻器，其包括片式電阻器元件，其由金屬制成，并且包括第一到第六表面，第一表面和第二表面在第一方向上彼此間隔開，第三表面和第四表面在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此間隔開，第五表面和第六表面在垂直于所述第一方向、并且垂直于所述第二方向的第三方向上彼此間隔開；和第一電極和第二電極，其在所述電阻器元件上形成，并且在所述第二方向上彼此間隔開；其中所述第一電極在所述電阻器元件上直接形成，并且在所述第一表面、所述第三表面和所述第二表面上連續(xù)延伸，其中所述第二電極在所述電阻器元件上直接形成，并且在所述第一表面、所述第四表面和所述第二表面上連續(xù)延伸。
2. 如權利要求1所述的片式電阻器，其中所述第一表面和所述第 二表面的每一個均形成有覆蓋所述第一 電極和所述第二電極之間的區(qū) 域的絕緣膜。
3. 如權利要求1所述的片式電阻器，其中所述第一電極和所述第 二電極由Cu制成。
4. 如權利要求1所述的片式電阻器，其中所述片式電阻器在所述 第三方向上的尺寸大于在所述第二方向上的尺寸。
5. 如權利要求1所述的片式電阻器，其中所述片式電阻器在所述 第二方向上的尺寸大于在所述第三方向上的尺寸。
6. —種制造片式電阻器的方法，所述方法包括以下步驟 制備細長的電阻器元件條，所述電阻器元件條具有矩形橫截面，并包括在所述條的厚度方向上彼此間隔開的第一表面和第二表面；在所述第一表面和所述第二表面上分別形成細長的第一絕緣膜和細長的第二絕緣膜，所述第一絕緣膜沒有覆蓋所述第一表面的在所述 第一表面的寬度方向上彼此間隔開的兩個邊緣區(qū)域，所述第二絕緣膜 沒有覆蓋所述第二表面的在所述第二表面的寬度方向上彼此間隔開的 兩個邊緣區(qū)域；通過在沒有被所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜覆蓋的所述電阻器元件條的暴露部分上鍍敷，形成導體層；和通過在所述條的縱向上以一定間隔切割所述條，分割所述電阻器 元件條。
7. 如權利要求6所述的方法，其中所述電阻器元件條在所述條的 縱向上沿著操作線搬送，所述操作線設置有用于形成所述第一絕緣膜 和所述第二絕緣膜的絕緣膜形成部、和用于形成所述導體層的導體層 形成部，并且其中所述電阻器元件條的分割在所述條已經通過所述絕 緣膜形成部和所述導體層形成部之后進行。
8. —種制造片式電阻器的方法，所述方法包括以下步驟 制備電阻器元件框架，其包括多個細長的電阻器元件條和用于連接各個電阻器元件條的端部的連接部，所述電阻器元件條彼此平行并 且間隔開，所述電阻器元件條的每一個均具有在每個所述條的厚度方 向上彼此間隔開的第一表面和第二表面；對于所述電阻器元件條集體進行絕緣膜形成；對于所述電阻器元件條集體進行導體層形成；對于所述電阻器元件條集體進行縱向分割；其中在所述絕緣膜形成中，細長的第一絕緣膜在每個電阻器元件 條的所述第一表面上形成，所述第一絕緣膜沒有覆蓋所述第一表面的 在所述第一表面的寬度方向上彼此間隔開的兩個邊緣區(qū)域，并且細長 的第二絕緣膜在每個電阻器元件條的所述第二表面上形成，所述第二 絕緣膜沒有覆蓋所述第二表面的在所述第二表面的寬度方向上彼此間 隔開的兩個邊緣區(qū)域，其中在所述導體層形成中，通過在沒有被所述第一絕緣膜和所述 第二絕緣膜覆蓋的每個電阻器元件條的暴露部分上鍍敷，形成導體層;其中在所述縱向分割中，通過在每個電阻器元件條的縱向上以一 定間隔切割，分割所述每個電阻器元件條。
全文摘要
片式電阻器包括制成薄片形式的包括上表面、下表面、兩個端面和兩個側表面的金屬電阻器元件。電阻器元件上形成有兩個電極，以在電阻器元件的縱向上彼此間隔開。每個電極均直接形成在電阻器元件上，并且經由兩個端面的相應一個從下表面連續(xù)延伸到上表面上。
文檔編號H01C1/14GK101465184SQ20081018668
公開日2009年6月24日 申請日期2008年12月16日 優(yōu)先權日2007年12月17日
發(fā)明者塚田虎之 申請人:羅姆股份有限公司