專利名稱：基板載置機(jī)構(gòu)和具備該基板載置機(jī)構(gòu)的基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是涉及在成膜裝置等的基板處理裝置中，具有在處理容器 內(nèi)載置半導(dǎo)體晶片等的基板并進(jìn)行加熱的發(fā)熱體的基板載置機(jī)構(gòu)和具 備該基板載置機(jī)構(gòu)的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體設(shè)備的制造中，對(duì)于作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片，存
在實(shí)施如CVD成膜處理或者等離子體蝕刻處理那樣的真空處理的工 序，但是由于在進(jìn)行上述處理時(shí)需要將作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片 加熱到規(guī)定的溫度，所以使用兼用作基板載置臺(tái)的加熱器加熱半導(dǎo)體 晶片。
作為這樣的加熱器在現(xiàn)有技術(shù)中能夠使用不銹鋼加熱器等，近年 來(lái)，提出難以產(chǎn)生由在上述處理中所使用的鹵素類氣體引起的腐蝕、 熱效率高的陶瓷加熱器(專利文獻(xiàn)l等)。這樣的陶瓷加熱器具有的結(jié) 構(gòu)是，在作為載置被處理基板的載置臺(tái)發(fā)揮功能的由AIN等的致密質(zhì) 陶瓷燒結(jié)體構(gòu)成的基體的內(nèi)部，埋設(shè)有由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的發(fā)熱體。
當(dāng)在基板處理裝置中應(yīng)用由這樣的陶瓷加熱器構(gòu)成的基板載置臺(tái) 的情況下，使陶瓷制的筒狀的支撐部件的一端與基板載置臺(tái)的背面接 合，另一端與腔室的底部接合。在該支撐部件的內(nèi)部，設(shè)置有用于對(duì) 發(fā)熱體供電的供電線，該供電線與發(fā)熱體的端子連接，從設(shè)置在外部 的電源通過(guò)該供電線和供電端子對(duì)發(fā)熱體供電。
專利文獻(xiàn)1:特開(kāi)平7-272834號(hào)公報(bào)
但是，由這樣的陶瓷加熱器構(gòu)成的基板載置臺(tái)，由于在與支撐部 件的接合部附近存在供電端子，所以在該部分不得不使發(fā)熱體的密度 降低。另外，基板載置臺(tái)的與支撐部件的接合部，熱容易通過(guò)支撐部 件利用熱傳導(dǎo)逃逸。因此，在基板載置臺(tái)的接合部周邊能夠形成冷斑 點(diǎn)(cool spot:與周邊相比溫度低的區(qū)域)，在該部分熱應(yīng)力集中，特別是，在曲部應(yīng)力集中而遭到破壞。
為了防止這樣的破壞，通常使加熱器中心部的溫度比周邊部的溫 度高。但是，由于通常使加熱器中心部的溫度比周邊部的溫度高，所 以不能使溫度均一性從一定程度上提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠進(jìn)一步提高溫度均一性的基板載置 機(jī)構(gòu)和具備該基板載置機(jī)構(gòu)的基板處理裝置。
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第一方式的基板載置機(jī)構(gòu)，具備埋 設(shè)有發(fā)熱體的石英制加熱器主體、和在上述石英制加熱器主體的被處 理基板載置面上裝載的耐腐蝕性陶瓷部件。
另外，本發(fā)明的第二方式的基板載置機(jī)構(gòu)，具備埋設(shè)有發(fā)熱體的 石英制加熱器主體；在上述石英制加熱器主體的被處理基板載置面上 形成的、由與通過(guò)成膜處理積累的金屬同一種類金屬構(gòu)成的金屬膜； 和上述金屬膜上裝載的耐腐蝕性陶瓷部件。
另外，本發(fā)明的第三方式的基板處理裝置，具備收容基板、對(duì)內(nèi) 部減壓并保持的處理容器；設(shè)置在上述處理容器內(nèi)、具有上述第一方 式或者第二方式中記載的結(jié)構(gòu)的基板載置機(jī)構(gòu)；和在上述處理容器內(nèi) 對(duì)上述基板實(shí)施規(guī)定的處理的處理機(jī)構(gòu)。
依據(jù)本發(fā)明，能夠提供具有能夠進(jìn)一步提高溫度均一性的基板載 置機(jī)構(gòu)和具備該基板載置機(jī)構(gòu)的基板處理裝置。


圖1表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的基板載置機(jī)構(gòu)的一個(gè)例子的截面圖。
圖2表示本發(fā)明的具體的一實(shí)施例的基板處理裝置的一個(gè)例子的 截面圖。
圖3表示圖2所示的基板載置機(jī)構(gòu)100a的放大截面圖。
圖4 (a)和(b)分別是升降銷穴附近的放大圖。
圖5 (a)至(c)分別表示被處理基板載置面的經(jīng)時(shí)惡化的圖。
符號(hào)說(shuō)明100、100a基板載置機(jī)構(gòu)
101石英制加熱器主體
102發(fā)熱體
103被處理基板載置面
104耐腐蝕性陶瓷部件
105接合部
106小R部(小的曲面部)
107石英制支撐部件
108供電端子
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行具體的說(shuō)明。 圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板載置機(jī)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)的 截面圖。
一實(shí)施方式的基板載置機(jī)構(gòu)，例如具有被配置在成膜裝置或者蝕 刻裝置等的基板處理裝置的處理容器內(nèi)，在該處理容器內(nèi)載置半導(dǎo)體 晶片等的被處理基板，并且加熱被處理基板的發(fā)熱體。
如圖1所示，基板載置機(jī)構(gòu)100具備，埋設(shè)有發(fā)熱體102的石英 制加熱器主體101、在石英制加熱器主體101的被處理基板載置面103 上裝載的耐腐蝕性陶瓷部件104。
石英制加熱器主體101，雖然沒(méi)有特別圖示，但是從上部方向看是 圓形，在被處理基板載置面103的背面中央部，具有具備小R部(小 曲面部)106的接合部105。在該接合部105，例如接合有中空狀的石 英制支撐部件107。在接合部105具備供電端子108，該供電端子108 的一端在石英制加熱器主體內(nèi)通過(guò)供電線109與發(fā)熱體102連接，其 另-一端，例如通過(guò)插通到石英制支撐部件107的中空部110的供電線 111與圖中未表示的電源連接。發(fā)熱體102的一個(gè)例子是電阻發(fā)熱體。
耐腐蝕性陶瓷部件104，裝載在石英制加熱器主體101的被處理基 板載置面103上，例如，通過(guò)圖中沒(méi)有表示的銷連接(pinning)等的 接合單元與石英制加熱器主體101接合。耐腐蝕性陶瓷部件104具有 以下的作用接受來(lái)自發(fā)熱體102的熱量，向圖中沒(méi)有表示的被處理基板例如半導(dǎo)體晶片更好地傳遞熱量；和保護(hù)石英制加熱器主體101
的、被處理基板載置面103的表面不被清潔劑(例如三氟化氯(C1F3)) 腐蝕。因?yàn)檫@些作用，所以耐腐蝕性陶瓷部件104的材料要選擇對(duì)于 清潔劑的耐腐蝕性比石英制加熱器主體101優(yōu)良，并且，比石英制加 熱器主體101的熱傳導(dǎo)率好的材料。作為這樣的材料的例子，例如可 以舉出氮化鋁(A1N)。
依據(jù)圖1所示的基板載置機(jī)構(gòu)100，加熱器主體101是石英制的。 石英的熱膨脹率比陶瓷例如氮化鋁約小一個(gè)位數(shù)。 一般地，氮化鋁的 熱膨脹率大約為5xlO-，C左右，石英的熱膨脹率大約為0.5xl(TV。C左 右。因此，石英制加熱器主體101，與使加熱器主體為陶瓷制例如氮化 鋁制的情況相比較，能夠使在加熱時(shí)向加熱器中心產(chǎn)生的抗拉應(yīng)力減 小。因此，能夠抑制應(yīng)力集中在圖1所示的接合部105的周邊，例如， 在接合部105的周邊形成的小R部106，而破壞加熱器主體101的現(xiàn) 象。
這樣，由于一實(shí)施方式的基板載置機(jī)構(gòu)100能夠減小加熱時(shí)產(chǎn)生 的拉伸應(yīng)力，因此與使加熱器主體為陶瓷制例如氮化鋁制的基板載置 機(jī)構(gòu)相比，可以使加熱器中心部的溫度不比周邊部高。因此，基板載 置面103上的溫度均一性，與使加熱器主體為陶瓷制例如氮化鋁制的 基板載置機(jī)構(gòu)相比，能夠更加提高。
這樣的基板載置機(jī)構(gòu)100，在石英制加熱器主體101中具有小R 部106，例如在被處理基板載置面103的背面中央部具有與支撐部件 107的接合部105這樣的基板載置機(jī)構(gòu)中有用。
另外， 一實(shí)施方式的基板載置機(jī)構(gòu)100，由于支撐部件107也是石 英制的，所以與使支撐部件為陶瓷制，例如氮化鋁制的基板載置機(jī)構(gòu) 相比，支撐部件107也成為相對(duì)于熱應(yīng)力較強(qiáng)的構(gòu)造。
進(jìn)一步，依據(jù)一實(shí)施方式的基板載置機(jī)構(gòu)100，在石英制加熱器主 體101的被處理基板載置面103上，例如，裝載有對(duì)于清潔劑的耐腐 蝕性比石英制加熱器主體101優(yōu)良的耐腐蝕性陶瓷部件104。由于具有 耐腐蝕性陶瓷部件104，與被處理基板載置面103為石英制的情況相 比，例如能夠經(jīng)得起由清潔劑引起的腐蝕、能夠抑制被處理基板載置 面103上的溫度均一性的經(jīng)時(shí)惡化的進(jìn)行，能夠長(zhǎng)時(shí)間維持優(yōu)良的溫度均一性。
但是， 一實(shí)施方式的腐蝕性陶瓷部件104，由于選擇比加熱器主體
101的熱傳導(dǎo)率良好的材料，與被處理基板載置面103為石英制的情況 相比較，熱分布變得良好，能夠進(jìn)一步提高溫度均一性。
這樣的耐腐蝕性和熱傳導(dǎo)率兩者都良好的材料的例子有氮化鋁。 另外，耐腐蝕性陶瓷部件104如果是氮化鋁制的話就很難發(fā)生由卣素 類氣體引起的腐蝕。
此外，當(dāng)耐腐蝕性陶瓷部件104為氮化鋁制時(shí)，恐怕會(huì)出現(xiàn)以熱 應(yīng)力為起因的"裂紋"，關(guān)于這一點(diǎn)，通過(guò)使耐腐蝕性陶瓷部件104的 厚度t變薄，與使加熱器主體全部為氮化鋁制的情況相比較，能夠成為 經(jīng)得起"裂紋"的結(jié)構(gòu)。用于成為經(jīng)得起"裂紋"的結(jié)構(gòu)的、耐腐蝕 性陶瓷部件104的優(yōu)選厚度t的范圍，例如是2 6mm。
此外，在一實(shí)施方式中，表示出在石英制加熱器主體101中埋設(shè) 有發(fā)熱體102的例子，但這樣的基板載置機(jī)構(gòu)100，例如能夠用作熱 CVD裝置中的基板載置機(jī)構(gòu)。
另外，在石英制加熱器主體101中，例如也可以與發(fā)熱體102 — 起埋設(shè)等離子體發(fā)生用的RF電極。如果在石英制加熱器主體101中埋 設(shè)RF電極，則能夠用作等離子體成膜裝置、例如形成鈦(Ti)膜的等 離子體CVD裝置的基板載置機(jī)構(gòu)。
以下，作為具體的一實(shí)施例，將在石英制加熱器主體101中與發(fā) 熱體102 —起埋設(shè)RF電極的例子，與等離子體CVD裝置同時(shí)進(jìn)行說(shuō) 明。
圖2是表示本發(fā)明的具體的一實(shí)施例的基板處理裝置的一個(gè)例子 的截面圖，圖3是表示圖2所示的基板載置機(jī)構(gòu)100a的放大截面圖。
本一例是在半導(dǎo)體裝置的制造所使用的等離子體CVD裝置的基 板載置機(jī)構(gòu)中應(yīng)用上述一實(shí)施方式的基板載置機(jī)構(gòu)的例子。
如圖2所示，等離子體CVD裝置200，具有氣密地構(gòu)成的大致圓 筒狀的腔室2、和從腔室2的底壁2b向下方突出設(shè)置的排氣室3，由 這些腔室2和排氣室3構(gòu)成一體的處理容器。在腔室2內(nèi)設(shè)置有基板 載置機(jī)構(gòu)100a，其使作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片(以下，簡(jiǎn)單記作 晶片)W處于水平狀態(tài)而載置，并且用于加熱。在石英制加熱器主體101的外邊部設(shè)置有用于引導(dǎo)晶片W的聚焦環(huán)6。如圖3所示，該基 板載置機(jī)構(gòu)100a，在參照?qǐng)D1說(shuō)明的基板載置機(jī)構(gòu)100的石英制加熱 器主體101內(nèi)，還埋設(shè)有RF電極112。
在腔室2的外側(cè)設(shè)置有用于對(duì)石英制加熱器主體101的發(fā)熱體102 等供電的電源5，從該電源5通過(guò)連接室20向發(fā)熱體102等供電。在 電源5連接有控制器7，控制來(lái)自電源5的供電量，進(jìn)行石英制加熱器 主體101等的溫度控制。等離子體CVD裝置200的各構(gòu)成部形成為與 工藝控制器60連接而被控制的結(jié)構(gòu)。在工藝控制器60中連接有用戶 界面61 ，該用戶界面61由工程管理者為了管理等離子體CVD裝置200 而進(jìn)行指令的輸入操作等的鍵盤、使等離子體CVD裝置200的工作狀 況可視化進(jìn)行顯示的顯示器等構(gòu)成。
另外，在工藝控制器60中連接有存儲(chǔ)部62，在該存儲(chǔ)部62中存 儲(chǔ)有為了通過(guò)工藝控制器60的控制實(shí)現(xiàn)在等離子體CVD裝置200中 實(shí)行的各種處理的控制程序，或者用于根據(jù)處理?xiàng)l件使在等離子體蝕 刻裝置的各構(gòu)成部實(shí)行處理的程序即方案。方案也可以存儲(chǔ)在硬盤或 者半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，也可以在被收容于CDROM、 DVD等移動(dòng)式的存 儲(chǔ)介質(zhì)中的狀態(tài)下安裝在存儲(chǔ)部62的規(guī)定位置。并且，也可以從其它 的裝置，例如通過(guò)專用線路適當(dāng)傳送方案。
并且，根據(jù)需要，通過(guò)來(lái)自用戶界面61的指示等從存儲(chǔ)部62調(diào) 出任意的方案并在工藝控制器60中執(zhí)行，由此，在工藝控制器60的 控制下，進(jìn)行等離子體CVD裝置200中的規(guī)定的處理。
在腔室2的頂壁2a，隔著絕緣部件9設(shè)置有噴淋頭30,在噴淋頭 30連接有氣體供給機(jī)構(gòu)40。噴淋頭30在上面具有氣體導(dǎo)入口31，在 內(nèi)部具有氣體擴(kuò)散空間32，在下面形成有氣體吐出孔33。在氣體導(dǎo)入 口 31連接有從氣體供給機(jī)構(gòu)40延伸的氣體供給配管35，從氣體供給 機(jī)構(gòu)40導(dǎo)入成膜氣體。
進(jìn)一步，在噴淋頭30通過(guò)匹配器37連接有高頻電源36，對(duì)噴淋 頭30供給高頻電力。使通過(guò)噴淋頭30供給到腔室2內(nèi)的成膜氣體等 離子體化并進(jìn)行成膜處理。
上述排氣室3，以覆蓋在腔室2的底壁2b的中央部形成的圓形的 穴4的方式向下方突出，在其側(cè)面連接有排氣管51，在該排氣管51上連接有排氣裝置52。并且通過(guò)使該排氣裝置52動(dòng)作，能夠使腔室2 內(nèi)減壓至規(guī)定的真空度。
在基板載置機(jī)構(gòu)100a中，用于支撐晶片W并使其升降的3根(圖 中僅表示2根)晶片升降銷53設(shè)置為能夠相對(duì)于被處理基板載置面03 的表面突出和沉沒(méi)，這些晶片升降銷53被固定在支撐板54上。并且, 晶片升降銷53，利用氣缸等的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)55通過(guò)支撐板54升降。
在腔室2的側(cè)壁，設(shè)置有用于在與被保持在真空狀態(tài)的圖中沒(méi)有 表示的搬送室之間進(jìn)行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口 56，和開(kāi)閉該 搬入搬出口 56的閘閥57。
接下來(lái)，參照?qǐng)D3的放大截面圖對(duì)基板載置機(jī)構(gòu)100a進(jìn)行說(shuō)明。 并且，在該說(shuō)明中，對(duì)與圖1所示的基板載置機(jī)構(gòu)100相同的部分標(biāo) 注相同的參照符號(hào)，僅對(duì)不同的部分進(jìn)行說(shuō)明。
在石英制支撐部件107的中空部110內(nèi)，設(shè)置有在鉛垂方向上延 伸的供電桿15，其上端部與供電端子108連接，下端部延伸到以向排 氣室3的下方突出的方式安裝在石英制支撐部件107的下端的連接室 20內(nèi)。供電桿15由Ni合金等耐熱金屬材料構(gòu)成。
在石英制支撐部件107的底部通過(guò)安裝部件21a和螺釘21b安裝 有形成為凸緣狀的由絕緣體構(gòu)成的底蓋21，在該底蓋21鉛垂地設(shè)置有 用于插通供電桿15的孔。另外，連接室20形成為圓筒狀，在其上端 形成有凸緣20a，該凸緣20a通過(guò)底蓋21和排氣室3的底壁被夾持。 凸緣20a和排氣室3的底壁之間通過(guò)環(huán)密封部件23a氣密地密封，凸 緣20a和底蓋21之間通過(guò)兩個(gè)環(huán)密封部件23b氣密地密封。并且，在 連接室20內(nèi)，供電桿15與從電源5延伸的供電線111連接。
進(jìn)一步，在具體的一實(shí)施例的基板載置機(jī)構(gòu)100a中，在石英制加 熱器主體101中，RF電極112與發(fā)熱體102—起被埋設(shè)。當(dāng)將圖2所 示的噴淋頭30作為一個(gè)電極時(shí)，RF電極112作為一個(gè)電極的相對(duì)電 極發(fā)揮功能。在本例中由于在一個(gè)電極上連接有高頻電源36，在石英 制加熱器主體101中埋設(shè)的RF電極112通過(guò)供電線109、供電端子108 和供電線111接地。
像這樣，通過(guò)將RF電極112埋設(shè)在石英制加熱器主體101中，基 板載置機(jī)構(gòu)100a，能夠作為利用1等離子體的基板處理裝置，例如作為等離子體CVD裝置的基板載置機(jī)構(gòu)使用。此外，穿過(guò)石英制加熱器 主體101的穴是插通升降銷的升降銷穴113。
在如上述那樣構(gòu)成的等離子體CVD裝置200中，首先，通過(guò)從電 源5向石英制加熱器主體101中埋設(shè)的發(fā)熱體102供電，將在被處理 體基板載置面103上裝載的耐腐蝕性陶瓷部件104加熱到規(guī)定的溫度， 通過(guò)排氣裝置52使腔室2內(nèi)處于完全抽完(引t切6)的狀態(tài)，打開(kāi) 閘閥57，從真空狀態(tài)的圖中沒(méi)有表示的搬送室通過(guò)搬入搬出口 56將晶 片W搬入到腔室2內(nèi)，在基板載置機(jī)構(gòu)100a的耐腐蝕性陶瓷部件104 上載置晶片W，關(guān)閉閘閥57。在該狀態(tài)下，從高頻電源36供給高頻 電力的同時(shí)，從氣體供給機(jī)構(gòu)40通過(guò)氣體供給配管35將成膜氣體以 規(guī)定的流量供給到噴淋頭30，從噴淋頭30向腔室2內(nèi)供給，由此在晶 片W的表面發(fā)生反應(yīng)而形成規(guī)定的膜。
進(jìn)一步，在具體的一實(shí)施例的基板載置機(jī)構(gòu)100a中，在石英制加 熱器主體101的被處理基板載置面103和耐腐蝕性陶瓷部件104之間， 存在有金屬膜114。通過(guò)使金屬膜U4介于被處理基板載置面103和耐 腐蝕性陶瓷部件104之間，能夠進(jìn)一步抑制溫度均一性的經(jīng)時(shí)惡化。 關(guān)于該抑制進(jìn)行以下說(shuō)明。
圖4 (a)和圖4 (b)分別表示升降銷穴113附近的放大示意圖。
圖4 (a)是表示石英制加熱器主體101和耐腐蝕性陶瓷部件104 的理想的層疊狀態(tài)。在理想的層疊狀態(tài)下，在石英制加熱器主體101 的被處理基板載置面103和耐腐蝕性陶瓷部件104之間，完全沒(méi)有間 隙。但是，實(shí)際上，如圖4 (b)所示，在被處理基板載置面103和耐 腐蝕性陶瓷部件104之間，存在微小的間隙115。該微小的間隙115能 夠成為加速溫度均一性的經(jīng)吋惡化的一個(gè)原因。
圖5 (a)至圖5 (c)是分別表示被處理基板載置面103的經(jīng)時(shí)惡 化的圖。
圖5 (a)表示一次也沒(méi)有進(jìn)行成膜處理的狀態(tài)。圖5 (b)表示進(jìn) 行幾次成膜處理后的狀態(tài)，圖5 (c)表示再進(jìn)行幾次成膜處理后的狀 態(tài)。
如圖5 (a)至圖5 (c)所示，當(dāng)重復(fù)進(jìn)行成膜處理時(shí)，金屬116 進(jìn)入到被處理基板載置面103和耐腐蝕性陶瓷部件104之間的微小的間隙115，并逐漸積累，其積累范圍逐漸擴(kuò)大。像這樣的金屬116的積 累范圍通常并不一定，每次重復(fù)成膜處理時(shí)發(fā)生變化。當(dāng)在被處理基
板載置面103和耐腐蝕性陶瓷部件104之間積累金屬116，而且，該積 累范圍變化時(shí)，石英制加熱器主體101的放熱平衡發(fā)生變化，例如發(fā) 生惡化。放熱平衡的惡化使被處理基板載置面103上的溫度均一性的 經(jīng)時(shí)惡化加速。
特別是，金屬116的積累是以被處理基板載置面103和耐腐蝕性 陶瓷部件104的接合面暴露在外界的地方為積累起點(diǎn)。如圖4所示， 這樣的地方例如能夠在升降銷穴113看到。
為了抑制由于這樣的金屬116的積累而引起的溫度均一性的惡化， 在具體的一實(shí)施例中，如圖3所示，在石英制加熱器主體101和耐腐 蝕性陶瓷部件04之間，形成金屬膜114。該金屬膜114與通過(guò)成膜處 理積累的金屬為同一種類金屬較好。例如，等離子體CVD裝置200是 鈦(Ti)和氮化鈦(TiN)成膜用的情況下，由于被積累的金屬是氮化 鈦，所以金屬膜114最好也是氮化鈦膜。
像這樣，通過(guò)在石英制加熱器主體101和耐腐蝕性陶瓷部件104 之間，預(yù)先形成由與通過(guò)成膜處理積累的金屬同一種類的金屬構(gòu)成的 金屬膜114，能夠抑制由金屬的蓄積而引起的放熱平衡的惡化，能夠抑 制被處理基板載置面103上的溫度均一性的經(jīng)時(shí)惡化。
以上，基于本發(fā)明的一實(shí)施方式和具體的一實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，但 本發(fā)明并不局限于上述一實(shí)施方式和一實(shí)施例，能夠有各種變形。
例如，在上述一實(shí)施例中，說(shuō)明了將本發(fā)明的基板載置機(jī)構(gòu)應(yīng)用 于等離子體CVD裝置的例子，但是也能夠應(yīng)用于加熱被處理基板那樣 的基板處理裝置，例如蝕刻裝置和熱處理裝置等。
另外，作為石英制加熱器主體的形狀，舉例表示了在被處理基板 載置面的背面具有接合石英制支撐部件的具有小R部的接合部的形 狀，但只要是存在與"裂紋"連接的容易成為破壞起點(diǎn)的部位的形狀， 就能夠應(yīng)用。
權(quán)利要求
1.一種基板載置機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括埋設(shè)有發(fā)熱體的石英制加熱器主體；和在所述石英制加熱器主體的被處理基板載置面上裝載的耐腐蝕性陶瓷部件。
2. —種基板載置機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括 埋設(shè)有發(fā)熱體的石英制加熱器主體；在所述石英制加熱器主體的被處理基板載置面上形成的、由與通 過(guò)成膜處理積累的金屬同一種類的金屬構(gòu)成的金屬膜；和 在所述金屬膜上裝載的耐腐蝕性陶瓷部件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板載置機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述金屬膜含有TiN。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的基板載置機(jī)構(gòu)，其特征在所述石英制加熱器主體，具備在所述被處理基板載置面的背面中 央部與石英制支撐部件接合的、具有小R部的接合部。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板載置機(jī)構(gòu)，其特征在于 在所述接合部具備供電端子。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的基板載置機(jī)構(gòu)，其特征在于所述耐腐蝕性陶瓷部件由A1N構(gòu)成。
7. —種基板處理裝置，其特征在于，包括 收容基板并對(duì)內(nèi)部進(jìn)行減壓并保持的處理容器； 設(shè)置在所述處理容器內(nèi)、具有權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述結(jié)構(gòu)的基板載置機(jī)構(gòu)；和在所述處理容器內(nèi)對(duì)所述基板實(shí)施規(guī)定的處理的處理機(jī)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠進(jìn)一步提高溫度均一性的基板載置機(jī)構(gòu)。其包括埋設(shè)有發(fā)熱體(102)的石英制加熱器主體(101)；和在石英制加熱器主體(101)的被處理基板載置面(103)上裝載的耐腐蝕性陶瓷部件(104)。
文檔編號(hào)H01L21/31GK101314846SQ20081010982
公開(kāi)日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2008年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月1日
發(fā)明者小松智仁, 川崎裕雄, 田中澄 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社