專利名稱：：疊層陶瓷電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種陶瓷電子部件，尤其涉及對陶瓷層和電容形成用的內(nèi)部電極進(jìn)行疊層而構(gòu)成的疊層陶瓷電子部件。
背景技術(shù)：
：近年來，伴隨著移動電話及便攜音樂播放器等電子設(shè)備的小型化，安裝在電子設(shè)備內(nèi)的電子部件的小型化在迅速發(fā)展。例如，在以片型疊層陶瓷電容器為代表的片型疊層陶瓷電子部件中，為了既能確保規(guī)定特性，又能減少片尺寸，因此陶瓷層的薄層化在發(fā)展。并且，存在隨著陶瓷層的薄層化陶瓷層的疊層片數(shù)也增加的傾向。通常，疊層陶瓷電子部件具有交互地疊層陶瓷層和內(nèi)部電極的構(gòu)造，不過為了內(nèi)部電子不從片的側(cè)面露出，而使內(nèi)部電極不覆蓋陶瓷層全部，僅形成為從陶瓷層的周邊部后退少許的內(nèi)側(cè)位置，所以在內(nèi)部電極和陶瓷層之間產(chǎn)生段差。并且，當(dāng)陶瓷層的疊層片數(shù)增加時容易產(chǎn)生由于該段差而造成的分層等構(gòu)造缺陷。作為解決這樣的問題的方法，提出了如下的方法(參照專利文獻(xiàn)O，例如，在陶瓷印制電路板上印刷了內(nèi)部電極圖案之后，在未印刷內(nèi)部電極的部分印刷陶瓷膏劑，并通過該陶瓷膏劑來吸收段差。可是，在上述方法的情況下存在如下的問題點(diǎn)，即使能吸收陶瓷層和內(nèi)部電極之間的段差，在燒成時也存在由于內(nèi)部電極和陶瓷層的燒結(jié)收縮變化不同，而在內(nèi)部電極端部和陶瓷層之間產(chǎn)生細(xì)微的間隙，濕氣等水分浸入此間隙，從而引起耐濕不良。此外，作為與上述專利文獻(xiàn)l相關(guān)的技術(shù)提出了如下的方法(參照專利文獻(xiàn)2)，在段差吸收用陶瓷膏劑中添加Si02，并縮小陶瓷和內(nèi)部電極之間的燒結(jié)收縮變化的差。可是，在該專利文獻(xiàn)2的方法中，陶瓷和內(nèi)部電極兩者的燒結(jié)收縮變化完全匹配是極困難的，但由上述間隙而引起的耐濕不良的問題又必需要充分解決。另外，由于段差吸收部分原本接近于片的外表面，所以存在如下問題，即在燒成工序中容易傳熱、容易燒結(jié)，而且由于添加了Si02而使燒結(jié)溫度進(jìn)一步低下，側(cè)面?zhèn)乳g隙部成為過燒結(jié)，從而容易導(dǎo)致電容器主體的構(gòu)造缺陷及強(qiáng)度低下。此外，作為解決段差問題的方法提出了如下的方法(參照專利文獻(xiàn)3)，在段差吸收用陶瓷膏劑中添加Cll，并使作為內(nèi)部電極材料的Ni和陶瓷膏劑中的Cu合金化，以提高內(nèi)部電極和段差吸收層之間的接合性。可是，在該專利文獻(xiàn)3中的方法的情況下，Ni和Cu的合金由于燒成氛圍等而容易發(fā)生氧化還原反應(yīng)，所以在基于氧化反應(yīng)的體積膨脹之后，因產(chǎn)生基于還原反應(yīng)的體積減小，故而在段差部分產(chǎn)生間隙，從而難以充分確保對耐濕性的可靠性。日本特開昭56—94719號公報[專利文獻(xiàn)2]日本特開2004—96010號公報[專利文獻(xiàn)3]日本特開2005—101301號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為了解決上述課題而提供了一種即使在小型化的情況下對耐濕性的可靠性也較高的疊層陶瓷電子部件。為了解決上述課題，本發(fā)明(技術(shù)方案l)的疊層陶瓷電子部件包括陶瓷燒結(jié)體，其疊層有多個陶瓷層，并具有相互對置的第1側(cè)面以及第2側(cè)面、和相互對置的第1端面以及第2端面；含有Ni的第1內(nèi)部電極，其形成在所述陶瓷燒結(jié)體內(nèi)部，并從所述第1端面引出；含有Ni的第2內(nèi)部電極，其按照經(jīng)由特定的所述陶瓷層與所述第1內(nèi)部電極對置的方式形成在所述陶瓷燒結(jié)體內(nèi)部，并從所述第2端面引出；第1外部端子電極，其形成在所述陶瓷燒結(jié)體的所述第1端面上，并與所述第1內(nèi)部電極電連接；以及第2外部端子電極，其形成在所述陶瓷燒結(jié)體的所述第2端面上，與所述第2內(nèi)部電極電連接，并連接在與所述第1外部端子電極不同的電位上，所述陶瓷燒結(jié)體包括有效層部，其夾持在所述陶瓷層中的所述第1內(nèi)部電極以及所述第2內(nèi)部電極上，并有助于電容形成；和側(cè)面?zhèn)乳g隙部，其存在于所述第1、第2內(nèi)部電極的側(cè)部與所述陶瓷燒結(jié)體的第1、第2側(cè)面之間、以及所述有效層部的側(cè)部與所述陶瓷燒結(jié)體的第1、第2側(cè)面之間，所述側(cè)面?zhèn)乳g隙部中的至少與所述第1、第2內(nèi)部電極鄰接的區(qū)域被設(shè)置成Mg濃度比所述有效層部高的富含Mg的區(qū)域。另外，在本發(fā)明中優(yōu)選所述側(cè)面?zhèn)乳g隙部中的、位于與各個所述第1、第2內(nèi)部電極相同高度的區(qū)域?yàn)樗龈缓琈g的區(qū)域。另外，在本發(fā)明中也可將所述側(cè)面?zhèn)乳g隙部整體作為所述富含Mg的區(qū)域。此外，在本發(fā)明中所述陶瓷燒結(jié)體含有端面?zhèn)乳g隙部，其存在于所述第l、第2內(nèi)部電極的端部與所述陶瓷燒結(jié)體的第1、第2端面之間、以及所述有效層部的端部與所述陶瓷燒結(jié)體的第1或第2端面之間，并優(yōu)選所述端面?zhèn)乳g隙部中的至少與所述第1、第2內(nèi)部電極鄰接的區(qū)域?yàn)镸g濃度比所述有效層部高的富含Mg的區(qū)域。另外，在本發(fā)明中，比所述第l、第2內(nèi)部電極中的最外層內(nèi)部電極更靠近外側(cè)的陶瓷層在所述側(cè)面?zhèn)乳g隙部的垂直投影區(qū)域以及在所述端面?zhèn)乳g隙部的垂直投影區(qū)域的至少一個區(qū)域還可作為Mg濃度比所述有效層部高的富含Mg的區(qū)域。另外，在本發(fā)明中希望使相對于構(gòu)成所述富含Mg的區(qū)域的陶瓷材料的主成分100mol^的Mg添加比例，比相對于構(gòu)成所述有效層部的陶瓷材料的主成分100mol^的Mg添加比例多0.51.0mol%。另外，在本發(fā)明中，還可構(gòu)成為在所述富含Mg的區(qū)域具有如Mg濃度從陶瓷燒結(jié)體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)降低的濃度梯度。本發(fā)明(技術(shù)方案l)的疊層陶瓷電子部件如上所述，具備陶瓷燒結(jié)體；形成在陶瓷燒結(jié)體內(nèi)部的第1以及第2內(nèi)部電極；與第1內(nèi)部電極電連接的第1外部端子電極；以及與第2內(nèi)部電極電連接的第2外部端子電極，其中，將存在于陶瓷燒結(jié)體的第1內(nèi)部電極以及第2內(nèi)部電極的側(cè)部與陶瓷燒結(jié)體的第l、第2側(cè)面之間、以及有效層部的側(cè)部與陶瓷燒結(jié)體的第1、第2側(cè)面之間的側(cè)面?zhèn)乳g隙部之中的、至少與所述第1、第2內(nèi)部電極鄰接的區(qū)域作為Mg濃度比有效層部高的富含Mg的區(qū)域，所以在內(nèi)部電極和側(cè)面?zhèn)乳g隙部之間的邊界部生成構(gòu)成內(nèi)部電極的金屬即Ni和來自于陶瓷的金屬元素即Mg之間的氧化化合物，通過該氧化化合物來填充內(nèi)部電極與側(cè)面?zhèn)乳g隙部之間的邊界部分的間隙，并且通過該氧化化合物來結(jié)合內(nèi)部電極和側(cè)面?zhèn)乳g隙部，所以耐濕性提高。此外，由于生成氧化化合物所帶來的體積膨脹，使得增大了內(nèi)部電極和側(cè)面?zhèn)乳g隙部之間的邊界部分的間隙的填充效果，所以這點(diǎn)也能夠期望耐濕性的大幅提高。在本發(fā)明中，關(guān)于富含Mg的區(qū)域，所謂"Mg濃度比有效層部高"的概念是指，在有效層部含有Mg時，表示富含Mg的區(qū)域以高于有效層部的Mg含有率的比例含有Mg;并且，在有效層部不含有Mg時，表示在構(gòu)成內(nèi)部電極的金屬即Ni與Mg之間的氧化化合物的生成中有意圖地含有某程度的Mg。此外，當(dāng)采用在BaTi03等中添加了MgO的材料作為耐還原性陶瓷材料時，關(guān)鍵在于富含Mg的區(qū)域以適當(dāng)高于由該有效層部的MgO得來的Mg的含有率含有Mg。另外，在本發(fā)明的疊層陶瓷電子部件中，將側(cè)面?zhèn)乳g隙部之中的位于與各個第1、第2內(nèi)部電極相同高度的區(qū)域即內(nèi)部電極的側(cè)邊部分作為富含Mg的區(qū)域，由此在內(nèi)部電極的周邊部分和側(cè)面?zhèn)乳g隙部之間的邊界部分生成構(gòu)成內(nèi)部電極的金屬即Ni和來源于陶瓷的金屬元素即Mg之間的氧化化合物，這樣可實(shí)現(xiàn)耐濕性的提高。另外，在將所述側(cè)面?zhèn)乳g隙部整體作為富含Mg的區(qū)域時，可防止由內(nèi)部電極和側(cè)面?zhèn)乳g隙部的間隙而弓I起的耐濕性的惡化，更可靠地獲得耐濕性高的疊層陶瓷電子部件。另外，通過將存在于有效層部的端部和陶瓷燒結(jié)體的第1或第2端面之間的端面?zhèn)乳g隙部中的至少與第1、第2內(nèi)部電極鄰接的區(qū)域作為富含Mg的區(qū)域，還可以抑制并防止水分從端面浸入，由此可進(jìn)一步提高耐濕性。此外，在端面上形成有外部端子電極，所以通過外部端子電極可獲得抑制水分浸入的效果，因此很多情況下可不在端面?zhèn)忍貏e設(shè)置富含Mg的區(qū)域，但是通過在該端面?zhèn)仍O(shè)置富含Mg的區(qū)域，可進(jìn)一步提高耐濕可靠性。另外，在本發(fā)明中，比第l、第2內(nèi)部電極中的最外層內(nèi)部電極更靠近外側(cè)的陶瓷層在側(cè)面?zhèn)乳g隙部的垂直投影區(qū)域以及在端面?zhèn)乳g隙部的垂直投影區(qū)域的至少一個區(qū)域還可作為Mg濃度比有效層部高的富含Mg的區(qū)域，在該情況下，能夠更可靠地獲得耐濕性高的疊層陶瓷電子部件。另外，通過使相對于構(gòu)成富含Mg的區(qū)域的陶瓷材料的主成分100mol%的Mg添加比例，比相對于構(gòu)成有效層部的陶瓷材料的主成分100molX的Mg添加比例多0.51.0molX，能夠可靠地提高耐濕可靠性，能夠使本發(fā)明更具有實(shí)效。另外，在本發(fā)明中，在富含Mg的區(qū)域的結(jié)構(gòu)為具有如Mg濃度從陶瓷燒結(jié)體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)降低這樣的濃度梯度的情況下，也可獲得耐濕性優(yōu)良的疊層陶瓷電子部件。此外，作為設(shè)置成具有如Mg濃度從陶瓷燒結(jié)體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)降低的濃度梯度的結(jié)構(gòu)的方法，例示了將燒成前的生坯片浸入含有Mg的粘合劑、并在浸入Mg之后燒成生坯片的方法等。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的疊層陶瓷電子部件(疊層陶瓷電容器)的立體圖。圖2是圖1的A-A線剖面圖。圖3是圖1的B-B線剖面圖。圖4是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1的疊層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)的圖。圖5是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1的疊層陶瓷電容器的作用的主要部件剖面圖。圖6(a)、圖6(b)、圖6(c)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的疊層陶瓷電容器的制造方法的圖。圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的疊層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)的側(cè)面剖面圖。圖8是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式2的疊層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)的圖。圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的疊層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)的側(cè)面剖面圖。圖10是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式3的疊層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)的圖。圖ll(a)、圖ll(b)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的疊層陶瓷電容器的制造方法的圖。符號說明1:第l內(nèi)部電極；2:第2內(nèi)部電極；3:陶瓷層；3a:有效層；3b:外層；10:陶瓷燒結(jié)體；11:陶瓷燒結(jié)體的第1端面；12:陶瓷燒結(jié)體的第2端面；13b:垂直投影區(qū)域；21:陶瓷燒結(jié)體的第1側(cè)面；22:陶瓷燒結(jié)體的第2側(cè)面；31:第l外部端子電極；32:第2外部端子電極；41:陶瓷印制電路板；42:導(dǎo)電性膏劑；42p:內(nèi)部電極圖案；43:陶瓷膏劑；GE:端面?zhèn)乳g隙部；GE1:端面?zhèn)乳g隙部的與第l、第2內(nèi)部電極鄰接的區(qū)域；Gs:側(cè)面?zhèn)乳g隙部；GS1:側(cè)面?zhèn)乳g隙部的與第l、第2內(nèi)部電極鄰接的區(qū)域；L:切割線；MR:富含Mg的區(qū)域。具體實(shí)施例方式以下表示本發(fā)明的實(shí)施方式，對構(gòu)成本發(fā)明特征的部分進(jìn)一步進(jìn)行詳細(xì)的說明。圖1是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的疊層陶瓷電子部件(在該實(shí)施方式中為疊層陶瓷電容器)的結(jié)構(gòu)的立體圖，圖2是圖1的A-A線剖面圖，圖3是圖1的B-B線剖面圖，圖4是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式1的疊層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)的圖。如圖14所示，該實(shí)施方式1的疊層陶瓷電容器具有陶瓷燒結(jié)體10，其疊層有多個陶瓷層3;第1以及第2內(nèi)部電極1、2，其在燒結(jié)體內(nèi)部被配置為交替地向相反側(cè)引出；和第1以及第2外部端子電極31、32，其在陶瓷燒結(jié)體10的相互對置的第1端面11與第2端面12上被配置為與第1以及第2內(nèi)部電極1、2的引出部分導(dǎo)通。當(dāng)進(jìn)一步詳細(xì)地說明時，陶瓷燒結(jié)體10具有相互對置的第1側(cè)面21以及第2側(cè)面22(圖1、圖3);和相互對置的第1端面11以及第2端面12(圖1、圖2)，在內(nèi)部，如圖2、圖3所示配置有從第1端面11引出的含Ni的第l內(nèi)部電極l以及從第2端面12引出的包含Ni的第2內(nèi)部電極2，該第2內(nèi)部電極2經(jīng)由規(guī)定的陶瓷層(是有助于電容形成的電介質(zhì)層)3與第1內(nèi)部電極1對置地配置在陶瓷燒結(jié)體10的內(nèi)部。另外，如圖l、圖2所示，在陶瓷燒結(jié)體10的第1端面11設(shè)置有與第1內(nèi)部電極1電連接的第1外部端子電極31，在陶瓷燒結(jié)體10的第2端面12上設(shè)置有與第2內(nèi)部電極電連接、并連接到與第1外部端子電極31不同的電位的第2外部端子電極32。另外，在該疊層陶瓷電容器中，陶瓷燒結(jié)體IO，如圖3、圖4所示在陶瓷層3中含有有效層3a，其夾持在第1內(nèi)部電極1以及第2內(nèi)部電極2，并有助于電容形成；側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs，其存在于第1內(nèi)部電極1以及第2內(nèi)部電極2的側(cè)部與陶瓷燒結(jié)體10的第1、第2側(cè)面21、22之間、以及有效層部3a的側(cè)部與陶瓷燒結(jié)體10的第l、第2側(cè)面21、22之間；和端面?zhèn)乳g隙部GE，其存在于第1內(nèi)部電極1以及第2內(nèi)部電極2的端部與陶瓷燒結(jié)體10的第1、第2端面11、12之間、以及有效層部3a的端部與陶瓷燒結(jié)體10的第1或第2端面11、12之間。此外，如圖3所示，陶瓷燒結(jié)體10在位于最上層的內(nèi)部電極1(2)以及最下層的內(nèi)部電極1(2)的外側(cè)具有作為無助于電容形成的陶瓷層的外層3b。并且，在上述側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs以及端面?zhèn)乳g隙部Ge之中的與第1、第2內(nèi)部電極1、2鄰接的區(qū)域Gs,(圖3、圖4)、GE1(圖4)為與有效層部3a相比Mg濃度高的富含Mg的區(qū)域MR，Mg遍及整個間隙部且大致均勻地進(jìn)行分布。此外，該實(shí)施方式1中，遍及整個間隙部使Mg大致均勻地進(jìn)行分布，不過未必需要Mg遍及整個間隙部均勻地進(jìn)行分布，只要在間隙部的內(nèi)部電極附近部分存在Mg既可。另外，如在該實(shí)施方式1的情況下，Mg也可以分布于整個間隙部，以使其到達(dá)陶瓷燒結(jié)體的側(cè)面，另外還可以以在間隙部的內(nèi)部電極附近的部分進(jìn)行偏析的方式分布Mg。此外，在該實(shí)施方式l中，采用不含有Mg的材料作為構(gòu)成有效層部3a的陶瓷材料，采用相對于作為構(gòu)成有效層部3a的陶瓷材料的主成分100mol。/。在0.51.0moP/。氛圍內(nèi)添加了Mg的陶瓷材料作為構(gòu)成富含Mg的區(qū)域Mr。在該實(shí)施方式1的疊層陶瓷電容器中，如上所述將側(cè)面?zhèn)乳g隙部GE10以及端面?zhèn)乳g隙部GE之中的與第1、第2內(nèi)部電極1、2鄰接的區(qū)域Gs,以及GE1作為Mg濃度高于有效層部3a的富含Mg的區(qū)域MR，所以在第1、第2內(nèi)部電極1、2和由與其鄰接的陶瓷構(gòu)成的區(qū)域Gs,以及G^之間的邊界部分，生成構(gòu)成內(nèi)部電極l、2的金屬即Ni和來自于陶瓷層的金屬元素即Mg之間的氧化化合物，通過該氧化化合物來填充內(nèi)部電極1、2和區(qū)域GSI以及G^之間的邊界部分的間隙C(參照圖5)，并且通過該氧化化合物來結(jié)合內(nèi)部電極1、2與區(qū)域Gs,以及Ge,，所以具有高耐濕性，這樣即使在小型化的情況下也能夠獲得對耐濕性的可靠性高的疊層陶瓷電容器。接著，對該疊層陶瓷電容器的制造方法進(jìn)行說明。(1)首先，制備以電介質(zhì)陶瓷為主要成分的陶瓷印制電路板、含有Ni粉末作為導(dǎo)電材料的內(nèi)部電極用導(dǎo)電性膏劑、外部端子電極用導(dǎo)電性膏劑。在陶瓷印制電路板或各種導(dǎo)電性膏劑中含有粘合劑以及溶劑，可以采用公知的有機(jī)粘合劑及有機(jī)溶劑。(2)然后，如圖6(a)所示，在陶瓷印制電路板41上例如通過絲網(wǎng)印刷等將導(dǎo)電性膏劑42印刷為島狀，并形成內(nèi)部電極圖案42p。(3)然后，如圖6(b)所示，在陶瓷印制電路板41上的未形成內(nèi)部電極圖案42p的部分印刷用于側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs以及端面?zhèn)乳g隙部GE的陶瓷膏劑43。采用與構(gòu)成作為基底的陶瓷印制電路板41的陶瓷材料相比Mg的含有率高的陶瓷材料作為構(gòu)成該陶瓷膏劑的陶瓷材料。此外，在間隙部中使Mg偏重分布時，例如可采用制備Mg含有率不同的多個種類的陶瓷膏劑、并相鄰地按順序進(jìn)行印刷的方法。(4)接著，一邊使圖6(b)所示的陶瓷印制電路板41在長度方向上交互地偏移規(guī)定距離一邊進(jìn)行疊層來制作主模塊。此外，在最外層上疊層有未形成內(nèi)部電極圖案的外層用印制電路板。此外，主模塊根據(jù)需要利用靜水壓等方法來壓接在疊層方向。(5)接著，使主模塊沿著規(guī)定的切割線L切成規(guī)定的大小，切出生坯片(參照圖6(c))。此外，在圖6(c)中為了方便而取出1塊陶瓷印制電路板來顯示切割線L。此外，根據(jù)需要也可以利用滾磨等方法來研磨生坯片，在生坯片的棱線部分以及角部分標(biāo)注圓形。(6)接著，燒成生坯片(生坯的陶瓷疊層體)。燒成溫度最好為900nO(TC。燒成氛圍分為適合使用的大氣、N2等氛圍。(7)接著，在燒成的陶瓷疊層體的兩端面上涂有導(dǎo)電性膏劑并進(jìn)行燒結(jié)，以形成外部端子電極。燒結(jié)溫度最好為70090(TC。燒結(jié)氛圍分為適合使用的大氣、N2等氛圍。此外，根據(jù)需要在外部端子電極表面上以提高電連接可靠性或提高焊錫性等為目的地形成鍍敷膜。由此，取得具有如圖14所示的結(jié)構(gòu)的疊層陶瓷電容器。在該實(shí)施方式1的疊層陶瓷電容器的情況下，采用Mg含有率比構(gòu)成陶瓷印制電路板1的材料高的材料來作為用于側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs以及端面?zhèn)乳g隙部GE的陶瓷膏劑，所以如圖3以及圖4所示，在與側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs、端面?zhèn)乳g隙部GE中的處于與第1以及第2內(nèi)部電極1、2相同高度位置的區(qū)域所含有的Mg的濃度高于在其他陶瓷部分(有效層部3a等)所含有的Mg濃度，采用構(gòu)成內(nèi)部電極l、2的Ni和該Mg的氧化化合物來填充內(nèi)部電極1、2和區(qū)域G^以及G^之間的邊界部分的間隙C(參照圖5)，并且利用該氧化化合物來結(jié)合內(nèi)部電極1、2以及區(qū)域Gs,以及Gep所以獲得具有高耐濕性的疊層陶瓷電容器。此外，在陶瓷層彼此間容易引起構(gòu)成成分的些許擴(kuò)散，所以在側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs、端面?zhèn)乳g隙部GE中的作為富含Mg的區(qū)域MR的區(qū)域GS1彼此間、GE,彼此間所夾持的部分的Mg濃度也會提高一些。另外，雖然陶瓷中的Mg能以MgO等形態(tài)存在，但是在其他Mg氧化物等化合物的狀態(tài)下也能夠存在。只是作為玻璃成分的Mg非優(yōu)選。這是因?yàn)楫?dāng)側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs、端面?zhèn)乳g隙部GE中的玻璃量增加時，側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs、端面?zhèn)乳g隙部GE的燒結(jié)溫度下降，原本位于片的外表面附近的側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs、端面?zhèn)乳g隙部GE上容易導(dǎo)熱，所以側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs、端面?zhèn)乳g隙部GE成為過燒結(jié)，由此擔(dān)心會導(dǎo)致電容器主體的結(jié)構(gòu)欠缺或強(qiáng)度下降。此外如上所述，富含Mg的區(qū)域Mr的Mg含有率，具體來說作為相對于陶瓷材料主成分100mol^的Mg的添加比例最好是比有效層3a多0.51.0mol%。關(guān)于本發(fā)明的結(jié)構(gòu)還考慮了均勻地提高在構(gòu)成電容器主體的陶瓷主體中所包含的Mg濃度，不過當(dāng)改變了有效層部的組成時，擔(dān)心會得不到所希望的電容器特性(介電常數(shù)、溫度特性等)，所以如本發(fā)明所示，希望使側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs、端面?zhèn)乳g隙部Ge含有更多的Mg。此外，在本發(fā)明的疊層陶瓷電子部件中，作為陶瓷層可以采用以BaTi03、CaTi03、SrTi03、CaZr03等為主成分的電介質(zhì)陶瓷。另外，還可采用在這些主成分中添加了Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等副成分的電介質(zhì)陶瓷。另外，在本發(fā)明的疊層陶瓷電子部件中，陶瓷層的厚度最好是110ym。另外，在本發(fā)明中將內(nèi)部電極含有Ni的情況作為主要條件。具體來說，將含有作為金屬的Ni、NiO等Ni化合物或Ni合金等的情況作為主要條件。內(nèi)部電極的厚度最好為110um。另外，在本發(fā)明中，最好將外部端子電極作成具有基底電極、和在其上形成的鍍敷層的多層構(gòu)造。外部端子電極通常形成為從端面繞至主面以及側(cè)面，不過只要至少在端面上形成既可。作為構(gòu)成外部端子電極的基底電極可采用Cu、Ni、Ag、Ag-Pd等金屬。最好在基底電極中含有玻璃。作為外部端子電極的鍍敷層，在利用焊錫來安裝疊層陶瓷電子部件的情況下，最好采用Ni鍍敷層、Sn鍍敷層的雙層構(gòu)造。在利用導(dǎo)電性粘接劑或引線結(jié)合法安裝的疊層陶瓷電子部件時，最好采用Ni鍍敷層、Au鍍敷層這兩層構(gòu)造。另外在樹脂基板中填入電容器時，最好由Cu鍍敷層來構(gòu)成最外層。鍍敷層未必一定要兩層，一層和三層都可以。另外，鍍敷層每一層的厚度最好是110"m。另外，在基底電極和鍍敷層之間可形成有應(yīng)力緩和用的樹脂層。此外，本發(fā)明著眼于在內(nèi)部電極中含有的Ni與在陶瓷中含有的Mg之間的反應(yīng)，如果是能構(gòu)成本發(fā)明特有的結(jié)構(gòu)、且可期望作用效果的部件，則不限于疊層陶瓷電容器，還能夠適用于疊層熱敏電阻、疊層感應(yīng)器等。[實(shí)施方式2]圖7是表示本發(fā)明其他實(shí)施方式(實(shí)施方式2)的疊層陶瓷電子部件(在該實(shí)施方式中為疊層陶瓷電容器)的主要部分結(jié)構(gòu)的剖面圖，是相當(dāng)于實(shí)施方式1的圖1的B-B線剖面圖，圖8是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式2的疊層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)的圖。該實(shí)施方式2的疊層陶瓷電容器如圖7以及8所示，側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs為富含Mg的區(qū)域MR，并且比內(nèi)部電極中的最外層內(nèi)部電極更靠外側(cè)的陶瓷層(外層)3b在側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs的垂直投影區(qū)域13b也為富含Mg的區(qū)域Mk。并且，在該實(shí)施方式2的疊層陶瓷電容器的情況下，在富含Mg的區(qū)域MR中具有如Mg濃度從陶瓷燒結(jié)體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)降低的濃度梯度。艮口，該實(shí)施方式2的疊層陶瓷電容器與上述實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)不同之處在于比內(nèi)部電極中的最外層內(nèi)部電極更靠外側(cè)的陶瓷層(外層)3b在側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs的垂直投影區(qū)域13b上也形成有富含Mg的區(qū)域MR;在端面?zhèn)乳g隙部GE未形成富含Mg的區(qū)域；以及在富含Mg的區(qū)域Mr中具有如Mg濃度從陶瓷燒結(jié)體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)降低這樣的濃度梯度。此外，其他結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式1的情況相同。在該實(shí)施方式2的結(jié)構(gòu)的情況下，側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs以及側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs的垂直投影區(qū)域13b為富含Mg的區(qū)域，利用Ni和Mg的氧化化合物來填充內(nèi)部電極側(cè)部與陶瓷層的間隙、且利用Ni與Mg之間的氧化化合物來可靠地結(jié)合內(nèi)部電極的側(cè)部與陶瓷層，所以與上述實(shí)施方式1的情況相同具有高耐濕性，這樣即使在小型化的情況下也能夠獲得對耐濕性的可靠性較高的疊層陶瓷電容器。接著，對該疊層陶瓷電容器的制造方法進(jìn)行說明。在制造該實(shí)施方式2的疊層陶瓷電容器時，在實(shí)施方式1的疊層陶瓷電容器制造方法的工序(3)中，對陶瓷印制電路板上的內(nèi)部電極圖案的周邊區(qū)域(未形成內(nèi)部電極圖案的部分)涂覆采用了與構(gòu)成作為基底的陶瓷印制電路板的陶瓷材料相同的陶瓷材料的陶瓷膏劑。然后，與實(shí)施方式l的情況相同，一邊使陶瓷印制電路板在長度方向上交互地偏移規(guī)定距離一邊進(jìn)行疊層來制作主模塊。此外，在最外層上疊層有未形成內(nèi)部電極圖案的外層用印制電路板。然后，根據(jù)需要利用靜水壓等方法將主模塊在疊層方向進(jìn)行壓接。之后，與實(shí)施方式l的情況相同，使主模塊沿著規(guī)定的切割線切成規(guī)定的大小，切出生坯片。此外，根據(jù)需要利用滾磨等方法來研磨生坯片，可在生坯片的棱線部分以及角部分標(biāo)注圓形。并且，將已獲得的生坯片的兩個側(cè)面浸于以lmol/L的比例含有MgO的有機(jī)粘合劑溶液，使生坯片含有Mg成分之后進(jìn)行干燥。之后，以與實(shí)施方式1的情況相同的方法，通過進(jìn)行燒成、外部端子電極的形成來獲得如圖7以及8中所示主要部分那樣的疊層陶瓷電容器，該疊層陶瓷電容器在陶瓷燒結(jié)體10的富含Mg的區(qū)域MR中，具有如Mg濃度從陶瓷燒結(jié)體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)降低的濃度梯度。此外，在該實(shí)施方式2中，將生坯片的一對側(cè)面浸于含有MgO的有機(jī)粘合劑溶液，不過也可以構(gòu)成為根據(jù)情況將整個生坯片浸于含有MgO的有機(jī)粘合劑溶液。圖9是表示本發(fā)明其他實(shí)施方式(實(shí)施方式3)的疊層陶瓷電子部件(在該實(shí)施方式中為疊層陶瓷電容器)的主要部件結(jié)構(gòu)的剖面圖，其相當(dāng)于實(shí)施方式1的圖1的B-B線剖面圖，圖10是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式3的疊層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)的圖。如圖9以及10所示，該實(shí)施方式3的疊層陶瓷電容器，在側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs形成有富含Mg的區(qū)域MR，并且在比內(nèi)部電極中的最外層的內(nèi)部電極外側(cè)更靠外側(cè)的陶瓷層(外層)3b在側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs的垂直投影區(qū)域13b也形成有富含Mg的區(qū)域MR。另一方面，如圖10所示在端面?zhèn)乳g隙部GE不形成富含Mg的區(qū)域。艮P，該實(shí)施方式3的疊層陶瓷電容器與上述實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)的不同之處在于比內(nèi)部電極中的最外層內(nèi)部電極更靠外側(cè)的陶瓷層(外層)3b的在側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs的垂直投影區(qū)域13b也形成有富含Mg的區(qū)域MR;以及在端面?zhèn)乳g隙部GE不形成富含Mg的區(qū)域。其他的結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式l的情況相同。此外，雖然在該實(shí)施方式3中遍及整個間隙部使Mg大致均勻地進(jìn)行分布，但是不需要Mg均勻地分布于整個間隙部，只要在間隙部的內(nèi)部電極附近存在Mg既可。另外，在實(shí)施方式3的情況下，Mg可按照到達(dá)陶瓷燒結(jié)體的側(cè)面為止的方式分布于整個間隙部，另外還可以以在間隙部的內(nèi)部電極附近的部分進(jìn)行偏析那樣的形態(tài)而存在。在該實(shí)施方式3的結(jié)構(gòu)的情況下具有高耐濕性，這樣即使在小型化的情況下也能夠獲得對耐濕性的可靠性高的疊層陶瓷電容器。接著，對該疊層陶瓷電容器的制造方法進(jìn)行說明。如圖11(a)所示，在陶瓷印制電路板41上通過例如絲網(wǎng)印刷等將導(dǎo)電性膏劑42印刷成帶狀，形成內(nèi)部電極圖案42p。接著，一邊使圖11(a)所示的陶瓷印制電路板41在寬度方向上交互地偏移規(guī)定距離一邊進(jìn)行疊層來制作主模塊。此外，在最外層上疊層未形成內(nèi)部電極圖案的外層用印制電路板。此外，主模塊根據(jù)需要利用靜水壓等方法壓接在疊層方向。然后，使主模塊沿著規(guī)定的切割線切成規(guī)定的大小，以切出生坯片(參照圖11(b))。此外，在圖11(b)中，為了方便，取出1塊陶瓷印制電路板來顯示切割線L。此外，該生坯片與實(shí)施方式1以及2的生坯片的結(jié)構(gòu)的不同之處在于，不僅在一端側(cè)面，而且在兩個側(cè)面都露出內(nèi)部電極圖案。接著，對生坯片的兩側(cè)面以規(guī)定的厚度來涂覆陶瓷膏劑并使其干燥，該陶瓷膏劑采用了Mg含有率比構(gòu)成陶瓷印制電路板的陶瓷高的陶瓷。此外，在間隙部中使Mg偏重分布時，例如可采用制備Mg含有率不同的多個種類的陶瓷膏劑，按順序涂覆并干燥來重疊涂覆的方法等。由此，在生坯片的兩個側(cè)面形成與側(cè)面?zhèn)乳g隙部相當(dāng)?shù)母缓琈g的區(qū)域(參照圖9)。另外，在此方法的情況下，比內(nèi)部電極中的最外層的內(nèi)部電極更靠外側(cè)的陶瓷層在端面?zhèn)乳g隙部的垂直投影區(qū)域上也形成有富含Mg的區(qū)域。之后，也可根據(jù)需要利用滾磨等方法來研磨生坯片，在生坯片的棱線部分以及角部標(biāo)注圓形。其中，在涂覆陶瓷膏劑時采用了將生坯片的側(cè)面浸于陶瓷膏劑溶液中的浸嘖工序，在此情況下，由于根據(jù)陶瓷膏劑的涂覆形狀來對生坯片的棱線部分以及角部分標(biāo)注圓形，所以存在不需要滾磨的情況。其他工序與實(shí)施方式1相同。首先，采用將抗還原性的鈦酸鋇系列陶瓷粉末作為主體的陶瓷漿來使厚度2.0iim的矩形陶瓷印制電路板成形。作為上述抗還原性的鈦酸鋇系列陶瓷粉末、即有效層部用的陶瓷材料，在該實(shí)施例1中采用了含有99mol^的BaTiO"1mol^的Y203、不含MgO的材料(MgO添加量0mol。z^的材料)。并且，在該陶瓷印制電路板上將平均粒徑0.3um的鎳粉末100重量部和有機(jī)粘合劑3.0重量部配比后的導(dǎo)電性膏劑作為內(nèi)部電極形成用的導(dǎo)電性膏劑，進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，使短邊寬度成為800ym，形成了內(nèi)部電極圖案。然后，將相對于含有99mol^的BaTi03、1molX的Y203的主成分100mol^配比了0.5molX比例的MgO作為添加物的陶瓷材料(即為構(gòu)成間隙部的陶瓷材料，與上述有效層部用的陶瓷材料相比MgO的添加比例多0.5mol^的陶瓷材料)100重量部與有機(jī)粘合劑3.0重量部進(jìn)行配比后的陶瓷膏劑，絲網(wǎng)印刷在內(nèi)部電極圖案的周圍，以消除內(nèi)部電極圖案和其周圍的段差。并且，將印刷有該導(dǎo)電性膏劑以及陶瓷膏劑的陶瓷印制電路板疊層240層，進(jìn)而如上所述那樣地成形在其上下兩面?zhèn)?，且未形成?nèi)部電極圖案的陶瓷印制電路板(外層用的陶瓷印制電路板)分別疊層70層，并在厚度方向上進(jìn)行加壓后切割，由此獲得長度2.0mmX寬度1.0mmX厚度1.0mm的生坯片(未燒成的陶瓷燒結(jié)體)。以130(TC的溫度來燒成該生坯片，并獲得長度1.6mmX寬度0.8mmX厚度0.8mm的陶瓷燒結(jié)體。對己獲得的陶瓷燒結(jié)體的作為內(nèi)部電極的露出面的兩端面涂覆導(dǎo)電性膏劑并進(jìn)行燒結(jié)，由此形成外部端子電極，并獲得疊層陶瓷電容器A(試料A)。另外，作為構(gòu)成間隙部的陶瓷材料，采用相對于含有99mol^的BaTiO"1mol%的Y203的主成分100mol^配比了0.75mol%比例的MgO作為添加物的陶瓷材料(即與上述有效層部用的陶瓷材料相比MgO的添加比例多0.5mol^的材料)，另外以與上述疊層陶瓷電容器A的情況相同的條件來制作疊層陶瓷電容器B(試料B)。另外，作為構(gòu)成間隙部的陶瓷材料，采用了相對于含有99mol^的BaTiO"1mol^的丫203的主成分100mol^配比了1mol^比例的MgO作為添加物的陶瓷材料(與上述有效層部用的陶瓷材料相比MgO的添加比例多l(xiāng)mol^的材料)，另外以與上述疊層陶瓷電容器A的情況相同的條件來制作疊層陶瓷電容器C(試料C)。此外，作為構(gòu)成間隙部的陶瓷材料，采用了相對于含有99mol^的BaTi03、1mol^的Y203的主成分100mol^配比了1.5mol^比例的MgO作為添加物的陶瓷材料(與上述有效層部用的陶瓷材料相比MgO的添加比例多L5mol^的材料)，另外以與上述疊層陶瓷電容器A的情況相同的條件來制作疊層陶瓷電容器D(試料D)。另外，為了比較，使用將采用了與未添加MgO的陶瓷印制電路板相同的陶瓷粉末的陶瓷膏劑作為上述陶瓷膏劑絲網(wǎng)印刷到內(nèi)部電極圖案的周圍后的陶瓷印制電路板，同樣地制作了作為比較例1的疊層陶瓷電容器E(試料E)。并且，對該實(shí)施例1的疊層陶瓷電容器(試料)A、B、C、D以及比較例1的疊層陶瓷電容器(試料)E進(jìn)行施加0.5V直流電壓的試驗(yàn)，選出電阻值在1.0X10E6Q以下的疊層陶瓷電容器作為不合格品，其他的作為合格品。然后，對選出的合格品進(jìn)行耐濕試驗(yàn)，并確認(rèn)耐濕性。試驗(yàn)條件為溫度125°C、濕度95XRH、施加直流電壓5V、保持時間144小時，試驗(yàn)后在常溫下施加直流電壓10V，并將電阻值1.0X10E6Q以下的疊層陶瓷電容器判定為耐濕不良。表1中表示關(guān)于實(shí)施例1的疊層陶瓷電容器(試料)A、B、C、D以及比較例1的疊層陶瓷電容器(試料)E各500個進(jìn)行了檢驗(yàn)的耐濕試驗(yàn)前的選出不合格率、和關(guān)于選出后的合格品各100個進(jìn)行了檢驗(yàn)的耐濕試驗(yàn)不合格率的測量結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>如表1所示，實(shí)施例1的疊層陶瓷電容器(試料)A、B、C、D以及比較例1的疊層陶瓷電容器(試料)E的耐濕試驗(yàn)前的不合格率相等，不過關(guān)于耐濕試驗(yàn)不合格率，確認(rèn)出實(shí)施例1的試料A、B、C、D大幅低于比較例1的試料E。尤其，在試料B、C中耐濕試驗(yàn)不合格率為OX。另外，在比較例1的試料E中即使在耐濕試驗(yàn)后被判斷為合格品，也多認(rèn)為與試驗(yàn)前相比試驗(yàn)后的電阻值下降。另外，在實(shí)施例1的試料B、C中，在內(nèi)部電極的端部完全無法檢測出間隙，即使在試料A、D中也僅在疊層方向中央部分的內(nèi)部電極端部確認(rèn)些許間隙。由此認(rèn)為在實(shí)施例1的疊層陶瓷電容器中能抑制水分向內(nèi)部電極端部與周圍陶瓷的間隙浸入，能抑制耐濕試驗(yàn)中的不良產(chǎn)生。首先，采用將抗還原性的鈦酸鋇系列陶瓷粉末作為主體的陶瓷漿來使厚度2.0um的矩形陶瓷印制電路板成形。作為上述抗還原性的鈦酸鋇系列陶瓷粉末，具體來說采用了含有99mol^的BaTi03、111101%的丫203、不含MgO的材料(MgO添加量0mol^的材料)。并且，在該陶瓷印制電路板上將平均粒徑0.3um的鎳粉末100重量部和有機(jī)粘合劑3.0重量部配比后的導(dǎo)電性膏劑作為內(nèi)部電極形成用的導(dǎo)電性膏劑，進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，使短邊寬度成為800ixm，形成了內(nèi)部電極圖然后，將與在用于成形上述陶瓷印制電路板的陶瓷漿中所含有的陶瓷粉末相同的陶瓷粉末(未添加MgO)100重量部和有機(jī)粘合劑3.0重量部進(jìn)行配比后的陶瓷膏劑絲網(wǎng)印刷到內(nèi)部電極圖案的周圍，以消除內(nèi)部電極圖案和其周圍的段差。并且，將印刷有該導(dǎo)電性膏劑以及陶瓷膏劑的陶瓷印制電路板疊層240層，進(jìn)而將如上所述地成形在其上下兩面?zhèn)?、且未形成?nèi)部電極圖案的陶瓷印制電路板(外層用的陶瓷印制電路板)分別疊層70層，并在厚度方向上進(jìn)行加壓后切割，由此獲得長度2.0mmX寬度l.OmmX厚度l.Omm的生坯片(未燒成的陶瓷燒結(jié)體)。并且，將已獲得的生坯片的一個側(cè)面浸于以lmol/L的比例含有MgO的有機(jī)粘合劑溶液并干燥后，將另一側(cè)面也浸入，使兩個側(cè)面都浸含Mg成分。在干燥了該生坯片之后，以noo。c的溫度進(jìn)行燒成，并獲得長度1.6mmX寬度0.8mmX厚度0.8mm的陶瓷燒結(jié)體。然后，對已獲得的陶瓷燒結(jié)體的作為內(nèi)部電極的露出面的兩端面涂覆導(dǎo)電性膏劑并進(jìn)行燒結(jié)，由此形成外部端子電極，并獲得疊層陶瓷電容器F(試料F)。此外，該疊層陶瓷電容器F(試料F)是與具有在上述實(shí)施方式2所說明的結(jié)構(gòu)的疊層陶瓷電容器相當(dāng)?shù)寞B層陶瓷電容器，另外，該疊層陶瓷電容器F是陶瓷燒結(jié)體的兩側(cè)面?zhèn)葹楦缓琈g的區(qū)域、且在富含Mg的區(qū)域中具有如Mg濃度從陶瓷燒結(jié)體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)降低這樣的濃度梯度的疊層陶瓷電容器(參照圖7、圖8)。另外，同樣采用以3.0mol/L的比例含有MgO的有機(jī)粘合劑溶液，通過相同的工序來獲得疊層陶瓷電容器G(試料G)。另外，為了比較，以與在上述實(shí)施例1中已說明的比較例1的情況相同的方法制作了作為比較例2的疊層陶瓷電容器H(試料H)。此外，該比較例2的試料H以與上述比較例1相同的方法進(jìn)行了制造，不過比較例1是制造類型不同的試料。并且，關(guān)于該實(shí)施例2的疊層陶瓷電容器F、G與比較例2的疊層陶瓷電容器H，以與上述實(shí)施例1的情況相同的方法進(jìn)行了耐濕試驗(yàn)前的選擇以及對選擇后的合格品的耐濕試驗(yàn)。在表2中表示其結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>如圖2所示，即使對于該實(shí)施例2的疊層陶瓷電容器F、G和比較例2的疊層陶瓷電容器H也能獲得與上述實(shí)施例1以及比較例1大致相同的評價結(jié)果。艮口，如表2所示，實(shí)施例2的疊層陶瓷電容器F、G以及比較例2的疊層陶瓷電容器H在耐濕試驗(yàn)前的不合格率是同等的，不過關(guān)于耐濕試驗(yàn)不合格率可確認(rèn)出作為實(shí)施例2的試料的疊層陶瓷電容器F、G大幅低于比較例2的疊層陶瓷電容器H。尤其，在試料G中耐濕試驗(yàn)不合格率為O%。另外，關(guān)于比較例2的疊層陶瓷電容器H，即使是在耐濕試驗(yàn)后被判斷為合格品的陶瓷電容器，也較多確認(rèn)試驗(yàn)后的電阻值比試驗(yàn)前下降。另外，從實(shí)施例2的疊層陶瓷電容器G中在內(nèi)部電極端部完全無法檢測出間隙，即使在比較例2的疊層陶瓷電容器H中也僅在疊層方向中央部的內(nèi)部電極端部確認(rèn)些許的間隙。首先，采用將抗還原性的鈦酸鋇系列陶瓷粉末作為主體的陶瓷漿來使厚度2.0tim的矩形陶瓷印制電路板成形。作為上述抗還原性的鈦酸鋇系列陶瓷粉末、即有效層部用的陶瓷材料，在該實(shí)施例3中采用了相對于含有99mol^的BaTi03、1mol^的Y203的主成分100molX配比了1mol%比例的MgO作為添加物的材料。并且，在該陶瓷印制電路板上將平均粒徑0.3um的鎳粉末100重量部和有機(jī)粘合劑3.0重量部配比后的導(dǎo)電性膏劑作為內(nèi)部電極形成用的導(dǎo)電性膏劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，使短邊寬度成為800um，并形成了內(nèi)部電極圖然后，將相對于含有99mol^的BaTi03、1mol^的Y203的主成分100mol^配比了1.5mol^比例的MgO作為添加物后的陶瓷材料(即為構(gòu)成間隙部的陶瓷材料，與上述有效層部用的陶瓷材料相比MgO的添加比例多0.5molX的陶瓷材料)100重量部和有機(jī)粘合劑3.0重量部進(jìn)行配比后的陶瓷膏劑，絲網(wǎng)印刷到內(nèi)部電極圖案的周圍，以消除內(nèi)部電極圖案和其周圍的段差。并且，將印刷有該導(dǎo)電性膏劑以及陶瓷膏劑的陶瓷印制電路板疊層240層，進(jìn)而將如上所述地成形在其上下兩面?zhèn)?、且未形成?nèi)部電極圖案的陶瓷印制電路板(外層用的陶瓷印制電路板)分別疊層70層，并在厚度方向上進(jìn)行加壓后切割，由此獲得長度2.0mmX寬度1.0mmX厚度1.0mm的生坯片(未燒成的陶瓷燒結(jié)體)。以130(TC的溫度來燒成該生坯片，并獲得長度1.6mmX寬度0.8mmX厚度0.8mm的陶瓷燒結(jié)體。對已獲得的陶瓷燒結(jié)體的作為內(nèi)部電極的露出面的兩端面涂覆導(dǎo)電性膏劑并進(jìn)行燒結(jié)，由此形成外部端子電極，并獲得疊層陶瓷電容器I(試料I)。另外，作為構(gòu)成間隙部的陶瓷材料，采用了相對于含有99mol^的BaTi03、1mol%的Y203的主成分100mol^配比了1.75mol%比例的MgO作為添加物的陶瓷材料(與上述有效層部用的陶瓷材料相比MgO的添加比例多0.75mol^的材料)，另外以與上述疊層陶瓷電容器I的情況相同的條件來制作了疊層陶瓷電容器J(試料J)。另外，作為構(gòu)成間隙部的陶瓷材料，采用了相對于含有99mol^的BaTi03、1molX的Y203的主成分100mol^配比了2mol%比例的MgO作為添加物的陶瓷材料(與上述有效層部用的陶瓷材料相比MgO的添加比例多l(xiāng)mol^的材料)，另外以與上述疊層陶瓷電容器I的情況相同的條件來制作了疊層陶瓷電容器K(試料K)。此外，作為構(gòu)成間隙部的陶瓷材料，采用了相對于含有99mol^的BaTi03、1mol^的Y203的主成分100mol^配比了2.5mol^比例的MgO作為添加物的陶瓷材料(與上述有效層部用的陶瓷材料相比MgO的添加比例多1.5mol^的材料)，另外以與上述疊層陶瓷電容器I的情況相同的條件來制作了疊層陶瓷電容器L(試料L)。另外，為了比較，作為構(gòu)成間隙部的陶瓷材料，采用相對于含有99moIX的BaTi03、1mol^的丫203的主成分100mol^配比了111101%比例的MgO作為添加物的材料(與上述有效層部用的陶瓷材料相同的材料)，另外以與上述疊層陶瓷電容器I的情況相同的條件來制作了疊層陶瓷電容器M(試料M)。并且，對該實(shí)施例3的疊層陶瓷電容器(試料)I、J、K、L以及比較例3的疊層陶瓷電容器(試料)M進(jìn)行施加0.5V直流電壓的試驗(yàn)，選出電阻值在1.0X10E6Q以下的疊層陶瓷電容器作為不合格品，其他的作為合格品。然后，對選出的合格品進(jìn)行耐濕試驗(yàn)，并確認(rèn)耐濕性。試驗(yàn)條件為溫度125°C、濕度95XRH、施加直流電壓5V、保持時間144小時，試驗(yàn)后在常溫下施加直流電壓10V，并將電阻值1.0X10E6Q以下的疊層陶瓷電容器判定為耐濕不良。表3中表示對實(shí)施例3的疊層陶瓷電容器(試料)I、J、K、L以及比較例3的疊層陶瓷電容器(試料)M各500個進(jìn)行了檢驗(yàn)的耐濕試驗(yàn)前的選出不合格率、和對選出后的合格品各100個進(jìn)行了檢驗(yàn)的耐濕試驗(yàn)不合格率的測量結(jié)果。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>如表3所示，實(shí)施例3的疊層陶瓷電容器(試料)I、K、L以及比較例3的疊層陶瓷電容器(試料)M在耐濕試驗(yàn)前的不合格率大致相同，不過關(guān)于耐濕試驗(yàn)不合格率可確認(rèn)出實(shí)施例3的試料I、K、L大幅低于比較例3的試料M。另外，在MgO的添加量是1.75mol^的試料J的實(shí)施例中的情況下，耐濕試驗(yàn)前的不合格率是0%，耐濕試驗(yàn)后的不合格率也是0%。另外，在MgO的添加量是1.5molX的試料I的實(shí)施例中的情況下，耐濕試驗(yàn)前的不合格率是0.20%,但耐濕試驗(yàn)后的不合格率是0%。在MgO的添加量是2mol^的實(shí)施例中的試料K的情況下，耐濕試驗(yàn)前的不合格率是0.40%，但耐濕試驗(yàn)后的不合格率是0。％。另一方面，在MgO的添加量是2.5mol^的試料L的實(shí)施例的情況下，耐濕試驗(yàn)前的不合格率是0.40%，耐濕試驗(yàn)后的不合格率是8%。其與比較例3的試料M的耐濕試驗(yàn)不合格率相比大幅降低，不過與滿足本發(fā)明主要條件的其它試料I、J、K相比，可確認(rèn)出耐濕試驗(yàn)不合格率變高。另外，關(guān)于比較例3的試料M，即使在耐濕試驗(yàn)后被判斷為合格品，也較多確認(rèn)與試驗(yàn)前相比實(shí)驗(yàn)后的電阻值下降。雖然上述的各個實(shí)施方式、以及實(shí)施例1、2中，以在構(gòu)成有效層部的陶瓷中不含Mg的情況舉例進(jìn)行了說明，實(shí)施例3中，以構(gòu)成有效層部的陶瓷中含有Mg的情況舉例進(jìn)行了說明，然而不管在構(gòu)成有效層部的陶瓷中是否含有Mg，通過在本發(fā)明的規(guī)定范圍內(nèi)使富含Mg的層的Mg含有率高于有效層部的Mg含有率，由此能夠獲得本發(fā)明的基本效果。此外，雖然上述實(shí)施方式以及實(shí)施例中以疊層陶瓷電容器舉例進(jìn)行了說明，然而本發(fā)明不限于疊層陶瓷電容器，可廣泛應(yīng)用于具備了含有Ni的內(nèi)部電極的例如疊層熱敏電阻或疊層感應(yīng)器等各種疊層陶瓷電子部件中。此外，本發(fā)明在其它方面也不被限定于上述實(shí)施例，關(guān)于陶瓷層和內(nèi)部電極的疊層形式和層疊數(shù)、構(gòu)成有效層部和側(cè)面?zhèn)乳g隙部、端面?zhèn)乳g隙部的陶瓷材料的種類、含Ni的內(nèi)部電極材料的組成等，在發(fā)明范圍內(nèi)可加以各種應(yīng)用、變形。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明可提供一種疊層陶瓷電子部件，該疊層陶瓷電子部件因?yàn)槟軌蚴咕哂性谔沾蔁Y(jié)體中經(jīng)由陶瓷層來配置內(nèi)部電極的構(gòu)造的疊層陶瓷電子部件的耐濕可靠性提高，所以即使在小型化的情況下也能夠提高對耐濕性的可靠性。因此，本發(fā)明適合利用到用于各種用途的疊層陶瓷電容器、疊層熱敏電阻、疊層感應(yīng)器等疊層陶瓷電容器等中。權(quán)利要求1.一種疊層陶瓷電子部件，包括陶瓷燒結(jié)體，其疊層有多個陶瓷層，且具有相互對置的第1側(cè)面以及第2側(cè)面、和相互對置的第1端面以及第2端面；含Ni的第1內(nèi)部電極，其形成在所述陶瓷燒結(jié)體內(nèi)部，并從所述第1端面引出；含有Ni的第2內(nèi)部電極，其按照經(jīng)由特定的所述陶瓷層與所述第1內(nèi)部電極對置的方式形成在所述陶瓷燒結(jié)體內(nèi)部，并從所述第2端面引出；第1外部端子電極，其形成在所述陶瓷燒結(jié)體的所述第1端面上，并與所述第1內(nèi)部電極電連接；以及第2外部端子電極，其形成在所述陶瓷燒結(jié)體的所述第2端面上，與所述第2內(nèi)部電極電連接，并連接在與所述第1外部端子電極不同的電位上，所述陶瓷燒結(jié)體，包含有效層部，其被所述陶瓷層中的所述第1內(nèi)部電極以及所述第2內(nèi)部電極夾持，并有助于電容形成；以及側(cè)面?zhèn)乳g隙部，其存在于所述第1、第2內(nèi)部電極的側(cè)部與所述陶瓷燒結(jié)體的第1、第2側(cè)面之間、以及所述有效層部的側(cè)部與所述陶瓷燒結(jié)體的第1、第2側(cè)面之間，所述側(cè)面?zhèn)乳g隙部中的至少與所述第1、第2內(nèi)部電極鄰接的區(qū)域被設(shè)置成Mg濃度比所述有效層部高的富含Mg的區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的疊層陶瓷電子部件，其特征在于，所述側(cè)面?zhèn)乳g隙部中的位于與所述第1、第2內(nèi)部電極分別相同高度的區(qū)域被設(shè)置成所述富含Mg的區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的疊層陶瓷電子部件，其特征在于，所述側(cè)面?zhèn)乳g隙部整體被設(shè)置成所述富含Mg的區(qū)域。4.根據(jù)權(quán)利要求13中任意一項(xiàng)所述的疊層陶瓷電子部件，其特征在于，所述陶瓷燒結(jié)體含有端面?zhèn)乳g隙部，該端面?zhèn)乳g隙部存在于所述第1、第2內(nèi)部電極的端部與所述陶瓷燒結(jié)體的第1、第2端面之間、以及所述有效層部的端部與所述陶瓷燒結(jié)體的第1或第2端面之間，所述端面?zhèn)乳g隙部中的至少與所述第1、第2內(nèi)部電極鄰接的區(qū)域被設(shè)置成Mg濃度比所述有效層部高的富含Mg的區(qū)域。5.根據(jù)權(quán)利要求14中任意一項(xiàng)所述的疊層陶瓷電子部件，其特征在于，比所述第1、第2內(nèi)部電極中的最外層內(nèi)部電極更靠近外側(cè)的陶瓷層在所述側(cè)面?zhèn)乳g隙部的垂直投影區(qū)域以及在所述端面?zhèn)乳g隙部的垂直投影區(qū)域的至少一方被設(shè)置成Mg濃度比所述有效層部高的富含Mg的區(qū)域。6.根據(jù)權(quán)利要求15中任意一項(xiàng)所述的疊層陶瓷電子部件，其特征在于，使相對于構(gòu)成所述富含Mg的區(qū)域的陶瓷材料的主成分100mol^的Mg添加比例，比相對于構(gòu)成所述有效層部的陶瓷材料的主成分100mol%的Mg添加比例多0.51.Omol%。7.根據(jù)權(quán)利要求15中任意一項(xiàng)所述的疊層陶瓷電子部件，其特征在于，在所述富含Mg的區(qū)域中具有Mg濃度從陶瓷燒結(jié)體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)降低這樣的濃度梯度。全文摘要本發(fā)明提供一種即使在小型化的情況下對耐濕性的可靠性也很高的疊層陶瓷電子部件。將陶瓷燒結(jié)體(10)的存在于第1內(nèi)部電極(1)以及第2內(nèi)部電極(2)的側(cè)部與陶瓷燒結(jié)體的第1、第2側(cè)面(21)、(22)之間、以及有效層部(3a)的側(cè)部與陶瓷燒結(jié)體的第1、第2端面之間的側(cè)面?zhèn)乳g隙部Gs中的、至少與第1、第2內(nèi)部電極1、2鄰接的區(qū)域作為Mg濃度比有效層部高的富含Mg的區(qū)域M_R。另外，將側(cè)面?zhèn)乳g隙部整體作為富含Mg的區(qū)域。將存在于有效層部的端部與陶瓷燒結(jié)體的第1或第2端面(11)、(12)之間的側(cè)面?zhèn)乳g隙部G_E中的、至少與第1、第2內(nèi)部電極鄰接的區(qū)域作為富含Mg的區(qū)域。在富含Mg的區(qū)域中含有的Mg比有效層部多0.5～1.0mol％的比例。文檔編號H01G4/30GK101320624SQ20081009987公開日2008年12月10日申請日期2008年5月30日優(yōu)先權(quán)日2007年6月8日發(fā)明者鈴木宏始申請人:株式會社村田制作所