專(zhuān)利名稱(chēng)：：晶粒自動(dòng)對(duì)位、以及堆棧式封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，詳言之，是關(guān)于一種晶粒自動(dòng)對(duì)位的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，以及堆棧式封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
：傳統(tǒng)堆棧式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法是先于晶片上形成數(shù)個(gè)晶粒單元，再將二片以上的晶片堆棧在一起，之后再進(jìn)行切割，以形成數(shù)個(gè)堆棧式封裝結(jié)構(gòu)。此種傳統(tǒng)方法的缺點(diǎn)為，該晶片上的晶粒單元皆未經(jīng)過(guò)測(cè)試，因此，所形成的所述堆棧式封裝結(jié)構(gòu)中會(huì)有不良率的問(wèn)題。尤其如果堆棧越多片晶片，則不良率會(huì)越高。為了改善上述缺點(diǎn)，另一種傳統(tǒng)方法是先將該晶片上的晶粒單元切割下來(lái)，經(jīng)過(guò)測(cè)試后再進(jìn)行堆棧。此種方式的缺點(diǎn)為，所述晶粒單元在堆棧時(shí)會(huì)有不易對(duì)準(zhǔn)的問(wèn)題，使得上下的二個(gè)晶粒單元間會(huì)有偏移。因此，有必要提供一種創(chuàng)新且具進(jìn)步性的晶粒自動(dòng)對(duì)位的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，以及堆棧式封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，以解決上述問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于提供一種晶粒自動(dòng)對(duì)位的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括(a)提供一載體(Carrier),該載體具有數(shù)個(gè)承載平臺(tái)；(b)提供數(shù)個(gè)晶粒，且分別將所述晶粒置放于所述承載平臺(tái)上；(c)進(jìn)行回焊制程，使得所述晶粒對(duì)齊于所述承載平臺(tái)；(d)形成一封膠材料于所述晶粒間的間隙；及(e)進(jìn)行切割制程，以形成數(shù)個(gè)封裝結(jié)構(gòu)。藉此，所述晶粒在回焊過(guò)程中會(huì)有自動(dòng)對(duì)齊的效果，因此晶粒附著機(jī)(DieAttachMachine)的精度要求不高。亦即，僅需低精度的晶粒附著機(jī)即可達(dá)到高精度的定位，因而可以減少設(shè)備成本。本發(fā)明的另一目的在于提供一種堆棧式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括(a)提供一第一載體，該第一載體具有數(shù)個(gè)第一承載平臺(tái)；(b)提供數(shù)個(gè)第一晶粒，每一第一晶粒具有至少一個(gè)第一穿導(dǎo)孔，分別將所述第一晶粒置放于所述第一承載平臺(tái)上；(c)進(jìn)行回焊制程，使得所述第一晶粒對(duì)齊于所述第一承載平臺(tái)；(d)形成一第一封膠材料于所述第一晶粒間的間隙；(e)移除該第一載體，以暴露出該第一穿導(dǎo)孔，且該第一封膠材料具有一第一表面及一第二表面；(f)分別形成一第一上電路層及一第一下電路層于該第一封膠材料的第二表面及第一表面，該第一上電路層是利用該第一穿導(dǎo)孔電性連接至該第一下電路層，以形成一第一封裝單元；(g)提供一第二封裝單元；及(h)堆棧該第一封裝單元及該第二封裝單元；及(i)進(jìn)行切割制程，以形成數(shù)個(gè)堆棧式封裝結(jié)構(gòu)。圖1至圖10顯示本發(fā)明晶粒自動(dòng)對(duì)位的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖；及圖11至圖23顯示本發(fā)明堆棧式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。具體實(shí)施方式參考圖1至圖10，顯示本發(fā)明晶粒自動(dòng)對(duì)位的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。首先，參考圖1，提供一載體(Carrier)1，該載體1具有數(shù)個(gè)承載平臺(tái)10。在本實(shí)施例中，該載體1為一硅晶片，且每一該承載平臺(tái)10包含一焊料層11及一金屬墊塊12，該金屬墊塊12是位于該焊料層11及該載體1之間。較佳地，所述金屬墊塊12的材質(zhì)為金屬。接著，參考圖2，形成一助焊劑(Flux)13于所述承載平臺(tái)10及該載體1上。接著，參考圖3，提供數(shù)個(gè)晶粒2,且分別將所述晶粒2置放于所述承載平臺(tái)10上，亦即位于該助焊劑13上。在本實(shí)施例中，所述晶粒2為測(cè)試合格的晶粒。每一晶粒2包括一第一表面21及一第二表面22。該第二表面22是朝向所述承載平臺(tái)10，該第二表面22更包括一濕潤(rùn)層(Wettablelayer)23。該第一表面21更包括數(shù)個(gè)球墊(Ballpad)24。接著，參考圖4,進(jìn)行回焊制程，使得所述晶粒2自動(dòng)對(duì)齊于所述承載平臺(tái)10。這是由于該焊料層11在回焊過(guò)程中的表面張力使得位于其上的晶粒2會(huì)有自動(dòng)對(duì)齊的效果。接著，參考圖5，移除該助焊劑13。接著，參考圖6,形成一封膠材料14于所述晶粒2間的間隙，且顯露出所述球墊24。較佳地，在另一實(shí)施例中，該載體1更具有數(shù)個(gè)溝槽15,位于所述承載平臺(tái)10之間。而該封膠材料14會(huì)填入所述溝槽15，以增加該封膠材料14與該載體1間的結(jié)合力，如圖7所示。接著，參考圖8，形成一電路層16于該封膠材料14上，該電路層16電性連接所述晶粒2。在本實(shí)施例中，該電路層16包括一重布線層161,該重布線層161是連接所述球墊24。較佳地，數(shù)個(gè)焊球(SolderBal1)17更形成于該電路層16上，所述焊球17是連接該重布線層161，進(jìn)而電性連接所述球墊24。接著，參考圖9，移除該載體1。最后，參考圖10，進(jìn)行切割制程，以形成數(shù)個(gè)封裝結(jié)構(gòu)3。要注意的是，在本實(shí)施例中，也可以不移除該載體1而直接進(jìn)行切割制程，如此所述封裝結(jié)構(gòu)3則會(huì)包括該載體1。在本實(shí)施例中，所述金屬墊塊12是利用黃光制程而形成于該載體1,且該焊料層11是利用電鍍方式形成于所述金屬墊塊12，因此其定位十分準(zhǔn)確。此外，所述晶粒4在回焊過(guò)程中會(huì)有自動(dòng)對(duì)齊的效果，因此晶粒附著機(jī)(DieAttachMachine)的精度要求不高。亦即，在本實(shí)施例中，僅需低精度的晶粒附著機(jī)即可達(dá)到高精度的定位，因而可以減少設(shè)備成本。再參考圖10，顯示本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。該封裝結(jié)構(gòu)3包括一封膠材料14、一承載平臺(tái)10、一晶粒2、一濕潤(rùn)層23及一電路層16。該封膠材料14具有一第一表面141、一第二表面142及一容置槽143,該容置槽143是貫穿該封膠材料14。該承載平臺(tái)10是位于該容置槽143內(nèi)且暴露于該封膠材料14的第二表面142。在本實(shí)施例中，該承載平臺(tái)10包含一焊料層11及一金屬墊塊12，該焊料層11是位于該金屬墊塊12及該濕潤(rùn)層23之間，該金屬墊塊12的材質(zhì)為金屬。該晶粒2是位于該容置槽143內(nèi)，該晶粒2具有一第一表面21及一第二表面22,該第一表面21是暴露于該封膠材料14的第一表面141。較佳地，該晶粒2的第一表面21更包括數(shù)個(gè)球墊24。該濕潤(rùn)層23是位于該晶粒2的第二表面22，且連接該承載平臺(tái)10的該焊料層11。該電路層16是位于該封膠材料14的第一表面141上，且該電路層16電性連接該晶粒2的第一表面21。在本實(shí)施例中，該電路層16是包括一重布線層161,該重布線層161是連接所述球墊24。較佳地，該電路層16上更包括數(shù)個(gè)焊球17,所述焊球17是連接該重布線層161,進(jìn)而電性連接所述球墊24。在另一實(shí)施例中，該封裝結(jié)構(gòu)3更包括一載體(圖中未示)，位于該封膠材料14的第二表面142。參考圖11至圖23,顯示本發(fā)明堆棧式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。首先，參考圖11，提供一第一載體4，該第一載體4具有數(shù)個(gè)第一承載平臺(tái)40。在本實(shí)施例中，該第一載體4為一硅晶片，且每一該第一承載平臺(tái)40包含一第一焊料層41及一第一金屬墊塊42,該第一金屬墊塊42是位于該第一焊料層41及該第一載體4之間。接著，參考圖12,形成一第一助焊劑43于所述第一承載平臺(tái)40及該第一載體4上。接著，參考圖13，提供數(shù)個(gè)第一晶粒5，且分別將所述第一晶粒5置放于所述第一承載平臺(tái)40上，亦即位于該第一助焊劑43上。在本實(shí)施例中，所述第一晶粒5為測(cè)試合格的晶粒。每一第一晶粒5包括一第一表面51、一第二表面52及至少一第一穿導(dǎo)孔(Via)55。該第二表面52是朝向所述第一承載平臺(tái)40,該第二表面52更包括一第一濕潤(rùn)層53。該第一表面51更包括數(shù)個(gè)第一球墊54。該第一穿導(dǎo)孔55內(nèi)含一導(dǎo)電金屬，其材質(zhì)可以和該第一濕潤(rùn)層53相同或不同。接著，參考圖14，進(jìn)行回焊制程，使得所述第一晶粒5自動(dòng)對(duì)齊于所述第一承載平臺(tái)40。接著，移除該第一助焊劑43。接著，參考圖15,形成一第一封膠材料44于所述第一晶粒5間的間隙，且顯露出所述第一球墊54。接著，參考圖16，移除該第一載體4、部分該第一封膠材料44、該第一焊料層41、該第一金屬墊塊42及該第一濕潤(rùn)層53，以暴露出該第一穿導(dǎo)孔55,且該第一封膠材料44具有一第一表面441及一第二表面442。接著，參考圖17，分別形成一第一上電路層46及一第一下電路層47于該第一封膠材料44的第二表面442及第一表面441。該第一上電路層46是利用所述第一穿導(dǎo)孔55及所述第一球墊54電性連接至該第一下電路層47，以形成一第一封裝單元6A。在本實(shí)施例中，該第一上電路層46包括一第一上重布線層461,該第一下電路層47包括一第一下重布線層471。較佳地，數(shù)個(gè)第一焊球48更形成于該第一下電路層47上，所述第一焊球48是連接該第一下重布線層471。接著，提供一第二封裝單元。該第二封裝單元可以是任何型式的封裝體。在本實(shí)施例中，該第二封裝單元與該第一封裝單元6A大致相同，其制造方法如下。首先，參考圖18，提供一第二載體7，該第二載體7具有數(shù)個(gè)第二承載平臺(tái)70。在本實(shí)施例中，該第二栽體7為一硅晶片，且每一該第二承載平臺(tái)70包含一第二焊料層71及一第二金屬墊塊72,該第二金屬墊塊72是位于該第二焊料層71及該第二載體7之間。接著，形成一第二助焊劑(圖中未示)于所述第二承載平臺(tái)70及該第二載體7上。接著，參考圖19,提供數(shù)個(gè)第二晶粒8，且分別將所述第二晶粒8置放于所述第二承載平臺(tái)70上，亦即位于該第二助焊劑上。所述第二晶粒8的功能或尺寸是相同或不同于所述第一晶粒5。在本實(shí)施例中，所述第二晶粒8為測(cè)試合格的晶粒。每一第二晶粒8包括一第一表面81、一第二表面82及至少一第二穿導(dǎo)孔85。該第二表面82是朝向所述第二承載平臺(tái)70,該第二表面82更包括一第二濕潤(rùn)層83。該第一表面81更包括數(shù)個(gè)第二球墊84。該第二穿導(dǎo)孔85內(nèi)含一導(dǎo)電金屬，其材質(zhì)可以和該第二濕潤(rùn)層83相同或不同。接著，進(jìn)行回焊制程，使得所述第二晶粒8自動(dòng)對(duì)齊于所述第二承載平臺(tái)70。接著，移除該第二助焊劑。接著，參考圖20，形成一第二封膠材料74于所述第二晶粒8間的間隙，且顯露出所述第二球墊84。接著，移除該第二載體7、部分該第二封膠材料74、該第二焊料層71、該第二金屬墊塊72及該第二濕潤(rùn)層83，以暴露出該第二穿導(dǎo)孔85,且該第二封膠材料74具有一第一表面741及一第二表面742。接著，參考圖21，分別形成一第二上電路層76及一第二下電路層77于該第二封膠材料74的第二表面742及第一表面741。該第二上電路層76是利用所述第二穿導(dǎo)孔85及所述第二球墊84電性連接至該第二下電路層77,以形成一第二封裝單元6B。在本實(shí)施例中，該第二上電路層76包括一第二上重布線層761,該第二下電路層77包括一第二下重布線層771。較佳地，數(shù)個(gè)第二焊球78更形成于該第二下電路層77上，所述第二焊球78是連接該第二下重布線層771。接著，參考圖22,堆棧該第一封裝單元6A及該第二封裝單元6B?？梢岳斫獾氖?，該第二封裝單元6B的上還可以再堆棧其它封裝單元。接著，參考圖23，進(jìn)行切割制程，以形成數(shù)個(gè)堆棧式封裝結(jié)構(gòu)9。再參考圖23，顯示本發(fā)明的堆棧式封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。該堆棧式封裝結(jié)構(gòu)9包括一第一封裝單元6A及一第二封裝單元6B。該第一封裝單元6A包括一第一封膠材料44、一第一晶粒5、一第一上電路層46及一第一下電路層47。該第一封膠材料44具有一第一表面441、一第二表面442及一第一容置槽443,該第一容置槽443是貫穿該第一封膠材料44。該第一晶粒5是位于該第一容置槽443內(nèi)，該第一晶粒5具有一第一表面51、一第二表面52及至少一第一穿導(dǎo)孔55。該第一表面51是暴露于該第一封膠材料44的第一表面441,該第二表面52是暴露于該第一封膠材料44的第二表面442。較佳地，該第一晶粒5的第一表面51更包括數(shù)個(gè)第一球墊54。該第一上電路層46是位于該第一封膠材料44的第二表面442上。該第一下電路層47是位于該第一封膠材料44的第一表面441上。該第一上電路層46是利用該第一穿導(dǎo)孔55電性連接至該第一下電路層47。較佳地，該第一下電路層47更包括數(shù)個(gè)第一焊球48。該第二封裝單元6B是堆棧于該第一封裝單元6A上，且電性連接至該第一上電路層46。該第二封裝單元6B包括一第二封膠材料74、一第二晶粒8、一第二上電路層76及一第二下電路層77。該第二封膠材料74具有一第一表面741、一第二表面742及一第二容置槽743，該第二容置槽743是貫穿該第二封膠材料74。該第二晶粒8的功能或尺寸是相同或不同于該第一晶粒5。該第二晶粒8是位于該第二容置槽743內(nèi)，該第二晶粒8具有一第一表面81、一第二表面82及至少一第二穿導(dǎo)孔85。該第一表面81是暴露于該第二封膠材料84的第一表面841,該第二表面82是暴露于該第二封膠材料84的第二表面842。較佳地，該第二晶粒8的第一表面81更包括數(shù)個(gè)第二球墊84。該第一上電路層46是位于該第一封膠材料44的第二表面442上。該第一下電路層47是位于該第一封膠材料44的第一表面441上。該第一上電路層46是利用該第一穿導(dǎo)孔55電性連接至該第一下電路層47。較佳地，該第二下電路層77更包括數(shù)個(gè)第二焊球78。該第二下電路層77是利用所述第二焊球78電性連接該第一上電路層46。在本實(shí)施例中，因是以測(cè)試合格的晶粒做堆棧，而且可以準(zhǔn)確對(duì)位，因此可以提高良率。此外，本實(shí)施例可以堆棧不同尺寸的晶粒，增加設(shè)計(jì)彈性。惟上述實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用以限制本發(fā)明。因此，習(xí)于此技術(shù)的人士對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化仍不脫本發(fā)明的精神。本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)如所述的權(quán)利要求所列。權(quán)利要求1.一種晶粒自動(dòng)對(duì)位的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括(a)提供一載體(Carrier)，該載體具有數(shù)個(gè)承載平臺(tái)；(b)提供數(shù)個(gè)晶粒，且分別將所述晶粒置放于所述承載平臺(tái)上；(c)進(jìn)行回焊制程，使得所述晶粒對(duì)齊于所述承載平臺(tái)；(d)形成一封膠材料于所述晶粒間的間隙；及(e)進(jìn)行切割制程，以形成數(shù)個(gè)封裝結(jié)構(gòu)。2.如權(quán)利要求1的制造方法，其中該步驟(a)中，該載體為一硅晶片。3.如權(quán)利要求1的制造方法，其中該步驟(a)中，每一該承載平臺(tái)包含一焊料層及一金屬墊塊，且該金屬墊塊是位于該焊料層及該載體之間。4.如權(quán)利要求1的制造方法，其中該步驟(a)中該承載平臺(tái)包含數(shù)個(gè)焊料層。5.如權(quán)利要求1的制造方法，其中該步驟(a)之后更包括一形成一助焊劑(Flux)于所述承載平臺(tái)上的步驟。6.如權(quán)利要求1的制造方法，其中該步驟(b)中，每一晶粒包括一第一表面及一第二表面，該第二表面是朝向所述承載平臺(tái)，該第二表面更包括一濕潤(rùn)層(Wettablelayer),而該第一表面更包括數(shù)個(gè)球墊(Ballpad)。7.如權(quán)利要求1的制造方法，其中該載體更具有數(shù)個(gè)溝槽，位于所述承載平臺(tái)之間，該步驟(d)中該封膠材料更形成于所述溝槽內(nèi)。8.如權(quán)利要求1的制造方法，其中該步驟(d)之后更包括一移除該載體的步驟。9.如權(quán)利要求1的制造方法，其中該步驟(d)之后更包括一形成一電路層于該封膠材料上的步驟，該電路層電性連接所述晶粒。10.—種封裝結(jié)構(gòu)，包括封膠材料，具有第一表面、第二表面及容置槽，該容置槽是貫穿該封膠材料；承載平臺(tái)，位于該容置槽內(nèi)且暴露于該封膠材料的第二表面；晶粒，位于該容置槽內(nèi)，該晶粒具有第一表面及第二表面，該第一表面是暴露于該封膠材料的第一表面，其中該晶粒的第一表面更包括數(shù)個(gè)球墊(Ballpad);濕潤(rùn)層，位于該晶粒的第二表面，且連接該承載平臺(tái)；及電路層，位于該封膠材料的第一表面上，且該電路層電性連接該晶粒的第一表面。11.如權(quán)利要求10的封裝結(jié)構(gòu)，更包括一載體，位于該封膠材料的第二表面。12.如權(quán)利要求10的封裝結(jié)構(gòu)，其中該承載平臺(tái)包含一焊料層及一金屬墊塊，且該焊料層是位于該金屬墊塊及該濕潤(rùn)層之間。13.如權(quán)利要求10的封裝結(jié)構(gòu)，更包括數(shù)個(gè)焊球，位于該電路層上。全文摘要本發(fā)明是關(guān)于一種晶粒自動(dòng)對(duì)位的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，以及堆棧式封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，該晶粒自動(dòng)對(duì)位的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括(a)提供一載體，該載體具有數(shù)個(gè)承載平臺(tái)；(b)提供數(shù)個(gè)晶粒，且分別將所述晶粒置放于所述承載平臺(tái)上；(c)進(jìn)行回焊制程，使得所述晶粒對(duì)齊于所述承載平臺(tái)；(d)形成一封膠材料于所述晶粒間的間隙；及(e)進(jìn)行切割制程，以形成數(shù)個(gè)封裝結(jié)構(gòu)。藉此，所述晶粒在回焊過(guò)程中會(huì)有自動(dòng)對(duì)齊的效果，因此晶粒附著機(jī)的精度要求不高。文檔編號(hào)H01L23/31GK101281874SQ20081009984公開(kāi)日2008年10月8日申請(qǐng)日期2008年5月26日優(yōu)先權(quán)日2008年5月26日發(fā)明者王盟仁,王維中申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司