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一種led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:8432508閱讀:381來源:國知局
一種led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu),具體地說是一種LED的封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(英語:Light-Emitting D1de,簡稱LED)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)半導(dǎo)體器件,其被廣泛應(yīng)用于照明、液晶背光板、控制面板、閃光裝置等領(lǐng)域。發(fā)光二極管是半導(dǎo)體二極管的一種,可以把電能轉(zhuǎn)化成光能。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結(jié)組成,也具有單向?qū)щ娦?。?dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后,從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子,在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復(fù)合,產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導(dǎo)體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當(dāng)電子和空穴復(fù)合時釋放出的能量多少不同,釋放出的能量越多,則發(fā)出的光的波長越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。
[0003]LED(發(fā)光二極管)封裝是指發(fā)光芯片的封裝,相此集成電路封裝有較大不同。LED的封裝不僅要求能夠保護(hù)燈芯,而且還要能夠透光。所以LED的封裝對封裝材料有特殊的要求。常規(guī)Φ5πιπι型LED封裝是將邊長0.25mm的正方形管芯粘結(jié)或燒結(jié)在引線架上,管芯的正極通過球形接觸點(diǎn)與金絲,鍵合為內(nèi)引線與一條管腳相連,負(fù)極通過反射杯和引線架的另一管腳相連,然后其頂部用環(huán)氧樹脂包封。
[0004]在中國專利文獻(xiàn)CN102832330A中也公開了一種圓片級LED封裝結(jié)構(gòu),包括LED芯片、硅基載體和填充膠,LED芯片包括芯片本體,在芯片本體上表面設(shè)有電極,所述電極包括電極I和電極II,娃基載體的上方設(shè)置有玻璃,娃基載體的正面設(shè)有下凹的型腔、背面設(shè)有硅孤島,所述硅孤島跨過型腔的兩端與硅基載體連接,所述LED芯片通過連接膠與型腔內(nèi)的硅孤島連接,所述玻璃與硅基載體通過填充膠連接,并且填充膠填充滿型腔內(nèi)部。在型腔表面和娃基載體的上表面設(shè)有反光層,通過該反光層提升LED出光效率。所述娃基載體的下方設(shè)有感光樹脂層和金屬層,所述感光樹脂層包括感光樹脂層I和感光樹脂層II,所述感光樹脂層I覆蓋在硅基載體的下表面,呈島結(jié)構(gòu),其高度與硅孤島齊平,所述金屬層包括再布線金屬層和金屬塊,所述金屬塊設(shè)置在硅孤島的下表面,所述再布線金屬層與電極1、電極II連接,所述感光樹脂層II覆蓋在金屬層上,并設(shè)有數(shù)個感光樹脂開口。在本實(shí)施例中,在整個型腔內(nèi)部都填充有填充膠,由于填充膠對光具有一定的吸收作用,因此該填充膠會影響LED的發(fā)光性能、提高能耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為此,本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于現(xiàn)有技術(shù)中LED封裝結(jié)構(gòu)中型腔內(nèi)充滿填充膠、影響LED發(fā)光性能,從而提出一種提高了 LED發(fā)光性能的LED封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的提供一種LED封裝結(jié)構(gòu),包括成型有一個型腔的硅基載體,在所述硅基載體上設(shè)有玻璃基板,在所述硅基載體的型腔內(nèi)設(shè)置有LED芯片,所述玻璃基板和所述硅基載體的邊緣連接,在該連接位置通過粘結(jié)膠層密封連接,所述硅基載體的型腔內(nèi)中空,在所述型腔的側(cè)壁上設(shè)置有反光層,所述LED芯片粘貼在所述硅基載體的型腔的底部,所述LED芯片的第一電極和第二電極通過布線金屬層從所述硅基載體的型腔的底部引出。
[0007]所述的LED封裝結(jié)構(gòu),所述硅基載體的型腔的剖面呈上大下小的形狀。
[0008]所述的LED封裝結(jié)構(gòu),所述硅基載體的型腔的剖面為倒梯形。
[0009]所述的LED封裝結(jié)構(gòu),在所述硅基載體的外部設(shè)置有封裝層。
[0010]所述的LED封裝結(jié)構(gòu),所述布線金屬層包括相互連接的電極連接端和布線延伸端,所述電極連接端通過預(yù)留孔與所述LED芯片的第一電極或第二電極連接,所述布線延伸端沿所述封裝層延伸。
[0011]所述的LED封裝結(jié)構(gòu),所述封裝層或所述布線金屬層的外表面還設(shè)置有防焊保護(hù)層。
[0012]所述的LED封裝結(jié)構(gòu),在所述玻璃基板朝向所述硅基載體的一側(cè)的表面上設(shè)置有突光劑層。
[0013]所述的LED封裝結(jié)構(gòu),所述LED芯片通過粘結(jié)層粘結(jié)在所述硅基載體的型腔的底部。
[0014]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相此現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn),
[0015](I)本發(fā)明提供一種LED封裝結(jié)構(gòu),包括成型有一個型腔的娃基載體,在所述娃基載體上設(shè)有玻璃基板,在所述硅基載體的型腔內(nèi)設(shè)置有LED芯片,所述玻璃基板和所述硅基載體的邊緣連接,在該連接位置通過粘結(jié)膠層密封連接,所述硅基載體的型腔內(nèi)中空,在所述型腔的側(cè)壁上設(shè)置有反光層,所述LED芯片粘貼在所述硅基載體的型腔的底部,所述LED芯片的第一電極和第二電極通過布線金屬層從所述硅基載體的型腔的底部引出,通過該方式進(jìn)行封裝,由于所述型腔內(nèi)不需要填充膠,只需要所述玻璃基板和所述硅基載體的邊緣密封連接,不僅節(jié)約了原料,而且避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于填充膠對光的吸收造成LED的發(fā)光性能下降的問題,提高了 LED的發(fā)光效率,提高了能源的利用率,節(jié)約了成本。
[0016](2)本發(fā)明所述的LED封裝結(jié)構(gòu),所述硅基載體的型腔的剖面呈上大下小的形狀,如硅基載體的型腔的剖面為倒梯形,通過上大下小的型腔設(shè)計(jì),不僅使得所述LED安裝時更為方便,而且使得其形成的側(cè)壁具有較大的面積和反光性能,使得設(shè)置在側(cè)壁上的反光層具有更好的反光性能,進(jìn)一步提高LED的發(fā)光效率。
[0017](3)本發(fā)明所述的LED封裝結(jié)構(gòu),在所述硅基載體的外部設(shè)置有封裝層,并且在所述封裝層或所述布線金屬層的外表面還設(shè)置有防焊保護(hù)層,提高所述LED封裝結(jié)構(gòu)的安全和阻擋性能,起到絕緣和保護(hù)的作用。
[0018](4)本發(fā)明所述的LED封裝結(jié)構(gòu),所述布線金屬層包括相互連接的電極連接端和布線延伸端,所述電極連接端通過預(yù)留孔與所述LED芯片的第一電極或第二電極連接,所述布線延伸端沿所述封裝層延伸,這樣通過所述布線金屬層,將所述LED芯片的第一電極和第二電極分別引出,使其引出到合適的位置,方便了后續(xù)的連接和使用。
【附圖說明】
[0019]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解,下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖,對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中
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