專利名稱：：電介質(zhì)陶瓷組合物以及電子部件的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及電介質(zhì)陶瓷組合物以及在電介質(zhì)層中具有該電介質(zhì)陶瓷組合物的電子部件，更詳細涉及適用于額定電壓高(例如ioov以上)的中高壓用途的電介質(zhì)陶資組合物以及電子部件?，F(xiàn)有技術近年來對伴隨電子回路高密度化的電子部件小型化的要求提高，疊層陶資電容器的小型'大容量化飛速發(fā)展，同時其用途也不斷擴大，所要求的特性多種多樣。例如在高額定電壓(例如ioov以上)下使用的中高壓用電容器優(yōu)選用于ECM(發(fā)動機電子計算計模塊)、燃料噴射裝置、電子控制節(jié)流閥、逆變器、變流器、HID前燈單元、混合發(fā)動機的蓄電池控制單元、數(shù)字照相機等機器。因此，當在上述機器中使用中高壓用的電容器時，由于電子部件高密度安裝而產(chǎn)生的發(fā)熱和以汽車用電子部件為代表的苛刻使用環(huán)境成為問題，所以希望不僅可以在高電壓下使用，而且還特別要求即使在100。C以上的高溫下其容量溫度變化率也較小并且具有高可靠性。針對這些要求，例如特開2005-217000號公報中提出了具有電介質(zhì)層的疊層陶瓷電容器，該電介質(zhì)層具有隨著從晶粒的中心向結晶晶粒邊界，晶粒中的Mg、Mn以及稀土類元素的濃度逐漸增加的結構。另外，在特開2001-230149號公報中提出了具有電介質(zhì)層的疊層陶瓷電容器，其電介質(zhì)層包含具有芯殼結構的電介質(zhì)粒子，在殼部含有Mn等受主型元素、Mg、稀土類元素，并且具有隨著從芯部和殼部的邊界向結晶晶粒邊界，殼部所含的受主型元素以及稀土類元素的濃度逐漸增加的結構。另外，特開2001-230148號公報中提出了具有含固溶體電介質(zhì)粒子的電介質(zhì)層的疊層陶瓷電容器，其特征是具有隨著從該粒子中心向結晶晶粒邊界，電介質(zhì)粒子中所含的Mn等受主型元素以及Ho等稀土元素的濃度逐漸增加的結構。不過特開2005-217000號公報中公開的疊層陶瓷電容器中IR(絕緣電阻)壽命的試驗電壓低，為4.75V/nm，不能以在高電壓下使用作為目的。另一方面，特開2001-230149號公報中公開的疊層陶瓷電容器，只說明了作為容量溫度特性優(yōu)選滿足B特性的情況，并不是以在高溫下使用作為目的。另外，特開2001-230148號公報中公開的疊層陶瓷電容器，作為容量溫度特性僅滿足F特性，與特開2001-230149號公報一樣并不是以高溫下使用作為目的。另外，在使用以顯示鐵電性的鈦酸鋇為主成分的電介質(zhì)陶瓷組合物的疊層陶瓷電容器中當施加電場時，伴隨有產(chǎn)生機械變形的電致伸縮現(xiàn)象。由該電致伸縮現(xiàn)象引起的振動而發(fā)生的振動音，有時處于讓人產(chǎn)生不愉快感的音域，所以必需采取應對措施。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于這樣一種實際情況而進行研究的，以提供在施加電壓時的電致伸縮量低，可以改進高溫下的容量溫度變化率和/或IR(絕緣電阻)壽命的電介質(zhì)陶資組合物以及作為電介質(zhì)層具有該電介質(zhì)陶瓷組合物的電子部件為目的。為了達到上述目的，本發(fā)明者等進行銳意研究的結果發(fā)現(xiàn)具有含鈦酸鋇的主成分和特定副成分的電介質(zhì)陶資組合物，可以降4氐施加電壓時的電致伸縮量，而且構成該電介質(zhì)陶乾組合物的電介質(zhì)粒子中，使副成分元素向主成分元素擴散的區(qū)域中特定副成分元素的濃度大于結晶晶粒邊界界面附近的該副成分元素的濃度，可以改進高溫下的容量溫度變化率和/或IR壽命，從而完成了本發(fā)明。也就是有關本發(fā)明第1觀點的電介質(zhì)陶瓷組合物是含有含鈦酸鋇的主成分；含BaZrO3的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含R氧化物(其中R為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一種)的第3副成分；含選自Mn、Cr、Co和Fe中至少一種元素的氧化物的第4副成分；和含選自Si、Al、Ge、B和Li中至少一種元素的氧化物的第5副成分的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中前述電介質(zhì)陶資組合物具有多個電介質(zhì)粒子和存在于相鄰的前述電介質(zhì)粒子之間的結晶晶粒邊界；前述多個電介質(zhì)粒子之中至少有一部分電介質(zhì)粒子具有由中心層和存在于前述中心層周圍并且前述副成分擴散著的擴散層構成的表面擴散結構；在具有前述表面擴散結構的電介質(zhì)粒子中，設在從前述結晶晶粒邊界向前述電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，在位于距前述結晶晶粒邊界界面為該電介質(zhì)粒子粒徑5。/。距離處的界面附近點的前述R的濃度為CR，設前述擴散層中前述R濃度的最大值為CRmax時，滿足CRmax/CR>l的關系。有關本發(fā)明第2觀點的電介質(zhì)陶瓷組合物是含有含鈦酸鋇的主成分；含BaZr03的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含R氧化物(其中R為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一種)的第3副成分；含選自Mn、Cr、Co和Fe中至少一種元素的氧化物的第4副成分；和含選自Si、Al、Ge、B和Li中至少一種元素的氧化物的第5副成分的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中前述電介質(zhì)陶瓷組合物具有多個電介質(zhì)粒子和存在于相鄰的前述電介質(zhì)粒子之間的結晶晶粒邊界；前述多個電介質(zhì)粒子之中至少有一部分電介質(zhì)粒子具有由中心層和存在于前述中心層周圍并且前述副成分擴散著的擴散層構成的表面擴散結構；在具有前述表面擴散結構的電介質(zhì)粒子中，設在從前述結晶晶粒邊界向前述電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，在位于距前迷結晶晶粒邊界界面為該電介質(zhì)粒子粒徑5。/。距離處的界面附近點的前述Mg濃度為CM，設前述擴散層中前述Mg濃度的最大值為CMmax時，滿足CMmax/CM>l的關系。有關本發(fā)明第1觀點和第2觀點的電介質(zhì)陶瓷組合物，含有含鈦酸鋇的主成分和上述特定的副成分，所以可以減少施加電壓時的電致伸縮量。另外，構成本發(fā)明電介質(zhì)陶瓷組合物的多個電介質(zhì)粒子之中至少一部分電介質(zhì)粒子具有表面擴散結構。所謂表面擴散結構，是由實質(zhì)上由主成分構成的中心層和存在于中心層周圍并且副成分向主成分擴散的擴散層構成的結構。本發(fā)明的第l觀點，擴散層中存在R元素，并且擴散層內(nèi)R的濃度分布形成擴散層內(nèi)任意點的R濃度最大值(CRmax)大于電介質(zhì)粒子界面附近點處R濃度(CR)的結構。也就是擴散層中顯示CRmax/CR>l的濃度分布。其結果可以提高容量溫度特性。本發(fā)明的第2觀點，擴散層中存在Mg元素，并且擴散層內(nèi)Mg元素的濃度分布形成擴散層內(nèi)任意點Mg元素濃度的最大值(CMmax)大于電介質(zhì)粒子界面附近點處Mg元素濃度(CM)的結構。也就是擴散層中顯示CMmax/CM>l的濃度分布。其結果可以保持良好的比介電常數(shù)和電致伸縮量，并且提高IR壽命。優(yōu)選第l觀點中滿足CRmax/CRM關系的電介質(zhì)粒子相對于具有前述表面擴散結構的所有電介質(zhì)粒子的存在比率在70%以上，更優(yōu)選在90%以上。另外，在第2觀點中滿足CMmax/CM>l關系的電介質(zhì)粒子相對于具有前述表面擴散結構的所有電介質(zhì)粒子的存在比率在70%以上，更優(yōu)選在90。/。以上。通過使?jié)M足CRmax/CR〉1或CMmax/CM>l關系的電介質(zhì)粒子的存在比率在上述范圍，可以進一步提高上迷效果。優(yōu)選在本發(fā)明的第1觀點和第2觀點中相對于前述主成分100摩爾，各副成分按氧化物或復合氧化物換算的比率為第1副成分9~13摩爾；第2副成分2.7~5.7摩爾；第3副成分4.5~5.5摩爾；第4副成分0.5~1.5摩爾；第5副成分3.0~3.9摩爾。通過使各副成分的添加量在上述范圍，可以進一步特別是改進容量溫度變化率。如果按照本發(fā)明，可以提供電子部件，它是具有電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層的電子部件，其中，前述電介質(zhì)層由上述任意一種電介質(zhì)陶瓷組合物構成作為有關本發(fā)明的電子部件，沒有特別限定，可以列舉疊層陶瓷電容器、壓電元件、片式電感器、片式可變電阻、片式熱敏電阻、片式電阻、其它的表面安裝(SMD)片式電子部件。以下根據(jù)附圖所示的實施方案對本發(fā)明進行說明。圖1是有關本發(fā)明一個實施方案的疊層陶瓷電容器的斷面圖；圖2是有關本發(fā)明一個實施方案的表面擴散粒子的示意圖；圖3(A)是說明測定有關本發(fā)明一個實施方案的表面擴散粒子中R元素的CRmax和CR方法的示意圖；圖3(B)是說明測定有關以往例的表面擴散粒子中R元素的CRmax和CR方法的示意圖；圖4是有關本發(fā)明實施例的表面擴散粒子的TEM照片；圖5是表示有關本發(fā)明實施例和比較例的表面擴散粒子的R元素濃度分布的曲線圖；，圖6是表示有關本發(fā)明實施例和比較例的表面擴散粒子的Mg濃度分布的曲線圖。具體實施方式疊層陶瓷電容器1如圖1所示，有關本發(fā)明一個實施方案的疊層陶瓷電容器1，具有電容器元件主體10,它具有由電介質(zhì)層2和內(nèi)部電極層3交替疊層的結構。在該電容器元件主體10的兩端部形成與元件主體10內(nèi)部交替配置的內(nèi)部電極層3各自導通的一對外部電極4。對于電容器元件主體10的形狀沒有特別限制，通常為長方體形狀。對于其尺寸也沒有特別限制，可以根據(jù)用途選擇適當尺寸。內(nèi)部電極層3在疊層時其各端面交替露出電容器元件主體10相對的2個端部表面。另外，在電容器元件主體10的兩端部形成一對外部電極4,與交替配置的內(nèi)部電極層3的露出端面連接，構成電容器回路。電介質(zhì)層2電介質(zhì)層2含有本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物。本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物具有:含鈦酸鋇的主成分；含BaZr03的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含R氧化物(其中R為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一種)的第3副成分；含選自Mn、Cr、Co和Fe中至少一種元素的氧化物的第4副成分；含選自Si、Al、Ge、B和Li中至少一種元素的氧化物的第5副成分。作為主成分所含的鈦酸鋇，例如可以使用結構式BamTi02+m表示，并且前述結構式中m為0.9^<m<1.010，Ba與Ti之比為0.990<Ba/Ti<1.010的鈦酸鋇等。作為第1副成分(BaZr03)相對于主成分100摩爾的含量，按BaZr03換算優(yōu)選為9~13摩爾，更優(yōu)選為10~13摩爾。第1副成分，主要具有抑制主成分鈦酸鋇的鐵電性的效果。如果第1副成分的含量太少，則存在施加電壓時溫度特性差的傾向；另一方面，如果太多，則具有比介電常數(shù)降低的傾向。第2副成分(Mg氧化物)相對于主成分100摩爾的含量，按MgO換算優(yōu)選為2,7~5.7摩爾，更優(yōu)選為4.0~5.7摩爾。第2副成分，主要具有抑制主成分鈦酸鋇的鐵電性的效果。如果第2副成分的含量太少，則存在施加電壓時溫度特性差的傾向；另一方面，如果太多，則具有比介電常數(shù)降低的傾向。第3副成分(R的氧化物)相對于主成分100摩爾的含量，按11203換算優(yōu)選為4.5~5.5摩爾，更優(yōu)選為4.7~5.5摩爾。第3副成分，主要具有抑制主成分鈦酸鋇的鐵電性的效果。如果第3副成分的含量太少，則存在施加電壓時溫度特性差的傾向；另一方面，如果太多，則具有比介電常數(shù)降低的傾向。作為構成上述R氧化物的R元素，優(yōu)選為選自Gd、Tb、Eu、Y、La、Ce的至少一種，特別優(yōu)選Gd。第4副成分(Mn、Cr、Co和Fe的氧化物)相對于主成分100摩爾的含量，按MnO、Cr203、Co304或Fe203換算優(yōu)選為0.5~1.5摩爾，更優(yōu)選為0.7~1.2摩爾。無論第4副成分的含量太少，還是太多，都存在絕緣電阻降低的傾向。另外，作為第4副成分，從改進特性效果大的觀點考慮，在上述各氧化物中優(yōu)選使用Mn的氧化物。第5副成分(Si、Al、Ge、B和Li的氧化物)相對于主成分100摩爾的含量，按Si02、A1203、Ge02、B203或Li20換算優(yōu)選為3.0~3.9摩爾。如果第5副成分的含量太少，則存在燒結性差的傾向；另一方面如果太多，則存在比介電常數(shù)降低的傾向。另外，作為第5副成分，從改進特性效果大的觀點考慮，在上述各氧化物中優(yōu)選使用Si的氧化物。電介質(zhì)粒子的結構本實施方案中在上述電介質(zhì)層2所含的電介質(zhì)粒子中至少一部分粒子形成如圖2所示的具有表面擴散結構的表面擴散粒子20，相鄰粒子之間存在結晶晶粒邊界22。表面擴散粒子20由含鈦酸鋇為主成分的中心層20a、和存在于中心層20a周圍并且鈦酸鋇以外的成分向鈦酸鋇中擴散的擴散層20b構成。中心層20a實質(zhì)上是由鈦酸鋇構成的，所以顯示鐵電特性。另一方面，擴散層20b中主要是作為上迷副成分添加的元素向鈦酸鋇中擴散(固溶體)，所以失去鐵電特性，而顯示順電特性。本實施方案中，對當擴散層20b中存在R元素時(本發(fā)明的第1觀點)的情況進行了說明，而當擴散層20b中存在Mg元素時(本發(fā)明的第2觀點)也是一樣的。電介質(zhì)粒子是否具有上迷表面擴散結構，例如，對于電介質(zhì)粒子，可以通過使用附設在透射式電子顯微鏡(TEM)上的能量色散型X射線分光裝置進行分析而判斷。具體是首先對于電介質(zhì)粒子，在通過該粒子的大致中心的直線上進行線分析，得到各元素的濃度分布。接著將直線轉(zhuǎn)90度對同一粒子再次進行線分析。并且從所得濃度分布，判斷例如是否存在副成分元素濃度急劇降低的區(qū)域，也就是判斷是否存在中心層20a。如杲使電介質(zhì)粒子為這樣的結構，則順電特性的擴散層20b存在于中心層20a的周圍，由此例如由于外加的直流電壓施加于介電常數(shù)低的擴散層20b上，所以可以抑制絕緣電阻降低。并且由于存在顯示鐵電性的中心層20a,所以還可以實現(xiàn)高的比介電常數(shù)。具有上述結構的表面擴散粒子20的存在比率，當構成電介質(zhì)層2的所有電介質(zhì)粒子的個數(shù)為100%時，其個數(shù)比率優(yōu)選為50~100%,更優(yōu)選為70~100%。在有關本發(fā)明的具有表面擴散結構的電介質(zhì)粒子中，關于R元素(R為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一種)，其特征是顯示高于擴散層20b界面附近點處濃度的部分存在于擴散層20b內(nèi)。另外，副成分元素R元素幾乎不向中心層20a擴散，所以中心層20a中R元素的濃度低于擴散層20b中的濃度。因此本發(fā)明中隨著從電介質(zhì)粒子的中心部位向其表面，R元素的濃度分布顯示山型分布。R元素，通過顯示這種特征的濃度分布，可以維持良好的比介電常數(shù)和電致伸縮量，并且可以改進高溫，例如在125。C下的容量溫度變化率。本實施方案中通過以下操作判斷R元素是否顯示山型濃度分布。如圖3(A)所示，對于上述具有表面擴散結構的電介質(zhì)粒子，在從該粒子的端部至大致中心，優(yōu)選在從粒子的端部到端部并通過該粒子大致中心的一條直線上，用附屬在TEM上的能量色散型X射線分光裝置進行線分析，測定線上各點的R元素濃度。這時，在界面附近點B和不同于界面附近點B的擴散層內(nèi)任意點X的至少兩個點上進行分析。界面附近點B,是在從結晶晶粒邊界向電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，位于距結晶晶粒邊界界面為該電介質(zhì)粒子粒徑5%距離處的點。擴散層內(nèi)的任意點Xl、X2.,.Xn(n為1以上)的R元素的濃度CR1、CR2.,.CRn(n為1以上)中對最大值CRmax和界面附近點B的R元素的濃度CR進行比較，如果CRmax大于CR，也就是如果CRmax/CR>l，則判斷R元素顯示山型的濃度分布。即使當CRmax以外的所有CRn都小于CR時，只要CRmax大于CR即可。任意點X如果在擴散層20b內(nèi)，則可以只是l個點，但優(yōu)選5個點以上。另外，優(yōu)選任意點X之中的1個點是擴散層20b和中心層20a的邊界點A。設邊界點A的R元素濃度為CRa，則優(yōu)選CRmax/CRa^1。進一步優(yōu)選CRmax/CRa〉1。優(yōu)選1.1蕓CRmax/CR^4.8。如果CRmax/CR太小，則存在容量溫度特性差的傾向。另外，如果CRmax/CR太大，則存在容量溫度特性差的傾向。當在從該粒子端部至大致中心的一條直線上進行上述線分析時，得到1個位置處的R元素濃度分布；當在從粒子的端部到端部并通過該粒子大致中心的一條直線上進行上迷線分析時，得到夾持粒子中心層的相對2處位置的R元素的濃度分布。本實施方案，優(yōu)選在從粒子的端部到端部并通過該粒子大致中心的一條直線上進行上迷線分析，然后轉(zhuǎn)90度再進行線分析。這時可以得到擴散層20b的4處位置的R元素濃度分布。在所得濃度分布之中只要有一處位置的R元素顯示山型濃度分布，則判斷該粒子中R元素顯示山型濃度分布。上述線分析，至少對10個，優(yōu)選對20個以上電介質(zhì)粒子進行。優(yōu)選同時進行R元素是否呈現(xiàn)山型濃度分布判斷以及是否具有上述表面擴散結構的判斷。在有關以往例子的具有表面擴散結構的電介質(zhì)粒子中如圖3(B)所示，通常從粒子的中心部或擴散層20b和中心層20a的邊界區(qū)域至擴散層20b的表面，擴散到擴散層20b的副成分元素，其濃度形成逐漸升高的結構。上述擴散層20b中R元素的山型濃度分布，后面將要說明，可以通過控制有沒有對副成分原料進行預燒結以及燒結條件等來控制R元素的擴散而實現(xiàn)。以上敘述了當R元素存在于擴散層20b中的情況，當擴散層20b中存在Mg元素時也是一樣的。也就是擴散層內(nèi)的任意點XI、X2,.,Xn(n為1以上)的Mg元素的濃度CM1、CM2…CMn(n為1以上)中對最大值CMmax和界面附近點B的Mg元素的濃度CM進行比較，當CMmax大于CM，也就是CMmax/CM>l時，可以提高IR壽命。Mg元素的濃度測定等與R元素的情況相同。電介質(zhì)層2中所含的電介質(zhì)粒子的平均粒徑，通過進行以下操作測定。也就是，在沿電介質(zhì)層2和內(nèi)部電極層3的疊層方向?qū)﹄娙萜髟黧wIO進行切割，測定其斷面中電介質(zhì)粒子的平均面積，作為圓等效直徑求出直徑，再乘以1.5倍的值。對于200個以上的電介質(zhì)粒子進行測定，從所得粒徑的累積頻率分布中以累積達到50%的值作為平均粒徑(單位pm)。本實施方案，平均粒徑可以根據(jù)電介質(zhì)層2的厚度等加以確定，優(yōu)選1.5pm以下。內(nèi)部電極層3對于內(nèi)部電極層3中所含的導電材料，沒有特別限定，但由于電介質(zhì)層2的構成材料具有耐還原性，所以可以使用比較便宜的賤金屬。作為導電材料使用的賤金屬，優(yōu)選Ni或Ni合金。作為Ni合金，優(yōu)選使用從Mn、Cr、Co和Al中選擇的1種以上元素與Ni的合金，合金中的Ni含量，優(yōu)選在95重量。/q以上。Ni或Ni合金中還可以含有0.1重量％左右以下的P等各種微量成分。另外，內(nèi)部電極層3還可以使用市面上出售的電極用糊形成。內(nèi)部電極層3的厚度，可以根據(jù)用途等進行適當確定。外部電極4對于外部電極4中所含的導電材料沒有特別限定，本發(fā)明中可以使用廉價的Ni、Cu以及它們的合金。外部電極4的厚度，可以根據(jù)用途等進行適當確定。疊層陶瓷電容器1的制造方法本實施方案的疊層陶資電容器1,與以往的疊層陶資電容器一樣，可以通過使用糊的一般印刷法和片材法制作生芯片，對它進行燒結后，印刷或轉(zhuǎn)印外部電極并進行燒結而制造。以下對其制造方法進行具體說明。首先準備電介質(zhì)層用糊中所含的電介質(zhì)原料(電介質(zhì)陶瓷組合物粉末)并對其進行涂料化，調(diào)制電介質(zhì)層用糊。電介質(zhì)層用糊，可以是對電介質(zhì)原料與有機連結料進行捏合的有機系涂料，也可以是水系涂料。作為電介質(zhì)原料，可以使用上述主成分和副成分氧化物或其混合物、復合氧化物，除此之外還可以從通過燒結將形成上述氧化物、復合氧化物的各種化合物，例如碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機金屬化合物等中進行適當選擇混合使用。電介質(zhì)原料中各化合物的含實現(xiàn)涂料化前的狀態(tài)下電介質(zhì)原料粒徑，通常平均粒徑在0.1~lpm左右。作為主成分原料的鈦酸鋇粉末，可以使用通過所謂固相法，以及各種液相法(例如草酸鹽法、水熱合成法、醇鹽法、溶膠凝膠法等)制造的粉末等，用各種方法制造的粉末。作為副成分的原料，可以將上述原料直接添加到主成分原料中作為電介質(zhì)原料，優(yōu)選預先只對副成分原料進行預燒結，再將預燒結后的原料添加到主成分原料中制成電介質(zhì)原料。所謂有機連結料，是將粘結劑溶解在有機溶劑中的物質(zhì)。對用于有機連結料的粘結劑沒有特別限定，可以從乙基纖維素、聚乙烯醇縮丁醛等通常的各種粘結劑中進行適當選擇。對于所用的有機溶劑也沒有特別限定，可以根據(jù)印刷法和片材法等所使用的方法，從碎品醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯等各種有機溶劑中進行適當選擇。另外，當使電介質(zhì)層用糊為水系涂料時，可以將水溶性的粘結劑和分散劑等溶解在水中的水系連結料與電介質(zhì)原料進行捏合。對用于水系連結料的水溶性粘結劑，沒有特別限定，例如可以使用聚乙烯醇、纖維素、水溶性丙烯酸樹脂等。內(nèi)部電極層用糊，通過對由上述各種導電性金屬或合金構成的導電材料或在燒結后將成為上述導電材料的各種氧化物、有機金屬化合物、樹脂酸鹽等與上述有機連結料進行捏合調(diào)制。作為外部電極用糊，可以進行與上述內(nèi)部電極層用糊相同的操作而調(diào)制。對于上述各糊中有機連結料的含量沒有特別限制，通常的含量，例如可以使粘結劑達到1~5重量％左右，使溶劑達到10~50重量％左右。另外，各糊中根據(jù)需要還可以含有從各種分散劑、增塑劑、電介質(zhì)、絕緣體等中選擇的添加物。它們的總含量優(yōu)選在10重量％以下。當使用印刷法時，在PET等基板上印刷疊層電介質(zhì)層用糊以及內(nèi)部電極層用糊，然后裁切成規(guī)定形狀后從基板剝離作為生芯片。當使用片材法時使用電介質(zhì)層用糊，形成生片，在其上面印刷內(nèi)部電極層用糊后，對它們進行疊層得到生芯片。在燒結前，對生芯片進行脫粘結劑處理。作為脫粘結劑的條件，升溫速度優(yōu)選為5300。C/小時，保溫溫度優(yōu)選為180~400°C,保溫時間優(yōu)選為0.5~24小時。燒結氣氛為空氣或還原性氣氛。生芯片的燒結，優(yōu)選使用還原性氣氛，作為氣氛氣體，例如可以加濕使用N2和H2的混合氣體。其它條件，優(yōu)選如下。首先升溫速度，優(yōu)選為50500'C/小時，更優(yōu)選200-400。C/小時。另外，在達到燒結時的保溫溫度之前，優(yōu)選變化升溫速度。例如達到800。C之前，為200。C/小時；800~IOO(TC期間，為300。C/小時;從訓0。C至保溫溫度，為40(TC/小時。燒結時的保溫溫度，優(yōu)選為1000~1400°C,更優(yōu)1200~1350°C;其保持時間，優(yōu)選為0.5~8小時，更優(yōu)選為1~3小時。如果保溫溫度低于上述范圍，則致密化不充分；如果超過前述范圍，則容易產(chǎn)生由內(nèi)部電極層的異常燒結而引起電極間斷、由內(nèi)部電極層構成材料擴散而引起的容量溫度特性差以及電介質(zhì)陶瓷組合物還原。燒結時的氧分壓，可以根據(jù)內(nèi)部電極層用糊中導電材料的種類進行適當確定。作為導電材料，使用Ni或Ni合金等賤金屬時，燒結氣氛中的氧分壓優(yōu)選為10—14~l(T1GMPa。如果氧分壓低于上述范圍，則有時內(nèi)部電極層的導電材料會引起異常燒結而產(chǎn)生間斷。另外，如果氧分壓超過前述范圍，則存在內(nèi)部電極層氧化的傾向。降溫速度，優(yōu)選為5050(TC/小時，更優(yōu)選200400'C/小時。對于降溫速度，與升溫速度一樣，達到室溫之前，優(yōu)選變化降溫速度。具體可以是例如從保溫溫度達到1000。C期間為400。C/小時，從1000°C~800°C,使其為300。C/小時，在800。C以下使其為200。C/小時。本實施方案，通過組合副成分原料粉末的添加量、對副成分原料有無進行預燒結、以及上述燒結條件的控制等，可以控制存在于擴散層20b內(nèi)特定副成分的擴散程度。結果對于R元素，可以得到具有滿足CRmax/CR〉1特征的濃度分布。對于Mg元素，也是同樣。在還原性氣氛中進行燒結后，優(yōu)選對電容器元件主體實施退火。退火，是為了對電介質(zhì)層進行再氧化的處理，通過該處理，可以明顯提高IR壽命，因此可靠性得以提高。退火氣氛中的氧分壓，優(yōu)選為10力~l(T5MPa。如果氧分壓低于前述范圍，則電介質(zhì)層難以再氧化；如果超過前述范圍，則存在內(nèi)部電極層氧化過度的傾向。退火時的保溫溫度，優(yōu)選在1100。C以下，特別優(yōu)選500~UOO。C。如果保溫溫度低于上述范圍，則電介質(zhì)層的氧化不充分，所以IR容易降低，另外IR壽命容易變短；另一方面，如果保溫溫度超過上述范圍，則不僅內(nèi)部電極層會氧化、電容降低，而且內(nèi)部電極層與電介質(zhì)基體反應，容易產(chǎn)生容量溫度特性差，IR降低，IR壽命降低。退火也可以只由升溫過程和降溫過程構成。也就是可以使保溫時間為零。這時保溫溫度與最高溫度的意義相同。除此之外的退火條件，保溫時間優(yōu)選為0~20小時，更優(yōu)選2~10小時，降溫速度優(yōu)選為50500。C/小時，更優(yōu)選為100-30(TC/小時。另外，作為退火的氣氛氣體，例如優(yōu)選使用加濕的N2氣體等。上述脫粘合劑處理、燒結和退火中對N2氣體和混合氣體等加濕，例如可以使用加濕器等。這時水溫優(yōu)選為5-75。C左右。脫粘合劑處理、燒結以及退火，既可以連續(xù)進行，也可以分別獨立進行。進行如上操作得到的電容器元件主體，例如通過鼓式拋光或噴砂法等實施端面研磨，涂布外部電極用糊、進行燒結，形成外部電極4。并且根據(jù)需要通過鍍敷等在外部電極4的表面形成被覆層。這樣制造的本實施方案的疊層陶瓷電容器，通過釬焊等安裝在印刷基板上等，用于各種電子設備等。以上對本發(fā)明的實施方案進行了說明，但本發(fā)明并不受上述實施方案的任何限定，在不脫離本發(fā)明基本思想的范圍內(nèi)，可以進行各種改變。例如在上述實施方案中作為有關本發(fā)明的電子部件列舉了疊層陶瓷電容器，但作為有關本發(fā)明的電子部件，并不限定于疊層陶瓷電容器，只要是具有上述結構的電介質(zhì)層的，可以是任意電子部件。上述實施方案中對R元素濃度滿足CRmax/CR〉1的情況進行了敘述，還可以控制上述各條件，使CRmax/CRH并且使CMmax/CM〉l。這樣可以使容量溫度變化率以及IR壽命兩方面的特性都良好。實施例以下根據(jù)詳細實施例對本發(fā)明進行進一步說明，但是本發(fā)明并不受這些實施例的限定。實施例1首先作為主成分原料準備BaTi03粉末，作為副成分原料準備BaZr03、MgC03、Gd203、MnO和Si02。接著在1000。C下只對上面準備的副成分原料進行預燒結。用球磨機對經(jīng)該預燒結后的原料和主成分原料進行15小時的濕式粉碎，進行干燥得到電介質(zhì)原料。相對于主成分BaTi03100摩爾，各副成分的添加量如表1所示。表1所示的量，是復合氧化物(第1副成分)或各氧化物(第1~第5副成分)換算的量。另外，第2副成分MgC03在燒結后作為MgO在電介質(zhì)陶資組合物中含有。接著用球磨機對所得電介質(zhì)原料100重量份、聚乙烯醇縮丁醛樹脂10重量份；作為增塑劑的鄰苯二曱酸二辛酯(DOP):5重量份；和作為溶劑的乙醇100重量份進行混合使其糊化，得到電介質(zhì)層用糊。另外用三輥機對Ni粒子44.6重量份；碎品醇52重量份；乙基纖維素3重量份；和苯并三唑0.4重量份進行捏合，糊化制作內(nèi)部電極層用糊。使用上面制作的電介質(zhì)層用糊，在PET薄膜上形成生片，使其干燥后的厚度達到3(Him。接著使用內(nèi)部電極層用糊在其上面印刷規(guī)定圖形的電極層。然后從PET薄膜上剝離片，制作具有電極層的生片。接著將多枚具有電極層的生片疊層，經(jīng)過加壓粘結，制成生疊層體，將該生疊層體裁切成規(guī)定尺寸，得到生芯片。接著對所得生芯片在下迷條件下進行脫粘結劑處理、燒結以及退火，得到疊層陶瓷燒結體。脫粘結劑處理條件，升溫速度25t7小時；保溫溫度260'C;保溫時間8小時；氣氛空氣中。燒結，升溫速度，達到80(TC之前200。C/小時；800°C~IOOO'C:300。C/小時;從1000。C到保溫溫度400。C/小時。另夕卜，保溫溫度1220~1320°C。降溫速度與升溫速度相同。另外，氣氛氣體使用加濕的N2+H2混合氣體，并使氧分壓達到l(T12MPa。退火條件，升溫速度200'C/小時；保溫溫度IOO(TC;保溫時間2小時；降溫速度200。C/小時；氣氛氣體加濕的Nz氣(氧分壓10-7MPa)。燒結以及退火時氣氛氣體的加濕，使用加濕器。接著用噴砂法對所得疊層陶瓷燒結體端面進行研磨后，作為外部電極涂布In-Ga,得到如圖1所示的疊層陶瓷電容器試樣。所得電容器試樣的尺寸為3,2mmxl.6mmx0.6mm、電介質(zhì)層厚度為20pm、內(nèi)部電極層的厚度為1.5nm,夾在內(nèi)部電極層中的電介質(zhì)層的數(shù)量為10。本實施例如表l所示，制作改變各副成分添加量的多個試樣。對于得到的各電容器試樣，用下面敘述的方法，測定擴散層中Gd元素的濃度。接著用下面所示的方法測定比介電常數(shù)(es)、容量溫度變化率以及施加電壓引起的電致伸縮量。擴散層中R元素的濃度測定對于各試樣，選擇任意10個表面擴散粒子，使用附設在透射式電子顯微鏡(TEM)上的能量色散型X射線分光裝置進行線分析，通過這種方法測定Gd元素在擴散層中的濃度分布。首先在從粒子的端部到端部并通過電介質(zhì)粒子大致中心的一條直線上進行線分析，然后轉(zhuǎn)90度對同一粒子進行線分析。這時，包括界面附近點以及擴散層與中心層的邊界點，對擴散層中的8個點進行分析。也就是界面附近點的Gd元素濃度為CR，在除上述2個邊界點之外的6個點中Gd元素濃度的最大值為CRmax。在擴散層中所得4處的Gd濃度分布之中即使當一處顯示山型濃度分布時，也判斷該粒子的Gd元素顯示山型濃度分布。把結果出示在表1中。表1中的(CRmax/CR)值，表示測定4處的(CRmax/CR)值中的最大值。對于各電容器試樣，進行上述測定，同時通過使用附設在透射式電子顯微鏡(TEM)上的能量色散型X射線分光裝置，進行線分析，測定電介質(zhì)粒子具有表面擴散結構的比率。結果表明所有試樣的該比率均在60%以上。比介電常數(shù)ES對于電容器試樣，在25'C下使用數(shù)字LCR儀(YHP公司制的4284A),輸入頻率lkHz、輸入信號水平(測定電壓)lVrms的信號，測定靜電容量C。并且根據(jù)電介質(zhì)層的厚度、有效電極面積、和測定結果得到的靜電容量C,計算出比介電常數(shù)es(無單位)。本實施例中以使用10個電容器試樣計算值的平均值作為比介電常數(shù)。優(yōu)選比介電常數(shù)高的電容器。把結果出示在表l中。容量溫度特性(TC)對于電容器試樣，測定其在125。C下的靜電容量，計算出相對于基準溫度(25°C)下靜電容量的變化率。優(yōu)選變化率小的電容器，并且優(yōu)選變化率在±25%以內(nèi)。把結果出示在表l中。由施加電壓引起的電致伸縮量首先用釬焊將電容器試樣安裝在印刷有規(guī)定圖形電極的玻璃環(huán)氧基板上進行固定。接著，對固定在基板上的電容器試樣，在AC:10Vrms4im、頻率3kHz條件下施加電壓，測定施加電壓時電容器試樣表面的振幅，以此作為電致伸縮量。電容器試樣表面的振幅測定，使用激光多普勒振動儀。另外，本實施例中使用10個電容器試樣測定值的平均值作為電致伸縮量。優(yōu)選電致伸縮量低的電容器，把結果出示在表1中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>CRmax表示擴散層中Gd濃度的最大值。CR表示在從結晶晶粒邊界向電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，位于距結晶晶粒邊界為該電介質(zhì)粒子粒徑5%距離處的界面附近點的Gd濃度。"*"表示本發(fā)明的比較例。圖4示出1號試樣電介質(zhì)粒子的TEM照片。從TEM照片可以確認在電介質(zhì)粒子中存在中心層和包圍其周圍的擴散層。圖5中還示出有關1號、5號和6號試樣的表面擴散粒子中Gd元素的濃度分布曲線。根據(jù)表1可以確認，對于Gd元素的CRmax/CR大于1的試樣(1號~4號試樣)，其比介電常數(shù)和電致伸縮量良好，并且可以使在125。C下的容量溫度變化率保持良好。另一方面，對于CRmax/CR小于1的試樣(5號~8號試樣)，其在125。C下的容量溫度變化率差。另外，根據(jù)圖5還可以從視覺上確認1號試樣(實施例)滿足CRmax/CR>l的關系，5號、6號試樣(比較例)在本發(fā)明范圍以外。還可以確認在1號試樣中如果設中心層和擴散層邊界點A處Gd元素的濃度為CRa，則CRa<CR<CRmax。圖5所示的1號、5號以及6號試樣的濃度分布測定，是選擇中心層和擴散層厚度相同的電介質(zhì)粒子進行的。實施例2使各副成分的含量為表2所示的量，除此之外，進行與實施例l相同的操作，制作電容器試樣，并進行與實施例l相同的特性評價。把結果出示在表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>CRmax表示擴散層中Gd濃度的最大值，CR表示在從結晶晶粒邊界向電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，位于距結晶晶粒邊界為該電介質(zhì)粒子粒徑5%距離處的界面附近點中的Gd濃度。"**"表示本發(fā)明優(yōu)選范圍以外的試樣。根據(jù)表2可以確認，當變化各副成分的含量時，通過使各副成分的含量在本發(fā)明的優(yōu)選范圍之內(nèi)，可以維持比介電常數(shù)和電致伸縮量，并且可以使125。C下的容量溫度變化率更良好。與此相反，各副成分含量在本發(fā)明范圍以外的試樣，存在容量溫度變化率有些差的傾向。實施例3以R元素為表3所示的元素，替代第3副成分的Gd,使各副成分的含量為表3所示的量，除此之外，進行與實施例1相同的操作，制作電容器試樣，并進行與實施例l相同的特性評價。把結果出示在表3中。CRmax表示擴散層中R元素濃度的最大值，CR表示在從結晶晶粒邊界向電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，位于距結晶晶粒邊界為該電介質(zhì)粒子粒徑5%距離處的界面附近點的R元素濃度。根據(jù)表3可以確認即使變化第3副成分R元素時，通過使CRmax/CR大于l,顯示與使用Gd時相同的特性。實施例421ill<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>COCOCO使各副成分的含量為表4所示的量，變化Mg元素的濃度，除此之外，進行與實施例l相同的操作，制作電容器試樣，并對比介電常數(shù)、電致伸縮量以及IR壽命進行特性評價。把結果出示在表4中。擴散層中Mg元素的濃度，通過與實施例l的測定R元素相同的方法測定，IR壽命，通過以下方法進行評價。IR壽命對于電容器試樣，在200。C、40V/nm電場下保持施加直流電壓的狀態(tài)，測定壽命時間，評價IR壽命。本實施例中把開始施加電壓至絕緣電阻降低1個數(shù)量級的時間定義為壽命。另外，該IR壽命的評價，對10個電容器試樣進行評價。評價標準，把20小時以上的定為良好。把結果出示在表4中。表4試樣編號副成分特性第1第2第3第4第5Mg比介電常數(shù)IR壽命[h〕電致伸縮量[ppm〕BaZr03[mol]MgO&~。Si02[ntol]OM隨/CM5110.25.55.01.23.02.48852232529.83.84.90.93.3"87821315311.63.35.40.83.22.288，21295410.43.55.21.03.24.08672029*5512.04.84.61.03.6876305610,54.54.70.93.188431豐5710.94.65.11,02,8咖32化8，1.14.24.80.93,1A3873732CMmax表示擴散層中Mg濃度的最大值。CM表示在從結晶晶粒邊界向電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，位于距結晶晶粒邊界為該電介質(zhì)粒子粒徑5%距離處的界面附近點的Mg濃度，"*"表示本發(fā)明的比較例。圖6表示有關51號、55號、56號試樣的表面擴散粒子中Mg元素濃度分布的曲線。根據(jù)表4可以確認，對于Mg元素的CMmax/CM大于1的試樣(51~54號試樣)，其比介電常數(shù)和電致伸縮量良好，并且還可以使IR壽命良好。另一方面，CMmax/CM小于1的試樣(55~58號試樣)，其IR壽命差。另外，根據(jù)圖6還可以從視覺上確認51號試樣(實施例)滿22足CMmax/CM〉1的關系，55號和56號試樣(比較例)在本發(fā)明的范圍之外。還可以確認51號試樣中設中心層和擴散層邊界點A處Mg元素的濃度為CMa，貝'JCMa<CM<CMmax。關于圖6所示的51號、55號以及56號試樣的濃度分布測定，選擇中心層和擴散層厚度相同的電介質(zhì)粒子進行。實施例5使各副成分的含量為表5所示的量，除此之外，進行與實施例4相同的操作，制作電容器試樣，并進行與實施例4相同的特性評價。把結果出示在表5中。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>CMmax表示擴散層中Mg濃度的最大值。CM表示在從結晶晶粒邊界向電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，位于距結晶晶粒邊界為該電介質(zhì)粒子粒徑5%距離處的界面附近點的Mg濃度。"**"表示本發(fā)明優(yōu)選范圍以外的試樣。根據(jù)表5可以確認當變化各副成分的含量時，通過使各副成分的含量在本發(fā)明的優(yōu)選范圍之內(nèi)，可以維持比介電常數(shù)和電致伸縮量，并且進一步使IR壽命良好；與此相反，各副成分含量在本發(fā)明范圍之外的試樣，存在IR壽命有些差的傾向。實施例6對于實施例1的1~4號試樣，使用不同于實施例1的燒結條件，不僅控制Gd的擴散，還控制第2副成分中所含Mg的擴散。在其它方面進行與實施例1的1~4號試樣相同的操作，制作電容器試樣，并進行與實施例1相同的特性評價，除此之外，還進行與實施例4相同的操作，進行IR壽命測定。把結果出示在表6中。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>CRmax表示擴散層中Gd濃度的最大值，CMmax表示擴散層中Mg濃度的最大值。CR表示在從結晶晶粒邊界向電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，位于距結晶晶粒邊界為該電介質(zhì)粒子粒徑5%距離處的界面附近點的Gd濃度。CM表示在從結晶晶粒邊界向電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，位于距結晶晶粒邊界為該電介質(zhì)粒子粒徑5%距離處的界面附近點的Mg濃度。根據(jù)表6可以確認通過控制Gd和Mg的擴散，可以使Gd和Mg的濃度分布滿足CRmax/CR〉1,且CMmax/CM〉1的條件。由此，101~104號試樣，除了1~4號試樣所顯示的良好特性之外，可以使IR壽命更良好。權利要求1.電介質(zhì)陶瓷組合物，它含有含鈦酸鋇的主成分；含BaZrO3的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含R氧化物的第3副成分，其中R為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一種；含選自Mn、Cr、Co和Fe中至少一種元素的氧化物的第4副成分；和含選自Si、Al、Ge、B和Li中至少一種元素的氧化物的第5副成分，其中前述電介質(zhì)陶瓷組合物具有多個電介質(zhì)粒子和存在于相鄰的前述電介質(zhì)粒子之間的結晶晶粒邊界；前述多個電介質(zhì)粒子之中至少有一部分電介質(zhì)粒子具有由中心層和存在于前述中心層周圍并且前述副成分擴散著的擴散層構成的表面擴散結構；在具有前述表面擴散結構的電介質(zhì)粒子中，設在從前述結晶晶粒邊界向前述電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，在位于距前述結晶晶粒邊界界面為該電介質(zhì)粒子粒徑5％距離處的界面附近點的前述R的濃度為CR，設前述擴散層中前述R濃度的最大值為CRmax時，滿足CRmax/CR＞1的關系。2.根據(jù)權利要求1中所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，滿足CRmax/CR>1關系的電介質(zhì)粒子相對于具有前述表面擴散結構的所有電介質(zhì)粒子的存在比率為70%以上。3.電介質(zhì)陶資組合物，它含有含鈦酸鋇的主成分；含BaZr03的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含R氧化物的第3副成分，其中R為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一種；含選自Mn、Cr、Co和Fe中至少一種元素的氧化物的第4副成分；和含選自Si、A、Ge、B和Li中至少一種元素的氧化物的第5副成分，其中前述電介質(zhì)陶瓷組合物具有多個電介質(zhì)粒子和存在于相鄰的前迷電介質(zhì)粒子之間的結晶晶粒邊界；前述多個電介質(zhì)粒子之中至少有一部分電介質(zhì)粒子具有由中心層和存在于前述中心層周圍并且前述副成分擴散著的擴散層構成的表面擴散結構；在具有前述表面擴散結構的電介質(zhì)粒子中，設在從前迷結晶晶粒邊界向前述電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，在位于距前述結晶晶粒邊界界面為該電介質(zhì)粒子粒徑5。/。距離處的界面附近點的前迷Mg濃度為CM,設前述擴散層中前述Mg濃度的最大值為CMmax時，滿足CMmax/CM>l的關系。4.根據(jù)權利要求3中所述的電介質(zhì)陶乾組合物，其中，滿足CMmax/CM〉l關系的電介質(zhì)粒子相對于具有前述表面擴散結構的所有電介質(zhì)粒子的存在比率為70%以上。5.根據(jù)權利要求1或3中所述的電介質(zhì)陶究組合物，其中，相對于前述主成分100摩爾，各副成分按氧化物或復合氧化物換算的比率為第1副成分9~13摩爾；第2副成分2.7~5.7摩爾；第3副成分4.5~5.5摩爾；第4副成分0.5~1.5摩爾；和第5副成分3.0~3.9摩爾。6.電子部件，它是具有電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層的電子部件，其特征是前述電介質(zhì)層由權利要求1或3中所述的電介質(zhì)陶資組合物構成。7.根據(jù)權利要求1中所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，在具有前述表面擴散結構的電介質(zhì)粒子中，設在從前述結晶晶粒邊界向前述電介質(zhì)粒子大致中心的方向上，在位于距前述結晶晶粒邊界界面為該電介質(zhì)粒子粒徑5%距離處的界面附近點的前迷R和Mg的濃度分別為CR和CM;設前述擴散層中前述R和Mg濃度的最大值分別為CRmax和CMmax時，CRmax/CR>l,并且CMmax/CM〉1。全文摘要電介質(zhì)陶瓷組合物，它是含有含BaTiO₃的主成分；含BaZrO₃的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含稀土類元素氧化物的第3副成分；含選自Mn、Cr、Co和Fe中一種以上元素的氧化物的第4副成分；和含選自Si、Al、Ge、B和Li中一種以上元素的氧化物的第5副成分的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中在構成電介質(zhì)陶瓷組合物的電介質(zhì)粒子之中至少有一部分電介質(zhì)粒子具有由中心層和存在于其周圍的擴散層構成的表面擴散結構。設在電介質(zhì)粒子界面附近R濃度為CR，設擴散層中R濃度的最大值為CRmax時，CRmax/CR＞1。另外，設在電介質(zhì)粒子界面附近的Mg濃度為CM，設擴散層中Mg濃度的最大值為CMmax時，CMmax/CM＞1。文檔編號H01B3/12GK101265087SQ20081008234公開日2008年9月17日申請日期2008年2月29日優(yōu)先權日2007年3月14日發(fā)明者宮內(nèi)真理,小島隆,森崎信人,櫻井彈,細野雅和,阿滿三四郎,高野弘介申請人:Tdk株式會社