專利名稱：等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在被處理基板上實施等離子體處理的技術(shù)，特別是涉 及把高頻提供給電極生成等離子體的方式的等離子體處理技術(shù)。本發(fā) 明涉及用于制造半導體器件的半導體處理中的等離子體處理技術(shù)。其 中所謂的半導體處理是指通過在半導體晶片和LCD(Liquid crystal display:液晶顯示器)和FPD (Flat Panel Display:平面顯示器)等用的玻 璃基板等的被處理基板上，用規(guī)定的圖案形成半導體層、絕緣層、導 電層等，實施用于在此被處理基板上制造半導體器件、或包括連接半 導體器件的配線、電極等結(jié)構(gòu)件的各種處理。
背景技術(shù)：
在半導體器件和FPD的制造工藝中的蝕刻、堆積、氧化、濺射等 處理中，為了在處理氣體中在比較低的溫度下進行良好的反應，大多 使用等離子體。在單片式等離子體處理裝置中，電容耦合型的平行平 板等離子體處理裝置是主要使用的裝置。一般在電容結(jié)合型的平行平板等離子體處理裝置中，在可以減壓 的處理容器或反應室內(nèi)平行配置上部電極和下部電極。下部電極接地， 在它的上面放置被處理基板(半導體晶片、玻璃基板等)。通過匹配 器向上部電極和/或下部電極提供高頻電壓。與此同時用設在上部電極 的澆淋頭噴射處理氣體。用在上部電極和下部電極之間形成的電場加 速電子，通過電子和處理氣體的沖撞電離生成等離子體。然后利用等 離子體中的中性自由基和離子等對基板表面進行規(guī)定的微細加工。其 中兩個電極起到電容器的作用。最近隨著在制造工藝中的設計規(guī)則的細化，在等離子體處理中要 求在低壓下生成高密度的等離子體。因此在上述電容結(jié)合型的平行平 板等離子體處理裝置中，變成對上部電極提供比現(xiàn)有(一般為小于或等于27MHz)高得多的高頻區(qū)域(例如大于或等于50MHz)的高頻。可是如提供給上部電極的高頻的頻率變高，從高頻電源通過供電棒提 供給電極背面的高頻由于集膚效應在電極表面?zhèn)鬏?，集中在電極下面 (等離子體接觸面)的中央部分。因此電極下面的中央部分的電場強 度變得比外圍部分的電場強度高，生成的等離子體的密度也是電極中 央部分比電極外圍部分高。此外由于等離子體在半徑方向從高密度空 間向低密度空間擴散，等離子體密度越來越變成在電極中央部分相對 高、在電極外圍部分相對低的分布。為了消除此問題，大家知道用高電阻部件構(gòu)成上部電極的下面中央部分(例如參照特開2000 - 323456號公報)。在此技術(shù)中用高電阻 部件構(gòu)成上部電極的下面中央部分，在那里以焦爾熱消耗更多的高頻 電力。這樣使上部電極的下面(等離子體接觸面)的電場強度與電極 外圍相比在電極中央部分相對降低。來修正上述的等離子體密度的不 均勻性。可是在用高電阻部件構(gòu)成上部電極的下面中央部分的結(jié)構(gòu)中，存 在有用焦爾熱消耗高頻電力(能量損失)變多的可能性。此外RF頻率 越高，構(gòu)成對上部電極供電線的供電棒等的感應性電抗成分的影響越 大。因此在供電線到上部電極的不確定部位之間產(chǎn)生共振點，在此共 振點附近有可能出現(xiàn)異常的大電流流動。此外在最近的等離子體處理裝置中，上部電極有多個氣體通氣孔， 大多同時用作為從這些通氣孔把處理氣體向下部電極噴射的所謂的澆 淋頭。這樣的澆淋頭兼用型上部電極由于受到來自等離子體的離子的 攻擊而被濺射，作為消耗品使用。特別是由于氣體通氣孔的出口 (角 部)使電場集中，容易濺射。如氣體出口被切削，氣體擴展成喇叭形， 不能穩(wěn)定地生成等離子體。因此氣體出口的濺射進行程度(擴展的情 況)成為電極壽命的指標。如在這樣的澆淋頭結(jié)構(gòu)的上部電極上要實 現(xiàn)上述的等離子體的高密度化，電極壽命有可能越來越短。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供使生成等離子體的高頻傳輸效率提高的等離 子體處理裝置和方法。本發(fā)明的另一個目的是提供容易實現(xiàn)等離子體密度均勻化的等離 子體處理裝置和方法。本發(fā)明的另外的目的是提供可以延長生成等離子體用的高頻的高 頻電極的壽命的等離子體處理裝置和方法、以及等離子體處理裝置的 電極板。本發(fā)明的第一個技術(shù)方案是在等離子體處理裝置中具有 可以設定成有真空氣氛的處理容器；配置成面對在上述處理容器內(nèi)規(guī)定位置處配置的被處理基板并成 環(huán)狀的第一上部電極；在上述第一上部電極的半徑方向內(nèi)側(cè)以與其電絕緣狀態(tài)配置的第 二上部電極；向上述處理容器內(nèi)提供處理氣體的處理氣體供給部； 輸出第一高頻的第一高頻電源；把來自上述第一高頻電源的上述第一高頻以第一功率值提供給上 述第一上部電極的第一供電部；把來自上述第一高頻電源的上述第一高頻從上述第一供電部分 出，以比上述第一功率值小的第二功率值提供給上述第二上部電極的 第二供電部。本發(fā)明的第二個技術(shù)方案是在等離子體處理方法中具有 在可以設置成有真空氣氛的處理容器內(nèi)把被處理基板配置在規(guī)定 位置的工序；以第一功率值通過第一供電部，向在上述處理容器內(nèi)與上述基板 對向地環(huán)狀配置的第一上部電極提供來自第一高頻電源的第一高頻的 工序；在向上述第一上部電極提供上述第一高頻的同時，在上述第一上 部電極的半徑方向內(nèi)側(cè)以與其電絕緣狀態(tài)配置的第二上部電極上，以 比上述第一功率值小的第二功率值，通過從上述第一供電部分出的第 二供電部，向上述第二上部電極提供來自上述第一高頻電源的上述第一高頻的工序；在向上述第一和第二上部電極提供上述第一高頻的同時，向上述 處理容器內(nèi)提供規(guī)定的氣體，在上述第一和第二上部電極的正下方附 近把所述處理氣體等離子體化的工序；用上述等離子體在上述基板上實施規(guī)定的等離子體處理的工序。本發(fā)明的第三個技術(shù)方案是在等離子體處理裝置的處理容器中， 以與放置在規(guī)定位置上的被處理基板相面對的方式設置的、用于生成 等離子體的電極板，具有環(huán)狀的第一上部電極；和在上述第一上部電極的半徑方向內(nèi)側(cè)以與其電絕緣狀態(tài)配置的第 二上部電極，來自高頻電源的高頻通過第一供電部，提供給上述第一上部電極， 同時通過從上述第一供電部分出的第二供電部，提供給上述第二上部電極。如采用上述的第一至第三技術(shù)方案，主要在配置在外側(cè)的環(huán)狀的 第一上部電極的正下方生成等離子體。生成的等離子體主要在內(nèi)側(cè)或 中心一側(cè)擴散，這樣等離子體的密度在半徑方向被均勻化。用這樣得 到的等離子體在基板(例如支撐在下部電極上)的被處理面進行規(guī)定 的處理。通過適當調(diào)整相對基板的第一上部電極的尺寸、與下部電極 的電極間距離、等離子體生成率等，當然更可以實現(xiàn)等離子體密度的 均勻化。第一上部電極的材質(zhì)優(yōu)選的是對于來自第一高頻電源的第一高頻 電壓，電壓降低或功率損失小的低電阻的導電體或半導體。此外在與 基板栢面對—的面上，第一上部電極酌平面面積優(yōu)選的是選擇是第二上部電極的面積的大約1/4倍 約1倍。為了有效地向第一上部電極提供來自第一高頻電源的第一高頻， 設置有第一供電部。此第一供電部具有在圓周方向上連續(xù)地連接在第 一上部電極上的第一筒形導電部件。這種情況下，為了使第一筒形導 電部件成為同軸線路的波導路，優(yōu)選的是在它的半徑方向外側(cè)設置連 接接地電位的第二筒形導電部件。此第二筒形導電部件可以與處理容器構(gòu)成一體。為了更正確地進行等離子體密度的均勻化，在處理容器內(nèi)面對被 處理基板，在第一上部電極的半徑方向內(nèi)側(cè)進行絕緣，設置第二上部 電極。通過從第一供電部分出的第二供電部，把來自第一高頻電源的 第一高頻電壓提供給第二上部電極，在第二上部電極的正下方附近也 把處理氣體等離子體化。由于把用此第二上部電極生成等離子體作為 輔助的方式，所以第二供電部的結(jié)構(gòu)優(yōu)選的是，在從分支的部位到第 一上部電極的區(qū)間中的第一供電部的電感比第二供電部的電感小。優(yōu)選的是在第二供電部設置可變的電容器。通過調(diào)整此可變電容 器的電容，可以自由地在一定條件(P,>P2)下控制第一上部電極附近 的電場強度或功率的投入量(P。和第二上部電極附近的電場強度或 功率的投入量(P2)的比例(Pl: P2)。這樣可以自由地控制第一上部 電極附近的等離子體生成量(或生成率)和第二上部電極附近的等離 子體生成量(或生成率)的比例。也可以把第一高頻電源的輸出阻抗和負荷阻抗用第一匹配器匹 配。優(yōu)選的是從第一匹配器的輸出端子使第一高頻電壓分支成第一供 電部和第二供電部，可以并聯(lián)提供給第一上部電極和上述第二上部電 極。這種情況下，通過使相對從第一匹配器的輸出端子看的第一高頻 電源的負荷阻抗的電抗成為電容性，可以避免在構(gòu)成負荷電路的波導 路內(nèi)產(chǎn)生共振點。此外在采用澆淋頭方式的情況下，優(yōu)選的是從被處理基板一側(cè)看 在第二上部電極的上方(背面部分或背后)，可以設置用于導入來自 處理氣體供給部的處理氣體的氣體導入室。這種情況下，在第二上部 電極上可以形成用于從氣體導入室向下部電極噴出處理氣體的多個通 氣孔。如上所述，由于主要依靠第一上部電極生成等離子體，第二上 部電極受到來自等離子體離子的攻擊少，因此即使是兼作澆淋頭使用， 也可以延長電極壽命。優(yōu)選的是把上述氣體導入室用環(huán)狀隔板部件分 割成內(nèi)側(cè)的中心氣體室和外側(cè)的外圍氣體室，可以按規(guī)定比例向中心 氣體室和外圍氣體室導入處理氣體。這樣可以任意調(diào)整中心部和外圍部噴出氣體流量的比例，可以控制在半徑方向的氣體分子或自由基密 度的空間分布。把這樣控制自由基密度分布的功能和控制上述第一上 部電極和第二上部電極之間生成等離子體比例而控制等離子體密度的功能進行組合，也可以實現(xiàn)使等離子體處理最佳化。在第二供電部周圍導體部件優(yōu)選的是流過為了使第二供電部的電 感變小的感應電流的導體部件。這種情況下，通過使第二供電部的電 感變小，可以提高上述由可變電容器造成的的第一和第二上部電極之 間的電場強度或投入功率平衡調(diào)整的幅度。為了提高降低電感的效果， 優(yōu)選的是把此導體部件配置成包圍第二供電部件的四周的環(huán)狀，而且 配置成比第一供電部更靠向半徑方向內(nèi)側(cè)。第一供電電極可以具有比第二上部電極的下面向下突出的突出部 分。利用此第一上部電極上的突出部分，通過對于等離子體生成空間 產(chǎn)生從周邊一側(cè)向半徑方向內(nèi)側(cè)的電場，把等離子體封閉，可以有效 地實現(xiàn)提高等離子體密度和使其均勻化。特別是在第一上部電極上的 突出部分的突出量和在半徑方向上的與基板的相對位置關(guān)系，是影響 等離子體密度的空間分布特性的重要因素。優(yōu)選的是可以把突出部分的突出量設定在小于或等于25mm。優(yōu)選的是突出部分的內(nèi)徑部分配置 成在半徑方向外側(cè)距離基板外圍端部24mm 30mm的位置?？梢栽诘谝簧喜侩姌O下面設置密封部件。如上所述，在第一上部 電極上設置突出部分的情況下，可以以覆蓋此突出部分的下面的方式 配置密封部件。如采用此密封部件，在生成等離子體空間的外側(cè)，隔 斷或封住第一上部電極附近的高頻放電路徑，可以控制在它的正下方 的等離子體生成。這樣更進一步提高把等離子體封閉在基板正上方的 效果，同時可以有效地防止不希望的重合膜向處理容器上堆積。第二上部電極通過至少流過直流的低通濾波器，可以與接地電位 進行電連接。此低通濾波器具有用于調(diào)節(jié)在第二上部電極上生成的直 流電位的電阻。在用可變電阻器構(gòu)成此電阻的情況下，優(yōu)選的是根據(jù) 提供給第一和第二的上部電極的整體的高頻功率值可以改變它的電阻 值。此外把第二上部電極通過可變直流電源接在地線上，也可以用電 源電壓直接控制第二上部電極的直流電位。如采用上述的第一至第三觀點的方式，可以提高提供給上部電極 的生成等離子體用高頻的傳輸效率。如采用其他方式，容易實現(xiàn)等離 子體密度的均勻化。如再采用其他方式，可以延長生成等離子體用的 提供高頻的高頻電極的壽命。


圖1為表示本發(fā)明的第1實施方式中的等離子體蝕刻裝置的縱截 面圖。圖2為表示圖1所示的等離子體蝕刻裝置主要部分的局部放大截 面圖。圖3為表示第1實施方式中的等離子體生成裝置的主要部分的等 效電路的電路圖。圖4為表示第1實施方式中的利用調(diào)整電場強度平衡功能的電場 強度(相對值)分布特性的圖。圖5為表示第1實施方式中的利用調(diào)整電場強度平衡功能的電場 強度(相對值)比例特性的圖。圖6A和圖6B為表示第1實施方式中的電子密度的空間分布特性 的圖。圖7A和圖7B為表示第1實施方式中的蝕刻速率的空間分布特性 的圖。圖8為表示本發(fā)明的第2實施方式中的等離子體蝕刻裝置的截面圖。圖9 A和圖9B為表示第2實施方式中的蝕刻速率的空間分布特性 的圖。圖IOA和圖10B為表示第2實施方式中的蝕刻速率的空間分布特 性的圖。圖11為表示第2實施方式中的可變電容器內(nèi)側(cè)投入功率特性的圖。圖12為表示第2實施方式中的等離子體生成用的高頻供電電路的 等效電路的電路圖。圖13為表示在第2實施方式中設置在上部供電棒周圍的導體部件 的作用的圖。圖14為表示在第2實施方式中得到的可變電容器底部本身偏置電 壓特性的圖。圖15 A和圖15B為表示第2實施方式中的低通濾波器電路結(jié)構(gòu)的圖。圖16為表示第2實施方式中的低通濾波器內(nèi)的電阻的作用的圖。圖17為表示第2實施方式中的低通濾波器內(nèi)的電阻值最佳范圍的圖。圖18為表示第2實施方式的等離子體蝕刻裝置的主要部分的縱截 面圖。圖19A 圖19E為表示把第2實施方式中的上部電極突出部分的 內(nèi)徑和突出量作為參數(shù)的電子密度空間分布特性的圖。圖20 A和圖20B為表示把第2實施方式中的上部電極突出部分的 內(nèi)徑和突出量作為二維參數(shù)的電子密度均勻性的特性曲線的圖。圖21為表示本發(fā)明的第3實施方式的等離子體蝕刻裝置的主要部 分的縱截面圖。圖22 A和圖22B為表示用于證實第3實施方式中的密封部件的作 用的電子密度的空間分布特性的圖。圖23為把表示本發(fā)明的第4實施方式中的內(nèi)側(cè)/外側(cè)投入功率比作 為參數(shù)的電子密度的空間分布特性的圖。圖24為把表示本發(fā)明的第4實施方式中的內(nèi)側(cè)/外側(cè)投入功率比作 為參數(shù)的重合膜堆積速度的空間分布特性的圖。圖25為把表示本發(fā)明的第4實施方式中的內(nèi)側(cè)/外側(cè)投入功率比作 為參數(shù)的蝕刻深度的空間分布特性的圖。圖26為表示把本發(fā)明的第5實施方式中的中心/周邊氣體流量比作 為參數(shù)的CF2自由基密度的空間分布特性的圖。圖27為表示把第5實施方式中的中心/周邊氣體流量比作為參數(shù)的 Ar自由基密度的空間分布特性的圖。圖28為表示把第5實施方式中的中心/周邊氣體流量比作為參數(shù)的 N2自由基密度的空間分布特性的圖。圖29為表示把第5實施方式中的中心/周邊氣體流量比作為參數(shù)的 SiF4反應生成物的空間分布特性的圖。圖30為表示把第5實施方式中的中心/周邊氣體流量比作為參數(shù)的 CO反應生成物的空間分布特性的圖。圖31為表示第5實施方式的模擬中的自由基生成(離解)的結(jié)構(gòu)的圖。圖32A 圖32C為表示本發(fā)明的第6實施方式中的BARC蝕刻的 評價模型和測定數(shù)據(jù)的圖。圖33A 圖33C為表示本發(fā)明的第7實施方式中的Si02蝕刻的評 價模型和測定數(shù)據(jù)的圖。圖34為用圖表示的等離子體密度分布和自由基密度分布的兩個系 統(tǒng)獨立控制的適用例子的圖。
具體實施方式
下面參照圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。在下面的說明中，具 有大體相同功能和結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)要素采用相同的符號，僅在必要的情況 下進行重復的說明。 (第1實施方式)圖1為表示本發(fā)明的第1實施方式中的等離子體蝕刻裝置的縱截 面圖。此等離子體蝕刻裝置的結(jié)構(gòu)為電容結(jié)合型平行平板等離子體蝕 刻裝置。此裝置具有例如由表面進行鋁陽極化處理(陽極氧化處理) 的鋁構(gòu)成的圓筒形的腔體(處理容器)10。腔體10為保證安全被接地。圓柱形的基座支撐臺14通過陶瓷板等絕緣板12配置在腔體10的 底部。在基座支撐臺14上例如配置由鋁構(gòu)成的基座16?；?6構(gòu)成 下部電極，作為被處理基板例如半導體晶片W放置在它上面。在基座16的上面配置有用靜電吸附力保持半導體晶片W的靜電 吸盤18。靜電吸盤18是把由導電膜構(gòu)成的電極20夾在一對絕緣層或 絕緣片之間的。直流電源22與電極20進行電連接。利用來自直流電 源22的直流電壓，半導體晶片W被用庫侖力吸附保持在靜電吸盤18 上。在靜電吸盤18的周圍在基座16的上面上，為了提高蝕刻的均勻 性，例如配置由硅構(gòu)成的聚焦環(huán)24。在基座16和基座支撐臺14的側(cè) 面，粘貼例如由石英構(gòu)成的圓筒形的內(nèi)壁部件26。在基座支撐臺14的內(nèi)部，配置例如在圓周方向延伸的冷卻介質(zhì)室 28。在冷卻介質(zhì)室28中利用裝在外面的冷機設備(圖中沒有表示)通 過配管30a、 30b循環(huán)提供規(guī)定溫度的冷卻介質(zhì)，例如冷卻水。用冷卻 介質(zhì)的溫度可以控制基座16上的半導體晶片W的處理溫度。此外從傳熱氣體供給機構(gòu)(圖中沒有表示)來的傳熱氣體例如He氣，通過氣 體供給管線32提供到靜電吸盤18的上面和半導體晶片W的背面之間。 上部電極34被配置成在基座16的上方與此基座平行并與其面對。 兩個電極16、 34之間的空間是等離子體生成空間。上部電極34形成 與基座(下部電極)16上的半導體晶片W相面對并與等離子體生成空 間接觸的面，也就是形成對向面。上部電極34由環(huán)形或圈餅形外側(cè) (outer)上部電極36和圓板形內(nèi)側(cè)(inner)上部電極38構(gòu)成，外側(cè) (outer)上部電極36是被配置成與基座16相隔規(guī)定間隔，內(nèi)側(cè)(inner) 上部電極38是被配置成與外側(cè)上部電極36的半徑方向內(nèi)側(cè)絕緣。這 些所謂的外側(cè)上部電極36和內(nèi)側(cè)上部電極38關(guān)于等離子體生成具有 以前者(36)為主、后者(38)為輔的關(guān)系。圖2為表示圖1所示的等離子體蝕刻裝置主要部分的局部放大截 面圖。如圖2所示，在外側(cè)上部電極36和內(nèi)側(cè)上部電極38之間形成 例如0.25 2.0mm的環(huán)形空隙(間隙)，在此空隙中設置例如由石英 構(gòu)成的介電體40。也可以在此空隙中設置陶瓷96。把介電體40夾在 兩個電極36、 38之間形成電容器。此電容器的電容d。根據(jù)此空隙的 尺寸和介電體40的介電率選定或調(diào)整到規(guī)定值。在外側(cè)上部電極36 和腔體10的側(cè)壁之間，例如由氧化鋁(A1203)構(gòu)成的環(huán)形的絕緣性遮 擋部件42被安裝成氣體密封狀態(tài)。外側(cè)上部電極36優(yōu)選的是由焦爾熱少的低電阻的導電體或半導體 例如硅構(gòu)成。第一高頻電源52通過匹配器44、上部供電棒46、連接 器48和供電筒50，與外側(cè)上部電極36進行電連接。第一高頻電源52 輸出13.5MHz以上的頻率的高頻電壓，例如60MHz的高頻電壓。匹配 器44是用于使負荷阻抗和高頻電源52內(nèi)部(或輸出)阻抗匹配的設 備。匹配器44具有在腔體10內(nèi)生成等離子體時，使高頻電源52的輸 出阻抗和負荷阻抗表觀上一致的功能。匹配器44的輸出端子被連接在 上部供電棒46的上端。供電筒50是由圓筒形或圓錐形或與其接近形狀的導電板構(gòu)成，例 如由鋁板或鋼板構(gòu)成。供電筒50的下端在圓周方向連續(xù)連接在外側(cè)上 部電極36上。供電筒50的上端用連接器48與上部供電棒46的下端 進行電連接。在供電筒50的外側(cè)，腔體10的側(cè)壁延伸到上部電極34的高度位置的上方，構(gòu)成圓筒形的接地導體10a。圓筒形接地導體10a 的上端用筒形絕緣部件54與上部供電棒46實施電絕緣。在這樣的結(jié) 構(gòu)中，在從連接器48看的負荷電路中，用供電筒50、外側(cè)上部電極 36和圓筒形接地導體10a形成以前者(36、 50)為波導路的同軸線路。在圖1中，內(nèi)側(cè)上部電極38具有電極板56和電極支撐體58，電 極板56有多個氣體通氣孔56a，電極支撐體58可以裝拆地支撐電極板 56。電極板56例如由Si、 SiC等的半導體材料構(gòu)成，電極支撐體58 由導電材料，例如表面進行鈍化處理(陽極氧化處理alumite處理) 的鋁構(gòu)成。在電極支撐體58的內(nèi)部，配置例如用由O型圈構(gòu)成的環(huán)形 隔板部件60分割而成的兩個氣體導入室，也就是中心氣體導入室62 和周圍氣體導入室64。用中心氣體導入室62和設在它下面的多個氣體 噴出孔56a構(gòu)成中心澆淋頭。用周圍氣體導入室64和設在它下面的多 個氣體噴出孔56a構(gòu)成周圍澆淋頭。按規(guī)定的流量比從共同的處理氣體供給源66向氣體導入室62、 64 提供處理氣體。更詳細地說，來自處理氣體供給源66的氣體供給管68 在中途分成兩支，連接在氣體導入室62、 64上，在支管68a、 68b上 分別配置流量控制閥70a、 70b。由于從處理氣體供給源66到氣體導入 室62、 64的流路的流導相同，所以通過流量控制閥70a、 70b的調(diào)整， 可以任意調(diào)整提供給兩個氣體導入室62、 64的處理氣體流量。此外在 氣體供給管68上配置質(zhì)量流量控制器(MFC) 72和開關(guān)閥74。這樣調(diào)整導入中心氣體導入室62和周圍氣體導入室64的處理氣 體的流量比。這樣可以任意調(diào)整從對應于中心氣體導入室62的電極中 心部分的氣體通氣孔56a、也就是從中心澆淋頭噴出的氣體流量Fc:與 從對應于周圍氣體導入室64的電極周圍部分的氣體通氣孔56a、也就 是從周圍澆淋頭噴出的氣體流量FE的比例(FC/FE)。可使從中心澆淋 頭和周圍澆淋頭分別噴出的處理氣體的單位面積的流量不同。此外可 單獨或個別選定從中心澆淋頭和周圍澆淋頭分別噴出的處理氣體的氣 體種類或氣體混合比。第一高頻電源52通過匹配器44、上部供電棒46、連接器48和下 部供電筒76與內(nèi)側(cè)上部電極38的電極支撐體58進行電連接。在下部 供電筒76的中間配置可以可變調(diào)整電容量的可變電容器78。圖中省略了，在外側(cè)上部電極36和內(nèi)側(cè)上部電極38上也可以設 置適當?shù)睦鋮s介質(zhì)室或冷卻套(圖中沒有表示)。通過從外部的冷機 設備把冷卻介質(zhì)提供給此冷卻介質(zhì)室或冷卻套，可以控制電極的溫度。在腔體10的底部設置排氣口 80,排氣裝置84通過排氣管82連接 在排氣口 80上。排氣裝置84有渦輪分子泵等的真空泵，可以把腔體 10內(nèi)的等離子體處理空間的壓力降低到規(guī)定的真空度。此外在腔體10 的側(cè)壁上安裝有開關(guān)半導體晶片W的裝入取出口的閘閥86。在此實施方式的等離子體蝕刻裝置中，第二高頻電源90通過匹配 器88與作為下部電極的基座16進行電連接。第二高頻電源卯輸出2 27MHz范圍內(nèi)的頻率的高頻電壓，例如輸出2MHz的高頻電壓。匹配 器88是用于使負荷阻抗和高頻電源90內(nèi)部(或輸出)阻抗匹配的設 備。匹配器88具有在腔體10內(nèi)生成等離子體時，使高頻電源90的內(nèi) 部阻抗和負荷阻抗表觀上 一致的功能。用于不使來自第一高頻電源52的高頻(60MHz)通過、使來自第 二高頻電源98的高頻(2MHz)通向接地的低通濾波器(LPF) 92與 內(nèi)側(cè)上部電極38進行電連接。低通濾波器(LPF) 92適合用LR濾波 器或LC濾波器構(gòu)成?？墒怯捎诩词褂靡桓鶎Ь€對于來自第一高頻電源 52的高頻(60MHz),可以給定足夠大的電抗，所以也能以此應付。 另一方面用于把來自第一高頻電源52的高頻(60MHz)通向接地的高 通濾波器(HPF) 94與基座16進行電連接。在此等離子體蝕刻裝置中，要進行蝕刻首先打開閘閥86，把加工 對象的半導體晶片W裝入到腔體10內(nèi)，放在基座16上。然后從處理 氣體供給源66以規(guī)定的流量和流量比把蝕刻氣體(一般為混合氣體) 導入到氣體導入室62、 64，利用排氣裝置84使腔體10內(nèi)的壓力、也 就是蝕刻壓力為設定值(例如幾mTorr lTorr的范圍內(nèi))。用第一高 頻電源52以規(guī)定的功率把等離子體生成用的高頻(60MHz)提供給上 部電極34 (36、 38)，同時用第二高頻電源90以規(guī)定的功率把高頻 (2MHz)提供給基座16。此外用直流電源22把直流電壓提供給靜電 卡盤18的電極20，把半導體晶片W固定在基座16上。從內(nèi)側(cè)上部電 極38的氣體通氣孔56a噴出的蝕刻氣體，在上部電極34 (36、 38)和 基座16之間的輝光放電中被等離子體化。用此等離子體生成的自由基和離子，對半導體晶片w的被處理表面進行蝕刻。在此等離子體蝕刻裝置中，對上部電極34提供高頻區(qū)域(離子不動的5 10MHz以上)的高頻。這樣以優(yōu)選的解離狀態(tài)使等離子體高密度化，即使在更低壓的條件下也可以形成高密度的等離子體。此外在上部電極34中，與半導體晶片W正面相對的內(nèi)側(cè)上部電 極38成為澆淋頭兼用型，用中心澆淋頭(62、 56a)和周圍澆淋頭(64、 56a)可以任意調(diào)整氣體噴出流量的比率。以此在半徑方向控制氣體分 子或自由基密度的空間分布特性，可以任意控制用自由基基體的蝕刻 特性的空間的分布特性。另一方面如后所述，在上部電極34中作為用于生成等離子體的高 頻電極，以外側(cè)上部電極36為主，以內(nèi)側(cè)上部電極38為輔，利用兩 個高頻電極36、38可以調(diào)整給予電極正下方的電子的電場強度的比例。 因此在半徑方向控制等離子體密度的空間分布，可以任意而且精細地 控制反應性離子蝕刻的空間特性。其中重要的是等離子體密度空間分布的控制對自由基密度空間分 布的控制不要有實質(zhì)的影響。等離子體密度空間分布的控制利用改變 外側(cè)上部電極36和內(nèi)側(cè)上部電極38之間電場強度或投入功率的比例 進行。自由基密度空間分布的控制利用改變中心澆淋頭(62、 56a)和 周圍澆淋頭(64、 56a)之間處理氣體流量和氣體密度或氣體混合比的 比例進行。也就是從中心澆淋頭(62、 56a)和周圍澆淋頭(64、 56a)噴出 的處理氣體的離解在內(nèi)側(cè)上部電極38的正下方的面積內(nèi)進行。因此即 使改變內(nèi)側(cè)上部電極38和外側(cè)上部電極36之間的電場強度的平衡， 也也幾乎不會影響到內(nèi)側(cè)上部電極38(同一面積內(nèi))的中心澆淋頭(62、 56a)和周圍澆淋頭(64、 56a)之間的自由基生成量以至密度的平衡。 這樣等離子體密度的空間分布和自由基密度的空間分布實際上可以獨 立進行控制。此外此等離子體蝕刻裝置成為在外側(cè)上部電極36的正下方，生成 大部分到過半數(shù)的等離子體，向內(nèi)側(cè)上部電極38的正下方擴散的方式。 如采用此方式，兼作澆淋頭的內(nèi)側(cè)上部電極38受到的來自等離子體的 離子的攻擊少。因此可以有效地抑制作為更換部件的電極板56的氣體噴出口 56a的濺射進行程度，大幅度延長電極板56的壽命。另一方面 外側(cè)上部電極36沒有電場集中的氣體噴出口。因此離子的攻擊少，替 代內(nèi)側(cè)上部電極38，電極壽命不變短。如前所述，圖2表示此等離子體蝕刻裝置主要部分(特別是構(gòu)成 等離子體生成裝置的主要部分)的結(jié)構(gòu)。圖2中省略了內(nèi)側(cè)上部電極 38的澆淋頭部分(56a、 62、 64)的結(jié)構(gòu)。圖3為表示第1實施方式中 的等離子體生成裝置的主要部分的等效電路的電路圖。在此等效電路 中省略了各部分的電阻。在此實施方式中如上所述，在從連接器48看的負荷電路中，用外 側(cè)上部電極36、供電筒50和圓筒形接地導體10a形成把前者(36、 50) 作為波導路Jo的同軸線路。設供電筒(50)的半徑(外徑)為a。，圓 筒形接地導體10a的半徑為b，此同軸線路的特性阻抗或電感L?？梢?近似用下述(1)式表示。L0=K In (b/a0) ……(1)其中K是由導電路的變化性和介電率決定的常數(shù)。 另一方面在從連接器48看的負荷電路中，在下部供電棒76和圓 筒形接地導體10a之間也形成以前者(76)為波導路Ji的同軸線路。 內(nèi)側(cè)上部電極38也在下部供電棒76的延長位置上，但是直徑差別過 大，下部供電棒76的阻抗成為起支配作用。其中如設下部供電棒76 的半徑(外徑)為a"此同軸線路的特性阻抗或電感Li可以近似用下 述(2)式表示。Lj二K In (b/a》 ……(2)象從上述(1) 、 (2)式可以理解的那樣，向內(nèi)側(cè)上部電極38傳 遞高頻的內(nèi)側(cè)波導路Ji與現(xiàn)在一般的RF系統(tǒng)給出同樣的電感Li。另一 方面在向外側(cè)上部電極36傳遞高頻的外側(cè)波導路Jo僅在直徑大的部分 給定明顯小的電感Lo。這樣從匹配器44看，在從連接器48之前的負 荷電路中，用低阻抗的外側(cè)波導路J。容易傳播高頻(電壓降小)。因 此向外側(cè)上部電極36提供多的高頻功率Po，可以在外側(cè)上部電極36 的下面(等離子體接觸面)得到強的電場強度E。。另一方面用高阻抗 的內(nèi)側(cè)波導路Ji，難以傳播高頻(電壓降大)。因此把比提供給外側(cè)上 部電極36的高頻功率Po小的高頻功率Pi提供給內(nèi)側(cè)上部電極38，可以使在內(nèi)側(cè)上部電極38的下面(等離子體接觸面)得到的電場強度Ei比外側(cè)上部電極36側(cè)的電場強度Eo小。這樣用上部電極34在外側(cè)上部電極36的正下方以相對強的電場 Eo使電子加速，同時在內(nèi)側(cè)上部電極38的正下方以相對弱的電場Ej 使電子加速。這樣在外側(cè)上部電極36的正下方生成大部分到超過一半 的等離子體P，在內(nèi)側(cè)上部電極38的正下方輔助產(chǎn)生一部分等離子體 P。然后通過在外側(cè)上部電極36的正下方生成的高密度的等離子體向 半徑方向的內(nèi)側(cè)和外側(cè)擴散，在上部電極34和基座16之間的等離子 體處理空間中在半徑方向上使等離子體密度變得均勻?？墒窃谟猛鈧?cè)上部電極36、供電筒50和圓筒形接地導體10a形成 的同軸線路中的最大傳輸功率Pmax與供電筒50的半徑a。和圓筒形接 地導體10a的半徑b有關(guān)，用下述(3)式給出。<formula>formula see original document page 19</formula>(3)其中Z。為從匹配器44 一側(cè)看的此同軸線路的輸入阻抗，E。max 為RF傳輸系統(tǒng)的最大電場強度。在上述的(3)式中，最大傳輸功率Pmax在(b/ aQ) —L65為極 大值。也就是筒形接地導體10a與供電筒50的半徑比(b/a。)約為.65 時，外側(cè)波導路Jo的功率傳輸效率最好。從此觀點看，為了提高外側(cè) 波導路J。的功率傳輸效率，優(yōu)選的是選定供電筒50和/或筒形接地導 體10a的半徑，使比值(b/ao)至少在1.2 2.0范圍內(nèi)來構(gòu)成，更優(yōu)選 的是在1.5 1.7范圍內(nèi)來構(gòu)成。在此實施方式中，為了任意而且精細地控制等離子體密度的空間 分布，作為用于調(diào)整外側(cè)上部電極36正下方的外側(cè)電場強度Eo (或向 外側(cè)上部電極36 —側(cè)投入的功率Po)和內(nèi)側(cè)上部電極38正下方的內(nèi) 側(cè)電場強度Ei (或向內(nèi)側(cè)上部電極38—側(cè)投入的功率Pi)的比例的裝 置，也就是調(diào)整平衡的裝置，在下部供電棒76的中間插入可變電容器 78。通過改變可變電容器78的電容C78，使內(nèi)側(cè)波導路Ji的阻抗或電 抗增加或減少，可以改變外側(cè)波導路JQ的電壓降和內(nèi)側(cè)波導路Ji的電 壓降的相對比例。這樣可以調(diào)整外側(cè)電場強度E。(外側(cè)投入的功率Po) 和內(nèi)側(cè)電場強度Ej (內(nèi)側(cè)投入的功率Pi)的比例。此外提供等離子體的電位降的離子層的阻抗一般是電容性的。在圖3的等效電路中，假設(假定)在外側(cè)上部電極36正下方的層阻抗的電容為Cp。、內(nèi)側(cè)上部電極38正下方的層阻抗的電容為Cpi。此外在 外側(cè)上部電極36和內(nèi)側(cè)上部電極38之間形成的電容器的電容C4。與可 變電容器78的電容C78組合，控制上述的外側(cè)電場強度Eo (外側(cè)投入 的功率Po)和內(nèi)側(cè)電場強度Ei (內(nèi)側(cè)投入的功率Pi)的平衡?？梢赃x 定或調(diào)整電容C4。，使用可變電容器78調(diào)整電場強度(投入的功率) 平衡的功能最佳化。圖4和圖5為表示檢驗利用此實施方式中的可變電容器78調(diào)整電 場強度平衡功能的示例(模擬數(shù)據(jù))。圖4為表示把可變電容器78的 電容C^作為參數(shù)，在電極的半徑方向上的電場強度(相對值)分布特 性。圖5為表示改變可變電容器78的電容C78時的外側(cè)電場強度Eo和 內(nèi)側(cè)電場強度Ej的相對比例。在此模擬中，使半導體晶片W的口徑為200mm，選定圓板形狀的 內(nèi)側(cè)上部電極38的半徑為100mm、環(huán)形的外側(cè)上部電極36的內(nèi)側(cè)半 徑和外側(cè)半徑分別為101mm、 141mm。這種情況下，相對于半導體晶 片W的面積(314cm2)，內(nèi)側(cè)上部電極38的面積為314cm2，與晶片 W相同，外側(cè)上部電極36的面積為304cm2，比晶片W稍小。--般在 與晶片W相面對的面上，優(yōu)選的是外側(cè)上部電極36的平面面積為內(nèi) 側(cè)上部電極38的平面面積的約1/4倍 約1倍。如圖4所示，外側(cè)上部電極36的正下方的外側(cè)電場強度EQ比內(nèi)側(cè) 上部電極38的正下方的內(nèi)側(cè)電場強度Ei大，在兩個電極36、 38的界 面附近電場強度產(chǎn)生太的臺階。特別是外側(cè)上部電極36的正下方的外 側(cè)電場強度Eo在與內(nèi)側(cè)上部電極38的界面附近最大，有越向半徑方向 的外側(cè)越低的傾向。在此例子中如圖5所示，如在180 350pF范圍內(nèi) 改變可變電容器78的電容C78，可以在約10% 40%范圍內(nèi)連續(xù)控制 電場強度Ei、E。的比例E/Eo。 C78=I25 180pF是負荷電路共振的區(qū)域， 不能進行控制。在基本穩(wěn)定區(qū)域使可變電容器78的電容C78越大，可 以向如下的方向控制使內(nèi)側(cè)波導路Ji的電抗減少、使內(nèi)側(cè)上部電極 38的正下方的內(nèi)側(cè)電場強度Ej相對增加、使外側(cè)電場強度EQ和內(nèi)側(cè)電 場強度Ei的比例Ej/E。提高。在此實施方式中，由于可以使由供電筒50構(gòu)成的外側(cè)波導路Jo的電抗明顯變小，可以使從匹配器44的輸出端子看的負荷電路的阻抗的電抗成為電容性的負值。這意味著從匹配器44的輸出端子到電容性的離子層的波導路中，不存在電抗從感應性的正值極性反轉(zhuǎn)到負值的 共振點。通過避免共振點的產(chǎn)生，避免共振電流的產(chǎn)生，可以降低高 頻能量的損失，同時可以確保等離子體密度分布控制的穩(wěn)定性。在圖6A (偏置導通)、圖6B (偏置截止)和圖7A (X方向)、 圖7B (Y方向)中表示此實施方式的等離子體蝕刻裝置中得到的電子 密度分布特性和蝕刻速率分布特性的一個例子(試驗數(shù)據(jù))。在此試 驗中，與圖4和圖5的電場強度分布特性相同，把可變電容器78的電 容C78作為參數(shù)。然后用等離子體吸收探針(PAP)測定了半徑方向各 位置上的電子密度。此外測定了蝕刻半導體晶片上的硅氧化膜在半徑 方向的各晶片位置上的蝕刻速度。在此試驗中也選定內(nèi)側(cè)上部電極38 的半徑為100mm、外側(cè)上部電極36的內(nèi)側(cè)半徑和外側(cè)半徑分別為 101mm、 141mm。主要蝕刻條件如下所述。晶片口徑二200mm腔體內(nèi)的壓力二15mTorr溫度(上部電極/腔體側(cè)壁/下部電極)=60/50/20°C傳熱氣體(He氣)供給壓力(中心部位/邊緣部位)=15/25Toir上部和下部電極間距離-50mm工藝氣體(C5F8/Ar/02) N流量20/380/20sccm高頻功率(60MHz/2MHz) N2200W/1500W(C78=500pF、 1000pF)、 1800W (C78=120 pF)在圖6A和圖6B中，選定可變電容器78的電容(:78為120pF時是 選定提高外側(cè)電場強度E。和內(nèi)側(cè)電場強度Ei的比例E/E。的情況。在 此情況下，可以得到電極中心附近最大，越向半徑方向外側(cè)越單調(diào)減 少的電子密度、也就是等離子體密度的分布特性。這種情況下，認為 這是由于等離子體的擴散率超過作為主等離子體生成部的外側(cè)上部電 極36的正下方的等離子體生成率和作為副等離子體生成部的內(nèi)側(cè)上部 電極38的正下方的等離子體生成率的差，從所有方向集中的中心部分 的等離子體密度與周圍相比變得相對高的原因。另一方面選定電容(:78為1000pF時，是選定降低外側(cè)電場強度Eo和內(nèi)側(cè)電場強度Ei的比例Ei/Eo的情況。這種情況下，在半徑方向與晶片內(nèi)側(cè)相比，使晶片外側(cè)的位置(距中心140mm附近的位置)電子密 度最大化，可以在晶片的內(nèi)側(cè)(0 100mm)得到大體均勻的電子密度 分布。認為這是由于隨內(nèi)側(cè)上部電極38的正下方的等離子體生成率的 增加，向半徑方向外側(cè)的擴散增強的緣故。無論怎么做，通過在適當 范圍內(nèi)精細地可變調(diào)整可變電容器78的電容C78，可以自由而且精細 地控制電子密度即等離子體密度的空間分布特性。此外向下部電極16提供高頻偏置(2MHz)的情況(圖6A)與不 提供的情況(圖6B)相比，各位置的電子密度有一定程度的增加，分 布圖形幾乎不變。根據(jù)圖7A和圖7B的試驗數(shù)據(jù)，利用可變調(diào)整可變電容器78的 電容C78，可以得到對應于圖6A和圖6B的電子密度空間分布特性的 圖形的蝕刻速率空間分布特性。也就是通過在適當范圍內(nèi)精細地可變 調(diào)整可變電容器78的電容C78,晶片面內(nèi)的蝕刻速率空間分布特性也 可以自由而且精細地控制。此外用此實施方式的等離子體蝕刻裝置，在象上述那樣在內(nèi)側(cè)上 部電極36的澆淋頭機構(gòu)中，可以可變調(diào)整中心部和外圍部的氣體噴出 流量的比例。利用此功能也可以同時進行用自由基基體(radical base) 控制蝕刻速率的空間分布特性。 (第2實施方式)圖8為表示本發(fā)明的第2實施方式中的等離子體蝕刻裝置的截面 圖。圖8中具有與上述第1實施方式的裝置(圖1)中相同的結(jié)構(gòu)或功 能的部分采用同一符號。第2實施方式中的特征之一是用于把來自高頻電源52的高頻向外 側(cè)上部電極36傳輸?shù)膫鬏斅窂健⒁簿褪枪╇娡?0是使用鑄件的結(jié)構(gòu)。 此鑄件的材質(zhì)優(yōu)選的是導電性和加工性優(yōu)良的金屬，例如可以用鋁。 鑄件的優(yōu)點之一是成本低，與板材制的相比可以抑制到1/7以下的成 本。另外的優(yōu)點是容易成為一個整體，由于可以減少RF接觸面，可以 使RF損失減小。即使用鑄件構(gòu)成供電筒50，也沒有使高頻傳輸效率降低。也就是 象圖9A (鑄件)、圖9B (板)和圖10A (鑄件)、圖10B (板)的試驗數(shù)據(jù)所示，可以確認供電筒50無論是用板材構(gòu)成還是用鑄件構(gòu)成，蝕刻速率幾乎沒有差別。圖9A和圖9B表示硅氧化膜(Si02)的蝕刻 速率的空間分布特性，圖IOA和圖IOB表示光致抗蝕膜(PR)的蝕刻 速率的空間分布特性。此驗證例中的主要蝕刻條件如下。晶片口徑二300mm腔體內(nèi)的壓力二25mTorr溫度(上部電極/腔體側(cè)壁/下部電極)=60/60/20°C傳熱氣體(He氣)供給壓力(中心部位/邊緣部位)=15/40Torr上部和下部電極間距離45mm工藝氣體(C5F8/Ar/02)—流量30/750/50sccm高頻功率(60MHz/2MHz) — 3300W/3800W測定時間=120秒第2實施方式中的第二個特征是在供電筒50內(nèi)在供電棒76的周 圍設置環(huán)形的導體部件100的結(jié)構(gòu)。如下所述，導體部件100的主要 作用是使供電棒76的周圍的電感減小，改善用可變電容器78調(diào)整外 側(cè)/內(nèi)側(cè)投入功率的調(diào)整功能的幅度。在上述等離子體處理裝置中如上所述，通過改變可變電容器78的 電容C78，可以任意調(diào)節(jié)對外側(cè)上部電極36的投入功率Po和對內(nèi)側(cè)上 部電極38投入的功率Pj的比例。 一般在改變可變電容器78的電容C78 的可變調(diào)整用步進電動機步進式進行。在此電容的可變調(diào)整中，有必 要避開上述的不能控制的共振區(qū)域(在圖5中的125pF<C78<180pF 的區(qū)域。因此在上述第1實施方式中的試驗驗證例(圖6A、圖6B、 圖7A、圖7B)中，主要使用共振區(qū)域右側(cè)的穩(wěn)定區(qū)域(C7S>180pF)。 可是右側(cè)穩(wěn)定區(qū)域要提高內(nèi)側(cè)投入功率Pi的比例有個限度，而且有功 率損失也大的一面。這一點從圖4和圖5也可以看出，共振區(qū)域左側(cè) 的區(qū)域(C78《125pF)對提高內(nèi)側(cè)投入功率Pi的比例有利，還有功率 損失少的優(yōu)點。但是在共振區(qū)域左側(cè)，由于越提高內(nèi)側(cè)投入功率Pi的 比例，越接近共振區(qū)域，在圖11的特性曲線A那樣的變化率(傾斜) 大的特性曲線下，存在有在靠近共振區(qū)域的微調(diào)非常困難的一面。為了解決此問題，如圖11的特性曲線B所示，在電容一內(nèi)側(cè)投入 功率比例特性曲線中，減小共振區(qū)域左側(cè)的區(qū)域的變化率，拓寬調(diào)整范圍是有效的。而為了得到圖11的特性曲線B那樣的傾斜緩的寬的特性曲線，如下述那樣減小供電棒76周圍的電感Li是有效的。圖12為表示第2實施方式中的等離子體生成用的高頻供電電路的 等效電路的電路圖。在供電棒76周圍的電抗coLj由于一般采用比電容 78的電抗1/"C78大的絕對值，內(nèi)側(cè)波導路Ji的合成電抗X —般為感 應性的，可以表示成X:"U。用此表觀的電感U和電容C4。形成的并聯(lián)電路成為共振狀態(tài)時，在電感U的電納1/"La和電容C4Q的電納0)C4o相互抵消為零時，也就是l/"La =1/ ("Li-1/"C78) ="。40成立的時候。其中越減小Li，使上述共振條件成立的C78的值越大，靠近如圖11的特性曲線B所示的共振區(qū)域，得到傾斜緩的寬的特性曲線。為 了用圖12的等效電路進行簡單的說明，省略了外側(cè)波導路J。的電感 U。即使此等效電路中加入電感U，原理也是相同的。圖13為表示在此實施方式中的導體部件100的作用。在供電棒76 中流過隨時間變化的電流I時，在供電棒76的周圍產(chǎn)生環(huán)狀磁通B， 同時由于電磁感應在導體部件100的內(nèi)部流過與磁通B交鏈的感應電 流i。于是由于感應電流i在導體部件100的內(nèi)外生成環(huán)狀的磁通b， 在導體部件100的內(nèi)部僅僅磁通b的部分抵消磁通B。這樣通過在供 電棒76的周圍設置導體部件100，使供電棒76周圍真正的磁通生成量 減少，可以使電感Lj減小。導體部件100的外觀結(jié)構(gòu)優(yōu)選的是在圓周方向連續(xù)的單一的環(huán)形 體，也可以是把多個導體部件100在圓周方向并排配置的結(jié)構(gòu)。此外 導體部件100的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以是圖13所示的環(huán)形有空洞的中空體，如 圖8所示的內(nèi)部埋入的塊體結(jié)構(gòu)可以得到更大的降低電感的效果。優(yōu) 選的是導體材料100的容積越大越好，理想的是最優(yōu)選充滿供電筒50 內(nèi)側(cè)的空間。實際應用中，優(yōu)選的是供電筒50和外側(cè)上部電極36圍 住的空間的1/10 1/3用導體部件100填充。導體部件IOO的材質(zhì)可以 是任意的導電材料，例如可以用鋁的鑄件。導體部件100配置成與附 近的導體，也就是供電棒76和內(nèi)側(cè)上部電極38等電絕緣。圖14為表示用試驗數(shù)據(jù)對在此實施方式中用導體部件100的上述 拓寬效果進行驗證的例子。在圖14中，特性曲線B'是用此實施方式 的裝置構(gòu)造得到的，特性曲線A'是用沒有設置導體部件100的裝置結(jié)構(gòu)得到的。這些特性曲線A' 、 B'分別對應于把圖11的特性曲線 A、 B顛倒過來的曲線。也就是在這種平行平板型等離子體裝置中，存在有越增加向上部電極34的中央部分的投入功率(內(nèi)側(cè)投入功率Pi) 的比例，在基座16 —側(cè)基板W附近的等離子體密度越高，這樣(與 等離子體密度成反比)基座16 —側(cè)的偏置頻率的Vpp越低的關(guān)系。根 據(jù)此關(guān)系，可以改變可變電容器78的變化步進值(與電容Q8的值成 比例的控制量)，把在各個步進值得到的Vpp的測定值加以繪圖得到 的特性曲線A' 、 B'(圖14)對應于把圖11的特性曲線A、 B上下 顛倒過來的曲線。如從圖14的特性曲線B'證實的那樣，如采用此實 施方式，通過在供電棒76的周圍設置導電部件100，在用可變電容器 78調(diào)整外側(cè)/內(nèi)側(cè)投入功率平衡中，可以穩(wěn)定而且精細地控制內(nèi)側(cè)投入 功率Pi的比例成為在靠近共振區(qū)域的盡可能高的值。第2實施方式的第三個特征是關(guān)于在內(nèi)側(cè)上部電極38和接地電位 之間連接的低通濾波器92。如圖15A所示，在此實施方式中的低通濾 波器92與可變電阻器93和線圈95串聯(lián)，以不通過生成等離子體用的 高頻(60MHz)，通過偏置用高頻(2MHz)以下的交流頻率和直流的 方式構(gòu)成。如采用低通濾波器92，通過可變調(diào)整可變電阻器93的電阻 值R93，可以調(diào)整內(nèi)側(cè)上部電極38的直流電位或本身偏置電壓Vdc。更詳細地說如圖16所示，越減小電阻器93的電阻值1193，電阻器 93的電壓降越小，負的直流電位V&升高(接近接地電位)。相反， 越增大電阻器93的電阻值R93，電阻器93的電壓降越大，直流電位 Vdc降低。不過如直流電位Vdc過高(一般如高于-150V)，等離子體 電位升高，產(chǎn)生異常放電或電弧。另一方面如直流電位Vde過低(一般 如低于-450V)，離子向內(nèi)側(cè)上部電極38的沖擊變強，電極的消耗快。如采用其他的看法，如圖17所示，在直流電位Vde中存在對上述 異常放電和電極消耗都可以防止以至抑制的適合的范圍(-450V -150V)，存在有對應于此適合范圍的電阻值R93的范圍(Ra Rb)。 因此利用從電阻器93 —側(cè)選定或調(diào)整電阻值R93在上述范圍(Ra Rb) 內(nèi)可以把直流電位Vdc調(diào)整到上述適合的范圍(-450V -150V)。 此外利用向上部電極34整體(外側(cè)上部電極36和內(nèi)側(cè)上部電極38) 提供的高頻功率的值也可以改變電阻值R93的適合范圍(Ra Rb)。作為一個例子，對于3000W的高頻功率，可以得到下限電阻值&=約1M Q的試驗結(jié)果。此外如圖15B所示，通過可變直流電源97把內(nèi)側(cè)上部電極38接地，也可以利用電源電壓直接控制直流電位Vde。優(yōu)選的是可變直流電源97用雙極電源構(gòu)成。第2實施方式的第四個特征是在上部電極34中，使外側(cè)上部電極 36的下面比內(nèi)側(cè)上部電極38的下面還向下、即向基座16 —側(cè)突出的 結(jié)構(gòu)。圖18為表示第2實施方式的等離子體蝕刻裝置的主要部分的縱 截面圖。在此例子中，把外側(cè)上部電極36作成由上側(cè)的第一電極部件 36A和下側(cè)的第二電極部件36B構(gòu)成的分成上下兩部分的結(jié)構(gòu)。主體 的第一電極部件36A例如用進行了鋁陽極化處理的鋁構(gòu)成，被連接在 供電筒50上。更換部件的第二電極部件36B例如用硅構(gòu)成，以比內(nèi)側(cè) 上部電極38的下面僅突出規(guī)定值H的狀態(tài)，用螺栓(圖中沒有表示) 等緊密固定在第一電極部件36A上，可以裝拆。在兩個電極部件36A、 36B之間，作為用于提高熱導的部件102，設置硅橡膠薄片等。此外利 用把兩個電極部件36A、 36B的接觸面用特氟隆(商品名)涂敷，可 降低熱阻。在外側(cè)上部電極36的突出部分36B的突出量H和內(nèi)徑(直徑) O規(guī)定從外側(cè)上部電極36以至上部電極34給予等離子體生成空間的 電場的強度和方向等，進而成為左右等離子體密度的空間分布特性的 重要的因素。圖19A 圖19E表示以突出部分36B的突出量H和內(nèi)徑(直徑) O為參數(shù)的電子密度空間分布特性的一個例子(試驗數(shù)據(jù))。在此試 驗中也用等離子體吸收探針(PAP)測定了在半徑方向的各位置的電子 密度。但是使半導體晶片的口徑為300mm。主要的參數(shù)O) 、 H在圖19A 的試驗例子中為d^329mm、 EN15mm，在圖19B的試驗例子中為O =329mm、 H=20mm，在圖19C的試驗例子中為0=339mm、 H=20mm， 在圖19D的試驗例子中為0^349mm、 H=20mm，在圖19E的試驗例子 中為0^359mm、 H=25mm。此外其次的參數(shù)選定四種內(nèi)側(cè)投入功率Pi 和外側(cè)功率p0的比例p/ P0(RF功率比)為(30/70) 、 (27/73 ) 、 (20/80)、 (14/86)。在圖19A 圖19E的試驗數(shù)據(jù)中，越增加外側(cè)上部電極36的突出 部分36B的內(nèi)徑(直徑)O，電子密度的急劇下跌的拐點F越向半徑 方向外側(cè)移動，越增加突出部分36B的突出量H，電子密度的急劇下 跌的拐點F上升。理想的特性是拐點F位于晶片邊緣位置(150mm的 位置)的正上方，而且是在高的位置保持與中央部分一側(cè)的平的關(guān)系 的分布特性。在這一點上，在圖19D的特性(0=349mm、 H=20mm)、 特別是RF功率比P/P。選定30/70的情況下的特性最接近理想值。圖20 A為表示以O 、 H作為二維參數(shù)的電子密度空間分布的總體 均勻性UT和邊緣的均勻性UE的特性。其中所謂總體均勻性Ut是如圈 20B所示，從晶片中心位置(RQ)到晶片邊緣位置(R15())的半徑方向整個區(qū)域的面內(nèi)的均勻性。此外邊緣的均勻性UE是晶片邊緣附近的區(qū) 域、例如從半徑130mm的位置(R13Q)到晶片邊緣位置(R15C)的區(qū)間 的面內(nèi)的均勻性。如圖20A的特性所示，突出部分36B的突出量H在很大程度上左 右總體的均勻性UT，對邊緣的均勻性UE也有很大影響。另一方面突 出部分36B的內(nèi)徑(直徑)O對邊緣均勻性E起作用的，對總體的均 勻性T幾乎沒有影響?？傊怀霾糠?6B的突出量H優(yōu)選的是25mm 以下，特別優(yōu)選的是設定在20mm左右。此外突出部分36B的內(nèi)徑(直 徑)O優(yōu)選的是設定在348mm 360mm的范圍內(nèi)，特別更優(yōu)選的是設 定在349mm附近。再有O=348mm 360mm意味著突出部分36B配置 在距晶片邊緣在半徑方向外側(cè)24mm 30mm的位置。重要的是在于外側(cè)上部電極36的突出部分36B通過對于等離子體 生成空間給予從周邊一側(cè)向半徑方向內(nèi)的電場，起到把等離子體封閉 的作用方面。從這一點看，為了實現(xiàn)等離子體空間分布特性的均勻性， 希望可以說突出部分36B必須位于晶片邊緣更靠向半徑方向外側(cè)。另 一方面突出部分36B的半徑方向的寬度不重要，可以選擇任意的寬度。 (第3實施方式)圖21為表示本發(fā)明的第3實施方式的等離子體蝕刻裝置的主要部 分的縱截面圖。特征以外的部分可以與上述第2實施方式的相同。第3 實施方式的特征是在上述第2實施方式的外側(cè)上部電極36的突出部分 36B的周圍設置密封部件104的結(jié)構(gòu)。密封部件104例如由進行了鋁陽極化處理(alumite:氧化鋁膜處理) 的鋁板構(gòu)成，與處理容器IO的側(cè)壁進行物理的和電的結(jié)合。密封部件 104從容器側(cè)壁大致水平延伸到外側(cè)上部電極36的突出部分36B的下 面，以非接觸或絕緣狀態(tài)覆蓋突出部分36B和環(huán)形遮擋部件42的下面。 外側(cè)上部電極36的第2電極部件36B構(gòu)成L形斷面，外圍一側(cè)的部分 垂直向下形成突出部分?？梢杂门c上述第2實施方式相同的數(shù)值條件 設定此突出部分的突出量H和內(nèi)徑①。密封部件104的功能是從外側(cè)上部電極36的突出部分36B的下面 和環(huán)形遮擋部件42的下面遮擋和封閉高頻放電，抑制在它的正下方的 等離子體生成。這樣可以進一步提高最初把等離子體封閉在晶片正上 方的效果。圖22A (有密封部件)和圖22B (沒有密封部件)表示用密封部 件104的封閉等離子體的效果的試驗數(shù)據(jù)。不設置密封部件104的情 況如圖22B所示，在半徑方向上等離子體電子密度在晶片邊緣位置 (150mm)的外側(cè)， 一度下跌后重新上升，形成山字形。這是由于通 過從外側(cè)上部電極36的突出部分36B的下面和環(huán)形遮擋部件42的下 面向垂直下方釋放高頻功率，在它的正下方生成等離子體，存在有電 子和離子。這樣由于在半徑方向外側(cè)離開晶片邊緣位置相當距離的空 間內(nèi)，存在有相當數(shù)量的等離子體，晶片正上方的等離子體密度僅減 小此部分。與此相反，象此實施方式那樣設置密封部件104的情況如圖22A 所示，在晶片邊緣位置(150mm)的外側(cè)，電子密度(等離子體密度) 實際向半徑方向外側(cè)單調(diào)減少，相反在晶片正上方整體增加。這是由 于由于存在有密封部件104，外側(cè)上部電極36的突出部分36B的下面 和環(huán)形遮擋部件42的下面不是高頻的通路，在它的正下方生成的等離 子體大幅度減少。此外高頻電源52的RF功率越大，用密封部件104 的封閉等離子體的效果以至防止等離子體擴散的效果也越大。此外作為次要的效果，象上述那樣利用密封部件104在晶片邊緣 位置的外側(cè)大幅度減弱生成等離子體，在它的附近的自由基和離子等 的蝕刻種也減少。因此可以有效地防止在容器內(nèi)的各部位(特別是密 封部件104附近)附著不希望有的重合膜。例如現(xiàn)在在L0W-k膜(低介電率層間絕緣膜)的蝕刻加工中，在 等離子體蝕刻后，在同一腔體內(nèi)使用02氣進行灰化(去除保護膜)。 此時在之前的等離子體蝕刻中在容器內(nèi)以聚合物形態(tài)附著的反應種 (例如CF、 F等)，被用等離子體中的活性氧原子誘發(fā)，有時會產(chǎn)生把Low-k膜的通孔削成彎曲形狀，或侵入到膜內(nèi)，改變k值等的損壞 (Low-k損壞)?？墒侨绮捎么藢嵤┓绞?，由于用密封部件104可以有效地抑制在等離子體蝕刻中的反應物的所不希望的堆積，可以解決上述的Low - k損壞的問題。此外密封部件104可以把任何的導電材料 或半導體(例如硅)作為材質(zhì)，也可以把不同材質(zhì)進行組合來構(gòu)成。在圖21中也表示了在上部電極34 (36、 38)上設置冷卻介質(zhì)通路 106、 108的結(jié)構(gòu)。分別通過配管110、 112把用冷機裝置(圖中沒有表 示)進行溫度調(diào)整的冷卻介質(zhì)循環(huán)提供給冷卻介質(zhì)通路106、 108。在 外側(cè)上部電極36中，在第一電極部件36A上設置冷卻介質(zhì)通路106。 第二電極部件36B由于通過提高熱傳導的涂層或薄片102結(jié)合在第一 電極部件36A上，所以可以有效地利用冷卻機構(gòu)得到冷卻。在使高頻電源52、 90斷開期間，也向各電極提冷卻介質(zhì)。迄今為 止，在這種等離子體處理裝置中，例如使用熱傳導液(galden)等的絕緣 性的冷卻介質(zhì)。這種情況下，由于在冷卻介質(zhì)在冷卻介質(zhì)通路流動時 因摩擦產(chǎn)生的靜電，電極成為異常的高電壓狀態(tài)，擔心在高頻電源斷 開期間的維護等中，如人的手觸摸而觸電?？墒窃诖藢嵤┓绞降牡入x 子體處理裝置中，通過低通濾波器92 (參照圖8)內(nèi)的電阻器93，在 內(nèi)側(cè)上部電極38上產(chǎn)生的靜電可以跑入地線，可以防止觸電的危險。 (第4實施方式)使用上述第3實施方式中的等離子體蝕刻裝置(圖8、圖21)， 進行在硅氧化膜(Si02)上形成開口直徑(O) 0.22um的孔的蝕刻試 驗。在此試驗中把對外側(cè)上部電極36和內(nèi)側(cè)上部電極38的RF功率的 投入比例(Pj/ Po)作為參數(shù)，來評價蝕刻特性(特別是蝕刻速率)。 其他的蝕刻條件如下，圖23 圖25表示試驗結(jié)果的數(shù)據(jù)。晶片口徑300mm腔體內(nèi)的壓力-20mTorr溫度(上部電極/腔體側(cè)壁/下部電極)=20/60/60°C傳熱氣體(He氣)供給壓力(中心部位/邊緣部位)=20/35Torr上部和下部電極間距離二45mm外側(cè)上部電極的突出量(H) =15mm工藝氣體(C5F8/CH2F2/N2/Ar/02) — 10/20/110/560/10sccm高頻功率(60MHz/2MHz) — 2300W/3500W蝕刻時間=120秒如圖23所示，如內(nèi)側(cè)投入功率Pj的比例按14%、 18%、 30%增力口， 電子密度也就是等離子體密度在晶片中央部分附近與Pi的比例成比例 的增加，另一方面在晶片邊緣部分附近幾乎不變。以此為基礎(chǔ)，通過 使RF功率的投入比率(P/Po)可變，可以控制在半徑方向的等離于體 密度的空間分布特性。圖24為表示由與自由基密度成比例關(guān)系的反應生成物或反應種形 成的重合膜堆積速度在半徑方向的各個位置測定的結(jié)果。此試驗是用 于觀察在可以改變RF功率的投入比例(P/P。)時，自由基密度受到的 影響。此外使重合膜堆積的試樣基板使用裸硅晶片。從圖24的試驗數(shù) 據(jù)確認了，即使改變RF功率的投入比例(P/P。)，對于重合膜的堆積 速度、也就是對自由基密度的空間分布特性影響也非常小。圖25為把表示在上述的Si02的蝕刻中，在晶片上的半徑方向的各 個位置上測定的蝕刻深度。如圖25所示，如內(nèi)側(cè)投入功率Pi的比例按 14%、 18%、 30%增加，蝕刻深度在晶片中央部分附近與Pi的比例成比 例的增加，另一方面在晶片邊緣部分附近幾乎不變。也就是表示與電 子密度相同的傾向(圖24)這樣從圖23 圖25的試驗數(shù)據(jù)可以確認以下事實。也就是通過改 變對外側(cè)上部電極36和內(nèi)側(cè)上部電極38的RF功率的投入比例(P/ Po)，對自由基密度的空間分布特性沒有實質(zhì)的影響，也就是由于自 由基密度的空間分布控制獨立，可以控制在半徑方向上的等離子體密 度的空間分布。因此利用可以改變RF功率的投入比例(P/P。)，可以 改善蝕刻深度也就是蝕刻速率的均勻性。此外即使使用在上述第1或 第2實施方式中的等離子體時刻裝置(圖1、圖8、圖18)，也可以得 到與上述相同的試驗結(jié)果。 (第5實施方式)使用上述第3實施方式的等離子體蝕刻裝置(圖8、圖21)，用CF系的處理氣體對硅氧化膜(Si02)進行蝕刻的模擬。在此模擬中以 用中心澆淋頭(62、56a)噴射的處理氣體的流量Fc和用周圍澆淋頭(64、 56a)噴射的處理氣體的流量Fe的比例(Fc/Fe)作為參數(shù)，評價了各 自由基或各反應生成物的分布。在此模擬中設在晶片表面不發(fā)生反應， 也不產(chǎn)生反應生成物和反應物的吸附，假設在基底Si02膜上單純發(fā)生 下述反應。2CF2 + Si02 — SiF4+2CO其他的重要蝕刻條件如下，圖26 圖30表示對于各自由基或各反 應生成物的模擬的結(jié)果。在圖31中表示通過從主要蝕刻氣體(C4F8) 的分子分階段離解生成的自由基的種類和生成率(括弧內(nèi)的％的數(shù)字)。晶片口徑二200mm腔體內(nèi)的壓力50mTorr溫度(上部電極/腔體側(cè)壁/下部電極)=20/60/60°C傳熱氣體(He氣)供給壓力(中心部位/邊緣部位)=10/35Torr上部和下部電極間距離=3 Omm外側(cè)上部電極的突出量(H) =15mm工藝氣體(C4F8/N2/Ar) N5/120/1000sccm高頻功率(60MHz/2MHz) — 1200W/1700W如圖26所示，作為主要反應種的CF2的密度分布特性受中心/周圍 氣體流量比例(FC/FE)很大影響。也就是越提高中心氣體流量Fc的比 例，晶片中央部分附近的CF2密度越高，另一方面晶片邊緣附近的CF2 密度幾乎不變。如圖28所示，表示CO自由基的密度分布特性相對中 心/周圍氣體流量比例(FC/FE)也產(chǎn)生同樣的變化。不過如圖27所示， Ar自由基的密度分布特性相對中心/周圍氣體流量比例(FC/FE)幾乎沒 有變化。如觀察反應生成物，如圖29和圖30所示，SiF4密度和CO密度都 由中心/周圍氣體流量比例(FC/FE)左右。更詳細地說，越降低中心氣 體流量Fc的比例，晶片中央部分附近的SiF4、 CO密度越高，另一方 面晶片邊緣附近幾乎不變。即使使中心氣體流量Fc和周圍氣體流量FE 相同(FC/FE =50/50)，晶片中央部分附近也比晶片邊緣附近高。這樣反應生成物容易積聚在中央部分一側(cè)是因為用來自上方的新鮮氣體流 把反應生成物壓向側(cè)方挪開的作用比周圍部分弱。如在晶片上反應生成物不均勻分布，不僅影響到各位置的處理氣 體供給率和化學反應的均勻性，還有時蝕刻形狀和選擇性等受到直接 影響。在此實施方式中如圖29和圖30所示，利用設定中心氣體流量Fc比周圃氣體流量Fe多(在圉中的例子中Fc/Fe =70/30附近)，可以 使反應生成物的空間密度均勻化。此外即使使用上述第1或第2實施 方式中的等離子體蝕刻裝置(圖1、圖8、圖18)，也能得到與上述相 同的模擬結(jié)果。(第6實施方式)使用上述第3實施方式的等離子體蝕刻裝置(圖8、圖21)，進 行蝕刻BARC (反射防止膜)的試驗。在此試驗中以中心/周圍氣體流 量比例(FC/FE)為參數(shù)，評價蝕刻形狀和選擇性。圖32A表示評價試 樣。使掩模開口直徑(O)為0.12ym、光致抗蝕膜的膜厚為350nm、 BARC的膜厚為80nm、 Si02的膜厚為700nm。作為選擇性評價項目測 定了 "氧化膜損失"和"保護膜殘量"。作為蝕刻形狀或尺寸精度的 評價項目測定了 "底部CD"。圖32B表示設定為Fc/FE =50/50時的各 評價項目的測定值，圖32C表示設定為FC/FE =70/30時的各評價項目 的測定值。測定點的"中心"是晶片的中心點的位置，"邊緣"是從 晶片的切口端向中心點5mm的位置。主要蝕刻條件如下。晶片口徑二300mm腔體內(nèi)的壓力爿50mTorr傳熱氣體(He氣)供給壓力(中心部位/邊緣部位)=10/25Torr上部和下部電極間距離-30mm外側(cè)上部電極的突出量(H) =15mm工藝氣體(CF4) — 200sccm高頻功率(60MHz/2MHz) H500W/600W蝕刻時間=30秒在此BARC蝕刻的評價項目中，"氧化膜損失"為作為BARC蝕 刻的延長削去基底膜的Si02后的深度。此值越小越好，與此同時晶片 上的波動(特別是中心和邊緣之間的波動)越小越好。"保護膜殘量"是蝕刻完成后殘留的光致抗蝕膜的厚度。此值越大越好，同樣波動越小越好。"底部CD"是在BARC上形成的孔的底的直徑。此值越接近掩模直徑o越好，同樣波動越小越好。如圖32B所示，在設定中心氣體流量Fc和周圍氣體流量Fe為相 同量(5: 5)時，在全部的評價項目中，中心和邊緣之間的波動大， 特別是"保護膜殘量"的波動大。與此相反，在設定中心氣體流量Fc 比周國氣體流量Fe多(7: 3)的情況下，如圖32C所示全部的評價項 目良好，均勻穩(wěn)定，選擇性和蝕刻形狀顯著改善。這樣如采用此實施方式，在處理容器10內(nèi)，特別是在設定在上部 電極34和下部電極16之間的等離子體生成空間中，調(diào)整從設置在上 部電極34的內(nèi)側(cè)上部電極38上的中心澆淋頭(62、 56a)噴射的處理 氣體流量Fc和從周圍澆淋頭(64、 56a)噴射的處理氣體流量FE的比 例(FC/FE)。這樣控制自由基密度的空間分布，可以實現(xiàn)用自由基基 體的蝕刻特性(選擇性、蝕刻形狀等)的均勻化。此外即使使用上述 第1或第2實施方式中的等離子體蝕刻裝置(圖1、圖8、圖18)，也 能得到與上述相同的測定結(jié)果。 (第7實施方式)使用上述第3實施方式中的等離子體蝕刻裝置(圖8、圖21)， 進行蝕刻Si02膜的試驗。在此試驗中以中心/周圍氣體流量比例(FC/FE) 為參數(shù)，評價蝕刻形狀。圖33A表示評價試樣。使掩模開口直徑(O)) 為0.22u m、光致抗蝕膜的膜厚為500nm、BARC的膜厚為100nm、SiO2 的膜厚為lym。作為蝕刻形狀的評價項目測定了 "蝕刻深度"和"頂 端CD"、"底部CD"。圖33B表示設定為FC/FE =50/50時的各評價 項目的測定值，圖33C表示設定為FC/FE =10/90時的各評價項目的測 定值。主要蝕刻條件如下。晶片口徑-300mm腔體內(nèi)的壓力二20mTorr溫度(上部電極/腔體側(cè)壁/下部電極)=20/60/60°C傳熱氣體(He氣)供給壓力(中心部位/邊緣部位)=20/35Torr上部和下部電極間距離二45mm外側(cè)上部電極的突出量(H) =15mm工藝氣體(C5F8/CH2F2/N2/Ar/02) N 10/20/110/560/1 Osccm 高頻功率(60MHz/2MHz) — 2300W/3500W RF功率比(內(nèi)側(cè)投入功率Pi/外側(cè)投入功率Po) =30:70 蝕刻時間=120秒在此Si02蝕刻的評價項目中，"蝕刻深度"是蝕刻時間(120秒) 期間在Si02膜上形成的孔的深度，相當于蝕刻速度。"頂端CD"和 "底部CD"是在Si02膜上形成的孔的上端和下端(底)的直徑，兩 者的值越接近，垂直形狀的性能(各向異性)越好。當然所有的評價 項目"中心"和"邊緣"之間的波動越小越好。如圖33B所示，在設定中心氣體流量Fc和周圍氣體流量Fe為相 同量的5: 5時，不僅"蝕刻深度"有波動，而且在各位置頂端CD/底 部CD的比小，有很大的錐形化的傾向。與此相反，在設定中心氣體 流量Fc比周國氣體流量Fe少(1: 9)的情況下，如圖33C所示，"蝕 刻深度"也就是蝕刻速度均勻化，同時能實現(xiàn)垂直形狀性能的提高和 均勻化。這樣在此實施方式中，也利用調(diào)整內(nèi)側(cè)氣體流量Fc和外側(cè)氣體流 量Fe的比例(Fc/Fe)，控制自由基密度的空間分布，可以達到用自由 基基體的蝕刻特性(特別是蝕刻形狀)的均勻化。此外即使使用上述 第1或第2實施方式中的等離子體蝕刻裝置(圖1、圖8、圖18)，也 能得到與上述相同的測定結(jié)果。如采用以上所述的實施方式，在處理容器10內(nèi)設定的等離子體生 成空間中，等離子體密度分布的控制和自由基密度分布的控制可以獨 立進行。這樣例如圖34的圖所示，在多種用途的等離子體處理的用途 中，可以恰好以兩個系統(tǒng)的獨立控制對應。上述的實施方式可以以本發(fā)明的技術(shù)思想為基礎(chǔ)進行各種變化。 例如也可以是把來自第一高頻電源52的高頻通過匹配器44和供電筒 50等僅提供給外側(cè)上部電極36,不提供給內(nèi)側(cè)上部電極38的結(jié)構(gòu)。 在此情況下，也可以是內(nèi)側(cè)上部電極38發(fā)揮作為澆淋頭的功能，或作 為用于把來自第二高頻電源90的高頻流向地線的電極的功能?；蛘咭?可以把內(nèi)側(cè)上部電極38更換成沒有電極功能的專用的澆淋頭。此外上 述的實施方式中，用一個或單體的環(huán)形電極構(gòu)成外側(cè)上部電極36，但也可以用整體環(huán)形配置的多個電極構(gòu)成。此外也可以采用使外側(cè)上部電極36的內(nèi)徑非常小的結(jié)構(gòu)和使外側(cè)上部電極36成圓盤形的結(jié)構(gòu)。 此外根據(jù)用途的不同，可以省掉第二高頻電源90。本發(fā)明不限于等離 子體蝕刻，可以適用于等離子體CVD、等離子體氧化、等離子體氮化、 濺射等各種等離子體處理。此外在本發(fā)明中的被處理基板也不是限定 于半導體晶片，也可以是平板顯示器用的各種基板、光掩模、CD基板、 印刷基板等。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，具有可以設置成有真空氣氛的處理容器；與在所述處理容器內(nèi)配置在規(guī)定位置的被處理基板相對向而環(huán)狀地配置的第一上部電極；在所述第一上部電極的半徑方向內(nèi)側(cè)以與其電絕緣狀態(tài)配置的第二上部電極；向所述處理容器內(nèi)提供處理氣體的處理氣體供給部；輸出第一高頻的第一高頻電源；把來自所述第一高頻電源的所述第一高頻以第一功率值提供給所述第一上部電極的第一供電部；把來自所述第一高頻電源的所述第一高頻，從所述第一供電部分出，以比所述第一功率值小的第二功率值提供給所述第二上部電極的第二供電部，所述第一上部電極具有與所述第二上部電極的下面相比還向下方突出的突出部分。
2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一上部電極具有連接于所述第一供電部的第一電極部件、 以及與所述基板相對向地可裝卸地安裝在所述第一電極部件下面的第 二電極部件。
3. 如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一 電極部件具有用于通過冷卻介質(zhì)的冷卻介質(zhì)通路。
4. 如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，還具有 設置在所述第一電極部件和所述第二電極部件之間的、用于降低熱阻的膜或薄片。
5. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一供電部具有在圓周方向連續(xù)地連接于所述第一上部電極的第一筒形導電部件。
6. 如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，還具有 被配置在所述第一筒形導電部件的半徑方向外側(cè)而且連接接地電位的第二筒形導電部件。
7. 如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，作為所述第二筒形導電部件的半徑對所述第一筒形導電部件的半徑之比的半徑比被設定在1.2 2.0的范圍內(nèi)。
8. 如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，還具有填充用所述第一筒形導電部件和所述第一上部電極圍住的空間的1/10 1/3的導體部件。
9. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于， 在所述第二供電部周圍配置導體部件。
10. 如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述導體部件被配置成在其中流過用于使第二供電部的電感變小 的感應電流。
11. 如權(quán)利要求IO所述的裝置，其特征在于， 所述導體部件在所述第二供電部的周圍，形成與由于在所述第二供電部流動的電流生成的磁通交鏈的閉合路。
12. 如權(quán)利要求ll所述的裝置，其特征在于， 所述導體部件被環(huán)形配置成圍在所述第二供電部周圍。
13. 如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于， 所述導體部件用一個環(huán)形導體構(gòu)成。
14. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，相對于所述第二上部電極的下面，所述突出部分向下方的突出量被設定在25mm以下。
15. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述突出部分的內(nèi)徑部分被配置在相比于所述基板的外周端向半 徑方向外側(cè)離開24mm 30mm的位置上。
16. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還具有 覆蓋所述突出部分的下面的密封部件。
17. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，還具有 配置在所述第一上部電極的下面的密封部件。
18. 如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于， 所述密封部件用導體或半導體構(gòu)成。
19. 如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于， 所述密封部件從所述第一上部電極的下面延伸到所述處理容器的內(nèi)壁。
20. 如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于， 所述密封部件與被從所述第一上部電極實施電分離而且被接地的所述處理容器進行電連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置，其具有可以設置成有真空氣氛的處理容器；與在所述處理容器內(nèi)配置在規(guī)定位置的被處理基板相對向而環(huán)狀地配置的第一上部電極；在所述第一上部電極的半徑方向內(nèi)側(cè)以與其電絕緣狀態(tài)配置的第二上部電極；向所述處理容器內(nèi)提供處理氣體的處理氣體供給部；輸出第一高頻的第一高頻電源；把來自所述第一高頻電源的所述第一高頻以第一功率值提供給所述第一上部電極的第一供電部；把來自所述第一高頻電源的所述第一高頻，從所述第一供電部分出，以比所述第一功率值小的第二功率值提供給所述第二上部電極的第二供電部，所述第一上部電極具有與所述第二上部電極的下面相比還向下方突出的突出部分。
文檔編號H01L21/3065GK101231943SQ20081000554
公開日2008年7月30日 申請日期2003年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月26日
發(fā)明者佐佐木寬充, 興石公, 吉田哲雄, 大藪淳, 小笠原正宏, 平野太一, 廣瀨潤, 齋藤道茂, 沼田幸治, 石原博之 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社