專利名稱：半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及電子設(shè)備。
技術(shù)背景薄膜電路裝置、液晶裝置等半導(dǎo)體裝置在基板表面具有包含半導(dǎo)體元 件等的薄膜電路層。 一般而言，將單結(jié)晶硅晶片、石英玻璃基板、耐熱玻 璃基板、樹脂膜、不銹鋼基板等作為基板的材料使用。對(duì)于基板使用了樹 脂膜的半導(dǎo)體裝置，因?yàn)榛遄陨肀。哂锌蓳闲?，所以在能夠提供輕量 且具備柔軟性的半導(dǎo)體裝置這一點(diǎn)上是有意義的(例如，參照專利文獻(xiàn)1 )。在制造這種半導(dǎo)體裝置時(shí)，采取在母基板上形成多個(gè)薄膜電路層并將母基板分割為每一個(gè)該薄膜電路層的、稱為多圖案形成(多面取19)的手 段。此外，由于樹脂膜的耐熱性比較低，直接形成薄膜電路層困難，所以 也有轉(zhuǎn)印已制作在玻璃基板上的薄膜電路層來(lái)形成的情況。 一般而言，薄 膜電路層的彈性常數(shù)是數(shù)十GPa左右，線膨脹系數(shù)是數(shù) 數(shù)十ppm/K左右。 另一方面，樹脂膜的彈性常數(shù)是數(shù)GPa左右，線膨脹系數(shù)是10 50ppm/K 左右。專利文獻(xiàn)1特開平10-l25929號(hào)公凈艮但是，在這種半導(dǎo)體裝置中，存在有基板的端部在分離為各個(gè)半導(dǎo)體 裝置時(shí)包含微小的裂縫、缺口等的情況。如果應(yīng)力集中在這樣的部位，則 存在裂縫擴(kuò)大到薄膜電路層、薄膜電路層斷裂的可能性。因薄膜電路層斷 裂，會(huì)引起半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作不良。因此，需要能夠防止這種薄膜電路層 的斷裂并能夠確保高的可靠性的技術(shù)。發(fā)明內(nèi)容鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠確保高的可靠性的半 導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及電子設(shè)備。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置其特征在于，具備至少在 表面具有樹脂層的基板；設(shè)置在上述基板上的薄膜電路層；以及在上述基 板的表面上以包圍上述薄膜電路層的方式設(shè)置的增強(qiáng)部。如果采用本發(fā)明，則因?yàn)樵鰪?qiáng)基板的增強(qiáng)部在該基板的表面上以包圍 薄膜電路層的方式設(shè)置，所以在設(shè)置有增強(qiáng)部的區(qū)域，基板的強(qiáng)度得到提 高。因此，例如在通過多圖案形成而形成半導(dǎo)體裝置的情況下，能夠防止 在基板分離時(shí)形成的微小的裂縫、缺口等擴(kuò)大到薄膜電路層。由此，能夠 得到可確保高的可靠性的半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置其特征在于上述增強(qiáng)部是設(shè)置在上述基板的表面的 凸條。如果采用本發(fā)明，則因?yàn)樵鰪?qiáng)部是設(shè)置在基板的表面的凸條，所以設(shè) 置有增強(qiáng)部的區(qū)域的厚度比其他區(qū)域厚。由此，能夠使該區(qū)域的J4反的強(qiáng) 度提高。上述半導(dǎo)體裝置其特征在于上述增強(qiáng)部設(shè)置有多個(gè)。 如果采用本發(fā)明，則因?yàn)樵鰪?qiáng)部設(shè)置有多個(gè)，所以能夠多重保護(hù)從基板的端部開始的裂縫、缺口等。由此，能夠進(jìn)一步可靠地防止薄膜電路層的斷裂。上述半導(dǎo)體裝置其特征在于上述基板是矩形的；上述增強(qiáng)部設(shè)置在 包含有上述J41的角部的區(qū)域。在通過多圖案形成分割為多個(gè)矩形M的情況下，在矩形基板的角部 特別容易形成裂縫、缺口等。如果采用本發(fā)明，則因?yàn)樵鰪?qiáng)部設(shè)置在矩形 的基板的包含角部的區(qū)域，所以能夠進(jìn)一步可靠地防止裂縫、缺口等擴(kuò)大 到薄膜電路層。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法其特征在于，包括在至少在表面具 有樹脂層的基板上，形成多個(gè)薄膜電路層的第1工序；以包圍上述多個(gè)薄膜電路層的各個(gè)的方式形成多個(gè)增強(qiáng)部的第2工序；以及通過在相鄰的上 述多個(gè)增強(qiáng)部的各個(gè)之間切割上述基板而將上述多個(gè)薄膜電路層分割為各 個(gè)的第3工序。如果采用本發(fā)明，則因?yàn)樵谥辽僭诒砻婢哂袠渲瑢拥腗上形成多個(gè) 薄膜電路層并且以包圍該多個(gè)薄膜電路層的各個(gè)的方式形成多個(gè)增強(qiáng)部之 后，通過在相鄰的多個(gè)增強(qiáng)部的各個(gè)之間切割基板而將多個(gè)薄膜電路層分 割為各個(gè)，所以，能夠利用增強(qiáng)部防止在切割基板時(shí)產(chǎn)生的裂縫、缺口等 擴(kuò)大到薄膜電路層的區(qū)域。由此，因?yàn)槟軌蚩煽康胤乐贡∧る娐穼訑嗔眩?所以能夠制造具有高的可靠性的半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置的制造方法其特征在于在與上述基板不同的元件基 板上形成上述增強(qiáng)部，并且通過轉(zhuǎn)印將上述增強(qiáng)部形成在上述基板上。如果采用本發(fā)明，則因?yàn)樵谂c基板不同的元件基板上形成增強(qiáng)部，并 且通過轉(zhuǎn)印將該增強(qiáng)部形成在基板上，所以能夠容易地形成該增強(qiáng)部。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法其特征在于，包括在具有表面層的 第1基板上形成薄膜電路層的第1工序；在包圍上述薄膜電路層的上述表 面層上形成增強(qiáng)部的第2工序；在至少在表面具有樹脂層的第2M上轉(zhuǎn) 印上述薄膜電路層以及上述表面層的第3工序。如果采用本發(fā)明，則因?yàn)樵诰哂斜砻鎸拥牡趌基板上形成薄膜電路層 并且在包圍該薄膜電路層的表面層上形成增強(qiáng)部之后，在至少在表面具有 樹脂層的第2基板上轉(zhuǎn)印薄膜電路層以及表面層，所以，在例如樹脂膜那 樣的耐熱性低的基板上也能夠形成薄膜電路層以及增強(qiáng)部，在玻璃基板那 樣耐熱性高的基^1上當(dāng)然也能夠形成。這樣，利用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的 制造方法，形成薄膜電路層以及增強(qiáng)部的基板的選擇范圍寬。上述半導(dǎo)體裝置的制造方法其特征在于上述增強(qiáng)部是^L置在上述基 板的表面的凸條。如果采用本發(fā)明，則因?yàn)樵鰪?qiáng)部是設(shè)置在J41的表面的凸條，所以具 有即使在直接形成凸條有困難的基板上也能夠通過轉(zhuǎn)印容易地形成的優(yōu)點(diǎn)。上述半導(dǎo)體裝置的制造方法其特征在于設(shè)置有多個(gè)上述增強(qiáng)部。 如果采用本發(fā)明，則因?yàn)橥ㄟ^轉(zhuǎn)印形成多個(gè)增強(qiáng)部，所以與直接在基板上形成該多個(gè)增強(qiáng)部的情況相比，能夠簡(jiǎn)單地形成。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置其特征在于利用上述半導(dǎo)體裝置的制造方法制造而成。如果采用本發(fā)明，則因?yàn)槔貌还芾鐦渲つ菢幽蜔嵝缘偷幕濉?玻璃基板那樣耐熱性高的基板等基板的材質(zhì)如何都有效的制造方法制造， 所以能夠得到可以用于各種用途的半導(dǎo)體裝置。此外，因?yàn)樵谠O(shè)置有增強(qiáng) 部的區(qū)域，通過基于增強(qiáng)部的增強(qiáng)和基于轉(zhuǎn)印的接合進(jìn)行雙重增強(qiáng)，所以 能夠可靠地防止薄膜電路層的斷裂。由此，能夠得到可靠性高的半導(dǎo)體裝 置。本發(fā)明的電子設(shè)備其特征在于安裝有上述的半導(dǎo)體裝置。 如果采用本發(fā)明，則因?yàn)榘惭b有具備高的可靠性的半導(dǎo)體裝置，所以 能夠得到故障、動(dòng)作不良等少的優(yōu)質(zhì)的電子設(shè)備。


圖1是示出本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2是示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖3是示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過程的圖；圖4是示出在基板上出現(xiàn)裂縫的狀態(tài)的圖；圖5是示出本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖6是示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖7是示出本發(fā)明的第3實(shí)施方式的液晶裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖8是示出本實(shí)施方式的液晶裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖9是示出本實(shí)施方式的液晶裝置的制造過程的工序圖；圖10同、工序圖；圖11同、工序圖；圖12同、工序圖；圖13同、工序圖； 圖14同、工序圖； 圖15同、工序圖； 圖16同、工序圖；圖17是示出本發(fā)明的第4實(shí)施方式的液晶裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖18是示出本實(shí)施方式的液晶裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖19是示出本發(fā)明的第5實(shí)施方式的液晶裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖20是示出本發(fā)明的第6實(shí)施方式的液晶裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖21是示出本發(fā)明的第7實(shí)施方式的移動(dòng)電話的結(jié)構(gòu)的透視圖。符號(hào)說明1、 101:半導(dǎo)體裝置；2、 102:基板；2a: 502a:基材；2b 502b: 表面層；3、 103:薄膜電路層；4~504:增強(qiáng)部；10:母基板；21:缺口； 22:裂縫；2t)l 501:液晶裝置；202 502:基板；203 503:光調(diào)制區(qū)域； 210 510: TFT陣列基板；600:移動(dòng)電話。
具體實(shí)施方式
以下，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施方式。 [第1實(shí)施方式l對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體 裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。如該圖所示，半導(dǎo)體裝置1以基板2、薄膜電路層3、增強(qiáng)部4為主體 而構(gòu)成。薄膜電路層3設(shè)置在基板2的平面看中央部，是包含半導(dǎo)體元件 等的電路。增強(qiáng)部4以包圍薄膜電路層3的方式設(shè)置在基板2上，是例如 由丙烯、聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成的凸條部。圖2是示出沿著圖1中的A-A剖面的結(jié)構(gòu)的圖。如圖2所示，基板2以基材2a和表面層2b為主體而構(gòu)成，成為在基 材2a上層疊有表面層2b的結(jié)構(gòu)。基材2a由樹脂材料構(gòu)成，表面層2b由樹脂材料或者Si02等無(wú)機(jī)材料構(gòu)成。作為該樹脂材料，例如可以列舉出丙烯、聚酰亞胺等。增強(qiáng)部4在表面層2b上剖面看梯形狀(凸形狀)地設(shè)置。通過設(shè)置增強(qiáng)部4,使增強(qiáng)部4處的基板2的厚度t比其他區(qū)域處的厚 度t0要大。由于厚度t比其他區(qū)域的厚度t0大，所以在設(shè)置有增強(qiáng)部4 的區(qū)域，相對(duì)于變形的強(qiáng)度比其他區(qū)域要大。而且，優(yōu)選地，增強(qiáng)部4距 離基板2的表面的高度設(shè)置為小于等于10Mm。以下，說明制造上述那樣構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置l的工序。半導(dǎo)體裝置l， 通過在母基板上形成多個(gè)薄膜電路層并將該母基板分割成每1個(gè)薄膜電路 層而形成(多圖案形成)。在本實(shí)施方式中，以包圍母基板10上各薄膜電路層3所形成在的區(qū)域 的方式，分別形成增強(qiáng)部4。增強(qiáng)部4可以用點(diǎn)膠機(jī)(f、7^y寸)等形 成，也可以利用光刻法等進(jìn)行圖案形成，還可以轉(zhuǎn)印已經(jīng)圖案形成在其他 基板上的圖案而形成。如果形成了薄膜電路層3以及增強(qiáng)部4,則切割母基板10。作為切割 方法，適宜使用采用切割砂輪、刀狀物、剪刀等的機(jī)械切削法、激光刻字 法等手段。在成為切割片的基板2的切割部分，會(huì)形成微細(xì)的缺口 21。當(dāng)在母H1上沒有形成增強(qiáng)部4的情況下，如果因溫度變化、彎曲等 而對(duì)該半導(dǎo)體裝置1施加應(yīng)力，則如圖4(a)所示，有可能從基板52的 缺口21開始形成裂縫，到達(dá)薄膜電路層53。在此情況下，薄膜電路層53 將斷裂。相對(duì)于此，如果采用本實(shí)施方式，則由于增強(qiáng)基才反2的增強(qiáng)部4在該 基板2的表面層2b上以包圍薄膜電路層3的方式設(shè)置，所以在設(shè)置有增強(qiáng) 部4的區(qū)域，基板2的強(qiáng)度得到提高。如圖4(b)所示，例如即使在因?qū)?半導(dǎo)體裝置1進(jìn)行多圖案形成而在基板2的切割部分形成了缺口 21的情況 下，也因?yàn)槔迷鰪?qiáng)部4止住從該缺口 21開始的裂縫22，所以能夠防止 裂縫22擴(kuò)大到薄膜電路層3。由此，能夠得到可確保高的可靠性的半導(dǎo)體 裝置l。[第2實(shí)施方式以下，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。圖5是示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖6是示出沿著圖5中的B-B剖面的結(jié)構(gòu)的剖面圖。 如圖5所示，半導(dǎo)體裝置101以基板102、薄膜電路層103、增強(qiáng)部 104為主體而構(gòu)成。與第1實(shí)施方式一樣，薄膜電路層103設(shè)置在基板102 的平面看中央部。在本實(shí)施方式中，增強(qiáng)部104成為這樣的結(jié)構(gòu)以包圍 薄膜電路層103的方式多重設(shè)置在基板102上，在圖5以及圖6中，例如 凸條部被3重設(shè)置。這樣，如果采用本實(shí)施方式，則由于構(gòu)成增強(qiáng)部104的凸條被多重設(shè) 置，所以能夠多重保護(hù)從基板102的溝部開始的裂縫、缺口等。由此，能 夠進(jìn)一步增強(qiáng)基板102的強(qiáng)度，能夠進(jìn)一步可靠地防止薄膜電路層的斷裂。 [第3實(shí)施方式以下，說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式。圖7是示出本實(shí)施方式的液晶裝 置201的結(jié)構(gòu)的平面圖。如該圖所示，液晶裝置201成為這樣的結(jié)構(gòu)將例如由丙烯、PES等 透明的樹脂材料構(gòu)成的TFT陣列基板210和對(duì)置基板220重疊并且利用設(shè) 置在兩者間的密封材料(未圖示)使之粘接。在由密封材料包圍的區(qū)域內(nèi) 封入有液晶層(未圖示)。密封材料的內(nèi)側(cè)的區(qū)域成為調(diào)制來(lái)自外部的光 的光調(diào)制區(qū)域203。在TFT陣列基板210中、從對(duì)置基板220伸出的區(qū)域(伸出區(qū)域)， 形成有掃描線驅(qū)動(dòng)電路205、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路206等驅(qū)動(dòng)電路、在TFT陣 列基板210與對(duì)置基板220之間實(shí)現(xiàn)電氣導(dǎo)通的基板間導(dǎo)通部207、與外 部的端子連接的連接部208等。在該伸出區(qū)域，沿著TFT陣列基板210的外周設(shè)置有增強(qiáng)部204。增 強(qiáng)部204例如由丙烯、聚酰亞胺等樹脂材料構(gòu)成，其以包圍上述的光調(diào)制 區(qū)域203、掃描線驅(qū)動(dòng)電路205、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路206、基板間導(dǎo)通部207 以及連接部208的方式環(huán)狀地設(shè)置。與第1實(shí)施方式一樣，優(yōu)選地，增強(qiáng) 部204距離基板202的表面的高度設(shè)置為小于等于10|im。圖8是示出沿著圖7中的C-C剖面的形狀的圖。為了說明的簡(jiǎn)單，僅 示出了 TFT陣列基板210的剖面結(jié)構(gòu)。如該圖所示，液晶裝置201的TFT陣列基板210成為由以下部分層疊而成的結(jié)構(gòu)基材210a;粘接層210b; 基底層211;柵絕緣層212;第1絕緣層213;第2絕緣層214。在TFT陣 列基板210的上述的伸出區(qū)域，增強(qiáng)部204以在第2絕緣層214的表面突 出的方式設(shè)置。因而，設(shè)置有該增強(qiáng)部204的區(qū)域與其他區(qū)域相比，基板 202的厚度變厚。在TFT陣列基板210的光調(diào)制區(qū)域203，設(shè)置有像素電極219、薄膜 晶體管215、源電極216、漏電極217。像素電極219設(shè)置在與光調(diào)制區(qū)域 203的各像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域。薄膜晶體管215設(shè)置在光調(diào)制區(qū)域203的各像 素間，以具有溝道區(qū)域215c、源區(qū)域215s和漏區(qū)域215d的半導(dǎo)體膜、柵 電極215g為主體而構(gòu)成。源電極216與半導(dǎo)體膜的源區(qū)域215s連接。漏 電極217以連通柵絕緣層212、第1絕緣層213以及第2絕緣層214的方 式設(shè)置，其與半導(dǎo)體膜的漏區(qū)域215d和像素電極219連接。以下，沈明上述那樣構(gòu)成的液晶裝置201的制造方法。在此，以TFT 陣列基板210的制造工序?yàn)橹行倪M(jìn)行說明。首先，如圖9所示，在玻璃基板230上形成剝離層231，在剝離層231 上分別形成基底層211、半導(dǎo)體膜、柵絕緣層212、柵電極215g、第l絕 緣層213、源電極216、漏電極217、第2絕緣層214、像素電極219，在 第2絕緣層214上例如利用點(diǎn)膠機(jī)等形成增強(qiáng)部204。對(duì)于剝離層231，使 用例如靠紫外線照射而變質(zhì)且粘接力下降那樣的材料。接著，如圖10所示，在包含增強(qiáng)部204以及像素電極219在內(nèi)的第2 絕緣層214上形成臨時(shí)粘接劑240，并經(jīng)由該臨時(shí)粘接劑240粘接剝離層 251以及玻璃基板250。剝離層251與剝離層231—樣，使用靠紫外線照射 而變質(zhì)且粘接力下降那樣的材料。接著，如圖ll所示，從玻璃基板230側(cè)向剝離層231照射紫外線，使 剝離層231變質(zhì)。在使剝離層231變質(zhì)后，如圖12所示，剝離玻璃基板230。剝離界面 從粘接力下降后的剝離層231內(nèi)部或者層界面剝離。在剝離了基底層211 后，如圖13所示那樣，在該基底層211上經(jīng)由粘接層210b粘接基材210a。接著，如圖14所示，從玻璃基板250側(cè)向剝離層251照射紫外線，使 剝離層251變質(zhì)。在使剝離層251變質(zhì)后，如圖15所示，剝離玻璃基板250。這樣，如 圖16所示，TFT陣列基板210完成。在本實(shí)施方式那樣的液晶裝置201中，也與半導(dǎo)體裝置l一樣，由于 增強(qiáng)TFT陣列基板210的增強(qiáng)部204在該TFT陣列基K 210的表面上以 包圍光調(diào)制區(qū)域203等的方式設(shè)置，所以在設(shè)置有增強(qiáng)部204的區(qū)域，TFT 陣列基板210的強(qiáng)度得到提高。由此，例如即使在從TFT陣列基板210的 端邊產(chǎn)生了裂縫的情況下，也能夠防止該裂縫擴(kuò)大。由此，能夠得到可確 保高的可靠性的液晶裝置201。此外，如果采用本實(shí)施方式，則由于在具有剝離層231 (表面層)的 玻璃基板230 (第1基板)上形成了薄膜晶體管215 (薄膜電路層)，并在 包圍該薄膜晶體管215的剝離層231上形成了增強(qiáng)部204后，在表面具有 基底層210b的基材210a (第2基板)上轉(zhuǎn)印薄膜晶體管215以及剝離層 231,所以，即使在例如樹脂膜那樣耐熱性低的基板上也能夠形成薄膜晶體 管215以及增強(qiáng)部204，在玻璃基板那樣耐熱性高的141上當(dāng)然也能夠形 成。這樣，本實(shí)施方式形成薄膜晶體管215以及增強(qiáng)部204的基板的逸擇 范圍寬。這樣制造的半導(dǎo)體裝置201可以用于各種用途。此外，如果采用本實(shí)施方式，則由于在基材210a中設(shè)置有增強(qiáng)部204 的區(qū)域，通過基于增強(qiáng)部204的增強(qiáng)和基于轉(zhuǎn)印的粘接實(shí)現(xiàn)雙重增強(qiáng)，所 以能夠可靠地防止薄膜晶體管215的斷裂。由此，能夠得到可靠性高的液 晶裝置201。[第4實(shí)施方式以下，說明本發(fā)明的第4實(shí)施方式。圖17是示出本實(shí)施方式的液晶裝 置301的結(jié)構(gòu)的平面圖。如該圖所示，液晶裝置301與第3實(shí)施方式一樣，成為這樣的結(jié)構(gòu) 將例如由丙烯、PES等透明的樹脂材料構(gòu)成的TFT陣列基板310和對(duì)置基 板320重疊，并且利用設(shè)置在兩者之間的密封材料(未圖示)使之粘合。在由密封材料包圍的區(qū)域內(nèi)封入有液晶層(未圖示)。密封材料的內(nèi)側(cè)的區(qū)域，成為調(diào)制來(lái)自外部的光的光調(diào)制區(qū)域303。在TFT陣列基板310中、從對(duì)置基板320伸出的區(qū)域(伸出區(qū)域)， 與第3實(shí)施方式同樣，形成有掃描線驅(qū)動(dòng)電路305、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路306 等驅(qū)動(dòng)電路、在TFT陣列基板310與對(duì)置基板320之間實(shí)現(xiàn)電氣導(dǎo)通的基 板間導(dǎo)通部307、與外部的端子連接的連接部308等。在本實(shí)施方式中，沿著TFT陣列基板310的外周設(shè)置有增強(qiáng)部304, 其以包圍光調(diào)制區(qū)域303并且覆蓋該伸出區(qū)域的全體的方式設(shè)置。該增強(qiáng) 部304設(shè)置在掃描線驅(qū)動(dòng)電路305、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路306的上層側(cè)，并且 以包圍基板間導(dǎo)通部307以及連接部308的方式"^殳置。其他的結(jié)構(gòu)和第3 實(shí)施方式大致相同。圖18是示出沿著圖17中的D-D剖面的形狀的圖。僅示出了 TFT陣 列基板310的剖面結(jié)構(gòu)。如該圖所示，增強(qiáng)部304以在伸出區(qū)域中覆蓋TFT 陣列差^反310的第2絕緣層314上的方式設(shè)置。設(shè)置有該增強(qiáng)部304的區(qū) 域，與其他區(qū)域相比基板310的厚度要厚，TFT陣列基板310的強(qiáng)度與其 他區(qū)域相比相應(yīng)變強(qiáng)。與上述實(shí)施方式一樣，優(yōu)選地，增強(qiáng)部304距離第 2絕緣層314的表面的高度設(shè)置為小于等于10mm。這樣，如果采用本實(shí)施方式，則由于增強(qiáng)部304以覆蓋TFT陣列基才反 310的伸出區(qū)域的全體的方式設(shè)置，所以能夠進(jìn)一步增強(qiáng)該部分處TFT陣 列基板310的強(qiáng)度。由此，可以進(jìn)一步提高液晶裝置301的可靠性。[第5實(shí)施方式以下，說明本發(fā)明的第5實(shí)施方式。圖19是示出本實(shí)施方式的液晶裝 置401的結(jié)構(gòu)的平面圖。如該圖所示，液晶裝置401基本上成為與第3實(shí)施方式的液晶裝置201 大致相同的結(jié)構(gòu)，但是，在TFT陣列基板410的角部分別設(shè)置有增強(qiáng)部 404a、 404b、 404c、 404d這一點(diǎn)上，與笫3實(shí)施方式不同。在通過多圖案形成分割為多個(gè)矩形基板的情況等下，在矩形基板的角 部特別容易形成裂縫、缺口等。如果采用本實(shí)施方式，則由于在矩形的TFT陣列基板410的各個(gè)角部設(shè)置有增強(qiáng)部404a 404d，所以能夠進(jìn)一步可靠 地防止裂縫、缺口等擴(kuò)大到薄膜電路層。 [第6實(shí)施方式以下，說明本發(fā)明的第6實(shí)施方式。圖20是示出本實(shí)施方式的液晶裝 置501的結(jié)構(gòu)的剖面圖。液晶裝置501基本上成為與笫3實(shí)施方式的液晶 裝置201大致相同的結(jié)構(gòu)。在圖20中，為了說明的簡(jiǎn)單，僅示出了 TFT 陣列基板510的剖面結(jié)構(gòu)。如該圖所示，在TFT陣列基板510上，多重地設(shè)置有構(gòu)成增強(qiáng)部504 的凸條。在本實(shí)施方式中，由于多重地設(shè)置這種凸條，所以能夠多重地保 護(hù)從TFT陣列基板510的邊緣開始的裂縫、缺口等。由此，能夠進(jìn)一步增 強(qiáng)TFT陣列基板510的強(qiáng)度。而且，由這種多重凸條構(gòu)成的增強(qiáng)部504，也可以利用在上述實(shí)施方 式中說明的轉(zhuǎn)印手段來(lái)形成。如果采用轉(zhuǎn)印的手段，則因?yàn)槟軌蝾A(yù)先在另 一基板上形成增強(qiáng)部504，所以具有即使在直接形成增強(qiáng)部504困難的基 板上，也能夠容易地形成增強(qiáng)部504的優(yōu)點(diǎn)。[第7實(shí)施方式]以下，說明本發(fā)明的第7實(shí)施方式。圖21是示出本實(shí)施方式的移動(dòng)電 話600的整體結(jié)構(gòu)的透視圖。圖21是示出移動(dòng)電話600的整體結(jié)構(gòu)的透視圖。移動(dòng)電話600以殼體601、設(shè)置有多個(gè)操作按鈕的操作部602、顯示圖 像、運(yùn)動(dòng)圖像、文字等的顯示部603為主體而構(gòu)成。在顯示部603上，安 裝有上述的液晶裝置201~501。這樣，因?yàn)榘惭b有具備高的可靠性的液晶裝置201-501,所以能夠得 到故障、動(dòng)作不良等少的優(yōu)質(zhì)的移動(dòng)電話600。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備至少在表面具有樹脂層的基板；設(shè)置在上述基板上的薄膜電路層；以及在上述基板的表面上以包圍上述薄膜電路層的方式設(shè)置的增強(qiáng)部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述增強(qiáng)部是設(shè)置在上述基板的表面的凸條。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述增強(qiáng)部設(shè)置有多個(gè)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述基板是矩形的；上述增強(qiáng)部設(shè)置在包含有上述基板的角部的區(qū)域。
5. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括 在至少在表面具有樹脂層的基板上， 形成多個(gè)薄膜電路層的第1工序；以包圍上述多個(gè)薄膜電路層的各個(gè)的方式形成多個(gè)增強(qiáng)部的第2工 序；以及通過在相鄰的上述多個(gè)增強(qiáng)部的各個(gè)之間切割上述基板而將上述多個(gè) 薄膜電路層分割為各個(gè)的第3工序。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 在與上述基^l不同的元件基^Ji形成上述增強(qiáng)部，并且通過轉(zhuǎn)印將上述增強(qiáng)部形成在上述基板上。
7. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括 在具有表面層的第1基板上形成薄膜電路層的第1工序； 在包圍上述薄膜電路層的上述表面層形成增強(qiáng)部的第2工序； 在至少在表面具有樹脂層的第2基板上轉(zhuǎn)印上述薄膜電路層以及上述表面層的第3工序。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 上述增強(qiáng)部是設(shè)置在上述基板的表面的凸條。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 設(shè)置有多個(gè)上述增強(qiáng)部。
10. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于利用權(quán)利要求7 9中的任意一項(xiàng) 所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造而成。
11. 一種電子設(shè)備，其特征在于安裝有權(quán)利要求1 4、 IO中的任意 一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠確保高的可靠性的半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及電子設(shè)備。由于增強(qiáng)基板2的增強(qiáng)部4在該基板2的表面層上以包圍薄膜電路層3的方式設(shè)置，所以在設(shè)置有增強(qiáng)部4的區(qū)域，基板2的強(qiáng)度得到提高。例如，即使在因多圖案形成半導(dǎo)體裝置而在基板2的切割部分形成了缺口21的情況下，由于利用增強(qiáng)部4止住從該缺口21開始的裂縫22，所以能夠防止裂縫22擴(kuò)大到薄膜電路層3。由此，能夠得到可以確保高的可靠性的半導(dǎo)體裝置。
文檔編號(hào)H01L21/77GK101241917SQ200810005529
公開日2008年8月13日 申請(qǐng)日期2008年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月6日
發(fā)明者小平泰明 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社