專利名稱：基板處理裝置以及聚焦環(huán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置以及聚焦環(huán)，特別涉及對載置臺以及聚 焦環(huán)的熱傳導(dǎo)效率進行改善的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
在對作為基板的晶片實施等離子體處理(例如蝕刻處理)的情況 下，通過蝕刻而在晶片表面形成的槽的寬度和深度受到晶片的溫度的 影響，因此要求在蝕刻處理中保持晶片的整個表面的溫度均勻。對晶片實施蝕刻處理的基板處理裝置包括用于收納晶片的能夠 被減壓的腔室；以及在蝕刻處理中用于載置晶片的載置臺(以下稱基 座)，在被減壓的腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體，由該產(chǎn)生的等離子體對晶片進 行蝕刻，基座具有調(diào)溫機構(gòu)，以用于對晶片的溫度進行控制。在對晶 片實施蝕刻處理時，晶片接收到來自等離子體的熱量而溫度上升，因 此基座的調(diào)溫機構(gòu)對晶片進行冷卻處理并將該溫度維持一定。另外，在基座上以包圍晶片周邊部的方式載置有例如由硅構(gòu)成的 環(huán)狀的聚焦環(huán)。該聚焦環(huán)將腔室內(nèi)的等離子體聚集到晶片上。在進行 蝕刻處理時，聚焦環(huán)也接收到來自等離子體的熱量而溫度上升，例如 上升至300。C 400。C。在進行蝕刻處理時，雖然能夠通過基座的調(diào)溫機構(gòu)將晶片的大部 分冷卻，但是由于晶片的周邊部受到聚焦環(huán)的放射熱的影響，所以難 以保持晶片整個表面的溫度均勻。此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，因為聚焦環(huán)不僅載置在基座上，因此不能 密封聚焦環(huán)和基座，聚焦環(huán)以及基座的熱傳導(dǎo)效率低。其結(jié)果，聚焦 環(huán)蓄積有熱量，不能使聚焦環(huán)的熱量一定，從而導(dǎo)致難以對同一組(lot) 內(nèi)的多個晶片進行均勻的蝕刻處理。根據(jù)以上可知，有必要積極地控制聚焦環(huán)的溫度。因此，開發(fā)出 一種改良聚焦環(huán)和基座的熱傳導(dǎo)效率，并且通過基座的調(diào)溫機構(gòu)對聚焦環(huán)積極地進行調(diào)溫的方案(例如參照專利文獻1)。在該方案中，在聚焦環(huán)和基座之間配置傳熱板(sheet)來改良熱傳導(dǎo)效率。 專利文獻l:日本特開2002-16126號公報但是，在聚焦環(huán)和基座之間配置傳熱板的情況下，在聚焦環(huán)和基 座之間，以及在傳熱板和基座之間分別產(chǎn)生界面。各界面的密接程度 (緊密接觸的程度)與聚焦環(huán)和基座直接接觸的情況相比雖然有所提 高，但是在各界面上仍然殘留有若干微小的間隙。因為將聚焦環(huán)、傳 熱板和基座放置在減壓的環(huán)境下，因此微小的間隙形成真空絕熱層， 阻礙各界面的熱傳導(dǎo)。因此，仍然存在無法充分改良聚焦環(huán)和基座之 間的熱傳導(dǎo)效率的問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種能夠充分改良聚焦環(huán)和載置臺之間的 熱傳導(dǎo)效率的基板處理裝置以及聚焦環(huán)。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面的基板處理裝置，其特征在 于，包括收納基板的收納室；配置在該收納室內(nèi)的用于載置所述基 板的載置臺；和以包圍所述被載置的基板的周邊部的方式載置在所述 載置臺上的環(huán)狀聚焦環(huán)，其中，所述收納室內(nèi)被減壓，通過印刷處理 在所述聚焦環(huán)與所述載置臺的接觸面上形成熱傳導(dǎo)膜。第二方面的基板處理裝置，其特征在于在第一方面所述的基板 處理裝置中，上述印刷處理為絲網(wǎng)印刷處理、涂敷處理和噴涂印刷處 理中的任一種。第三方面的基板處理裝置，其特征在于在第一方面或第二方面 所述的基板處理裝置中，上述熱傳導(dǎo)膜由彈性部件構(gòu)成。第四方面的基板處理裝置，其特征在于在第三方面所述的基板 處理裝置中，上述彈性部件由樹脂構(gòu)成。第五方面的基板處理裝置，其特征在于在第一方面 第四方面 中任一方面所述的基板處理裝置中，上述熱傳導(dǎo)膜的厚度為0.2mm 1.0 mm。第六方面的基板處理裝置，其特征在于在第一方面 第五方面 中任一方面所述的基板處理裝置中，上述載置臺在與上述熱傳導(dǎo)膜接觸的部分具有用于收納上述熱傳導(dǎo)膜的槽。為了實現(xiàn)上述目的，第七方面的聚焦環(huán)，其特征在于在包括收 納基板的收納室以及配置在該收納室內(nèi)的用于載置所述基板的載置臺 并且所述收納室內(nèi)被減壓的基板處理裝置中，所述聚焦環(huán)以包圍所述 被載置的基板的周邊部的方式而被載置在所述載置臺上并且所述聚焦 環(huán)呈環(huán)狀，其中，通過印刷處理在所述聚焦環(huán)與所述載置臺的接觸面 上形成熱傳導(dǎo)膜。根據(jù)第一方面的基板處理裝置和第七方面的的聚焦環(huán)，因為通過 印刷處理在聚焦環(huán)與上述載置臺的接觸面上形成熱傳導(dǎo)膜，因此能夠 使聚焦環(huán)和熱傳導(dǎo)膜充分緊貼，并且能夠防止在聚焦環(huán)和熱傳導(dǎo)膜之 間產(chǎn)生界面。其結(jié)果，當(dāng)將聚焦環(huán)載置在載置臺上時，僅在熱傳導(dǎo)膜 與載置臺之間產(chǎn)生界面，因此能夠充分地改良聚焦環(huán)和載置臺之間的 熱傳導(dǎo)效率。根據(jù)第二方面的基板處理裝置，因為印刷處理為絲網(wǎng)印刷處理、 涂敷處理和噴涂印刷處理的任何一種，因此能夠可靠地防止在聚焦環(huán) 和熱傳導(dǎo)膜之間產(chǎn)生微小的間隙，同時能夠易于形成熱傳導(dǎo)膜。根據(jù)第三方面的基板處理裝置，因為熱傳導(dǎo)膜由彈性部件構(gòu)成， 因此其與載置臺的密接程度提高，而且能夠進一步地改良聚焦環(huán)與載 置臺之間的熱傳導(dǎo)效率。根據(jù)第四方面的基板處理裝置，因為彈性部件由樹脂構(gòu)成，所以 容易印刷。根據(jù)第五方面的基板處理裝置，因為熱傳導(dǎo)膜的厚度為0.2mm 1.0 mm，所以能夠減小熱傳導(dǎo)膜的靜電容量，而且能夠通過熱傳導(dǎo)膜 的形成防止載置臺全體的阻抗變化。其結(jié)果，能夠防止對使用等離子 體的基板處理的結(jié)果的影響。根據(jù)第六方面的基板處理裝置，因為載置臺在與上述熱傳導(dǎo)膜接 觸的部分具有用于收納上述熱傳導(dǎo)膜的槽，因此，能夠減少熱傳導(dǎo)膜 露出的面積，而且能夠在使用等離子體的基板處理期間防止等離子體 接觸熱傳導(dǎo)膜。其結(jié)果，能夠防止熱傳導(dǎo)膜的消耗。


圖1為概略地表示本發(fā)明的實施方式所涉及的基板處理裝置的結(jié) 構(gòu)的截面圖。圖2為圖1的聚焦環(huán)附近的放大截面圖。圖3為概略地表示用于測定圖1所示基座的阻抗的裝置之結(jié)構(gòu)的截面圖。圖4為表示在聚焦環(huán)和靜電卡盤之間配置有作為代替品的熱傳導(dǎo) 板的情況和沒有配置熱傳導(dǎo)板的情況下的各自頻率的基座的阻抗的圖表。圖5為表示在聚焦環(huán)和靜電卡盤之間配置有作為代替品的熱傳導(dǎo) 板的情況和沒有配置熱傳導(dǎo)板的情況下的沿晶片直徑方向的蝕刻速率 的分布的圖表，圖5 (A)為配置有熱傳導(dǎo)板的情況，圖5 (B)為沒 有配置熱傳導(dǎo)板的情況。符號說明W:晶片；S:處理空間；10:基板處理裝置；11:腔室；12:基 座；22:靜電卡盤；22a:聚焦環(huán)載置面；22b:收納槽；24:聚焦環(huán)； 24a:接觸面；39:熱傳導(dǎo)膜；40:阻抗測定裝置具體實施方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。首先，對本發(fā)明的實施方式所涉及的基板處理裝置進行說明。圖1為概略地表示本發(fā)明的實施方式所涉及的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。該基板處理裝置以對作為基板的半導(dǎo)體晶片進行蝕刻處理的方式構(gòu)成。在圖1中，基板處理裝置10具有收納例如直徑為300mm的半導(dǎo) 體晶片(以下簡稱為"晶片")W的腔室11 (收納室)，在該腔室11 內(nèi)配置有作為載置晶片W的載置臺的圓柱狀的基座12 (載置臺)。在 基板處理裝置10中，通過腔室11的內(nèi)側(cè)壁和基座12的側(cè)面，形成有 作為將基座12上方的氣體排出至腔室11外部的流路而發(fā)揮作用的側(cè) 面排氣通路13。在該側(cè)面排氣通路13的中途配置有排氣平板14。以 石英或者氧化釔(Y203)覆蓋腔室11的內(nèi)壁面。排氣平板14為具有多個孔的板狀部件，作為將腔室11分隔成上 部和下部的隔板而發(fā)揮作用。在由排氣平板14隔開的腔室11的上部(以下稱為"反應(yīng)室")17，產(chǎn)生后述的等離子體。另外，在腔室11 的下部(以下稱為"排氣室"(集管))18，用于排出腔室ll內(nèi)的氣體 的抽粗(rough)排氣管15和主排氣管16開口。在抽粗排氣管15上連 接有DP (Dry Pump:干式泵)(圖中未示)，在主排氣管16上連接有 TMP (Turbo Molecular Pump:渦輪分子泵)(圖中未示)。另外，排氣 平板14對在反應(yīng)室17的后述處理空間S內(nèi)產(chǎn)生的離子或者自由基(radical)進行捕捉或者反射，以防止這些的離子或者自由基向集管(manifold) 18泄漏。抽粗排氣管15和主排氣管16通過集管18將反應(yīng)室17的氣體排 出至腔室11的外部。具體地說，抽粗排氣管15將腔室11內(nèi)從大氣壓 減壓至低真空狀態(tài)，并且主排氣管16與抽粗排氣管15同時工作將腔 室11減壓至作為壓力比低真空狀態(tài)低的高真空狀態(tài)(例如133Pa(lTorr)以下)。下部高頻電源19經(jīng)由匹配器(Matcher) 20連接在基座12上，該 下部高頻電源19向基座12施加規(guī)定的高頻電力。由此，基座12作為 下部電極發(fā)揮作用。另外，下部匹配器20降低來自基座12的高頻電 力的反射，使向基座12的高頻電力的供給效率最大。在基座12的上部配置有內(nèi)部具有靜電電極板21的靜電卡盤22。 靜電卡盤22呈現(xiàn)為在具有某直徑的下部圓板狀部件上，重疊有直徑 比該下部圓板狀部件的直徑小的上部圓板狀部件的形狀。另外，靜電 卡盤22由鋁構(gòu)成，在上部圓板狀部件的上面噴鍍陶瓷等。在將晶片W 載置在基座12上時，該晶片W配置在靜電卡盤22的上部圓板狀部件 的上面。另夕卜，在靜電卡盤22中，直流電源23電連接在靜電電極板21上。 一旦向靜電電極板21施加正的高直流電壓，則在晶片W的靜電卡盤 22側(cè)的面(以下稱為"背面")上產(chǎn)生負電位，在靜電電極板21和晶 片W的背面之間產(chǎn)生電位差，通過由該電位差引起的庫倫力或者約翰 遜 拉別克力，將晶片W吸附保持在靜電卡盤22的上部圓板狀部件 的上面。此外，在靜電卡盤22的下部圓板狀部件的上面的不與上部圓板狀部件重疊的部分(以下稱為"聚焦環(huán)載置面")22a上配置有圓環(huán)狀的 聚焦環(huán)24。 g卩，靜電卡盤22直接載置聚焦環(huán)24。因此，靜電卡盤22 構(gòu)成載置臺的一部分。聚焦環(huán)24由導(dǎo)電性部件例如硅所構(gòu)成，其包圍被吸附保持在靜電 卡盤22的上部圓板狀部件的上面的晶片W的周圍。另外，該聚焦環(huán) 24使在處理空間S內(nèi)的等離子體向晶片W的表面聚集，從而使蝕刻處 理的效率提高。另外，在基座12的內(nèi)部設(shè)置有例如沿著圓周方向延伸的環(huán)狀的制 冷劑室25。將低溫的制冷劑、例如冷卻水或者GALDEN(力'》f ^ (注 冊商標(biāo)))通過制冷劑用配管26從冷卻裝置(圖未示出)循環(huán)供給到 該制冷劑室25。通過該低溫的制冷劑所冷卻的基座12通過靜電卡盤 22對晶片W和聚焦環(huán)24進行冷卻。另外，主要是通過循環(huán)供給到制 冷劑室25的制冷劑的溫度、流量，對晶片W和聚焦環(huán)24的溫度進行 控制。在靜電卡盤22的上部圓板狀部件的上面的吸附保持晶片W的部 分(以下稱為"吸附面")上，開設(shè)有多個傳熱氣體供給孔27。該多個 傳熱氣體供給孔27通過傳熱氣體供給管路28與傳熱氣體供給部(圖 中未示)連接，該傳熱氣體供給部將作為傳熱氣體的氦氣體(He)通 過傳熱氣體供給孔27供給到吸附面與晶片W背面的間隙。供給到吸 附面與晶片W背面的間隙的氦氣體能夠有效地將晶片W的熱量傳遞 到靜電卡盤22。在腔室ll的頂部以與基座12相對的方式配置有氣體導(dǎo)入噴頭29。 上部高頻電源31通過上部匹配器30連接在氣體導(dǎo)入噴頭29上，上述 高頻電源31向氣體導(dǎo)入噴頭29施加規(guī)定的高頻電力，因此氣體導(dǎo)入 噴頭29作為上部電極發(fā)揮作用。另外，上部匹配器30的功能與上述 下部匹配器20的功能相同。氣體導(dǎo)入噴頭29包括具有多個氣體孔32的頂部電極板33;和 可裝卸地支撐該頂部電極板33的電極支撐體34。另外，在該電極支撐 體34的內(nèi)部設(shè)置有緩沖室35，在該緩沖室35上連接有處理氣體導(dǎo)入 管36。氣體導(dǎo)入噴頭29將從處理氣體導(dǎo)入管36供給到緩沖室35的氣體通過氣體孔32供給到反應(yīng)室17內(nèi)。另外，在腔室11的側(cè)壁上設(shè)置有在晶片W搬入搬出反應(yīng)室17內(nèi) 時利用的搬入搬出口 37，在該搬入搬出口 37上安裝有對該搬入搬出口 37進行開閉的門閥38。在該基板處理裝置10的反應(yīng)室17內(nèi)，通過向基座12和氣體導(dǎo)入 噴頭29施加高頻電力，向基座12和氣體導(dǎo)入噴頭29之間的處理空間 S施加高頻電力，由此，在該處理空間S內(nèi)高密度的等離子體作用，使 從氣體導(dǎo)入噴頭29供給的處理氣體產(chǎn)生離子或自由基，通過該離子等 對晶片W實施蝕刻處理。另外，基板處理裝置10所具備的控制部(圖中未示)的CPU根 據(jù)與蝕刻處理對應(yīng)的程序?qū)ι鲜龌逄幚硌b置10的各構(gòu)成部件的動作 進行控制。在上述基板處理裝置10中，在聚焦環(huán)24的與靜電卡盤22的接觸 面(以下簡稱為"接觸面")24a上形成有作為彈性部件的由樹脂構(gòu)成 的熱傳導(dǎo)膜39。在此，通過基座12對靜電卡盤22進行冷卻，因此在 蝕刻處理期間，將其維持在比聚焦環(huán)24低的溫度。此時，熱傳導(dǎo)膜 39將聚焦環(huán)24的熱量傳遞到靜電卡盤22。此外，即使聚焦環(huán)24通過 靜電卡盤22冷卻也上升至接近20(TC的溫度，因此構(gòu)成熱傳導(dǎo)膜39 的樹脂有必要具有耐熱性，有必要在高溫下維持形狀。因此，優(yōu)選作 為構(gòu)成熱傳導(dǎo)膜39的樹脂例如為硅樹脂、環(huán)氧樹脂、含氟橡膠、酚醛 樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰亞胺、烯烴樹脂、苯乙烯樹脂、聚酯樹脂、 PVC (聚氯乙烯樹脂)中的任何一個。在聚焦環(huán)24的接觸面24a上由印刷處理形成該熱傳導(dǎo)膜39。具體 地說，構(gòu)成熱傳導(dǎo)膜39的樹脂，通過刷子等直接涂敷在接觸面24a上 (涂敷處理)，或者通過噴濺(spray)噴射而噴涂到接觸面24a上(噴 涂印刷處理)，或者通過絲網(wǎng)印刷涂敷在接觸面24a上(絲網(wǎng)印刷處理)。 此時，聚焦環(huán)24的接觸面24a與樹脂緊貼，因此，聚焦環(huán)24和熱傳 導(dǎo)膜39充分緊貼。因此，在聚焦環(huán)24和熱傳導(dǎo)膜39之間不產(chǎn)生界面。 其結(jié)果，在將聚焦環(huán)24載置在靜電卡盤22上時，僅在熱傳導(dǎo)膜39和 靜電卡盤22之間產(chǎn)生界面。圖2為圖1的聚焦環(huán)附近的放大截面圖。在圖2中，在聚焦環(huán)載置面22a上形成有用于部分地收納在聚焦 環(huán)24的接觸面24a上所形成的熱傳導(dǎo)膜39的收納槽22b。將聚焦環(huán) 24載置在靜電卡盤22上，在收納槽22b部分地收納熱傳導(dǎo)膜39時， 能夠?qū)⒕劢弓h(huán)24的接觸面24a和聚焦環(huán)載置面22a的間隙t設(shè)定為較 小。具體地說，在本實施方式中將間隙t設(shè)定為約0.1mm。因此，能夠 防止反應(yīng)室17的等離子體進入到收納槽22b。另外，在本實施方式中，在靜電卡盤22側(cè)形成有熱傳導(dǎo)膜39的 收納槽22b，但是也可以在聚焦環(huán)24的接觸面24a上形成具有同樣功 能的收納槽，也可以在該收納槽內(nèi)形成熱傳導(dǎo)膜39。此時，也能夠?qū)?聚焦環(huán)24的接觸面24a和聚焦環(huán)載置面22a的間隙t設(shè)定為較小。但是，因為熱傳導(dǎo)膜39由樹脂構(gòu)成，所以其為絕緣性部件，因為 聚焦環(huán)24和靜電卡盤22為導(dǎo)電性部件，所以聚焦環(huán)24、熱傳導(dǎo)膜39 和靜電卡盤22構(gòu)成電容器。若該電容器的電容量增大，則基座12的 阻抗就發(fā)生變化。作為利用該現(xiàn)象的技術(shù)，例如，在日本特表 2003-519907號公報中公開有在聚焦環(huán)的背面配置阻抗調(diào)節(jié)層使阻抗 積極地變化的技術(shù)?；?2的阻抗的變化影響到處理空間S內(nèi)的等離 子體的分布，進一步地，影響到晶片W的蝕刻處理的面內(nèi)均勻性。此 處，因為熱傳導(dǎo)膜39較薄，上述電容器的電容量變小，因此優(yōu)選熱傳 導(dǎo)膜39的厚度小。因此，本發(fā)明人為了確認熱傳導(dǎo)膜39對基座12的阻抗的影響量， 采用由具有與該熱傳導(dǎo)膜39具有大致相同的介電常數(shù)的熱傳導(dǎo)凝膠構(gòu) 成的熱傳導(dǎo)板41代替熱傳導(dǎo)膜39，分別對在聚焦環(huán)24和靜電卡盤22 之間配置有絕緣性部件的情況以及沒有配置絕緣性部件的情況下的基 座12的阻抗進行測定。圖3為概略地表示測定圖1所示基座的阻抗的裝置之結(jié)構(gòu)的截面圖。圖3的阻抗測定裝置40具有與基板處理裝置10基本上相同的結(jié) 構(gòu)，因此，以下僅對不同點進行說明。在圖3中，阻抗測定裝置40具有通過50Q的電阻42連接在基座 12上的阻抗分析器(impedance analyzer) 43。另外，阻抗分析器43連 接在PC (Personal Computer:個人計算機)44上。阻抗分析器43向基座12發(fā)出規(guī)定頻率例如為13MHz和40MHz 的入射波，并觀測各頻率的反射波。PC44根據(jù)觀測的反射波算出各頻 率時的阻抗。本發(fā)明人使用阻抗測定裝置40，分別對在聚焦環(huán)24和靜電卡盤 22之間配置有厚度為lmm的熱傳導(dǎo)板41的情況和沒有配置的情況下 的基座12的阻抗進行測定，各自的結(jié)果如圖4的圖表所示。圖4為表示在聚焦環(huán)和靜電卡盤之間配置有作為代替品的熱傳導(dǎo) 板的情況和沒有配置的情況下的各頻率時的基座的阻抗的圖表。雖然在圖4中表示出在聚焦環(huán)24和靜電卡盤22之間配置有厚度 為lmm的熱傳導(dǎo)板41的情況和沒有配置的情況下的各自的基座12的 阻抗，但如該圖表所示，沒有觀測配置有熱傳導(dǎo)板41的情況和沒有配 置的情況下的阻抗的差。因此，可以確認即使在聚焦環(huán)24和靜電卡盤 22之間配置有厚度為lmm的熱傳導(dǎo)板41，也不會影響到基座12的阻 抗。另外，因為熱傳導(dǎo)板41具有與熱傳導(dǎo)膜39大致相同的比介電常 數(shù)，所以可以類推即使在聚焦環(huán)24的接觸面24a上形成有厚度為lmm 的熱傳導(dǎo)膜39，也不會影響到基座12的阻抗。另外，本發(fā)明人為了確認熱傳導(dǎo)板41對蝕刻處理的影響量，使用 圖1的基板處理裝置10，在聚焦環(huán)24和靜電卡盤22之間配置有取代 熱傳導(dǎo)膜39的厚度為lmm的熱傳導(dǎo)板41的情況和沒有配置的情況下， 分別對晶片W實施蝕刻處理。然后，算出被實施蝕刻處理的晶片W的 蝕刻速率，在圖5中表示沿晶片W的直徑方向(作為某方向的X方向， 和與該X方向成直角的Y方向)的蝕刻速率的分布。圖5為表示在聚焦環(huán)和靜電卡盤之間配置有熱傳導(dǎo)板的情況和沒 有配置的情況下的沿著晶片的直徑方向的蝕刻速率的分布圖表，圖5 (A)為配置有熱傳導(dǎo)板的情況，圖5 (B)為沒有配置熱傳導(dǎo)板的情 況。如圖5 (A)和圖5 (B)的圖表所示，沒有觀測到配置有熱傳導(dǎo) 板41的情況和沒有配置的情況下的蝕刻速率的差。因此，可以確認即 使在聚焦環(huán)24和靜電卡盤22之間配置有厚度為lmm的熱傳導(dǎo)板41 ， 也不會影響到蝕刻處理。根據(jù)以上阻抗的測定結(jié)果、蝕刻速率的分布的測定結(jié)果和熱傳導(dǎo)膜39的厚度優(yōu)選為較小的這個事實，將本實施方式的熱傳導(dǎo)膜39的 厚度的最大值設(shè)定為1.0 mm。此外，因為熱傳導(dǎo)膜39具有粘接性，因此，當(dāng)為了進行維護而將 聚焦環(huán)24從靜電卡盤22剝離時，熱傳導(dǎo)膜39有時會破損并且其一部 分密接殘留在靜電卡盤22上。因此，從防止熱傳導(dǎo)膜39破損的觀點 出發(fā)，優(yōu)選將熱傳導(dǎo)膜39的厚度為某一規(guī)定值以上，本實施方式中將 熱傳導(dǎo)膜39的厚度的最小值設(shè)定為0.5mm。根據(jù)本實施方式所涉及的基板處理裝置，通過印刷處理在聚焦環(huán) 24的接觸面24a上形成熱傳導(dǎo)膜39，因此聚焦環(huán)24和熱傳導(dǎo)膜39充 分緊貼，并且能夠防止在聚焦環(huán)24和熱傳導(dǎo)膜39之間產(chǎn)生界面。其 結(jié)果，在將聚焦環(huán)24載置在靜電卡盤22上時，僅在熱傳導(dǎo)膜39和靜 電卡盤22之間產(chǎn)生界面，因此能夠充分改良聚焦環(huán)24和靜電卡盤22 之間的熱傳導(dǎo)效率。另外，能夠充分改良聚焦環(huán)24和靜電卡盤22之間的熱傳導(dǎo)效率， 因此與現(xiàn)有的傳熱板相比，能夠擴大熱傳導(dǎo)膜39要求的硬度和熱傳導(dǎo) 率的范圍。其結(jié)果，能夠增加作為熱傳導(dǎo)膜39可使用的材料的種類。在上述基板處理裝置10中，通過刷子等將樹脂直接涂敷在接觸面 24a上，或者通過噴濺噴射將樹脂噴到接觸面24a上，或者通過絲網(wǎng)印 刷將樹脂涂敷在接觸面24a上而形成熱傳導(dǎo)膜39，因此，能夠可靠地 防止在聚焦環(huán)24和熱傳導(dǎo)膜39之間產(chǎn)生微小的間隙，并且能夠易于 形成熱傳導(dǎo)膜39。另外，因為熱傳導(dǎo)膜39由樹脂構(gòu)成，所以易于印刷。另外，在上述基板處理裝置10中，因為熱傳導(dǎo)膜39由作為彈性 部件的樹脂構(gòu)成，所以其與收容槽22b的底部的密接度提高，從而， 能夠進一步改善聚焦環(huán)24以及靜電卡盤22之間的熱傳導(dǎo)效率。而且，在上述基板處理裝置10中，熱傳導(dǎo)膜39的厚度為0.2mm 1.0 mm，因此能夠縮小熱傳導(dǎo)膜39的靜電容量，而且能夠通過熱傳導(dǎo) 膜39的形成防止靜電卡盤22全體的阻抗發(fā)生變化。其結(jié)果，能夠防 止蝕刻速率的分布發(fā)生變化，能夠防止對蝕刻處理產(chǎn)生影響。另外，在上述基板處理裝置10中，靜電卡盤22在聚焦環(huán)載置面 22a中，具有部分地收納熱傳導(dǎo)膜39的收納槽22b，因此能夠減少熱 傳導(dǎo)膜39露出反應(yīng)室17的面積，并且能夠?qū)⒔佑|面24a和聚焦環(huán)載置面22a的間隙t設(shè)定為較小，能夠防止反應(yīng)室17的等離子體進入收 納槽22b。其結(jié)果，在蝕刻處理期間，能夠防止等離子體接觸熱傳導(dǎo)膜 39，從而能夠防止熱傳導(dǎo)膜39的消耗。另外，在上述本實施方式中，基板為半導(dǎo)體晶片W，但基板并不 限定于此，例如也可以為LCD (Liquid Crystal Display:液晶顯示器) 或者FPD (Flat Panel Display:平面面板顯示器)等的玻璃基板。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括收納基板的收納室；配置在該收納室內(nèi)的用于載置所述基板的載置臺；和以包圍所述被載置的基板的周邊部的方式載置在所述載置臺上的環(huán)狀聚焦環(huán)，其中，所述收納室內(nèi)被減壓，通過印刷處理在所述聚焦環(huán)與所述載置臺的接觸面上形成熱傳導(dǎo)膜。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于 所述印刷處理為絲網(wǎng)印刷處理、涂敷處理和噴涂印刷處理中的任——禾中。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于 所述熱傳導(dǎo)膜由彈性部件構(gòu)成。
4. 如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于 所述彈性部件由樹脂構(gòu)成。
5. 如權(quán)利要求1 4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于所述熱傳導(dǎo)膜的厚度為0.2mm 1.0 mm。
6. 如權(quán)利要求1 5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于 所述載置臺在與所述熱傳導(dǎo)膜接觸的部分具有用于收納所述熱傳導(dǎo)膜的槽。
7. —種聚焦環(huán)，其特征在于在包括收納基板的收納室以及配置在該收納室內(nèi)的用于載置所述 基板的載置臺并且所述收納室內(nèi)被減壓的基板處理裝置中，所述聚焦環(huán)以包圍所述被載置的基板的周邊部的方式而被載置在 所述載置臺上并且所述聚焦環(huán)呈環(huán)狀，其中，通過印刷處理在所述聚 焦環(huán)與所述載置臺的接觸面上形成熱傳導(dǎo)膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置，其能夠充分改良聚焦環(huán)和載置臺之間的熱傳導(dǎo)效率。該基板處理裝置(10)包括收納晶片W的腔室(11)；配置在該腔室(11)內(nèi)的基座(12)；配置在基座(12)的上部并用于載置晶片W的靜電卡盤(22)；和以包圍所載置的晶片W的周邊部的方式載置在靜電卡盤(22)上的聚焦環(huán)(24)，通過印刷處理在聚焦環(huán)(24)與靜電卡盤(22)的接觸面(24a)上形成由樹脂構(gòu)成的熱傳導(dǎo)膜(39)。
文檔編號H01L21/68GK101236915SQ20081000307
公開日2008年8月6日 申請日期2008年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月22日
發(fā)明者宮川正章, 西村榮一 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社