專利名稱：用于封裝半導體的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于封裝半導體的方法，更具體而言，涉及這樣 一種用于封裝半導體的方法，該方法可允許均勻涂抹晶片粘著焊膏、
縮短B -階段處理時間，以及改進晶片拾取特性和晶片粘著特性。
背景技術(shù)：
在半導體封裝工藝中，無溶劑或者包含溶劑的液體、液體焊膏或 者固體薄膜被典型地用作適宜的粘合劑。固體薄膜顯示出良好的可塑 性，并且在晶片粘著工藝中，有利地顯示出其相對于熱量和壓力沒有 或者最小的滲漏現(xiàn)象。另外，固體薄膜是有利的，因為，粘合層，即， 芯片的傾斜(Ult)和存在于芯片和PCB之間的界面中的粘合劑的厚 度在晶片粘著工藝之后可被輕易控制。
在使用液體焊膏粘合劑的常規(guī)半導體封裝工藝中，在焊膏從A階 段直接被熟化到C階段的情況下，使用撒布(dispensing)進行涂覆 工藝。這種涂覆方法不能實現(xiàn)均勻控制焊膏的厚度和面積。因此，這 種方法不適于在芯片和PCB之間涂敷厚的焊膏。與此同時，在焊膏從 A階段經(jīng)過B階段被熟化到C階段的情況下，使用絲網(wǎng)印刷進行涂覆 工藝。這種絲網(wǎng)印刷在控制將被涂敷的焊膏的厚度和面積方面是有利 的，但不利的是，涂敷到PCB上的焊膏的厚度是被不規(guī)則控制的，而 非以固體薄膜形式的粘合劑。另外，液體焊膏的不規(guī)則厚度在B階段 之后仍被保持，從而可能在晶片粘著工藝中導致芯片和PCB之間的傾 斜。此外，導致焊膏從芯片中泄漏的熔體流動現(xiàn)象也可能變得更嚴重。 在將B-階段處理型焊膏用于常規(guī)封裝工藝中的情況下，熱量主要被用 于B-階段處理工藝。因此，在該工藝中半導體應被長時間暴露至高溫 和高熱下，從而可能發(fā)生PCB熱變形，這可能會導致在B-階段處理工 藝之后的芯片粘著工藝過程中的劣質(zhì)問題。

發(fā)明內(nèi)容
3技術(shù)問題
因此，在相關(guān)領(lǐng)域中已不斷做出了許多努力以解決上述問題，本 發(fā)明即在這種技術(shù)環(huán)境下被設計出。
本發(fā)明致力于在半導體封裝工藝中均勻地涂敷焊膏至晶圓，通過
減少B-階段處理所需的時間來縮短工藝時間，以及防止PCB和晶圓產(chǎn) 生熱變形，本發(fā)明的一個目的在于，提供一種可以實現(xiàn)上述目標的用 于封裝半導體的方法。
技術(shù)方案
為了實現(xiàn)上述目標，本發(fā)明提供了一種用于封裝半導體的方法， 該方法包括制備具有l(wèi)， 500 ~100， 000cps粘性的晶片粘著焊膏；旋轉(zhuǎn) 晶圓并且將所述晶片粘著焊膏涂敷至晶圓的上表面達到 一預定厚度； 以及對涂敷到晶圓上的焊膏作B-階段處理。
所述B-階段處理步驟可以如下方式進行，以40 200"C熱干燥所 涂敷的焊膏；以40 200X:熱干燥所涂敷的焊膏，然后對其照射以基 于UV A波段的100mJ/cm2 ~ 6 J/cm2的紫外線(UV );或者首先以40~ 200 。C熱干燥所涂敷的焊膏，然后對其照射以基于UV A波段的 100mJ/cm2 ~ 6J/cm2的紫外線(UV),然后再以40 ~ 2001C二次熱干燥 所述晶圓。另外，所述B-階段處理步驟可以如下方式進行，向所涂敷 的焊膏照射以基于UV A波段的100mJ/cm2 6J/ci^的紫外線(UV ); 或者向所涂敷的焊膏照射以基于UV A波段的100mJ/cm2 6J/cm2的紫 外線(UV)，然后在UV照射步驟之后，以40 2001C熱干燥所述焊膏。
具體實施例方式
在下文中，將參照附圖
詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。在描述 之前，應理解的是本說明書和所附權(quán)利要求中使用的術(shù)語不應被解釋 為限于其普遍含義和字典含義，而應基于允許發(fā)明人為了最佳說明而 合適地限定術(shù)語的原則，基于相應于本發(fā)明技術(shù)領(lǐng)域的含義和概念進 行解釋。
在根據(jù)本發(fā)明的用于封裝半導體的方法中，首先，制備具有 l， 500 ~100， 000cps粘性的晶片粘著焊膏。所述晶片粘著焊膏可使用
4任意通常用于晶片粘著的焊膏。典型地，所述晶片粘著焊膏包括環(huán)氧、
丙烯酸鹽、柔性劑、uv引發(fā)劑、有機填料，以及用于有機填料的分散
溶劑 一一諸如其中混合有揮發(fā)溶劑和反應物稀釋劑的共溶劑，或者僅 包含有反應物稀釋劑的溶劑。關(guān)于相關(guān)于晶片粘著烊膏的粘性的數(shù)值
范圍，如果粘性低于下限，則很難涂敷超過20微米厚度的焊膏。與此 同時，如果粘性高于上限，則相對增加稀釋劑和其他溶劑的量，這要 求增加熱或者UV的溫度、時間以及照射，以用于去除多余的粘性，或 者增加B-階段處理稀釋劑或者其他溶劑。另外，B-階段處理中的問題 也對其上將被涂敷于焊膏的整個產(chǎn)品的可靠性產(chǎn)生不良影響。此外， 如果粘性超過上限，則被涂敷的焊膏的厚度可能會在晶圓中心和晶圓 末端或內(nèi)部之間產(chǎn)生嚴重偏離。而且，厚度的變化可能導致在晶片粘 著工藝中的熔體流動、空隙以及晶片破裂等問題，并且其也可能對可 靠性產(chǎn)生不良影響。
接下來，使用旋涂儀將晶片粘著焊膏涂敷到晶圓上達到 一預定厚 度?？赏ㄟ^調(diào)整所涂敷的焊膏的粘性和數(shù)量以及旋涂儀的速度的方式， 來控制所涂敷的焊膏的厚度。由于晶片粘著焊膏是使用旋涂儀來涂敷 到晶圓上的，因此所述焊膏可以以均勻的厚度被涂敷。
接下來，對涂敷到晶圓上的焊膏作"B-階段處理"步驟。在該步 驟中，所涂敷的焊膏被以40~ 200匸熱干燥。此外，在該步驟中，在 被以40~ 200t:熱干燥之后，所涂敷的焊膏可進行基于UV A波段的 100mJ/cm2 ~ 6J/cm2的UV照射工藝。此外，在,皮以40 ~ 200t:熱干燥 之后，所涂敷的焊膏可進行基于UV A波段的100mJ/cm2 ~ 6J/cm2的 UV照射工藝，然后再以40 2001C進行二次熱干燥。另外，B-階段處 理步驟可進行基于UV A波段的100mJ/cm2 ~ 6J/cm2的UV照射工藝， 并且在對所涂敷的焊膏進行基于UV A波段的100mJ/cm2 ~ 6J/cm2的 UV照射之后，也可對其進行40~ 200*€的二次熱干燥處理。
熱干燥處理去除了液體焊膏中殘留的揮發(fā)性組分，并且將熱引發(fā) 劑溶解為適合于與反應物發(fā)生反應的原子團或者離子。由熱引發(fā)劑引 發(fā)的反應不是完全的熟化反應，但是焊膏應被保持在半熟化狀態(tài)，從 而在熱干燥工藝之后允許晶片粘著。半熟化狀態(tài)中的焊膏將液體焊膏 保持在均勻厚度，盡量減輕焊膏在晶片粘著工藝中的厚度減少，并且
5防止由于焊膏的熔體流動所導致的PCB上的非預期污染。另外，在引 線鍵合工藝和環(huán)氧模塑工藝中，半熟化焊膏保持焊膏和晶片之間或者 焊膏和PCB之間的粘合力大于一定等級，并且也防止粘合狀態(tài)的變形。 如果即使在液體焊膏的熱干燥工藝之后，焊膏還沒有達到某一程度的 半熟化狀態(tài)，則可能需要更高熱量或更長時間來解決該問題。然而， 這可能導致PCB的熱變形，從而可能對晶片粘著和可靠性產(chǎn)生不良影 響。因此，為了解決上述問題，采取使用UV照射的B階段處理工藝。 UV照射工藝有利地允許通過產(chǎn)品顏色、環(huán)境和一些冷卻設備將被照射 產(chǎn)品的表面溫度控制為IOOIC或者更低。另外，如果控制用于UV照射 工藝的UV輻射量和強度，相比于熱加熱工藝，用于該UV照射工藝的 時間可被縮短至十分之幾或百分之幾。與此同時，為了使用UV照射工 藝，UV引發(fā)劑和UV反應物應存在于液體焊膏中。為了僅使用UV照射 工藝而不使用熱干燥工藝進行B-階段處理，與前一工藝不同，不應該 產(chǎn)生高熱量，因而應將液體焊膏中的揮發(fā)性溶劑限制為最低值。為此， 有利的是僅使用反應性溶劑而非共溶劑結(jié)構(gòu)，并且也更加有利的是， 使用可借助于UV照射保持半熟化狀態(tài)的反應性溶劑。有時，可在UV 照射之后附加地進行熱干燥工藝。在該情況下，如果由于焊膏被暴露 至具有較大濕度的環(huán)境或者半熟化狀態(tài)不穩(wěn)定，發(fā)生相分離，則進行 熱干燥工藝以去除濕氣以及更加穩(wěn)定地保持半熟化狀態(tài)。在上述五種 類型的B-階段處理方法中，優(yōu)選地進行l(wèi)秒-l小時的熱干燥工藝(包 括第一熱干燥和第二熱干燥)，以取得更好的干燥效率并防止熱變形。 在將焊膏直接涂敷至晶圓且然后對其進行B-階段處理的情況下， 僅當在短時間內(nèi)以最低溫度進行B-階段處理并防止晶圓熱變形劣質(zhì) 時，可將B-階段處理應用至熱干燥工藝。為此，焊膏內(nèi)的溶劑使用具 有低沸點和低蒸氣壓力的材料，或者使用盡管其具有高沸點和高蒸氣 壓力，但仍能在低溫下確保良好反應的反應溶劑。由于前一種溶劑的 揮發(fā)性在常溫和常壓下太強的緣故，因此其應被容納在密封容器中以 獲得液體的穩(wěn)定性。以這樣的方式，即使熱干燥工藝是在短時間內(nèi)以 低溫進行的，也可對通過旋涂方式被涂敷到晶圓的背面的焊膏進行B-階段處理而不損壞該晶圓。另外，在使用UV進行B-階段處理的情況 下，可通過減少所照射的UV中的紅外輻射量，而將UV照射表面中的
6溫度降低至最小值。在使用上述方法的現(xiàn)有技術(shù)中，通過將uv燈的電 極類型從電弧放電類型改變?yōu)槲⒉愋?，可將相比于所產(chǎn)生的uv的紅
外輻射量減少至20%以下，并且也可同樣處理反射器以阻擋紫外線， 使得所產(chǎn)生的紅外線的輻射量最小化。相應地，盡管被基于UVA波段 照射以100mJ/cm2 6J/cn^的高能量，照射表面的溫度仍可^皮控制為 60X:或者更低，并且處理時間可被相對減少到從1秒到數(shù)分鐘的范圍 內(nèi)。
相關(guān)于熱干燥溫度的數(shù)值范圍，如果溫度低于下限，則由于熱處 理溫度太低，焊膏在半熟化狀態(tài)可能是有很大缺陷的。另外，由于殘 留溶劑的量如此之大，在接下來的晶片粘著工藝中可能出現(xiàn)不規(guī)則的 焊膏厚度和熔體流動，并且在熟化工藝中在焊膏中形成空隙。如果熱 干燥溫度超過上限，熱干燥溫度如此之高而導致晶圓熱變形，并且快 速地增加在被涂敷的焊膏中的溶劑的揮發(fā)速度，這可能會在焊膏的表 面和內(nèi)部產(chǎn)生許多大的空隙。
相關(guān)于UV波段的數(shù)值范圍，如果UV波段低于下限，則引發(fā)劑的 引發(fā)效應被惡化，從而所產(chǎn)生的原子團和離子的數(shù)量被減少，與反應 物的反應被延遲。由于該原因，半熟化狀態(tài)在晶片粘著工藝中是有缺 陷的，其可能導致在熟化工藝中熔體流動或者焊膏中形成空隙，并且 之后也對可靠性產(chǎn)生影響。與此同時，如果UV波段超過上限，引發(fā)劑 引起過度引發(fā)效應，導致反應迅速加快。另外，液體焊膏被從半熟化 狀態(tài)改變至完全熟化狀態(tài)，這可能導致在接下來的晶片粘著工藝中的 內(nèi)部粘合或者晶片破裂。
接下來，執(zhí)行將焊膏的已被B-階段處理的表面上的切割膠帶層壓， 拾取晶片并且粘著所述晶片等步驟。所述切割膠帶層壓步驟和晶圓切 割步驟可使用通常在常規(guī)半導體封裝方法中的任意工藝。此外，將焊 膏的已被B-階段處理的表面上的切割膠帶進行層壓的步驟優(yōu)選地在從 室溫到IOOC范圍內(nèi)的溫度、以及O. 5 20kgf/cm'的壓力下進行。
實施方案
在下文中，將更加詳細地解釋根據(jù)本發(fā)明的具體實施方案以便更 好理解。然而，本發(fā)明的實施方案可以多種方式被修改，并且它們都
7不限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的實施方案僅示出給本領(lǐng)域技術(shù)人員以 更好地理解本發(fā)明。
實施方案1
將液體環(huán)氧、固體環(huán)氧、丙烯酸反應物、有機/無機填充物、添加
劑、熱熟化劑、熱引發(fā)劑、uv引發(fā)劑、反應性溶劑以及揮發(fā)性溶劑混 合，并且在室溫下使用lrpm旋轉(zhuǎn)速度的軸將其制造為1， 500cps粘性 的晶片粘著焊膏。通過旋涂儀將所制備的晶片粘著焊膏涂敷到正在旋 轉(zhuǎn)的晶圓的上部。將所被涂敷到晶圓上的焊膏以60X:熱干燥l小時， 然后對其照射以基于UV A波段的6J/cm2的UV光，并且在室溫下對其 進行MT層壓。實施方案1中使用的晶圓的厚度與直徑之比是 12. 5Mm/iiich。
實施方案2
將液體環(huán)氧、固體環(huán)氧、丙烯酸反應物、有機/無機填充物、添加 劑、熱熟化劑、熱引發(fā)劑、UV引發(fā)劑、反應性溶劑以及揮發(fā)性溶劑混 合，并且在室溫下使用lrpm旋轉(zhuǎn)速度的軸將其制造為10， 000cps粘性 的晶片粘著焊膏。通過旋涂儀將所制備的晶片粘著焊膏涂敷到正在旋 轉(zhuǎn)的晶圓的上部。將所被涂敷到晶圓上的焊膏以1401C熱干燥5分鐘， 然后對其照射以基于UV A波段的3J/cm2的UV光，然后再對所述焊膏 以140"C熱干燥5分鐘。在此之后，在室溫下對其進行MT層壓。實施 方案2中所使用的晶圓相同于實施方案1中使用的晶圃。
實施方案3
將液體環(huán)氧、固體環(huán)氧、丙烯酸反應物、有機/無機填充物、添加 劑、熱熟化劑、熱引發(fā)劑、UV引發(fā)劑、反應性溶劑以及揮發(fā)性溶劑混 合，并且在室溫下使用lrpm旋轉(zhuǎn)速度的軸將其制造為100， 000cps粘 性的晶片粘著焊膏。通過旋涂儀將所制備的晶片粘著焊膏涂敷到正在 旋轉(zhuǎn)的晶圓的上部。向所被涂敷到晶圓上的焊膏照射以基于UV A波段 的150J/cm2的UV光，然后再對所述焊膏以180"熱干燥10秒鐘，然 后在室溫下對其進行MT層壓。實施方案3中所使用的晶圓相同于實施方案1中使用的晶圓。 比較例1
將液體環(huán)氧、固體環(huán)氧、丙烯酸反應物、有機/無機填充物、添加
劑、熱熟化劑、熱引發(fā)劑、uv引發(fā)劑、反應性溶劑以及揮發(fā)性溶劑混
合，并且在室溫下使用lrpm旋轉(zhuǎn)速度的軸將其制造為10， 000cps粘性 的晶片粘著焊膏。通過絲網(wǎng)印刷將所制備的晶片粘著焊膏涂敷到晶圓 的上部。將所被涂數(shù)到晶圓上的焊膏以IOO"C熱千燥I小時20分鐘， 然后在室溫下對其進行MT層壓。比較例1中所使用的晶圓的厚度與直 徑之比是50jWinch。
比較例2
將液體環(huán)氧、固體環(huán)氧、丙烯酸反應物、有機/無機填充物、添加 劑、熱熟化劑、熱引發(fā)劑、UV引發(fā)劑、反應性溶劑以及揮發(fā)性溶劑混 合，并且在室溫下使用lrpm旋轉(zhuǎn)速度的軸將其制造為10， 000cps粘性 的晶片粘著焊膏。通過絲網(wǎng)印刷將所制備的晶片粘著焊膏涂敷到晶圓 的上部。將所被涂敷到晶圓上的焊膏照射以基于UVA波段的6. 5J/cm2 的UV光，然后將所述焊膏以220匸熱干燥5分鐘，然后在室溫下對其 進行MT層壓。比較例2中所使用的晶圓相同于比較例1中使用的晶圓。
比較例3
將液體環(huán)氧、固體環(huán)氧、丙烯酸反應物、有機/無機填充物、添加 劑、熱熟化劑、熱引發(fā)劑、UV引發(fā)劑、反應性溶劑以及揮發(fā)性溶劑混 合，并且在室溫下使用lrpm旋轉(zhuǎn)速度的軸將其制造為500cps粘性的 晶片粘著焊膏。通過旋涂儀將所制備的晶片粘著焊膏涂敷到正在旋轉(zhuǎn) 的晶圓的上部。所被涂敷到晶圓上的焊膏被以IOOX:熱干燥1小時20 分鐘，然后在室溫下對其進行MT層壓。比較例3中所使用的晶圓相同 于比較例1中使用的晶圓。
比較例4
將液體環(huán)氧、固體環(huán)氧、丙烯酸反應物、有機/無機填充物、添加
9劑、熱熟化劑、熱引發(fā)劑、uv引發(fā)劑、反應性溶劑以及揮發(fā)性溶劑混
合，并且在室溫下使用lrpm旋轉(zhuǎn)速度的軸將其制造為200， 000cps粘性的晶片粘著焊膏。通過旋涂儀將所制備的晶片粘著焊膏涂敷到正在
旋轉(zhuǎn)的晶圓的上部。所被涂敷到晶圓上的焊膏被以ioox:熱干燥1小
時20分鐘，然后在室溫下對其進行MT層壓。比較例4中所使用的晶圓相同于比較例1中使用的晶圓。
評估焊膏厚度的均勻性
為了在應用根據(jù)實施方案1~3和比較實例1~4的封裝方法的情況下，評估涂敷到晶圓的焊膏厚度的均勻性，在B-階段處理之后測量所涂敷焊膏的中部的厚度，然后計算最大厚度和所述中部厚度之間的差值。
評估晶片拾取特性
在晶片拾取工藝中，在切割工藝之后，將晶片/焊膏與安裝膠帶或者切割膠帶分離。假設安裝在拾取M/C中的頂出針的數(shù)目被固定為9、具有500卿的高度，并且芯片具有l(wèi)cmx lcm的尺寸、200Wn的厚度，在拾取工藝之后，檢查安裝膠帶和焊膏是否充分分離、焊膏雜質(zhì)是否仍存留在安裝膠帶的粘合劑上，以及晶片和焊膏是否分離。此時，所使用的安裝膠帶是具有30±5gf/in等級的粘合力的SUS304，并且在所使用的晶片拾取裝置中，裝架工具的拾取時間被控制為大約100~1000 msec。以這樣的方式，評估在應用根據(jù)實施方案1 ~ 3和比較例1~4的封裝方法情況下的晶片拾取特性。
評估晶片粘著特性
使用將所拾取的晶片/焊膏粘著到AUS308類型(Solder ResistAUS308類型)PCB上的過程來評估晶片粘著特性。此時，晶片粘著壓力、溫度和時間被控制作為裝置的過程變量；即，溫度被控制在從室溫到200X:的范圍內(nèi)，壓力被控制在O. 5~10kgf的范圍內(nèi)，時間被控制在0. 1 ~ 3秒的范圍內(nèi)。以這樣的方式，評估在應用4艮據(jù)實施方案1 ~3和比較例1~4的封裝方法的情況下的晶片粘著特性。
10評估MRT特性
在晶片粘著之后，進行熟化，并進行MRT (耐濕性測試)。以175C進行1小時的完全熟化液體焊膏的熟化處理，并且恒定溫度和濕度條件是85X:、 60%、 一星期、JEDEC等級12。此外，熱沖擊的回流條件被設置為具有250TC最高溫度的無鉛條件。MRT被用于評估對濕度和熱量的耐受性，這對于半導體封裝產(chǎn)品是需要的。對于這種測試，檢測在回流過程之后由于熱沖擊，在封裝產(chǎn)品的晶片和焊膏之間或者焊膏和PCB之間是否存在爆裂現(xiàn)象、晶片破裂或者晶片分層。以這樣的方式，評估在應用根據(jù)實施方案1 ~ 3和比較例1~ 4的封裝方法的情況中的MRT特性。
下面的表1示出了在實施方案1~ 3和比較例1~4中關(guān)于焊膏的厚度均勻性、晶片拾取特征、晶片粘著特性和MRT特性的評估結(jié)果。
表1
實施方案比較例
1231234
在B-階段處理 之后所涂敷焊 膏的中部厚度20~ 80陶20~20~ 80卿20~20~ 80陶不大 于 20卿40~ 80卿，不 小于 40Min
在最大厚度和 中部厚度之間 的差值小于小于小于 5 Mm小于 34卿小于小于 5 Mm小于 2 Own
晶片拾取特性好好好壞好好好
晶片粘著特性好好好壞壞好好
MRT特性好好好失敗失敗失敗失敗
根據(jù)關(guān)于應用至DRAM封裝的BOC產(chǎn)品的需求，在B-階段處理之后所涂敷的焊膏的中部厚度應是大約20Mm或者更多。這就產(chǎn)生了這樣一個空間，使得在引線鍵合之后，環(huán)氧塑模中的玻璃珠可輕易裝滿殘
ii余部分，在此處，在EMC過程中晶片和PCB之間不存在焊膏。換句話說，焊膏應以超過玻璃珠的粒度的更大厚度而被涂敷。參見表1，應理解的是，如果粘性太低，20卿或者以上的厚度不能被輕易保持。另外，正如在特性評估中所解釋的，MRT特性允許檢測諸如爆裂、晶片破裂和晶片分層之類的現(xiàn)象，根據(jù)這些可以確定可靠性。如果所有的測試樣品都沒有劣質(zhì)，則測試被認為是成功的。
從表l的結(jié)果中，應理解的是，在厚度均勻性、晶片拾取特性、晶片粘著特性和MRT特性方面，實施方案1~3都遠遠優(yōu)越于比較例1 ~ 4。
工業(yè)實用性
根據(jù)本發(fā)明的半導體封裝方法，可通過替換WBL (晶圓背面層壓)薄膜降低成本、將晶片粘著焊膏均勻地涂敷至晶圓，并通過調(diào)整所排出焊膏的粘性和劑量以及旋涂儀的速度，自由地控制所涂敷的晶片粘著焊膏的厚度，以及也通過減少B-階段處理時間縮短工藝時間。
權(quán)利要求
1.一種封裝半導體的方法，包括制備具有1,500～100,000cps粘性的晶片粘著焊膏；旋轉(zhuǎn)晶圓，并且將所述晶片粘著焊膏涂敷至所述晶圓的上表面達到一預定厚度；然后對涂敷到所述晶圓上的焊膏作B-階段處理。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的封裝半導體的方法，其中所述B-階段處理 步驟包括以40 2001C熱干燥所涂敷的焊膏。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的封裝半導體的方法，其中所述B-階段處理 步驟進一步包括在熱干燥步驟之后，照射以基于UV A波段的 100mJ/cm2 6J/cm2的紫外線(UV)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的封裝半導體的方法，其中所述B-階段處理 步驟進一步包括在所述UV照射步驟之后，以40~ 2001C熱干燥所述晶 圓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的封裝半導體的方法，其中所述B-階段處理 步驟包括，向所涂敷的焊膏照射以基于UV A波段的100mJ/cm2 ~ 6J/cm2 的紫外線(UV)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的封裝半導體的方法，其中所述B-階段處理 步驟進一步包括在UV照射步驟之后，以40 20()1C熱干燥所述焊膏。
全文摘要
提供了一種封裝半導體的方法，以允許均勻涂覆晶片粘著焊膏，縮短B-階段處理時間，以及提高晶片拾取特性和晶片粘著特性。該方法包括制備具有1,500～100,000cps粘性的晶片粘著焊膏；旋轉(zhuǎn)晶圓，并且將所述晶片粘著焊膏涂敷至所述晶圓的上表面達到一預定厚度；然后將涂敷到所述晶圓上的焊膏作B-階段處理。該方法使得可以通過替換WBL(晶圓背面層壓)薄膜來降低成本，將晶片粘著焊膏均勻地涂敷至晶圓，并通過調(diào)整所排出焊膏的粘性和劑量以及旋涂儀的速度，自由地控制所涂敷的晶片粘著焊膏的厚度，以及也通過減少B-階段處理時間縮短工藝時間。
文檔編號H01L21/60GK101689514SQ200780052268
公開日2010年3月31日 申請日期2007年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月19日
發(fā)明者姜炳彥, 徐準模, 成太鉉, 玄淳瑩, 金載勛, 魏京臺 申請人:Lg伊諾特有限公司