專利名稱：：具有潛在活化層的有機(jī)發(fā)光器件的制作方法具有潛在活化層的有機(jī)發(fā)光器件相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)是在2005年10月4日提交的第11/243194號(hào)共同待決的申請(qǐng)的部分繼續(xù)申請(qǐng)，本申請(qǐng)完整收錄其內(nèi)容作為參考。關(guān)于聯(lián)邦政府資助的研究和開(kāi)發(fā)的聲明本發(fā)明在政府的支持下完成，合同號(hào)碼為70NANB3H3030,并得到國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的資助。政府在本發(fā)明中具有某些權(quán)利。
背景技術(shù)：
：本發(fā)明一般涉及有機(jī)電子器件。本發(fā)明具體涉及有機(jī)發(fā)光器件。有機(jī)電子器件包括有機(jī)發(fā)光器件和有機(jī)光伏器件。有機(jī)電子器件通過(guò)電荷注入運(yùn)行，此結(jié)合在有機(jī)發(fā)光器件中導(dǎo)致能量輻射，或在光伏器件中導(dǎo)致電荷的分離。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，有機(jī)發(fā)光器件(OLED)通常包括至少一位于兩極之間的有機(jī)層。OLED可包含另外的層，例如空穴注入層、空穴轉(zhuǎn)移層、發(fā)光層和電子轉(zhuǎn)移層。通過(guò)應(yīng)用合適的電壓于OLED，注入的正電荷和負(fù)電荷在發(fā)光層中再結(jié)合來(lái)產(chǎn)生光。在器件中加入某些材料能促進(jìn)電荷的注入、轉(zhuǎn)移、再結(jié)合、分離等。在一些實(shí)例中，加入的材料通過(guò)增加存在于系統(tǒng)中電荷載體的數(shù)量而提高系統(tǒng)或器件的電導(dǎo)率。傳統(tǒng)的方法包括例如加入酸性化合物(加入空穴供體或電子受體)和減少如金屬氟化物、堿金屬或堿土金屬的材料(加入電子供體)的方法。在形成多層器件時(shí)這些材料的反應(yīng)特質(zhì)會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。例如，存在于層中的強(qiáng)酸通常會(huì)由于在層的頂上加入層遷移。另外，已知的電子供體通常與空氣或濕氣反應(yīng)并且可在制造期間分解。傳統(tǒng)的制備低功函數(shù)陰極的方法包括氣相沉積。氣相沉積不適合連續(xù)的生產(chǎn)。有機(jī)發(fā)光器件包括光板。有機(jī)電子器件通過(guò)注入電荷運(yùn)行，電荷結(jié)合在發(fā)光器件中導(dǎo)致能量輻射，或在光伏器件中導(dǎo)致電荷的分離。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，有機(jī)發(fā)光器件(OLED)通常包括至少一位于兩極之間的有機(jī)層。OLED可包含另外的層，例如空穴注入層、空穴轉(zhuǎn)移層、發(fā)光層和電子轉(zhuǎn)移層。通過(guò)應(yīng)用合適的電壓于OLED,注入的正電荷和負(fù)電荷在發(fā)光有機(jī)層中再結(jié)合而產(chǎn)生光。OLED的陰極在低功函數(shù)時(shí)具有最好的性能。傳統(tǒng)的制備OLED低功函數(shù)陰極的方法包括氣相沉積。氣相沉積不適合使用空氣敏感的前體的連續(xù)生產(chǎn)。在OLEDs的生產(chǎn)期間，通常需要惰性的工作環(huán)境。相應(yīng)地，需要技術(shù)來(lái)解決在例如發(fā)光器件的有機(jī)光電器件中的上述一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。在美國(guó)專利4,249，105中，Kaegawa等人(1卵1)公開(kāi)了可通過(guò)熱分解二疊氮化鋇來(lái)產(chǎn)生鋇和Ba3N2來(lái)制作氣體放電顯示板的陰極。見(jiàn)Col.5，lis.11-20。在美國(guó)專利5,534,312中，Hill等人(1996)公開(kāi)了將金屬配合物的膜在空氣中旋涂于基板之上并用光照該配合物。見(jiàn)摘要。在美國(guó)專利申請(qǐng)2001/0005112中，Saito等人公開(kāi)了將具有小于2至3[eV]的功函數(shù)的電子發(fā)光物質(zhì)用于從金屬前體制備場(chǎng)致發(fā)光陰極。見(jiàn)段落和。在美國(guó)專利申請(qǐng)2004/0101988Al中，Roman等人公開(kāi)了從自發(fā)地?zé)岱纸獾呐潴w生成掩模。見(jiàn)段落-。在美國(guó)專利申請(qǐng)2004/0164293中，Maloney等人7>開(kāi)了通過(guò)在大氣條件下沉積前體并將該前體轉(zhuǎn)換為成像層生成阻擋層的方法。見(jiàn)l史落、、和。發(fā)明筒述簡(jiǎn)要地，依照本技術(shù)的方面說(shuō)明了有機(jī)發(fā)光器件。該有機(jī)發(fā)光器件包括基板和至少一包括潛在活化材料的層。依照本技術(shù)另一方面，說(shuō)明了有機(jī)發(fā)光器件。該有機(jī)發(fā)光器件包括基板和至少一包括潛在活化材料的活化產(chǎn)物的層。依照本技術(shù)的另一方面，說(shuō)明了具有潛在活化材料或潛在活化材料的活化產(chǎn)物的有機(jī)發(fā)光器件的制作方法。本發(fā)明具體涉及有機(jī)發(fā)光器件。OLED器件具有陰極層，所述陰極層包含當(dāng)暴露于熱或光下時(shí)能釋放至少一低功函數(shù)金屬的至少一金屬前體的反應(yīng)產(chǎn)物。在一個(gè)實(shí)施方案中，至少一低功函數(shù)金屬具有小于3.0eV功函數(shù)值。在另一個(gè)實(shí)施方案中，至少一低功函數(shù)金屬選自基本上由元素周期表I族堿金屬元素組成的組包括鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銣(Rb)、銫(Cs)和鈁(Fr);元素周期表II族堿土金屬元素鈹(Be)、4美(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)和鐳(Ra);元素周期表IIIB族稀土金屬元素包括鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、禮、鋱、鏑、鈥、鉺、4妄、鐿、镥的鑭系金屬。在另一個(gè)實(shí)施方案中，低功函數(shù)金屬包含鋇。在另一個(gè)實(shí)施方案中，金屬前體包含具有式RXM的有機(jī)金屬化合物，其中M是金屬，x具有從1至3的值，所述值是金屬的化合價(jià)，R是脂肪族或芳香族基團(tuán)。在另一個(gè)實(shí)施方案中，金屬前體包含具有式RXM的有機(jī)金屬化合物，其中M是II族金屬或鑭系金屬或任何它們的組合，當(dāng)M是II族金屬時(shí)x是2，當(dāng)M是鑭系金屬時(shí)x具有從2至3的值，R是脂肪族或芳香族基團(tuán)。在另一個(gè)實(shí)施方案中，金屬前體包含含有下列的材料堿土金屬環(huán)戊二烯基衍生物、二(四-異丙基-環(huán)戊二烯基)鋇、二(四-異丙基-環(huán)戊二烯基)鈣、二(五-異丙基-環(huán)戊二烯基)M(其中M是鈣、鋇或鍶)、二(三-叔丁基-環(huán)戊二烯基)M(其中M是鈣、鋇或鍶)、鑭系過(guò)渡金屬的環(huán)戊二烯基衍生物、堿土金屬的芴基衍生物、二(芴基)鈣、二(芴基)鋇或鑭系過(guò)渡金屬的芴基衍生物或任何它們的組合。在另一個(gè)實(shí)施方案中，金屬前體包含式M(N3)x化合物，其中M是元素周期表I族(IUPAC型)堿金屬元素包括鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銣(Rb)、銫(Cs)和鈁(Fr);元素周期表II族堿土金屬元素鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)和鐳(Ra);元素周期表IIIB族稀土金屬包括鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、札、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥的鑭系元素。X具有從l至3的值，當(dāng)M是堿土金屬時(shí)x為1，當(dāng)M是堿土金屬時(shí)x為2，當(dāng)M是稀土金屬時(shí)x為從2至3的值。在另一個(gè)實(shí)施方案中，金屬前體包含式Ba(N3)2的二疊氮化鋇。在另一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光器件包含a)基板，b)覆蓋基板一個(gè)表面的至少一部分的至少一陰極層，該陰極層包含至少一式M(N3)x金屬前體的分解反應(yīng)產(chǎn)物，其中M選自基本上由下列組成的組元素周期表I族(IUPAC型)石咸金屬元素包括鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、凝。(Rb)、銫(Cs)和鈁(Fr);元素周期表II族堿土金屬元素鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)和鐳(Ra);元素周期表IIIB族稀土金屬包括鑭、鈰、鐠、釹、钷、衫、銪、禮、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥的鑭系元素。X具有從l至3的值，當(dāng)M是;威土金屬時(shí)x為1，當(dāng)M是堿土金屬時(shí)x為2,當(dāng)M是稀土金屬時(shí)x為從2至3的值；c)覆蓋第二個(gè)基板的至少一部分的陽(yáng)極層材料；及d)位于陰極層和陽(yáng)極層之間的有機(jī)發(fā)光材料，所述有機(jī)發(fā)光材料當(dāng)將相反的電荷應(yīng)用于陽(yáng)極層和陰極層時(shí)發(fā)光。在另一個(gè)實(shí)施方案中，陰極層材料包含鋇。在另一個(gè)實(shí)施方案中，金屬前體包含具有式R2M的有機(jī)金屬化合物，其中M是堿土金屬，R是脂肪族或芳香族基團(tuán)或取代的脂肪族或取代的芳香族基團(tuán)。在另一個(gè)實(shí)施方案中，金屬前體包含具有式RXM的有機(jī)金屬化合物，其中M是II族金屬或鑭系金屬或任何它們的組合，其中R是脂肪族或芳香族基團(tuán)并且其中當(dāng)M是II族金屬時(shí)x為2,當(dāng)M是鑭系金屬時(shí)x具有從2至3的值。在另一個(gè)實(shí)施方案中，金屬前體包含含有下列的材料堿土金屬環(huán)戊二烯基衍生物、二(四-異丙基-環(huán)戊二烯基)鋇、二(四-異丙基-環(huán)戊二烯基)鈣、二(五-異丙基-環(huán)戊二烯基)M(M是鈣、鋇或鍶)和二(三-叔丁基-環(huán)戊二烯基)M(M是4丐、鋇或鍶)、鑭系過(guò)渡金屬的環(huán)戊二烯基衍生物、堿土金屬的芴基衍生物、二(芴基)鈣、二(芴基)鋇或鑭系過(guò)渡金屬的芴基衍生物或任何它們的組合。在另一個(gè)實(shí)施方案中，金屬前體包含式M(N3)x化合物，其中M選自基本上由下列組成的組元素周期表I族(IUPAC型)堿金屬元素，包括鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銣(Rb)、銫(Cs)和鈁(Fr);元素周期表II族i威土金屬元素鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)和鐳(Ra);元素周期表IIIB族稀土金屬包括鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、札、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥的鑭系元素；X具有從l至3的值，當(dāng)M是堿土金屬時(shí)x為l，當(dāng)M是堿土金屬時(shí)x為2，當(dāng)M是稀土金屬時(shí)x為從2至3的值。在另一個(gè)實(shí)施方案中，金屬前體包含二疊氮化鋇。在另一個(gè)實(shí)施方案中，制備有機(jī)發(fā)光器件的方法包含a)將至少一包含至少一金屬疊氮化物M(N3)x的金屬前體的溶液在大氣中應(yīng)用于基板，其中M基本上選自由下列組成的組元素周期表I族堿金屬元素包括鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銣(Rb)、銫(Cs)和4方(Fr);周期表II族堿土金屬元素鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)和鐳(Ra);元素周期表IIIB族稀土金屬包括鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥的鑭系元素。X具有從1至3的值，當(dāng)M是堿土金屬時(shí)x為1,當(dāng)M是堿土金屬時(shí)x為2,當(dāng)M是稀土金屬時(shí)x為從2至3的值；b)將至少一金屬前體暴露于熱或光下來(lái)釋放至少一金屬。在該方法的一個(gè)實(shí)施方案中，至少一金屬前體是二疊氮化鋇。另一個(gè)制作有機(jī)發(fā)光二極管的方法的實(shí)施方案包含a)提供至少一能轉(zhuǎn)換成沉積的含金屬層的金屬前體；b)在基板之上形成包含至少一金屬前體的層；c)轉(zhuǎn)換前體層以便于形成沉積的含金屬的陰極；d)將有機(jī)發(fā)光層與陰極結(jié)合；及e)將陽(yáng)極層與陰極層和發(fā)光層結(jié)合，發(fā)光層位于陽(yáng)極和陰極之間。在上述方法的實(shí)施方案中，至少一金屬前體包含式M(N3)x化合物，其中M基本上選自由下列組成的組元素周期表I族(IUPAC型)石咸金屬元素包括鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、4如(Rb)、銫(Cs)和鈁(Fr);元素周期表II族堿土金屬元素鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)和鐳(Ra);包括鑭、鈰、鐠、釹、钷、彭、銪、札、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥的鑭系元素。X具有從1至3的值，當(dāng)M是堿土金屬時(shí)x為1,當(dāng)M是堿土金屬時(shí)x為2,當(dāng)M選自鑭系元素時(shí)x為從2至3的值。在上述方法中，至少一金屬前體是金屬疊氮化物。至少一種前述前體可以是二疊氮化鋇。在上述方法中，使用選自下列的能源完成轉(zhuǎn)換光、熱、電子束輻射、離子束輻射及它們的組合。在上述方法中，至少一金屬前體以流體形式使用。在上述方法中，陰極具有小于3.0eV的功函數(shù)值。在另一個(gè)實(shí)施方案中，上述有機(jī)發(fā)光器件包括光板。在一個(gè)實(shí)施方案中，在光板中陰極層材料包含鋇。在光板的另一個(gè)實(shí)施方案中，至少一金屬前體包含二疊氮化鋇。附圖簡(jiǎn)述當(dāng)參考下述詳細(xì)說(shuō)明與伴隨的參考附圖(類似的特征代表了貫穿全文的附圖中類似的部分)時(shí)，將會(huì)更好地理解本發(fā)明的這些和其他特征、方面和優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是根據(jù)本技術(shù)方面的有機(jī)發(fā)光器件的示例性實(shí)施方案的代表性的截面圖2是根據(jù)本技術(shù)方面的有機(jī)發(fā)光器件的另一個(gè)示例性實(shí)施方案的代表性的截面圖3是根據(jù)本技術(shù)方面的有機(jī)發(fā)光器件的另一個(gè)示例性實(shí)施方案的代表性的截面圖4是根據(jù)本技術(shù)方面的有機(jī)發(fā)光器件的另一個(gè)示例性實(shí)施方案的代表性的截面圖5是根據(jù)本技術(shù)方面的有機(jī)發(fā)光器件的另一個(gè)示例性實(shí)施方案的代表性的截面圖6是根據(jù)本技術(shù)方面的有機(jī)發(fā)光器件的另一個(gè)示例性實(shí)施方案的代表性的截面圖7-22是根據(jù)本技術(shù)方面在圖1-6中說(shuō)明的有機(jī)發(fā)光器件的示例性制作工藝的代表性截面圖23是說(shuō)明根據(jù)本技術(shù)方面的有機(jī)發(fā)光器件的示例性制作工藝的流程圖；；、、、'、口、、、圖25是說(shuō)明才艮據(jù)本技術(shù)方面的有機(jī)發(fā)光器件的示例性制作工藝的流程圖26是說(shuō)明根據(jù)本技術(shù)方面的有機(jī)發(fā)光器件的效率-電流密度的曲線圖。圖27和28展示了實(shí)施例6計(jì)算的電流效率和功率效率曲線圖。圖29和30展示了實(shí)施例7計(jì)算的電流效率和功率效率曲線圖。圖31展示了電流效率-電壓曲線圖。圖32展示了實(shí)施例8的第一個(gè)OLED的功率效率-電壓曲線圖。圖33M示電流效率-電壓的另一曲線圖，圖34是另一個(gè)展示實(shí)施例8的用聚乙二醇制備的OLED的功率效率-電壓的曲線圖。發(fā)明詳述在下列說(shuō)明和權(quán)利要求中，將會(huì)引用許多在下文中定義而具有下述意義的術(shù)語(yǔ)。除非上下文明確指明，單數(shù)形式"一"、"一個(gè)"、"一種"包括復(fù)數(shù)指示物。本申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)"電活性"是指一種材料，該材料(l)能轉(zhuǎn)移、阻斷或存儲(chǔ)電荷(正電荷或負(fù)電荷)(2)吸光或發(fā)光，盡管一般不需要熒光，和/或(3)用于生成光介導(dǎo)的電荷，和/或(4)通過(guò)應(yīng)用偏壓改變顏色、反射率、透射率。"電活性器件"是包含電活性材料的器件。在本發(fā)明上下文中，電活性層是電活性器件的一層，其包含至少一種電活性有機(jī)材料或至少一種電極材料。本申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)"有機(jī)材料"是指小分子有機(jī)化合物，或高分子有機(jī)化合物，包括但不局限于樹(shù)形化合物，或包括具有2至10個(gè)重復(fù)單元的低聚物的大分子聚合物和具有IO個(gè)以上重復(fù)單元的聚合物。本申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)"活化材料"(activatormaterial)是指能使電荷注入、電荷轉(zhuǎn)移、電荷再結(jié)合或電荷分離增加的材料。在一些實(shí)施方案中，活化材料是空穴或電子供體?；罨牧系膶?shí)例包括但不局限于光致酸(或可互換地使用光生酸)和光致石威(或可互換地使用光生堿)。本申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)"活化層"(activatedlayer)是指具有至少一種活化材料的層。在非限制性的實(shí)例中，活化層包括光致酸或光致石威。在另外的實(shí)例中，預(yù)期具有空穴供體、p-活化層的層與不含有活化材料的層相比具有提高的功函數(shù)，然而預(yù)期具有電子供體、n-活化層的層與不含有活化材料的層相比具有降低的功函數(shù)。本申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)"潛在活化材料(latentactivatormaterial)"是指其活化產(chǎn)物包含至少一種活化材料的材料。潛在活化材料的實(shí)例包括但不局限于光致酸生成劑和光致》成生成劑。本申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)"潛在活性層(latentactivatedlayer)"是指具有至少一種潛在活化材料的層。在非限制性的實(shí)例中，潛在的活性層是包含聚(3,4-亞乙基二氧p塞吩)四異丁烯酸酯(PEDOT)材料的電荷轉(zhuǎn)移層，其另外包括例如二苯基六氟磷酸碘鑰鹽的潛在活化材料。本申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)"活化(activation)"是指使用光或熱生成活化材料。本申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)"活化產(chǎn)物(activationproducts)"是指潛在活化材料的熱或光活化的直接或間接的反應(yīng)產(chǎn)物。例如，光致酸是光活化光致酸生成劑潛在活化材料的活化產(chǎn)物。本申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)"鈍化(passivation)"是指通過(guò)照射與活性區(qū)域接觸的潛在活化材料來(lái)提供反活化材料而中和活性區(qū)域中的活化材料，從而使層中的活化區(qū)域失活。例如，堿性材料可通過(guò)引入與堿性材料接觸的例如光致酸生成劑的潛在活化材料，并活化光致酸生成劑來(lái)釋^:光致酸而中和該i威性材料。本申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)"配置于之上(disposedover)"或"沉積于之上(depositedover)，，是指直接配置或沉積于層上并且與之接觸，或者配置或沉積于層上但其間具有中間層。在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方案中使用的術(shù)語(yǔ)"烷基(alkyl)"傾向于指包含碳和氫的直鏈烷基、支鏈烷基、芳烷基、環(huán)烷基、二環(huán)烷基、三環(huán)烷基和多環(huán)烷基團(tuán)，并且除-灰和氬外任選地含有例如選自周期表15、16、17族的原子，例如卣原子。烷基基團(tuán)可以是飽和的或不飽和的，并且可含有例如乙烯基或烯丙基。術(shù)語(yǔ)"烷基"也包含烷氧基的烷基部分。除非另外說(shuō)明，在各個(gè)實(shí)施方案中，直鏈和支鏈烷基包含1至約32個(gè)碳原子，并且包含說(shuō)明性的非限制性實(shí)例d-C32烷基(以一個(gè)或多個(gè)選自d-C32烷基、Q-d5環(huán)烷基或芳基的基團(tuán)任選地取代)和以一個(gè)或多個(gè)選自CrC32烷基或芳基的基團(tuán)任選取代的C3-Qs環(huán)烷基。一些說(shuō)明性的非限制性的實(shí)例包含曱基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基和十二烷基。環(huán)烷基和二環(huán)烷基一些具體的說(shuō)明性的非限制性的實(shí)例包括環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、曱基環(huán)己基、環(huán)庚基、二環(huán)庚基和金剛烷基。在各個(gè)實(shí)施方案中芳烷基包括含有7至14個(gè)碳原子的基團(tuán)，這些基團(tuán)包括但不局限于千基、苯基丁基、苯基丙基和苯基乙基。在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方案中使用的術(shù)語(yǔ)"芳基(aryl)"傾向于指包含6至20個(gè)碳原子的取代或未取代的芳基。芳基的一些說(shuō)明性的非限制性的實(shí)例包括以一或多個(gè)選自下列基團(tuán)任意取代的CVC20芳基d-C32烷基、C3-C!5環(huán)烷基、芳基和包含選自元素周期表15、16和17族原子的官能團(tuán)。芳基的一些具體說(shuō)明性的非限制性的實(shí)例包括取代或未取代的苯基、聯(lián)苯基、曱苯基、二曱苯基、萘基和聯(lián)萘基。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案，提供了包含至少一種潛在活化材料的至少一潛在活化層的有機(jī)發(fā)光器件。參照?qǐng)D1，說(shuō)明了有機(jī)發(fā)光器件(OLED)IO的第一個(gè)示例性實(shí)施方案。在說(shuō)明性的實(shí)施方案中，所示的發(fā)光器件10包括第一個(gè)電極12、具有潛在活化材料的潛在活性層14、電活性層16和第二個(gè)電極18。在非限制性的實(shí)例中，第一個(gè)電極是陽(yáng)極，潛在的活化層是空穴注入和/或轉(zhuǎn)移層，電活性層是發(fā)光層，第二個(gè)電極是陰極。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在本技術(shù)供選的實(shí)施方案中，可具有更少或更多數(shù)量的電活性層。潛在的活化層可另外包含例如空穴轉(zhuǎn)移材料、空穴注入材料、電子轉(zhuǎn)移材料、電子注入材料、吸光材料、電致發(fā)光材料、陰極材料或陽(yáng)極材料或任何它們的組合的材料。潛在活化材料可以是無(wú)機(jī)材料、有機(jī)金屬材料、有機(jī)材料、聚合材料或任何它們的組合。在一些實(shí)施方案中，活化材料在有機(jī)基質(zhì)中作為分散劑存在。在某些實(shí)施方案中，潛在活化材料是具有至少一光致酸生成官能團(tuán)、或光致堿生成官能團(tuán)或熱致酸生成官能團(tuán)或任何它們的組合的材料。潛在的空穴供體材料包括但不局限于光致酸生成劑或熱致酸生成劑，潛在的電子供體材料包括但不局限于光致堿生成劑和在活化中生成零價(jià)氧化態(tài)金屬的有機(jī)金屬化合物。例如，光致酸生成劑(photoacidgenerator)二苯基六氟磷酸硤鎗鹽(Ph2lPF6)可用作p-活化的潛在活化材料。Ph,EPR<T》通常通過(guò)光活化，生成苯基和苯基碘基團(tuán)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>光照產(chǎn)生的苯基(Ph+)和苯基碘(Phl+)基是高度反應(yīng)性的基團(tuán)并且預(yù)期會(huì)進(jìn)一步與溶劑或其他雜質(zhì)反應(yīng)生成用作p-活化劑的六氟磷酸。光致酸的生<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>成已為本領(lǐng)域所知。其已在許多文獻(xiàn)中得到說(shuō)明，例如"Crivello，JournalofPolymerSciencepartA:PolymerChemistry,Volume37pp4241-4254",本申請(qǐng)完整收錄該內(nèi)容作為參考。在潛在的n-活化的實(shí)例中，例如二(藥基)鉤的有機(jī)金屬化合物可用作潛在活化材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>通過(guò)活化，預(yù)期二(芴基)鉤會(huì)發(fā)生還原消除反應(yīng)而形成零價(jià)氧化態(tài)金屬和有機(jī)產(chǎn)物。該金屬作為電子的供體。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>在一些實(shí)施方案中，潛在的活化層包含100%重量的潛在活化材料。在某些其他的實(shí)施方案中，潛在活化材料的重量是潛在活化層重量的99%至0.1%。在其他的實(shí)施方案中，潛在活化材料的重量是潛在活化層重量的90%至20%。在還一另外的實(shí)施方案中，潛在活化材料的重量是潛在活化層重量的90°/。至50%。在一些其他的實(shí)施方案中，潛在活化材料的量可以低至每百萬(wàn)份整個(gè)潛在活化層組合物存在100份的潛在活化材料。光致酸生成劑的非限制性的實(shí)例包括錯(cuò)鹽、碘錯(cuò)鹽、锍錯(cuò)鹽、氧錯(cuò)鹽、卣錯(cuò)鹽、季鱗鹽、硝基節(jié)基酯、砜、磷酸鹽或酯、N-羥基亞(酰)胺基磺酸鹽、二苯基六氟磷酸碘錄鹽、重氮萘醌、二苯基碘錯(cuò)三氟曱磺酸鹽(triflate)、二苯基碘錯(cuò)對(duì)曱^^黃酸鹽、三芳基锍錯(cuò)磺酸鹽、(對(duì)曱基苯基，對(duì)異丙基苯基)碘錯(cuò)四(五氟苯基)硼酸鹽、二(異丙基苯基)碘錯(cuò)六氟銻酸鹽、二(正十二烷基苯基)碘錯(cuò)六氟銻酸鹽等等。熱致酸生成劑(thermoacidgenerator)的實(shí)例包括但不局限于四氫噻吩鹽(thiolaniumsalts)、千基四氫遂吩六氟-丙烷-磺酸酯、硝基千基酯、2-硝基節(jié)基曱苯磺酸酯、氨基三氟曱磺酸鹽、碘錯(cuò)鹽、碘鏞鹽與例如苯頻哪醇的自由基產(chǎn)生劑的組合、碘鉻鹽與金屬鹽的組合等等。熱或光光致堿生成劑非限制性的實(shí)例包括O-酰肝、季銨鹽、0-苯基乙?；?2-萘乙酮肟、苯曱?；驶苌铩-硝基千基N-環(huán)己基氨基曱酸酯、硝苯地平、N-曱基硝苯地平等等材料。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，潛在活化材料包含在熱或光的活化下釋放其零價(jià)氧化態(tài)金屬的有機(jī)金屬。所述金屬非限制性的實(shí)例包括I族金屬、n族金屬、ni族金屬、iv族金屬、鈧、釔及鑭系金屬。在一個(gè)實(shí)施方案中，活化材料是式R2M化合物，其中M是金屬，R是脂肪族或芳香族基團(tuán)。在一些實(shí)施方案中，M是例如但不局限于鈣、鍶、鋇和4美的II族金屬，或例如但不局限于鑭、鈰，銪、鐠和釹的鑭系金屬。所述有機(jī)金屬化合物的非限制性實(shí)例包括堿土金屬或鑭系過(guò)渡金屬的環(huán)戊二烯基衍生物，例如二(四-異丙基-環(huán)戊二烯基)鋇、二(四-異丙基-環(huán)戊二烯基)鈣、二(五-異丙基-環(huán)戊二烯基)M(M是釣、鋇或鍶)、二(三-叔丁基-環(huán)戊二烯基)M(M是鈣、鋇或鍶)，堿土金屬或鑭系過(guò)渡金屬的藥基衍生物，例如二(藥基)4丐或二(藥基)鋇。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，潛在活化材料包含在熱或光的活化下釋放其零價(jià)氧化態(tài)金屬的無(wú)機(jī)金屬化合物。所述金屬的非限制性實(shí)例包括I族金屬、II族金屬和鑭系金屬。在一個(gè)實(shí)施方案中，活化材料是式R2M化合物，其中M是金屬，R是疊氮(N3)。在一些實(shí)施方案中，M是例如但不局限于4丐、鍶、鋇和鎂的n族金屬，或例如但不局限于鑭、鈰，銪、鐠和釹的鑭系金屬，或例如堿金屬的I族金屬。所述無(wú)機(jī)化合物的非限制性實(shí)例包括式Ba(N3)2的二疊氮化鋇。優(yōu)選地，該金屬具有小于3eV的功函數(shù)。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，將金屬化合物在溶液中于大氣條件下應(yīng)用于堿。所述堿優(yōu)選地為電極、電導(dǎo)體。金屬化合物也可以是上述有機(jī)金屬化合物。在另一個(gè)實(shí)施方案中，OLED器件具有包含低功函數(shù)金屬或金屬化合物的陰極層，所述金屬或金屬化合物來(lái)自至少一種當(dāng)暴露于熱或光下時(shí)能釋放金屬或金屬化合物的金屬前體。該組合的優(yōu)點(diǎn)在于金屬化合物的溶液能在大氣氛圍中用于制造陰極層，在制造期間不需要惰性的工作環(huán)境。低功函數(shù)金屬或金屬化合物可具有小于3.0eV的功函數(shù)。該金屬選自元素周期表I族、II族和鑭系金屬。在一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光器件(OLED)包含a)基板，b)覆蓋基板一個(gè)表面至少一部分的至少一陰極層，陰極層包含至少一種選自下列元素的材料I族和II族元素及锎系金屬，所述材料通過(guò)在大氣中將相應(yīng)的疊氮化物(N3)x溶液沉積然后去除至少一部分疊氮形成，其中X數(shù)值對(duì)應(yīng)于相應(yīng)元素的化合價(jià)；c)覆蓋至第二個(gè)基板至少一部分的陽(yáng)極材料；及d)位于陰極層和陽(yáng)極層之間的有機(jī)發(fā)光材料，當(dāng)將相反的電荷應(yīng)用于陽(yáng)極層和陰極層時(shí)所述有機(jī)發(fā)光材料發(fā)光。該有機(jī)發(fā)光材料選自包含a)吸光層材料或b)電致發(fā)光層材料，或，c)電致變色材料或d)任何它們的組合及任選地；e)空穴轉(zhuǎn)移層材料，f)空穴注入層材料，g)電子轉(zhuǎn)移層材料，h)電子注入層材料，或i)任何它們的組合。在一個(gè)實(shí)施方案中，陰極層材料包含鋇。在另一個(gè)實(shí)施方案中，疊氮化物包含式Ba(N3)2的二疊氮化鋇。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，OLED是光板，其包含a)光纟反基4反，b)至少一覆蓋基板一個(gè)表面至少50%的連續(xù)的陰極層，其中陰極層包含至少一種選自下列元素的材料I族元素、II族元素和鑭系元素，所述材料通過(guò)在大氣中將相應(yīng)的疊氮溶液沉積然后去除疊氮形成。c)陽(yáng)極層材料；及d)位于陰極層和陽(yáng)極層之間的有機(jī)發(fā)光材料，當(dāng)將相反的電荷應(yīng)用于陽(yáng)極層和陰極層時(shí)所述有機(jī)發(fā)光材料發(fā)光。在一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光材料選自包含e)吸光層材料或f)電致發(fā)光層材料，或，g)電致變色材料或h)任何它們的組合。光板可另外含有a)空穴轉(zhuǎn)移層材料，b)空穴注入層材料，c)電子轉(zhuǎn)移層材料，d)電子注入層材料，或e)任何它們的組合。在一個(gè)實(shí)施方案中，光板具有包含鋇和相應(yīng)的具有式Ba(N》2的二疊氮化鋇的陰極層材料。在一個(gè)實(shí)施方案中，制備有機(jī)發(fā)光器件的方法包含a)通過(guò)將至少一種選自I族、II族和鑭系元素的疊氮化物材料的溶液在大氣中涂覆于基板之上形成陰極。b)在基板上去除疊氮形成至少一種選自下述材料的涂層而形成陰極，所述材料包括至少一種I族和II族元素及鑭系元素或至少一種元素的化合物。疊氮化物可以是式Ba(N3)2的二疊氮化鋇。在另一個(gè)實(shí)施方案中，制備有機(jī)發(fā)光二極管的方法包含如下步驟a)選擇至少一種能轉(zhuǎn)換成沉積的含金屬的層的前體；b)在基板之上形成包含至少一未轉(zhuǎn)化前體的層；c)充分地完全地轉(zhuǎn)換前體層以便于形成沉積的含金屬的陰極。d)組合發(fā)光有機(jī)層與陰極層及；e)組合陽(yáng)極與陰極和發(fā)光層，發(fā)光層位于陽(yáng)極和陰極之間。至少一種前體化合物包含金屬配合物，所述金屬配合物包含至少一種選自疊氮化物的配體和至少一種選自I族和II族和鑭系金屬及其混合物的金屬。前體可以是式Ba(N3)2的二疊氮化鋇。轉(zhuǎn)化可使用選自下列的能源完成光、熱、電子束輻射、離子束輻射及它們的組合。前體化合物可以以流體形式應(yīng)用。在基板表面形成的前體層可包含許多金屬-有機(jī)前體化合物的混合物。為提高效率，陰極具有小于3.0eV的功函數(shù)。在所有的上述OLEDs中，有機(jī)發(fā)光器件可另外包含例如空穴轉(zhuǎn)移層、空穴注入層、電子轉(zhuǎn)移層、電子注入層、電致發(fā)光層、陰極層或陽(yáng)極層或任何它們的組合的一層或多層。OLED可另外包括但不局限于例如聚合基板的基板層。在本發(fā)明某些實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光器件包括至少一能空間選擇性地光活化或熱活化的潛在的活化層?？臻g選擇性活化使得有機(jī)發(fā)光器件圖樣化。熱活化非限制性的實(shí)例包括將具有潛在的活化層的器件置于熱板上或使用例如激光源的光源選擇性地加熱具有潛在活化材料的層的某個(gè)區(qū)域。潛在活化材料吸收的熱能導(dǎo)致活化材料的釋放。光活化方法包括但不局限于使用光源照射潛在活化材料，所述光源例如但不局限于紅外光源、可見(jiàn)光源、紫外光源，包括激光。吸收了光的潛在活化材料被光激發(fā)而釋放活化材料。在本發(fā)明某些其他的實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光器件包括至少一種與活性區(qū)域接觸的潛在的抗活化材料。通過(guò)照射與活性區(qū)域接觸的潛在活化材料來(lái)提供抗活化材料而中和在活化區(qū)域中的供體，該活化區(qū)域可能被鈍化。例如，通過(guò)照射與p-活化區(qū)域接觸的潛在的光致堿生成劑，釋放電子供體來(lái)中和在活化區(qū)域中的空穴供體?？臻g選擇性鈍化也可使得OLED器件圖樣化。根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案，有機(jī)發(fā)光器件包括至少一活化層，其中這些層包含至少一種潛在電荷-供體材料的光或熱活化產(chǎn)物。參照?qǐng)D2，說(shuō)明了有機(jī)發(fā)光器件(OLED)20的第二個(gè)示例性實(shí)施方案。在說(shuō)明性的實(shí)施方案中，所示的有機(jī)發(fā)光器件20包括第一個(gè)電極22、具有至少一種潛在活化材料的光或熱活化產(chǎn)物的活化層24、電活性層26和第二個(gè)電極28。在一些實(shí)施方案中，活化的有機(jī)電活性層是發(fā)光聚合物層。在還一另外的實(shí)施方案中，活化的有機(jī)電活性層是電荷轉(zhuǎn)移層?；罨瘜涌闪硗獍昭ㄞD(zhuǎn)層移材料、空穴注入層材料、電子轉(zhuǎn)移層材料、電子注入層材料、吸光層材料、陰極層材料、陽(yáng)極層材料或電致發(fā)光層材料或任何它們的組合?；罨瘜涌砂ǘ嘤谝粋€(gè)波長(zhǎng)的光活化產(chǎn)物。OLED可另外包括基板層，例如但不局限于聚合基板。在一些實(shí)施方案中，活化層包含100%重量的活化材料。在某些其他的實(shí)施方案中，活化材料的重量是活化層重量的約99%至1%。在其他的實(shí)施方案中，活化材料的重量是活化層組合物重量的約90%至約20%。在還一另外的實(shí)施方案中，活化材料的重量是活化層組合物重量的約90%至約50%。在一些其他的實(shí)施方案中，活化材料的量可以低至每百萬(wàn)份整個(gè)活化層組合物存在100份的活化材料。在本發(fā)明的一些實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光器件是圖樣化的。該圖樣(案)可以是規(guī)則的，例如但不局限于字母、數(shù)字和幾何結(jié)構(gòu)。該圖樣也可以是任意的和不規(guī)則的。通過(guò)光或熱介導(dǎo)的空間選擇性活化可以使OLED圖樣化?？臻g選4奪性活化可使用預(yù)加工罩(pre-machinedmask)、底片或任何其他的方法咒成。在本發(fā)明某些其他的實(shí)施方案中，圖樣化也可通過(guò)空間選擇性鈍化完成。選擇性的鈍化包含通過(guò)選擇性地照射與活化區(qū)域接觸的抗電荷供體材料的去活化。參照?qǐng)D3，說(shuō)明了有機(jī)發(fā)光器件30的另一個(gè)示例性實(shí)施方案。在說(shuō)明性的實(shí)施方案中，所示的有機(jī)發(fā)光器件30包括第一個(gè)電極32、選擇性活化電活性層33,所述電活性層33具有包括至少一潛在電荷供體材料的光或熱活化產(chǎn)物的活化區(qū)域34和具有至少一種潛在活化材料的非活化區(qū)域36。該器件另外包括另外的有機(jī)電活性層38和第二個(gè)電極40。在選擇性地活化層33中，僅層中有某些部分或區(qū)域是選擇性活化的，剩下的某些部分具有潛在的活化材料或是可以去活化或鈍化的區(qū)域。此選擇性的活化使得OLED圖樣化。圖樣化可包含規(guī)則的外形，例如但不局限于字母或數(shù)字或幾何樣式或任何它們的組合，也可包括任意的和不規(guī)則的外形和樣式。在圖4所示的說(shuō)明性實(shí)施方案中，發(fā)光器件42包括第一個(gè)電極44、具有至少一種潛在活化材料的光或熱活化產(chǎn)物的第一個(gè)活化層46、具有至少一種潛在活化材料的光或熱活化產(chǎn)物的第二個(gè)活化層48和第二個(gè)電極50。在非限制性實(shí)例中，層46能以注入和/或轉(zhuǎn)移空穴的方式活化，層48能以注入和/或轉(zhuǎn)移電子的方式活化。參照?qǐng)D5，說(shuō)明了發(fā)光器件52的另一個(gè)示例性實(shí)施方案。在說(shuō)明性的實(shí)施方案中，所示的有機(jī)發(fā)光器件52包括第一個(gè)電極54、具有至少一種潛在的電荷供體材料的光或熱活化產(chǎn)物的第一個(gè)活化層56、和具有至少一種潛在電荷供體材料的光或熱活化產(chǎn)物的第二個(gè)活化層60。該器件可另外包括位于兩個(gè)活化層之間的電活性層58和第二個(gè)電極62。在非限制性的實(shí)例中，第一個(gè)電極54是陽(yáng)極，第二個(gè)電極62是陰極。在圖6所示的說(shuō)明性實(shí)施方案中，串聯(lián)的有機(jī)發(fā)光器件64包括例如氧化銦錫(ITO)的陽(yáng)極66、具有至少一種潛在的電荷供體材料的光或熱活化產(chǎn)物的活化電活性層68(例如空穴注入層)、發(fā)光聚合物層70、透明的陰極72、具有至少一種潛在的電荷供體材料的光或熱活化產(chǎn)物的第二個(gè)活化的空穴注入層74、在與第一個(gè)發(fā)光層相同或不同波長(zhǎng)發(fā)光的第二個(gè)電活性層76和陰極78。電荷轉(zhuǎn)移層材料的非限制性實(shí)例包括:低至中分子量(例如小于約20000)的有機(jī)分子、聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺、聚(3,4-亞丙基二氧噻吩)(PProDOT)、聚苯乙烯基磺酸酯(PSS)、聚乙烯基。卡唑(PVK)等材料，或它們的纟且合?？昭ㄞD(zhuǎn)移層材料的非限制性實(shí)例包括三芳基二胺、四苯基二胺、芳香》矣氺又胺(tertiaryamines)、月宗書(shū)亍生物、。f峻書(shū)f生物、三。坐書(shū)亍生物、。米峻矛;亍生物、具有氨基的噁二哇衍生物、聚p塞吩等等。用作空穴阻斷層的合適的材料包含聚(N-乙烯基寸唑)等等?？昭ㄗ⑷朐鰪?qiáng)層材料的非限制性實(shí)例包括亞芳基系化合物，例如3，4,9,10-菲四曱酸二酐、二(l，2，5-噻二唑)-p-喹啉二(l,3-二硫代環(huán)戊烯(dithiole))等等。適合用作電子注入增強(qiáng)層材料和電子轉(zhuǎn)移層材料的材料包括金屬有機(jī)配合物，例如噁二唑衍生物、菲衍生物、p比咬衍生物、嘧啶衍生物、喹啉衍生物、p奎鬼啉衍生物、二苯基醌衍生物、硝基取代的藥衍生物等等?？捎米靼l(fā)光層材料的非限制性實(shí)例包括聚(N-乙烯基?？ㄟ?(PVK)及其衍生物；聚芴及其衍生物，例如聚(烷基芴)，例如聚(9,9-二己基芴)、聚(二辛基芴)或聚{9,9-二(3,6-二氧雜環(huán)庚烷基)-芴-2,7-二基))；聚(對(duì)亞苯基)(PPP)及其衍生物，例如聚(2-癸氧基-l,4-亞苯基)或聚(2，5-二庚基-l，4-亞苯基)；聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)(PPV)及其衍生物，例如二烷氧基取代的PPV和氰基取代的PPV;聚噻吩及其衍生物，例如聚(3-烷基噻吩)、聚(4,4'-二烷基-2,2'-聯(lián)噻吩)、聚(2,5-亞噻吩基亞乙烯基)；聚(吡啶乙烯基)及其衍生物；聚喹喔啉及其衍生物及聚p奎啉及其衍生物。在一個(gè)具體的實(shí)施方案中，合適的發(fā)光材料是以N,N-二-(4-甲基苯基)-4-苯胺封端的聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)。也可使用這些聚合物和基于一個(gè)或多個(gè)這些聚合物和其他的聚合物的共聚物的混合物。聚硅烷是可用于發(fā)光層的另一類合適的材料。通常，聚硅烷是各種烷基和/或芳基側(cè)基取代的線性的硅-骨架聚合物。它們是沿著聚合物骨架鏈具有離域ci-共軛電子的準(zhǔn)一維材料。聚硅烷的實(shí)例包括聚(二-正丁基硅烷)、聚(二-正戊基硅烷)、聚(二-正己基硅烷)、聚(甲基苯基硅烷)和聚{二(對(duì)丁基苯基)硅烷}。極材料的非限制性實(shí)例包括例如鉀、鋰、鈉、鎂、4丐、鋇、鋁、銀、金、銦、錫、鋅、鋯、鈧、釔、錳、鉛、鑭系金屬元素及其合金的材料，合金具體地為銀-鎂合金、鋁-鋰合金、銦-鎂合金、鋁-鈣合金和鋰-鋁合金及其混合物。其他的陰極材料實(shí)例可包括堿金屬氟化物、堿土金屬氟化物或氟化物的混合物。其他的合適的陰極材料例如氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、氧化鋅銦錫、氧化銻、碳納米管及其混合物。供選地，陰極可以由兩層組成從而增加電子注入。非限制性的實(shí)例包括但不局限于內(nèi)層為氟化鋰或氟化鈉外層為鋁或銀，或內(nèi)層為4丐外層為鋁或^L。料。陽(yáng)極材料的非限制性實(shí)例包括但不局限于氧化銦錫(ITO)、氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、鎳、金等等材料及其混合物?；宓姆窍拗菩詫?shí)例包括熱塑性聚合物、聚(亞乙基對(duì)二苯酸酯)、聚(萘二曱酸乙二酯)、聚醚砜、聚碳酸酯、聚酰亞胺、丙烯酸酯、聚烯烴、玻璃、金屬等等以及它們的組合。本發(fā)明有機(jī)發(fā)光器件可包括另外的層，例如但不局限于一或多個(gè)耐磨層、粘附層、化學(xué)穩(wěn)定層(chemicallyresistantlayer)、光致發(fā)光層、輻射吸收層、輻射反射層、阻斷層、平坦化層、光學(xué)擴(kuò)散層以及它們的組合。本發(fā)明還一個(gè)另外的實(shí)施方案是制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，其將參照?qǐng)D7-24在下文進(jìn)一步說(shuō)明。該方法通常包括提供基板并將一種或多種有機(jī)器件層置于基板之上，其中所述有機(jī)器件層包含至少一潛在活性材料?；逋ǔＪ请姌O。電極基板也可包括其他基板，例如但不局限于聚合的基板。該方法另外包括通過(guò)光活化或熱活化潛在的活性材料產(chǎn)生堿或酸的步驟。活化可在制作有機(jī)發(fā)光器件期間的任何步驟實(shí)行?；罨部稍谄骷b配完成后的器件壽命期間的任何時(shí)間實(shí)行。該方法可另外包括圖樣化和空間選擇性活化步驟。圖樣可以是規(guī)則的，例如但不局限于字母、數(shù)字和幾何結(jié)構(gòu)。圖樣也可以是任意的和不規(guī)則的?？臻g選4奪性活化可使用預(yù)加工罩(pre-machinedmask)、負(fù)片(negativefilm)或任何其他的方法完成。活化可包括一或多個(gè)潛在電荷供體材料在一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)的光活化。在一些實(shí)施方案中，該方法可另外包括空間選擇性鈍化步驟，其中空間選擇性鈍化包含照射與活性區(qū)域接觸的潛在抗活化材料。例如，可通過(guò)照射與p-活化層接觸的光致酸生成劑選擇性地鈍化或去活化p-活化層。OLED的圖樣化也可通過(guò)空間選擇性鈍化完成。該方法可另外包含將空穴轉(zhuǎn)移層材料、空穴注入層材料、電子轉(zhuǎn)移層材料、電子注入層材料、吸光層材料、陰極層材料、陽(yáng)極層材料或電致發(fā)光層材料或任何它們的組合置于基板之上。在一些實(shí)施方案中，該方法另外包括將各層與至少一包括潛在活化材料或潛在活化材料活化產(chǎn)物的層層壓在一起。在一些實(shí)施方案中，將潛在活化材料與其他OLED層材料組合設(shè)置。例如，可將潛在活化材料與發(fā)光層材料組合設(shè)置。在其他的實(shí)施方案中，將潛在活化材料設(shè)置于OLED層之上。通過(guò)活化釋放潛在活化材料，從而表層修飾下層。設(shè)置或處理層的方法包括但不局限于例如旋轉(zhuǎn)涂布、浸漬涂布、逆轉(zhuǎn)輥涂布、繞線或Mayer桿涂布、直接和偏移照相凹板式涂布、狹縫模具式涂布、刮刀涂布、熱熔涂布、簾式涂布、輥襯刀涂、擠壓、氣刀涂布、噴涂、圓網(wǎng)涂布、多層坡流涂布、混合擠壓、液面彎曲式涂布、逗號(hào)和微型凹版涂布(commaandmicrogravurecoating)、光刻、Langmuir工藝、閃蒸、氣相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積("PECVD")、射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積("RFPECVD，，)、擴(kuò)展熱等離子體化學(xué)汽相沉積("ETPCVD，，)、包括但不局限于反應(yīng)濺射的濺射、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積("ECRPECVD，，)、電感耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積("ICPECVD，，)等等技術(shù)及其組合。根據(jù)本技術(shù)的方面，圖7-22是在圖1-6中說(shuō)明的有機(jī)發(fā)光器件的示例性制作工藝的代表性陳述。圖7說(shuō)明的電極80用作基板來(lái)沉積下一層。電極的實(shí)例是氧化銦錫陽(yáng)極。在某些實(shí)施方案中，該電極可另外包括聚合的基板。在下一層沉積之前可以用紫外/臭氧表面處理該電極。本申請(qǐng)所使用的器件亞結(jié)構(gòu)可包括一個(gè)或多個(gè)基板層、一個(gè)或多個(gè)電極層、一個(gè)或多個(gè)潛在活化層、一個(gè)或多個(gè)活化層、一個(gè)或多個(gè)電活性層、一個(gè)或多個(gè)例如但不局限于粘附層和阻斷層的另外的層。在一些實(shí)施方案中，兩個(gè)或多個(gè)器件亞結(jié)構(gòu)可相互安置或配置來(lái)形成有機(jī)發(fā)光器件。在另外的實(shí)施方案中，兩個(gè)或多個(gè)器件亞結(jié)構(gòu)可使用例如但不局限于層壓的工藝組合兩種或多種器件亞結(jié)構(gòu)來(lái)形成有機(jī)發(fā)光器件。如圖8所示，將具有潛在活化材料的潛在活化電活性層82置于電極之上。潛在的活性層82可以是有機(jī)電活性層并且可另外包括例如空穴轉(zhuǎn)移材料或發(fā)光材料。如圖9所示，包括潛在活化材料的潛在的活化電活性層82通過(guò)以參考數(shù)字84表示的熱或光分別熱活化或光活化。潛在活化電活性層82的活化導(dǎo)致圖10所示的活化的電活性層86形成器件亞結(jié)構(gòu)89。其他層可被設(shè)置于該亞結(jié)構(gòu)之上形成發(fā)光器件。該工藝可另外繼續(xù)沉積至少一或多個(gè)電活性有機(jī)層88。最后，如圖ll所示，可將例如陰極層的第二個(gè)電極90沉積于電活性層88之上來(lái)形成發(fā)光器件20(見(jiàn)圖2)。供選地，該工藝可從圖8所示工藝步驟至圖12所示工藝步驟進(jìn)行，將電活性層88沉積于潛在的電活性層82之上。器件IO(見(jiàn)圖l)通過(guò)將電極90配置于電活性層82之上完成。如圖15所示，通過(guò)應(yīng)用熱活化或光活化84來(lái)隨后活化潛在的活化的電活性層82，導(dǎo)致形成活化層86和器件20。在另一供選的工藝途徑中，該工藝可從圖8所示的工藝步驟至圖16所示的工藝步驟進(jìn)行，可選擇性地活化電活性層82。選擇性的活化可導(dǎo)致OLED器件的圖樣化。圖樣化可以是期望的規(guī)則的或任意的。如圖17所示，選擇性的活化可導(dǎo)致層91的圖樣化，層91含有具有活化材料的活化區(qū)域92和仍為潛在活化區(qū)域的94。如圖18所示，可將例如電活性層88的另外的層和電極層90沉積來(lái)制作有才幾發(fā)光器件30。供選地，該工藝可從圖12所示的工藝步驟至圖19所示的工藝步驟進(jìn)行，可將第二個(gè)潛在的活化層95置于電活性層88之上。如圖20所示，潛在的活化層95受到光或熱活化94提供第二個(gè)活化層96。如圖21所示，可將第二個(gè)電極置于第二個(gè)活化層96之上得到器件52。在非限制性的實(shí)例中，第一個(gè)活化層86是p-活化層，第二個(gè)活化層96是n-活化層。供選地，包括圖IO所示的工藝步驟的工藝也可包括圖22所示的工藝步驟，圖10工藝步驟中形成了包括電極80、第一個(gè)活化層86和另外的電極88的第一個(gè)器件亞結(jié)構(gòu)89，圖22工藝步驟中形成了包括活化層96和第二個(gè)電極層90的第二個(gè)器件亞結(jié)構(gòu)97。如圖19所示，可通過(guò)活化例如層95的潛在的活化層形成活化層96。如圖21所示，在制備第一個(gè)和第二個(gè)亞結(jié)構(gòu)89和97的工藝步驟之后，可將此兩個(gè)亞結(jié)構(gòu)層壓在一起形成器件52。在一些實(shí)施方案中，層壓通過(guò)將第一個(gè)器件亞結(jié)構(gòu)和第二個(gè)器件亞結(jié)構(gòu)》文在一起，然后向該亞結(jié)構(gòu)應(yīng)用壓力或熱或兩者中的一種進(jìn)行。在一個(gè)實(shí)施方案中，將第一個(gè)器件亞結(jié)構(gòu)89和第二個(gè)器件亞結(jié)構(gòu)97重疊并引導(dǎo)其通過(guò)層合機(jī)輥來(lái)形成器件52。在一些實(shí)施方案中，層壓在150°C下進(jìn)行。在某些實(shí)施方案中，如圖10和19所示，在亞結(jié)構(gòu)中的潛在活化材料的活化可在層壓之前發(fā)生。在其他的實(shí)施方案中，在亞結(jié)構(gòu)中的潛在活化材料的活化可在層壓之后發(fā)生，這樣以便于在層壓之時(shí)第一個(gè)和/或第二個(gè)器件結(jié)構(gòu)可包括潛在活化層。在非限制性的實(shí)例中，第一個(gè)和第二個(gè)器件亞結(jié)構(gòu)可包括一或多個(gè)基板層、一或多個(gè)電極、一或多個(gè)潛在活化層、一或多個(gè)活化層、一或多個(gè)電活性層、或一或多個(gè)例如但不局限于粘附層和阻斷層的另外的層。流程圖。所述工藝100包括如下步驟提供可以是例如電極的基板102(見(jiàn)圖7)、將包含潛在活化材料的層置于基板104之上(見(jiàn)圖8)、將一個(gè)或多個(gè)另外的有機(jī)層置于基板106之上(見(jiàn)圖12)、然后將第二個(gè)電極置于基板108之上(見(jiàn)圖13)。流程圖。工藝110以步驟112開(kāi)始，提供了可以是例如電極的基板。該工藝110繼續(xù)進(jìn)行將包含潛在活化材料的層置于基板之上的步驟114(見(jiàn)圖8)。在步驟116中，該工藝通過(guò)或光或熱活化活化活化材料。流程圖。在工藝118的步驟120中，提供了可以是例如電極的基板(見(jiàn)圖7)。工藝118進(jìn)行將包含潛在活化材料的層置于基板之上的步驟122(見(jiàn)圖8)。在步驟124中，該工藝通過(guò)光或熱活化活化活化材料(見(jiàn)圖9),然后將一個(gè)或多個(gè)另外的有機(jī)層置于基板126之上(見(jiàn)圖10),最后進(jìn)行將第二個(gè)電極置于基板之上的步驟1M(見(jiàn)圖11)實(shí)施例在沒(méi)有另外的說(shuō)明時(shí)，據(jù)信使用本申請(qǐng)說(shuō)明的本領(lǐng)域技術(shù)人員能最大限度的利用本發(fā)明。為給實(shí)施要求保護(hù)的本發(fā)明的本領(lǐng)域技術(shù)人員提供另外的指導(dǎo)，提供了包括下列的實(shí)施例。這些實(shí)施例僅僅是有助于說(shuō)明本發(fā)明的代表性的工作。相應(yīng)地，這些實(shí)施例不會(huì)以任何方式限制本發(fā)明，附加的權(quán)利要求也是如此。Kelvin探針(KP)是一種動(dòng)態(tài)電容器技術(shù)，其相對(duì)于常見(jiàn)的探針通過(guò)測(cè)量以電壓為單位的接觸電位差(CPDs，其相應(yīng)于有效表面功函數(shù)的變化)來(lái)測(cè)量導(dǎo)體/半導(dǎo)體材料的有效表面功函數(shù)變化。KP的測(cè)量以數(shù)字Kelvin探針KP6500操作。實(shí)施例1在此實(shí)施例中使用從Aldrich獲得的分散在碳酸丙二酯中的0.5%重量的以噻吩為基的導(dǎo)電聚合物，四異丁烯酸酯封端的聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)(PEDOT-TMA)。從Aldrich獲得的二苯基六氟磷酸硤^t鹽Ph2IPF6用作潛在的活化材料。通過(guò)將2克PEDOT-TMA的碳酸丙二酯溶液與100毫克在1.5毫升碳酸丙二酯中的Ph2IPF6混合來(lái)制備PEDOT-TMA和Ph2IPF6的混合;容液(稱之為PEDOT-TMA:Ph2IPF6)。表1:接觸電位差(CPD)的Kelvin探針(KP)測(cè)量實(shí)驗(yàn)結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>按下文制備用于KP測(cè)量的三種樣品(表1)。將從AppliedFilmsCorporation獲得的氧化銦錫(ITO，大約140納米)鍍膜玻璃用作導(dǎo)電基板。樣品1是空白的預(yù)潔凈的ITO,樣品2由ITO和PEDOT-TMA的層(大約40納米)組成，所述PEDOT-TMA的層從其碳酸丙二酯溶液以4000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂，樣品3由ITO和PEDOT-TMA:Ph2IPF6的層(大約35納米)組成，所述PEDOT-TMA:Ph2IPF6的層從其混合溶液以4000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂。以紫外-臭氧處理前后分別對(duì)樣品實(shí)行KP測(cè)量。紫外-臭氧處理和KP測(cè)量(使用從JelightCompany,Irvine,CA92618,U.S.A獲得的Model42紫外臭氧清洗機(jī))都在環(huán)境條件下進(jìn)行，此時(shí)室溫為大約24。C，相對(duì)濕度大約是64%。從表1列出結(jié)果可以看到，不管PEDOT-TMA是否以紫夕卜臭氧處理(樣品2和活化樣品2)，引入PEDOT-TMA不會(huì)引起ITO基板的CPD(相當(dāng)于有效功函數(shù))的顯著變化。相似地，旋涂的PEDOT-TMA:Ph2IPF6的存在(樣品3)不顯著改變測(cè)量的CPD。但是，當(dāng)以紫夕卜臭氧處理PEDOT-TMA:Ph2IPF6混合物層之后，可觀察到CPD的顯著降低(相當(dāng)于有效功函數(shù)的升高)。實(shí)施例2制作器件。OLEDs由藍(lán)色發(fā)光聚合物(LEP),ADS329BE[聚(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-以N，N-二(4-曱基笨基)-苯胺封端]組成，其從AmericanDyeSources,Inc，Canada獲得，作為發(fā)光層材料不需另外的純化直接使用。器件按如下方法制作。使用標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)圖樣化的ITO鍍膜玻璃用作陽(yáng)極基板。OLEDs使用具有另外的陽(yáng)極活化層的ITO陽(yáng)極或不具有另外的陽(yáng)極活化層的ITO陽(yáng)極，其他結(jié)構(gòu)相同。如表2所示，器件A和器件B都具有相同的ITO陽(yáng)極，不同在于器件B的ITO基板在應(yīng)用ADS329BE之前另外先以紫外-臭氧處理5分鐘。器件C和D具有相同的PEDOT-TMA陽(yáng)極活化層(大約40至45納米)，不同在于在器件D中的PEDOT-TMA層在應(yīng)用ADS329BE之前另外先以紫外-臭氧處理5分鐘。器件E和F都具有相同的PEDOT-TMA:Ph2IPFJ財(cái)及活化層(大約35納米)，不同在于在器件F中的PEDOT-TMA:Ph2lPF6層在應(yīng)用ADS329BE之前另外先以紫外-臭氧處理5分鐘。然后，分別將具有和不具有陽(yáng)極活化層的ADS329BE層(65士3納米)用其對(duì)二曱苯溶液(1.7wt。/。)旋涂于ITO之上。陽(yáng)極活化層和ADS329BE層的施加及紫外-臭氧處理都在環(huán)境條件(室溫為24°C，相對(duì)濕度為64%)下進(jìn)行。然后將樣品轉(zhuǎn)移至充滿氬氣的手套箱(glovebox)(含水量和含氧量分別小于1ppm和10ppm)。然后將氟化鈉(4納米)/鋁(110納米)雙層陰極熱氣相沉積于ADS329發(fā)光層之上。金屬化后(金屬化是指配置例如鋁的金屬層來(lái)使各器件結(jié)構(gòu)電連接或相互連接)，以玻璃蓋片封裝該器件并以從Norlandproducts,Inc，Cranbury，NJ08512，USA獲得的光學(xué)粘合劑Norland68密封。活性區(qū)域大約0.2cm2。表2:OLEDs器件的測(cè)量的性能特征<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>在表2中概括了器件的測(cè)量性能特征?？梢钥闯鱿鄬?duì)于具有空白的ITO陽(yáng)極或具有PEDOT-TMA陽(yáng)極活化層的器件，使用紫外-臭氧處理的PEDOT-TMA:Ph2IPF6陽(yáng)4l活化層得到的OLED器件具有顯著增加的效率和低得多的開(kāi)啟電壓(其定義為當(dāng)相應(yīng)的亮度達(dá)到1cd/m2時(shí)的外加電壓)。因?yàn)樗械钠骷季哂邢嗤愋偷陌l(fā)光層及相同類型的雙層陰極，所以性能上的增強(qiáng)可歸因于PEDOT-TMA:Ph2IPF6活化了ITO電極從而導(dǎo)致更加增強(qiáng)的空穴注入。測(cè)量的性能特征表明Ph2lPF6的存在和紫夕卜臭氧處理是導(dǎo)致觀察到的活化效應(yīng)的關(guān)鍵因素。盡管申請(qǐng)人不希望局限于任何具體的理論，據(jù)信(和/或其他潛在的方法)眾所周知的光致酸生成劑Ph2IPF6通過(guò)紫外照射可分解并生成強(qiáng)酸(HPF6),該光生酸能活化PEDOT-TMA宿主(host),也4艮可能活化了PEDOT-TMA:Ph2IPF6/LEP分界面，因此導(dǎo)致了從ITO電極至活化LEP層的空穴注入/人而增強(qiáng)了總的性能。實(shí)施例3向2升的三頸瓶中加入Adogen464(大約23克)、2-溴丙烷(大約235毫升)、氫氧化鉀(飽和水溶液，大約1.2升)和新裂化和蒸餾的環(huán)戊二烯(41毫升)。將混合物以機(jī)械攪拌器攪拌并在80。C下加熱24小時(shí)。對(duì)上層的氣相色譜分析顯示了四-異丙基環(huán)戊二烯的優(yōu)秀的轉(zhuǎn)化率。將整個(gè)反應(yīng)混合物傾入分液漏斗中。加入水和環(huán)己烷分層乳濁液并收集上層。以環(huán)己烷洗滌底層水層，并收集到總共大約1.5升有機(jī)溶劑。以硫酸鎂干燥有機(jī)相并且過(guò)濾，以另外的環(huán)己烷洗滌。將合并的有機(jī)相在80。C下旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)(30mmHg)去除環(huán)己烷得到更高沸點(diǎn)的油狀物。將該油狀物通過(guò)Vigreaux柱在0.6mmHg下減壓蒸餾。收集110-130。C的餾分(大約53.1克)。將整個(gè)餾分溶于干燥的四氫吹喃中(THF)(大約500毫升)，然后緩慢加入鉀(大約IO克)并可觀察到氣體放出。將該混合物攪拌17小時(shí)。通過(guò)加入水淬滅該反應(yīng)。以環(huán)己烷萃取該混合物，以碌。酸^:干燥，然后在真空下去除環(huán)己烷。將得到的油狀物置于水箱中得到無(wú)色晶體QH2(異丙基)4。將上述制備的C5H2(異丙基)4(大約8.12克)與THF(大約100毫升)和氬化鉀(大約1.4克)混合并攪拌24小時(shí)。將該溶液在氮?dú)庀逻^(guò)濾并在氮?dú)庀乱愿稍锏腡HF洗滌得到白色固體，四-異丙基環(huán)戊二烯基鉀(K[HC5(異丙基)4])。將K[HC5(異丙基)4](大約2.81克)與碘化鋇(大約2克)在THF(50毫升)中混合并在氮?dú)庀聰嚢?4小時(shí)。將此溶液在氮?dú)庀逻^(guò)濾去除石典化鉀，并以THF洗滌固體。在真空下去除THF得到含有二(四-異丙基-環(huán)戊二烯基)鋇(Ba-TPCP)的固體。將55.7毫克Ba-TPCP溶于大約11毫升對(duì)二曱苯中來(lái)制備名義上的濃度為大約0.5wt。/。的溶液。該溶液在充滿氬氣的手套箱中制備(含水量和含氧量分別小于大約l份每百萬(wàn)份(ppm)和大約3ppm)。制備的溶液具有一些不溶的物質(zhì)沉淀在瓶底之上。取上層清液使用，不需任何過(guò)濾步驟。制備樣品4、樣品5和樣品6三個(gè)樣品用于KP測(cè)試。對(duì)所有的樣品，先將用作導(dǎo)電基板的鋁層(大約80納米)熱氣相沉積于預(yù)潔凈的載玻片上。在暴露于環(huán)境(稱為"空氣暴露，，)和烘焙前后分別在鋁基板上測(cè)量樣品4的KP值，環(huán)境是指在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)溫度為24。C且相對(duì)濕度為大約62%的正常房間條件。對(duì)于樣品5，在相同的手套箱中將Ba-TPCP溶液旋涂于鋁之上。然后將測(cè)量樣品5—系列KP值，(1)旋涂，(2)在空氣中暴露3分鐘，(3)在手套箱中于180。C下烘焙大約15分鐘，(4)又在空氣中暴露3分鐘，(5)又在手套箱中于180°C下烘焙15分鐘，及(6)又在空氣中暴露3分鐘。對(duì)于樣品6，在手套箱中將Ba-TPCP溶液旋涂于鋁之上。測(cè)量樣品6的一系列KP值，(1)旋涂，(2)在相同的手套箱中于180。C下烘焙大約15分鐘，(3)在空氣中暴露3分鐘。在表3中列出了KP測(cè)量的結(jié)果。測(cè)量表明在手套箱中烘焙是至關(guān)重要的。與烘焙步驟的CPD的增力口(或樣品A的第一次烘焙步驟)相對(duì)應(yīng)，有效功函數(shù)顯著降低。表3:在鋁上具有和不具有的Ba-TPCP層的接觸電位差(CPD)的Kelvin探針(KP)測(cè)量實(shí)驗(yàn)結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>實(shí)施例4制作了四種OLED器件。在制備器件之前，在相同的手套箱(含水量和含氧量分別小于1ppm和3ppm)中制備了兩種溶液。第一個(gè)溶液(記為OAP9903:SR454)包括從H.W.Sands,Corporation,Jupiter,FL33477，USA.獲得的發(fā)綠色光聚合物聚[9，9-二辛基芴-2，7-二基]-alt-co-(苯并[2，l，3]噻二唑-4,7-二基)](OPA9903)和從Sartomer,Exton,PA19341,USA.獲得的丙烯酸系粘合劑-乙氧基化(3)三羥曱基丙烷三丙烯酸酯(SR454)。兩材料不需另外的純化直接使用。該混合溶液通過(guò)混合大約2.5毫升2%的OPA9903的對(duì)二曱苯溶液與大約2毫升1%的SR454的對(duì)二曱苯溶液來(lái)制備。所得溶液中SR454與OPA9903的重量比約為30%。包括OPA9903和Ba-TPCP的第二個(gè)溶液(記為OPA9903:Ba-TPCP)通過(guò)混合大約1.5毫升0.6wt。/。的OPA9903的對(duì)二曱笨溶液與大約3毫升Ba-TPCP的對(duì)二曱苯溶液制備。OLEDs按如下方法制作。將用作陽(yáng)極基板的預(yù)圖樣化的ITO鍍膜玻璃以紫外-臭氧清潔10分鐘。然后將從BayerCorporation獲得的[聚(3,4)-亞乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸酯](PEDOT/PSS)聚合物層(60納米)通過(guò)旋涂沉積于ITO之上，然后在環(huán)境條件下(室溫為24。C并且相對(duì)濕度為62%)于180°C下烘焙1小時(shí)。然后將樣品轉(zhuǎn)移至相同的手套箱中。除非另外說(shuō)明，下述步驟在相同的手套箱中進(jìn)行。然后，將由OPA9903:SR454組成的發(fā)光層從其對(duì)二曱苯溶液旋涂于PEDOT/PSS層之上，并以紫外燈((從UltrovioletProducts,Upland,California,91796,U.S.A.獲得的R-52柵格燈，移除其濾光器)(在310納米、365納米和400納米測(cè)得的強(qiáng)度為0.39、0.43和1.93mW/cm2)固化1分鐘。然后，將OPA9903:Ba-TPCP的混合物層旋涂于固化的發(fā)光層之上并在大約180°C下烘焙約15分鐘。最后，將鋁層(大約110納米)通過(guò)蔭模熱氣相沉積于OPA9903:Ba-TPCP之上。然后金屬氣相沉積，4吏用載玻片封裝該器件，光學(xué)粘合劑Norland68密封?；钚詤^(qū)域大約0.2cm2。制備了四種OLED器件。對(duì)照器件，器件G不具有OPA9903:Ba-TPCP混合層。器件H、I和J具有相同的結(jié)構(gòu)，不同之處在于在鋁層沉積之前不同地處理OPA9903:Ba-TPCP混合層。對(duì)于器件H，將旋涂的混合層暴露于環(huán)境條件下大約3分鐘，然后在相同的手套箱中在180°C下烘焙約15分鐘。對(duì)于器件I，混合層沒(méi)有暴露于環(huán)境條件下，對(duì)于器件J,在烘焙步驟之后將混合層暴露于環(huán)境條件下3分鐘。圖26展示了器件G、H、J和I的效率(以坎德拉每安培測(cè)量，cd/A)-電流密度(以毫安每平方厘米測(cè)量，mA/cm2)。比較效率130-電流密度132曲線表明相對(duì)于對(duì)照器件G(曲線134),在器件H(曲線136)、器件I(曲線140)和器件J(曲線138)中引入OPA9903:Ba-TPCP混合層顯著提高了器件的效率。因?yàn)樗械乃膫€(gè)器件具有相同的的陽(yáng)極，所以認(rèn)為觀察到的效率的提高反映了空白鋁陰極的活化。另外，該曲線圖還說(shuō)明了烘焙和暴露于環(huán)境的次序是重要的。未暴露于任何環(huán)境條件下的器件I相對(duì)于器件H和器件J表現(xiàn)出大大的提高。在烘焙之前暴露于環(huán)境條件下的器件H相對(duì)于在烘焙之后暴露于環(huán)境條件下的器件J表現(xiàn)出更好的效率。盡管申請(qǐng)人不希望受限制于任何具體的理論，但是相信通過(guò)烘焙(和/或其他的潛在方法)鋇化合物(Ba-TPCP)分解和釋放游離的鋇原子，隨后該鋇原子能活化活性聚合物(OPA9903)。方程5展示了堿土金屬有機(jī)金屬化合物M-TPCP，其在應(yīng)用熱后分解釋放游離的金屬原子，其中M是包括鋇的任何石咸土金屬。(5)活化的OPA9903促進(jìn)從空白的鋁陰極至OPA9903活化層的電子注入。實(shí)施例5下列數(shù)據(jù)表明了在空氣中沉積二疊氮化鋇Ba(N3)2的水溶液于鋁玻璃上(Al/glass),然后在惰性氛圍中于150-200。C下活化，得到了功函數(shù)降低了至少0.5eV的表面。本實(shí)施例通過(guò)Kelvin#1針在空氣中測(cè)量鋁/玻璃表面的4^觸電位差(CPD),然后通過(guò)旋涂各種二疊氮化鋇溶液于鋁/玻璃表面之上實(shí)行。將樣品在手套箱中置于熱板上加熱，裝入Kelvin探針并獲得CPD值。在活化后將樣品暴露于空氣中并再次測(cè)量CPD值。Ba(N3)2水溶液從Pfaltz&Bauer獲得，其并在瓶底具有明顯的Ba(N3)2晶體，因?yàn)樵摼w的存在，所以認(rèn)為該溶液是飽和的，因此其濃度是CRC才艮道的值，即在17。C時(shí)17.3克Ba(N3)2/100克水，0,78mol/L。當(dāng)在手套箱中裝入Kelvin探針時(shí)鋁/玻璃具有大約IV的值，即手套箱中02水平大約5ppm。當(dāng)暴露于空氣中之后，鋁/玻璃的功函數(shù)增加了0.1-0.15V。除非另外說(shuō)明，將所有的樣品在空氣中以4000rpm旋涂并于200°C下加熱10分鐘。在下表中，BaN6是疊氮化鋇、Ba(N3)2,CPD是接觸電位差，02是氧。下列實(shí)例的物理結(jié)構(gòu)在附圖中展示。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>將具有1.150V的CPD的鋁/玻璃裝入手套箱中。在空氣中暴露之后鋁/玻璃具有1.044V的CPD。將該鋁/玻璃用疊氮化鋇以4000rpm旋涂，裝入手套箱并在150°C下加熱IO分鐘。然后CPD值為1.649V。暴露于空氣中之后CPD是1.314V。本實(shí)驗(yàn)是幾天前進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)的重復(fù)實(shí)驗(yàn)，其功函數(shù)表現(xiàn)出很大的改變。40-48.1使用0.13M的疊氮化鋇水溶液。實(shí)施例6有機(jī)發(fā)光器件按下述方法制作將預(yù)涂覆以ITO(摻雜氧化錫的銦)的玻璃基板以氮?dú)鈽尯痛罅慨惐记鍧?。在快速傾瀉沖洗器中以去離子水沖洗該基板后以2%的Alconox浴超聲波處理。將其再置于快速傾瀉沖洗器中并以去離子水沖洗后，在沖洗器/干燥器中干燥并以紫外線/臭氧清潔。將厚度約為60nm的聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)層通過(guò)旋涂設(shè)置于潔凈的ITO-鍍膜玻璃的ITO側(cè)上，并在氮?dú)庀渲杏?10°C下烘焙10分鐘。將此涂覆的基板在氮?dú)飧稍锵渲欣鋮s后，然后將厚度約為80nm的綠色有機(jī)EL聚合物(Sumation1304)層旋涂于PEDOT/PSS層之上。將此基板轉(zhuǎn)移至氬氣手套箱中，在130。C下烘焙15分鐘并冷卻至室溫。然后將其轉(zhuǎn)移出手套箱。將厚度約為14nm的疊氮化鋇層通過(guò)旋涂疊氮化物水溶液(20。/0v/v)沉積，所述疊氮化物水溶液通過(guò)以去離子水和異丙醇稀釋從Sigma-Aldrich購(gòu)得的濃疊氮化鋇溶液制備。隨后將該基^1轉(zhuǎn)移至手套箱中，在150。C下烘焙10分鐘。將厚度約為200nm的鋁層在Kurdex熱氣相沉積機(jī)中氣相沉積于疊氮化物涂覆的基板之上。然后將該多層組件以載玻片封裝并以環(huán)氧化物密封。以光電二極管和源表測(cè)量亮度、電流密度和偏置電壓。計(jì)算電流效率和功率效率并將結(jié)果展示于圖26和27中。實(shí)施例7另一個(gè)有機(jī)發(fā)光器件按下述方法制作將預(yù)涂覆以ITO的玻璃基板分別在丙酮/超聲波浴和異丙醇/超聲波浴中清潔5分鐘。然后將其在Alconox水溶液中洗凈，以大量的去離子水沖洗，并分別在去離子水、丙酮和異丙醇浴中超聲處理5分鐘。將其在150。C下干燥2小時(shí)，在環(huán)境氛圍中冷卻，并以紫外線和臭氧清潔。將厚度約為60nm的聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)層通過(guò)旋涂沉積于潔凈的ITO-鍍膜玻璃的ITO側(cè)上，并在環(huán)境氛圍中于180。C下烘焙20分鐘。將此涂覆的基板轉(zhuǎn)移至氬氣手套箱中后，將厚度約為80nm的綠色有機(jī)EL聚合物(Sumation1304)層旋涂于基板之上。將該涂覆的基板在130。C下在箱中烘焙10分鐘后，冷卻至室溫并從箱中轉(zhuǎn)移出來(lái)。將混合于聚乙二醇(Mw=35,000,從Sigma-Aldrich購(gòu)得)的厚度約為20nm的疊氮化鋇的層通過(guò)旋涂沉積于綠色EL聚合物之上。然后將該基板轉(zhuǎn)移至手套箱中，在200。C下烘焙IO分鐘。將厚度約為120nm的鋁層在熱氣相沉積機(jī)中氣相沉積于疊氮化物涂覆的基板之上。然后將該多層組件以載玻片封裝并以環(huán)氧化物密封。以光電二極管和源表測(cè)量亮度、電流密度和偏置電壓。計(jì)算電流效率和功率效率并將結(jié)果展示于圖28和29中。將聚乙二醇與疊氮化物一起使用來(lái)增強(qiáng)其成膜性質(zhì)。實(shí)施例8具有ITO/PEDOT/Sumation1304/A1結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件(OLED)按如下方法制作將預(yù)涂覆以ITO(摻雜氧化錫的銦)的基板以氮?dú)鈽尯痛罅慨惐记鍧?。在快速傾卸沖洗器中以去離子水清洗該基板后，以2。/。的Alconox浴超聲波處理。將其再置于快速傾卸沖洗器中并以去離子水沖洗后，在沖洗器/干燥器中干燥并以紫外線/臭氧清潔。將厚度約為60nm的聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)層通過(guò)旋涂沉積于潔凈的ITO-鍍膜玻璃的ITO側(cè)上，并在110。C在氮?dú)庀渲泻姹?0分鐘。將此涂覆的基板在氮?dú)飧稍锵渲欣鋮s后，將厚度約為80nm的綠色有機(jī)EL聚合物(Sumation1304)層旋涂于PEDOT/PSS層之上。Sumation1304是由Sumitoma生產(chǎn)的發(fā)光聚合物。被用作發(fā)光層。將基板轉(zhuǎn)移至氬氣手套箱中，于130。C下烘焙15分鐘并冷卻至室溫。按如下方法涂覆疊氮化鋇將0.7M的濃疊氮化鋇水溶液以去離子水和異丙醇稀釋。將此稀釋的溶液(20%v/v)以4000RPM(轉(zhuǎn)每分鐘)的轉(zhuǎn)速涂覆在陰極上，得到厚度約為14nm的層。為增加潤(rùn)濕使用PEG(聚乙二醇)重復(fù)該實(shí)驗(yàn)。將厚度約為200nm的鋁層在Kurdex熱氣相沉積機(jī)中氣相沉積于疊氮化物涂覆的基板之上。然后將該多層組件以載玻片封裝并以環(huán)氧化物密封。以光電二極管和源表測(cè)量亮度、電流密度和偏置電壓。圖30展示了電流效率-電壓圖，圖31展示了第一個(gè)OLED的功率效率-電壓圖。圖32M示電流效率-電壓的另一個(gè)曲線圖，圖33是展示用聚乙二醇制備的OLED的功率效率-電壓的另一個(gè)曲線圖。本發(fā)明上述實(shí)施方案具有許多優(yōu)勢(shì)，包括提供了具有更高電導(dǎo)率的OLED器件，所述更高的電導(dǎo)率可能導(dǎo)致OLED發(fā)光效率的提高。在本申請(qǐng)中本發(fā)明的僅有某些特征得到說(shuō)明和描述，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言可發(fā)生許多修改和改變。因此需要理解的是附加的權(quán)利要求希望覆蓋所有的這些在本發(fā)明真實(shí)精神范圍之內(nèi)的修改和改變。權(quán)利要求1.一種具有陰極層的OLED器件，所述陰極層包含當(dāng)暴露于熱或光下時(shí)能釋放至少一低功函數(shù)金屬的至少一金屬前體的反應(yīng)產(chǎn)物。2.權(quán)利要求29的OLED器件，其中至少一低功函數(shù)金屬具有小于3.0eV的功函ltf直。3.權(quán)利要求29的OLED器件，其中至少一低功函數(shù)金屬選自鋰、鈉、4甲、4如、4色、4方、4皮、4美、4丐、4思、4貝、4雷、4闌、4巿、4瞽、4女、^叵、衫、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥以及它們的組合。4.權(quán)利要求29的有機(jī)發(fā)光器件，其中低功函數(shù)金屬是鋇。5.權(quán)利要求29的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體包含式RXM的有機(jī)金屬化合物，其中M是金屬；x具有從1至3的值，所述值是金屬的化合價(jià)；及R是脂肪族或芳香族基團(tuán)。6.權(quán)利要求29的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體包含具有式RXM的有機(jī)金屬化合物，其中M是II族金屬，鑭系金屬或它們的組合；當(dāng)M是II族金屬時(shí)x為2，當(dāng)M是鑭系金屬時(shí)x具有從2至3的值，及R是脂肪族或芳香族基團(tuán)。7.權(quán)利要求29的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體包含堿土金屬的環(huán)戊二烯基衍生物、鑭系過(guò)渡金屬的環(huán)戊二烯基衍生物、堿土金屬的芴基衍生物、鑭系過(guò)渡金屬的藥基衍生物或它們的組合。8.權(quán)利要求29的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體是二(四-異丙基-環(huán)戊二烯基)鋇、二(四-異丙基—環(huán)戊二烯基)鈣或它們的混合物。9.權(quán)利要求29的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體是二(五-異丙基-環(huán)戊二烯基)M;M是4丐、鋇、鍶或它們的組合。10.權(quán)利要求29的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體是二(三-叔丁基-環(huán)戊二烯基)M;M是鈣、鋇、鍶或它們的組合。11.權(quán)利要求29的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體是二(藥基)鉤、二(藥基)鋇或它們的組合。12.權(quán)利要求29的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體包含式M(N3)x化合物；其中M選自鋰、鈉、鉀、凝口、銫、鈁、鈹、鎂、4丐、鍶、鋇、鐳、鑭、鈰、鐠、釹、钷、彩、銪、禮、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥以及它們的組合；及x是從l至3的值。13.權(quán)利要求29的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體包含二疊氮化鋇。14.一種有機(jī)發(fā)光器件，其包含基板，覆蓋所述基板一個(gè)表面的至少一部分的至少一陰極層，所述陰極層包含式M(N3)X的至少一金屬前體分解的反應(yīng)產(chǎn)物；覆蓋第二個(gè)基板的至少一部分的陽(yáng)極層材料；及位于陰極層和陽(yáng)極層之間的有機(jī)發(fā)光材料，當(dāng)應(yīng)用相反的電荷于陰極層和陽(yáng)極層時(shí)，所述有機(jī)發(fā)光材料發(fā)光；其中M選自鋰、鈉、鉀、4如、銫、4方、鈹、4美、鈣、鍶、鋇、鐳、鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、札、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥以及它們的組合；及x是從1至3的值。15.權(quán)利要求42的有機(jī)發(fā)光器件，其中陰極層材料包含鋇。16.權(quán)利要求42的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體包含具有式R2M的有機(jī)金屬化合物；M是堿土金屬，R是脂肪族或芳香族基團(tuán)或取代的脂肪族或取代的芳香族基團(tuán)。17.權(quán)利要求42的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體包含具有式RxM的有機(jī)金屬化合物，M是II族金屬、鑭系金屬或它們的組合，R是脂肪族或芳香族基團(tuán)，x是具有2或3的值。18.權(quán)利要求42的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體包含堿土金屬的環(huán)戊二烯基衍生物、鑭系過(guò)渡金屬的環(huán)戊二烯基衍生物、堿土金屬的芴基衍生物、鑭系過(guò)渡金屬的芴基衍生物或它們的組合。19.權(quán)利要求42的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體包含式M(N3)x化合物，其中M選自鋰、鈉、鉀、凝p、銫、鈁、4皮、4美、鈣、鍶、鋇、鐳、鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、禮、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥以及它們的組合；及X是從1至3的值。20.權(quán)利要求42的有機(jī)發(fā)光器件，其中金屬前體是二疊氮化鋇。21.—種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，所述方法包含在大氣中將包含至少一金屬的疊氮化物M(N3)X的至少一金屬前體的溶液應(yīng)用于基板；及將所述至少一金屬前體暴露于熱或光下來(lái)釋放至少一金屬；其中M選自鋰、鈉、鉀、4如、銫、4方、4皮、4美、4丐、鍶、鋇、4雷、4闌、4市、4普、《女、4叵、衫、銪、4L、4戈、4離、4火、鉺、4妄、4意、镥以及它們的組合；及x是從1至3的值。22.權(quán)利要求49的方法，其中至少一金屬前體是二疊氮化鋇。23.—種制備有機(jī)發(fā)光二極管的方法，其包含如下步驟提供至少一能轉(zhuǎn)換至沉積的、含金屬的層的金屬前體；在基板之上形成包含所述至少一金屬前體的層；轉(zhuǎn)化前體層以便于形成沉積的、含金屬的陰極；組合有機(jī)發(fā)光層與陰極，及；組合陽(yáng)極與陰極與發(fā)光層，發(fā)光層位于陰極和陽(yáng)極之間。24.權(quán)利要求51的方法，其中至少一金屬前體包含式M(N3)x化合物；其中M選自鋰、鈉、鐘、4如、銫、鈁、鈹、鎂、4丐、鍶、鋇、鐳、锎、4市、4普、4女、4叵、釤、銪、名L、4戈、鏑、4火、鉺、41"、4意、镥以及它們的組合；及x是從l至3的值。25.權(quán)利要求51的方法，其中至少一金屬前體是金屬疊氮化物。26.權(quán)利要求51的方法，其中至少一金屬前體是二疊氮化鋇。27.權(quán)利要求51的方法，其中轉(zhuǎn)化使用選自下列的能源完成光、熱、電子束輻射、離子束輻射及它們的組合。28.權(quán)利要求51的方法，其中至少一金屬前體以流體形式應(yīng)用。29.權(quán)利要求51的方法，其中陰極具有小于3.0eV的功函數(shù)值。30.—種光板，其包含權(quán)利要求33的有機(jī)發(fā)光器件。31.權(quán)利要求58的光板，其中陰極層材料包含鋇。32.權(quán)利要求58的光板，其中至少一金屬前體包含二疊氮化鋇。全文摘要本發(fā)明說(shuō)明了具有潛在活化材料的有機(jī)發(fā)光器件。本發(fā)明也說(shuō)明了包括潛在活化材料的活化產(chǎn)物的有機(jī)發(fā)光器件。也考慮了圖樣化的有機(jī)發(fā)光器件的實(shí)施方案，其中圖案化可發(fā)生在在制作之前或之后。也提供了具有潛在活化材料或具有潛在活化材料產(chǎn)物的有機(jī)發(fā)光器件的制作方法。文檔編號(hào)H01L51/54GK101517772SQ200780035566公開(kāi)日2009年8月26日申請(qǐng)日期2007年7月5日優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日發(fā)明者唐納德·F·福斯特,萊里·N·劉易斯,黃清瀾申請(qǐng)人:通用電氣公司