一種有機發(fā)光器件的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機發(fā)光器件的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，屬于自發(fā)光裝置的有機發(fā)光二極管(Organic Light EmittingD1de, OLED)器件作為平板顯示器件因為具有性能優(yōu)異而得以廣泛應(yīng)用。0LED器件的壽命一方面取決于所選用的有機材料，另一方面還取決于器件的封裝方法。
[0003]由于0LED器件的材料性質(zhì)，受到水分和氧氣侵襲后極易變質(zhì)，因此要嚴(yán)格杜絕來自周圍環(huán)境的氧氣和潮氣進入器件內(nèi)部接觸到敏感的有機物質(zhì)和電極。因為在有機發(fā)光裝置內(nèi)部，潮氣或者氧氣的存在容易引起其特性的退化或失效，即使微量的潮氣也會使有機化合物層與電極層剝離，產(chǎn)生黑斑，從而降低器件壽命。因而，為使0LED在長期工作過程中的退化和失效得到抑制，穩(wěn)定工作達(dá)到足夠的壽命，因此對有機光電子器件提出很高的要求。尤其是可能需要進行包括該器件的使用壽命測試，以確保該器件在多年的日常使用中可以保持其功能。
[0004]現(xiàn)階段常用的利用蓋板玻璃透過玻璃膠(Frit)的封裝方式，由于玻璃膠限制玻璃在跌落過程中的移動，導(dǎo)致應(yīng)力集中，因此在落摔或落球測試中，較常發(fā)生的破裂是平行長邊的破裂，因而無法滿足電子器件強度上的需求，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所不愿意看到的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對上述存在的問題，本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光器件(0LED)的制備方法，包括:
[0006]提供一陣列基板(array)，所述陣列基板表面形成有若干個顯示器件單元區(qū)及將相鄰的所述顯示器件單元區(qū)予以隔離的切割區(qū)；
[0007]形成若干有機發(fā)光器件單元，以在位于每個所述顯示器件單元區(qū)的所述陣列基板之上均形成一所述有機發(fā)光器件單元；
[0008]制備第一無機層(Inorganic film)覆蓋若干所述有機發(fā)光器件單元的表面及臨近所述有機發(fā)光器件單元的所述陣列基板的部分表面，以將若干所述有機發(fā)光器件單元密封于所述陣列基板上；
[0009]形成有機薄膜層(organic film)以將所述第一無機層的上表面予以覆蓋；
[0010]制備第二無機層(Inorganic film)以將所述有機薄膜層暴露的表面及所述第一無機層暴露的表面予以覆蓋，且所述第二無機層還覆蓋所述陣列基板暴露的表面；
[0011]于所述第二無機層之上形成保護層，以將所述第二無機層的上表面予以覆蓋；
[0012]在所述切割區(qū)進行切割工藝以分割所述若干個顯示器件單元區(qū)，形成所述有機發(fā)光器件。
[0013]上述的有機發(fā)光器件的制備方法，其中，在所述切割工藝之后，所述方法還包括移除所述保護層；以及
[0014]于所述第二無機層之上形成偏光片層(Polarizer film，簡稱PF)的步驟。
[0015]上述的有機發(fā)光器件的制備方法，其中，在所述切割工藝之后，且在形成所述偏光片層的步驟之前，所述有機發(fā)光器件的制備方法還包括于所述第二無機層之上形成觸控層的步驟。
[0016]上述的有機發(fā)光器件的制備方法，其中，所述有機發(fā)光器件的制備方法還包括于所述偏光片層之上形成觸控層的步驟。
[0017]上述的有機發(fā)光器件的制備方法，其中，通過化學(xué)氣相沉積或原子層沉積的方式形成所述第一無機層和所述第二無機層。
[0018]上述的有機發(fā)光器件的制備方法，其中，通過噴墨打印、蒸鍍或化學(xué)氣相沉積的方式形成所述有機薄膜層。
[0019]上述的有機發(fā)光器件的制備方法，其中，所述保護層為偏光片層。
[0020]上述的有機發(fā)光器件的制備方法，其中，所述保護層包括偏光片層和觸控層；
[0021]所述觸控層形成于所述偏光片層之上，或所述觸控層形成于所述第二無機層和所述偏光片層之間。
[0022]上述的有機發(fā)光器件的制備方法，其中，通過光學(xué)透明膠(Optically ClearAdhesive，簡稱OCA)貼附或靜電貼附的方式于所述第二無機層之上形成所述保護層。
[0023]上述的有機發(fā)光器件的制備方法，其中，所述切割工藝為激光切割工藝或旋轉(zhuǎn)切割工藝。
[0024]上述發(fā)明具有如下優(yōu)點或者有益效果:
[0025]本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光器件的制備方法，通過在有機發(fā)光器件單元上表面形成有機材料薄膜和無機材料薄膜，且無機材料薄膜包覆有機材料薄膜以吸收應(yīng)力，并在進行切割工藝之前還于該無機材料薄膜之上形成一層保護層以保護封裝薄膜不會被刮傷和壓傷，從而可以有效提高有機發(fā)光器件整體的機械強度，進而提高了顯示器的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0026]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、夕卜形和優(yōu)點將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。
[0027]圖1是本發(fā)明實施例中有機發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0028]圖2?8是本發(fā)明實施例中有機發(fā)光器件的制備方法的流程結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖和具體的實施例對本發(fā)明作進一步的說明，但是不作為本發(fā)明的限定。
[0030]本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光器件的制備方法，該方法包括如下步驟:
[0031]提供一表面設(shè)置有若干個顯示器件單元區(qū)及將相鄰的顯示器件單元區(qū)予以隔離的切割區(qū)的陣列基板；
[0032]形成若干有機發(fā)光器件單元，以在位于每個顯示器件單元區(qū)的陣列基板之上均形成一有機發(fā)光器件單元；
[0033]制備第一無機層覆蓋若干有機發(fā)光器件單元的表面及臨近有機發(fā)光器件單元的陣列基板的部分表面，以將若干有機發(fā)光器件單元密封于陣列基板上；
[0034]形成有機薄膜層以將第一無機層的上表面予以覆蓋；
[0035]制備第二無機層以將有機薄膜層暴露的表面及第一無機層暴露的表面予以覆蓋，且第二無機層還覆蓋陣列基板暴露的表面；
[0036]于第二無機層之上形成保護層以將第二無機層的上表面予以覆蓋；以及
[0037]在切割區(qū)進行切割工藝以分割若干個顯示器件單元區(qū)。
[0038]下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明有機發(fā)光器件的有機發(fā)光器件的制備方法作進一步的闡述:
[0039]如圖1所示，本實施例公開了一種有機發(fā)光器件的有機發(fā)光器件的制備方法，具體包括如下步驟:
[0040]步驟S1，提供一表面形成有若干個顯示器件單元區(qū)(該若干個顯示器件單元區(qū)并未于圖中示出)及將相鄰的顯示器件單元區(qū)予以隔離的切割區(qū)(該切割區(qū)并未于圖中示出)的陣列基板1，優(yōu)選的，該陣列基板為LTPS (Low Temperature Poly Silicon，低溫多晶硅)陣列基板；如圖2所示的結(jié)構(gòu)。
[0041]步驟S2，形成若干有機發(fā)光器件單元2，以在位于每個顯示器件單元區(qū)的陣列基板1之上均形成一有機發(fā)光器件單元2 ;形成如圖3所示的結(jié)構(gòu)。
[0042]步驟S3，制備第一無機層3覆蓋若干有機發(fā)光器件單元2的表面及臨近有機發(fā)光器件單元2的陣列基板1的部分表面，以將若干有機發(fā)光器件單元2密封于陣列基板1上(即該第一無機層3覆蓋有機發(fā)光器件單元2的上表面以及側(cè)壁，與陣列基板1 一起包覆若干有機發(fā)光器件單元2)，具體的，該第一無機層3的材質(zhì)可以為氧化鋁(A103)等金屬氧化物；優(yōu)選的，本實施例可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD)或原子層沉積的方式(ALD)形成該第一無機層3，較佳的，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方式于基板1之上沉積該第一無機層3 ;在本發(fā)明的實施例中，第一無機層3的膜厚約在10nm以上；形成如圖4所示的結(jié)構(gòu)。
[0043]步驟S4，形成有機薄膜層4以將第一無機層3的上表面予以覆蓋；具體的，該有機薄膜層4部分覆蓋第一無機層3暴露的表面，且有機薄膜層4至少將位于有機發(fā)光器件單元2正上方的第一無機層3的上表面予以覆蓋；具體的，該有機薄膜層4可以為聚合物(polymer)，優(yōu)選的，本實施例可以通過噴墨打印(ink-jet print)、蒸鍍或化學(xué)氣相沉積的方式形成該有機薄膜層4 ;有機薄膜層4的膜厚約5000nm以上，形成如圖5所示的結(jié)構(gòu)。