專利名稱：磁性檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有利用磁阻效應(yīng)的磁阻效應(yīng)元件的磁性檢測(cè)裝置，尤其 涉及可降低消耗電流的磁性檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
圖17是現(xiàn)有磁性檢測(cè)裝置的電路結(jié)構(gòu)圖。磁性檢測(cè)裝置由傳感器部S 和集成電路(IC)1構(gòu)成。圖17所示的磁性檢測(cè)裝置是雙極檢測(cè)對(duì)應(yīng)型傳感 器。上述傳感器部S具有第1橋式電路BC1，其具備電阻值相對(duì)于正方向 外部磁場(chǎng)進(jìn)行變化的GMR元件等第1磁阻效應(yīng)元件2;第2橋式電路BC2， 其具備電阻值相對(duì)于負(fù)方向外部磁場(chǎng)進(jìn)行變化的GMR元件等第2磁阻效應(yīng) 元件3。所謂"正方向外部磁場(chǎng)"是指任意一個(gè)方向的外部磁場(chǎng)，不過(guò)在 圖20的形態(tài)中是指第1磁阻效應(yīng)元件2的電阻值變動(dòng)、第2磁阻效應(yīng)元件3的 電阻值不變動(dòng)(即，作為固定電阻發(fā)揮作用)的方向的外部磁場(chǎng)，所謂"負(fù) 方向的外部磁場(chǎng)"是與上述正方向外部磁場(chǎng)相反方向的外部磁場(chǎng)，在圖20 的形態(tài)中是指第2磁阻效應(yīng)元件3的電阻值變動(dòng)、第1磁阻效應(yīng)元件2的電阻 值不變動(dòng)(即，作為固定電阻發(fā)揮作用)的方向的外部磁場(chǎng)。
如圖17所示，各第1磁阻效應(yīng)元件2分別由固定電阻元件4和串聯(lián)電路 構(gòu)成，并聯(lián)連接各串聯(lián)電路，構(gòu)成第1橋式電路BC1。構(gòu)成上述第l橋式電 路BC1的兩條串聯(lián)電路的各輸出取出部與第1差動(dòng)放大器6連接。另外如圖 17所示，各第2磁阻效應(yīng)元件3分別由固定電阻元件5和串聯(lián)電路構(gòu)成，并 聯(lián)連接各串聯(lián)電路，構(gòu)成第2橋式電路BC2。構(gòu)成上述第2橋式電路BC2的 兩條串聯(lián)電路的各輸出取出部與第2差動(dòng)放大器7連接。
在上述集成電路1內(nèi)除了差動(dòng)放大器6、 7之外，還設(shè)有施密特觸發(fā)器 (Schmidttrigger)型的比較器12、 13及鎖存器電路8、 9等，從外部輸出端 子IO、 ll取出外部磁場(chǎng)檢測(cè)信號(hào)。
在圖17所示的磁性檢測(cè)裝置中，當(dāng)正方向外部磁場(chǎng)作用時(shí)，構(gòu)成第l橋式電路BC1的第1磁阻效應(yīng)元件2的電阻值變動(dòng)，因此利用上述第1差動(dòng)放 大器6對(duì)輸出進(jìn)行差動(dòng)放大，由此來(lái)生成檢測(cè)信號(hào)，并將上述檢測(cè)信號(hào)從 第1外部輸出端子10輸出。另一方面，在磁性檢測(cè)裝置中，當(dāng)負(fù)方向外部
磁場(chǎng)作用時(shí)，構(gòu)成第2橋式電路BC2的第2磁阻效應(yīng)元件3的電阻值變動(dòng)，因 此利用上述第2差動(dòng)放大器7對(duì)輸出進(jìn)行差動(dòng)放大，由此來(lái)生成檢測(cè)信號(hào)， 并將上述檢測(cè)信號(hào)從第2外部輸出端子1 l輸出。
如上所述，圖17所示的磁性檢測(cè)裝置為對(duì)正方向以及負(fù)方向的哪個(gè)方 向的外部磁場(chǎng)都能檢知的雙極檢測(cè)對(duì)應(yīng)型傳感器。
專利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)2004-77374號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2004-180286號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2005-214900號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)4:日本特開(kāi)2003-14833號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)5:日本特開(kāi)2003-14834號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)6:日本特開(kāi)2003-121268號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)7:日本特開(kāi)2004-304052號(hào)公報(bào) 但是，在圖17所示的現(xiàn)有磁性檢測(cè)裝置的構(gòu)造中，為了將橋式電路 的各輸出取出部的電位適當(dāng)控制在中間電位上，需要使與各磁阻效應(yīng)元件 2、 3串聯(lián)連接的各固定電阻元件4、 5的元件電阻接近于上述磁阻效應(yīng)元件 2、 3。
因?yàn)樯鲜龃抛栊?yīng)元件2、 3的元件電阻是數(shù)kQ，所以上述固定電阻 元件4、 5也同樣需要調(diào)整為數(shù)kQ左右。
這樣在現(xiàn)有構(gòu)造中，不能忽視磁阻效應(yīng)元件2、 3的元件電阻而增大固 定電阻元件4、 5的元件電阻。尤其，基于磁性檢測(cè)裝置的小型化，而使構(gòu) 成傳感器部S的各元件的形成空間變得越來(lái)越小，由此，無(wú)法充分地增大 元件電阻，其結(jié)果是導(dǎo)致消耗電流增大。
尤其，如圖17所示，在雙極對(duì)應(yīng)型傳感器中需要多個(gè)構(gòu)成傳感器部S 的元件。即，作成雙極檢測(cè)對(duì)應(yīng)型傳感器需要兩個(gè)橋式電路BC1、 BC2， 元件數(shù)共計(jì)需要8個(gè)。因此，各元件的形成空間進(jìn)一步減少，在現(xiàn)有傳感 器部S的元件結(jié)構(gòu)中，對(duì)于增大元件電阻存在限制。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明用于解決上述現(xiàn)有的課題，其目的是提供與現(xiàn)有相比可 降低消耗電流的磁性檢測(cè)裝置。
本發(fā)明的磁性檢測(cè)裝置的特征是，具有并聯(lián)連接第1串聯(lián)電路和第2串 聯(lián)電路而構(gòu)成的橋式電路，在構(gòu)成上述第l串聯(lián)電路的多個(gè)電阻元件的至 少任意一個(gè)中包含磁阻效應(yīng)元件，該磁阻效應(yīng)元件利用了電阻相對(duì)于外部 磁場(chǎng)發(fā)生變化的磁阻效應(yīng)，構(gòu)成上述第2串聯(lián)電路的多個(gè)電阻元件由相對(duì) 于外部磁場(chǎng)電阻不發(fā)生變化的固定電阻元件構(gòu)成，構(gòu)成上述第2串聯(lián)電路 的上述固定電阻元件的元件電阻大于構(gòu)成上述第l串聯(lián)電路的上述電阻元 件的元件電阻。
在上述的橋式電路的元件結(jié)構(gòu)中，上述第2串聯(lián)電路上未連接有磁阻 效應(yīng)元件，而僅由固定電阻元件構(gòu)成。因此在形成上述固定電阻元件的過(guò) 程中，如與磁阻效應(yīng)元件串聯(lián)連接的固定電阻元件那樣，可以不使上述固 定電阻元件的元件電阻與上述磁阻效應(yīng)元件的元件電阻相對(duì)應(yīng)。即，與現(xiàn) 有相比，材料選擇等的自由度增加，將輸出取出部的電位控制為中間電位， 并且如本發(fā)明那樣使構(gòu)成上述第2串聯(lián)電路的固定電阻元件的元件電阻大 于第l串聯(lián)電路的電阻元件的元件電阻，由此，可一邊維持檢測(cè)精度，一 邊實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有的消耗電流降低。
另外，在本發(fā)明中優(yōu)選在基板上具備具有上述第l串聯(lián)電路的傳感 器部；以及與上述傳感器部連接并輸出磁場(chǎng)檢測(cè)信號(hào)的集成電路，上述第 2串聯(lián)電路被裝入上述集成電路內(nèi)。由此可擴(kuò)展上述傳感器部的形成空間， 使設(shè)計(jì)自由度增大，構(gòu)成上述第l串聯(lián)電路的電阻元件的元件電阻也可以 增大，所以能夠使構(gòu)成傳感器部的各電阻元件的元件電阻大于現(xiàn)有的原件 電阻，從而能夠更有效地實(shí)現(xiàn)消耗電流的降低。另外，通過(guò)將上述第2串 聯(lián)電路裝入集成電路內(nèi)，可與在上述集成電路內(nèi)設(shè)置的其他電阻體同樣， 適合利用貼片電阻(sheet resistance)高的高電阻材料來(lái)形成構(gòu)成上述第2 串聯(lián)電路的固定電阻元件。
另外，在本發(fā)明中優(yōu)選該磁性檢測(cè)裝置還具有第3串聯(lián)電路，在上述 第l串聯(lián)電路中設(shè)置的上述磁阻效應(yīng)元件是利用了電阻根據(jù)某一個(gè)方向的 外部磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化而發(fā)生變化的磁阻效應(yīng)的元件，在構(gòu)成上述第3
6串聯(lián)電路的多個(gè)電阻元件的至少任意一個(gè)中包含磁阻效應(yīng)元件，該磁阻效 應(yīng)元件的電阻相對(duì)于與上述一個(gè)方向相反的方向的外部磁場(chǎng)發(fā)生變化，并 聯(lián)連接上述第1串聯(lián)電路和上述第2串聯(lián)電路，構(gòu)成上述一個(gè)方向的外部磁 場(chǎng)檢測(cè)用的第l橋式電路，并且并聯(lián)連接上述第2串聯(lián)電路和上述第3串聯(lián) 電路，構(gòu)成上述相反方向的外部磁場(chǎng)檢測(cè)用的第2橋式電路。由此可作成
雙極檢測(cè)對(duì)應(yīng)傳感器。此外在本發(fā)明中，將上述第3串聯(lián)電路作為第1橋式 電路以及第2橋式電路的共用電路，所以與現(xiàn)有的相比，可減少形成兩個(gè)
橋式結(jié)構(gòu)所需的元件數(shù)。由此，可使各電阻元件的元件形成空間比現(xiàn)有的 大，設(shè)計(jì)自由度增加，從而可較大地形成各電阻元件的元件電阻，并有效 地降低消耗電流。 '
在本發(fā)明中，構(gòu)成上述第3串聯(lián)電路的多個(gè)電阻元件全部由相同的材 料層形成，由此可使各電阻元件的元件電阻等同，將輸出取出部的電位保 持在中間電位，而且可抑制溫度系數(shù)(TCR)的偏差，其結(jié)果是適合針對(duì)溫 度變化來(lái)抑制上述中間電位的偏差，并能夠使動(dòng)作穩(wěn)定性提高。
另外，在本發(fā)明中優(yōu)選在基板上具備具有上述第l串聯(lián)電路和上述 第3串聯(lián)電路的傳感器部；以及與上述傳感器部連接并輸出磁場(chǎng)檢測(cè)信號(hào)
的集成電路，上述第2串聯(lián)電路被裝入上述集成電路內(nèi)。由此可擴(kuò)展上述 傳感器部的形成空間，設(shè)計(jì)自由度增大，構(gòu)成上述第1串聯(lián)電路以及第3串
聯(lián)電路的電阻元件的元件電阻也可增大，所以可使構(gòu)成傳感器部的各電阻 元件的元件電阻比現(xiàn)有的大，從而能夠更有效地實(shí)現(xiàn)消耗電流的降低。另
外，通過(guò)將上述第2串聯(lián)電路裝入集成電路內(nèi)，可與在上述集成電路內(nèi)設(shè) 置的其他電阻體同樣，適合利用貼片電阻高的高電阻材料來(lái)形成構(gòu)成上述 第2串聯(lián)電路的固定電阻元件。
此外在本發(fā)明中更優(yōu)選在上述基板上形成上述集成電路，在上述集成 電路上經(jīng)由絕緣層形成上述傳感器部。通過(guò)制成這樣的層疊構(gòu)造，可進(jìn)一 步擴(kuò)展上述傳感器部的元件形成空間，設(shè)計(jì)自由度增加，并能夠提高構(gòu)成 傳感器部的各電阻元件的元件電阻，能夠有效地降低消耗電流。
另外在本發(fā)明中，構(gòu)成上述第l串聯(lián)電路的多個(gè)電阻元件全部由相同 的材料層形成，由此可將輸出取出部的電位適當(dāng)?shù)乜刂圃谥虚g電位，此外 還能抑制溫度系數(shù)(TCR)的偏差，其結(jié)果是適合針對(duì)溫度變化來(lái)抑制上述中間電位的偏差，并能夠提高動(dòng)作穩(wěn)定性。
另外在本發(fā)明中，構(gòu)成上述第2串聯(lián)電路的多個(gè)固定電阻元件全部由 相同的材料層形成，由此可將輸出取出部的電位適當(dāng)?shù)乜刂圃谥虚g電位， 此外還能夠抑制溫度系數(shù)(TCR)的偏差，其結(jié)果是適合針對(duì)溫度變化來(lái)抑 制上述中間電位的偏差，并能夠提高動(dòng)作穩(wěn)定性。
在本發(fā)明中上述固定電阻元件由硅(Si)形成的情況是更有效的。尤其， 通過(guò)將上述固定電阻元件裝入集成電路內(nèi)，可與形成在上述集成電路中的 其他電阻體等同樣采用硅來(lái)形成上述固定電阻元件，尤其通過(guò)以硅來(lái)形成
上述固定電阻元件，可以將元件電阻增大到數(shù)十kQ左右。從而能夠選擇 比在圖17所示的現(xiàn)有構(gòu)造中使用的固定電阻元件的元件電阻高出數(shù)十倍
的元件電阻，這樣能夠更有效地降低消耗電流。 (發(fā)明效果)
本發(fā)明與現(xiàn)有的相比可有效地降低消耗電流。


圖1是表示本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置正方向的外部磁場(chǎng)檢測(cè)電路狀 態(tài)的電路結(jié)構(gòu)圖，
圖2是表示本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置負(fù)方向的外部磁場(chǎng)檢測(cè)電路狀
態(tài)的電路構(gòu)成圖，
圖3是用于說(shuō)明第1磁阻效應(yīng)元件的磁滯特性的曲線圖(R-H曲線)， 圖4是用于說(shuō)明第2磁阻效應(yīng)元件的磁滯特性的曲線圖(R-H曲線)， 圖5是表示本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置的傳感器部的電阻元件形狀的
磁性檢測(cè)裝置20的部分放大斜視圖，
圖6是根據(jù)圖5所示的A-A線在厚度方向上切斷上述磁性檢測(cè)裝置、并
沿箭頭方向觀察的上述磁性檢測(cè)裝置的部分剖視圖，
圖7是表示第1磁阻效應(yīng)元件以及第2磁阻效應(yīng)元件的層構(gòu)造的部分剖
視圖，
圖8是主要用于說(shuō)明固定電阻元件的層構(gòu)造的部分剖視圖， 圖9是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置用途的一例(是內(nèi)置有上述 磁性檢測(cè)裝置的翻蓋式移動(dòng)電話的部分示意圖，表示關(guān)閉上述電話的狀
8態(tài))，
圖10是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置用途的一例(是內(nèi)置有上 述磁性檢測(cè)裝置的翻蓋式移動(dòng)電話的部分示意圖，表示打開(kāi)上述電話的狀 態(tài))，
圖ll是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置用途的一例(是內(nèi)置有上
述磁性檢測(cè)裝置的翻蓋式移動(dòng)電話的部分示意圖，使磁鐵的配置與圖9所 示的相反，表示關(guān)閉上述電話的狀態(tài))，
圖12是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置用途的一例(是內(nèi)置有上 述磁性檢測(cè)裝置的翻蓋式移動(dòng)電話的部分示意圖，使磁鐵的配置與圖10所 示的相反，表示打開(kāi)上述電話的狀態(tài))，
圖13是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置用途的一例(是內(nèi)置有上 述磁性檢測(cè)裝置的翻蓋式移動(dòng)電話的部分示意圖，表示打開(kāi)上述電話的狀 態(tài))，
圖14是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置用途的一例(是內(nèi)置有上 述磁性檢測(cè)裝置的翻蓋式移動(dòng)電話的部分示意圖，表示翻轉(zhuǎn)第l部件的狀 態(tài))，
圖15是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置用途的一例(是內(nèi)置有上 述磁性檢測(cè)裝置的翻蓋式移動(dòng)電話的圖13的部分俯視圖)，
圖16是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置用途的一例(是內(nèi)置有上 述磁性檢測(cè)裝置的翻蓋式移動(dòng)電話的圖15的部分俯視圖)，
圖17是現(xiàn)有磁性檢測(cè)裝置的電路結(jié)構(gòu)圖。
符號(hào)說(shuō)明
20磁性檢測(cè)裝置；21傳感器部；22集成電路(IC); 23第1磁阻效應(yīng) 元件(第1電阻元件)；24固定電阻元件(第2電阻元件)；25第1輸出取出 部；26第1串聯(lián)電路；27第2磁阻效應(yīng)元件(第5電阻元件)；28固定電 阻元件(第6電阻元件)；29第3輸出取出部；30第3串聯(lián)電路；31固定 電阻元件(第3電阻元件)；32固定電阻元件(第4電阻元件)；33第2輸出 取出部；34第2串聯(lián)電路；35差動(dòng)放大器；36第1開(kāi)關(guān)電路(第1連接切
換部)；38比較器；39輸入端子；40第1外部輸出端子；41第2外部輸出端子；42接地端子；43第2開(kāi)關(guān)電路；46、 47鎖存器電路；48第3開(kāi)關(guān) 電路；53時(shí)鐘電路；62反鐵磁性層；63固定磁層(第1磁層)；64非磁性
中間層；65、 67自由磁層(第2磁層)；78、 80絕緣層；81鑄型(mold)
樹(shù)脂；90、 100翻蓋式移動(dòng)電話；91、 102第1部件；92第2部件；94、
101磁鐵。
具體實(shí)施例方式
圖l、圖2是本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20的電路結(jié)構(gòu)圖，圖3是用于 說(shuō)明第1磁阻效應(yīng)元件的磁滯特性的曲線圖(R-H曲線)，圖4是用于說(shuō)明第 2磁阻效應(yīng)元件的磁滯特性的曲線圖(R-H曲線)，圖5是表示本實(shí)施方式的 磁性檢測(cè)裝置20的傳感器部的電阻元件形狀的磁性檢測(cè)裝置20的部分放 大斜視圖，圖6是根據(jù)圖5所示的A-A線在厚度方向上切斷上述磁性檢測(cè)裝 置、并沿箭頭方向觀察的上述磁性檢測(cè)裝置的部分剖視圖，圖7是表示第1 磁阻效應(yīng)元件以及第2磁阻效應(yīng)元件的層構(gòu)造的部分剖視圖，圖8是主要用 于說(shuō)明固定電阻元件的層構(gòu)造的部分剖視圖，圖9 圖16是用于說(shuō)明本實(shí) 施方式的磁性檢測(cè)裝置用途的一例，是內(nèi)置有上述磁性檢測(cè)裝置的翻蓋式 移動(dòng)電話的部分示意圖及部分俯視圖。
圖1所示的本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20的結(jié)構(gòu)為具有傳感器部21和 集成電路(IC)22。
在上述傳感器部21中設(shè)有第1串聯(lián)電路26，其經(jīng)由第1輸出取出部(連接 部)25串聯(lián)連接第1電阻元件(第1磁阻效應(yīng)元件)23和第2電阻元件(在本實(shí)施 方式中為固定電阻元件)24;以及第3串聯(lián)電路30，其經(jīng)由第3輸出取出部(連 接部)29串聯(lián)連接第5電阻元件(第2磁阻效應(yīng)元件)27和第6電阻元件(在本實(shí) 施方式中為固定電阻元件)28。
另夕卜，在上述集成電路22內(nèi)設(shè)有第2串聯(lián)電路34,其經(jīng)由第2輸出取出 部33串聯(lián)連接第3電阻元件(固定電阻元件)31和第4電阻元件(固定電阻元 件)32。
此外如上所述，"電阻元件"的表述為第1 第6的通用編號(hào)。另外以 下，將各電阻元件主要表述為"磁阻效應(yīng)元件"以及"固定電阻元件"， 關(guān)于不需要區(qū)別為"磁阻效應(yīng)元件"以及"固定電阻元件"的說(shuō)明之處使用"電阻元件"的表述。
上述第2串聯(lián)電路34作為共用電路與上述第1串聯(lián)電路26以及上述第3 串聯(lián)電路30分別構(gòu)成橋式電路。以下，將并聯(lián)連接上述第1串聯(lián)電路26和 上述第2串聯(lián)電路34的橋式電路稱為第l橋式電路BC3，將并聯(lián)連接上述第3 串聯(lián)電路30和上述第2串聯(lián)電路34的橋式電路稱為第2橋式電路BC4。
如圖1所示，在上述第1橋式電路BC3中，并聯(lián)連接上述第1電阻元件23 和上述第4電阻元件32，并且并聯(lián)連接上述第2電阻元件24和上述第3電阻 元件31。另外，在上述第2橋式電路BC4中并聯(lián)連接上述第5電阻元件27和 上述第3電阻元件31，并且并聯(lián)連接上述第6電阻元件28和上述第4電阻元 件32。
如圖1所示，在上述集成電路22中設(shè)有輸入端子(電源)39、接地端子42 以及兩個(gè)外部輸出端子40、 41。上述輸入端子39、接地端子42以及外部輸 出端子40、 41分別利用引線鍵合(wire bonding)或芯片鍵合(die bonding) 等與未圖示的設(shè)備側(cè)的端子部電連接。
與上述輸入端子39連接的信號(hào)線50以及與上述接地端子42連接的信 號(hào)線51分別與設(shè)置在上述第1串聯(lián)電路26、第3串聯(lián)電路30以及第2串聯(lián)電 路34的兩側(cè)端部上的電極連接。
如圖1所示在集成電路22內(nèi)設(shè)置有一個(gè)差動(dòng)放大器35，在上述差動(dòng)放 大器35的正輸入部、負(fù)輸入部的某個(gè)上連接有上述第2串聯(lián)電路34的第2輸 出取出部33。
上述第1串聯(lián)電路26的第1輸出取出部25以及第3串聯(lián)電路30的第3輸 出取出部29分別與第1開(kāi)關(guān)電路(第1連接切換部)36的輸入部連接，上述第1 開(kāi)關(guān)電路36的輸出部與上述差動(dòng)放大器35的負(fù)輸入部、正輸入部的某個(gè)(未 連接上述第2輸出取出部33的一側(cè)的輸入部)連接。
如圖1所示，上述差動(dòng)放大器35的輸出部與施密特觸發(fā)器型的比較器 38連接，上述比較器38的輸出部與第2開(kāi)關(guān)電路(第2連接切換部)43的輸入 部連接，而且上述第2開(kāi)關(guān)電路43的輸出部側(cè)經(jīng)由兩個(gè)鎖存器電路46、 47 以及FET電路54、 55與第1外部輸出端子40以及第2外部輸出端子41分別連 接。此外，F(xiàn)ET電路54、 55構(gòu)成邏輯電路。
此外如圖l所示，在上述集成電路22內(nèi)設(shè)置有第3開(kāi)關(guān)電路48。上述第3開(kāi)關(guān)電路48的輸出部和與上述接地端子42連接的信號(hào)線51連接，在上述 第3開(kāi)關(guān)電路48的輸入部上連接有第1串聯(lián)電路26以及第3串聯(lián)電路30的一端部。
另外如圖l所示，在上述集成電路22內(nèi)設(shè)置有間歇開(kāi)關(guān)(interval switch)電路52以及時(shí)鐘電路53。當(dāng)斷開(kāi)上述間歇開(kāi)關(guān)電路52的開(kāi)關(guān)時(shí)， 停止向集成電路22內(nèi)的通電。上述間歇開(kāi)關(guān)電路52的開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通/斷開(kāi)與來(lái) 自上述時(shí)鐘電路53的時(shí)鐘信號(hào)聯(lián)動(dòng)，上述間歇開(kāi)關(guān)電路52具有間歇地進(jìn)行 通電狀態(tài)的省電功能。
來(lái)自上述時(shí)鐘電路53的時(shí)鐘信號(hào)還輸出到第1開(kāi)關(guān)電路36、第2開(kāi)關(guān)電 路43以及第3開(kāi)關(guān)電路48。在上述第1開(kāi)關(guān)電路36、第2開(kāi)關(guān)電路43以及第3 開(kāi)關(guān)電路48中當(dāng)接收上述時(shí)鐘信號(hào)時(shí)，分割該時(shí)鐘信號(hào)并控制為以非常短 的周期進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作。例如在l脈沖的時(shí)鐘信號(hào)為數(shù)十msec時(shí)，按照數(shù)十 Pmsec進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作。
上述第1磁阻效應(yīng)元件23是根據(jù)正方向外部磁場(chǎng)(+H)的強(qiáng)度變化發(fā)揮 磁阻效應(yīng)的磁阻效應(yīng)元件，另一方面，上述第2磁阻效應(yīng)元件27是根據(jù)與 上述正方向相反方向的負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化發(fā)揮磁阻效 應(yīng)的磁阻效應(yīng)元件。
這里，正方向外部磁場(chǎng)(+H)表示某一方向，在本實(shí)施方式中是朝著圖 示X1方向的方向，負(fù)方向的外部磁場(chǎng)(-H)是與上述正方向相反方向的外 部磁場(chǎng)，是朝著圖示X2方向的方向。
以下，對(duì)上述第1磁阻效應(yīng)元件23以及第2磁阻效應(yīng)元件27的層構(gòu)造 以及磁滯特性進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
如圖7所示，上述第1磁阻效應(yīng)元件23以及第2磁阻效應(yīng)元件27都從下 向上順次層疊有基礎(chǔ)層60、種子層61、反鐵磁性層62、固定磁層63、非磁 性中間層64、自由磁層65、 67(設(shè)第2磁阻效應(yīng)元件27的自由磁層為符號(hào)37) 以及保護(hù)層66。上述基礎(chǔ)層60例如由Ta、 Hf、 Nb、 Zr、 Ti、 Mo、 W中的l 種或2種以上元素等的非磁性材料形成。上述種子層61由NiFeCr或Cr等形 成。上述反鐵磁性層62由含有元素a(其中，a是Pt、 Pd、 Ir、 Rh、 Ru、 Os 中的l種或2種以上的元素)和Mn的反鐵磁性材料、或者含有元素oc、元素 a'(其中，元素a'是Ne、 Ar、 Kr、 Xe、 Be、 B、 C、 N、 Mg、 Al、 Si、 P、 Ti、V、 Cr、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zn、 Ga、 Ge、 Zr、 Nb、 Mo、 Ag、 Cd、 Sn、 Hf、 Ta、 W、 Re、 Au、 Pb以及稀土類元素中的l種或2種以上的元素)和Mn 的反鐵磁性材料形成。例如，上述反鐵磁性層62由IrMn及PtMn形成。上述 固定磁層63以及自由磁層65、 67由CoFe合金、NiFe合金、CoFeNi合金等磁 性材料形成。另夕卜，上述非磁性中間層64由Cu等形成。上述保護(hù)層66由Ta 等形成。上述固定磁層63及自由磁層65、 67可以是層疊費(fèi)里構(gòu)造(是磁層/ 非磁層/磁層的層疊構(gòu)造，即夾著非磁層的兩個(gè)磁層的磁化方向?yàn)榉雌叫械?構(gòu)造)。另外，上述固定磁層63及自由磁層65、 67可以是材質(zhì)不同的多個(gè)磁 層的層疊構(gòu)造。
在上述第1磁阻效應(yīng)元件23以及第2磁阻效應(yīng)元件27中，為了形成上述 反鐵磁性層62和上述固定磁層63連接而實(shí)施磁場(chǎng)中熱處理，由此在上述反 鐵磁性層62和上述固定磁層63的表面上產(chǎn)生交換結(jié)合磁場(chǎng)(Hex)，上述固定 磁層63的磁化方向固定為一個(gè)方向。在圖5以及圖7中，以箭頭方向表示上 述固定磁層63的磁化方向63a。在第1磁阻效應(yīng)元件23以及第2磁阻效應(yīng)元 件27中上述固定磁層63的磁化方向63a都是圖示Xl方向(正方向)。
另一方面，上述自由磁層65、 67的磁化方向在第1磁阻效應(yīng)元件23和 第2磁阻效應(yīng)元件27中不同。如圖7所示在上述第1磁阻效應(yīng)元件23中上述 自由磁層65的磁化方向65a為圖示X2方向(負(fù)方向)，與固定磁層63的磁化方 向63a是相同方向，不過(guò)在上述第2磁阻效應(yīng)元件27中上述自由磁層67的磁 化方向67a為圖示Xl方向(正方向)，與上述固定磁層63的磁化方向63a反平 行。
當(dāng)正方向的外部磁場(chǎng)(+H)作用時(shí)，第2磁阻效應(yīng)元件27的自由磁層67 的磁化67a不變動(dòng)，第l磁阻效應(yīng)元件23的自由磁層65的磁化65a變動(dòng)，從 而上述第1磁阻效應(yīng)元件23的電阻值發(fā)生變化。圖3是表示第1磁阻效應(yīng)元 件23的磁滯特性的R-H曲線。此外在圖的曲線圖中縱軸是電阻值R，不過(guò) 也可以是電阻變化率(％)。如圖3所示，當(dāng)外部磁場(chǎng)從無(wú)磁場(chǎng)狀態(tài)(零)向正 方向緩緩增加時(shí)，自由磁層65的磁化65a和固定磁層63的磁化63a的平行狀 態(tài)崩潰而接近于反平行狀態(tài)，所以上述第1磁阻效應(yīng)元件23的電阻值R在曲 線HR1上緩緩變大，當(dāng)使正方向的外部磁場(chǎng)(+H)向零緩緩變小時(shí)，上述第l 磁阻效應(yīng)元件23的電阻值R在曲線HR2上緩緩變小。這樣，在第1磁阻效應(yīng)元件23中針對(duì)正方向外部磁場(chǎng)(+H)的磁場(chǎng)強(qiáng)度
變化，而形成以曲線HR1和曲線HR2圍成的磁滯環(huán)HR。作為上述第l磁阻 效應(yīng)元件23的最大電阻值和最低電阻值的中間值，上述磁滯環(huán)HR的寬幅 的中心值是磁滯環(huán)HR的"中點(diǎn)"。然后，根據(jù)從上述磁滯環(huán)HR的中點(diǎn)到 外部磁場(chǎng)H:0(Oe)線的磁場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)確定第l層間結(jié)合磁場(chǎng)Hinl的大小。如圖 3所示，在第1磁阻效應(yīng)元件23中，上述第l層間結(jié)合磁場(chǎng)Hinl向正磁場(chǎng)方 向移動(dòng)。
另一方面，當(dāng)波及負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)時(shí)，上述第1磁阻效應(yīng)元件23 的自由磁層65的磁化65a不變動(dòng)，第2磁阻效應(yīng)元件27的自由磁層67的磁化 67a變動(dòng)，從而上述第2磁阻效應(yīng)元件27的電阻值發(fā)生變動(dòng)。
圖4是表示第2磁阻效應(yīng)元件27的磁滯特性的R - H曲線。如圖4所示， 當(dāng)外部磁場(chǎng)從無(wú)磁場(chǎng)狀態(tài)(零)向負(fù)方向緩緩增加時(shí)，自由磁層67的磁化67a 和固定磁層63的磁化63a的反平行狀態(tài)崩潰而接近于平行狀態(tài)，上述第2磁 阻效應(yīng)元件27的電阻值R在曲線HR3上緩緩變小，另一方面，當(dāng)使負(fù)方向 外部磁場(chǎng)(-H)緩緩向零變化時(shí)，上述第2磁阻效應(yīng)元件27的電阻值R在曲 線HR4上緩緩變大。
這樣，在第2磁阻效應(yīng)元件27中針對(duì)負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)的磁場(chǎng)強(qiáng)度 變化，而形成以曲線HR3和曲線HR4圍成的磁滯環(huán)HR。作為上述第2磁阻 效應(yīng)元件27的最大電阻值和最低電阻值的中間值，上述磁滯環(huán)HR的寬幅 的中心值是磁滯環(huán)HR的"中點(diǎn)"。然后根據(jù)從上述磁滯環(huán)HR的中點(diǎn)到外 部磁場(chǎng)P^0(Oe)線的磁場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)確定第2層間結(jié)合磁場(chǎng)Hin2的大小。如圖4 所示，在第2磁阻效應(yīng)元件27中，上述第2層間結(jié)合磁場(chǎng)Hin2向負(fù)磁場(chǎng)方向 移動(dòng)。
這樣，在本實(shí)施方式中，上述第1磁阻效應(yīng)元件23的第1層間結(jié)合磁場(chǎng) Hinl向正磁場(chǎng)方向移動(dòng)，另一方面，上述第2磁阻效應(yīng)元件27的第2層間結(jié) 合磁場(chǎng)Hin2向負(fù)磁場(chǎng)方向移動(dòng)。
為了取得在圖3、圖4中說(shuō)明的互逆符號(hào)的層間結(jié)合磁場(chǎng)Hinl、 Hin2， 例如，可適當(dāng)調(diào)節(jié)對(duì)上述非磁性中間層64表面的等離子處理(PT)時(shí)的氣體 流量(氣壓)及功率值。根據(jù)氣體流量(氣壓)的大小以及功率值的大小，可知 層間結(jié)合磁場(chǎng)Hin發(fā)生變化。隨著上述氣體流量(氣壓)及功率值變大，可使
14層間結(jié)合磁場(chǎng)Hin從正值向負(fù)值變化。另外，上述層間結(jié)合磁場(chǎng)Hin的大小 也根據(jù)上述非磁性中間層64的膜厚而發(fā)生變化?；蛘?，當(dāng)從下向上以反鐵 磁性層/固定磁層/非磁性中間層/自由磁層的順序進(jìn)行層疊時(shí)，即使改變上 述反鐵磁性層的膜厚也能夠調(diào)節(jié)上述層間結(jié)合磁場(chǎng)Hin的大小。
在第l磁阻效應(yīng)元件23中第l上述層間結(jié)合磁場(chǎng)Hinl是正值，在此情況 下，在上述固定磁層63和上述自由磁層65之間發(fā)生使磁化相互平行的相互 作用。另外，在第2磁阻效應(yīng)元件27中第2上述層間結(jié)合磁場(chǎng)Hin2是負(fù)值， 在此情況下在上述固定磁層63和上述自由磁層67之間發(fā)生使磁化相互反 平行的相互作用。并且，在各磁阻效應(yīng)元件23、 27的反鐵磁性層62和固定 磁層63之間經(jīng)由磁場(chǎng)中熱處理而產(chǎn)生同一方向的交換結(jié)合磁場(chǎng)(Hex)，因此 各磁阻效應(yīng)元件23、 27的固定磁層63的磁化63a可固定在同一方向上，另 外在固定磁層63和自由磁層65、 67之間發(fā)生上述的相互作用，成為圖7的 磁化狀態(tài)。
上述的第1磁阻效應(yīng)元件23以及第2磁阻效應(yīng)元件27利用了巨大磁阻 效應(yīng)(GMR效果)，不過(guò)除了GMR元件以外，還可以是利用了各向異性磁阻 效應(yīng)(AMR)的AMR元件或利用了穿隧磁阻效應(yīng)(TMR)的TMR元件。
另一方面，和第1磁阻效應(yīng)元件23串聯(lián)連接的固定電阻元件24與上述 第l磁阻效應(yīng)元件23層疊順序不同，而且由與上述第l磁阻效應(yīng)元件23相同 的材料層來(lái)形成。即，如圖8所示，上述固定電阻元件24從下向上按照基 礎(chǔ)層60、種子層61、反鐵磁性層62、第1磁層63、第2磁層65、非磁性中間 層64以及保護(hù)層66的順序進(jìn)行層疊。上述第1磁層63相當(dāng)于構(gòu)成第1磁阻效 應(yīng)元件23的固定磁層63，上述第2磁層65相當(dāng)于構(gòu)成上述第l磁阻效應(yīng)元件 23的自由磁層65。如圖8所示，上述第1固定電阻元件24在上述反鐵磁性層 62上連續(xù)地層疊第1磁層63以及第2磁層65，第1磁層63以及第2磁層65的磁 化都通過(guò)在反鐵磁性層62之間產(chǎn)生的交換結(jié)合磁場(chǎng)(Hex)來(lái)固定，上述第2 磁層65如上述第1磁阻效應(yīng)元件23的自由磁層65那樣相對(duì)于外部磁場(chǎng)沒(méi)有 磁化變動(dòng)。
如圖8所示，將上述固定電阻元件24的各層和與上述第1磁阻效應(yīng)元件 23對(duì)應(yīng)的各層以相同的材料來(lái)構(gòu)成，因此可使上述第1磁阻效應(yīng)元件23和 上述固定電阻元件24的元件電阻大致相同，可將在無(wú)磁場(chǎng)狀態(tài)下的上述第
15l輸出取出部25的電位適當(dāng)控制為中間電位。另夕卜，還能夠抑制上述第l磁
阻效應(yīng)元件23的溫度系數(shù)(TCR)和上述固定電阻元件24的溫度系數(shù)的偏 差，其結(jié)果是，即使針對(duì)溫度變化也能夠抑制上述中間電位的偏差，能夠 提高動(dòng)作穩(wěn)定性。此外更理想的是不僅材料、與第1磁阻效應(yīng)元件23對(duì)應(yīng) 的各層的膜厚也和上述第1磁阻效應(yīng)元件23的各層相等。
另外雖然未圖示但與上述相同，和上述第2磁阻效應(yīng)元件27串聯(lián)連接 的固定電阻元件28與上述第2磁阻效應(yīng)元件27層疊順序不同，而且由與上 述第2磁阻效應(yīng)元件27相同的材料層來(lái)形成。
另一方面，構(gòu)成第2串聯(lián)電路34的電阻元件僅由固定電阻元件構(gòu)成， 不包含磁阻效應(yīng)元件，所以不需要利用與上述磁阻效應(yīng)元件相同的材料層 來(lái)形成裝入上述集成電路22內(nèi)的固定電阻元件31、 32。
艮口，固定電阻元件31、 32只要是以相互相同的材料層形成的、元件電 阻大致相同的固定電阻元件，就沒(méi)有特別地限定層構(gòu)造。
由此，在形成上述固定電阻元件31、 32的過(guò)程中，相比于構(gòu)成第l串 聯(lián)電路26的固定電阻元件24和構(gòu)成第3串聯(lián)電路30的固定電阻元件28，材 料選擇的自由度較寬。
在本實(shí)施方式中，上述固定電阻元件31、 32被裝入集成電路22內(nèi)。上 述固定電阻元件31、 32如磁阻效應(yīng)元件那樣不是檢知外部磁場(chǎng)的元件，在 本實(shí)施方式中是將上述第2串聯(lián)電路34的中間電位作為上述第1橋式電路 BC3以及上述第2橋式電路BC4雙方的基準(zhǔn)電位使用的元件，所以在將上述 固定電阻元件31 、 32裝入集成電路22內(nèi)方面沒(méi)有任何問(wèn)題。
并且在本實(shí)施方式中，使上述固定電阻元件31、 32與設(shè)置在上述集成 電路22內(nèi)的其他電阻體同樣，可利用貼片電阻非常高的硅(Si)來(lái)形成。上 述固定電阻元件31、 32的元件電阻可大到數(shù)十kQ左右。
接著，采用圖6對(duì)本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20的剖面形狀進(jìn)行說(shuō)明。 如圖6所示，上述磁性檢測(cè)裝置20例如在由硅(Si)形成的基板70上，以一定
的厚度來(lái)形成未圖示的硅石(Si02)的基礎(chǔ)膜。
在上述基礎(chǔ)膜上形成有構(gòu)成集成電路22的差動(dòng)放大器和比較器等能 動(dòng)元件71 73、第3電阻元件31、第4電阻元件32以及布線層77等。上述布 線層77例如由鋁(A1)形成。
16如圖6所示，在上述基板70上以及集成電路22上覆蓋由阻抗層等構(gòu)成
的絕緣層78。關(guān)于上述絕緣層78，在上述布線層77上的一部分中形成孔部 78b，從上述孔部78b中露出上述布線層78的上表面。
上述絕緣層78的表面78a由平坦化面形成，在己平坦化的上述絕緣層 78的表面78a上以圖5所示的蛇曲(meander)形狀來(lái)形成第l電阻元件23、 第2電阻元件24、第5電阻元件27以及第6電阻元件28。由此，可增大各元 件的元件電阻。
如圖5所示，在各元件的兩側(cè)端部形成有電極23a、 23b、 24a、 24b、 27a、 27b、 28a、 28b，上述第l電阻元件23的電極23b和上述第2電阻元件 24的電極24b之間經(jīng)由第l輸出取出部25進(jìn)行連接，上述第1輸出取出部25 如圖6所示在上述布線層77上電連接。同樣，第5電阻元件27的電極27b和 第6電阻元件28的電極28b之間經(jīng)由第3輸出取出部29進(jìn)行連接，并與未圖 示的布線層電連接。
如圖6所示，在上述元件上、電極上以及輸出取出部上覆蓋例如以氧 化鋁或硅石形成的絕緣層80。并且通過(guò)鑄型樹(shù)脂81來(lái)封裝上述磁性檢測(cè)裝 置20。
在本實(shí)施方式中，如圖6所示在基板70上經(jīng)由絕緣層78層疊集成電路 22和傳感器部21，由此可將上述絕緣層78表面78a的寬的空間作為上述傳 感器部21的形成空間使用。因此，各電阻元件23、 24、 27、 28的形成空間 變寬，在將各電阻元件23、 24、 27、 28作成圖5所示的蛇曲形狀時(shí)，可延 長(zhǎng)元件長(zhǎng)度，增大各電阻元件的元件電阻。
尤其在本實(shí)施方式中，將構(gòu)成上述第2串聯(lián)電路34的第3電阻元件31以 及第4電阻元件32裝入集成電路22內(nèi)，所以能夠減少構(gòu)成上述傳感器部21 的元件數(shù)，此外還能夠擴(kuò)展構(gòu)成上述傳感器部21的各電阻元件23、 24、 27、 28的形成空間。
而且在本實(shí)施方式中在上述第1橋式電路BC3和上述第2橋式電路BC4 雙方將上述第2串聯(lián)電路34作為共用電路進(jìn)行使用，并將上述第2串聯(lián)電路 34的中間電位作為上述第l橋式電路BC3以及上述第2橋式電路BC4雙方的 基準(zhǔn)電位。
由此，在現(xiàn)有的采用了磁阻效應(yīng)元件的雙極檢測(cè)對(duì)應(yīng)型傳感器中，元件數(shù)一共至少需要8個(gè)，不過(guò)在本實(shí)施方式中如圖l、圖2所示，可一共由6 個(gè)來(lái)構(gòu)成，從而可減少元件數(shù)。在現(xiàn)有技術(shù)中需要將該8個(gè)元件全部作為
傳感器部21形成在圖6所示的絕緣層78的表面78a上，在本實(shí)施方式中，與 如上所述能夠?qū)⒌?串聯(lián)電路34裝入集成電路22內(nèi)的情況相對(duì)應(yīng)，可減少 構(gòu)成上述傳感器部21的元件的總數(shù)，這樣即使在小型化的磁性檢測(cè)裝置20 中，也能夠使各電阻元件23、 24、 27、 28的形成空間比現(xiàn)有的寬。 接著，對(duì)外部磁場(chǎng)的檢測(cè)原理進(jìn)行說(shuō)明。
首先，對(duì)在本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20中沒(méi)有作用外部磁場(chǎng)的情況 進(jìn)行說(shuō)明。在此情況下，上述第1磁阻效應(yīng)元件23以及第2磁阻效應(yīng)元件27 的電阻值都沒(méi)有變化。當(dāng)?shù)?開(kāi)關(guān)電路36、第2開(kāi)關(guān)電路43以及第3開(kāi)關(guān)電 路48分別接收來(lái)自上述時(shí)鐘電路53的時(shí)鐘信號(hào)時(shí)，按照數(shù)十u sec進(jìn)行切換 正方向外部磁場(chǎng)(+H)檢測(cè)電路狀態(tài)和負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)檢測(cè)電路狀態(tài)， 該正方向外部磁場(chǎng)(+H)檢測(cè)電路狀態(tài)如圖l所示，第1開(kāi)關(guān)電路36連接在上 述第1串聯(lián)電路26的第1輸出取出部25和差動(dòng)放大器35之間、第2開(kāi)關(guān)電路 43連接在上述比較器38和第1外部輸出端子40之間、以及第3開(kāi)關(guān)電路48連 接在第1串聯(lián)電路26和接地端子42之間該負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)檢測(cè)電路 狀態(tài)如圖2所示，第1開(kāi)關(guān)電路36連接在上述第3串聯(lián)電路30的第3輸出取出 部29和差動(dòng)放大器35之間、第2開(kāi)關(guān)電路43連接在上述比較器38和第2外部 輸出端子41之間以及第3開(kāi)關(guān)電路48連接在第2串聯(lián)電路30和接地端子42 之間。
當(dāng)沒(méi)有波及外部磁場(chǎng)時(shí)，在圖1的正方向外部磁場(chǎng)(+H)檢測(cè)電路狀態(tài) 下第1橋式電路BC3的第1輸出取出部25和第2輸出取出部33之間的差動(dòng)電 位、以及在圖2的負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)檢測(cè)電路狀態(tài)下第2橋式電路BC4 的第3輸出取出部29和第2輸出取出部33之間的差動(dòng)電位都近似為0。當(dāng)從 差動(dòng)放大器35向比較器38輸出差動(dòng)電位為0的輸出時(shí)，在上述比較器38中 通過(guò)施密特觸發(fā)器輸入控制為，經(jīng)由上述鎖存器電路46、 47、 FET電路54 從第1外部輸出端子40以及第2外部輸出端子41輸出例如高電平信號(hào)。
接著，當(dāng)在本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20中沒(méi)有波及正方向外部磁場(chǎng) (+H)時(shí)，第1磁阻效應(yīng)元件23的電阻值變動(dòng)，上述第1串聯(lián)電路26的第1輸 出取出部25中的電位從中間電位開(kāi)始變動(dòng)(在圖1的電路結(jié)構(gòu)中當(dāng)具有圖3所示的磁滯特性時(shí)，具體地說(shuō)電位變大)。
當(dāng)前，在圖1所示的正方向外部磁場(chǎng)(+H)檢測(cè)電路狀態(tài)下，將上述第2
串聯(lián)電路34的第2輸出取出部33的中間電位作為基準(zhǔn)電位，利用上述差動(dòng) 放大器35來(lái)生成由上述第1串聯(lián)電路26和第2串聯(lián)電路34構(gòu)成的第1橋式電 路BC3的第1輸出取出部25與第2輸出取出部33的差動(dòng)電位，并向比較器38 輸出。在上述比較器38中將上述差動(dòng)電位利用施密特觸發(fā)器輸入來(lái)整形為 脈沖波形的信號(hào)，并經(jīng)由鎖存器電路46以及FET電路54從第1外部輸出端子 40輸出整形后的檢測(cè)信號(hào)。此時(shí)，當(dāng)正方向外部磁場(chǎng)(+H)為規(guī)定以上的大 小時(shí)，控制上述檢測(cè)信號(hào)從上述第1外部輸出端子40作為低電平信號(hào)輸出。 此外，當(dāng)上述正方向外部磁場(chǎng)(+H)的大小比某一固定值小時(shí)，在上述比較 器38中控制為生成高電平信號(hào)，與外部磁場(chǎng)沒(méi)有作用的情況沒(méi)有變化。
另一方面，在正方向外部磁場(chǎng)(+H)發(fā)生作用的情況下，即使切換為圖 2的負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)檢測(cè)電路狀態(tài)，第2磁阻效應(yīng)元件27也不電阻變 化，所以與外部磁場(chǎng)沒(méi)有作用的情況同樣，控制為從上述第2外部輸出端 子41輸出高電平信號(hào)。
這樣，在第1外部輸出端子40中，當(dāng)某一固定值以上的正方向外部磁 場(chǎng)(+H)作用時(shí)，信號(hào)電平從高電平信號(hào)向低電平信號(hào)(或者可以是其相反方 向)變化，所以根據(jù)該信號(hào)電平的變化，可以檢知某一固定值以上的大小的 正方向外部磁場(chǎng)(+H)進(jìn)行作用。
同樣，當(dāng)在本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20中波及負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)時(shí)，第2磁阻效應(yīng)元件23的電阻值變動(dòng)，上述第3串聯(lián)電路30的第2輸出 取出部29中的電位從中間電位開(kāi)始變動(dòng)(具體地說(shuō)電位變大)。
當(dāng)前，在圖2所示的負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)檢測(cè)電路狀態(tài)下，將上述第 2串聯(lián)電路34的第2輸出取出部33的中間電位作為基準(zhǔn)電位，利用上述差動(dòng) 放大器35生成由上述第3串聯(lián)電路30和第2串聯(lián)電路34構(gòu)成的第2橋式電路 BC4的第3輸出取出部29與第2輸出取出部33之間的差動(dòng)電位，并將該差動(dòng) 電位向比較器38輸出。在上述比較器38中，將上述差動(dòng)電位通過(guò)施密特觸 發(fā)器輸入來(lái)整形為脈沖波形的信號(hào)，并經(jīng)由鎖存器電路46以及FET電路54 從第2外部輸出端子41輸出整形后的檢測(cè)信號(hào)。此時(shí)，當(dāng)負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)為規(guī)定以上的大小時(shí)，控制上述上述檢測(cè)信號(hào)從上述第2外部輸出端子41作為低電平信號(hào)輸出。此外，當(dāng)上述負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)的大小比某 一固定值小時(shí)，在上述比較器38中控制為生成高電平信號(hào)，所以與外部磁 場(chǎng)沒(méi)有作用的情況沒(méi)有變化。
另一方面，在負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)作用的情況下，即使切換為圖l的 正方向外部磁場(chǎng)(+H)檢測(cè)電路狀態(tài)，第1磁阻效應(yīng)元件23也不電阻變化， 所以與外部磁場(chǎng)沒(méi)有作用的情況同樣，控制為從上述第1外部輸出端子40 輸出高電平信號(hào)。
這樣，在第2外部輸出端子41中，當(dāng)某一固定值以上的負(fù)方向外部磁 場(chǎng)(- H)作用時(shí)，信號(hào)電平從高電平信號(hào)向低電平信號(hào)(或者可以是其相反 方向)變化，所以根據(jù)該信號(hào)電平的變化，能夠檢知某一固定值以上的大小 的負(fù)方向外部磁場(chǎng)進(jìn)行作用。
然后，利用未圖示的設(shè)備側(cè)的處理電路等，將從上述第l外部輸出端 子40或者上述第2外部輸出端子41輸出的檢測(cè)信號(hào)作為例如后述的翻蓋式 移動(dòng)電話的開(kāi)閉檢知信號(hào)進(jìn)行使用。
本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20的特征部分在于以下的點(diǎn)，由固定電阻 元件31、 32形成了構(gòu)成第2串聯(lián)電路34的電阻元件，該第2串聯(lián)電路34與具 有第1磁阻效應(yīng)元件23的第1串聯(lián)電路26以及具有第2磁阻效應(yīng)元件27的第 3串聯(lián)電路30雙方并聯(lián)連接，與構(gòu)成傳感器部21的各電阻元件23、 24、 27、 28的元件電阻相比增大了上述固定電阻元件31、 32的元件電阻。
在本實(shí)施方式中，在構(gòu)成上述第2串聯(lián)電路34的電阻元件內(nèi)不含有磁 阻效應(yīng)元件而僅由固定電阻元件31、 32構(gòu)成，因此沒(méi)有如下的制約，艮卩， 如與上述磁阻效應(yīng)元件串聯(lián)連接的第1串聯(lián)電路26的固定電阻元件24和第 3串聯(lián)電路30的固定電阻元件28那樣，為了適當(dāng)調(diào)節(jié)中間電位而由與上述 磁阻效應(yīng)元件相同的材料層來(lái)形成。
由此，針對(duì)上述固定電阻元件31、 32的材料選擇自由度增加，可適當(dāng) 地使上述固定電阻元件31、 32的元件電阻比構(gòu)成第1串聯(lián)電路26以及第2串 聯(lián)電路30的各電阻元件23、 24、 27、 28的元件電阻大，從而能夠降低消耗 電流。
在本實(shí)施方式中，將構(gòu)成上述第2串聯(lián)電路34的固定電阻元件31、 32 裝入集成電路22內(nèi)。將上述固定電阻元件31、 32裝入傳感器部21內(nèi)也是本
20實(shí)施方式的一個(gè)形態(tài)，通過(guò)將上述固定電阻元件31 、 32裝入集成電路22內(nèi)，
可在與形成了構(gòu)成上述集成電路22的其他電阻體相同的工序內(nèi)，由貼片電 阻非常高的硅(Si)來(lái)形成上述固定電阻元件31、 32。當(dāng)以如圖5所示的蛇曲 形狀來(lái)形成上述固定電阻元件31、 32時(shí)，適合在有限的面積內(nèi)形成充分長(zhǎng) 的元件長(zhǎng)度，且有效地增大元件電阻，不過(guò)即使假設(shè)在集成電路22內(nèi)沒(méi)有 這樣的空間的情況下，也能夠由貼片電阻高的硅(Si)來(lái)形成電子元件，由 此可有效地增大上述固定電阻元件31、 32的元件電阻。作為表示元件電阻 的一例，構(gòu)成傳感器部21的各電阻元件23、 24、 27、 28的元件電阻大致為 2 3kQ，構(gòu)成第2串聯(lián)電路34的各固定電阻元件31、 32的元件電阻可大到 30kQ左右。
另外，由于在集成電路22內(nèi)僅裝入上述固定電阻元件31、 32，所以電 路構(gòu)成不那么復(fù)雜，此外如后所述在本實(shí)施方式中，即使是雙極檢測(cè)對(duì)應(yīng) 型傳感器，也僅有一個(gè)差動(dòng)放大器35和一個(gè)比較器38就足夠了，因此與其 說(shuō)能夠使電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，倒不如說(shuō)能以一個(gè)集成電路22來(lái)實(shí)現(xiàn)小的電路。
裝入上述集成電路22內(nèi)的上述固定電阻元件31 、 32可通過(guò)CVD工序、 濺射(sputtering)工序等的薄膜形成工藝或印刷來(lái)形成。
此外，為了將上述第2串聯(lián)電路34的第2輸出取出部33中的電位適當(dāng)控 制為中間電位，而最好以相同的材料層來(lái)形成上述固定電阻元件31、 32。 另外，通過(guò)以相同的材料層來(lái)形成上述固定電阻元件31、 32，可抑制溫度 系數(shù)(TCR)的偏差，其結(jié)果是，可針對(duì)溫度變化來(lái)抑制上述中間電位的偏 差，可提高動(dòng)作穩(wěn)定性。
如本實(shí)施方式那樣，當(dāng)將上述固定電阻元件31、 32裝入上述集成電路 22內(nèi)時(shí)，可減少構(gòu)成上述傳感器部21的元件數(shù)。S口，如圖l、圖2、圖5、 圖6所示，因?yàn)閭鞲衅鞑?1的元件數(shù)一共為4個(gè)，所以可擴(kuò)展構(gòu)成傳感器部 21的各電阻元件的形成空間。尤其，在本實(shí)施方式中，將集成電路22和傳 感器部21經(jīng)由絕緣層78層疊在基板70上。在平面上并排地形成上述集成電 路22和傳感器部21的形態(tài)也是本實(shí)施方式的一個(gè)形態(tài)，通過(guò)將集成電路22 和傳感器部21經(jīng)由絕緣層78層疊在基板70上，可將上述絕緣層78表面78a 的寬的范圍作為上述傳感器部21的形成空間進(jìn)行使用。此外，本實(shí)施方式 的磁性檢測(cè)裝置20是雙極檢測(cè)對(duì)應(yīng)型傳感器，利用上述第1橋式電路BC3
21和上述第2橋式電路BC4雙方，將上述第2串聯(lián)電路34作為共用電路進(jìn)行使
用，由此，在現(xiàn)有的使用了磁阻效應(yīng)元件的雙極檢測(cè)對(duì)應(yīng)型傳感器中，元
件數(shù)一共至少需要8個(gè)，不過(guò)在本實(shí)施方式中如圖l、圖2所示可一共由6個(gè) 來(lái)構(gòu)成，從而能夠減少元件數(shù)。
以上能夠有效地增大構(gòu)成傳感器部21的各元件的形成空間，所以與現(xiàn) 有的相比，能夠延長(zhǎng)構(gòu)成傳感器部21的各電阻元件23、 24、 27、 28的元件 長(zhǎng)度，能夠增大各電阻元件23、 24、 27、 28的元件電阻。當(dāng)將各電阻元件 23、 24、 27、 28如圖5那樣作成蛇曲形狀時(shí)，適合在有限的形成空間內(nèi)延 長(zhǎng)元件長(zhǎng)度、增大元件電阻。
另外在本實(shí)施方式中，將串聯(lián)連接有固定電阻元件31、 32的第2串聯(lián) 電路34的中間電位作為上述第1橋式電路BC3和上述第2橋式電路BC4的基 準(zhǔn)電位共用，而且，還設(shè)有第1開(kāi)關(guān)電路36，該第1開(kāi)關(guān)電路36交互地切換 構(gòu)成上述第1橋式電路BC3的第1串聯(lián)電路26的第1輸出取出部25和差動(dòng)放 大器35之間的連接、以及構(gòu)成上述第2橋式電路BC4的第3串聯(lián)電路30的第3 輸出取出部29和差動(dòng)放大器35之間的連接。
如上所述，如果設(shè)有第1開(kāi)關(guān)電路36，則僅設(shè)有一個(gè)差動(dòng)放大器35就 能夠交互地取得連接著第1橋式電路BC3和差動(dòng)放大器35的正方向外部磁 場(chǎng)檢測(cè)狀態(tài)(圖l)、和連接著第2橋式電路BC4和差動(dòng)放大器35的負(fù)方向外 部磁場(chǎng)檢測(cè)狀態(tài)(圖2)這兩個(gè)檢測(cè)狀態(tài)，這樣可利用簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)，通過(guò) 上述差動(dòng)放大器35適當(dāng)?shù)貜牡?橋式電路BC3以及第2橋式電路BC4雙方取 得差動(dòng)電位。
艮口，在現(xiàn)有技術(shù)(圖17)中，每個(gè)橋式電路上都設(shè)有差動(dòng)放大器等，不 過(guò)在本實(shí)施方式中，將兩個(gè)橋式電路BC3、 BC4經(jīng)由第1開(kāi)關(guān)電路36與共用 的差動(dòng)放大器35連接，可通過(guò)第1開(kāi)關(guān)電路36的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，來(lái)形成連接著 第1橋式電路BC3和差動(dòng)放大器35的正方向外部磁場(chǎng)檢測(cè)狀態(tài)(圖1)、和連 接著第2橋式電路BC4和差動(dòng)放大器35的負(fù)方向外部磁場(chǎng)檢測(cè)狀態(tài)(圖2)這 兩個(gè)檢測(cè)狀態(tài)，所以只要準(zhǔn)備一個(gè)差動(dòng)放大器35等就能夠充分地減少信號(hào) 線的數(shù)量，從而能夠電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且能夠形成小型的電路。
另外，在本實(shí)施方式中還設(shè)有第3開(kāi)關(guān)電路48，該第3開(kāi)關(guān)電路可切換 接地端子42和第1串聯(lián)電路26之間的連接以及上述接地端子42和上述第3串聯(lián)電路30之間的連接。
并且，在通過(guò)上述第1開(kāi)關(guān)電路36連接了上述第1橋式電路BC3和上述差動(dòng)放大器35部之間時(shí)，通過(guò)上述第3開(kāi)關(guān)電路48來(lái)連接上述第1串聯(lián)電路26和上述接地端子42之間，在通過(guò)上述第1開(kāi)關(guān)電路36連接了上述第2橋式電路BC4和上述差動(dòng)放大器35之間時(shí)，通過(guò)上述第3開(kāi)關(guān)電路48來(lái)連接上述第2串聯(lián)電路30和上述接地端子42之間。從而，在連接了上述第l橋式電路BC3和上述差動(dòng)放大器35部之間時(shí)，電流未流過(guò)第2串聯(lián)電路30，另外在連接了上述第2橋式電路BC4和上述差動(dòng)放大器35部之間時(shí)，電流未流過(guò)第1串聯(lián)電路26，所以能夠更有效地實(shí)現(xiàn)消耗電流的降低。
對(duì)本實(shí)施方式的雙極檢測(cè)對(duì)應(yīng)型的磁性檢測(cè)裝置20的用途進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20例如可使用于翻蓋式移動(dòng)電話的開(kāi)閉檢知。
圖9所示的翻蓋式移動(dòng)電話90具有第1部件91和第2部件92。上述第l部件91是畫面顯示側(cè)，上述第2部件92是操作體側(cè)。在上述第1部件91的與上述第2部件92對(duì)置的面上設(shè)置有液晶顯示器及受話器等。在上述第2部件92的與上述第1部件91對(duì)置的面上設(shè)置有各種鈕以及麥克風(fēng)等。圖9是關(guān)閉了翻蓋式移動(dòng)電話90的狀態(tài)，如圖9所示在上述第1部件91中內(nèi)置磁鐵94，在上述第2部件92中內(nèi)置本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20。如圖9所示在關(guān)閉的狀態(tài)下，上述磁鐵94和磁性檢測(cè)裝置20被配置在相互對(duì)置的位置上?；蛘呱鲜龃判詸z測(cè)裝置20可配置在和上述磁鐵94對(duì)置的位置相比向與外部磁場(chǎng)的進(jìn)入方向平行的方向偏移的位置上。
在圖9中，從上述磁鐵94放出的正方向外部磁場(chǎng)(+H)傳遞到上述磁性檢測(cè)裝置20，上述磁性檢測(cè)裝置20檢測(cè)上述外部磁場(chǎng)(+H)，由此，檢測(cè)出翻蓋式移動(dòng)電話90處于已關(guān)閉的狀態(tài)。
另一方面，如圖10所示當(dāng)打開(kāi)翻蓋式移動(dòng)電話卯時(shí)，隨著上述第l部件91從上述第2部件92分離，傳遞到上述磁性檢測(cè)裝置20的外部磁場(chǎng)(+H)的大小緩緩變小，不久傳遞到上述磁性檢測(cè)裝置20的外部磁場(chǎng)(+H)為零。當(dāng)傳遞到上述磁性檢測(cè)裝置20的外部磁場(chǎng)(+H)的大小為某一規(guī)定的大小以下時(shí)，檢測(cè)出上述翻蓋式移動(dòng)電話90處于打開(kāi)的狀態(tài)，例如，利用內(nèi)置于上述移動(dòng)電話90內(nèi)的控制部來(lái)進(jìn)行控制，以使位于液晶顯示器及操作鈕里側(cè)的背景燈發(fā)光。
23本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20是雙極對(duì)應(yīng)型傳感器。即，在圖9中，
磁鐵94的N極位于圖示左側(cè)，S極位于圖示右側(cè)，不過(guò)在如圖ll所示使極性相反的情況下(N極為圖示右側(cè)，S極為圖示左側(cè))，波及上述磁性檢測(cè)裝置20的外部磁場(chǎng)(-H)方向(以下，稱為負(fù)方向)與圖1的外部磁場(chǎng)(+H)方向反向。在本實(shí)施方式中，即使是這樣的情況，在從如圖ll所示關(guān)閉了翻蓋式移動(dòng)電話90的狀態(tài)到如圖12所示打開(kāi)上述移動(dòng)電話90時(shí)，也能夠適當(dāng)?shù)貦z知打開(kāi)的情況。
由此，可與外部磁場(chǎng)的極性無(wú)關(guān)聯(lián)地配置磁鐵94，所以對(duì)上述磁鐵94的配置沒(méi)有限制，使安裝變得容易。
在上述的開(kāi)閉檢知方法中，即使不能識(shí)別到外部磁場(chǎng)的方向，也可以利用雙極來(lái)檢知外部磁場(chǎng)的變化，所以例如圖l、圖2所示的外部輸出端子40、 41可設(shè)成其中的任意一個(gè)。
艮P，例如當(dāng)消除圖l、圖2所示的第2開(kāi)關(guān)電路43、形成一條從比較器38經(jīng)由鎖存器電路46、 FET電路54到外部輸出端子40的信號(hào)線時(shí)，從上述外部輸出端子40可獲得正方向外部磁場(chǎng)(+H)檢知信號(hào)、負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)檢知信號(hào)雙方的信號(hào)。此時(shí)，雙方的檢知信號(hào)例如如上所述是低電平信號(hào)，所以無(wú)法判別到哪個(gè)是外部磁場(chǎng)檢知信號(hào)，不過(guò)在開(kāi)閉檢知中有不能識(shí)別到外部磁場(chǎng)方向的需要，因此，能夠僅將外部輸出端子設(shè)為一個(gè)，而且能夠使電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
或者，如以下說(shuō)明，如翻轉(zhuǎn)類型的翻蓋移動(dòng)電話100那樣，當(dāng)啟動(dòng)根據(jù)外部磁場(chǎng)方向而不同的功能時(shí)，還是如圖l、圖2所示將外部輸出端子40、41設(shè)為兩個(gè)、從而能夠檢知到外部磁場(chǎng)方向這樣的情況為好。
如圖13所示當(dāng)打開(kāi)翻蓋移動(dòng)電話100時(shí)，如圖IO、圖12所說(shuō)明的那樣，根據(jù)波及到磁性檢測(cè)裝置20的外部磁場(chǎng)的強(qiáng)度變化，而檢知移動(dòng)電話IOO已打開(kāi)。圖13時(shí)的磁鐵101的配置如圖15的俯視圖所示，以旋轉(zhuǎn)軸為中心使上述移動(dòng)電話100的第1部件102旋轉(zhuǎn)180度，在圖13的狀態(tài)中，如圖14、圖16所示將作為上述第l部件102內(nèi)面的畫面顯示面102a朝向外面。此時(shí)如圖16所示，磁鐵101的朝向從圖15的配置狀態(tài)開(kāi)始偏轉(zhuǎn)。例如，當(dāng)通過(guò)翻轉(zhuǎn)第1部件102來(lái)啟動(dòng)照相機(jī)功能時(shí)，磁性檢測(cè)裝置20除了如圖13那樣檢知打開(kāi)或關(guān)閉了移動(dòng)電話100的情況的開(kāi)閉檢知功能之外，還可以檢知磁鐵101的朝向偏轉(zhuǎn)的情況，不過(guò)在本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20中可利用圖
1、圖2所示的電路結(jié)構(gòu)，通過(guò)具有兩個(gè)外部輸出端子40、 41來(lái)檢知正方向外部磁場(chǎng)(+H)檢知信號(hào)或負(fù)方向外部磁場(chǎng)(-H)檢知信號(hào)。
本實(shí)施方式中的傳感器部21的元件結(jié)構(gòu)僅作為一例，而不限于此。例如，與圖l、圖2所示的第1串聯(lián)電路26連接的第2電阻元件24以及與第3串聯(lián)電路30連接的第6電阻元件28是針對(duì)外部磁場(chǎng)電阻沒(méi)有變化的固定電阻元件，不過(guò)例如當(dāng)?shù)?電阻元件24的電阻針對(duì)正方向外部磁場(chǎng)(+H)發(fā)生變化時(shí)，與外部磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化相對(duì)的電阻值的增減由表示與上述第l磁阻效應(yīng)元件23逆傾向的磁阻效應(yīng)元件形成，另外，當(dāng)?shù)?電阻元件28的電阻針對(duì)負(fù)方向外部磁場(chǎng)(- H)發(fā)生變化時(shí)，與外部磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化相對(duì)的電阻值的增減由表示與上述第2磁阻效應(yīng)元件27逆傾向的磁阻效應(yīng)元件形成，在此情況下，可增大差動(dòng)電位，可使檢測(cè)靈敏度良好。
另外，是否對(duì)磁阻效應(yīng)元件給予偏置磁場(chǎng)是任意的?？梢圆粚?duì)構(gòu)成上述磁阻效應(yīng)元件的自由磁層供給偏置磁場(chǎng)，不過(guò)在供給上述偏置磁場(chǎng)的情況下，例如將固定磁層和自由磁層的磁化控制為在無(wú)磁場(chǎng)狀態(tài)下正交的關(guān)系。
另外，本實(shí)施方式的磁性檢測(cè)裝置20除了翻蓋式移動(dòng)電話的開(kāi)閉檢知以外，還可以用于游戲機(jī)等便攜式電子設(shè)備的開(kāi)閉檢知等。本形態(tài)除了上述開(kāi)閉檢知以外，還可以使用于需要雙極檢測(cè)對(duì)應(yīng)的磁性檢測(cè)裝置20的用途中。
2權(quán)利要求
1. 一種磁性檢測(cè)裝置，其特征在于，具有并聯(lián)連接第1串聯(lián)電路和第2串聯(lián)電路而構(gòu)成的橋式電路，在構(gòu)成上述第1串聯(lián)電路的多個(gè)電阻元件的至少任意一個(gè)中包含磁阻效應(yīng)元件，該磁阻效應(yīng)元件利用了電阻相對(duì)于外部磁場(chǎng)發(fā)生變化的磁阻效應(yīng)，構(gòu)成上述第2串聯(lián)電路的多個(gè)電阻元件由相對(duì)于外部磁場(chǎng)電阻不變化的固定電阻元件構(gòu)成，構(gòu)成上述第2串聯(lián)電路的上述固定電阻元件的元件電阻大于構(gòu)成上述第1串聯(lián)電路的上述電阻元件的元件電阻。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁性檢測(cè)裝置，其特征在于， 在基板上具有傳感器部和集成電路，該傳感器部具有上述第l串聯(lián)電路，該集成電路與上述傳感器部連接并輸出磁場(chǎng)檢測(cè)信號(hào)， 上述第2串聯(lián)電路被裝入上述集成電路內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁性檢測(cè)裝置，其特征在于， 還具有第3串聯(lián)電路，在上述第l串聯(lián)電路中設(shè)置的上述磁阻效應(yīng)元件是利用了電阻根據(jù)某 一個(gè)方向的外部磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化而發(fā)生變化的磁阻效應(yīng)的元件，在構(gòu)成上述第3串聯(lián)電路的多個(gè)電阻元件的至少任意一個(gè)中包含磁阻 效應(yīng)元件，該磁阻效應(yīng)元件的電阻相對(duì)于與上述一個(gè)方向相反的相反方向 的外部磁場(chǎng)發(fā)生變化，并聯(lián)連接上述第1串聯(lián)電路和上述第2串聯(lián)電路，構(gòu)成上述一個(gè)方向的 外部磁場(chǎng)檢測(cè)用的第l橋式電路，并且并聯(lián)連接上述第2串聯(lián)電路和上述第 3串聯(lián)電路，構(gòu)成上述相反方向的外部磁場(chǎng)檢測(cè)用的第2橋式電路。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁性檢測(cè)裝置，其特征在于， 構(gòu)成上述第3串聯(lián)電路的多個(gè)電阻元件全部由相同的材料層形成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的磁性檢測(cè)裝置，其特征在于， 在基板上具有傳感器部和集成電路，該傳感器部具有上述第l串聯(lián)電路和上述第3串聯(lián)電路，該集成電路與上述傳感器部連接并輸出磁場(chǎng)檢測(cè)信號(hào)，上述第2串聯(lián)電路被裝入上述集成電路內(nèi)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的磁性檢測(cè)裝置，其特征在于， 在上述基板上形成上述集成電路，在上述集成電路上經(jīng)由絕緣層形成上述傳感器部。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的磁性檢測(cè)裝置，其特征在于，構(gòu)成上述第l串聯(lián)電路的多個(gè)電阻元件全部由相同的材料層形成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的磁性檢測(cè)裝置，其特征在于， 構(gòu)成上述第2串聯(lián)電路的多個(gè)固定電阻元件全部由相同的材料層形成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁性檢測(cè)裝置，其特征在于， 上述固定電阻元件由硅(Si)形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁性檢測(cè)裝置，其中，由固定電阻元件(31、32)構(gòu)成第2串聯(lián)電路(34)的電阻元件，該第2串聯(lián)電路(34)與具有第1磁阻效應(yīng)元件(23)的第1串聯(lián)電路(26)以及具有第2磁阻效應(yīng)元件(27)的第3串聯(lián)電路(30)雙方并聯(lián)連接，使上述固定電阻元件(31、32)的元件電阻大于構(gòu)成傳感器部(21)的各電阻元件(23、24、27、28)的元件電阻。從而，與現(xiàn)有相比能夠降低消耗電流。
文檔編號(hào)H01L43/08GK101512369SQ200780032229
公開(kāi)日2009年8月19日 申請(qǐng)日期2007年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月30日
發(fā)明者佐佐木義人, 佐藤清, 菊入勝也 申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社