專利名稱：超導(dǎo)薄膜材料的制造方法，超導(dǎo)裝置和超導(dǎo)薄膜材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造超導(dǎo)薄膜材料的方法、超導(dǎo)裝置和超導(dǎo)薄膜材料。
更具體地，本發(fā)明涉及制造具有RE123組合物的超導(dǎo)薄膜材料的方法、 超導(dǎo)裝置和超導(dǎo)薄膜材料。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在顯著發(fā)展的兩種類型的超導(dǎo)線是使用鉍基超導(dǎo)體的超導(dǎo)線 和使用RE123基超導(dǎo)體的超導(dǎo)線。在這些導(dǎo)線中，RE123基超導(dǎo)線具 有的優(yōu)點是，在液氮溫度(77.3K)下的臨界電流密度大于鉍基超導(dǎo)線。 另外，它還具有的優(yōu)點是在低溫條件和恒定磁場條件下的高臨界電流 值。因此，RE123基超導(dǎo)線被認(rèn)為是下一代的高溫超導(dǎo)線。
與鉍基超導(dǎo)體不同，RE123基超導(dǎo)體不能用銀包套覆蓋。因此， 通過例如氣相方法在網(wǎng)紋金屬襯底上沉積超導(dǎo)體膜(超導(dǎo)薄膜材料) 而制造RE123基超導(dǎo)體。
例如公開號為2003-323822的日本專利(專利文獻1)公開了一種 制造傳統(tǒng)的RE123基超導(dǎo)薄膜材料的方法。專利文獻1公開了使用脈 沖激光沉積(PLD)方法在金屬帶襯底上形成中間層，使用脈沖激光沉 積方法在中間層上形成具有RE123組合物的第一超導(dǎo)層，以及使用脈 沖激光沉積方法在第一超導(dǎo)層上形成具有RE123組合物的第二超導(dǎo)層 的技術(shù)。專利文獻1的制造超導(dǎo)薄膜材料的方法通過沉積多個超導(dǎo)層 可以增加超導(dǎo)薄膜材料的膜厚。因此，增加了電流流過的橫截面積， 并且可以增加超導(dǎo)線的臨界電流值。
專利文獻l:日本專利公開號為2003-32382
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題
然而，使用傳統(tǒng)制造方法獲得的超導(dǎo)線具有如下特性。隨著超導(dǎo) 薄膜材料的厚度增加，臨界電流密度減少，并且臨界電流值的增加逐漸變得緩慢。因此導(dǎo)致不能改善臨界電流值的問題。
因此本發(fā)明的目的是提供可以改善臨界電流值的制造超導(dǎo)薄膜材 料的方法、超導(dǎo)裝置和超導(dǎo)薄膜材料。
解決問題的方法
根據(jù)本發(fā)明的一方面，制造超導(dǎo)薄膜材料的方法包括形成基底層 的基底層步驟和通過使用氣相方法形成超導(dǎo)層使得超導(dǎo)層與基底層相 接觸的超導(dǎo)層步驟。在基底層步驟和超導(dǎo)層步驟之間，將基底層保持 在水汽減少的環(huán)境或二氧化碳減少的環(huán)境中。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，制造超導(dǎo)薄膜材料的方法包括形成基底 層的基底層步驟和通過使用氣相方法形成超導(dǎo)層使得超導(dǎo)層與基底層 相接觸的超導(dǎo)層步驟。在基底層步驟和超導(dǎo)層步驟之間，保持基底層 使其不暴露在空氣中。
本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，空氣中的濕氣和空氣中的任意雜質(zhì)，如二 氧化碳，附著于超導(dǎo)層的基底層從而損壞超導(dǎo)層的質(zhì)量，這是妨礙臨 界電流值增加的原因。專利文獻1中的制造超導(dǎo)薄膜材料的方法將金 屬帶襯底從真空容器中移出以便例如替換導(dǎo)線的繞組，并且在中間層 的形成和第一超導(dǎo)層的形成之間、以及在第一超導(dǎo)層的形成和第二超 導(dǎo)層的形成之間將金屬帶襯底放置在空氣中。因此，空氣中的濕氣和 的任意雜質(zhì)如二氧化碳附著于超導(dǎo)層的基底層(例如中間層和基底超 導(dǎo)層)。雜質(zhì)與超導(dǎo)層發(fā)生反應(yīng)從而損壞超導(dǎo)薄膜材料的超導(dǎo)特性， 導(dǎo)致臨界電流值減少。
因此，本發(fā)明的制造超導(dǎo)薄膜材料的方法，在基底層步驟和超導(dǎo) 層步驟之間，將基底層保持在水汽減少的環(huán)境或二氧化碳減少的環(huán)境 中，或者使基底層保持不暴露在空氣中。因此，可以防止空氣中的濕 氣或二氧化碳附著于超導(dǎo)層的基底層。因此，可以防止損壞超導(dǎo)薄膜 材料的超導(dǎo)特性，并且由于超導(dǎo)薄膜材料的厚度增加而可以改善臨界 電流值。
這里，"水汽減少的環(huán)境"指的是包含的濕氣等于或低于在室溫
下(20至25。C)干燥空氣的濕氣含量的環(huán)境。也就是說，水汽減少的 環(huán)境指的是水汽環(huán)境具有的濕氣含量低于在室溫下具有10%濕度的空 氣的濕氣含量，并且具體地相當(dāng)于，例如環(huán)境具有的壓力低于大氣壓 力或環(huán)境充填有例如氮或氬的惰性氣體。此外，"二氧化碳減少的環(huán) 境"指的是環(huán)境具有的二氧化碳含量低于空氣的二氧化碳含量。除了 環(huán)境具有的壓力低于大氣壓力(減壓環(huán)境)以外，水汽減少的環(huán)境和 二氧化碳減少的環(huán)境包括環(huán)境填充有例如氮的惰性氣體。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的制造超導(dǎo)薄膜材料的方法，在基底層步驟 中形成基底超導(dǎo)層作為基底層。
因此，任何雜質(zhì)較少地傾向于附著至基底超導(dǎo)層的表面。因此， 在沉積多個超導(dǎo)層以形成具有大厚度的超導(dǎo)層的情況下，可以防止損 壞在基底超導(dǎo)層上形成的超導(dǎo)層的超導(dǎo)特性。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的制造超導(dǎo)薄膜材料的方法，在基底層步驟 中形成中間層作為基底層。
因此，任何雜質(zhì)較少地傾向于附著至中間層的表面。從而可以防 止損壞在中間層上形成的超導(dǎo)層的超導(dǎo)特性。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的制造超導(dǎo)薄膜材料的方法，在基底層步驟 中在襯底上形成基底層。所述襯底由金屬制成，所述基底層由具有巖 石型、鈣鈦礦型和燒綠石型中任一種晶體結(jié)構(gòu)的氧化物制成，并且超
導(dǎo)層具有RE123組合物。
這樣，可以獲得具有極好的晶體取向和表面光滑度的超導(dǎo)薄膜材 料，并且可以改善臨界電流密度和臨界電流值。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的制造超導(dǎo)薄膜材料的方法，在基底層步驟 中，在帶狀襯底上形成基底層，并且當(dāng)在襯底上形成基底層的位置沿 襯底縱向的一個方向移動時形成基底層。在超導(dǎo)層步驟中，當(dāng)在基底 層上形成超導(dǎo)層的位置沿與上述一個方向相對的方向移動時形成超導(dǎo) 層。
因此，可以連續(xù)地形成基底層和超導(dǎo)層而不用例如替換導(dǎo)線的繞 組。因此，在基底層步驟和超導(dǎo)層步驟之間，可以容易地將基底層保 持在減壓環(huán)境中。
對于本發(fā)明的制造超導(dǎo)薄膜材料的方法，優(yōu)選的氣相方法是激光 沉積方法、濺射方法和電子束蒸發(fā)方法中的任意一種。
這樣，可以獲得具有極好的晶體取向和表面光滑度的超導(dǎo)薄膜材 料，并且可以改善臨界電流密度和臨界電流值。
根據(jù)本發(fā)明的超導(dǎo)裝置使用通過上述制造超導(dǎo)薄膜材料的方法制 造的超導(dǎo)薄膜材料。
用本發(fā)明的超導(dǎo)裝置，可以改善臨界電流密度和臨界電流值。
優(yōu)選地的本發(fā)明的超導(dǎo)裝置是使用超導(dǎo)薄膜材料的超導(dǎo)裝置，所
述超導(dǎo)薄膜材料包括第一超導(dǎo)層、形成為與第一超導(dǎo)層相接觸的第二 超導(dǎo)層和形成為與第二超導(dǎo)層相接觸的第三超導(dǎo)層，并且具有大于70
(A/cm-寬度)的臨界電流值。
應(yīng)該注意到，這里的"RE123"指的是RExBayCuz07.d，其中0.7 S x 1.7 Sy S2.3， 2.7 Sz ^3.3。
"RE123"中的RE指的是包括稀
土元素和釔元素中的至少任意一種的材料。稀土元素包括例如釹(Nd)、 軋(Gd)、鈥(Ho)和釤(Sm)。
發(fā)明效果
用本發(fā)明的制造超導(dǎo)薄膜材料的方法、超導(dǎo)裝置和超導(dǎo)薄膜材料， 可以改善臨界電流值。


圖1是示出了本發(fā)明一個實施方式中超導(dǎo)薄膜材料的結(jié)構(gòu)的局部 橫截面透視圖。
圖2是示出了本發(fā)明一個實施方式中制造超導(dǎo)薄膜材料的方法的 流程圖。
圖3示出了在本發(fā)明一個實施方式中通過連續(xù)沉積形成中間層的 方式。
圖4示出了在本發(fā)明一個實施方式中通過連續(xù)沉積形成超導(dǎo)層的 方式。
圖5示出了在本發(fā)明一個實施方式中通過固定沉積形成層的方式。
圖6示出了在本發(fā)明實施例1中的超導(dǎo)層的厚度和臨界電流值之 間的關(guān)系。
圖7是示出了在本發(fā)明一個實施方式中的超導(dǎo)薄膜材料的另一種 結(jié)構(gòu)的局部橫截面透視圖。
附圖標(biāo)記的說明
l金屬襯底，2中間層，3-5超導(dǎo)層，IO超導(dǎo)薄膜材料，11、 12旋 轉(zhuǎn)軸，13氣相沉積源，14平臺，20室。
具體實施例方式
下面將基于附圖描述本發(fā)明的實施方式。
圖1是示出了本發(fā)明一個實施方式中超導(dǎo)薄膜材料的結(jié)構(gòu)的局部 橫截面透視圖。參照圖1，本實施方式中的超導(dǎo)薄膜材料IO是帶狀的， 并且包括金屬襯底l、中間層2、超導(dǎo)層3和超導(dǎo)層4。超導(dǎo)薄膜材料 IO用于如例如超導(dǎo)裝置的裝置。
金屬襯底1由金屬制成，例如不銹鋼、鎳合金(例如哈斯特洛伊 合金)或銀合金。
中間層2形成在金屬襯底1上并且起到擴散防止層的作用。中間 層2由氧化物制成，所述氧化物具有例如巖石類型、鈣鈦礦類型和燒 綠石類型中的任意一種晶體結(jié)構(gòu)。具體地，中間層2由例如二氧化鈰、 釔穩(wěn)定氧化鋯(YSZ)、氧化鎂、氧化釔、氧化鐿或氧化鋯鋇的材料制 成。
超導(dǎo)層3和超導(dǎo)層4層疊在中間層2上。超導(dǎo)層3和超導(dǎo)層4由 基本相同的材料制成并且例如具有RE123組合物。
盡管關(guān)于圖1描述了包括中間層2的結(jié)構(gòu)，但可以不包括中間層2。
現(xiàn)在將要描述本實施方式中制造超導(dǎo)薄膜材料的方法。
圖2是示出了本發(fā)明一個實施方式中制造超導(dǎo)薄膜材料的方法的 流程圖。參照圖1和2，根據(jù)本實施方式的制造超導(dǎo)薄膜材料的方法，
首先制備金屬襯底1 (步驟Sl)。然后，通過激光沉積方法在金屬襯
底1上形成例如由YSZ制成的中間層2 (步驟S2)。在金屬襯底l是 帶狀的情況下，例如通過下述的連續(xù)沉積而形成中間層2。
圖3示出了在本發(fā)明一個實施方式中通過連續(xù)沉積形成中間層的 方式。參照圖3，將帶狀金屬襯底l纏繞在設(shè)置在室20中的旋轉(zhuǎn)軸11 上。金屬襯底1的一端從旋轉(zhuǎn)軸11延伸并且固定于旋轉(zhuǎn)軸12。然后， 在室20中形成減壓環(huán)境，并且旋轉(zhuǎn)軸11和12沿箭頭Al和Bl各自的 方向旋轉(zhuǎn)。因此，沿箭頭C1方向傳送金屬襯底1，并且已經(jīng)纏繞在旋 轉(zhuǎn)軸11上的金屬襯底1接著纏繞在旋轉(zhuǎn)軸12上。當(dāng)沿箭頭Cl方向傳 送金屬襯底1時，沿箭頭D的方向從氣相沉積源13噴射作為中間層2 的成分的原子，從而在金屬襯底1上形成中間層2。也就是說，在金屬 襯底1上形成中間層2的位置沿金屬襯底1的縱向(從固定至旋轉(zhuǎn)軸 12的一端指向固定在旋轉(zhuǎn)軸11的另一端的方向)移動的過程中形成中 間層2。當(dāng)中間層2的形成完成時，整個金屬襯底1纏繞在旋轉(zhuǎn)軸12 上。
參照圖1和2，在形成中間層2之后，室20內(nèi)部仍然保持減壓環(huán) 境。然后，通過氣相方法形成具有例如RE123組合物的超導(dǎo)層3，使 得超導(dǎo)層3與作為基底層的中間層2相接觸(步驟S3)。作為用于形 成超導(dǎo)層3的氣相方法，例如使用激光沉積方法、濺射方法或電子束 蒸發(fā)方法。例如通過下述的連續(xù)沉積而形成超導(dǎo)層3。
圖4示出了在本發(fā)明一個實施方式中通過連續(xù)沉積形成超導(dǎo)層的 方式。參照圖3，整個金屬襯底1纏繞在旋轉(zhuǎn)軸12上，并且金屬襯底 1的另一端延伸并固定于旋轉(zhuǎn)軸11。然后，旋轉(zhuǎn)軸11和12沿箭頭A1 和B2各自的方向旋轉(zhuǎn)。因此，沿箭頭C2方向傳送金屬襯底1，并且 已經(jīng)纏繞在旋轉(zhuǎn)軸12上的金屬襯底1接著纏繞在旋轉(zhuǎn)軸11上。當(dāng)沿 箭頭C2方向傳送金屬襯底1時，沿箭頭D的方向從氣相沉積源13噴 射作為超導(dǎo)層3的成分的原子，從而在中間層2上形成超導(dǎo)層3。也就
是說，在金屬襯底1上形成超導(dǎo)層3的位置沿金屬襯底1的縱向(從 固定至旋轉(zhuǎn)軸11的一端指向固定在旋轉(zhuǎn)軸12的一端的方向)移動的
過程中形成中間層2。當(dāng)超導(dǎo)層3的形成完成時，整個金屬襯底l纏繞
在旋轉(zhuǎn)軸11上。
參照圖1和2，在形成超導(dǎo)層3之后，室20內(nèi)部仍然保持減壓環(huán) 境。然后，通過氣相方法形成具有例如RE123組合物的超導(dǎo)層4，使 得超導(dǎo)層4與作為基底超導(dǎo)層的超導(dǎo)層3相接觸(步驟S4)。作為用 于形成超導(dǎo)層4的氣相方法，例如使用激光沉積方法、濺射方法或電 子束蒸發(fā)方法。通過例如與圖3中(當(dāng)沿箭頭Cl方向傳送金屬襯底1) 示出的形成中間層2的方法相同的方法形成超導(dǎo)層4。
這樣，當(dāng)金屬襯底1依次纏繞在旋轉(zhuǎn)軸11和12上時，中間層2、 超導(dǎo)層3和超導(dǎo)層4每一個在另一個上形成。因此，可以在減壓環(huán)境 中形成這些層，而不需要將金屬襯底l從室20中移出。通過上述處理 步驟，完成了超導(dǎo)薄膜材料IO。
在不形成中間層2的情況下，不執(zhí)行上述形成中間層2的步驟(步 驟S2)，并且在形成超導(dǎo)層3的步驟中(步驟S3)，形成超導(dǎo)層3使 其與金屬襯底l相接觸。
參照圖3，在連續(xù)沉積中間層2和超導(dǎo)層3的傳統(tǒng)情況下，僅沿 箭頭C1方向傳送金屬襯底1。也就是說，在傳統(tǒng)情況下，當(dāng)沿箭頭C1 方向傳送金屬襯底1時，氣相沉積一層，并且當(dāng)氣相沉積完成時，金 屬襯底纏繞在其上的旋轉(zhuǎn)軸12和金屬襯底11彼此替換。然后，當(dāng)再 次沿箭頭C1方向傳送金屬襯底1時，氣相沉積隨后的層。由于為了將 導(dǎo)線的繞組彼此替換(將旋轉(zhuǎn)軸彼此替換)而將金屬襯底1從室20中 移出，空氣中的濕氣和例如二氧化碳的任意雜質(zhì)附著到中間層2和超 導(dǎo)層3的表面。
本實施方式中的制造超導(dǎo)薄膜材料的方法使中間層2在中間層2 的形成和超導(dǎo)層3的形成之間保持在減壓環(huán)境中。因此，可以防止空
氣中的任何雜質(zhì)附著到中間層2。類似地，在超導(dǎo)層3的形成和超導(dǎo)層 4的形成之間，使超導(dǎo)層3保持在減壓環(huán)境中。因此，可以防止空氣中 的任何雜質(zhì)附著到超導(dǎo)層3。因此，可以防止損壞超導(dǎo)層3和4各自的 超導(dǎo)特性，并且由于超導(dǎo)薄膜材料的薄膜厚度增加而可以改善臨界電 流值。
由于在金屬襯底1上形成由具有巖石類型、鈣鈦礦類型和燒綠石 類型中的任一晶體結(jié)構(gòu)的氧化物制成的中間層2，并且超導(dǎo)層3和超導(dǎo) 層4都具有RE123組合物，因此可以獲得具有極好的表面光滑度和晶 體緊密度的超導(dǎo)薄膜材料，并且可以改善臨界電流密度和臨界電流值。
此外，由于氣相方法是激光沉積方法、濺射方法和電子束蒸發(fā)方 法中的任意一種，可以獲得具有極好的表面光滑度和晶體緊密度的超 導(dǎo)薄膜材料，并且可以改善臨界電流密度和臨界電流值。
雖然本實施方式顯示了形成超導(dǎo)層3 (第一超導(dǎo)層)和超導(dǎo)層4 (第二超導(dǎo)層)這兩層的情況，如圖7所示還可以在超導(dǎo)層4上形成 超導(dǎo)層5 (第三超導(dǎo)層)?？梢栽诒舜酥闲纬纱罅康某瑢?dǎo)層以增加超 導(dǎo)薄膜材料的薄膜厚度。
此外，本實施方式顯示了在減壓環(huán)境中通過連續(xù)沉積形成中間層 2、超導(dǎo)層3和超導(dǎo)層4的情況。可替換地，例如圖5所示，本發(fā)明可 以通過將金屬襯底1固定至平臺4并且將水汽沉積源13固定至室20 而固定沉積形成中間層2、超導(dǎo)層3和超導(dǎo)層4的每一個。換句話說， 要滿足的條件是，在基底層的形成和超導(dǎo)層的形成之間，將基底層保 持在水汽減少的環(huán)境或二氧化碳減少的環(huán)境中，或者使其保持不暴露 在空氣中。
實施例1
在本實施例中，制造本發(fā)明的實施例A至D和比較實施例E至H 的各個超導(dǎo)薄膜材料，并且測量其臨界電流值。
對于本發(fā)明的實施例A至D，在鎳合金襯底上，使用氣相沉積方 法沉積由金屬基氧化物制成的中間層。然后，使用激光沉積方法在中 間層上沉積多個由HoBa2Cu3Ox (HoBCO)制成的超導(dǎo)層。每一個超導(dǎo) 層具有0.3/mi的厚度，并且改變沉積的超導(dǎo)層的數(shù)量使得形成三個超 導(dǎo)層、五個超導(dǎo)層、七個超導(dǎo)層和九個超導(dǎo)層，從而改變超導(dǎo)層的總 厚度。通過連續(xù)沉積并且在中間層和超導(dǎo)層的一個形成步驟和隨后的 形成步驟之間形成超導(dǎo)層，將樣品保持在減壓環(huán)境中而不暴露在空氣 中。
對于比較實施例E至H，在鎳合金襯底上，使用氣相沉積方法沉 積由金屬基氧化物制成的中間層。然后，使用激光沉積方法在中間層 上沉積多個由HoBa2Qi30x (HoBCO)制成的超導(dǎo)層。每一個超導(dǎo)層具 有0.3/mi的厚度，并且改變沉積的超導(dǎo)層的數(shù)量使得形成三個超導(dǎo)層、 五個超導(dǎo)層、七個超導(dǎo)層和九個超導(dǎo)層，從而改變超導(dǎo)層的總厚度。 通過連續(xù)沉積并且在中間層和超導(dǎo)層的一個形成步驟和隨后的形成步 驟之間形成超導(dǎo)層，將樣品暴露在空氣中。
在表1和圖6中示出為本發(fā)明的實施例A至D和比較實施例E至 H的每一個測量的每cm寬度的臨界電流值。
表1
<formula>formula see original document page 14</formula>參照表1和圖6，對于本發(fā)明的實施例A至D,臨界電流值隨著 超導(dǎo)層的薄膜厚度的增加而增加。相反地，對于比較實施例E至H， 臨界電流值隨著超導(dǎo)層的薄膜厚度的增加而減少。由此可以看出，通 過在中間層和超導(dǎo)層的一個沉積步驟和隨后的沉積步驟之間使樣品保 持在減壓環(huán)境中，當(dāng)超導(dǎo)層的厚度增加時可以改善臨界電流值。
應(yīng)該解釋的是，上面公開的實施方式是以說明的方式而不是限制 的方式。其意味著本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求而不是上面的實施方式和 實施例限定，并且包括與權(quán)利要求在意義和范圍上相等的所有改進和 變化。
工業(yè)實用性
本發(fā)明適用于包括例如超導(dǎo)故障電流限制器、磁場發(fā)生裝置、超 導(dǎo)電纜、超導(dǎo)母線和超導(dǎo)線圈等超導(dǎo)裝置。
1權(quán)利要求
1. 一種制造超導(dǎo)薄膜材料(10)的方法，其包括形成基底層(2，3)的基底層步驟；以及通過氣相方法形成超導(dǎo)層(4)的超導(dǎo)層步驟，該超導(dǎo)層步驟使得超導(dǎo)層與所述基底層相接觸，其中在所述基底層步驟和所述超導(dǎo)層步驟之間，使所述基底層保持在水汽減少的環(huán)境或二氧化碳減少的環(huán)境中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造超導(dǎo)薄膜材料(10)的方法，其中在所述基底層步驟中，形成基底超導(dǎo)層(3)作為所述基底層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造超導(dǎo)薄膜材料(10)的方法，其中 在所述基底層步驟中，在帶狀襯底(1)上形成所述基底層(2， 3)，并且當(dāng)在所述襯底上形成所述基底層的位置在沿所述襯底的縱向的一 個方向(Cl)移動的時候形成所述基底層，并且在所述超導(dǎo)層步驟中，當(dāng)在所述基底層上形成所述超導(dǎo)層的位置 沿與所述一個方向相對的方向(C2)移動的時候形成所述超導(dǎo)層(4)。
4. 一種超導(dǎo)裝置，其使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造超導(dǎo)薄膜材 料的方法制造的超導(dǎo)薄膜材料(10)。
5. —種制造超導(dǎo)薄膜材料(10)的方法，其包括 形成基底層(2， 3)的基底層步驟；以及通過氣相方法形成超導(dǎo)層(4)的超導(dǎo)層步驟，該超導(dǎo)層步驟使得 超導(dǎo)層與所述基底層相接觸，在所述基底層步驟和所述超導(dǎo)層步驟之間，使所述基底層保持不 暴露在空氣中。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造超導(dǎo)薄膜材料(10)的方法，其中 在所述基底層步驟中，形成基底超導(dǎo)層(3)作為所述基底層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造超導(dǎo)薄膜材料(10)的方法，其中 在所述基底層步驟中，在帶狀襯底(1)上形成所述基底層(2， 3)，并且當(dāng)在所述襯底上形成所述基底層的位置在沿所述襯底的縱向的一 個方向(Cl)移動的時候形成所述基底層，并且在所述超導(dǎo)層步驟中，當(dāng)在所述基底層上形成所述超導(dǎo)層的位置 沿與所述一個方向相對的方向(C2)移動的時候形成所述超導(dǎo)層(4)。
8. —種超導(dǎo)裝置，其使用根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造超導(dǎo)薄膜材 料的方法制造的超導(dǎo)薄膜材料(10)。
9. 一種超導(dǎo)薄膜材料(10)，其包括第一超導(dǎo)層(3)、形成為 與所述第一超導(dǎo)層相接觸的第二超導(dǎo)層(4)和形成為與所述第二超導(dǎo) 層相接觸的第三超導(dǎo)層(5)，并且具有大于70 (A/cm-寬度)的臨界 電流值。
全文摘要
一種制造超導(dǎo)薄膜材料的方法，其包括形成中間層(2)的步驟，形成與中間層(2)相接觸的一個超導(dǎo)層(3)的步驟，以及通過氣相方法形成與所述一個超導(dǎo)層(3)相接觸的另一個超導(dǎo)層(4)的步驟。在形成中間層(2)的步驟和形成一個超導(dǎo)層(3)的步驟之間，將中間層(2)保持在水汽減少的環(huán)境或二氧化碳減少的環(huán)境中，或者在形成一個超導(dǎo)層(3)的步驟和形成另一個超導(dǎo)層(4)的步驟之間，將所述一個超導(dǎo)層(3)保持在水汽減少的環(huán)境或二氧化碳減少的環(huán)境中。因此，可以改善臨界電流值。
文檔編號H01B12/06GK101385097SQ200780005910
公開日2009年3月11日 申請日期2007年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月16日
發(fā)明者上山宗譜, 大松一也, 母倉修司, 長谷川勝哉 申請人:住友電氣工業(yè)株式會社