一種掃描磁探針顯微鏡的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種掃描磁探針顯微鏡，包括：低溫杜瓦設置在基準平臺的凹槽內(nèi)，用于儲存液氮以降低其內(nèi)部的樣品的溫度；樣品調平裝置設置在低溫杜瓦內(nèi)，用于在樣本放入時調節(jié)樣品的高度以使該樣本與基準平臺保持平行狀態(tài)；二維掃描平臺設置在基準平臺的上表面，用于調節(jié)磁探針裝置的位置以使磁探針裝置處于不同的檢測位置；勵磁磁體設置在樣本調平裝置的上方，且內(nèi)部用于放置樣本，用于為樣本提供外部磁場；磁探針裝置固定所述二維掃描平臺上，并且懸于樣品調平裝置的正上方；計算模塊與磁探針裝置相連接，用于根據(jù)磁探針裝置所檢測出的磁場空間分布信息計算樣品的電流密度。本發(fā)明可以無損連續(xù)檢測超導帶材的臨界電流密度。
【專利說明】
一種掃描磁探針顯微鏡
技術領域
[0001] 本發(fā)明涉及材料檢測技術領域，尤其涉及一種掃描磁探針顯微鏡，可以廣泛用于 超導帶材、磁性薄膜、導電薄膜等材料局部性能和缺陷檢測。
【背景技術】
[0002] 超導材料由于沒有電阻且可以攜帶大電流在例如大型電力裝置等電力設備中得 到廣泛應用。對于超導帶、超導薄膜，其電流傳輸性能是反映性能的最基本參數(shù)。
[0003] 目前，普遍采取"四引線法"測量臨界電流以反映超導材料的電流傳輸性能：即在 樣品兩端加載電流，觀測電壓信號。通過不斷增加電流，觀測電壓的變化情況，若每厘米樣 品產(chǎn)生1微伏的電壓變化作該樣品失超判據(jù)，確定超導帶材的臨界電流。該"四引線法"的原 理簡單，廣泛應用于實驗室級別的長度小于l〇cm的短樣品測量。但是，由于在測量中電流引 線和電壓引線需要與樣品接觸，有可能對超導帶材造成機械損傷。另外，上述方法也不方便 百米級長帶的連續(xù)快速測量。
[0004] 為解決上述問題，申請為201010033688.5的中國專利申請公開了一種磁路法探測 超導帶材電流傳輸能力的方法，利用雙狹縫磁路和霍爾探頭實現(xiàn)了對高溫超導帶材電流傳 輸能力的測量。但是，上述方法只能對帶材整體性能進行測量，而對帶材寬度方向則沒有分 辨能力，從而無法對帶材整體性能進行評價。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 針對現(xiàn)有技術中的缺陷，本發(fā)明提供一種掃描磁探針顯微鏡，用于解決現(xiàn)有技術 中無法局部測量超導帶村而導致無法對超導帶材整體評價的問題。
[0006] 第一方面，本發(fā)明提供了一種掃描磁探針顯微鏡，包括:二維掃描平臺、基準平臺、 樣品調平裝置、勵磁磁體、低溫杜瓦、磁探針裝置和計算模塊；
[0007] 所述低溫杜瓦設置在所述基準平臺的凹槽內(nèi)，用于儲存液氮以降低其內(nèi)部的樣品 的溫度；
[0008] 所述樣品調平裝置設置在所述低溫杜瓦內(nèi)，用于在樣本放入時調節(jié)樣品的高度以 使該樣本與所述基準平臺保持平行狀態(tài)；
[0009]所述二維掃描平臺設置在所述基準平臺的上表面，用于調節(jié)所述磁探針裝置的位 置以使所述磁探針裝置處于不同的檢測位置；
[0010]所述勵磁磁體設置在所述樣本調平裝置的上方，且內(nèi)部用于放置樣本，用于為所 述樣本提供外部磁場；
[0011]所述磁探針裝置固定所述二維掃描平臺上，并且懸于所述樣品調平裝置的正上 方，用于在施加外部磁場時檢測樣本上方的磁場空間分布信息；
[0012] 所述計算模塊與所述磁探針裝置相連接，用于根據(jù)磁探針裝置所檢測出的磁場空 間分布信息計算所述樣品的電流密度。
[0013] 可選地，所述二維掃描平臺包括二維平臺豎梁和二維平臺橫梁;所述二維平臺豎 梁固定在所述基準平臺上;所述二維平臺橫梁的一端設置在所述二維平臺豎梁的上表面， 并且可沿著所述二維平臺豎梁方向移動。
[0014] 可選地，所述二維掃描平臺還包括輔助二維平臺橫梁，所述輔助二維平臺橫梁的 一端設置在所述二維平臺豎梁的上表面，并且可沿著所述二維平臺豎梁方向移動。
[0015] 可選地，所述磁探針裝置包括至少一組探針單元，每組探針單元包括磁探針、探針 支桿以及探針基座，所述磁探針通過所述探針支桿固定在所述探針基座上，所述探針基座 設置在所述二維平臺橫梁或者輔助二維平臺橫梁的一側，用于調節(jié)所述磁探針的檢測位 置。
[0016] 可選地，所述磁探針為霍爾元件、巨磁阻元件、磁通門器件、超導量子干涉儀中的 一種。
[0017] 可選地，所述磁探針裝置還包括至少一個彈性部件，所述彈性部件設置在所述探 針支桿與所述探針基座之間，用于使所述探針與樣品表面保持接觸。
[0018] 可選地，所述樣本調平裝置包括樣品臺基座、多個剛性連桿以及與剛性連桿一一 對應的調平螺栓、測距探頭;所述多個剛性連桿的一端固定在所述樣品臺基座上，另一端通 過相對應的調平螺栓固定在所述基準平臺上;所述測距探頭固定在二維平臺橫梁的一側；
[0019] 所述測距探頭測量與樣品臺基座之間的距離，然后通過調節(jié)多個調平螺栓以調節(jié) 所述樣品臺基座的平整度。
[0020] 可選地，所述計算模塊利用畢奧薩伐爾反卷積算法獲取樣品的電流密度。
[0021] 可選地，還包括傳動裝置，所述傳動裝置用于使超導長帶與所述樣品臺基座保持 平行狀態(tài)且從所述磁探針與所述勵磁磁體之間通過。
[0022]可選地，所述傳動裝置包括第一校正輪和第二校正輪;所述第一校正輪與所述第 二校正輪設置在所述基準平臺上，并且所述第一校正輪與所述第二校正輪的最低點位于同 一個水平面。
[0023]由上述技術方案可知，本發(fā)明提供了一種掃描磁探針顯微鏡，通過設置二維掃描 平臺可以調節(jié)所述磁探針裝置的位置以使所述磁探針裝置處于不同的檢測位置，可以檢測 超導材料不同位置磁場空間分布信息以檢測超導材料的局部缺陷。另外，本發(fā)明通過畢奧 薩伐爾反卷積算法超導材料的局部臨界電流密度，從而反映超導材料樣品內(nèi)部局部質量， 為材料學研究者改善材料提供重要分析手段。
【附圖說明】
[0024]通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點，附圖是示意性的而不應理 解為對本發(fā)明進行任何限制，在附圖中：
[0025]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種掃描磁探針顯微鏡的結構示意圖；
[0026]圖2是圖1中掃描磁探針顯微鏡的樣品調平裝置的結構示意圖；
[0027] 圖3是利用永磁體為樣品勵磁的結構示意圖；
[0028] 圖4是本發(fā)明實施例計算樣品電流密度的流程示意圖；
[0029] 圖5是本發(fā)明實施例中測得的磁場空間分布信息示意圖；
[0030] 圖6是根據(jù)圖5所示的磁場空間分布信息計算的樣品電流密度的示意圖；
[0031 ]圖7是本發(fā)明實施例提供的一種帶有彈性部件的磁探針裝置的結構示意圖；
[0032] 圖8是本發(fā)明實施例提供的一種帶有輔助二維平臺橫梁的二維掃描平臺的結構示 意圖；
[0033] 圖9是本發(fā)明實施例提供的一種帶有傳動裝置的掃描磁探針顯微鏡的結構示意 圖。
【具體實施方式】
[0034]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例 中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是 本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員 在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0035]本發(fā)明提供了一種掃描磁探針顯微鏡，包括:二維掃描平臺、基準平臺、樣品調平 裝置、勵磁磁體、低溫杜瓦、磁探針裝置和計算模塊；
[0036] 所述低溫杜瓦設置在所述基準平臺的凹槽內(nèi)，用于儲存液氮以降低其內(nèi)部的樣品 的溫度；
[0037] 所述樣品調平裝置設置在所述低溫杜瓦內(nèi)，用于在樣本放入時調節(jié)樣品的高度以 使該樣本與所述基準平臺保持平行狀態(tài)；
[0038] 所述二維掃描平臺設置在所述基準平臺的上表面，用于調節(jié)所述磁探針裝置的位 置以使所述磁探針裝置處于不同的檢測位置；
[0039] 所述勵磁磁體設置在所述樣本調平裝置的上方，且內(nèi)部用于放置樣本，用于為所 述樣本提供外部磁場；
[0040] 所述磁探針裝置固定所述二維掃描平臺上，并且懸于所述樣品調平裝置的正上 方，用于在施加外部磁場時檢測樣本上方的磁場空間分布信息；
[0041] 所述計算模塊與所述磁探針裝置相連接，用于根據(jù)磁探針裝置所檢測出的磁場空 間分布信息計算所述樣品的電流密度。
[0042] 下面結合實施例以及附圖對本發(fā)明提供的掃描磁探針顯微鏡進行詳細描述。
[0043] 如圖1所示，本發(fā)明實施例中二維掃描平臺包括二維平臺豎梁1和二維平臺橫梁2。 該二維平臺橫梁2與二維平臺豎梁1正交設置，其一端設置在二維平臺豎梁1的上表面，而且 可以沿著該二維平臺豎梁1的方向移動即y軸方向上移動，例如二維平臺豎梁1和二維平臺 橫梁2之間通過滑軌連接。
[0044] 本發(fā)明中磁探針裝置包括至少一組探針單元。如圖1所示，本發(fā)明實施例中提供了 磁探針裝置只包括一組探針單元的情況。磁探針裝置包括磁探針4、探針支桿5以及探針基 座6。其中，磁探針4通過探針支桿5固定在探針基座6上。探針基座6設置在二維平臺橫梁2的 一側，用于在z軸方向或者X軸方向上調節(jié)磁探針4的檢測位置。
[0045] 實際應用中，磁探針4可以選用霍爾元件、巨磁阻元件、磁通門器件、超導量子干涉 儀squids中的一種。當有多個磁探針4時也可以選用上述多個不同的元器件，本發(fā)明不作限 定。
[0046] 可以看出，本發(fā)明實施例中磁探針裝置與二維掃描平臺相結合，可以在X軸、y軸與 z軸方向上調節(jié)磁探針4的位置，即可以在樣品的表面或者樣品的上方檢測磁場空間分布信 息。
[0047]如圖1所示，在基準平臺3的設置有安裝低溫杜瓦11的凹槽。在該低溫杜瓦11的內(nèi) 部以及上方設置有樣本調平裝置。如圖1與圖2所示，本發(fā)明實施例中樣本調平裝置包括樣 品臺基座7、多個剛性連桿8以及與剛性連桿一一對應的調平螺栓9、測距探頭10。每個剛性 連桿8的一端固定在樣品臺基座7上，另一端通過相對應的調平螺栓9固定在基準平臺3上。 測距探頭10固定在二維平臺橫梁2的一側。該測距探頭10測量與樣品臺基座7的不同位置之 間的距離，然后通過調節(jié)多個調平螺栓9以調節(jié)樣品臺基座7的平整度。平整度是指樣品臺 基座7表面與水平面之間的差值，該差值越小平整度越好，即樣品臺基座7表面越接近于水 平面。需要說明的是，本發(fā)明實施例中測距探頭10與探針支桿5平行設置。
[0048]例如，本發(fā)明實施例中在樣品臺基座7上設置兩個剛性連桿8。其中一個剛性連桿8 設置樣品臺基座7的第一側，另一個剛性連桿8設置在樣品臺基座7的另一側即第一側的相 對側，這樣，可以在第一側低于第二側時，通過調高第一側使兩側保持水平，或者降低第二 側使兩側保持水平。當然，剛性連桿8與調平螺栓9的數(shù)量也可以設置3組、4組甚至更多，本 發(fā)明不作限定。
[0049] 如圖2所示，在樣品臺基座7上還設置有勵磁磁體12。在該勵磁磁體12的上方設置 有樣品架13。樣品架13上方放置樣品14,并且在該樣品架13上還設置有電極15,用于向放置 在樣品架14上的樣品勵磁。該勵磁磁體12采用銅線繞制而成，當然也可以采用其他金屬或 者其他裝置實現(xiàn)，本發(fā)明不作限定。
[0050] 本發(fā)明實施例中對樣品進行勵磁的方式包括：
[0051] (1)在樣品沒有降溫的情況下，向勵磁磁體12通電以產(chǎn)生磁場;之后向低溫杜瓦11 內(nèi)注入液氮。當液氮浸沒樣品且樣品實現(xiàn)超導時，撤掉磁場即停止向勵磁磁體12通電。需要 說明的是，在本方法中需要勵磁磁體12在樣品處產(chǎn)生至少大于樣品的穿透磁場幅值一倍的 磁場。樣品可以是超導帶材，如高溫超導導線。高溫超導帶材穿透磁場可以利用Jc*d的公式 估算。其中，Jc為超導帶材的電流密度，d為超導帶材的厚度。此時樣品上會感應出超導環(huán) 流，在這種情況下再利用磁探針4進行磁場二維掃描。
[0052] (2)在樣品實現(xiàn)超導的情況下，施加樣品的穿透磁場幅值的2倍的穿透磁場，然后 再撤去磁場。此時樣品上會感應出完全穿透超導環(huán)流（即樣品邊緣到樣品中心位置都有感 應電流），在這種情況下利用磁探針4開始磁場二維掃描。高溫超導帶材穿透磁場可以利用 Jc*d的公式估算，其中，Jc為超導帶材的電流密度，d為超導帶材的厚度。
[0053] (3)在樣品實現(xiàn)超導的情況下，施加小于樣品的穿透磁場幅值的1倍穿透磁場的外 加磁場。然后從小到大調節(jié)外加磁場強度，樣品上會感應出自外向內(nèi)（樣品的邊緣到樣品的 中心位置)穿透的超導環(huán)流。屏蔽外加磁場，在這種情況下利用磁探針4開始磁場二維掃描。
[0054] (4)在樣品實現(xiàn)超導的情況下，如圖3所示，利用一個永磁體在樣品的上方對該樣 品進行勵磁。該永磁體的表面磁場大于樣品的穿透磁場幅值的2倍，且永磁體面積需要大于 樣品的面積以覆蓋樣品。
[0055] (5)在樣品實現(xiàn)超導的情況下，通過電極15為樣品輸入電流進行勵磁。通過調整電 流大小可以觀測到磁通穿透過程。在這種情況下利用磁探針4開始磁場二維掃描。
[0056] 本發(fā)明中當磁探針4檢測到樣品周圍的磁場空間分布信息時還需要對該信息進行 處理，以獲取到用戶比較熟悉的電流密度的形式表示。例如，本發(fā)明一實施例中采用第(2) 種勵磁方式對樣品進行勵磁，然后利用如圖4所示的畢奧薩伐爾反卷積算法計算樣品的電 流密度情況。當樣品為寬1〇_、長3cm的超導帶材時在不同的疊放條件下進行測試得到如圖 5所示的磁場空間分布信息示意圖，當計算模塊獲取到二維磁場空間分布信息時，設定z軸 距離且設定傅立葉變換時xy分辨率，對二維磁場空間分布信息進行傅立葉變換以將實空間 的數(shù)據(jù)對應到K空間中。在K空間進行畢奧薩伐爾逆運算，然后再進行傅立葉逆變換以實現(xiàn) 將K空間的數(shù)據(jù)映射到實空間，之后判斷電流分布即判斷樣品內(nèi)部是否平衡以及邊緣是否 陡峭，如果不滿足，則重新設定傅立葉變換時xy分辨率重新判斷。如果滿足，則計算所得電 流產(chǎn)生磁場與實際勵磁磁場是否在誤差限內(nèi)，如果不在誤差限內(nèi)，則重新設定z軸距離重復 上述步驟，如果在誤差限內(nèi)，則輸出二維電流密度分布數(shù)據(jù)，最后得到如圖6所示的電流密 度示意圖。
[0057]需要說明的是，本發(fā)明實施例中畢奧薩伐爾算法采用以下公式實現(xiàn)：
[0060] 式（1)與（2)中，bz、jx、jy是距離樣品表面高度為z的磁場B z、電流Jx、電流Jy的傅立 葉變換形式，kx、ky是傅立葉空間坐標，々 = 是虛數(shù)單位，e是自然對數(shù)的底數(shù)，μ〇 是真空磁導率。
[0061] 可見，本發(fā)明中只需要測量樣品表面各處的Bz(x，y)即可利用式（1)與（2)樣品各 處的 Jx(x，y)、Jy(x，y)。
[0062] 為進一步提高檢測精度，如圖7所示，本發(fā)明一實施例中磁探針裝置還包括至少一 個彈性部件16。每個彈性部件16設置在探針支桿5與探針基座6之間，通過調節(jié)探針基座6可 以使磁探針4與樣品保持接觸。當樣品移動時，彈性部件16可以使磁探針4與樣品始終保持 接觸狀態(tài)。該彈性部件16可以為彈簧，該彈簧的一端固定在探針基座6上，另一端固定在探 針支桿5上，該彈簧的外面還設置有空心管，在探針支桿5受到外力時可以收縮到空心管的 內(nèi)部。當去掉外力時，彈簧可以將探針支桿5從空心管內(nèi)彈出。通過調節(jié)施加到彈簧上面的 外力，可以使磁探針4與樣品之間保持接觸狀態(tài)，這樣就可以檢測到樣品表面的磁場分布信 息。
[0063] 為縮短檢測時間，本發(fā)明一實施例中二維掃描平臺在包括二維平臺豎梁1和二維 平臺橫梁2的情況下，如圖8所示，還包括輔助二維平臺橫梁2'。該輔助二維平臺橫梁2'的一 端設置在二維平臺豎梁1的上表面，并且可沿著二維平臺豎梁方向即y軸方向移動。然后與 在該輔助二維平臺橫梁2'設置磁探針4,從而可以采用兩個磁探針同時檢測樣品的磁場空 間分布信息，縮短檢測時間。當然，也可以設置多個輔助二維平臺橫梁，這樣采用多個磁探 針進行測量。
[0064] 當檢測的樣品比較長時需要測量多次，為減少測量次數(shù)，本發(fā)明一實施例中提供 的掃描磁探針顯微鏡還包括傳動裝置，該傳動裝置用于使超導長帶與樣品臺基座保持平行 狀態(tài)且從磁探針4與勵磁磁體12之間通過。如圖9所示，該傳動裝置包括兩個校正輪（即第一 校正輪17 '與第二校正輪17 '），第一校正輪與第二校正輪設置在基準平臺上，并且第一校正 輪與第二校正輪的最低點位于同一個水平面以使樣品從磁探針4與勵磁磁體12之間通過。 另外該傳動裝置還包括兩個傳輸輪17,用于為樣品提供外力以使樣品在樣品從磁探針4與 勵磁磁體12之間移動。
[0065]需要說明的是，本發(fā)明中上述輔助二維平臺橫梁、彈性部件以及傳動裝置可以隨 意組合所得到的顯微鏡同樣可以解決本發(fā)明所要解決的技術問題，達到相應的技術效果。 因此，上述組合得到的技術方案同樣落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0066]在本發(fā)明中，術語"第一"、"第二"、"第三"僅用于描述目的，而不能理解為指示或 暗示相對重要性。術語"多個"指兩個或兩個以上，除非另有明確的限定。
[0067]雖然結合附圖描述了本發(fā)明的實施方式，但是本領域技術人員可以在不脫離本發(fā) 明的精神和范圍的情況下做出各種修改和變型，這樣的修改和變型均落入由所附權利要求 所限定的范圍之內(nèi)。
【主權項】
1. 一種掃描磁探針顯微鏡，其特征在于，包括：二維掃描平臺、基準平臺、樣品調平裝 置、勵磁磁體、低溫杜瓦、磁探針裝置和計算模塊； 所述低溫杜瓦設置在所述基準平臺的凹槽內(nèi)，用于儲存液氮以降低其內(nèi)部的樣品的溫 度； 所述樣品調平裝置設置在所述低溫杜瓦內(nèi)，用于在樣本放入時調節(jié)樣品的高度以使該 樣本與所述基準平臺保持平行狀態(tài)； 所述二維掃描平臺設置在所述基準平臺的上表面，用于調節(jié)所述磁探針裝置的位置以 使所述磁探針裝置處于不同的檢測位置； 所述勵磁磁體設置在所述樣本調平裝置的上方，且內(nèi)部用于放置樣本，用于為所述樣 本提供外部磁場； 所述磁探針裝置固定所述二維掃描平臺上，并且懸于所述樣品調平裝置的正上方，用 于在施加外部磁場時檢測樣本上方的磁場空間分布信息； 所述計算模塊與所述磁探針裝置相連接，用于根據(jù)磁探針裝置所檢測出的磁場空間分 布信息計算所述樣品的電流密度。2. 根據(jù)權利要求1所述的掃描磁探針顯微鏡，其特征在于，所述二維掃描平臺包括二維 平臺豎梁和二維平臺橫梁;所述二維平臺豎梁固定在所述基準平臺上;所述二維平臺橫梁 的一端設置在所述二維平臺豎梁的上表面，并且可沿著所述二維平臺豎梁方向移動。3. 根據(jù)權利要求2所述的掃描磁探針顯微鏡，其特征在于，所述二維掃描平臺還包括輔 助二維平臺橫梁，所述輔助二維平臺橫梁的一端設置在所述二維平臺豎梁的上表面，并且 可沿著所述二維平臺豎梁方向移動。4. 根據(jù)權利要求2或者3所述的掃描磁探針顯微鏡，其特征在于，所述磁探針裝置包括 至少一組探針單元，每組探針單元包括磁探針、探針支桿以及探針基座，所述磁探針通過所 述探針支桿固定在所述探針基座上，所述探針基座設置在所述二維平臺橫梁或者輔助二維 平臺橫梁的一側，用于調節(jié)所述磁探針的檢測位置。5. 根據(jù)權利要求4所述的掃描磁探針顯微鏡，其特征在于，所述磁探針為霍爾元件、巨 磁阻元件、磁通門器件、超導量子干涉儀中的一種。6. 根據(jù)權利要求4所述的掃描磁探針顯微鏡，其特征在于，所述磁探針裝置還包括至少 一個彈性部件，所述彈性部件設置在所述探針支桿與所述探針基座之間，用于使所述探針 與樣品表面保持接觸。7. 根據(jù)權利要求2所述的掃描磁探針顯微鏡，其特征在于，所述樣本調平裝置包括樣品 臺基座、多個剛性連桿以及與剛性連桿一一對應的調平螺栓、測距探頭;所述多個剛性連桿 的一端固定在所述樣品臺基座上，另一端通過相對應的調平螺栓固定在所述基準平臺上； 所述測距探頭固定在二維平臺橫梁的一側； 所述測距探頭測量與樣品臺基座之間的距離，然后通過調節(jié)多個調平螺栓以調節(jié)所述 樣品臺基座的平整度。8. 根據(jù)權利要求1所述的掃描磁探針顯微鏡，其特征在于，所述計算模塊利用畢奧薩伐 爾反卷積算法獲取樣品的電流密度。9. 根據(jù)權利要求1所述的掃描磁探針顯微鏡，其特征在于，還包括傳動裝置，所述傳動 裝置用于使超導長帶與所述樣品臺基座保持平行狀態(tài)且從所述磁探針與所述勵磁磁體之 間通過。10.根據(jù)權利要求9所述的掃描磁探針顯微鏡，其特征在于，所述傳動裝置包括第一校 正輪和第二校正輪;所述第一校正輪與所述第二校正輪設置在所述基準平臺上，并且所述 第一校正輪與所述第二校正輪的最低點位于同一個水平面。
【文檔編號】G01Q60/50GK106093476SQ201610425247
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月15日
【發(fā)明人】顧晨
【申請人】北京原力辰超導技術有限公司