專利名稱：：曝光方法及裝置、維修方法、以及組件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：在這樣的曝光裝置中，為了對應伴隨著半導體組件等高集成化導致的圖案微細化而年年要求提高的分辨率(解析力)的情況，進行了瀑光用光的短波長化及投影光學系統(tǒng)的開口數(shù)(NA)的增加(大NA化)。然而，曝光用光的短波長化及大NA化雖能提高投影光學系統(tǒng)的分辨率，但卻會導致焦深的窄小化，因此如此下去的話焦深將變得過窄，有曝光動作時聚焦欲度不足之虞。本發(fā)明第5技術(shù)方案是一種維修方法，其用于維修經(jīng)由光學構(gòu)件(2)及液體(1)使襯底(P)曝光的曝光裝置，包含在規(guī)定動作中檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部(68A68D，25)的狀態(tài)的信息；以及基于上述檢測信息、及涉及上述規(guī)定動作前的上述液體接觸部狀態(tài)的基準信息，檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。本發(fā)明第9技術(shù)方案是一種曝光裝置，其經(jīng)由光學構(gòu)件(2)及液體(1)用曝光用光(EL)使襯底(P)膝光，具備液浸機構(gòu)(10，20)，將上述光學構(gòu)件與物體之間充滿液體以形成液浸空間，且回收上述液浸空間的液體；檢測裝置(226)，檢測涉及上述回收液體的信息；以及控制裝置(CONT)，基于上述檢測信息來檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部的異常的信息。另外，襯底P的抗蝕劑，作為一個例子是具有排斥液體1的疏液性的抗蝕劑。如前所述，也可根據(jù)需要在抗蝕劑上涂布保護用的面涂層。在本例中，將排斥液體l的性質(zhì)稱為疏液性。當液體l為純水時，所謂疏液性即指疏水性。另外，在襯底載臺PST上部固定有例如以真空吸附方式保持襯底P的襯底保持具PH。此外，襯底栽臺PST具備控制襯底保持具PH(襯底P)的Z方向位置(聚焦位置)及ex、0Y方向的傾斜角的Z載臺52，以及支撐此Z載臺52并移動的XY載臺53，此XY載臺53例如為經(jīng)由空氣軸承裝載在底座54上的與XY平面平行的導引面上(與投影光學系統(tǒng)PL的像面實質(zhì)上平行的面)。襯底載臺PST(Z載臺52及XY載臺53)，被例如線性馬達等的襯底載臺驅(qū)動裝置PSTD驅(qū)動。襯底載臺驅(qū)動裝置PSTD由控制裝置cont控制。在本例中，將襯底保持具形成于能在z、thetax及thetaY方向可動的臺(table)，將其總稱為襯底保持具PH。此外，也可將臺與襯底保持具分開構(gòu)成，例如以真空吸附等方式將襯底保持具固定于臺。另外，Z載臺52，也可例如以襯底保持具PH(臺)、以及將此襯底保持具PH(臺)驅(qū)動于Z、9X及0Y方向的致動器(例如音圏馬達等)來構(gòu)成。另外，在測量臺MTB上的-X方向及+Y方向分別固定有X軸反射鏡55CX及Y軸反射鏡55CY，以和反射鏡55CX在-X方向?qū)ο虻姆绞脚渲糜蠿軸激光干涉儀56C。反射鏡55CX、55CY在圖1中作為反射鏡55C顯示。激光干涉儀56C是多軸激光干涉儀，由激光干涉儀56C隨時測量測量臺MTB的X方向位置、及0z方向的旋轉(zhuǎn)角度等。另外，也可取代反射鏡55CX、55CY而使用例如對測量載臺MST的側(cè)面等施以鏡面加工所形成反射面。另外，調(diào)平臺188，具備能分別以例如氣缸或音圏馬達方式控制Z方向位置的3個Z軸致動器，通常，以調(diào)平臺188控制測量臺MTB的Z方向位置、0x方向、9y方向的角度，以使測量臺MTB的上面與投影光學系統(tǒng)PL的像面對焦。因此，在噴嘴構(gòu)件30附近，設(shè)有用以測量投影區(qū)域AR1內(nèi)及其附近的村底P上面等被檢測面的位置的自動聚焦傳感器(未圖示)，根據(jù)此自動聚焦傳感器的測量值，由控制裝置CONT控制調(diào)平臺188的動作。再者，雖未圖示，還設(shè)有用以維持調(diào)平臺188相對X載臺181的X方向、Y方向、0z方向的位置的致動器。該測量器的一個例子，例如是特開昭57-117238號公報(對應美國專利第4465368號說明書)等所公開的照度不均傳感器，例如特開2002-14005號乂>^1(對應美國專利申請乂>開第2002/0041377號說明書)等所公開的用于測量由投影光學系統(tǒng)PL所投影的圖案空間像(投影圖像)的光強度的空間像測量裝置61，例如特開平11-16816號公報(對應美國專利申請公開第2002/0061469號說明書)等所公開的照度監(jiān)視器，以及例如國際公開第99/60361號小冊子(對應歐洲專利第1079223號說明書)等所公開的波面像差測量器。另外，在可不在瀑光動作中進行液體回收機構(gòu)20的液體1的回收動作，而在曝光結(jié)束后，開放回收管22的流路來回收襯底P上的液體l。舉一例而言，可僅在襯底P上的某一照射區(qū)域的曝光結(jié)束后、至下一照射區(qū)域的膝光開始前的部分期間(襯底P的步進移動期間的至少一部分)，用液體回收部21進行襯底P上液體1的回收?？刂蒲b置CONT在襯底P的曝光中，持續(xù)用液體供應機構(gòu)10進行液體1的供應。通過持續(xù)進行液體1的供應，不僅能以液體l良好地將投影光學系統(tǒng)PL與襯底P之間予以充滿，也能防止產(chǎn)生液體l的振動(所謂的水錘現(xiàn)象)。以此方式，即能對襯底P的所有照射區(qū)域以液浸法進行曝光。另外，例如在襯底P的更換中，控制裝置CONT使測量載臺MST移動至與投影光學系統(tǒng)PL的光學元件2對向的位置，在測量載臺MST上形成液浸區(qū)域AR2。此時，在使襯底載臺PST與測量載臺MST接近的狀態(tài)下移動，通過與一載臺的更換將另一載臺與光學元件2對向配置，來在襯底載臺PST與測量載臺MST之間移動液浸區(qū)域AR2?？刂蒲b置CONT在測量載臺MST上形成有液浸區(qū)域AR2的狀態(tài)下，使用裝載于測量栽臺MST的至少一個測量器(測量構(gòu)件)，進行與膝光相關(guān)的測量(例如基準線測量)。關(guān)于在襯底載臺PST與測量載臺MST之間移動液浸區(qū)域AR2的動作，以及襯底P更換中的測量載臺MST的測量動作的詳細情形，已公開在國際公開2005/074014號小冊子(對應歐洲專利申請公開第1713113號說明書)、以及國際公開第2006/013806號小冊子等。此外，具備襯底載臺與測量載臺的曝光裝置，例如已公開于日本特開平11-135400號公凈艮(對應國際乂>開第1999/23692號小冊子)、特開2000-164504號公報(對應美國專利第6897963號)。此處，在指定國及選擇國的國內(nèi)法令允許的范圍下，援用美國專利第6897963號的公開作為本說明書的一部分。如在上述的曝光步驟中，當圖1的襯底P與液浸區(qū)域AR2的液體1接觸時，會有襯底P的一部分成分溶解至液體1中的情形。例如，作為襯底P上的感光性材料而使用化學增幅型抗蝕劑的情形時，該化學增幅型抗蝕劑包含基底樹脂、基底樹脂中所含的光酸產(chǎn)生劑(PAG:PhotoAcidGenerator)以及凈皮稱為"Quencher，，的胺系物質(zhì)。當此種抗蝕劑接觸液體l時，抗蝕劑的一部分成分，具體而言，其中的PAG及胺系物質(zhì)等會有溶解至液體l中的情形。另外，在襯底P的基材本身(例如硅村底)與液體l接觸時，也會因構(gòu)成該基材的不同，而有該基材的部分成分(硅等)溶解至液體l中的可能性。另外，在上述實施方式中，雖作為曝光動作的一部分而進行前述異常判定(及液體接觸部的洗凈)，但也可與膝光動作分開，例如在維修保養(yǎng)時等獨立的進行前述異常判定。此外，在上述實施方式中，雖在多個觀察對象部同時進行第2及第3工序，但也可例如對多個觀察對象部的一部分，使用與其它觀察對象部不同的時序、及/或間隔來實施第2及第3工序。進而，在上述實施方式中，雖在襯底保持具PH(板件97)、噴嘴構(gòu)件30及測量臺MTB等設(shè)定了多個觀察對象部，但觀察對象部的位置及/或數(shù)量等，并不限于此，可任意設(shè)定。圖9是表示本例的掃描型爆光裝置EX，的概略構(gòu)成圖，在該圖9中，啄光裝置EX，具備支撐掩膜M的掩膜載臺RST，支撐襯底P的襯底載臺PST，被曝光用光EL照明掩膜載臺RST所支撐的掩膜M的照明光學系統(tǒng)IL,將用曝光用光EL照明的掩膜M的圖案像投影至襯底載臺PST所支撐的襯底P的投影光學系統(tǒng)PL，統(tǒng)籌控制曝光裝置EX，全體的動作的控制裝置CONT，為適用液浸法的液浸系統(tǒng)(液浸機構(gòu))，以及檢測襯底P上的對準標記以進行襯底P的對準、例如圖像處理方式的對準傳感器ALG。本例的液浸系統(tǒng)，包含對襯底P上供應液體1的液體供應機構(gòu)210，與用于回收供應到襯底P上的液體1的液體回收機構(gòu)220。曝光裝置EX，與第1實施方式同樣地、采用局部液浸方式，經(jīng)由投影光學系統(tǒng)PL與襯底P間的液體1及投影光學系統(tǒng)PL，將通過掩膜M的曝光用光EL照射于襯底P，據(jù)此將掩膜M的圖案轉(zhuǎn)印曝光至襯底P。襯底載臺PST，具備經(jīng)由襯底保持具(未圖示)保持襯底P的Z載臺52、以及支撐Z載臺52的XY載臺53，例如經(jīng)由空氣軸承裝載在底座54上而能2維移動。在Z載臺52設(shè)有反射鏡55B,在反射鏡55B的對向位置設(shè)有激光干涉儀56B。Z載臺52(襯底P)的2維方向位置及旋轉(zhuǎn)角用激光干涉儀56B加以實時測量，測量結(jié)果輸出至控制裝置CONT。襯底載臺PST例如用線性馬達等的襯底載臺驅(qū)動裝置PSTD加以驅(qū)動。襯底栽臺驅(qū)動裝置PSTD與第1實施方式一樣，由控制裝置CONT控制以進行襯底載臺PST(襯底P)的移動或定位。另夕卜，本例中液體的供應口213、214與回收口223A223D雖設(shè)于同一噴嘴構(gòu)件230，但也可將供應口213、214與回收口223A~223D設(shè)于不同構(gòu)件。此外，也可例如國際公開第2005/122218號小冊子所公開的那樣，在噴嘴構(gòu)件230的外側(cè)設(shè)置液體回收用第2回收口(噴嘴部)。另外，供應口213、214也可不與襯底P對向設(shè)置。進而，噴嘴構(gòu)件230的下面雖設(shè)定為與投影光學系統(tǒng)PL下端面(射出面)大致同高(Z位置)，但也可例如將噴嘴構(gòu)件230的下面設(shè)定為比投影光學系統(tǒng)PL下端面更靠近像面?zhèn)?襯底側(cè))。在這種情況下，為避免遮住曝光用光EL,可使噴嘴構(gòu)件230的一部分(下端部)潛至投影光學系統(tǒng)PL(光學元件2)的下側(cè)。在本例中，在啄光動作中，液體供應機構(gòu)210同時進行利用供應口213、214從投影區(qū)域AR1兩側(cè)對襯底P上供應液體1。據(jù)此，從供應口213、214供應至襯底P上的液體1能良好地擴散至投影光學系統(tǒng)PL終端部的光學元件2下端面與襯底P之間、以及噴嘴構(gòu)件230(第l構(gòu)件231)下面與襯底P之間，將液浸區(qū)域AR2形成為至少比投影區(qū)域AR1范圍大。另外，在本實施方式中，在進行襯底P的曝光前，判定襯底P的膜(抗蝕劑膜及/或面涂層膜)是否適合液浸啄光，當判定適合進行液浸曝光時(步驟2106為"肯定"時)，進行襯底P的液浸膝光。然而，若是僅判定襯底P的膜狀態(tài)或膜材料是否適合液浸膝光的話，也可在上述程序的步驟2106之后，不進行村底P的膝光而進行襯底P的回收。此外，襯底P的膜材料若具有多種材料時，也可就各材料分別進行上述步驟2103~2106，實施選擇最佳材料的篩選(screening)處理。此外，在本實施方式中，也可取代襯底P而在襯底載臺PST上配置第1實施方式所說明的虛擬襯底，例如以微粒計數(shù)器測量從虛擬襯底上所形成的液浸區(qū)域AR2回收的液體中微粒數(shù)，來取得與噴嘴構(gòu)件230的異常相關(guān)的信息(有無異物等)。另外，半導體組件等的微組件，如圖16所示，經(jīng)微組件的功能、性能設(shè)計步驟(201)，根據(jù)此設(shè)計步驟制作掩膜(標線片)的步驟(202)，制造村底(組件的基材)的步驟(203)，包含使用前述實施方式的曝光裝置EX、EX，將掩膜的圖案曝光至襯底的工序、將膝光后的襯底予以顯影的工序、顯影后襯底的加熱及蝕刻工序等的村底處理步驟(204)，組件組裝步驟(205)(包含切割工序、結(jié)合工序、封裝工序等的加工工序)，并經(jīng)檢查步驟(206)而制造，出廠。[0161另外，作為上述各實施方式的襯底P，除了半導體組件制造用的半導體晶片以外，還能適用于顯示器組件用的玻璃襯底、薄膜磁頭用的陶瓷晶片、或在曝光裝置所使用的掩膜或標線片的原版(合成石英、硅晶片)、以及薄片狀構(gòu)件等。此外，襯底P的形狀并限于圓形，亦可以是矩形等的其它形狀。[01621另外，在上述各實施方式中，雖使用形成有轉(zhuǎn)印圖案的掩膜，但也可取代此掩膜，而使用例如美國專利第6778257號說明書所公開，根據(jù)應曝光圖案的電子數(shù)據(jù)來形成透射圖案或反射圖案的電子掩膜。此電子掩膜，包含也被稱為可變成形掩膜(主動式掩膜或圖像產(chǎn)生器)，例如非發(fā)光型圖像顯示組件(空間光調(diào)制器)的一種的DMD(DigitalMicro-mirrorDevice)等)。DMD具有根據(jù)規(guī)定電子數(shù)據(jù)驅(qū)動的多個反射組件(微小面鏡)，多個反射組件在DMD表面排列成2維矩陣狀，且以像素單位被驅(qū)動而反射、偏向曝光用光。各反射組件可調(diào)整其反射面角度。DMD的動作可用控制裝置CONT來控制?？刂蒲b置CONT根據(jù)與應形成至襯底P上的圖案對應的電子數(shù)據(jù)(圖案信息)驅(qū)動DMD的反射組件，將照明系統(tǒng)IL所照射的曝光用光用反射組件加以圖案化。通過DMD的使用，與使用形成有圖案的掩膜進行曝光的情形相比較，在圖案變更時，由于不須要掩膜更換作業(yè)及在掩膜載臺的掩膜位置對準操作，因此能更為有效率的進行曝光動作。此外，使用電子掩膜的膝光裝置，可不設(shè)置掩膜載臺，而僅藉由襯底栽臺使襯底移動于X軸及Y軸方向。另外，使用DMD的曝光裝置除上述美國專利外，還公開于例如日本特開平8-313842號公報、特開2004-304135號公報。此處，在指定國及選擇國的法令允許的范圍下，援用美國專利第6778257號公報的公開作為本文記載的一部分。[0163另外，作為曝光裝置EX、EX，，除了使掩膜M與襯底P同步移動用掃描曝光掩膜M圖案的步進掃描方式的掃描型曝光裝置(掃描步進器)之外，還能適用于在掩膜M與襯底P靜止的狀態(tài)下使掩膜M的圖案一次啄光，并依序步進移動襯底P的步進重復方式的投影曝光裝置(步進器)。[0164作為膝光裝置EX、EX，的種類，并不限于將半導體組件圖案曝光至襯底P的半導體組件制造用的曝光裝置，還能廣泛地適用于液晶顯示組件制造用或顯示器制造用的曝光裝置，或用于制造薄膜磁頭、微機器、MEMS、DNA芯片、攝像元件(CCD)，或標線片、掩膜等的膝光裝置等。[0165另外，本發(fā)明的曝光裝置以及適用于維修方法以及曝光方法的爆光裝置不一定具備投影光學系統(tǒng)。只要在能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的范圍內(nèi)具備把來自光源的曝光用光導向襯底的光學構(gòu)件就足夠了。另外，照明光學系統(tǒng)、光源也可以與膝光裝置分別設(shè)置。另外，依照上述的曝光方式還可以省略掩膜載臺以及/或者襯底載臺。[0166另外，本發(fā)明還能適用于例如特開平10-163099號公報、特開平10-214783號公報(對應美國專利第6341007號、第6400441號、第6549269號及第65卯634號說明書)、特表2000-505958號公報(對應美國專利第5969441號說明書)或美國專利第6208407號說明書等所公開的具備多個襯底載臺的多載臺型曝光裝置。在這種情況下，對多個襯底載臺分別實施洗凈。關(guān)于多載臺型膝光裝置，在指定國及選擇國的國內(nèi)法令允許的范圍下，援用上述美國專利的公開作為本說明書記載的一部分。[0167另外，上述各實施方式的投影光學系統(tǒng)雖將前端光學元件像面?zhèn)鹊墓饴房臻g(液浸空間)充滿液體，但也可采用例如國際公開第2004/019128號小冊子所公開的將前端光學元件的掩膜側(cè)光路空間以液體充滿的投影光學系統(tǒng)。此外，本發(fā)明還能適用于將投影光學系統(tǒng)與襯底間的液浸區(qū)域以其周圍的氣簾(aircurtain)來加以保持的液浸型膝光裝置。[0168另外，本發(fā)明還能適用于例如國際公開第2001/035168號小冊子所公開的通過在襯底上形成干涉條紋，以在襯底上形成線與空間圖案(line&spacepattern)的膝光裝置。在這種情況下，經(jīng)由光學構(gòu)件與襯底p間的液體對襯底p照射曝光用光。[0169在上述各實施方式中，不須將液體供應部及/或液體回收部設(shè)于膝光裝置，而可代之以例如設(shè)置曝光裝置的工廠等的設(shè)備。另外，液浸曝光所需的曝光裝置及附屬設(shè)置的構(gòu)造，不限于上述構(gòu)造，也可使用例如歐洲專利公開第1420298號公報、國際公開第2004/055803號小冊子、國際/>開第2004/057590號小冊子、國際公開第2005/029559小冊子(對應美國專利公開第2006/0231206號)、國際公開第2004/086468小冊子(對應美國專利公開第2005/0280791號)、特開2004-289126號公報(對應美國專利第6952253號)等所記載的。關(guān)于液浸曝光裝置的液浸機構(gòu)及其附屬機器，在指定國及選擇國的法令允許的范圍下，援用上述美國專利或美國專利公開等的公開作為本說明書記載的一部分。[01701在上述實施方式中，作為液浸法所使用的液體1，可使用對曝光用光的折透射率高于水，例如折射率為1.6~1.8左右的。此處，作為折射率高于純水(例如1.5以上)的液體1，例如有折射率約1.50的異丙醇(Isopropanol)、折射率約1.61的丙三醇(Glycerol)等具有C-H鍵、O-H鍵的規(guī)定液體，己烷、庚烷、癸烷等的規(guī)定液體(有機溶劑)、折射率約1.60的十氫奈(Decalin:Decahydronaphthalene)等。或者，液體1也可以是這些規(guī)定液體中任意2種類以上液體的混合物，或于純水中添加(混合)上述液體。另外，作為液體l，也可以是在純水中添加(混合)H+、Cs+、K+、Cl+、so42—、P042—等堿或酸。進而，也可以是在純水中添加(混合)Al氧化物等的微粒子。另外，作為液體l，以光的吸收系數(shù)小、溫度依存性少、且對投影光學系統(tǒng)PL、及/或襯底P表面所涂的感光材(及面涂膜或反射防止膜等)安定的材料較佳。作為液體1,也可使用超臨界流體。此外，可于襯底P設(shè)置隔離液體以保護感光材及基材的面涂層膜等。[0171另外，也可取代氟化鈣(螢石)，而以例如石英(二氧化硅)、或氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、氟化鎂等的氟化合物的單結(jié)晶材料來形成投影光學系統(tǒng)PL的光學元件(終端光學元件)2,或以折射率(例如1.6以上)高于石英及螢石的材料來形成。作為折射率1.6以上的材料，例如，可如國際7>開第2005/059617號小冊子所7>開的，使用藍寶石、二氧化鍺等，或者，也可如國際公開第2005/059618號小冊子所公開的，使用氯化鉀(折射率約1.75)等。[0172使用液浸法的情況，可例如國際^>開第2004/019128號小冊子(對應美國專利公開第2005/0248856號)所公開的，除終端光學元件像面?zhèn)鹊墓饴吠?，也將終端光學元件的物體面?zhèn)裙饴酚靡后w充滿。進而，也可在終端光學元件表面的一部分(至少包含與液體的接觸面)或全部，形成具有親液性及/或溶解防止功能的薄膜。此外，石英雖與液體的親和性高，且也不須需溶解防止膜，但石英最少形成有溶解防止膜為佳。[01731在上述各實施方式中，雖使用ArF準分子激光來作為曝光用光EL的光源，也可如國際公開第1999/46835號小冊子(對應美國專利7023610號)所公開的，使用包含DFB半導體激光或光纖激光等固體激光源、光纖放大器等的光放大部、以及波長轉(zhuǎn)換部等，輸出波長193nm的脈沖光的高諧波產(chǎn)生裝置。此外，在上述實施方式中，投影區(qū)域(曝光區(qū)域)雖為矩形，但亦可以是例如圓弧形、梯形、平行四邊形、或菱形等其它形狀。[0174進而，例如特表2004-519850號公報(對應美國專利第6611316號)所公開的，本發(fā)明也可適用于將2個標線片圖案透過投影光學系統(tǒng)在晶片上合成，以1次掃描曝光在晶片上的1個照射區(qū)域大致同時雙重曝光的曝光裝置。如前所述，本發(fā)明并不限于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明要旨范圍內(nèi)可取各種構(gòu)成。[0175j如以上所述，本案實施方式的曝光裝置EX、EX，，將包含本案申請專利范圍所舉的各構(gòu)成要素的各種子系統(tǒng)，以能保持規(guī)定機械精度、電氣精度、光學精度的方式，加以組裝制造。為確保上述各種精度，在此組裝的前后，對各種光學系統(tǒng)進行用于實現(xiàn)光學精度的調(diào)整，對各種機械系統(tǒng)進行用于實現(xiàn)機械精度的調(diào)整，對各種電氣系統(tǒng)則進行用于實現(xiàn)各種電氣精度的調(diào)整。各種子系統(tǒng)組裝至曝光裝置的步驟，包含各種子系統(tǒng)彼此間的機械連接、電氣回路的連接、氣壓回路的連接等。該各種子系統(tǒng)組裝至曝光裝置的步驟前，當然有各個子系統(tǒng)的組裝步驟。各種子系統(tǒng)組裝至曝光裝置的步驟結(jié)束后，即進行綜合調(diào)整，以確保膝光裝置全體的各種精度。另外，曝光裝置的制造以在溫度及清潔度等受到管理的無塵室中進行為佳。[0176I關(guān)于本案說明書所公開的各種美國專利及美國專利申請公開等，除特別表示援用于此外，在指定國及選擇國的法令允許的范圍下，其公開也作為本文的一部分。[0177根據(jù)本發(fā)明，由于能有效地判定以液浸法進行曝光的曝光裝置的液體接觸部的至少一部分是否有異常，因此在發(fā)現(xiàn)異常時，可中止曝光動作而通過洗凈等的進行，來減少其后的曝光時液浸區(qū)域的液體中的異物量，以高精度制造組件。此外，根據(jù)本發(fā)明，可不需實際進行曝光，就能容易的判定曝光對象襯底的狀態(tài)或該襯底的膜狀態(tài)是否適于曝光，能提高組件制造的生產(chǎn)率。因此，本發(fā)明能對包括我國的半導體產(chǎn)業(yè)的精密機器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有非常顯著的貢獻。權(quán)利要求1.一種經(jīng)由光學構(gòu)件及液體利用曝光用光使襯底曝光的曝光方法，其特征在于包括:第1步驟，在規(guī)定動作中、以光學方式觀察與上述液體接觸的液體接觸部的至少一部分的被檢測部的狀態(tài)，將所得到的第1觀察信息進行儲存；第2步驟，在上述規(guī)定動作后，以光學方式觀察上述被檢測部的狀態(tài)以獲得第2觀察信息；以及第3步驟，比較上述第1觀察信息與上述第2觀察信息，來判定上述被檢測部有無異常。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于將上述光學構(gòu)件與上述襯底之間用液體充滿而形成液浸空間，利用上述曝光用光經(jīng)由上述光學構(gòu)件與上述液體^f吏上述村底曝光。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的啄光方法，其特征在于包括笫4步驟，在上述第3步驟有異常時停止曝光動作。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的曝光方法，其特征在于在上述第3步驟判定的有無異常是指上述被檢測部上有無異物。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的曝光方法，其特征在于襯底上的位置對準用標記的位置檢測的圖像處理方式的對準傳感6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光方法，其特征在于在使用上述對準傳感器進行上述襯底上的位置對準用標記的位置檢測時，實施上述第2步驟。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的曝光方法，其特征在于為了以光學方式觀察上述被檢測部的狀態(tài)而使用與上述光學構(gòu)件對向配置的載臺上所設(shè)的攝像裝置。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的曝光方法，其特征在于上迷液體接觸部至少在上述襯底的曝光中與上述液體接觸。9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的啄光方法，其特征在于上迷液體接觸部，包含將上述光學構(gòu)件與上述襯底之間用上述液體充滿而形成液浸空間的液浸空間形成構(gòu)件的至少一部分。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的爆光方法，其特征在于上迷被檢測部，包含上述液浸空間形成構(gòu)件的上述液體的供應口及回收口的至少一方。11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的曝光方法，其特征在于上迷液體接觸部，包含與上述光學構(gòu)件對向配置的可動構(gòu)件的至少一部分。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的曝光方法，其特征在于上迷被檢測部，包含上述可動構(gòu)件的平坦面及/或測量部。13.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的膝光方法，其特征在于在上述襯底的曝光動作后實施上述第2步驟。14.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的曝光方法，其特征在于包括在上述第3步驟有異常時洗凈上述液體接觸部的步驟。15.—種經(jīng)由光學構(gòu)件及液體用曝光用光使襯底膝光的曝光方法，其特征在于包括在規(guī)定動作中檢測涉及上述液體接觸的液體接觸部的狀態(tài)的信根據(jù)上述檢測信息、以及涉及上述規(guī)定動作前的上述液體接觸部的狀態(tài)的基準信息，檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的曝光方法，其特征在于上述液體接觸部包含以上述液體充滿上述光學構(gòu)件與上述襯底之間而形成液浸空間的液浸空間形成構(gòu)件；與上述光學構(gòu)件對向配置的可動構(gòu)件；以及上述光學構(gòu)件中的至少一個。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的曝光方法，其特征在于由檢測上述襯底上標記的標記檢測系統(tǒng)來檢測關(guān)于上述可動構(gòu)件的狀態(tài)的信息。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的曝光方法，其特征在于上述檢測信息包含關(guān)于上述可動構(gòu)件的平坦面及/或測量部的"f§息。19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的曝光方法，其特征在于上述可動構(gòu)件包含保持上述襯底的第l載臺；可獨立于上述第1載臺移動的第2載臺中的至少一方。20.根據(jù)權(quán)利要求16至19中任一項所述的曝光方法，其特征在于使用與上述液浸空間形成構(gòu)件及/或上述光學構(gòu)件對向配置的檢測器，來檢測涉及其狀態(tài)的信息。21.根據(jù)權(quán)利要求15至20中任一項所述的曝光方法，其特征在于依照涉及上述異常的信息來判斷曝光動作的中止或持續(xù)。22.根據(jù)權(quán)利要求15至21中任一項所述的曝光方法，其特征在于依照涉及上述異常的信息來判斷上述液體接觸部是否需保養(yǎng)。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的膝光方法，其特征在于上述保養(yǎng)包含上述液體接觸部的洗凈及/或更換。24.根據(jù)權(quán)利要求15至23中任一項所述的膝光方法，其特征在于至少在上述規(guī)定動作之前檢測上述基準信息。25.根據(jù)權(quán)利要求15至24中任一項所述的曝光方法，其特征在于上述基準信息至少包含涉及與上述液體觸前的上述液體接觸部的狀態(tài)的信息。26.根據(jù)權(quán)利要求15至25中任一項所述的曝光方法，其特征在于上述規(guī)定動作至少包含上迷襯底的曝光動作。27.—種經(jīng)由光學構(gòu)件及液體用曝光用光使襯底曝光的曝光裝置，其特征在于包括光學裝置，以光學方式觀察接觸上述液體的液體接觸部的至少一部分的被檢測部的狀態(tài)；記憶裝置，儲存上述光學裝置的觀察信息；以及控制裝置，比較由上述光學裝置觀察上述被檢測部多次的觀察信息，以判定上述被檢測部有無異常。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的爆光裝置，其特征在于將上述光學構(gòu)件與上述襯底之間用液體充滿而形成液浸空間，用上述曝光用光經(jīng)由上述光學構(gòu)件與上述液體使上述襯底膝光。29.根據(jù)權(quán)利要求27或28所述的啄光裝置，其特征在于上述控制裝置在上述被檢測部有異常時中止爆光動作。30.根據(jù)權(quán)利要求27至29中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述光學裝置包含用于檢測上述襯底上的位置對準用標記的位置的圖像處理方式的對準傳感器。31.根據(jù)權(quán)利要求27至30中任一項所述的曝光裝置，其特征在于還包括與上述光學構(gòu)件對向配置的載臺，上述光學裝置包含設(shè)置于上述載臺上的攝像裝置。32.根據(jù)權(quán)利要求27至31中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述光學裝置包含焚光顯微鏡，所述熒光顯微鏡檢測上述曝光用光照射于上述被檢測部時所產(chǎn)生的熒光。33.根據(jù)權(quán)利要求27至32中任一項所述的膝光裝置，其特征在于上述光學裝置包含分光計。34.根據(jù)權(quán)利要求27至33中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述液體接觸部至少在上述襯底的曝光中與上述液體接觸。35.根據(jù)權(quán)利要求27至34中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述液體接觸部包含將上述光學構(gòu)件與上述襯底之間用上述液體充滿以形成液浸空間的液浸空間形成構(gòu)件的至少一部分。36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的曝光裝置，其特征在于上述被檢測部包含上述液浸空間形成構(gòu)件的上述液體的供應口及回收口的至少一方。37.根據(jù)權(quán)利要求27至36中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述液體接觸部包含與上述光學構(gòu)件對向配置的測量構(gòu)件的至少一部分。38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的曝光裝置，其特征在于還包括設(shè)置上述測量構(gòu)件的栽臺。39.根據(jù)權(quán)利要求27至38中任一項所述的曝光裝置，其特征在于包括洗凈上述,皮檢查部的洗凈構(gòu)件。40.—種經(jīng)由光學構(gòu)件及液體用曝光用光使襯底曝光的曝光裝置，其特征在于包括光學裝置，在規(guī)定動作中檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部的狀態(tài)的信息；以及控制裝置，基于上述檢測信息、及涉及上述規(guī)定動作前的上述液體接觸部狀態(tài)的基準信息，檢測涉及上迷液體接觸部的異常的信息。41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的曝光裝置，其特征在于包括與上述光學構(gòu)件對向配置的可動構(gòu)件，上述液體接觸部包含上述可動構(gòu)件與上述光學構(gòu)件的至少一個。42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的曝光裝置，其特征在于上述光學裝置包含檢測上述襯底上的標記的標記檢測系統(tǒng)，通過上述標記檢測系統(tǒng)檢測涉及上述可動構(gòu)件的狀態(tài)的信息。43.根據(jù)權(quán)利要求41或42所述的曝光裝置，其特征在于上述光學裝置檢測涉及上迷可動構(gòu)件的平坦面及/或測量部的信息。44.根據(jù)權(quán)利要求41至43中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述可動構(gòu)件包含保持上述襯底的第1載臺，以及可獨立于上述第l載臺移動的第2載臺的至少一個。45.根據(jù)權(quán)利要求40至44中任一項所述的曝光裝置，其特征在于包括的液浸空間形成構(gòu)件，上述液體接觸部包含上述液浸空間形成構(gòu)件。46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的曝光裝置，其特征在于:上述光學裝置包含與上述液浸空間形成構(gòu)件及/或上述光學構(gòu)件對向配置的檢測器。47.根據(jù)權(quán)利要求40至46中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述光學裝置包含攝像裝置、熒光顯微鏡、及分光計的至少一個。48.根據(jù)權(quán)利要求40至47中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述控制裝置依照涉及上述異常的信息來判斷中止或持續(xù)曝光動作。49.根據(jù)權(quán)利要求40至48中任一項所述的曝光裝置，其特征在于包括用于維修上述液體接觸部的維修構(gòu)件，上述控制裝置依照涉及上述異常的信息來判斷是否需要進行上述維修。50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的曝光裝置，其特征在于上述維修構(gòu)件包含洗凈上述液體接觸部的洗凈構(gòu)件。51.根據(jù)權(quán)利要求40至50中任一項所述的曝光裝置，其特征在于至少在上述規(guī)定動作之前檢測上述基準信息。52.根據(jù)權(quán)利要求40至51中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述基準信息至少包含涉及上述液體接觸前的上述液體接觸部的狀態(tài)的信息。53.—種用于維修經(jīng)由光學構(gòu)件及液體使村底曝光的膝光裝置的維修方法，其特征在于包括在規(guī)定動作中檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部的狀態(tài)的信息；以及基于上述檢測信息、及涉及上述規(guī)定動作前的上述液體接觸部狀態(tài)的基準信息，檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的維修方法，其特征在于上述液體接觸部包含將上迷光學構(gòu)件與上述襯底之間充滿上述液體以形成液浸空間的液浸空間形成構(gòu)件、與上述光學構(gòu)件對向配置的可動構(gòu)件、以及上述光學構(gòu)件中的至少一個。55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的維修方法，其特征在于上述檢測信息包含涉及上述可動構(gòu)件的平坦面及/或測量部的信息。56.根據(jù)權(quán)利要求54或55所述的維修方法，其特征在于上述檢測信息包含涉及上述液浸空間形成構(gòu)件的液體回收部的信息。57.根據(jù)權(quán)利要求53至56中任一項所述的維修方法，其特征在于依照涉及上述異常的信息來判斷是否需進行上述維修。58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的維修方法，其特征在于上述維修包含上述液體接觸部的洗凈及/或更換。59.—種用曝光用光經(jīng)由液體使襯底膝光的啄光方法，其特征在于包括第1步驟，僅對上迷襯底上的部分區(qū)域供應上述液體；第2步驟，回收在上述第1步驟所供應的上述液體的至少一部分，并檢測上述回收的液體狀態(tài)；第3步驟，檢查上述襯底的膜的狀態(tài)；以及第4步驟，基于上述第2步驟與上述第3步驟中的至少一方的檢測結(jié)果，判定上述襯底有無異常。60.根據(jù)權(quán)利要求59所述的膝光方法，其特征在于與上述曝光用光通過的光學構(gòu)件對向配置上述襯底，將液體供應給上述光學構(gòu)件與上述襯底之間，用上述曝光用光經(jīng)由上述光學構(gòu)件與上述液體使上述襯底瀑光。61.根據(jù)權(quán)利要求59或60所述的曝光方法，其特征在于在上述第4步驟有異常時停止上述襯底的曝光。62.根據(jù)權(quán)利要求59至61中任一項所述的曝光方法，其特征在于上述襯底的膜包含用感光材料形成的膜。63.根據(jù)權(quán)利要求59至62中任一項所述的曝光方法，其特征在于上述襯底的膜包含在感光材料上所涂布的面涂層。64.根據(jù)權(quán)利要求59至63中任一項所述的曝光方法，其特征在于在上述第3步驟中檢查上迷襯底的膜有無剝離。65.根據(jù)權(quán)利要求59至64中任一項所述的曝光方法，其特征在于在上述第1步驟中供應上述液體的上述襯底上的區(qū)域，包含上述襯底的邊緣部的至少一部分。66.根據(jù)權(quán)利要求59至65中任一項所述的膝光方法，其特征在于上述第3步驟包含以干燥狀態(tài)檢查上述襯底上的膜的狀態(tài)的步67.根據(jù)權(quán)利要求66所述的曝光方法，其特征在于上述第3步驟包含測量上述襯底的膜厚度分布的測量步驟。68.根據(jù)權(quán)利要求67所述的曝光方法，其特征在于包括第6步驟，在第3步驟中測量的厚度分布超過容許范圍時，剝離上述襯底的膜。69.根據(jù)權(quán)利要求59至68中任一項所述的曝光方法，其特征在于在上述第4步驟中沒有異常時，開始經(jīng)由上述液體的村底的曝光。70.—種經(jīng)由光學構(gòu)件及液體用膝光用光使襯底曝光的曝光方法，其特征在于包括將上述光學構(gòu)件與物體之間充滿液體以形成液浸空間，且回收上述液浸空間的液體；檢測涉及上述回收的液體的信息；以及基于上述檢測信息來檢測涉及上述液體接觸的液體接觸部的異常的信息。71.根據(jù)權(quán)利要求70所述的曝光方法，其特征在于上述物體包含上述襯底。72.根據(jù)權(quán)利要求70或71所述的啄光方法，其特征在于檢測涉及上述回收的液體中異物的信息。73.根據(jù)權(quán)利要求70至72中任一項所述的曝光方法，其特征在于依照涉及上述異常的信息來判斷中止或持續(xù)膝光動作。74.—種組件制造方法，其特征在于包括使用權(quán)利要求1至26、及59至73中任一項所述的曝光方法使襯底啄光；使曝光后的襯底顯影；以及加工顯影后的襯底。75.—種用曝光用光經(jīng)由液體使襯底曝光的曝光裝置，其特征在于包括液體供應系統(tǒng)，僅對上述襯底上的一部分區(qū)域供應上述液體；第l檢測器，回收用上述液體供應系統(tǒng)所供應的上述液體，并檢測上述回收液體的狀態(tài)；第2檢測器，檢測上述襯底的膜的狀態(tài)；以及控制裝置，基于上述第l檢測器及第2檢測器的至少一方的檢測結(jié)果，判定上述襯底有無異常。76.根據(jù)權(quán)利要求75所述的曝光裝置，其特征在于上述第l檢測器包含微粒計數(shù)器。77.根據(jù)權(quán)利要求75或76所述的曝光裝置，其特征在于上述第2檢測器包含對準傳感器。78.根據(jù)權(quán)利要求75至77中任一項所述的曝光裝置，其特征在于在上述第1檢測器及第2檢測器雙方的檢測結(jié)果沒有異常時，上述控制裝置開始液浸曝光。79.根據(jù)權(quán)利要求75至78中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述控制裝置基于上述第1檢測器及第2檢測器雙方的檢測結(jié)果，判定上述襯底有無異常。80.根據(jù)權(quán)利要求75至79中任一項所述的曝光裝置，其特征在于還包括保持上述襯底的載臺，一邊移動上述載臺一邊用上述第2檢測器檢測在上述襯底周緣部的膜的狀態(tài)。81.—種經(jīng)由光學構(gòu)件及液體用曝光用光使襯底曝光的曝光裝置，其特征在于包括液浸機構(gòu)，將上述光學構(gòu)件與物體之間充滿液體以形成液浸空間，且回收上述液浸空間的液體；檢測裝置，檢測涉及上述回收液體的信息；以及控制裝置，基于上述檢測信息來檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部的異常的信息。82.根據(jù)權(quán)利要求81所述的曝光裝置，其特征在于上述物體包含上述襯底。83.根據(jù)權(quán)利要求81或82所述的曝光裝置，其特征在于上述檢測裝置檢測涉及上述回收的液體中異物的信息。84.根據(jù)權(quán)利要求83所述的曝光裝置，其特征在于上述檢測裝置包含微粒計數(shù)器。85.根據(jù)權(quán)利要求81至84中任一項所述的曝光裝置，其特征在于上述控制裝置依照涉及上述異常的信息來判斷中止或持續(xù)膝光動作。86.—種組件制造方法，其特征在于包括使用權(quán)利要求27至52、及75至85中任一項所述的曝光裝置使襯底瀑光；使曝光后的襯底顯影；以及加工顯影后的襯底。87.—種經(jīng)由光學構(gòu)件及液體用曝光用光使襯底曝光的曝光方法，其特征在于包括在規(guī)定動作中檢測涉及與上述液體接觸的液體接觸部的狀態(tài)的信息；以及基于上述檢測信息來檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。88.根據(jù)權(quán)利要求87所述的膝光方法，其特征在于上述檢測信息包含用熒光顯微鏡檢測上述液體接觸部所得到的信息。89.—種經(jīng)由光學構(gòu)件及液體用曝光用光使襯底啄光的曝光裝置，其特征在于包括光學裝置，檢測在規(guī)定動作中涉及與上述液體接觸的液體接觸部的狀態(tài)的信息；以及控制裝置，基于上述檢測信息來檢測涉及上述液體接觸部的異常的信息。90.根據(jù)權(quán)利要求89所述的曝光裝置，其特征在于上述光學裝置包含熒光顯微鏡。全文摘要經(jīng)由投影光學系統(tǒng)PL及液體1用曝光用光EL使襯底P曝光的曝光方法，具有第1步驟，在規(guī)定動作中、以光學方式觀察與上述液體接觸的液體接觸部的至少一部分的被檢測部的狀態(tài)，將所得到的第1觀察信息進行儲存；第2步驟，在上述規(guī)定動作后，以光學方式觀察上述被檢測部的狀態(tài)以獲得第2觀察信息；以及第3步驟，比較上述第1觀察信息與上述第2觀察信息，來判定上述被檢測部有無異常。文檔編號H01L21/027GK101385125SQ20078000586公開日2009年3月11日申請日期2007年5月22日優(yōu)先權(quán)日2006年5月22日發(fā)明者中野勝志申請人:株式會社尼康