專利名稱：具有單側(cè)遮蓋的封裝系統(tǒng)模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及一種單遮蓋閃速存儲卡及其制造方法。
背景技術(shù)：
對便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求的強(qiáng)勁增長推動了對高容量存儲裝置的需要。例如閃存 存儲卡的非易失性半導(dǎo)體存儲器裝置開始被廣泛使用以滿足對數(shù)字信息存儲及交換的 日益增長的需求。這些存儲器裝置的便攜性、通用性與耐用設(shè)計以及其高可靠性及大容 量已使得這些存儲器裝置對用于多種電子裝置中是理想的，所述電子裝置包括(例如) 數(shù)字相機(jī)、數(shù)字音樂播放器、視頻游戲控制臺、PDA及蜂窩式電話。
雖然己知多種封裝配置，但閃存存儲卡一般可制造為封裝系統(tǒng)(SiP)模塊或多芯 片模塊(MCM)，其中將多個電路小片安裝于襯底上。襯底通?？砂▌傂曰?，所述 剛性基底具有蝕刻于一側(cè)或兩側(cè)上的導(dǎo)電層。電連接形成于電路小片與導(dǎo)電層之間，且 導(dǎo)電層提供電引線結(jié)構(gòu)以用于將電路小片集成到電子系統(tǒng)中。 一旦電路小片與襯底之間 形成電連接，所述組合件隨后通常被包封于模制化合物(molding compound)中以提供 保護(hù)性封裝。
鑒于小型化要求以及需要閃速存儲卡為可移式且不永久地附接到印刷電路板的事 實，這些卡通常由平面柵格陣列(LGA)封裝構(gòu)建。在LGA封裝中，半導(dǎo)體電路小片 電連接到形成于封裝下表面上的暴露的接觸指。與主機(jī)印刷電路板(PCB)上的其它電 子組件的外部電連接是通過使接觸指與PCB上的互補(bǔ)電襯墊形成壓力接觸而實現(xiàn)。LGA 封裝用于閃速存儲卡是理想的，原因在于其比引腳柵格陣列(PGA)封裝及球狀柵格陣 列(BGA)封裝具有更小的輪廓及更低的電感。
半導(dǎo)體電路小片通常在面板上分批處理，且隨后在制造過程完成后被分割 (singulate)成各個封裝。已知有若干方法用于分割半導(dǎo)體封裝，所述方法包括(例如) 鋸切、水射流切割、激光切割、水導(dǎo)引激光切割、干介質(zhì)切割及金剛石涂層線切割。
一旦經(jīng)分割后，可通過將半導(dǎo)體封裝包封于一對遮蓋(lid)內(nèi)而完成閃速存儲卡的 制造。所述遮蓋保護(hù)封裝并覆蓋接觸襯墊，例如，測試襯墊，所述測試襯墊在模制過程 中在封裝中保持暴露以允許在完成封裝之后進(jìn)行電測試及預(yù)燒(bnm-in)。也已知僅在封裝的一側(cè)上提供單遮蓋來保護(hù)封裝并覆蓋暴露的接觸襯墊。常規(guī)方法是利用黏著劑將 這些單側(cè)遮蓋貼附到半導(dǎo)體封裝。然而，利用黏著劑來貼附單側(cè)遮蓋在生產(chǎn)中難以控制， 且生產(chǎn)的閃速存儲卡較不可靠。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例大體而言涉及單遮蓋閃速存儲卡及其制造方法。所述單側(cè)遮蓋閃速 存儲卡可由半導(dǎo)體封裝形成，所述半導(dǎo)體封裝具有能夠?qū)蝹?cè)遮蓋緊固于其上的兩個或 兩個以上錐形、階梯形或其它形狀的邊緣。錐形、階梯形或其它形狀可由多種方法制造。 在一個實施例中，錐形、階梯形或其它形狀可在囊封工藝期間模制于半導(dǎo)體封裝的邊緣 中。具有向下延伸的楔狀物或其它形狀的模蓋可用于形成所要的封裝邊緣的形狀。在替 代實施例中，可在分割步驟期間而非囊封步驟期間形成成形邊緣。在此實施例中，可使 用具有錐形邊緣的刀片從面板分割半導(dǎo)體封裝，這些刀片邊緣將在經(jīng)切割的半導(dǎo)體封裝 的邊緣中界定錐形。
可將具有成形邊緣的半導(dǎo)體封裝封閉于外部遮蓋內(nèi)以形成成品閃速存儲卡?？赏ㄟ^ 包括包覆模制的多種工藝而將遮蓋施加到半導(dǎo)體封裝的單側(cè)上，或通過如下方式而將遮 蓋施加到半導(dǎo)體封裝的單側(cè)上使遮蓋預(yù)先形成有與半導(dǎo)體封裝的外邊緣相匹配的內(nèi)邊 緣，及隨后使遮蓋在封裝上滑動以于其間形成緊密配合。半導(dǎo)體封裝的成形邊緣有效地 將遮蓋緊固地固持于存儲卡上而無需任何黏著劑，且阻止遮蓋從半導(dǎo)體封裝上移開。
可根據(jù)多種標(biāo)準(zhǔn)卡配置中的任一者形成包括單側(cè)遮蓋的存儲卡，所述標(biāo)準(zhǔn)卡配置包
括(例如)SD卡、Pico卡、緊湊型閃存卡、智能媒體卡、迷你SD卡、MMC (多媒體 卡)、RS-MMC (微型多媒體卡)、xD卡、Transflash存儲卡或記憶棒。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的實施例制造閃速存儲卡的方法的流程圖。
圖2為在根據(jù)本發(fā)明的制造過程期間集成電路面板的一部分的俯視圖。
圖3為穿過圖2中的線3-3的橫截面圖。
圖4為根據(jù)本發(fā)明的實施例的經(jīng)模制的集成電路的面板在被切割成各個集成電路封 裝之前的俯視圖。
圖5為在用以囊封面板上的集成電路的模制工藝期間使用的模制工藝模板(die plate)的底部透視圖。
圖6為根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有錐形邊緣的半導(dǎo)體封裝的端視圖。圖7為根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有階梯形邊緣的半導(dǎo)體封裝的端視圖。
圖8為閃速存儲卡的透視圖，所述閃速存儲卡包括通過半導(dǎo)體封裝的錐形邊緣而固 持于半導(dǎo)體封裝上的單側(cè)遮蓋。
圖9為閃速存儲卡的透視圖，所述閃速存儲卡包括通過半導(dǎo)體封裝的階梯形邊緣而 固持于半導(dǎo)體封裝上的單側(cè)遮蓋。
圖IO為包括三個錐形邊緣的閃速存儲卡的俯視圖。
圖11為穿過圖10中的線11-11的橫截面。
圖12為穿過圖IO中的線12-12的橫截面。
圖13為包括四個錐形邊緣的閃速存儲卡的俯視圖。
圖14為穿過圖11中的線14-14的橫截面。
圖15為穿過圖11中的線15-15的橫截面。
圖16為包括三個階梯形邊緣的閃速存儲卡的俯視圖。
圖17為穿過圖16中的線17-17的橫截面。
圖18為穿過圖16中的線18-18的橫截面。
圖19為包括四個階梯形邊緣的閃速存儲卡的俯視圖。
圖20為穿過圖19中的線20-20的橫截面。
圖21為穿過圖19中的線21-21的橫截面。
圖22到圖27為根據(jù)本發(fā)明的實施例的可形成有成形邊緣的三個不同存儲卡的俯視 圖及橫截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參考圖1到圖27描述本發(fā)明的實施例，圖1到圖27是關(guān)于單遮蓋閃速存儲 卡及其制造方法。應(yīng)了解，本發(fā)明可以許多不同形式來實施，且不應(yīng)解釋為限于本文所 陳述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明詳盡且完整并將本發(fā)明充分傳 達(dá)給所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。實際上，本發(fā)明旨在涵蓋包括于如由隨附權(quán)利要求書所界定
的本發(fā)明的范圍及精神內(nèi)的這些實施例的替代物、修改及均等物。此外，在本發(fā)明的下 述詳細(xì)描述中，陳述了許多特定細(xì)節(jié)以便徹底理解本發(fā)明。然而，所屬領(lǐng)域的一般技術(shù) 人員將明了可無需這些特定細(xì)節(jié)而實踐本發(fā)明。
一般而言，單側(cè)遮蓋閃速存儲卡是由半導(dǎo)體封裝形成，所述半導(dǎo)體封裝具有能夠?qū)?單側(cè)遮蓋緊固于其上的兩個或兩個以上錐形、階梯形或其它形狀的邊緣?，F(xiàn)在將參考圖 1的流程圖來描述根據(jù)本發(fā)明的實施例制造具有成形邊緣的半導(dǎo)體封裝并將單側(cè)遮蓋貼附于其上的方法。制造過程利用面板100于步驟50中開始，面板100部分地展示于(例 如)圖2及圖3中。用于本發(fā)明的面板100的類型可為(例如)引線框、印刷電路板 ("PCB")、用于巻帶式自動接合("TAB")工藝中的巻帶，或其上可組裝及囊封集成電 路的其它已知襯底。
在面板100為PCB的實施例中，襯底可由核心形成，且具有形成于核心的頂部表面 上的頂部導(dǎo)電層及形成于核心的底部表面上的底部導(dǎo)電層。盡管對本發(fā)明而言并非至關(guān) 重要，但核心可由多種介電材料形成，例如，聚酰亞胺層板、環(huán)氧樹脂(包括FR4及 FR5)、雙馬來酰亞胺三嗪(BT)及其類似物。導(dǎo)電層可由銅或銅合金、鍍層銅或鍍層 銅合金、合金42 (42Fe/58Ni)、鍍銅鋼或已知的用于襯底上的其它金屬及材料形成。
可用已知工藝蝕刻面板100的金屬層使其具有導(dǎo)電圖案，用以在一個或一個以上半 導(dǎo)體電路小片與外部裝置之間傳達(dá)信號(步驟52)。 一旦經(jīng)圖案化后，便可在步驟54中 在襯底上層疊焊接掩膜。在襯底100用作(例如)LGA封裝的實施例中，可在步驟56 中于底部導(dǎo)電層的若干部分上形成一個或一個以上金層，以在半導(dǎo)體封裝的底部表面上 界定接觸指以用于與外部裝置的通信，如此項技術(shù)中所已知?？梢砸阎碾婂児に噥硗?覆所述一個或一個以上金層。應(yīng)了解，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝無需是LGA封裝，且 在替代實施例中可以是多種其它封裝，包括(例如)BGA封裝。
可用分批工藝在面板100上形成多個離散集成電路102以實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)。在面板100 上制造集成電路102可包括步驟58及步驟60:對于每一集成電路102，將一個或一個 以上半導(dǎo)體電路小片104及無源組件106安裝于面板100上。
可在步驟58中用己知的黏著或共熔電路小片接合工藝、利用已知的電路小片附著 化合物安裝所述一個或一個以上半導(dǎo)體電路小片104。半導(dǎo)體電路小片104的數(shù)目及類 型對本發(fā)明是至關(guān)重要的且可極大地變化。在一個實施例中，所述一個或一個以上電路 小片104可包括閃速存儲器陣列(例如，NOR、 NAND或其它)、S-RAM或DDT，及/ 或例如ASIC的控制器芯片。也預(yù)期其它半導(dǎo)體電路小片?？稍诓襟E62中用己知的線接 合工藝通過焊線(wirebond)108將所述一個或一個以上電路小片114電連接到面板100。 電路小片可堆疊于SiP配置中、并列安裝于MCM配置中，或貼附于另一封裝配置中。
盡管在圖1的流程圖上未明確提出，但可在如上所述于面板IOO上制造多個集成電 路102期間進(jìn)行多種目視檢查及自動檢查。
一旦已在面板100上形成多個集成電路102后，可在步驟64中且如圖4所示地利 用模制化合物120囊封集成電路102中的每一者。模制化合物120可為例如可從住友株 式會社(Sumitomo Corp.)及日東電工株式會社(Nitto Denko Corp.)(所述兩個公司總部均在日本)購買到的環(huán)氧樹脂。也預(yù)期來自其它制造商的其它模制化合物。可根據(jù)多 種工藝(包括通過轉(zhuǎn)移模制或射出模制技術(shù))來涂覆模制化合物以囊封集成電路102中 的每一者。如圖4所示，可使接觸指122保持為暴露的。
如上文所指出，半導(dǎo)體封裝的兩個或兩個以上對置邊緣可形成有錐形、階梯形或其 它形狀，以允許將單側(cè)遮蓋緊固地貼附于其上?？赏ㄟ^多種方法制造半導(dǎo)體封裝的邊緣 形狀。在一個實施例中，錐形、階梯形或其它形狀可在囊封工藝期間模制于半導(dǎo)體封裝 的邊緣中。
舉例來說，圖5說明上模蓋模板160及下模蓋模板162。如圖所示，上模蓋模板160 具有多個向下延伸的楔狀物164。在模制工藝期間，面板IOO可放置在模蓋模板160、 162之間。當(dāng)將模板合在一起并將模制化合物引入于所述板之間時，楔狀物164阻止模 制化合物沉積于楔狀物的區(qū)域中，且因此一經(jīng)分割便沿半導(dǎo)體封裝的邊緣界定錐形。
應(yīng)了解，其它樣式的突起物可形成于上或下模蓋模板160上，以沿著半導(dǎo)體封裝的 邊緣形成多種形狀，包括(例如)階梯形邊緣。如下文所解釋的，可在分割步驟期間而 非囊封步驟期間形成成形邊緣。在此實施例中，面板IOO可囊封于模制化合物中而未在 模制化合物中界定邊緣(因此，可從模板160、 162中省去向下延伸的楔狀物154或其 它形狀)。
盡管圖4中展示為具有一般矩形形狀，但在若干實施例中經(jīng)模制的集成電路可具有 不規(guī)則形狀。舉例來說，標(biāo)題為"閃速存儲卡的制造方法"("Method of Manufacturing Flash Memory Cards")的第11/265,337號美國專利申請案中揭示了 一種用于形成不規(guī)則 形狀的半導(dǎo)體封裝的方法，所述申請案被讓予本申請案的所有人，且所述申請案的全部 內(nèi)容以引用的方式并入本文中。
在模制步驟64之后，可在步驟66中將標(biāo)記施加到模制化合物120。標(biāo)記可(例如) 是印刷在每一集成電路102的模制化合物120的表面上的標(biāo)志或其它信息。標(biāo)記可(例 如)指示裝置的制造商及/或類型。在本發(fā)明的替代實施例中可省去標(biāo)記步驟66。
接著，可在步驟68中分割集成電路102中的每一者。分割步驟68包括將面板100 上的集成電路102切割成多個各個半導(dǎo)體封裝。如上文所指出，半導(dǎo)體封裝可包括在囊 封過程期間形成的成形邊緣。在替代實施例中，可在分割步驟期間而非囊封步驟期間形 成成形邊緣。在此實施例中，可利用具有錐形邊緣的刀片切割面板100。此切割將在經(jīng) 切割半導(dǎo)體封裝的邊緣中界定錐形。應(yīng)了解，可利用其它切割方法在半導(dǎo)體封裝的邊緣 中形成所要形狀，例如，水射流切割、激光切割、水導(dǎo)引激光切割、干介質(zhì)切割及金剛 石涂層線切割。應(yīng)進(jìn)一步了解，可通過多種已知的切割方法在邊緣中獲得其它形狀，例如階梯形配置。
圖6及圖7說明通過上述步驟形成的半導(dǎo)體封裝的端視圖。圖6展示具有錐形邊緣 172及174的半導(dǎo)體封裝170。邊緣172及174可以是半導(dǎo)體封裝170的四個邊緣中的 任何兩個對置邊緣。進(jìn)一步預(yù)期半導(dǎo)體封裝170的邊緣中的三者或所有四者可包括由上 述步驟形成的錐形。錐形可形成角e，在若干實施例中角0介于2°與45°之間，且在其 它實施例中角9介于5。與30。之間。應(yīng)了解，在其它實施例中角e可小于2。且可大于45。。
圖7展示包括階梯形邊緣182及184的半導(dǎo)體封裝180。邊緣182及184可以是半 導(dǎo)體封裝180的四個邊緣中的任何兩個對置邊緣。進(jìn)一步預(yù)期半導(dǎo)體封裝180的邊緣中 的三者或所有四者可包括由上述步驟形成的階梯形。進(jìn)一步預(yù)期不同邊緣可具有不同形 狀。因此，舉例來說，第一邊緣可為錐形的，而第二對置邊緣可為階梯形的。
再次參看圖1的流程圖及圖8與圖9的視圖，可在步驟70中進(jìn)一步將半導(dǎo)體封裝 (例如，封裝170及封裝180)封閉于外部遮蓋190內(nèi)，以形成成品閃速存儲卡200。 此遮蓋150將為半導(dǎo)體封裝提供外部覆蓋，且建立外部產(chǎn)品特征(例如，用以幫助將卡 200正確插入于主機(jī)裝置中的任何凹口、倒角等)。
可將遮蓋190施加到半導(dǎo)體封裝的單側(cè)上，例如，施加在與包括接觸指122的側(cè)相 對的側(cè)上?？捎啥喾N工藝(例如通過包覆模制)來施加遮蓋190。在此工藝中，半導(dǎo)體 封裝170、 180可放置于射出模制壓機(jī)中，并(例如通過導(dǎo)銷)定位于固定且對齊的 (registered)位置中。熔融塑料或其類似物可隨后圍繞半導(dǎo)體封裝流入到模具中。半導(dǎo) 體封裝定位于模具中，以使得塑料圍繞封裝的第一側(cè)(亦即，圖8及圖9的視圖中的底 部)及封裝的邊緣中的兩個到四個邊緣。封裝中與第一側(cè)相對的第二側(cè)可保持無塑料。 塑料硬化，并從模具中移除成品卡200。
作為包覆模制工藝的替代工藝，遮蓋可獨立于半導(dǎo)體封裝而形成，且可形成有與半 導(dǎo)體封裝的外邊緣輪廓相匹配的內(nèi)邊緣輪廓。遮蓋可隨后在半導(dǎo)體封裝上滑動，以便在 遮蓋與半導(dǎo)體封裝之間形成緊密的匹配配合。
如圖8及圖9所示，封裝沿第一側(cè)(亦即，圖8及圖9的視圖中的底部)比無遮蓋 的第二側(cè)寬。較寬尺寸將遮蓋190緊固地固持于卡200上而無需任何黏著劑，且阻止遮 蓋190從半導(dǎo)體封裝上移開。
如上文所指出，本發(fā)明的實施例可使用不同數(shù)目的具有錐形或階梯形邊緣的側(cè)。圖 10的俯視圖及圖11與圖12的橫截面圖說明半導(dǎo)體封裝170的三個側(cè)具有錐形邊緣的實 施例。圖13的俯視圖及圖14與圖15的橫截面圖說明半導(dǎo)體封裝170的四個側(cè)具有錐 形邊緣的實施例。同樣，圖16的俯視圖及圖17與圖18的橫截面圖說明半導(dǎo)體封裝180的三個側(cè)具有階梯形邊緣的實施例。圖19的俯視圖及圖20與圖21的橫截面圖說明半 導(dǎo)體封裝170的四個側(cè)具有階梯形邊緣的實施例。
可根據(jù)多種標(biāo)準(zhǔn)卡配置中的任一者而形成包括單側(cè)遮蓋190的存儲卡200。舉例來 說，圖8及圖9說明Pico卡。圖22的俯視圖及圖23的橫截面圖說明根據(jù)本發(fā)明實施例 的包括錐形邊緣的半導(dǎo)體封裝210,所述半導(dǎo)體封裝210用于xD卡。圖24的俯視圖及 圖25的橫截面圖說明根據(jù)本發(fā)明實施例的包括錐形邊緣的半導(dǎo)體封裝220，所述半導(dǎo)體 封裝220用于MMC卡。且圖26的俯視圖及圖27的橫截面圖說明根據(jù)本發(fā)明實施例的 包括錐形邊緣的半導(dǎo)體封裝230,所述半導(dǎo)體封裝230用于RS-MMC卡。盡管在圖22 到圖27的每一者中展示兩個錐形邊緣，但應(yīng)了解，可成形三個或四個邊緣，且所述三 個或四個邊緣可成形為其它配置，包括階梯形。應(yīng)進(jìn)一步了解，其它卡可形成有成形邊 緣，包括(例如)SD卡、緊湊型閃速存儲卡、智能媒體卡、迷你SD卡、Transflash存 儲卡或記憶棒。還可設(shè)想其它裝置。
上文已出于說明及描述的目的對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)描述。其并非意欲為囊括性或?qū)?本發(fā)明限制于所揭示的精確形式。根據(jù)上述教示，許多修改及變化均是可能的。選擇所 述實施例是為了最好地解釋本發(fā)明的原理及其實際應(yīng)用，從而使得所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員 能夠在多種實施例中并用適合于預(yù)期特定用途的多種修改來最好地利用本發(fā)明。本發(fā)明 的范圍意欲由隨附權(quán)利要求書加以界定。
權(quán)利要求
1.一種用于接納單側(cè)遮蓋的半導(dǎo)體封裝，所述半導(dǎo)體封裝包含第一表面，在接納所述遮蓋后所述第一表面預(yù)期被所述遮蓋覆蓋；第二表面，其與所述第一表面相對，在接納所述遮蓋后所述第二表面預(yù)期保持未被覆蓋；第一邊緣，其在所述第一表面與所述第二表面之間延伸；及第二邊緣，其與所述第一邊緣相對且在所述第一表面與所述第二表面之間延伸；所述第一邊緣及所述第二邊緣具有一形狀，所述形狀界定在所述第一表面處垂直處于所述第一邊緣與所述第二邊緣之間的第一距離，所述第一距離大于在所述第二表面處垂直處于所述第一邊緣與所述第二邊緣之間的第二距離。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一邊緣及所述第二邊緣的所述形狀 包括錐形，所述錐形從所述第一表面處到所述第二表面處由寬逐漸變窄。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一邊緣及所述第二邊緣的所述形狀 包括階梯形，所述階梯形從所述第一表面處到所述第二表面處由寬逐步變窄。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體封裝，其進(jìn)一步包含處于所述第二表面中的接觸指， 用以在所述半導(dǎo)體封裝與主機(jī)裝置之間建立電連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述半導(dǎo)體封裝是閃速存儲器半導(dǎo)體封 裝。
6. —種從面板形成閃速存儲器的方法，所述方法包含如下步驟a) 在所述面板上形成多個集成電路；b) 利用模制化合物來囊封所述多個集成電路；c) 從所述面板中分割出多個半導(dǎo)體封裝，所述多個半導(dǎo)體封裝中的一個半導(dǎo)體 封裝包括在所述半導(dǎo)體封裝的第一與第二對置表面之間延伸的第一與第二對置邊 緣；d) 界定所述第一與第二對置邊緣的形狀，使得所述第一表面在所述第一邊緣與 所述第二邊緣之間具有大于所述第二表面的直徑；及e)將遮蓋貼附到所述半導(dǎo)體封裝的所述第一表面，所述第一邊緣與所述第二邊 緣的所述形狀能夠在所述遮蓋上施加力，所述力抵抗所述遮蓋與半導(dǎo)體封裝的分 離。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述界定所述第一與第二對置邊緣的形狀的步驟 d)包含在所述第一與第二對置邊緣中界定錐形的步驟，所述錐形從所述第一表面 處到所述第二表面處由寬逐漸變窄。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述界定所述第一與第二對置邊緣的形狀的步驟 d)包含在所述第一與第二對置邊緣中界定階梯形的步驟，所述階梯形從所述第一 表面處到所述第二表面處由寬逐步變窄。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述利用模制化合物囊封所述多個集成電路的步 驟b)包括將所述面板定位在第一板與第二板之間的步驟，所述第一模板包括用于 在所述第一與第二對置邊緣中界定所述階梯形的突起物。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述界定所述第一與第二對置邊緣的形狀的步驟 d)作為所述利用模制化合物囊封所述多個集成電路的步驟b)的一部分而執(zhí)行。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述利用模制化合物囊封所述多個集成電路的步 驟b)包括將所述面板定位在第一板與第二板之間的步驟，所述第一模板包括用于 界定所述步驟d)的所述錐形的突起物。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述界定所述第一與第二對置邊緣的形狀的步驟 d)作為所述從所述面板中分割出多個半導(dǎo)體封裝的步驟c)的一部分而執(zhí)行。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述從所述面板中分割出所述多個半導(dǎo)體封裝的 步驟c)包括用具有錐形邊緣的刀片切割所述面板的步驟。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述將遮蓋貼附到所述半導(dǎo)體封裝的所述第一表 面的步驟e)包含將所述遮蓋包覆模制到所述半導(dǎo)體封裝的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述將遮蓋貼附到所述半導(dǎo)體封裝的所述第一表 面的步驟e)包含如下步驟使所述遮蓋形成有內(nèi)邊緣，所述內(nèi)邊緣具有能夠與所 述半導(dǎo)體封裝的所述第一邊緣及所述第二邊緣的所述形狀相匹配的形狀；及，使所述遮蓋在所述半導(dǎo)體封裝上滑動，以使得所述遮蓋的內(nèi)邊緣與所述半導(dǎo)體封裝的所 述第一邊緣及所述第二邊緣相配合。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種單遮蓋閃速存儲卡及其制造方法。所述單側(cè)遮蓋閃速存儲卡可由半導(dǎo)體封裝形成，所述半導(dǎo)體封裝具有能夠?qū)蝹?cè)遮蓋緊固于其上的兩個或兩個以上錐形、階梯形或其它形狀的邊緣。錐形、階梯形或其它形狀可由多種方法制造，包括在模制步驟期間或在分割步驟期間?？蓪⒕哂谐尚芜吘壍陌雽?dǎo)體封裝封閉在外部遮蓋內(nèi)，以形成成品閃速存儲卡?？赏ㄟ^包括包覆模制的多種工藝而將所述遮蓋施加到所述半導(dǎo)體封裝的單側(cè)上，或通過如下方式而將所述遮蓋施加到所述半導(dǎo)體封裝的單側(cè)上使所述遮蓋預(yù)先形成有與所述半導(dǎo)體封裝的外邊緣相匹配的內(nèi)邊緣，及隨后使所述遮蓋在所述封裝上滑動以與其形成緊密配合。所述半導(dǎo)體封裝的所述成形邊緣有效地將所述遮蓋緊固地固持于所述存儲卡上而無需任何黏著劑，且阻止所述遮蓋從所述半導(dǎo)體封裝上移開。
文檔編號H01L23/04GK101496161SQ200780005307
公開日2009年7月29日 申請日期2007年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月15日
發(fā)明者沃倫·米德爾考夫, 羅伯特·C·米勒, 赫姆·塔基阿爾 申請人:桑迪士克股份有限公司