專利名稱：種膜的成膜方法、等離子體成膜裝置和存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及種膜(seed film)的成膜方法和等離子體成膜裝置，特 別涉及在填埋形成在半導(dǎo)體晶片等被處理體上的凹部時形成的種膜的 成膜方法、等離子體成膜裝置和存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)：
一般地，為了制造半導(dǎo)體器件，在半導(dǎo)體晶片上重復(fù)進(jìn)行成膜處 理、圖案蝕刻處理等各種處理，制造所希望的器件，但從半導(dǎo)體器件 的進(jìn)一步高集成化和高微細(xì)化的要求出發(fā)，線寬、孔徑也日益微細(xì)化。 于是，作為配線材料、埋入材料，由于各種尺寸的微細(xì)化，需要進(jìn)一 步減少電阻，所以存在使用電阻非常小且價格便宜的銅的傾向(專利 文獻(xiàn)1、 2、 3)。在使用銅作為該配線材料、埋入材料的情況下，考慮 與其下層的密接性等， 一般使用鉭金屬(Ta )、氮化鉭(TaN)膜等作 為阻擋層。
為了填埋上述凹部內(nèi)，首先在等離子體濺射裝置內(nèi)，在包括該凹 部內(nèi)的整個壁面的整個晶片表面上形成由銅膜構(gòu)成的薄種膜，然后通 過對整個晶片表面實施鍍銅處理，完全地填埋凹部內(nèi)。之后，利用CMP
(Chemical Mechanical Polishing:化學(xué)機(jī)械拋光)處理等進(jìn)行研磨處理， 除去晶片表面的多余的銅薄膜。
參照圖9~圖11說明這一點。圖9是表示在半導(dǎo)體晶片的表面上形 成的凹部的一個例子的截面立體圖，圖10是表示用于填埋圖9中的一 部分凹部的現(xiàn)有的成膜方法的工序圖，圖11是說明形成懸突
(overhang)部分的狀態(tài)的說明圖。圖9表示在形成于半導(dǎo)體晶片W 的表面的絕緣層3上形成有由截面為矩形的橫向較長的槽(溝trench) 構(gòu)成的凹部2，和在該槽狀的凹部2的底部形成有通路孔(viahole)、 通孔(through hole)那樣的孔狀的凹部4的狀態(tài)，此處為兩層的臺階 結(jié)構(gòu)。在圖示的例子中，在孔狀的凹部4的下部形成有作為下層的配線層6，通過以導(dǎo)電部件埋入該凹部4，能夠獲得導(dǎo)通。這種兩層結(jié)構(gòu) 被稱為Dual Damascene (雙嵌刻)結(jié)構(gòu)。另外，也存在單獨形成槽狀 的凹部2或孔狀的凹部4的情況。隨著設(shè)計規(guī)則的細(xì)化，這些凹部2、 4的寬度、孔徑變得非常小，隨之，表示填埋凹部的縱橫的尺寸比的高 寬比(aspect ratio)相反地變大，例如達(dá)到3 4左右。
此處，參照圖10主要說明填埋孔狀的凹部4內(nèi)的方法。預(yù)先通過 等離子體濺射裝置，在該半導(dǎo)體晶片W的表面上，包括上述凹部4內(nèi) 的內(nèi)面地大致均勻地形成例如由TaN膜和Ta膜的疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的阻擋 層8，作為基底膜(參照圖IO (A))。然后，通過等離子體濺射裝置， 遍及包括上述凹部4內(nèi)的表面的整個晶片表面，形成由作為金屬膜的 薄銅膜構(gòu)成的種膜10 (參照圖10 (B))。在等離子體濺射裝置內(nèi)形成 該種膜10時，在半導(dǎo)體晶片側(cè)施加高頻電壓的偏壓電力，高效地進(jìn)行 銅金屬離子的引入。進(jìn)而，通過在上述晶片表面上實施三元素(3D) 的鍍銅處理，由此，利用例如由銅膜構(gòu)成的金屬膜12填埋上述凹部4 內(nèi)。這時，上層的槽狀的凹部2也通過鍍銅被填埋。之后，使用上述 的CMP處理等進(jìn)行研磨處理，除去上述晶片表面的多余的金屬膜12、 種膜10和阻擋層8。:日本特開2000-77365號公報:日本特開平KK74760號公報:日本特開平10-214836號公報

發(fā)明內(nèi)容
然而， 一般在等離子體濺射裝置內(nèi)進(jìn)行成膜的情況下，如上所述 通過在半導(dǎo)體晶片側(cè)施加偏壓電力，促進(jìn)金屬離子的引入，能夠使成 膜速率變大。在這種情況下，如果過度加大偏壓，則因為用于產(chǎn)生等 離子體而導(dǎo)入裝置內(nèi)的作為等離子體激勵用氣體的惰性氣體，例如氬 氣的離子會使晶片表面被濺射而削去特意堆積的金屬膜，所以不將上 述偏壓電力設(shè)定得那么大。
但是，在如上述所示形成由銅膜構(gòu)成的種膜10的情況下，如圖10 (B)所示，在凹部4的上端的開口部的種膜10的部分，產(chǎn)生以夾著 該開口的方式突出的懸突部分14。因此，即使以后通過電鍍等利用由銅膜構(gòu)成的金屬膜12填埋該凹部4，也會產(chǎn)生電鍍液不能夠充分浸入 內(nèi)部的情況，存在可能該內(nèi)部未被充分填埋而產(chǎn)生空隙16的問題。
參照圖11說明形成上述懸突部分14的理由。在等離子體濺射時 飛散的金屬(Cu)粒子中，除了被等離子體離子化的金屬離子之外， 還存在中性粒子，上述金屬離子被偏壓電力吸引，具有指向性地從大 致垂直方向上方飛來堆積在晶片面上，與此相對，中性金屬粒子從相 對晶片面的所有方向飛來，特別是從傾斜方向飛來的中性金屬粒子Cl 通常具有附著在凹部4的上端的開口部的角部上的傾向。
另外，在堆積在開口部的角部的金屬膜被金屬粒子、金屬離子C2 濺射時，可能擊出其它金屬粒子C3，該被擊出的金屬粒子C3再次附 著在相對的角部上。
進(jìn)而，在形成該種膜時，為了抑制堆積膜的表面擴(kuò)散而冷卻晶片， 但這樣也不可避免地產(chǎn)生一定程度的表面擴(kuò)散，從而，由于表面擴(kuò)散， 堆積膜的表面的金屬粒子移動，結(jié)果，堆積在開口部的角部的金屬膜 在表面擴(kuò)散時為了減少其表面積而球狀集中，因此以曲面狀伸出的方 式移動。由于上述各理由形成懸突部分14。
因為如果形成這樣的懸突部分14則容易產(chǎn)生空隙16，所以為了防 止產(chǎn)生上述空隙16，在進(jìn)行上述鍍銅時在電鍍液中加入各種添加劑， 以盡可能使銅膜堆積在凹部4的底部的方式促進(jìn)成膜，自底向上 (bottom up)地進(jìn)行。
這樣的添加劑在銅的金屬膜中殘留得很少，在電鍍處理后一般所 進(jìn)行的高溫退火處理時，銅的金屬膜中的添加劑從膜中排出，能夠成 為純粹的銅的金屬膜配線。
但是，由于近年來的線寬、孔徑的進(jìn)一步微細(xì)化的傾向，要求線 寬、孔徑尺寸為100nm以下的尺寸，則利用上述高溫退火處理現(xiàn)在能 夠容易地排出的上述添加劑不能夠充分地從銅的金屬膜中排出，產(chǎn)生 殘留在金屬膜中的問題。
如果這樣添加劑殘留在銅的金屬膜中，則該配線的電阻值變大， 不僅得不到依據(jù)設(shè)計的電特性，而且添加劑的存在還會抑制退火處理 時的銅的顆粒的生長，成為降低該金屬膜的可靠性的原因。
于是，為了消除上述添加劑引起的問題，對不使用電鍍處理，通過在整個凹部4內(nèi)進(jìn)行等離子體濺射而進(jìn)行填埋的方法進(jìn)行研究，在
這種情況下，如上所述，圖10 (B)中說明的懸突部分14形成在凹部 4的開口端，金屬離子難以到達(dá)內(nèi)部，結(jié)果不可避免地產(chǎn)生空隙16。
此外，為了解決該懸突部分14的問題，如在專利文獻(xiàn)2、 3中公 開的，考慮通過高溫處理使堆積的金屬膜回流并埋入凹部4內(nèi)，但如 專利文獻(xiàn)2、 3所示，在金屬膜為極容易熔融的鋁的情況下能夠回流， 但在難以熔融的銅的情況下非常難以回流，仍不是現(xiàn)實的解決方法。
本發(fā)明著眼于上述問題，是為了有效地解決該問題而提出的。本 發(fā)明的目的是提供能夠不產(chǎn)生懸突部分地形成種膜的種膜的成膜方 法、等離子體成膜裝置和存儲介質(zhì)。
本申請的第一發(fā)明是一種種膜的成膜方法，該種膜以下述方式形 成在能夠抽真空的處理容器內(nèi)利用等離子體使金屬靶離子化而產(chǎn)生 金屬離子，利用偏壓電力將上述金屬離子引向載置在上述處理容器內(nèi) 的載置臺上的表面具有凹部的被處理體，在包括上述凹部內(nèi)的上述被 處理體的表面上形成金屬膜，由此形成電鍍用的種膜，該成膜方法的 特征在于，交替地多次重復(fù)進(jìn)行下述工序?qū)⑸鲜銎珘弘娏υO(shè)定為在 上述被處理體的表面上一度形成的上述金屬膜不會被濺射的大小，并 形成上述金屬膜的成膜工序；和不產(chǎn)生上述金屬離子，中止上述金屬 膜的形成的中止工序。
這樣，通過交替地多次重復(fù)進(jìn)行下述工序?qū)⑵珘弘娏υO(shè)定為在
被處理體的表面上一度形成的金屬膜不會被濺射的大小，并形成上述
金屬膜的成膜工序；和不產(chǎn)生金屬離子，中止金屬膜的形成的中止工 序，在被處理體的表面上一度堆積的金屬膜不會再次被濺射而飛散， 而且因為間歇地插入中止金屬膜的形成的期間，所以與現(xiàn)有方法的連 續(xù)濺射不同，能夠抑制由堆積的金屬膜的表面擴(kuò)散引起的移動，結(jié)果， 能夠不產(chǎn)生懸突部分地形成種膜。
另外，因為能夠不產(chǎn)生懸突部分地形成種膜，所以在后續(xù)工序的 電鍍工序中能夠不產(chǎn)生空隙地填埋凹部內(nèi)。
在這種情況下，例如在上述成膜工序中，為了使上述金屬離子的 離子化率為規(guī)定的值以上，可以將上述處理容器內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定 的壓力值以上。這樣，通過使處理容器內(nèi)的壓力為規(guī)定的壓力值以上，能夠使金 屬離子的離子化率為規(guī)定的值以上，結(jié)果，因為能夠抑制作為懸突部 分形成的主要原因之一的中性金屬粒子的存在，所以能夠相應(yīng)地進(jìn)一 步抑制懸突部分的產(chǎn)生。
此外，例如，上述離子化率的規(guī)定的值為80%。
此外，例如，上述規(guī)定的壓力值為50mTorr。
此外，例如，在上述中止工序中，至少分別斷開產(chǎn)生上述等離子 體的等離子體產(chǎn)生用電力和供向上述金屬靶的放電用電力。
此外，例如，在上述中止工序中，斷開上述偏壓電力。
此外，例如，上述被處理體在上述成膜工序和上述中止工序中被 冷卻。
此外，例如，由上述一次成膜工序形成的上述金屬膜的成膜時間
為10sec以下。
此外，例如，上述種膜的整體的厚度為100nm以下。
此外，例如，上述偏壓電力為0.3瓦/cr^以下。
此外，例如，上述凹部的寬度或孔徑為150nm以下。
此外，例如，上述金屬膜由銅、釕(Ru)、銅合金和釘合金中的任
一個構(gòu)成。
本申請的第二發(fā)明是一種等離子體成膜裝置，其包括能夠抽真 空的處理容器；用于載置在表面形成有凹部的被處理體的載置臺；將 規(guī)定的氣體導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)的氣體導(dǎo)入單元；用于在上述處理容 器內(nèi)產(chǎn)生等離子體的等離子體產(chǎn)生源；設(shè)置在上述處理容器內(nèi)，將要 通過上述等離子體被離子化的金屬靶；將放電用電力供向上述金屬靶 的靶用直流電源；對上述載置臺供給偏壓電力的偏壓電源；和控制裝 置整體的動作的裝置控制部，通過偏壓電力吸引金屬離子，在包括上 述凹部內(nèi)的上述被處理體的表面上形成金屬膜，由此形成電鍍用的種 膜，該等離子體成膜裝置的特征在于上述裝置控制部以交替地多次 重復(fù)進(jìn)行下述工序的方式進(jìn)行控制將上述偏壓電力設(shè)定為在上述被 處理體的表面上一度形成的上述金屬膜不會被濺射的大小，并形成上 述金屬膜的成膜工序；和不產(chǎn)生上述金屬離子，中止上述金屬膜的形 成的中止工序。在這種情況下，例如，上述載置臺具有冷卻上述被處理體的冷卻 單元。
此外，例如，在上述載置臺的表面上形成有流過熱傳導(dǎo)氣體的氣
本申請的第三發(fā)明是一種存儲介質(zhì)，其特征在于存儲在使用等 離子體成膜裝置進(jìn)行成膜時，控制上述等離子體成膜裝置的程序，該 等離子體成膜裝置包括能夠抽真空的處理容器；用于載置在表面形 成有凹部的被處理體的載置臺；將規(guī)定的氣體導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)的 氣體導(dǎo)入單元；用于在上述處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體的等離子體產(chǎn)生 源；設(shè)置在上述處理容器內(nèi)，將要通過上述等離子體被離子化的金屬 靶；將放電用電力供向上述金屬靶的靶用直流電源；對上述載置臺供 給偏壓電力的偏壓電源；和控制裝置整體的動作的裝置控制部，通過 偏壓電力吸引金屬離子，在包括上述凹部內(nèi)的上述被處理體的表面上 形成金屬膜，由此形成電鍍用的種膜，該程序以交替地多次重復(fù)進(jìn)行 下述工序的方式進(jìn)行控制將上述偏壓電力設(shè)定為在上述被處理體的 表面上一度形成的上述金屬膜不會被濺射的大小，并形成上述金屬膜 的成膜工序；和不產(chǎn)生上述金屬離子，中止上述金屬膜的形成的中止 工序。
根據(jù)本發(fā)明的種膜的形成方法、等離子體成膜裝置和存儲介質(zhì)，
能夠發(fā)揮以下優(yōu)異的作用效果。
在形成種膜時，通過交替地多次重復(fù)進(jìn)行下述工序?qū)⑵珘弘娏?設(shè)定為在被處理體的表面上一度形成的金屬膜不會被濺射的大小，并 形成上述金屬膜的成膜工序；和不產(chǎn)生金屬離子，中止金屬膜的形成 的中止工序，在被處理體的表面上一度堆積的金屬膜不會再次被濺射 而飛散，而且因為間歇地插入中止金屬膜的形成的期間，所以與現(xiàn)有 方法的連續(xù)濺射不同，能夠抑制由堆積的金屬膜的表面擴(kuò)散引起的移 動，結(jié)果，能夠不產(chǎn)生懸突部分地形成種膜。
另外，因為能夠不產(chǎn)生懸突部分地形成種膜，所以在后續(xù)工序的 電鍍工序中能夠不產(chǎn)生空隙地填埋凹部內(nèi)。
特別是通過使處理容器內(nèi)的壓力為規(guī)定的壓力值以上，能夠使金 屬離子的離子化率為規(guī)定的值以上，結(jié)果，因為能夠抑制作為懸突部分形成的主要原因之一的中性金屬粒子的存在，所以能夠相應(yīng)地進(jìn)一 步抑制懸突部分的產(chǎn)生。


圖1為表示本發(fā)明的等離子體成膜裝置的一個例子的截面圖。
圖2為表示濺射蝕刻的角度依存性的圖表。
圖3為表示偏壓電力和晶片上表面的成膜量的關(guān)系的圖表。
圖4為表示用于說明本發(fā)明方法的一個例子的流程圖的圖。
圖5為表示本發(fā)明方法的時序圖的圖。
圖6為說明利用本發(fā)明方法形成的種膜的狀態(tài)的截面圖。
圖7為表示相對孔狀的凹部利用本發(fā)明方法和現(xiàn)有方法形成種膜
時的狀態(tài)的電子顯微鏡照片。
圖8為表示相對槽狀(trench)的凹部利用本發(fā)明方法和現(xiàn)有方法
形成種膜時的狀態(tài)的電子顯微鏡照片。
圖9為表示在半導(dǎo)體晶片的表面上形成的凹部的一個例子的截面
立體圖。
圖10為表示用于填充圖9中的一部分的凹部的現(xiàn)有的成膜方法的 工序圖。
圖11為說明形成懸突部分的狀態(tài)的說明圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的種膜的成膜方法、等離子體 成膜裝置和存儲介質(zhì)的一個實施例。
圖1為表示本發(fā)明的等離子體成膜裝置的一個例子的截面圖。此 處，作為等離子體成膜裝置，以ICP (Inductively Coupled Plasma:電 感耦合等離子體)型等離子體濺射裝置為例進(jìn)行說明。如圖所示，該 等離子體成膜裝置22具有例如由鋁等成形為筒體狀的處理容器24。該 處理容器24接地，在其底部26上設(shè)置有排氣口 28，通過進(jìn)行壓力調(diào) 整的節(jié)流閥30，利用真空泵32能夠抽真空。
在該處理容器24內(nèi)設(shè)置有例如由鋁構(gòu)成的圓板狀的載置臺34。該 載置臺34由載置臺本體34A和設(shè)置在其上面的靜電夾盤34B構(gòu)成，在該靜電夾盤34B上能夠吸附并保持作為被處理體的半導(dǎo)體晶片W。 在該靜電夾盤34B的上面?zhèn)龋纬捎辛鬟^熱傳導(dǎo)氣體的氣體槽36，根 據(jù)需要，將Ar氣體等熱傳導(dǎo)氣體供給該氣體槽36，能夠提高晶片W 和載置臺34側(cè)的熱傳導(dǎo)性。另外，根據(jù)需要，將未圖示的吸附用的直 流電壓施加在該靜電夾盤34B上。該載置臺34被從其下表面的中心部 向下方延伸的支柱38支承，該支柱38的下部貫通上述容器底部26。 并且，該支柱38能夠利用未圖示的升降機(jī)構(gòu)上下移動，使上述載置臺 34本身升降。
以包圍上述支柱38的方式設(shè)置有能夠伸縮的折皺狀的金屬波紋管 40，該金屬波紋管40的上端氣密地與上述載置臺34的下表面接合， 并且下端氣密地與上述底部26的上表面接合，能夠維持處理容器24 內(nèi)的氣密性，并且能夠允許上述載置臺34的升降移動。在該載置臺34 的載置臺本體34A中，作為冷卻單元形成有使冷卻晶片W的致冷劑流 過的致冷劑循環(huán)通路42，該致冷劑通過支柱38內(nèi)的未圖示的流路供給 和排出。
另外，在容器底部26上以朝向其上方立起的方式設(shè)置有例如三根 (圖示例子中只表示兩根)支承銷46,并且，與該支承銷46相對應(yīng)， 在上述載置臺34上形成有銷插通孔48。從而，在使上述載置臺34下 降時，利用貫通上述銷插通孔48的支承銷46的上端部接受晶片W， 能夠在從外部侵入的未圖示的搬送臂之間移載該晶片W。由此，在處 理容器24的下部側(cè)壁上設(shè)置有用于使上述搬送臂進(jìn)入的能夠開關(guān)的閘 閥50。
此外，由例如產(chǎn)生13.56MHz的高頻的高頻電源構(gòu)成的偏壓電源 54，通過配線52，與設(shè)置在該載置臺本體34A上的上述靜電夾盤34B 連接，能夠相對上述載置臺34施加規(guī)定的偏壓電力。此外，該偏壓電 源54能夠根據(jù)需要控制其輸出的偏壓電力。
另一方面，在上述處理容器24的頂部，通過O形圈等密封部件 58，氣密地設(shè)置有例如由氧化鋁等電介質(zhì)構(gòu)成的相對高頻具有透過性 的透過板56。并且，在該透過板56上設(shè)置有用于在處理容器24內(nèi)的 處理空間60中使例如作為等離子體激勵用氣體的Ar氣體等離子體化 而產(chǎn)生等離子體的等離子體產(chǎn)生源62。其中，作為等離子體激勵用氣體，也可以使用其他惰性氣體，例如He、 Ne等以代替Ar。具體而言， 上述等離子體產(chǎn)生源62具有與上述透過板56對應(yīng)設(shè)置的感應(yīng)線圈部 64，等離子體產(chǎn)生用的例如13.56MHz的高頻電源66與該感應(yīng)線圈部 64連接，通過上述透過板56，將高頻導(dǎo)入處理空間60。此處，根據(jù)需 要，也能夠控制由該高頻電源66輸出的等離子體電力。
另外，在上述透過板56的正下方，設(shè)置有使導(dǎo)入的高頻擴(kuò)散的例 如由鋁構(gòu)成的擋板68。并且，在該擋板68的下部設(shè)置有包圍上述處理 空間60的上部側(cè)面、例如截面向內(nèi)側(cè)傾斜的形成為環(huán)狀(平截頭錐體 殼狀)的金屬靶70，供給放電用電力的靶用的可變的直流電源72與該 金屬靶70連接。從而，根據(jù)需要，也能夠控制從該可變直流電源72 輸出的直流電力。此處，作為金屬靶70例如使用鉭金屬、銅等，這些 金屬通過等離子體中的Ar離子，作為金屬原子或金屬原子團(tuán)被濺射， 并且在通過等離子體中吋，多數(shù)被離子化。其中，鉭金屬在形成阻擋 層時使用，銅在利用本發(fā)明方法形成種膜時使用。
此外，在該金屬靶70的下部設(shè)置有包圍上述處理空間60的例如 由鋁構(gòu)成的圓筒狀的保護(hù)蓋74，該保護(hù)蓋74接地，并且其下部向內(nèi)側(cè) 彎曲，位于上述載置臺34的側(cè)部附近。另外，在處理容器24的底部 設(shè)置有作為將必需的規(guī)定的氣體導(dǎo)入該處理容器24內(nèi)的氣體導(dǎo)入單元 的例如氣體導(dǎo)入口76。從該氣體導(dǎo)入口76，通過由氣體流量控制器、 閥等構(gòu)成的氣體控制部78,供給作為等離子體激勵用氣體的例如Ar 氣體、其它必需的氣體例如N2氣體等。
此處，成膜裝置22的各構(gòu)成部以與例如由計算機(jī)等構(gòu)成的裝置控 制部80連接并被控制的方式構(gòu)成。具體而言，裝置控制部80控制偏 壓電源54、等離子體產(chǎn)生用的高頻電源66、可變直流電源72、氣體控 制部78、節(jié)流閥30、真空泵32等的動作，在利用本發(fā)明方法形成金 屬膜時如下所述進(jìn)行動作。
首先，在裝置控制部80的支配下，在通過使真空泵32動作而成 為真空的處理容器24內(nèi)，使氣體控制部78動作而使Ar氣體流動，控 制節(jié)流閥30，將處理容器24內(nèi)維持為規(guī)定的真空度。之后，通過可變 直流電源72將直流電力施加在金屬靶70上，進(jìn)而通過高頻電源66將 高頻電力(等離子體電力)施加在感應(yīng)線圈部64上。另一方面，裝置控制部80也向偏壓電源54輸出指令，將規(guī)定的 偏壓電力施加在載置臺34上。這樣，在被控制的處理容器24內(nèi)，利 用金屬靶70、施加在感應(yīng)線圈部64上的等離子體電力形成氬等離子 體、生成氬離子，這些離子與金屬靶70沖撞，該金屬靶70被濺射， 放出金屬粒子。
另外，作為來自被濺射的金屬耙70的金屬粒子的金屬原子、金屬 原子團(tuán)，在通過等離子體中時多數(shù)被離子化。此處，金屬粒子以離子 化的金屬離子和電中性的中性金屬原子混合存在的狀態(tài)向下方向飛 散。然后，特別是金屬離子被施加在載置臺34上的偏壓電力吸引，作 為相對晶片W指向性高的金屬離子堆積在載置臺34上的晶片W上。
如后所述，在形成電鍍用的種膜時，裝置控制部80例如限制偏壓 電源54的輸出地進(jìn)行設(shè)定，由此，能夠以在晶片表面上形成的金屬膜 (Cu膜)不被濺射的狀態(tài)進(jìn)行Cu成膜。此處，裝置各構(gòu)成部分的控 制能夠通過裝置控制部80，基于以在規(guī)定的條件下進(jìn)行金屬膜的成膜 的方式制作而成的程序進(jìn)行控制。此時，例如在軟盤(注冊商標(biāo))(FD)、 光盤(注冊商標(biāo))(CD)、閃存等存儲介質(zhì)82中存儲包括用于進(jìn)行各 構(gòu)成部分的控制的命令的程序，根據(jù)該程序，以在規(guī)定的條件下進(jìn)行 處理的方式控制各構(gòu)成部分。
接著，說明使用以上所述的結(jié)構(gòu)的等離子體成膜裝置22進(jìn)行的本
發(fā)明的種膜的成膜方法。
圖2為表示濺射蝕刻的角度依存性的圖表，圖3為表示偏壓電力 和晶片上表面的成膜量的關(guān)系的圖表，圖4為表示用于說明本發(fā)明方 法的一個例子的流程圖的圖，圖5為表示本發(fā)明方法的時序圖的圖， 圖6為說明通過本發(fā)明方法形成的種膜的狀態(tài)的截面圖。
首先，本發(fā)明方法的特征是交替地多次重復(fù)進(jìn)行下述工序?qū)⑵?壓電力設(shè)定為在半導(dǎo)體晶片的表面上一度形成的金屬膜不會被濺射的 大小，并形成金屬膜的成膜工序；和不產(chǎn)生金屬離子，中止金屬膜的 形成的中止工序。
在成膜工序中，在利用等離子體濺射成膜從而形成金屬膜時，通 過將偏壓電力、直流電力、等離子體電力等控制為適當(dāng)?shù)拇笮?，能?如上所述以堆積在晶片上表面的金屬膜不會通過等離子體氣體(Ar離子)被濺射的方式進(jìn)行設(shè)定。具體而言，將此時的偏壓電力設(shè)定為這 樣的大小在金屬靶70的相對面，即圖l中晶片的上表面上，以依據(jù) 相對金屬離子的吸引的成膜速率進(jìn)行成膜，使由等離子體氣體(Ar+) 引起的濺射蝕刻的蝕刻速率大致為零。 對于該點進(jìn)一步詳細(xì)說明。
首先，不考慮成膜量，對由等離子體氣體引起的濺射蝕刻的蝕刻 速率的特性進(jìn)行研究，濺射面的角度和蝕刻速率的關(guān)系為圖2所示的 圖表。此處，所謂濺射面的角度是指濺射面(晶片上表面)的法線與 濺射氣體(Ar離子Ar+)的入射方向(圖1中向下的方向)所成的 角度，例如，晶片上表面和凹部4 (參照圖10)的底部都為"0度"， 凹部側(cè)壁為"90度"。
從這個圖表可知，晶片上表面(濺射面的角度=0度)進(jìn)行一定程 度的濺射蝕刻，凹部的側(cè)壁(濺射面的角度=90度)幾乎不進(jìn)行濺射蝕 刻，另外，凹部的開口的角部(濺射面角度=40~80度左右)進(jìn)行相當(dāng) 激烈的濺射蝕刻。
在由圖1所示的ICP型濺射裝置構(gòu)成的成膜裝置中，施加在晶片 W側(cè)的偏壓電力和堆積在晶片上表面(不是凹部的側(cè)壁)的成膜量的 關(guān)系為圖3所示的關(guān)系。此處，橫軸的瓦特數(shù)依據(jù)靶的種類、晶片尺 寸等而不同，圖3中的數(shù)值是例如靶為銅、晶片尺寸為200mm的情況。 即，在一定的等離子體電力和向金屬靶70施加一定的直流電力的狀況 下，在偏壓電力不太大的情況下，利用金屬離子的引入和中性金屬原 子能夠得到高成膜量，但當(dāng)偏壓電力增加并超過一定程度的值，例如 50瓦(0.16瓦/cm2)時，晶片表面開始由于作為由偏壓電力加速的等 離子體氣體的氬離子而被濺射，該濺射的傾向逐漸加強(qiáng)(參照圖3)， 結(jié)果，特意堆積的金屬膜被蝕刻。當(dāng)然，偏壓電力越大，這種蝕刻越 激烈。
之后，如果偏壓電力增大，當(dāng)由引入的金屬離子和中性金屬原子 引起的成膜速率與由等離子體氣體的離子引起的濺射蝕刻的蝕刻速率 相同時，成膜和蝕刻相抵消，晶片上表面的成膜量為"零"，這時的條 件與圖3中的點XI (偏壓電力150W)相對應(yīng)。圖3中的偏壓電力 和成膜量僅是表示一個例子，通過控制等離子體電力、直流電力，上述特性曲線能夠如圖3中的點劃線所示那樣變動。
現(xiàn)有技術(shù)中，這種濺射裝置中一般的動作條件是區(qū)域Al的部分，
即不使偏壓電力過大、能夠獲得高成膜量(成膜速率)的區(qū)域。艮口， 成膜量與偏壓為零時幾乎沒有變化(不產(chǎn)生由惰性氣體的等離子體引 起的蝕刻)，并且是引入的金屬離子最大的區(qū)域，是在凹部的底部也能 夠獲得相當(dāng)程度的成膜量的區(qū)域。
在現(xiàn)有方法中，將偏壓電力設(shè)定在該區(qū)域A1的附近，通過連續(xù)數(shù) 十秒的時間堆積金屬膜，形成種膜。
與此同對，在本發(fā)明方法中，交替地重復(fù)進(jìn)行短時間的成膜工序 和中止工序，并且，在成膜工序中在晶片上表面、形成在晶片的表面 上的凹部內(nèi)的表面上堆積金屬膜，但設(shè)定較小的偏壓電力，使得一度 堆積的金屬膜不會由于氣體離子再次被濺射而被蝕刻。另外，因為在 短時間進(jìn)行該成膜工序之后進(jìn)行中止工序，所以能夠暫時性地充分冷 卻一度堆積的金屬膜，由此在金屬膜的表面上不會產(chǎn)生作為懸突部分 形成的原因的表面擴(kuò)散。
基于對以上現(xiàn)象的理解，參照圖4 圖6說明本發(fā)明的方法。
首先，在圖1中，在使載置臺34向下方降下的狀態(tài)下，將晶片W 通過處理容器24的閘閥50搬入能夠抽真空的處理容器24內(nèi)，將其支 承在支承銷46上。然后，在該狀態(tài)下使載置臺34上升，則在其上表 面接受晶片W，利用靜電夾盤34B將該晶片W吸附在載置臺34的上 表面上。
于是，在載置臺34上載置并吸附固定晶片W之后，開始成膜處 理。此時，在搬入前預(yù)先在前工序中在晶片W的上表面上形成與圖9 和圖10中說明的結(jié)構(gòu)相同的凹部2、 4等。該上層的凹部2由槽狀的 溝構(gòu)成，在其底部，作為下層的凹部4，以能夠到達(dá)配線層6的方式形 成有通路孔、通孔那樣的孔，凹部整體形成為兩個臺階的臺階狀。在 圖6中，僅以下層的凹部4為代表進(jìn)行表示。
首先，為了形成阻擋層(圖4的S1)，此處使用鉭作為金屬靶70， 在將處理容器24內(nèi)抽真空至規(guī)定的壓力之后，將等離子體電力施加在 等離子體產(chǎn)生源62的感應(yīng)線圈部64上，并且通過偏壓電源54將規(guī)定 的偏壓電力施加在載置臺34的靜電夾盤34B上。進(jìn)而，通過可變直流電源72將規(guī)定的直流電力施加在金屬靶70上進(jìn)行成膜。這里，為了 形成TaN膜，通過氣體導(dǎo)入口 78供給作為等離子體激勵用氣體的例如 Ar氣體，此外，將作為氮化氣體的N2氣體供給至處理容器24內(nèi)。由 此，不僅是在晶片W的上表面上，在凹部4內(nèi)的側(cè)壁、底面上也大致 均勻地形成TaN膜。此時的偏壓電力在圖3中的區(qū)域A1中，與現(xiàn)有 的一般的成膜條件相同，具體為100W (瓦特)左右。
如果如上所述完成TaN膜的形成，則接著形成Ta膜。此處，在停 止供給作為上述氮化氣體的N2氣體的狀態(tài)下，以與形成TaN膜時相 同的條件，利用等離子體使由Ta構(gòu)成的金屬靶70離子化，堆積Ta膜。 在這種情況下，偏壓電力在圖3中的區(qū)域A1，與現(xiàn)有的一般的成膜條 件相同。由此形成作為基底膜的由TaN/Ta膜構(gòu)成的阻擋層8 (參照圖 4的S1和圖10 (A))。而且，也存在使用單層的Ta膜作為上述阻擋層 8的情況。
接著，將形成有上述阻擋層8的晶片W不暴露在大氣中地搬送至 與圖1所示的結(jié)構(gòu)相同的另一等離子體成膜裝置中。此處，作為金屬 靶70，不使用Ta而使用Cu (銅)。這樣安裝有銅的金屬靶的等離子體 成膜裝置通過能夠抽真空的轉(zhuǎn)移腔室與先前的安裝有鉭的金屬靶的成 膜裝置連接即可，能夠不暴露在大氣中地將半導(dǎo)體晶片W在真空氣氛 中跨越兩成膜裝置間進(jìn)行搬送。
如上所述，此處為了形成由Cu膜構(gòu)成的種膜，使用銅作為金屬靶 70，在將處理容器24內(nèi)抽真空至規(guī)定壓力之后，將等離子體電力施加 在等離子體產(chǎn)生源62的感應(yīng)線圈部64上，并且通過偏壓電源54將規(guī) 定的偏壓電力施加在載置臺34的靜電夾盤34B上。進(jìn)而通過可變直流 電源72將規(guī)定的直流電力施加在金屬靶70上進(jìn)行成膜。此處，為了 形成Cu膜，通過氣體導(dǎo)入口 78將作為等離子體激勵用氣體的例如Ar 氣體供給至處理容器24內(nèi)。
在由本發(fā)明方法形成種膜時，如圖4和圖5所示，實際上交替地 重復(fù)進(jìn)行規(guī)定的次數(shù)(循環(huán)數(shù))的下述工序堆積由Cu膜構(gòu)成的金屬 膜的成膜工序S2;和中止成膜，冷卻已堆積的金屬膜的中止工序S3(S4 的NO)，在己進(jìn)行規(guī)定的次數(shù)的時刻結(jié)束處理(S4的YES)。
圖5所示的情況表示已進(jìn)行4個循環(huán)的上述成膜工序和中止工序的情況，由此，如圖6所示，在每一個循環(huán)中形成Cu的4層金屬膜 90A、 90B、 90C、 90D，作為整體構(gòu)成種膜92。在上述成膜工序中， 上述等離子體用的高頻電源66 (圖5 (A))、金屬靶用的直流電源72 (圖5 (B))和偏壓電源54 (圖5 (C))都接通，堆積Cu的金屬膜。
在上述中止工序中，上述等離子體用的高頻電源66 (圖5 (A))、 金屬靶用的直流電源72 (圖5 (B))和偏壓電源54 (圖5 (C))都斷 開，不產(chǎn)生金屬離子，不堆積金屬膜。
而且，在上述中止工序中，為了不產(chǎn)生金屬離子和等離子體，至 少使等離子體用高頻電源66和金屬靶用的直流電源72都斷開。
此外，如圖5 (D)所示，等離子體激勵用的Ar氣體在上述成膜 工序時流動，在中止工序時停止供給。
與此相對，如圖5 (E)所示，在成膜工序和中止工序中，使例如 一20 一50'C左右的冷卻介質(zhì)相對冷卻單元42流動以冷卻晶片，使得 在成膜工序和中止工序中堆積的金屬膜90A 90D中不產(chǎn)生表面擴(kuò)散。
此處，詳細(xì)說明成膜工序的偏壓電力的設(shè)定。該成膜工序中的偏 壓電力設(shè)定為圖3中的區(qū)域A2所示的較小的值，如上所述，使得在晶 片上表面、形成在晶片的表面的凹部內(nèi)的表面上堆積金屬膜，且一度 堆積的金屬膜不會由于氣體離子被再次濺射而蝕刻。
在單件處理例如300mm尺寸的晶片的等離子體處理裝置的情況 下，上述區(qū)域A2的偏壓的上限值為200瓦(0.3瓦/cm2)左右。當(dāng)偏 壓電力變得更大時，因為相對Ar離子的吸引電力變大，所以一度已堆 積的金屬膜90A 90D發(fā)生再次濺射，由此，在凹部4的開口部的附 近可能開始形成懸突部分。另外，上述偏壓電力的下限值沒有特別限 定，即使為O瓦也可以。
進(jìn)而，在該成膜工序中，為了使上述Cu金屬離子的離子化率為規(guī) 定的值，例如80%以上，將上述處理容器24內(nèi)的處理壓力設(shè)定為規(guī)定 的壓力值，例如50mTorr (6.7Pa)以上。這樣，通過將離子化率提高 至80%以上，具有指向性的金屬粒子的占有率變高，沒有指向性的中 性金屬粒子的占有率變少。結(jié)果，因為對成膜有貢獻(xiàn)的粒子中金屬離 子為支配性的，所以從所有方向飛至凹部4的開口的角部的中性金屬 原子的量相對較少，能夠抑制在該部分上形成懸突部分。關(guān)于這一點，當(dāng)上述離子化率小于80%時，與上述相反，中性金屬粒子對成膜的貢 獻(xiàn)程度變大，會促進(jìn)懸突部分的形成，所以不優(yōu)選。
如上所述，雖然例如依賴于處理條件，但為了使離子化率為80% 以上，將處理壓力設(shè)定為至少50mTorr以上，優(yōu)選為90mTorr以上即 可。而且，當(dāng)處理壓力過度增大時，成膜速率急劇降低，因此其上限 值為100mTorr左右。另外，由于在成膜工序和中止工序中利用冷卻單 元42連續(xù)地冷卻晶片W，所以在成膜工序中晶片W不會被過加熱， 堆積的金屬粒子不會凝聚，此外，因為在中止工序中沒有由Ar氣體離 子引起的沖撞能量，所以能夠充分地冷卻晶片，特別是因為能夠防止 堆積的Cu金屬膜的表面擴(kuò)散，所以根據(jù)該點也能夠抑制懸突部分的形 成。
依據(jù)以上的結(jié)果，上述各懸突部分的形成抑制作用共同作用，結(jié) 果能夠大致確實地阻止在凹部4的開口部附近形成種膜92的懸突部 分。
此處說明具體的數(shù)值例，首先凹部4的開口的寬度或孔徑為150nm 以下，對于100nm以下特別有效。另外，成膜工序的時間Tl在2 10sec的范圍內(nèi)，例如5.5sec左右，中止期間的時間T2在5 20sec范 圍內(nèi)，例如10sec左右。而在現(xiàn)有的成膜方法中，以22sec的連續(xù)成膜 (連續(xù)濺射)形成種膜。
此外，在圖6中形成的種膜92的厚度H1在40 100nm的范圍內(nèi)， 例如60nm左右。此時，堆積在凹部4內(nèi)的側(cè)壁上的種膜92的厚度H2 為上述厚度m的15 20%左右，堆積在凹部4內(nèi)的底部的種膜92的 厚度H3為上述厚度H1的80 90°/。左右。
此外， 一次成膜工序中的金屬膜90的成膜時間為10sec以內(nèi)，當(dāng) 時間比它長時，堆積的金屬膜90產(chǎn)生凝集，成為形成懸突部分的主要 原因。
(評價)
接著，實際進(jìn)行利用本發(fā)明方法(間歇濺射)的種膜的形成和利 用現(xiàn)有方法(連續(xù)濺射)的種膜的形成，并進(jìn)行評價，說明該評價的 結(jié)果。
圖7為表示相對孔狀的凹部利用本發(fā)明方法(間歇濺射)和現(xiàn)有方法(連續(xù)濺射)形成種膜時的狀態(tài)的電子顯微鏡照片，為了進(jìn)行參 考，均在右側(cè)同時記載其示意圖。
圖7 (A)表示現(xiàn)有方法的情況，圖7 (B)表示本發(fā)明方法的情 況，均表示平面圖和截面圖。上述凹部(通路孔Via)的孔徑全部為 110nm，名部分的尺寸表示在照片中。其中，照片中的"OH"表示懸 突部分的尺寸。
關(guān)于處理條件，現(xiàn)有方法和本發(fā)明方法相同，如下所述。
處理壓力為卯mTorr，等離子體用高頻電源66的電力為16kW， 直流電力為16kW，偏壓電力為35W，成膜時間在本發(fā)明方法中為 "5.5secX4循環(huán)"，在現(xiàn)有方法中為22sec (連續(xù)濺射)。
在圖7 (A)所示的現(xiàn)有方法的情況下，通路孔區(qū)域(Via area)的 平均面積Sl為3899nm2，通路孔直徑(Via Dia.) Dl為70.4nm， OH 直徑D2為11.2nm，相對于此，在圖7 (B)所示的本發(fā)明的情況下， 通路孔區(qū)域的平均面積S2為5330nm2，通路孔直徑D3為82.4nm， OH 直徑D4為5.2nm。
這樣，能夠確認(rèn)，尤其能夠?qū)彝徊糠值拇笮?1.2nm減少至5.2 nm，與現(xiàn)有方法相比較，在本發(fā)明方法的情況下，能夠大幅抑制懸突 部分的形成。
另外，對寬度為110nm的槽(溝trench),在與上述相同的方法 和處理條件下形成種膜。此時的結(jié)果表示在圖8中。圖8為表示相對 槽狀(trench)的凹部通過本發(fā)明方法(間歇濺射)和現(xiàn)有方法(連續(xù) 濺射)形成種膜時的狀態(tài)的電子顯微鏡照片，為了進(jìn)行參考，均在右 側(cè)同時記載其示意圖。
圖8 (A)表示現(xiàn)有方法的情況，圖8 (B)表示本發(fā)明方法的情 況，均表示平面圖和截面圖。如圖8 (A)所示，在現(xiàn)有方法的情況下， 懸突部分的內(nèi)徑為60nm，相對于此，在圖8 (B)所示的本發(fā)明方法 的情況下為74.5nm，能夠確認(rèn)，在本發(fā)明方法的情況下，能夠大幅抑 制懸突部分的形成。
在上述實施例中，以形成Cu膜或Cu合金膜作為金屬膜90的情況 為例進(jìn)行了說明，但并不限定于此，例如在形成鎢(W)、鉭(Ta)、 釕(Ru)等金屬膜或這些各金屬的合金膜的情況下，也能夠應(yīng)用本發(fā)明。
而且，各高頻電源的頻率并不限于13.56MHz，能夠使用其他頻率， 例如27.0MHz。此外，作為等離子體用的惰性氣體，并不限于Ar氣體， 也可以使用其他惰性氣體，例如He、 Ne等。
另外，此處作為被處理體，以半導(dǎo)體晶片為例進(jìn)行了說明，但并 不限定于此，在LCD基板、玻璃基板、陶瓷基板等中也能夠應(yīng)用本發(fā) 明。
權(quán)利要求
1.一種種膜的形成方法，該種膜以下述方式形成在能夠抽真空的處理容器內(nèi)利用等離子體使金屬靶離子化而產(chǎn)生金屬離子，利用偏壓電力將所述金屬離子引向載置在所述處理容器內(nèi)的載置臺上的表面具有凹部的被處理體，在包括所述凹部內(nèi)的所述被處理體的表面上形成金屬膜，由此形成電鍍用的種膜，該成膜方法的特征在于交替地多次重復(fù)進(jìn)行下述工序?qū)⑺銎珘弘娏υO(shè)定為在所述被處理體的表面上一度形成的所述金屬膜不會被濺射的大小，并形成所述金屬膜的成膜工序；和不產(chǎn)生所述金屬離子，中止所述金屬膜的形成的中止工序。
2. 如權(quán)利要求1所述的種膜的形成方法，其特征在于 在所述成膜工序中，為了使所述金屬離子的離子化率為規(guī)定的值以上，將所述處理容器內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力值以上。
3. 如權(quán)利要求2所述的種膜的形成方法，其特征在于 所述離子化率的規(guī)定的值為80%。
4. 如權(quán)利要求2所述的種膜的形成方法，其特征在于 所述規(guī)定的壓力值為50mTorr。
5. 如權(quán)利要求1所述的種膜的形成方法，其特征在于 在所述中止工序中，至少分別使產(chǎn)生所述等離子體的等離子體產(chǎn)生用電力和供向所述金屬靶的放電用電力斷開。
6. 如權(quán)利要求1所述的種膜的形成方法，其特征在于在所述中止工序中，斷開所述偏壓電力。
7. 如權(quán)利要求l所述的種膜的形成方法，其特征在于-所述被處理體在所述成膜工序和所述中止工序中被冷卻。
8. 如權(quán)利要求1所述的種膜的形成方法，其特征在于 由所述一次成膜工序形成的所述金屬膜的成膜時間為10sec以下。
9. 如權(quán)利要求1所述的種膜的形成方法，其特征在于所述種膜的整體厚度為lOOmn以下。
10. 如權(quán)利要求l所述的種膜的形成方法，其特征在于 所述偏壓電力為0.3瓦/cm2以下。
11. 如權(quán)利要求1所述的種膜的形成方法，其特征在于-所述凹部的寬度或孔徑為150nm以下。
12. 如權(quán)利要求1所述的種膜的形成方法，其特征在于.-所述金屬膜由銅、釕(Ru)、銅合金和釕合金內(nèi)的任一種構(gòu)成。
13. —種等離子體成膜裝置，其包括 能夠抽真空的處理容器；用于載置在表面形成有凹部的被處理體的載置臺； 將規(guī)定的氣體導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)的氣體導(dǎo)入單元； 用于在所述處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體的等離子體產(chǎn)生源； 設(shè)置在所述處理容器內(nèi)，將要通過所述等離子體被離子化的金屬靶；將放電用電力供向所述金屬靶的靶用直流電源； 對所述載置臺供給偏壓電力的偏壓電源；和 控制裝置整體的動作的裝置控制部，通過偏壓電力吸引金屬離子，在包括所述凹部內(nèi)的所述被處理體 的表面上形成金屬膜，由此形成電鍍用的種膜，該等離子體成膜裝置 的特征在于所述裝置控制部以交替地多次重復(fù)進(jìn)行下述工序的方式進(jìn)行控制將所述偏壓電力設(shè)定為在所述被處理體的表面上一度形成的所述金屬膜不會被濺射的大小，并形成所述金屬膜的成膜工序；和 不產(chǎn)生所述金屬離子，中止所述金屬膜的形成的中止工序。
14. 如權(quán)利要求13所述的等離子體成膜裝置，其特征在于 所述載置臺具有冷卻所述被處理體的冷卻單元。
15. 如權(quán)利要求13所述的等離子體成膜裝置，其特征在于 在所述載置臺的表面上形成有使熱傳導(dǎo)氣體流動的氣體槽。
16. —種存儲介質(zhì)，其特征在于存儲在使用等離子體成膜裝置進(jìn)行成膜時，控制所述等離子體成 膜裝置的程序，該等離子體成膜裝置包括 能夠抽真空的處理容器；用于載置在表面形成有凹部的被處理體的載置臺； 將規(guī)定的氣體導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)的氣體導(dǎo)入單元； 用于在所述處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體的等離子體產(chǎn)生源； 設(shè)置在所述處理容器內(nèi)，將要通過所述等離子體被離子化的金屬耙；將放電用電力供向所述金屬靶的靶用直流電源； 對所述載置臺供給偏壓電力的偏壓電源；和 控制裝置整體的動作的裝置控制部，通過偏壓電力吸引金屬離子，在包括所述凹部內(nèi)的所述被處理體 的表面上形成金屬膜，由此形成電鍍用的種膜，該程序以交替地多次重復(fù)進(jìn)行下述工序的方式進(jìn)行控制將所述偏壓電力設(shè)定為在所述被處理體的表面上一度形成的所述 金屬膜不會被濺射的大小，并形成所述金屬膜的成膜工序；和不產(chǎn)生所述金屬離子，中止所述金屬膜的形成的中止工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種種膜的成膜方法、等離子體成膜裝置和存儲介質(zhì)，該種膜的成膜方法能夠不產(chǎn)生懸突部分地形成種膜。該種膜以下述方式形成在能夠抽真空的處理容器(24)內(nèi)利用等離子體使金屬靶(70)離子化而產(chǎn)生金屬離子，利用偏壓電力將金屬離子引向載置在處理容器內(nèi)的載置臺(34)上的表面具有凹部(4)的被處理體，在包括凹部內(nèi)的被處理體的表面上形成金屬膜，由此形成電鍍用的種膜，該成膜方法的特征在于，交替地多次重復(fù)進(jìn)行下述工序?qū)⑵珘弘娏υO(shè)定為在被處理體的表面上一度形成的金屬膜不會被濺射的大小，并形成金屬膜的成膜工序；和不產(chǎn)生金屬離子，中止金屬膜的形成的中止工序。
文檔編號H01L23/52GK101410952SQ200780004018
公開日2009年4月15日 申請日期2007年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月31日
發(fā)明者佐久間隆, 松田司, 橫山敦, 水澤寧, 池田太郎, 波多野達(dá)夫 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社