專利名稱：一種用于倒裝的大功率發(fā)光二極管晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型是一種用于倒裝的大功率發(fā)光二極管晶片。
背景技術(shù)：
隨著發(fā)光半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，以氮化鎵及其化合物為原材料制成 的發(fā)光二極管在顯示及照明等光電領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。但從客觀
上來講，現(xiàn)有的發(fā)光二極管晶片的尺寸一般為0.3mmX0.3mm或更 小，發(fā)光亮度不是很理想，而且將整塊大的晶片劃分為若干小晶片的 劃片成本也比較高，從而導(dǎo)致現(xiàn)有一般的小型LED成本高卻亮度低。 因此，現(xiàn)有很多大功率LED都采用一整塊大的晶片直接封裝成燈具， 這樣可以得到更高的亮度也避免了劃片而產(chǎn)生的成本問題。但與此同 時，功率的提升直接導(dǎo)致晶片更大的發(fā)熱量，而其較低的出光率和較 差的散熱效果更加劇了晶片溫度的升高，使晶片衰減加速，從而晶片 的使用壽命也急速減少。 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型針對上述技術(shù)問題，提供一種用于倒裝的大功率發(fā)光 二極管晶片，它不僅可以產(chǎn)生更高的亮度，而且有更好的出光率和散 熱效果，從而使其使用壽命加長。
為達到上述目的，本實用新型采用如下的技術(shù)方案 一種用于倒 裝的大功率發(fā)光二極管晶片，包括藍寶石襯底，以及依附于藍寶石襯 底一個側(cè)面上的外延層，其特征是在所述藍寶石襯底遠離外延層的另 一個側(cè)面上，開設(shè)有多條用于出光的凹槽，且該凹槽的深度小于藍寶石襯底的厚度，在所述凹槽的表面設(shè)置有擴散作用的微透鏡陣列，所 述凹槽截面形狀為三角形、梯形或弧形形狀，且凹槽頂面寬度大于底 面寬度。
采用上述技術(shù)方案后，本實用新型在使用大塊的晶片做大功率
LED時，在晶片的藍寶石襯底上開設(shè)有出光和散熱的凹槽，因此它 有更高的出光率和更好的散熱效果，同時亮度更高，也省去了劃片的 成本，適用于制作各種大功率LED。另外，本實用新型的凹槽是在 藍寶石襯底上開設(shè)的，此操作過程完全不會對外延層產(chǎn)生損傷，因此 產(chǎn)品的成品率也比較高。

圖1是本實用新型的截面示意圖2是透鏡陣列放大圖。
具體實施方式

參照附圖1，本實用新型是針對大晶片進行優(yōu)化后的單顆晶片產(chǎn) 品。外延層2依附于藍寶石襯底1并由此而生長成一個大塊的LED 晶片，然后通過常規(guī)的LED切割技術(shù)在藍寶石襯底1遠離外延層2 的側(cè)面上開設(shè)多條用于出光和散熱的凹槽3，并且凹槽3的深度不超 過藍寶石襯底1的厚度，此外在凹槽3的表面還設(shè)置有起擴散作用的、 單個大小呈微透鏡陣列31，它們形成一個粗糙面，以得到更好的出 光效果，如圖2中所示。另外需要補充的是，凹槽3的截面形狀可以 是三角形、梯形、弧形形狀等形狀，如圖1A、 1B和1C所示，但其 頂面寬度a大于底面寬度b，以保證晶片的出光率及散熱效果。
權(quán)利要求1、一種用于倒裝的大功率發(fā)光二極管晶片，包括藍寶石襯底，以及依附于藍寶石襯底一個側(cè)面上的外延層，其特征是在所述藍寶石襯底遠離外延層的另一個側(cè)面上，開設(shè)有多條用于出光的凹槽，且該凹槽的深度小于藍寶石襯底的厚度。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶片，其特征是:在所述 凹槽的表面設(shè)置有擴散作用的微透鏡陣列。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶片，其特征是所述凹 槽截面形狀為三角形、梯形或弧形形狀，且凹槽頂面寬度大于底面寬 度。
專利摘要本實用新型是一種用于倒裝的大功率發(fā)光二極管晶片，包括藍寶石襯底，以及依附于藍寶石襯底一個側(cè)面上的外延層，其特征是在所述藍寶石襯底遠離外延層的另一個側(cè)面上，開設(shè)有多條用于出光的凹槽，且該凹槽的深度小于藍寶石襯底的厚度。本實用新型不僅可以產(chǎn)生更高的亮度，而且有更好的出光率和散熱效果，從而使其使用壽命加長。
文檔編號H01L33/00GK201069778SQ200720053760
公開日2008年6月4日 申請日期2007年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月4日
發(fā)明者樊邦弘 申請人:鶴山麗得電子實業(yè)有限公司