專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，更具體地說(shuō)，涉及 防止接觸缺陷的OLED顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在將信息表現(xiàn)為圖像的各種顯示裝置中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置由于其 與紙相當(dāng)?shù)谋⊥庑味撕艽蟮淖⒁?。有機(jī)發(fā)光顯示裝置利用形成在 電極之間的薄有機(jī)發(fā)光層來(lái)自身發(fā)光，將其稱為電致發(fā)光顯示裝置或有 機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(以下將其稱為OLED顯示裝置)。與液晶顯示裝 置相比，OLED顯示裝置具有功耗更低、外形更薄以及自發(fā)光更強(qiáng)的有 利性質(zhì)。
正在按適合于顯示運(yùn)動(dòng)圖像的有源矩陣型對(duì)OLED顯示裝置進(jìn)行開(kāi) 發(fā)，以獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)包括在一個(gè)像素中的紅色子像素、綠色子像素以及藍(lán) 色子像素。有源矩陣OLED (AMOLED)顯示裝置包括多個(gè)子像素， 其中每個(gè)子像素都由包括陰極、陽(yáng)極以及形成在該陰極與該陽(yáng)極之間的 有機(jī)發(fā)光層的OLED組成；以及獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)所述OLED的子像素驅(qū)動(dòng)器。 所述子像素驅(qū)動(dòng)器包括至少兩個(gè)薄膜晶體管和一存儲(chǔ)電容器，其中，所 述子像素驅(qū)動(dòng)器基于提供給所述OLED的電流量來(lái)控制OLED的亮度。 并且，所述OLED包括設(shè)置在陰極與陽(yáng)極之間并由有機(jī)材料形成的空穴 注入層、空穴輸運(yùn)層、發(fā)光層、電子輸運(yùn)層以及電子注入層。當(dāng)在陰極 與陽(yáng)極之間施加正向電壓時(shí)，陰極的電子經(jīng)由電子注入層和電子輸運(yùn)層 移動(dòng)到發(fā)光層。并且，陽(yáng)極的空穴經(jīng)由空穴注入層和空穴輸運(yùn)層移動(dòng)到 發(fā)光層。由于經(jīng)由電子輸運(yùn)層提供的電子與經(jīng)由空穴輸運(yùn)層提供的空穴 的復(fù)合，發(fā)光層發(fā)射光。此時(shí)，所發(fā)射的光的亮度與在陰極與陽(yáng)極之間 流動(dòng)的電流量成比例。 現(xiàn)有技術(shù)AMOLED顯示裝置被形成為封裝結(jié)構(gòu)，在該封裝結(jié)構(gòu)中， 包括子像素驅(qū)動(dòng)陣列和OLED陣列的基板被接合到封裝板，其中透過(guò)該 包括子像素驅(qū)動(dòng)陣列和OLED陣列的基板來(lái)發(fā)射光。如果在完成了子像 素驅(qū)動(dòng)陣列的工藝之后在OLED陣列工藝中出現(xiàn)了缺陷，則該基板被廢 棄，因而降低了成品率。而且，由于封裝板限制了孔徑比，因此難以將 封裝板應(yīng)用于高分辨率顯示裝置。
為了克服這些問(wèn)題，最新發(fā)展是將子像素驅(qū)動(dòng)陣列與OLED陣列形 成在不同基板上的雙板型AMOLED顯示裝置。在該雙板型AMOLED顯 示裝置中，當(dāng)將這些不同基板相互接合時(shí)，通過(guò)間隔物將各子像素驅(qū)動(dòng) 器與OLED簡(jiǎn)單地相連接，因而子像素驅(qū)動(dòng)器與OLED之間的接觸部分 不穩(wěn)定。因此，如果基板由于該基板的臺(tái)階差、間隔物的不均勻厚度、 水分或外力而變形，則會(huì)由于子像素驅(qū)動(dòng)器與OLED之間的不穩(wěn)定接觸 而出現(xiàn)斷路缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種OLED顯示裝置及其制造方法，其基本 上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或更多問(wèn)題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供防止接觸缺陷的OLED顯示裝置及其制造 方法。
本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、目的以及特征的一部分將在下面的說(shuō)明中加以 闡述，而一部分在由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員研究了以下內(nèi)容后變得清楚， 或者可以通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而獲知。通過(guò)說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求書(shū)以及附圖 中具體指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)并獲得本發(fā)明的上述目的和其他優(yōu)點(diǎn)。
為實(shí)現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本文中所具體體現(xiàn)和廣泛描 述的本發(fā)明的宗旨，提供了一種OLED顯示裝置，其包括形成有子像 素驅(qū)動(dòng)陣列的第一基板；形成有OLED陣列的第二基板；將所述第一基 板與所述第二基板相互接合的密封膠；以及在將所述第一基板與所述第 二基板相互接合時(shí)發(fā)生變形以將所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列與所述OLED陣列 相互電連接的導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料形成在所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列上。并
且，所要求保護(hù)的OLED顯示裝置還包括形成在所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列與 所述導(dǎo)電材料之間的有機(jī)絕緣層，其中，所述有機(jī)絕緣層具有露出所述 第一基板上的電極的預(yù)定部分的多個(gè)接觸孔。所述有機(jī)絕緣層設(shè)置在所 述第一基板的由所述密封膠密封的內(nèi)區(qū)中距所述密封膠預(yù)定間隔處。
所述導(dǎo)電材料由具有彈性并被包括在導(dǎo)電膜中的多個(gè)導(dǎo)電球組成。 所述導(dǎo)電膜對(duì)應(yīng)于包括所述導(dǎo)電球和樹(shù)脂的各向異性導(dǎo)電膜。此外，所 述導(dǎo)電膜還包括吸收水分和氣體的吸附材料。所述導(dǎo)電膜形成在所述有 機(jī)絕緣層的整個(gè)表面上，或者僅部分地形成在預(yù)定部分上，以將所述第 一基板與所述第二基板相互電連接。
所述導(dǎo)電材料包括被插入到所述第一基板的所述多個(gè)接觸孔中的具 有彈性的多個(gè)導(dǎo)電球。
形成在所述第一基板的接觸孔中的導(dǎo)電材料粘合到所述子像素驅(qū)動(dòng)
陣列和所述OLED陣列。
提供了一種制造OLED顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟在 第一基板上形成子像素驅(qū)動(dòng)陣列；在第二基板上形成OLED陣列；在所 述子像素驅(qū)動(dòng)陣列上形成導(dǎo)電材料；以及通過(guò)密封膠將所述第一基板與 所述第二基板相互接合，并由變形的導(dǎo)電材料將所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列與 所述OLED陣列相互電連接。
應(yīng)當(dāng)明白，以上對(duì)本發(fā)明的概述和以下對(duì)本發(fā)明的詳述都是示例性 和說(shuō)明性的，旨在提供對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。


附圖被包含進(jìn)來(lái)以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，其被并入且構(gòu)成本 申請(qǐng)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的(多個(gè))實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一 起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中
圖1是例示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置的剖面圖； 圖2是例示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置的制造方 法的流程圖3是例示根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置的剖面圖4是例示根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置的剖面圖;
圖5是例示根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置的剖面圖;
以及
圖6是例示根據(jù)本發(fā)明其它優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的多個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，附圖中示出了這些優(yōu)選 實(shí)施例的示例。只要有可能，就在所有附圖中使用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相 同或相似的部分。
以下，將參照?qǐng)D1到圖6對(duì)根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝 置進(jìn)行描述。
圖1是例示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置的剖面圖。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置包括 包括子像素驅(qū)動(dòng)陣列的下基板100;包括OLED陣列的上基板200;以及 將下基板100與上基板200相互接合的密封膠300。所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列 包括對(duì)設(shè)置在圖像顯示部中的多個(gè)子像素進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng) 器，所述OLED陣列包括針對(duì)這些子像素的多個(gè)OLED。
下基板100包括包括多條信號(hào)線和多個(gè)薄膜晶體管TFT的子像素 驅(qū)動(dòng)陣列，該子像素驅(qū)動(dòng)陣列形成在絕緣基板110上；覆蓋該子像素驅(qū) 動(dòng)陣列的有機(jī)絕緣層154;以及形成在有機(jī)絕緣層154上的導(dǎo)電膜160。 密封膠300的密封部分將下基板100劃分成內(nèi)區(qū)和外區(qū)。子像素驅(qū)動(dòng)陣 列位于下基板的內(nèi)區(qū)中。
形成在各子像素中的子像素驅(qū)動(dòng)器都包括兩個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)電 容器。例如，這兩個(gè)薄膜晶體管中的一個(gè)對(duì)應(yīng)于響應(yīng)于從選通線輸出的 掃描信號(hào)而提供從數(shù)據(jù)線輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管，另一個(gè)對(duì) 應(yīng)于響應(yīng)于從該開(kāi)關(guān)薄膜晶體管輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)而對(duì)經(jīng)過(guò)OLED的電流 進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。所述存儲(chǔ)電容器使得即使所述開(kāi)關(guān)薄膜晶 體管截止也會(huì)有恒定電流流過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。在該子像素驅(qū)動(dòng)器 中，圖1的薄膜晶體管對(duì)應(yīng)于與OLED相連接的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，并且
開(kāi)關(guān)薄膜晶體管在剖面結(jié)構(gòu)上與該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管相同，因此略去開(kāi)關(guān) 薄膜晶體管的圖。
圖1中所示的薄膜晶體管包括形成在絕緣基板110上的柵極112; 與柵極112相交疊的半導(dǎo)體層122，在它們之間插入有柵絕緣層120;以
及使用半導(dǎo)體層122作為溝道的源極124和漏極126。另外，該薄膜晶體 管包括形成在半導(dǎo)體層122與源極124和漏極126之間的摻雜半導(dǎo)體層， 即，歐姆接觸層(未示出)。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極112與開(kāi)關(guān)薄膜晶體 管的漏極(未示出)相連接，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極124與第二電源線 (未示出)相連接。漏極126經(jīng)由第一接觸電極142和導(dǎo)電膜160而與 OLED (即，形成在上基板200上的OLED的第一電極232)相連接。此 時(shí)，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的柵極(未示出)與選通線(未示出)相連接，開(kāi) 關(guān)薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線(未示出)相連接。
第一接觸電極142經(jīng)由形成在保護(hù)薄膜晶體管TFT的鈍化層132中 的接觸孔134而與漏極126相連接。并且，第一接觸電極142經(jīng)由穿透 有機(jī)絕緣層154的接觸孔156而與包括在導(dǎo)電膜160中的導(dǎo)電球相連接。
在下基板100的由密封膠300密封的內(nèi)區(qū)內(nèi)的子像素驅(qū)動(dòng)陣列的周 界上與柵極112 —起形成有第二供電線114。第二接觸電極144與第二供 電線114電連接。第二供電線114經(jīng)由形成在下基板上的第二接觸電極 144和導(dǎo)電膜160及形成在上基板200上的第三接觸電極234而與形成在 上基板200上的OLED的第二電極214電連接。
第二接觸電極144經(jīng)由形成在鈍化層132和柵絕緣層120中的接觸 孔136而與第二供電線114相連接。并且，第二接觸電極144經(jīng)由形成 在有機(jī)絕緣層154中的接觸孔158而與包括在導(dǎo)電膜160中的導(dǎo)電球164 相連接。為了使第二接觸電極144與第一接觸電極142在同一高度上， 在與導(dǎo)電球164相連接的第二接觸電極144的下方存在多個(gè)偽圖案118、 122及128。例如，所述多個(gè)偽圖案118、 122及128包括與柵極112 一起形成的偽圖案118;形成在柵絕緣層120上的半導(dǎo)體層122;以及與 鈍化層132下方的源極124和漏極126—起形成的偽圖案128。另外，可 以在半導(dǎo)體層122與偽圖案128之間形成摻雜半導(dǎo)體層(未示出)。
在下基板100的由密封膠300形成的密封部分的外區(qū)中，存在焊盤
區(qū)，該焊盤區(qū)包括與選通線(未示出)相連接的選通焊盤150和與數(shù)據(jù) 線(未示出)相連接的數(shù)據(jù)焊盤152。選通焊盤150包括與柵極112 — 起形成并從選通線延伸的下選通焊盤116;以及經(jīng)由形成在鈍化層132和 柵絕緣層120中的接觸孔138而與下選通焊盤116相連接的上選通焊盤 146。數(shù)據(jù)焊盤152包括與源極124和漏極126 —起形成并從數(shù)據(jù)線延 伸的下數(shù)據(jù)焊盤130;以及經(jīng)由形成在鈍化層132中的接觸孔140而與下 數(shù)據(jù)焊盤130相連接的上數(shù)據(jù)焊盤148。上選通焊盤146和上數(shù)據(jù)焊盤 148由透明導(dǎo)電層形成。
在包括第一接觸電極142和第二接觸電極144的鈍化層132上形成 有具有平坦上表面的有機(jī)絕緣層154。有機(jī)絕緣層154包括分別露出第一 接觸電極142和第二接觸電極144的預(yù)定部分的接觸孔156和接觸孔158。 在該情況下，不在焊盤區(qū)中形成有機(jī)絕緣層154，以由此露出選通焊盤 150和數(shù)據(jù)焊盤152。
在有機(jī)絕緣層154上形成有導(dǎo)電膜160。并且，包括在導(dǎo)電膜160 中的導(dǎo)電球164分別經(jīng)由接觸孔156和接觸孔158而與第一接觸電極142 和第二接觸電極144相連接。導(dǎo)電膜160由具有彈性的導(dǎo)電球164和樹(shù) 脂162組成。例如，通過(guò)對(duì)具有彈性的絕緣球涂覆導(dǎo)電層來(lái)形成導(dǎo)電球 164。導(dǎo)電球164將下基板100與上基板200相互電連接，樹(shù)脂162充當(dāng) 下基板100與上基板200之間的粘合劑。導(dǎo)電膜160由各向異性導(dǎo)電膜 (ACF)形成。并且，導(dǎo)電膜160可以包括吸收從外部提供或在內(nèi)部產(chǎn) 生的水分和氧氣的吸附材料。該吸附材料使用二氧化硅、鈣(Ca)、鋇(Ba)、 氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)等形成。
上基板200包括形成在絕緣基板210上的OLED陣列。OLED陣列 包括與下基板100的子像素驅(qū)動(dòng)器相連接的第一電極232;與第二供電 線114相連接的第二電極214;以及形成在第一電極232與第二電極214 之間的有機(jī)發(fā)光層230。 OLED陣列會(huì)由于水分和氣體而導(dǎo)致劣化?？紤] 到這一點(diǎn)，將OLED陣列形成在上基板200的由密封膠300密封的內(nèi)區(qū) 中。
在絕緣基板210上形成OLED的第二電極214，其中，第二電極214 由透明導(dǎo)電層形成，以透過(guò)從有機(jī)發(fā)光層230發(fā)出的光。將第二電極214 形成為包括OLED陣列的板的形狀。第二電極214將通過(guò)第二供電線114 提供的第二電源共同提供給OLED陣列。然后，在第二電極214與絕緣 基板210之間形成輔助電極212，其中，由金屬層制成的輔助電極212補(bǔ) 償了透明導(dǎo)電層的電阻元件。將輔助電極212形成在有機(jī)發(fā)光層230的 非發(fā)射區(qū)中。
在第二電極214上形成有緩沖層218，以按各子像素形成有機(jī)發(fā)光 層230的發(fā)光區(qū)。將緩沖層218形成在有機(jī)發(fā)光層230的非發(fā)射區(qū)中。 按矩陣結(jié)構(gòu)布置有機(jī)發(fā)光層230的由緩沖層218提供的發(fā)光區(qū)。換句話 說(shuō)，緩沖層218提供各子像素中的OLED的部分。
在緩沖層218上形成有隔離物220和接觸間隔物222，其中，隔離 物220將有機(jī)發(fā)光層230和第一電極232劃分成多個(gè)子像素，接觸間隔 物222相對(duì)較高以將第一電極232與下基板100相連接。將隔離物220 形成為包圍各子像素的壁的形狀。在用于將下基板100與上基板200相 互電連接的預(yù)定部分(例如各子像素驅(qū)動(dòng)器與OLED之間的接觸部分) 處將接觸間隔物222形成為柱形。
為了將第三接觸電極234與第一電極232隔離開(kāi)，隔離物220的側(cè) 面沿與接觸間隔物222逐漸變細(xì)的方向相反的方向逐漸變細(xì)。即，從接 觸間隔物222的與緩沖層218相接觸的底部到其端部，接觸間隔物222 的截面積逐漸減小，因而接觸間隔物222具有正向斜面。同時(shí)，從隔離 物220的與緩沖層218相接觸的底部到其端部，隔離物220的截面積逐 漸增大，因而隔離物220具有反向斜面。
在形成有緩沖層218、隔離物220以及接觸間隔物222的第二電極 214上形成有機(jī)發(fā)光層230。然后，在有機(jī)發(fā)光層230上形成第一電極232。 隔離物220的反向斜面將有機(jī)發(fā)光層230和第一電極232分成多個(gè)子像 素單元。有機(jī)發(fā)光層230包括空穴注入層、空穴輸運(yùn)層、發(fā)光層、電子 輸運(yùn)層以及電子注入層。有機(jī)發(fā)光層230按各子像素單元發(fā)出紅光、綠 光和藍(lán)光。
第一電極232具有這樣的高度，即，該高度使得當(dāng)將下基板100接 合到上基板200時(shí)下基板100與上基板200可以相互接觸。接觸間隔物 222與露出下基板100的第一接觸電極142的接觸孔156相對(duì)準(zhǔn)。這樣， 覆蓋接觸間隔物222的第一電極232經(jīng)由下基板100的導(dǎo)電球164而與 第一接觸電極142相連接。結(jié)果，通過(guò)第一接觸電極142和導(dǎo)電球164 向各子像素的第一電極232提供從薄膜晶體管(TFT)輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
上基板200的第二電極214延伸到OLED陣列的周界，從而通過(guò)第 三接觸電極234將來(lái)自下基板100的第二電源信號(hào)提供給上基板200的 第二電極214。為了使得當(dāng)?shù)谌佑|電極234與下基板100的導(dǎo)電膜160 相接觸時(shí)與第二電極214相連接的第三接觸電極234與第一電極232 — 樣高，在第二電極214與第三接觸電極234之間形成緩沖層218和接觸 間隔物222。緩沖層218和接觸間隔物222與露出下基板100的第二接觸 電極144的接觸孔158相對(duì)準(zhǔn)。因此，當(dāng)將下基板100與上基板200相 互接合時(shí)，覆蓋緩沖層218和接觸間隔物222的第三接觸電極234經(jīng)由 下基板的導(dǎo)電球164而與第二接觸電極144電連接。結(jié)果，經(jīng)由第二接 觸電極144、導(dǎo)電球164和第三接觸電極234向第二電極214提供從第二 供電線114提供的第二電源信號(hào)。與第一電極232 —起形成第三接觸電 極234。由隔離物220將第三接觸電極234與第一電極232隔離開(kāi)。
下基板100的第一供電線(未示出)向薄膜晶體管TFT的源極124 提供驅(qū)動(dòng)電壓(VDD)和接地電壓(GND)中的任一個(gè)作為電源信號(hào)； 第二供電線向源極124提供驅(qū)動(dòng)電壓(VDD)和接地電壓(GND)中的 另一個(gè)作為電源信號(hào)。因此，形成在上基板200上的OLED陣列的第一 電極232用作陰極和陽(yáng)極中的任一個(gè)；而第二電極214用作陰極和陽(yáng)極 中的另一個(gè)。
在下基板100或上基板200的密封部分中形成密封膠300，以由此 將下基板100與上基板200相互接合。通過(guò)紫外線使密封膠300固化。 此時(shí)，密封膠300粘合到上基板200的絕緣基板210，并且還粘合到下基 板100的導(dǎo)電膜160或有機(jī)絕緣層154。
將包括子像素驅(qū)動(dòng)陣列的下基板100接合到包括OLED陣列的上基
板200。當(dāng)將下基板100與上基板200接合時(shí)，對(duì)其施加熱和壓力。由此， 下基板100與上基板200通過(guò)導(dǎo)電膜160相互電連接，并且由于所施加 的熱和壓力而穩(wěn)定地相互粘著。此時(shí)，導(dǎo)電膜160的樹(shù)脂162和導(dǎo)電球 164具有彈性。因此，當(dāng)將下基板100與上基板200相互接合時(shí)，所施加 的壓力將下基板100的導(dǎo)電膜160下壓在其與上基板200的接觸間隔物 222相接觸的部分上，從而使位于與下基板100的接觸孔156和接觸孔 158相對(duì)應(yīng)的位置處的導(dǎo)電球164變形。經(jīng)由這些變形的導(dǎo)電球164，形 '成在接觸間隔物222上的第一電極232和第三接觸電極234分別與形成 在下基板100上的第一接觸電極142和第二接觸電極144相連接。這樣， 具有彈性的導(dǎo)電膜160補(bǔ)償了接觸間隔物222的不均勻高度，從而使下 基板100與上基板200穩(wěn)定地相互電連接。并且，導(dǎo)電膜160還包括吸 收從外部提供或在內(nèi)部產(chǎn)生的水分和氧氣的吸附材料，以由此通過(guò)防止 有機(jī)發(fā)光層230的劣化來(lái)延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光層230的使用壽命。
圖2是例示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置的制造方 法的流程圖。
在步驟2 (S2)中，在下基板100的絕緣基板110上形成第一金屬 圖案組，其中，該第一金屬圖案組包括選通線(未示出)、柵極112、第 二供電線114、偽圖案118以及下選通焊盤116。詳細(xì)地說(shuō)，通過(guò)濺射在 絕緣基板110上淀積第一金屬層，然后通過(guò)光刻和刻蝕對(duì)該第一金屬層 進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成第一金屬圖案組。第一金屬層由鉬(Mo)、鈦(Ti)、 銅(Cu)、鋁(Al)、鉻(Cr)或它們的合金形成，其中，可以將第一金 屬層形成為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
在步驟4 (S4)中，在形成有第一金屬圖案組的絕緣基板110上形 成柵絕緣層120。在柵絕緣層120上依次淀積半導(dǎo)體層122和摻雜半導(dǎo)體 層(未示出)。詳細(xì)地說(shuō)，通過(guò)PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積) 來(lái)淀積柵絕緣層120、半導(dǎo)體層122和摻雜半導(dǎo)體層。柵絕緣層120由無(wú) 機(jī)絕緣材料氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。半導(dǎo)體層122由非晶 硅層(a-Si)形成，摻雜半導(dǎo)體層由慘雜有n+離子的硅層形成。然后，通 過(guò)光刻和刻蝕對(duì)慘雜半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層122進(jìn)行構(gòu)圖，由此半導(dǎo)體層
122和摻雜半導(dǎo)體層部分地留在柵絕緣層120上。
在步驟6 (S6)中，在形成有半導(dǎo)體層122的柵絕緣層120上形成 第二金屬圖案組，其中，該第二金屬圖案組包括數(shù)據(jù)線(未示出)、第一 供電線(未示出)、源極124、漏極126、偽圖案128以及下數(shù)據(jù)焊盤130。 詳細(xì)地說(shuō)，通過(guò)濺射淀積第二金屬層，然后通過(guò)光刻和刻蝕對(duì)該第二金 屬層進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成第二金屬圖案組。然后，使用源極124和漏極 126作為掩模，通過(guò)刻蝕工藝去除摻雜半導(dǎo)體層的暴露部分。第二金屬層 由鉬(Mo)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鋁(Al)、鉻(Cr)或它們的合金形成， 其中，可以將第二金屬層形成為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。同時(shí)，可以使用 衍射曝光的衍射曝光掩?；蚓哂邪胪干湫缘幕译A掩模，通過(guò)一個(gè)掩模工 藝來(lái)形成半導(dǎo)體層122、摻雜半導(dǎo)體層和第二金屬圖案組。
在步驟8 (S8)中，在包括有第二金屬圖案組的柵絕緣層120上形 成包括有多個(gè)接觸孔134、 136、 138及140的鈍化層132?？梢酝ㄟ^(guò)CVD 在形成有第二金屬圖案組的柵絕緣層120上形成鈍化層132。然后，通過(guò) 光刻和刻蝕對(duì)鈍化層132進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成露出漏極126的預(yù)定部分 的接觸孔134、穿過(guò)柵絕緣層120露出第二供電線114的預(yù)定部分的接觸 孔136、露出下選通焊盤116的接觸孔138以及露出下數(shù)據(jù)焊盤130的接 觸孔140。鈍化層132由無(wú)機(jī)絕緣材料氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx) 形成。另一方面，可以通過(guò)旋涂方法或無(wú)旋涂覆方法由有機(jī)絕緣材料形 成鈍化層132。
在步驟10 (S10)中，在鈍化層132上形成第一接觸電極142和第 二接觸電極144。為了形成第一接觸電極142和第二接觸電極144，通過(guò) 濺射在鈍化層132上淀積第三金屬層，然后通過(guò)光刻和刻蝕對(duì)第三金屬 層進(jìn)行構(gòu)圖。第一接觸電極142經(jīng)由接觸孔134而與薄膜晶體管TFT的 漏極126相連接，第二接觸電極144經(jīng)由接觸孔136而與第二供電線114 相連接。第三金屬層由鉬(Mo)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鋁(Al)、鉻(Cr) 或它們的合金形成，其中，可以將第三金屬層形成為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié) 構(gòu)。
在步驟12 (S12)中，在鈍化層132上方的接觸孔138的表面上形
成上選通焊盤146，并在鈍化層132上方的接觸孔140的表面上形成上數(shù) 據(jù)焊盤148。為了形成上選通焊盤146和上數(shù)據(jù)焊盤148，通過(guò)濺射在鈍 化層132上淀積透明導(dǎo)電層，然后通過(guò)光刻和刻蝕對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行 構(gòu)圖。上選通焊盤146經(jīng)由接觸孔138而與下選通焊盤116相連接，上 數(shù)據(jù)焊盤148經(jīng)由接觸孔140而與下數(shù)據(jù)焊盤130相連接。該透明導(dǎo)電 層由ITO (銦錫氧化物)、TO (氧化錫)、IZO (銦鋅氧化物)或ITZO (銦 錫鋅氧化物)形成。
在步驟14 (S14)中，在形成有第一接觸電極142和第二接觸電極 144的鈍化層132上形成包括有接觸孔156和接觸孔158的有機(jī)絕緣層 154。通過(guò)旋涂方法或無(wú)旋涂覆方法在鈍化層132上形成有機(jī)絕緣層154。 然后，通過(guò)光刻和刻蝕對(duì)有機(jī)絕緣層154進(jìn)行構(gòu)圖，由此接觸孔156和 接觸孔158穿透有機(jī)絕緣層154。具有相同高度的接觸孔156和接觸孔 158分別露出第一接觸電極142和第二接觸電極144的預(yù)定部分。同時(shí)， 可以在形成上選通焊盤146和上數(shù)據(jù)焊盤148之前在鈍化層132上形成 有機(jī)絕緣層154。
通過(guò)步驟2到14 (S2到S14)完成了圖1的下基板100。此時(shí)，在 將下基板100與上基板200接合之前形成圖1中所示的下基板100的導(dǎo) 電膜160，因此對(duì)導(dǎo)電膜160進(jìn)行如下說(shuō)明。
在步驟20 (S20)中，在上基板200的絕緣基板210上形成輔助電 極212。為了形成輔助電極212，通過(guò)濺射在絕緣基板210上淀積金屬層， 然后通過(guò)光刻和刻蝕對(duì)該金屬層進(jìn)行構(gòu)圖。輔助電極212的金屬層由鉬 (Mo)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鋁(Al)、鉻(Cr)或它們的合金形成，其 中，可以將輔助電極212形成為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
在步驟22 (S22)中，在形成有輔助電極212的絕緣基板210上形 成第二電極214。為了形成第二電極214，在形成有輔助電極212的絕緣 基板210上淀積透明導(dǎo)電層，然后通過(guò)光刻和刻蝕對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行 構(gòu)圖。該透明導(dǎo)電層可以由ITO (銦錫氧化物)、TO (氧化錫)、IZO (銦 鋅氧化物)或ITZO (銦錫鋅氧化物)形成。
在步驟24 (S24)中，在第二電極214上形成緩沖層218。為了形成
緩沖層218，通過(guò)PECVD在第二電極214上淀積絕緣層，然后通過(guò)光刻 和刻蝕對(duì)該絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖。緩沖層218可以由無(wú)機(jī)絕緣材料氮化硅 (SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。另一方面，可以通過(guò)旋涂方法或無(wú)旋涂 覆方法由有機(jī)絕緣材料形成緩沖層218。
在步驟26 (S26)中，在緩沖層218上形成隔離物220。為了形成隔 離物220，通過(guò)旋涂方法或無(wú)旋涂覆方法在緩沖層218上涂覆有機(jī)絕緣材 料，然后通過(guò)光刻和刻蝕對(duì)該有機(jī)絕緣材料進(jìn)行構(gòu)圖，由此隔離物220 具有反向斜面。
在步驟28 (S28)中，在緩沖層218上形成接觸間隔物222。為了形 成接觸間隔物222，通過(guò)旋涂方法或無(wú)旋涂覆方法在緩沖層218上涂覆有 機(jī)絕緣材料，然后通過(guò)光刻和刻蝕對(duì)該有機(jī)絕緣材料進(jìn)行構(gòu)圖。同時(shí)， 可以在形成隔離物220之前在緩沖層218上形成接觸間隔物222。
在步驟30 (S30)中，在形成有接觸間隔物222、隔離物220及緩沖 層218的第二電極214上形成有機(jī)發(fā)光層230。使用遮蔽掩模(shadow mask)，通過(guò)重復(fù)的淀積工藝在紅色、綠色和藍(lán)色的對(duì)應(yīng)部分中依次形成 有機(jī)發(fā)光層230。隔離物220將有機(jī)發(fā)光層230分成多個(gè)子像素單元。
在步驟32 (S32)中，在有機(jī)發(fā)光層230上形成第一電極232，并在 第二電極214上形成第三接觸電極234。為了形成第一電極232和第三接 觸電極234，通過(guò)熱蒸鍍?cè)谟袡C(jī)發(fā)光層230上淀積金屬材料。隔離物220 將第一電極232分成多個(gè)子像素單元。同時(shí)，隔離物220將第三接觸電 極234與第一電極232隔離開(kāi)。第一電極232和第三接觸電極234可以 由A1、 MgAg、 Ca或Ba形成。
通過(guò)步驟20到32 (S20到S32)完成了圖1的上基板200。
在步驟40 (S40)中，在形成有有機(jī)絕緣層154的下基板100上形 成導(dǎo)電膜160。此時(shí)，可以將去除了保護(hù)膜的導(dǎo)電膜160粘合到有機(jī)絕緣 層154，或者可以通過(guò)掩模來(lái)印刷包括有導(dǎo)電球164的樹(shù)脂162。并且， 導(dǎo)電膜160包括吸收水分和氣體的吸附材料。
在步驟42(S42)中，在下基板100上形成密封膠300，并將上基板 200與下基板100相對(duì)地放置。然后，利用真空將下基板100與上基板
200相互接合。此時(shí)，當(dāng)將下基板100與上基板200相互接合時(shí)，所施加 的壓力將下基板100的導(dǎo)電膜160下壓在其與上基板200的接觸間隔物 222相接觸的部分上，從而使位于與下基板100的接觸孔156和接觸孔 158相對(duì)應(yīng)的位置處的導(dǎo)電球164變形。經(jīng)由這些變形的導(dǎo)電球164，形 成在接觸間隔物222上的第二電極232和第三接觸電極234分別與形成 在下基板100上的第一接觸電極142和第二接觸電極144相連接。此時(shí)， 具有彈性的導(dǎo)電膜160補(bǔ)償了接觸間隔物222的不均勻高度，使下基板 100與上基板200穩(wěn)定地相互電連接。并且，導(dǎo)電膜160還包括吸收從外
部提供或在內(nèi)部產(chǎn)生的水分和氧氣的吸附材料，以由此防止有機(jī)發(fā)光層 230劣化。
圖3是例示根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置的剖面圖。 除了僅在由密封膠300形成的密封部分的內(nèi)區(qū)中形成有機(jī)絕緣層 174和導(dǎo)電膜180以夕卜，圖3的OLED顯示裝置在結(jié)構(gòu)上與圖1的OLED 顯示裝置相同。因此，將略去對(duì)在圖1中已描述的要素的說(shuō)明。
在下基板100上，有機(jī)絕緣層174和導(dǎo)電膜180位于由密封膠300 形成的密封部分的內(nèi)區(qū)中。因此，將密封膠300粘合到由無(wú)機(jī)絕緣材料 制成的鈍化層132，這與圖1中所示的將導(dǎo)電膜160粘合到保護(hù)膜或有機(jī) 絕緣層154相比具有更好的粘合性。結(jié)果，可以防止水分經(jīng)由密封膠300 與下基板100之間的界面和密封膠300與上基板200之間的界面滲透到 密封部分的內(nèi)區(qū)中。
圖4是例示根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置的剖面圖。 除了僅在將下基板100與上基板200相互電連接的預(yù)定部分上部分 地形成導(dǎo)電膜l卯以夕卜，圖4的OLED顯示裝置在結(jié)構(gòu)上與圖3的OLED 顯示裝置相同。因此，將略去對(duì)在圖1和圖3中已描述的要素的說(shuō)明。
如圖4所示，僅在將下基板100與上基板200相互電連接的預(yù)定部 分上部分地形成導(dǎo)電膜190。即，在下基板100上與露出第一接觸電極 142和第二接觸電極144的接觸孔相對(duì)應(yīng)地形成導(dǎo)電膜190。例如，可以 將導(dǎo)電膜190獨(dú)立地設(shè)置在各子像素的子像素驅(qū)動(dòng)器上，或者可以將導(dǎo) 電膜190設(shè)置成穿過(guò)所述多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)器的線的形狀。此外，可以將
導(dǎo)電膜l卯僅獨(dú)立地形成在第二接觸電極144的位于子像素驅(qū)動(dòng)器的周
界的部分上，或者可以將導(dǎo)電膜190形成為穿過(guò)所述多個(gè)第二接觸電極 144的線的形狀。
可以通過(guò)掩模印刷方法或者通過(guò)對(duì)覆蓋有保護(hù)膜的導(dǎo)電膜190進(jìn)行 處理和粘合來(lái)形成導(dǎo)電膜190。由于僅在將下基板100與上基板200相互 電連接的預(yù)定部分上部分地形成導(dǎo)電膜190，因此可以防止不必要地浪費(fèi) 導(dǎo)電膜190。
圖5是例示根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的OLED顯示裝置的剖面圖。 除了僅在將下基板100與上基板200相互電連接所需的預(yù)定部分上 設(shè)置具有彈性的導(dǎo)電球184以外，圖5的OLED顯示裝置在結(jié)構(gòu)上與圖 3的OLED顯示裝置相同。因此，將略去對(duì)在圖1和圖3中已描述的要 素的說(shuō)明。
如圖5所示，將導(dǎo)電球184插入到露出下基板100的第一接觸電極 142和第二接觸電極144的接觸孔156和接觸孔158中。詳細(xì)地說(shuō)，將包 括導(dǎo)電球184的溶液滴在下基板100上，然后搖擺下基板IOO，由此將導(dǎo) 電球184插入到有機(jī)絕緣層154的接觸孔156和接觸孔158中。至少一 個(gè)導(dǎo)電球184足夠小，使得可以將該導(dǎo)電球184插入到接觸孔156和接 觸孔158中，其中，每個(gè)導(dǎo)電球184的直徑都為幾微米("m)。另外， 導(dǎo)電球的尺寸適合于穩(wěn)定地固定在接觸孔中。經(jīng)由插入到接觸孔156中 的導(dǎo)電球184，上基板200的第一電極232與下基板100的第一接觸電極 142電連接。并且，插入到接觸孔158中的具有彈性的另一導(dǎo)電球184將 上基板200的第三接觸電極234與下基板100的第二接觸電極144電連 接。
例如，為了使導(dǎo)電球184具有彈性，將具有彈性的絕緣球的外表面 涂覆以導(dǎo)電膜。因此，導(dǎo)電球184由于施加給下基板100的力而變形， 使得變形的導(dǎo)電球184補(bǔ)償接觸間隔物222的高度差，從而防止斷路缺 陷。
除了圖5的導(dǎo)電球184以外，還可以使用通過(guò)將可熔金屬球涂覆以 絕緣材料而形成的球194。如圖6所示，將包括球194的溶液滴在下基板
100上，然后搖擺下基板100，由此將球194插入到有機(jī)絕緣層154的接 觸孔156和接觸孔158中。由于在將下基板100與上基板200相互接合 時(shí)球194會(huì)由于施加給下基板100的熱和壓力而破裂，因此使得可熔金 屬?gòu)那?94中流出來(lái)。因而，接觸孔156和接觸孔158充滿可熔金屬。 在該狀態(tài)下，無(wú)論接觸間隔物222的不均勻高度如何，可熔金屬都會(huì)粘 合到下基板和上基板，然后固化。經(jīng)由填充在接觸孔156和接觸孔158 中的導(dǎo)電層196，下基板100的第一接觸電極142與上基板200的第一電 極232電連接，下基板100的第二接觸電極144與上基板200的第三接 觸電極234電連接。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示裝置及其制造方法具有以下優(yōu)占。
"、、。
在根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示裝置中，通過(guò)具有彈性的導(dǎo)電膜或?qū)щ?球?qū)⑾禄迮c上基板相互電連接。這樣，可以防止出現(xiàn)由于接觸間隔物 的不均勻高度或外部施加的力而可能出現(xiàn)的斷路缺陷。
并且，導(dǎo)電膜包括吸收水分或氣體的吸附材料，從而防止有機(jī)發(fā)光 層劣化。
此外，OLED顯示裝置可以使用包括有可熔金屬的球。這樣，當(dāng)將 下基板與上基板相互接合時(shí)，由于所施加的熱和壓力而熔化的可熔金屬 會(huì)粘著到下基板和上基板，然后固化，使得可以防止由接觸間隔物的不 均勻高度或外部施加的力所導(dǎo)致的斷路缺陷。
對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，很明顯，可以在不脫離本發(fā)明的精神或范 圍的情況下對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落在 所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的對(duì)本發(fā)明的這些修改和變型。
本申請(qǐng)要求于2006年6月30日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)2006-61113號(hào) 的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用將其合并于此，如同在此對(duì)其進(jìn)行充分闡述一樣。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括形成有子像素驅(qū)動(dòng)陣列的第一基板；形成有有機(jī)發(fā)光二極管陣列的第二基板；將所述第一基板與所述第二基板相互接合的密封膠；以及在將所述第一基板與所述第二基板相互接合時(shí)發(fā)生變形以將所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列與所述有機(jī)發(fā)光二極管陣列相互電連接的導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料形成在所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列上。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光二 極管顯示裝置還包括形成在所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列與所述導(dǎo)電材料之間的 有機(jī)絕緣層，其中，所述有機(jī)絕緣層具有露出所述第一基板上的電極的 預(yù)定部分的接觸孔。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述有機(jī)絕緣層設(shè)置在所述第一基板的由所述密封膠密封的內(nèi)區(qū)中距所述密封 膠預(yù)定間隔處。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置還包括所述有機(jī)絕緣層上的導(dǎo)電膜，其中，所述導(dǎo)電材料 由具有彈性并被包括在所述導(dǎo)電膜中的導(dǎo)電球組成。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電膜對(duì)應(yīng)于包括所述導(dǎo)電球和樹(shù)脂的各向異性導(dǎo)電膜。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電膜還包括吸收水分和氣體的吸附材料。
7、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述導(dǎo) 電膜形成在所述有機(jī)絕緣層的整個(gè)表面上，或者僅部分地形成在將所述 子像素驅(qū)動(dòng)陣列與所述有機(jī)發(fā)光二極管陣列相互電連接的預(yù)定部分上。
8、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電材料包括被插入到所述接觸孔中的具有彈性的導(dǎo)電球。
9、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，形成在 所述接觸孔中的導(dǎo)電材料粘合到所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列和所述有機(jī)發(fā)光二 極管陣列。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，包括在所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列中的每個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)器都包括-至少兩個(gè)薄膜晶體管；以及將所述至少兩個(gè)薄膜晶體管中的任一個(gè)與所述導(dǎo)電材料電連接的第 一接觸電極。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，包括 在所述有機(jī)發(fā)光二極管陣列中的每一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管都包括經(jīng)由所述導(dǎo)電材料而與所述第一基板的所述第一接觸電極相連接的 第一電極；第二電極；以及形成在所述第一 電極與所述第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第二電極共通地形成在所述有機(jī)發(fā)光二極管陣列中，其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管陣列還包括形成在所述第二電極上以制備針對(duì)各子像素的有機(jī)發(fā)光二極管的一 部分的緩沖層；形成在所述緩沖層上以將所述有機(jī)發(fā)光層和所述第一電極分成多個(gè)子像素單元的隔離物；以及形成在所述緩沖層上以支承與所述第一基板相接觸的所述第一電極 的接觸間隔物。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述 第一基板包括提供電源信號(hào)的供電線；以及與所述供電線相連接并經(jīng)由所述導(dǎo)電材料與所述第二基板的所述第 二電極相連接的第二接觸電極。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第二基板還包括- 經(jīng)由所述導(dǎo)電材料將所述第二接觸電極與所述第二電極電連接的第 三接觸電極；以及形成在所述第二電極與所述第三接觸電極之間以支承與所述第一基 板相接觸的所述第三接觸電極的緩沖層和接觸間隔物。
15、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述 第一基板包括形成在所述密封膠的周界上的多個(gè)焊盤。
16、 一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟在第一基板上形成子像素驅(qū)動(dòng)陣列； 在第二基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管陣列； 在所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列上形成導(dǎo)電材料；以及由密封膠將所述第一基板與所述第二基板相互接合，并由變形的導(dǎo) 電材料將所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列與所述有機(jī)發(fā)光二極管陣列相互電連接。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，該方法還包括以下步驟在形成 所述導(dǎo)電材料之前，在所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列上形成有機(jī)絕緣層，并在所 述有機(jī)絕緣層中形成接觸孔，以露出所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列中的電極的預(yù) 定部分。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，將所述有機(jī)絕緣層形成在 所述第一基板的待由所述密封膠密封的內(nèi)區(qū)中距所述密封膠預(yù)定間隔 處。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述形成導(dǎo)電材料的步驟 包括以下步驟在所述有機(jī)絕緣層上形成包括具有彈性的導(dǎo)電球的導(dǎo)電 膜。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述導(dǎo)電膜對(duì)應(yīng)于包括所 述導(dǎo)電球和樹(shù)脂的各向異性導(dǎo)電膜。
21、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述導(dǎo)電膜還包括吸收水 分和氣體的吸附材料。
22、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，將所述導(dǎo)電膜形成在所述 有機(jī)絕緣層的整個(gè)表面上，或者僅將其部分地形成在將所述子像素驅(qū)動(dòng) 陣列與所述有機(jī)發(fā)光二極管陣列相互電連接的預(yù)定部分上。
23、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述形成導(dǎo)電材料的步驟 包括以下步驟形成待插入在所述接觸孔中的導(dǎo)電球。
24、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述形成導(dǎo)電球的步驟包括以下步驟向所述有機(jī)絕緣層提供包括所述導(dǎo)電球的溶液；以及通過(guò)搖擺所述第一基板將所述導(dǎo)電球插入到所述接觸孔中。
25、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述形成導(dǎo)電材料的步驟包括以下步驟將包括可熔金屬的球插入到所述接觸孔中。
26、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，當(dāng)將所述第一基板與所述 第二基板相互接合時(shí)，所述可熔金屬?gòu)挠捎谒┘拥臒岷蛪毫Χ屏训?所述球中流出來(lái)，并粘合到所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列和所述有機(jī)發(fā)光二極管 陣列，然后固化。
27、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述在第一基板上形成子 像素驅(qū)動(dòng)陣列的步驟包括以下步驟形成多個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)器和多條信號(hào) 線，其中，每個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)器都包括至少兩個(gè)薄膜晶體管；以及將所 述至少兩個(gè)薄膜晶體管中的任一個(gè)與所述導(dǎo)電材料電連接的第一接觸電 極。
28、 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述在第二基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管陣列的步驟包括以下步驟形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管，其中，每個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管都具有位于第一電極與第二電極之間的有機(jī)發(fā) 光層。
29、 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，在所述有機(jī)發(fā)光二極管陣 列中共通地形成所述第二電極，其中，所述形成有機(jī)發(fā)光二極管陣列的步驟包括以下步驟在所述第二電極上形成緩沖層，以制備針對(duì)各子像素的有機(jī)發(fā)光二極管的一部分；在所述緩沖層上形成隔離物，以將所述有機(jī)發(fā)光層和所述第一電極 分成多個(gè)子像素單元；以及 在所述緩沖層上形成接觸間隔物，以支承經(jīng)由所述導(dǎo)電材料與所述 第一基板相接觸的所述第一電極。
30、 根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，該方法還包括以下步驟形成用于向所述第一基板提供電源信號(hào)的供電線；以及形成與所述供電線電連接并經(jīng)由所述導(dǎo)電材料而與所述第二基板的 所述第二電極電連接的第二接觸電極。
31、 根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，該方法還包括以下步驟 形成與所述第二基板上的所述第二電極相連接的第三接觸電極；以及在所述第二電極與所述第三接觸電極之間形成緩沖層和接觸間隔 物，以將所述第三接觸電極與所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列電連接。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法，用于防止接觸缺陷，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括形成有子像素驅(qū)動(dòng)陣列的第一基板；形成有有機(jī)發(fā)光二極管陣列的第二基板；將所述第一基板與所述第二基板相互接合的密封膠；以及在將所述第一基板與所述第二基板相互接合時(shí)發(fā)生變形以將所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列與所述有機(jī)發(fā)光二極管陣列相互電連接的導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料形成在所述子像素驅(qū)動(dòng)陣列上。
文檔編號(hào)H01L23/488GK101097911SQ200710112620
公開(kāi)日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2007年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者李在允, 裴憬潤(rùn), 金廷炫, 金英美 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社