專利名稱：中間搬送室、基板處理系統(tǒng)及該中間搬送室的排氣方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及中間搬送室、基板處理系統(tǒng)以及該中間搬送室的排氣 方法，特別是涉及一種在基板搬送時(shí)進(jìn)行真空排氣的中間搬送室。
背景技術(shù)：
對(duì)作為基板的晶片實(shí)施等離子體處理的基板處理系統(tǒng)具備收容 晶片并實(shí)施等離子體處理的處理模塊；作為向該處理模塊搬入晶片的 中間搬送室的負(fù)載鎖定模塊；和從收容多枚晶片的容器中取出晶片并 交給負(fù)載鎖定模塊的加載模塊。通常情況下，基板處理系統(tǒng)的負(fù)載鎖定模塊具有如下這種功能在大氣壓下接受晶片，將腔室內(nèi)真空排氣至規(guī)定壓力之后，打開(kāi)處理 模塊側(cè)的門閥，向處理模塊中搬入晶片，如果處理結(jié)束，就從處理模 塊中搬出晶片，關(guān)閉處理模塊側(cè)的門閥，將腔室內(nèi)恢復(fù)至大氣壓，最 后將晶片搬出至加載模塊中(例如參照專利文獻(xiàn)1)在現(xiàn)有技術(shù)中一直存在這樣一個(gè)問(wèn)題，即、在負(fù)載鎖定模塊內(nèi)被 真空排氣時(shí)，腔室內(nèi)產(chǎn)生顆粒，這種顆粒附著及堆積在晶片表面，在 晶片加工中，該顆粒變成晶片的缺陷，并最終導(dǎo)致所制造的器件的成 品率和可靠性下降。作為在真空排氣時(shí)腔室內(nèi)產(chǎn)生顆粒的機(jī)理，現(xiàn)有技術(shù)中的主流觀 點(diǎn)認(rèn)為，附著及堆積在腔室內(nèi)的顆粒在真空排氣時(shí)被巻起而附著在晶 片上。專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2006-128578號(hào)公報(bào)但是，有別于上述產(chǎn)生顆粒的機(jī)理，也已經(jīng)確認(rèn)了另外一種現(xiàn)象， 即、包含在腔室內(nèi)的水分因真空排氣時(shí)內(nèi)部氣體的隔熱膨脹溫度急劇 下降，從而發(fā)生凝固，由此而產(chǎn)生的細(xì)微顆粒附著在晶片上。 一旦對(duì) 附著了這種顆粒的晶片實(shí)施加工處理，就會(huì)在晶片上留下花瓣形狀的 腐蝕痕跡，這會(huì)成為晶片的缺陷。
真空排氣時(shí)內(nèi)部氣體的溫度很大程度上依賴于氣體的種類、腔室 容積以及排氣速度等因素，通過(guò)觀測(cè)可知有時(shí)會(huì)下降數(shù)十。C左右。如 果腔室內(nèi)含有水分，那么，因氣體溫度的急劇下降，水分就會(huì)以小的 顆粒為核心而凝結(jié)并成長(zhǎng)為大的顆粒，因溫度變化進(jìn)而凝固成冰，并 附著在晶片上。即使在腔室內(nèi)沒(méi)有成為核的顆粒，氣體中的各種離子 也會(huì)變成凝結(jié)核，或者水分子之間凝集而生長(zhǎng)為較大等，只要腔室內(nèi) 含有水分有時(shí)就會(huì)發(fā)生這種水分的凝結(jié)及凝固的現(xiàn)象，并將引起嚴(yán)重 的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種能夠防止基板缺陷的中間搬送室、基 板處理系統(tǒng)以及該中間搬送室的排氣方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明第一方面的一種中間搬送室，上述中 間搬送室設(shè)置在內(nèi)部處于第一壓力下且包含水分的第一環(huán)境中的第一 室以及內(nèi)部處于比第一壓力低的第二壓力下的第二環(huán)境中的第二室之 間，并且配備著具有在該第一室與該第二室之間雙方向搬送基板且支 承該基板的支承部的搬送裝置，該中間搬送室包括為了將該中間搬 送室的內(nèi)部壓力從第一壓力向第二壓力減壓而對(duì)該中間搬送室內(nèi)進(jìn)行 排氣的排氣裝置；和傳導(dǎo)控制裝置，在通過(guò)該排氣裝置進(jìn)行排氣時(shí)，控制上述基板的至少與上述支承部相反側(cè)的主面上的排氣的傳導(dǎo)。 本發(fā)明第二方面的中間搬送室，根據(jù)第一方面所述的中間搬送室，其特征在于上述傳導(dǎo)控制裝置是與上述基板的主面相向而設(shè)的板狀 部件。本發(fā)明第三方面的中間搬送室，根據(jù)本發(fā)明第一方面或本發(fā)明第 二方面所述的中間搬送室，其特征在于上述傳導(dǎo)控制裝置以在利用 上述排氣裝置進(jìn)行排氣時(shí)上述基板的主面上的水分不會(huì)發(fā)生凝結(jié)或者 凝縮的方式，控制該主面上的傳導(dǎo)。本發(fā)明第四方面的中間搬送室，根據(jù)本發(fā)明第一方面 本發(fā)明第 三方面中任意一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于上述排氣裝置按 照上述基板主面上的水分不會(huì)發(fā)生凝結(jié)或者凝縮的最大排氣速度對(duì)該 中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣。
本發(fā)明第五方面的中間搬送室，根據(jù)本發(fā)明第四方面所述的中間 搬送室，其特征在于還包括測(cè)定上述中間搬送室內(nèi)的水分量的水分 量測(cè)定裝置，上述排氣裝置根據(jù)該水分量測(cè)定裝置的測(cè)定結(jié)果對(duì)該中 間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣。本發(fā)明第六方面的中間搬送室，根據(jù)本發(fā)明第四方面或者本發(fā)明 第五方面所述的中間搬送室，其特征在于還包括檢測(cè)上述中間搬送 室內(nèi)的凝結(jié)或者凝縮的水分的水分檢測(cè)裝置，上述排氣裝置根據(jù)該水 分檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果對(duì)該中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣。本發(fā)明第七方面的中間搬送室，根據(jù)本發(fā)明第一方面 本發(fā)明第 六方面中任意一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于還包括向上述中 間搬送室內(nèi)供給干燥后的氣體的干燥氣體供給裝置。本發(fā)明第八方面的中間搬送室，根據(jù)本發(fā)明第一方面 本發(fā)明第 七方面中任意一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于還包括加熱氣體 供給裝置，該加熱氣體供給裝置向上述中間搬送室內(nèi)供給加熱至規(guī)定 溫度后的氣體。本發(fā)明第九方面的中間搬送室，根據(jù)本發(fā)明第一方面 本發(fā)明第 八方面中任意一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于還包括升壓氣體 供給裝置，該升壓氣體供給裝置向上述中間搬送室內(nèi)供給使該中間搬 送室內(nèi)升壓至比上述第一壓力高的壓力的氣體。本發(fā)明第十方面的中間搬送室，根據(jù)本發(fā)明第一方面 本發(fā)明第 九方面中任意一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于還包括水分分解 氣體供給裝置，該水分分解氣體供給裝置向上述中間搬送室內(nèi)供給分 解包含在該中間搬送室內(nèi)的水分的氣體。本發(fā)明第十一方面的中間搬送室，根據(jù)本發(fā)明第一方面 本發(fā)明 第十方面中任意一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于還包括阻斷氣 體噴出單元，該阻斷氣體噴出單元在上述中間搬送室中的與上述第一 室的連通部上，噴出阻斷該第一室內(nèi)的氣體侵入該中間搬送室內(nèi)的氣 體。本發(fā)明第十二方面的中間搬送室，根據(jù)本發(fā)明第一方面 本發(fā)明 第十一方面中任意一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于還包括冷卻 上述中間搬送室內(nèi)以及內(nèi)壁的至少一部分的冷卻單元。
本發(fā)明第十三方面的中間搬送室，根據(jù)本發(fā)明第一方面 本發(fā)明 第十二方面中任意一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于向上述第一 室內(nèi)供給干燥后氣體。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明第十四方面的中間搬送室的特征在于 上述中間搬送室設(shè)置在內(nèi)部處于第一壓力下且包含水分的第一環(huán)境中 的第一室以及內(nèi)部處于比第一壓力低的第二壓力下的第二環(huán)境中的第 二室之間，并且配備著具有在該第一室與該第二室之間雙方向搬送基 板且支承該基板的支承部的搬送裝置，該中間搬送室包括為了將該 中間搬送室的內(nèi)部壓力從第一壓力向第二壓力減壓而對(duì)該中間搬送室 內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣裝置；和基板提升裝置，提升上述基板，以使得在 利用該排氣裝置進(jìn)行排氣時(shí)，不在由上述支承部所支承的基板的與該 支承部相反側(cè)的主面上發(fā)生水分的凝結(jié)或者凝縮的方式控制該主面上 的傳導(dǎo)。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明第十五方面的基板處理系統(tǒng)的特征在 于至少包括對(duì)基板實(shí)施處理的基板處理裝置、搬送上述基板的基板 搬送裝置、和本發(fā)明第一方面 第十四方面中任一項(xiàng)所述的中間搬送 室。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明第十六方面的中間搬送室的排氣方法 的特征在于是一種中間搬送室的排氣方法，上述中間搬送室設(shè)置在 內(nèi)部處于第一壓力下且包含水分的第一環(huán)境中的第一室以及內(nèi)部處于 比第一壓力低的第二壓力下的第二環(huán)境中的第二室之間，并且配備著 具有在該第一室與該第二室之間雙方向搬送基板且支承該基板的支承 部的搬送裝置，上述排氣方法包括為了將該中間搬送室的內(nèi)部壓力 從第一壓力向第二壓力減壓而對(duì)該中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣步 驟；和傳導(dǎo)控制步驟，在通過(guò)該排氣步驟進(jìn)行排氣時(shí)，控制上述基板 的至少與上述支承部相反側(cè)的主面上的排氣的傳導(dǎo)。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明第十七方面的中間搬送室的排氣方法 的特征在于是一種中間搬送室的排氣方法，上述中間搬送室設(shè)置在 內(nèi)部處于第一壓力下且包含水分的第一環(huán)境中的第一室以及內(nèi)部處于 比第一壓力低的第二壓力下的第二環(huán)境中的第二室之間，并且配備著 具有在該第一室與該第二室之間雙方向搬送基板且支承該基板的支承
部的搬送裝置，上述排氣方法包括為了將該中間搬送室的內(nèi)部壓力 從第一壓力向第二壓力減壓而對(duì)該中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣步 驟；和基板提升步驟，提升上述基板，以使得在通過(guò)該排氣步驟進(jìn)行 排氣時(shí)，不在由上述支承部所支承的基板的與該支承部相反側(cè)的主面 上發(fā)生水分的凝結(jié)或者凝縮的方式控制該主面上的傳導(dǎo)。根據(jù)本發(fā)明第一方面的中間搬送室、本發(fā)明第十六方面的中間搬 送室的排氣方法，在對(duì)中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣時(shí)，對(duì)基板的至少與支 承部相反側(cè)的主面上的排氣的傳導(dǎo)進(jìn)行控制，所以，能夠減緩基板正 上方的氣流。其結(jié)果是，由于能夠抑制基板正上方的內(nèi)部氣體的隔熱 膨脹，故能夠防止隔熱膨脹而引起的顆粒附著，從而能夠防止基板的 缺陷。根據(jù)本發(fā)明第二方面的中間搬送室，由于與基板的主面相向而設(shè) 置板狀部件，所以，能夠正確控制基板主面上的排氣的傳導(dǎo)，并且能 夠確實(shí)減緩基板正上方的氣體流動(dòng)。另外，在對(duì)中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排 氣時(shí)，在基板正上方氣體以外的中間搬送室內(nèi)的氣體中，因隔熱膨脹 該氣體中的水分凝固，但是由于在基板的正上方設(shè)置板狀部件，所以， 板狀部件發(fā)揮基板的護(hù)蓋的作用。因此，能夠確實(shí)防止因內(nèi)部氣體的 隔熱膨脹而引起的顆粒附著在基板上的現(xiàn)象。根據(jù)本發(fā)明第三方面的中間搬送室，在對(duì)中間搬送室進(jìn)行排氣時(shí)， 為了不在基板的主面上發(fā)生水分的凝結(jié)或者凝縮而控制該主面上的傳 導(dǎo)，因此，能夠恰當(dāng)?shù)胤乐挂騼?nèi)部氣體的隔熱膨脹而引起的顆粒附著 在基板上的現(xiàn)象。根據(jù)本發(fā)明第四方面的中間搬送室，以在基板的主面上不發(fā)生水 分的凝結(jié)或者凝縮的最大排氣速度對(duì)中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣，因此， 不僅能夠抑制因內(nèi)部氣體的隔熱膨脹而產(chǎn)生顆粒，同時(shí)還能有效地降 低中間搬送室內(nèi)的氣體壓力，從而能夠適當(dāng)防止因內(nèi)部氣體的隔熱膨 脹而導(dǎo)致該氣體中的水分發(fā)生凝固的現(xiàn)象。根據(jù)本發(fā)明第五方面的中間搬送室，由于測(cè)定中間搬送室內(nèi)的水 分量，并根據(jù)水分量的測(cè)定結(jié)果對(duì)中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣，因此，能 夠根據(jù)中間搬送室內(nèi)的水分量而適當(dāng)改變排氣速度，從而能夠適當(dāng)防 止中間搬送室內(nèi)的水分凝固。
根據(jù)本發(fā)明第六方面的中間搬送室，由于檢測(cè)出中間搬送室內(nèi)的 凝結(jié)或者凝縮的水分，并根據(jù)該水分的檢測(cè)結(jié)果對(duì)中間搬送室內(nèi)進(jìn)行 排氣，因此，能夠根據(jù)在中間搬送室內(nèi)產(chǎn)生的水分的檢測(cè)結(jié)果而適當(dāng) 改變排氣速度，從而能夠適當(dāng)防止中間搬送室內(nèi)的水分進(jìn)一步凝固。根據(jù)本發(fā)明第七方面的中間搬送室，由于向中間搬送室內(nèi)供給干 燥后的氣體，因此，能夠使中間搬送室內(nèi)的氣體從包含水分的氣體置 換為干燥氣體。所以，能夠抑制在中間搬送室內(nèi)的氣體中包含水分， 從而能夠消除該氣體中的水分因隔熱膨脹而凝固。根據(jù)本發(fā)明第八方面的中間搬送室，由于向中間搬送室內(nèi)供給加 熱至規(guī)定溫度的氣體，因此，能夠使附著在中間搬送室的內(nèi)壁或基板 表面的水分蒸發(fā)。其結(jié)果是，能夠除去包含在中間搬送室內(nèi)的氣體中 的水分，從而能夠消除中間搬送室內(nèi)的氣體中所包含的水分因隔熱膨 脹而凝固的現(xiàn)象。另外，能夠防止在對(duì)中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣時(shí)因隔 熱膨脹而使中間搬送室內(nèi)的氣體溫度降至水分凝固點(diǎn)。因此，該氣體 中的水分不會(huì)凝固。而且，能夠使中間搬送室內(nèi)的氣體溫度比包含水 分的大氣溫度高。其結(jié)果是，能夠使侵入中間搬送室內(nèi)的包含水分的 大氣流入中間搬送室內(nèi)的下部，能夠防止包含水分的大氣蔓延至基板 的上方。因此，能夠防止在基板的上方發(fā)生水分凝固。根據(jù)本發(fā)明第九方面的中間搬送室，由于向中間搬送室內(nèi)供給使 中間搬送室內(nèi)升壓至比第一壓力高的壓力的氣體，因此，能夠使中間 搬送室內(nèi)的氣體壓力高于包含水分的大氣的壓力。其結(jié)果是，能夠防 止包含水分的大氣流入中間搬送室內(nèi)，從而能夠防止包含水分的大氣 被供給中間搬送室內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明第十方面的中間搬送室，由于向中間搬送室內(nèi)供給分 解包含在中間搬送室內(nèi)的水分的氣體，因此，能夠分解包含在中間搬 送室內(nèi)的氣體中的水分。其結(jié)果是，能夠防止中間搬送室內(nèi)的氣體中 存在水分，從而能夠消除該氣體中的水分因隔熱膨脹而凝固。根據(jù)本發(fā)明第十一方面的中間搬送室，由于在中間搬送室中的與 第一室的連通部噴出阻斷第一室內(nèi)的氣體侵入中間搬送室內(nèi)的氣體， 故能夠阻斷包含水分的大氣侵入中間搬送室內(nèi)。因此，能夠防止包含 水分的大氣被供給中間搬送室內(nèi)。 根據(jù)本發(fā)明第十二方面的中間搬送室，由于冷卻中間搬送室及內(nèi) 壁的至少一部分，因此，能夠使中間搬送室內(nèi)的氣體中的水分凝固， 能降低該氣體中的水分的比例，從而能夠防止氣體中的水分因隔熱膨 脹而凝固。根據(jù)本發(fā)明第十三方面的中間搬送室，由于向第一室內(nèi)供給干燥 后的氣體，因此，能夠使第一室內(nèi)的氣體從包含水分的大氣置換成干 燥氣體。其結(jié)果是，能夠防止包含水分的大氣從第一室內(nèi)流入中間搬 送室內(nèi)，從而能夠防止包含水分的大氣被供給中間搬送室內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明第十四方面的中間搬送室、本發(fā)明第十七方面的中間 搬送室的排氣方法，提升該基板，以使得在對(duì)中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣 時(shí)，不在被支承部所支承的基板的與支承部相反的主面上發(fā)生水分的 凝結(jié)或者凝縮的方式，控制該主面上的傳導(dǎo)，因此，能夠很容易地減 緩基板正上方的氣體流動(dòng)。其結(jié)果是，能夠防止因內(nèi)部氣體的隔熱膨 脹而產(chǎn)生的顆粒附著在基板上，從而能夠容易地防止基板的缺陷。根據(jù)本發(fā)明第十五方面的基板處理系統(tǒng)，包括本發(fā)明第一方面 本發(fā)明第十四方面中任意一項(xiàng)所述的中間搬送室，所以能夠防止基板 的缺陷。


圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu) 的剖面圖。圖2是說(shuō)明在圖1中的LL/M中所進(jìn)行的真空排氣處理的圖。圖3是圖2的真空排氣處理的變形例子的示意圖，(A)是控制排 氣速度的情況，(B)是設(shè)置冷卻裝置的情況，(C)是噴出帷幕(curtain) 狀流動(dòng)的氣體的情況。圖4是圖2的真空排氣處理的變形例子的示意圖，(A)是供給干 燥氣體等的情況，(B)是供給加熱后的氣體的情況，(C)是提高腔室 內(nèi)的壓力的情況。符號(hào)說(shuō)明1基板處理系統(tǒng)2處理模塊 3大氣系搬送裝置 4負(fù)載鎖定模塊51加載模塊60、 72氣體供給系統(tǒng)70移載臂73 LL/M排氣系統(tǒng)74拾取器(pick)90板狀部件具體實(shí)施方式
以下，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。 首先，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)進(jìn)行說(shuō)明。 圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的概略構(gòu)造的剖 面圖。在圖1中，基板處理系統(tǒng)1包括在作為基板的半導(dǎo)體晶片(以 下簡(jiǎn)稱"晶片")W上實(shí)施RIE (Reactive Ion Etching:反應(yīng)離子蝕刻) 處理或灰化處理等的等離子體處理的處理模塊(Process Module)(以 下稱"P/M") 2;從作為收容晶片W的容器的前開(kāi)式統(tǒng)集盒(Front Opening Unified Pod:前開(kāi)式統(tǒng)集盒FOUP) 5中取出晶片W的大氣系 搬送裝置3;以及被設(shè)置在該大氣系搬送裝置3以及PM2之間并且從 大氣系搬送裝置3向P/M2或者從P/M2向大氣系搬送裝置3搬入搬出 晶片W的作為中間搬送室的負(fù)載鎖定模塊(Load-LockModule)(以下 稱"LL/M") 4。P/M2以及LL/M4的內(nèi)部以可抽真空的方式構(gòu)成，大氣系搬送裝 置3的內(nèi)部經(jīng)常被保持在大氣壓的狀態(tài)。P/M2與LL/M4、以及LL/M4 與大氣系搬送裝置3分別由閘閥6、 7連接。該閘閥6、 7可自由開(kāi)閉， 并使P/M2與LL/M4、以及LL/M4與大氣系搬送裝置3之間連通或者 斷開(kāi)。大氣系搬送裝置3包括載置前開(kāi)式統(tǒng)集盒5的前開(kāi)式統(tǒng)集盒載 置臺(tái)50、加載模塊(LoaderModule)(以下稱"L/M") 51 (第一室)、 和向該L/M51內(nèi)供給氣體的氣體供給系統(tǒng)60。
前開(kāi)式統(tǒng)集盒載置臺(tái)50是上面呈平面的臺(tái)狀物，前開(kāi)式統(tǒng)集盒5 按照等間距多層載置并收納例如25枚晶片W。 L/M51是直六面體的箱 狀物，在其內(nèi)部具有用來(lái)搬送晶片W的梯式(scalar type)的搬送臂 52。另外，在L/M51的前開(kāi)式統(tǒng)集盒載置臺(tái)50側(cè)的側(cè)面，與被載置在 該前開(kāi)式統(tǒng)集盒載置臺(tái)50上的前開(kāi)式統(tǒng)集盒5相對(duì)向設(shè)置有前開(kāi)式統(tǒng) 集盒開(kāi)啟器(FOUPopener)(圖中未示)。該前開(kāi)式統(tǒng)集盒開(kāi)啟器開(kāi)啟 前開(kāi)式統(tǒng)集盒5的前面門，使前開(kāi)式統(tǒng)集盒5與L/M51的內(nèi)部連通。搬送臂52具有構(gòu)成為可伸縮的多關(guān)節(jié)狀的搬送臂臂部53以及被 安裝在該搬送臂臂部53的前端的拾取器54，該拾取器54構(gòu)成為直接 載置晶片W。搬送臂52具有構(gòu)成為可伸縮的多關(guān)節(jié)臂狀的映射 (mapping)臂55，在該映射臂55的前端設(shè)有例如發(fā)出激光來(lái)確認(rèn)有 無(wú)晶片W的映射傳感器(圖中未示)。這些搬送臂臂部53和映射臂55 的各個(gè)基端與沿著從搬送臂52的基部56豎立而設(shè)的臂基端部支柱57 升降的升降臺(tái)58連結(jié)。該臂基端部支柱57以能夠旋轉(zhuǎn)的方式構(gòu)成。 在為了確認(rèn)被收容在前開(kāi)式統(tǒng)集盒5中的晶片W的位置以及數(shù)量而進(jìn) 行的映射操作中，在映射臂55被伸展的狀態(tài)下，通過(guò)該映射臂55上 升或下降來(lái)確認(rèn)前開(kāi)式統(tǒng)集盒5內(nèi)的晶片W的位置及枚數(shù)。由于搬送臂52通過(guò)搬送臂臂部53而自由伸縮，并通過(guò)臂基端部 支柱57而自由旋轉(zhuǎn)，因此，它能夠自由地在前開(kāi)式統(tǒng)集盒5及LL/M4 之間搬送載置在拾取器54上的晶片W。氣體供給系統(tǒng)60包括從L/M51的外部向L/M51的內(nèi)部貫通的 氣體導(dǎo)入管61、與該氣體導(dǎo)入管61的L/M51外部側(cè)前端連接的氣體 供給裝置(圖中未示)、以及在氣體導(dǎo)入管61上設(shè)置在L/M51及氣體 供給裝置之間的控制閥63。在本實(shí)施方式中，氣體供給系統(tǒng)60向L/M51 內(nèi)供給N2氣體或干燥的空氣等干燥氣體，減少L/M51內(nèi)的水分量。LL/M4包括腔室71，配置有可伸縮及可自由旋轉(zhuǎn)的移載臂70 (搬送裝置)，并且具有與移載臂70的后述拾取器74的晶片載置面正 上方相對(duì)而設(shè)的板狀部件90 (傳導(dǎo)(conductance)控制裝置)；向該腔 室71內(nèi)供給氣體的氣體供給系統(tǒng)72;和排出腔室71內(nèi)的氣體的LL/M 排氣系統(tǒng)73 (排氣裝置)。
移載臂70是由多個(gè)臂部組成的梯式的搬送臂，具有安裝在其前端的拾取器74 (支承部)。該拾取器74構(gòu)成為直接載置晶片W。再者， 拾取器74的形狀與上述的拾取器54的形狀大體相同。在從大氣系搬送裝置3向P/M2中搬入晶片W的情況下，當(dāng)閘閥 7開(kāi)放時(shí)，移載臂70從L/M51內(nèi)的搬送臂52接受晶片W，當(dāng)閘閥6 開(kāi)放時(shí)，移載臂70進(jìn)入P/M2的腔室10 (第二室)內(nèi)，將晶片W載 置在從載置臺(tái)12的上面突出的推進(jìn)銷(Pusher Pin)(圖中未示)的上 端。另外，在從P/M2向大氣系搬送裝置3中搬入晶片W的情況下， 當(dāng)閘閥6開(kāi)放時(shí)，移載臂70進(jìn)入P/M2的腔室10內(nèi)，并接受被載置在 從載置臺(tái)12的上面突出的推進(jìn)銷上端上的晶片W。當(dāng)閘閥7開(kāi)放時(shí)， 移載臂70向L/M51內(nèi)的搬送臂52傳遞晶片W。再者，移載臂70并 非局限于梯式，也可以是蛙腿式(frog leg type)或雙臂式。氣體供給系統(tǒng)72包括從腔室71的外部向腔室71的內(nèi)部貫通的 氣體導(dǎo)入管75;與氣體導(dǎo)入管75的腔室71外部側(cè)前端連接的氣體供 給裝置(圖中未示)；在氣體導(dǎo)入管75上被設(shè)置在腔室71以及氣體供 給裝置之間的控制閥77;在氣體導(dǎo)入管75上被設(shè)置在腔室71以及控 制閥77之間的加熱單元76;和被設(shè)置在氣體導(dǎo)入管75的腔室71內(nèi)部側(cè)前端的噴出氣體的氣體供給口。在本實(shí)施方式中，在氣體供給口的 前端具有一對(duì)間斷過(guò)濾器(BreakFilter) 80。在本實(shí)施方式中，氣體供 給系統(tǒng)72向腔室71內(nèi)供給不活性氣體、N2氣體或干燥的空氣等干燥 氣體、通過(guò)加熱單元76加熱至規(guī)定溫度以上的氣體或者后述的分解水 分的氣體。間斷過(guò)濾器80是其長(zhǎng)度被設(shè)定為例如200mm的多孔質(zhì)狀 的陶瓷制過(guò)濾器。LL/M排氣系統(tǒng)73具有向腔室71的內(nèi)部貫通的排氣管78和設(shè)置 在該排氣管78中途的控制閥79，與上述氣體供給系統(tǒng)72協(xié)調(diào)動(dòng)作來(lái) 控制腔室71內(nèi)部的壓力。下面，對(duì)在圖1中的LL/M4中所進(jìn)行的真空排氣處理進(jìn)行說(shuō)明。 進(jìn)行真空排氣處理時(shí)晶片W的搬送順序是，首先，利用搬送臂52 將被收納在前開(kāi)式統(tǒng)集盒5內(nèi)的晶片W搬入大氣壓下的LL/M4的腔室 71內(nèi)，關(guān)閉閘閥7之后，通過(guò)LL/M排氣系統(tǒng)73對(duì)腔室71內(nèi)進(jìn)行真 空排氣， 一旦腔室71內(nèi)變?yōu)橐?guī)定的壓力，則打開(kāi)閘閥6，利用移載臂
70將晶片W搬入P/M2的腔室10內(nèi)。在現(xiàn)有技術(shù)中一直存在著這樣一個(gè)問(wèn)題，在搬送晶片W時(shí)的 LL/M4腔室71內(nèi)的真空排氣過(guò)程中，腔室71內(nèi)的氣體因隔熱膨脹而 迅速冷卻，腔室71內(nèi)的氣體中包含的水分凝固，由此產(chǎn)生的細(xì)微顆粒 附著在晶片W上。在本實(shí)施方式中，如圖2所示，與移載臂70的拾取器74的晶片 載置面正上方相對(duì)設(shè)置板狀部件90，縮小被載置在拾取器74的晶片載 置面上的晶片W正上方的氣流的傳導(dǎo)。這樣，在通過(guò)LL/M排氣系統(tǒng) 73進(jìn)行真空排氣時(shí)，能夠減緩晶片W的正上方的氣體流動(dòng)，從而，能 夠防止因該氣體的隔熱膨脹而使該氣體中的水分凝固。另外，在通過(guò) LL/M排氣系統(tǒng)73進(jìn)行真空排氣時(shí)，雖然上述晶片W正上方的氣體以 外的腔室71內(nèi)的氣體因隔熱膨脹而使該氣體中的水分發(fā)生凝固，但是， 由于在晶片W的正上方設(shè)有板狀部件90，因此，板狀部件90發(fā)揮晶 片W的護(hù)罩的作用，于是，不會(huì)出現(xiàn)上述氣體中的水分凝固而產(chǎn)生的 顆粒附著在晶片W上這樣的問(wèn)題。再者，本發(fā)明人已經(jīng)確認(rèn)，為了防止氣體中的水分發(fā)生凝固，只 要使氣體的排氣速度降至3.8 1/sec就可以，相當(dāng)于該排氣速度的晶片 W正上方的傳導(dǎo)為46.3 1/sec。此處，如果腔室71的沿著氣體的流向的 長(zhǎng)度(圖2中水平方向的長(zhǎng)度)為379mm，腔室71的沿著與氣體的流 向成直角的方向的長(zhǎng)度(圖2中向里面方向的長(zhǎng)度)為309mm，那么， 為了實(shí)現(xiàn)上述的傳導(dǎo)，被載置在拾取器74的晶片載置面上的晶片W與 板狀部件90之間的距離最好設(shè)定為10.7mm。根據(jù)本實(shí)施方式，板狀部件90用來(lái)控制被載置在拾取器74的晶 片載置面上的晶片W正上方的氣流的傳導(dǎo)，該板狀部件使晶片W正 上方的氣流減緩，因此，在LL/M4的腔室71內(nèi)的真空排氣過(guò)程中， 能夠防止因內(nèi)部氣體的隔熱膨脹而產(chǎn)生的顆粒附著在晶片W上，從而 能夠防止晶片W的缺陷。另外，在本實(shí)施方式中，與拾取器74的晶片載置面正上方相對(duì)向 而設(shè)置板狀部件90，縮小被載置在拾取器74的晶片載置面上的晶片W 正上方的氣流的傳導(dǎo)，但是，也可以不設(shè)置板狀部件卯，而是通過(guò)提 升被載置在拾取器74的晶片載置面上的晶片W，使該晶片接近腔室71內(nèi)的頂棚，從而縮小該晶片正上方的氣流傳導(dǎo)。另外，在本實(shí)施方式中，也可以控制通過(guò)LL/M排氣系統(tǒng)73對(duì)腔 室71內(nèi)進(jìn)行真空排氣的排氣速度，進(jìn)行慢速排氣，這樣，能夠使腔室 71內(nèi)的氣體壓力緩慢地下降，從而能夠防止因該氣體的隔熱膨脹而導(dǎo) 致該氣體中的水分發(fā)生凝固。另外，在本實(shí)施方式中，如圖3 (A)所示，也可以在腔室71內(nèi) 設(shè)置濕度計(jì)91，利用濕度計(jì)91來(lái)測(cè)定腔室71內(nèi)的水分量，根據(jù)該測(cè) 定結(jié)果來(lái)動(dòng)態(tài)地控制通過(guò)LL/M排氣系統(tǒng)73對(duì)腔室71內(nèi)進(jìn)行真空排 氣的排氣速度，這樣，就能根據(jù)腔室71內(nèi)的水分量而適當(dāng)?shù)馗淖兣艢?速度，從而能夠恰當(dāng)?shù)胤乐乖撉皇?1內(nèi)的水分發(fā)生凝固。另外，在本實(shí)施方式中，如圖3 (A)所示，也可以在腔室71內(nèi) 設(shè)置顆粒監(jiān)測(cè)器92a，利用顆粒監(jiān)測(cè)器92a檢測(cè)出因腔室71內(nèi)氣體的 隔熱膨脹而產(chǎn)生的顆粒，根據(jù)該檢測(cè)結(jié)果來(lái)動(dòng)態(tài)地控制通過(guò)LL/M排 氣系統(tǒng)73對(duì)腔室71內(nèi)迸行真空排氣的排氣速度，這樣，就能根據(jù)在 腔室71內(nèi)產(chǎn)生的顆粒的檢測(cè)結(jié)果而適當(dāng)?shù)馗淖兣艢馑俣?，從而能夠?當(dāng)?shù)胤乐乖撉皇?1內(nèi)的水分發(fā)生凝固。在本實(shí)施方式中，如圖3 (A) 所示，也可以在腔室71內(nèi)的LL/M排氣系統(tǒng)73的排氣管線上設(shè)置顆 粒監(jiān)測(cè)器92b，用來(lái)檢測(cè)出排氣顆粒，根據(jù)排氣顆粒的檢測(cè)結(jié)果來(lái)動(dòng)態(tài) 地控制通過(guò)LL/M排氣系統(tǒng)73對(duì)腔室71內(nèi)進(jìn)行真空排氣的排氣速度。 再者，顆粒監(jiān)測(cè)器92a、 92b使用激光散射法等檢測(cè)顆粒。另外，在本實(shí)施方式中，如圖3 (B)所示，也可以在腔室71內(nèi) 設(shè)置具備與該腔室71內(nèi)的氣體接觸的冷卻體等的冷卻裝置93，在冷卻 裝置93凝固腔室71內(nèi)的氣體中的水分，從而使該氣體中的水分比例 降低，這樣，在通過(guò)LL/M排氣系統(tǒng)73對(duì)腔室71內(nèi)進(jìn)行真空排氣時(shí)， 不僅能夠降低腔室71內(nèi)的氣體中的水分比例，還能防止該氣體中的水 分因隔熱膨脹而發(fā)生凝固。在本實(shí)施方式中，在腔室71內(nèi)設(shè)置冷卻裝 置93來(lái)降低腔室71內(nèi)的氣體中的水分比例，但是也可以不設(shè)置冷卻 裝置93，通過(guò)使腔室71內(nèi)以及內(nèi)壁的至少一部分冷卻至水分凝固的溫 度，從而降低腔室71內(nèi)的氣體中的水分比例。另外，在本實(shí)施方式中，如圖3 (C)所示，也可以在腔室71與 閘閥7的連通部上配備氣體噴出系統(tǒng)94，為了在閘閥7開(kāi)放時(shí)阻斷
L/M51內(nèi)的包含水分的大氣侵入腔室71內(nèi)，通過(guò)氣體噴出系統(tǒng)94在 閘閥7的附近噴出帷幕狀流動(dòng)的氣體，這樣就能夠防止包含水分的大 氣從L/M51內(nèi)侵入腔室71內(nèi)，從而能夠防止向腔室71內(nèi)供給包含水 分的大氣。另外，在本實(shí)施方式中，如圖4 (A)所示，也可以利用氣體供給 系統(tǒng)72向腔室71內(nèi)供給N2氣體或干燥的空氣等干燥氣體，將腔室71 內(nèi)的氣體從包含水分的氣體置換成該干燥氣體，這樣，在通過(guò)LL/M排 氣系統(tǒng)73對(duì)腔室71內(nèi)進(jìn)行真空排氣時(shí)，能夠抑制在腔室71內(nèi)的氣體 中包含水分，并且能夠消除該氣體中的水分因隔熱膨脹而凝固。另外，在本實(shí)施方式中，如圖4 (A)所示，也可以利用氣體供給 系統(tǒng)72向腔室71內(nèi)供給分解水分的氣體，以分解腔室71內(nèi)的氣體中 所包含的水分，這樣，在通過(guò)LL/M排氣系統(tǒng)73對(duì)腔室71內(nèi)進(jìn)行真 空排氣時(shí)，能夠防止腔室71內(nèi)的氣體中存在水分，并且能夠消除該氣 體中的水分因隔熱膨脹而凝固。分解水分的氣體的供給方法可以是任 意的，并非僅局限于供給，例如，為了有效地分解水分可以用使其脈 沖(pulse)化的方式進(jìn)行供給，或者也可以施加脈動(dòng)而改變壓力來(lái)進(jìn) 行供給。這樣，就能促進(jìn)分解水分的氣體和包含水分的氣體的混合而 有效地進(jìn)行水分的分解。分解水分的氣體是鹵氧類，例如，甲基硅垸化合物、二氯丙垸、 二溴丙烷、亞硝基氯化物、羧基氯化物、羧基氟化物、乙硼烷、氯、 氟、亞硫酰溴化物、碘甲基丙烷、乙酰氯、丙酮縮二甲醇90、 一氧化 碳。甲基硅垸化合物、三甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、 一甲基三氯 硅垸、四氯硅垸等。另外，在本實(shí)施方式中，如圖4 (B)所示，也可以利用氣體供給 系統(tǒng)72向腔室71內(nèi)供給已經(jīng)加熱至IO(TC以上的氣體，使附著在腔室 71的內(nèi)壁和晶片W的表面的水分蒸發(fā)，這樣，就能夠除去腔室71內(nèi) 的氣體中所包含的水分，于是，在通過(guò)LL/M排氣系統(tǒng)73對(duì)腔室71 內(nèi)進(jìn)行真空排氣時(shí)，能夠消除包含在腔室71內(nèi)的氣體中的水分因隔熱 膨脹而凝固的現(xiàn)象。另外，為了防止在通過(guò)LL/M排氣系統(tǒng)73對(duì)腔室71內(nèi)進(jìn)行真空 排氣時(shí)、因隔熱膨脹而使腔室71內(nèi)的氣體的溫度降至水分的凝固點(diǎn)， 也可以通過(guò)氣體供給系統(tǒng)72向腔室71內(nèi)供給已加熱至規(guī)定溫度以上 的氣體，這樣，由于腔室71內(nèi)的氣體不會(huì)因隔熱膨脹而使該氣體的溫 度降至水分的凝固點(diǎn)，因此，該氣體中所包含的水分不會(huì)凝固。再者， 如上所述，由于向腔室71內(nèi)供給加熱至規(guī)定的溫度以上的氣體，因此， 能夠使腔室71內(nèi)的氣體的溫度高于L/M51內(nèi)的包含水分的大氣溫度。 這樣，開(kāi)放閘閥7時(shí)，則能夠使從L/M51流入腔室71內(nèi)的包含水分的 大氣流入腔室71內(nèi)的下部，并且能夠防止包含水分的大氣蔓延至被載 置在拾取器74的晶片載置面上的晶片W的上方。因此，能夠防止在 晶片W的上方水分發(fā)生凝固。另外，在本實(shí)施方式中，如圖4 (C)所示，也可以通過(guò)氣體供給 系統(tǒng)72向腔室71內(nèi)供給干燥氣體，使腔室71內(nèi)的氣體的壓力高于 L/M51內(nèi)的包含水分的大氣的壓力，這樣，在閘閥7開(kāi)放時(shí)，能夠防 止L/M51內(nèi)的包含水分的大氣流入腔室71內(nèi)，從而能夠防止包含水分 的大氣被供給腔室71內(nèi)。另外，在本實(shí)施方式中，如圖1所示，通過(guò)氣體供給系統(tǒng)60向 L/M51內(nèi)供給N2氣體或干燥的空氣等干燥氣體，將L/M51內(nèi)的氣體從 包含水分的大氣置換成該干燥氣體。這樣，閘閥7開(kāi)放時(shí)，能夠防止 包含水分的大氣流入LL/M4的腔室71內(nèi)，從而能夠防止包含水分的 大氣被供給腔室71內(nèi)。另外，利用氣體供給系統(tǒng)60向L/M51內(nèi)供給 上述分解水分的氣體，通過(guò)分解
權(quán)利要求
1.一種中間搬送室，設(shè)置在內(nèi)部處于第一壓力下且包含水分的第一環(huán)境中的第一室以及內(nèi)部處于比第一壓力低的第二壓力下的第二環(huán)境中的第二室之間，并且配備著具有在該第一室與該第二室之間雙方向搬送基板且支承該基板的支承部的搬送裝置，其特征在于，包括為了將該中間搬送室的內(nèi)部壓力從第一壓力向第二壓力減壓而對(duì)該中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣裝置；和傳導(dǎo)控制裝置，在通過(guò)該排氣裝置進(jìn)行排氣時(shí)，控制所述基板的至少與所述支承部相反側(cè)的主面上的排氣的傳導(dǎo)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的中間搬送室，其特征在于 所述傳導(dǎo)控制裝置是與所述基板的主面相向而設(shè)的板狀部件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的中間搬送室，其特征在于-所述傳導(dǎo)控制裝置以在利用所述排氣裝置進(jìn)行排氣時(shí)所述基板的 主面上的水分不會(huì)發(fā)生凝結(jié)或者凝縮的方式，控制該主面上的傳導(dǎo)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于所述排氣裝置按照所述基板主面上的水分不會(huì)發(fā)生凝結(jié)或者凝縮 的最大排氣速度對(duì)該中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的中間搬送室，其特征在于還包括測(cè)定所述中間搬送室內(nèi)的水分量的水分量測(cè)定裝置， 所述排氣裝置根據(jù)該水分量測(cè)定裝置的測(cè)定結(jié)果對(duì)該中間搬送室 內(nèi)進(jìn)行排氣。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的中間搬送室，其特征在于還包括檢測(cè)所述中間搬送室內(nèi)的凝結(jié)或者凝縮的水分的水分檢測(cè) 裝置，所述排氣裝置根據(jù)該水分檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果對(duì)該中間搬送室內(nèi) 進(jìn)行排氣。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于 還包括向所述中間搬送室內(nèi)供給干燥后的氣體的干燥氣體供給裝置。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于 還包括加熱氣體供給裝置，該加熱氣體供給裝置向所述中間搬送室內(nèi)供給加熱至規(guī)定溫度后的氣體。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于 還包括升壓氣體供給裝置，該升壓氣體供給裝置向所述中間搬送室內(nèi)供給使該中間搬送室內(nèi)升壓至比所述第一壓力高的壓力的氣體。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于 還包括水分分解氣體供給裝置，該水分分解氣體供給裝置向所述中間搬送室內(nèi)供給分解包含在該中間搬送室內(nèi)的水分的氣體。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于還包括阻斷氣體噴出單元，該阻斷氣體噴出單元在所述中間搬送 室中的與所述第一室的連通部上，噴出阻斷該第一室內(nèi)的氣體侵入該 中間搬送室內(nèi)的氣體。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1 11中任一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于還包括冷卻所述中間搬送室內(nèi)以及內(nèi)壁的至少一部分的冷卻單元。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1 12中任一項(xiàng)所述的中間搬送室，其特征在于向所述第一室內(nèi)供給干燥后氣體。
14. 一種中間搬送室，設(shè)置在內(nèi)部處于第一壓力下且包含水分的第一環(huán)境中的第一室以及內(nèi)部處于比第一壓力低的第二壓力下的第二環(huán) 境中的第二室之間，并且配備著具有在該第一室與該第二室之間雙方向搬送基板且支承該基板的支承部的搬送裝置，其特征在于，包括 為了將該中間搬送室的內(nèi)部壓力從第一壓力向第二壓力減壓而對(duì)該中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣裝置；和基板提升裝置，提升所述基板，以使得在利用該排氣裝置進(jìn)行排氣時(shí)，不在由所述支承部所支承的基板的與該支承部相反側(cè)的主面上發(fā)生水分的凝結(jié)或者凝縮的方式控制該主面上的傳導(dǎo)。
15. —種基板處理系統(tǒng)，其特征在于至少包括對(duì)基板實(shí)施處理的基板處理裝置、搬送所述基板的基板搬送裝置、和權(quán)利要求1 14中任一項(xiàng)所述的中間搬送室。
16. —種排氣方法，是中間搬送室的排氣方法，所述中間搬送室設(shè)置在內(nèi)部處于第一壓力下且包含水分的第一環(huán)境中的第一室以及內(nèi)部 處于比第一壓力低的第二壓力下的第二環(huán)境中的第二室之間，并且配 備著具有在該第一室與該第二室之間雙方向搬送基板且支承該基板的支承部的搬送裝置，其特征在于，包括為了將該中間搬送室的內(nèi)部壓力從第一壓力向第二壓力減壓而對(duì) 該中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣步驟；和傳導(dǎo)控制步驟，在通過(guò)該排氣步驟進(jìn)行排氣時(shí)，控制所述基板的 至少與所述支承部相反側(cè)的主面上的排氣的傳導(dǎo)。
17. —種排氣方法，是中間搬送室的排氣方法，所述中間搬送室設(shè) 置在內(nèi)部處于第一壓力下且包含水分的第一環(huán)境中的第一室以及內(nèi)部 處于比第一壓力低的第二壓力下的第二環(huán)境中的第二室之間，并且配 備著具有在該第一室與該第二室之間雙方向搬送基板且支承該基板的支承部的搬送裝置，其特征在于，包括為了將該中間搬送室的內(nèi)部壓力從第一壓力向第二壓力減壓而對(duì)該中間搬送室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣步驟；和 基板提升步驟，提升所述基板，以使得在通過(guò)該排氣步驟進(jìn)行排 氣時(shí)，不在由所述支承部所支承的基板的與該支承部相反側(cè)的主面上 發(fā)生水分的凝結(jié)或者凝縮的方式控制該主面上的傳導(dǎo)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠防止基板缺陷的中間搬送室?；逄幚硐到y(tǒng)(1)包括對(duì)晶片(W)實(shí)施等離子體處理的處理模塊(2)、從前開(kāi)式統(tǒng)集盒(5)中取出晶片(W)的大氣系搬送裝置(3)、和作為搬入搬出晶片(W)的中間搬送室的負(fù)載鎖定模塊(4)。負(fù)載鎖定模塊(4)包括設(shè)置有移載臂(70)并且具有與移載臂(70)的拾取器(74)的晶片載置面的正上方相向而設(shè)的板狀部件(90)的腔室(71)、向該腔室(71)內(nèi)供給氣體的氣體供給系統(tǒng)(72)、和對(duì)腔室(71)內(nèi)進(jìn)行排氣的LL/M排氣系統(tǒng)(73)。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101127302SQ20071011259
公開(kāi)日2008年2月20日 申請(qǐng)日期2007年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月1日
發(fā)明者中山博之, 岡寬樹(shù), 守屋剛, 近藤圭祐 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社