專利名稱：半導體裝置制造方法及半導體裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及半導體裝置制造方法及半導體裝置。
背景技術(shù)：
如在JP 10-303098A中所公開的，該領域的半導體裝置通常按照以下步驟順序形成場氧化物絕緣薄膜形成步驟，其中使半導體襯底表面經(jīng)歷局部氧化，以形成沿著半導體襯底表面增厚的場氧化物絕緣薄膜，從而將半導體襯底表面分成多個有源區(qū)域；電極形成步驟，其中在半導體襯底表面上形成電極薄膜，使通過旋轉(zhuǎn)涂覆涂覆至電極薄膜表面的光致抗蝕劑暴露于光，以及刻蝕電極薄膜的不必要部分并將其移除以形成電極；和電阻器形成步驟，其中在半導體襯底表面上形成電阻器薄膜，使通過旋轉(zhuǎn)涂覆涂覆至電阻器薄膜表面的光致抗蝕劑暴露于光，以及刻蝕電阻器薄膜的不必要部分并將其移除以形成電阻器。
在這些步驟中，在電極薄膜形成時已經(jīng)在半導體襯底表面上形成了不平坦結(jié)構(gòu)，其中凸出部分由場氧化物絕緣薄膜構(gòu)成而凹入部分由有源區(qū)域構(gòu)成。然后，還使得在這樣的半導體襯底上形成的電極薄膜的表面不平整，該表面不平整與半導體襯底表面不平整對應。因此經(jīng)過在這樣的電極薄膜表面上進行旋轉(zhuǎn)涂覆很難來涂覆光致抗蝕劑以得到均勻的厚度，隨后可能導致不平整涂覆。
更加確切地講，當光致抗蝕劑流進凹入部分時，所述凹入部分對應于下面的有源區(qū)域，在電極薄膜的表面上光致抗蝕劑將集中在拐角處，當在平面圖中觀察半導體襯底時，所述拐角由凸出部分的側(cè)表面部分包圍，所述側(cè)表面部分沿著半導體襯底表面在離心力作用方向上與用于旋轉(zhuǎn)涂覆的半導體襯底表面中的旋轉(zhuǎn)中心相對，并且所述拐角定位在離心力作用方向的前向側(cè)。然后，一定量的集中光致抗蝕劑流出凹入部分。結(jié)果，沿著離心力作用方向在所述拐角的前向側(cè)，在電極薄膜表面上的部分上可能出現(xiàn)不平整的涂覆。
在上述的半導體裝置制造方法中，在電極薄膜表面上的光致抗蝕劑的不平整涂覆降低了電極尺寸的準確性，進一步影響了隨后的電阻器形成步驟，這導致電阻器尺寸準確性一定程度的降低，使得半導體裝置將不具有期望的性質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述內(nèi)容，進行了本發(fā)明，并且本發(fā)明的目標是提供半導體裝置制造方法和半導體裝置，其能夠在旋轉(zhuǎn)涂覆中提供平整的光致抗蝕劑涂覆且能夠提供具有期望性質(zhì)的半導體裝置。
為了解決所述的問題并實現(xiàn)如上所述的本發(fā)明的目標，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種半導體裝置制造方法，包括場氧化物絕緣薄膜形成步驟，包括使半導體襯底表面經(jīng)歷局部氧化；沿著半導體襯底表面形成場氧化物絕緣薄膜；和通過使用場氧化物絕緣薄膜將半導體襯底表面分成多個有源區(qū)域；電極形成步驟，包括在半導體襯底表面上形成電極薄膜；通過旋轉(zhuǎn)涂覆在電極薄膜表面上涂覆光致抗蝕劑；使光致抗蝕劑暴露于光；和刻蝕并移除電極薄膜的不必要部分，以形成電極；和電阻器形成步驟，包括在襯底表面上形成電阻器薄膜；通過旋轉(zhuǎn)涂覆在電阻器薄膜的表面上涂覆光致抗蝕劑；使光致抗蝕劑暴露于光；和刻蝕并移除電阻器薄膜的不必要部分，以形成電阻器；其中，所述場氧化物絕緣薄膜形成步驟包括形成場氧化物絕緣薄膜，使得一部分沿著半導體襯底朝著離心力的前向方向具有曲面凸出，所述一部分構(gòu)成每個有源區(qū)域的側(cè)表面部分，與用于旋轉(zhuǎn)涂覆的半導體襯底表面的旋轉(zhuǎn)中心相對，且沿著半導體襯底表面定位在離心力作用方向的前側(cè)。
此外，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種半導體裝置，包括沿著半導體襯底表面布置的場氧化物絕緣薄膜，所述場氧化物絕緣薄膜將半導體襯底表面分成多個有源區(qū)域；電極；和電阻器；其中，所述場氧化物絕緣薄膜具有沿著半導體襯底朝著離心力的前向方向具有曲面凸出的部分，所述部分構(gòu)成每個有源區(qū)域的側(cè)表面部分，與用于旋轉(zhuǎn)涂覆的半導體襯底表面的旋轉(zhuǎn)中心相對，且沿著半導體襯底表面定位在離心力作用方向的前側(cè)。
根據(jù)上述的本發(fā)明，在場氧化物絕緣薄膜形成步驟，形成場氧化物絕緣薄膜使得在有源區(qū)域的側(cè)表面部分，在旋轉(zhuǎn)涂覆中定位在離心力作用方向前側(cè)的部分沿著半導體襯底朝著離心力作用方向的前向側(cè)具有曲面凸出。在電極形成步驟中的旋轉(zhuǎn)涂覆期間，流進對應于電極薄膜表面上有源區(qū)域的凹入部分的光致抗蝕劑可以以分散的方式流出凹入部分，而未集中至小區(qū)域。因此，在相對于電極薄膜表面上的凹入部分定位在離心力作用方向前側(cè)的部分中可以避免不平整涂覆，在電極形成中給出更高的尺寸精確度。因而，還可以避免由于電極尺寸精確度降低而引起的電極形成之后形成的電阻器尺寸精確度的降低，使得能夠形成具有期望性質(zhì)的半導體裝置。
另外，還可以避免多個電極和電阻器根據(jù)其在半導體襯底表面上的位置的尺寸精確度偏差。
在上述的半導體裝置制造方法中，電極形成步驟可以包括刻蝕和移除不必要部分，使得在電極中，一部分沿著半導體襯底朝著離心力作用方向的后向側(cè)具有曲面凸出，所述一部分對應于電極的側(cè)表面部分，所述側(cè)表面部分沿著半導體襯底表面在離心力作用方向上與半導體襯底表面上旋轉(zhuǎn)涂覆中的旋轉(zhuǎn)中心相對，并且定位在離心力作用方向的后向側(cè)。
另外，在如上所述的半導體裝置中，電極可以包括沿著半導體襯底朝著離心力作用方向的后向側(cè)具有曲面凸出的部分，所述部分對應于電極的側(cè)表面部分，所述側(cè)表面部分沿著半導體襯底表面在離心力作用方向上與半導體襯底表面上旋轉(zhuǎn)涂覆中的旋轉(zhuǎn)中心相對，并且定位在離心力作用方向的后向側(cè)。
此處，在電極形成步驟形成電極，使得在旋轉(zhuǎn)涂覆中定位在離心力作用方向后向側(cè)的電極側(cè)表面部分的那個部分沿著半導體襯底朝著離心力作用方向的后向側(cè)具有曲面凸出。電極的形狀使得可以平滑地將與凸出部分(所述凸出部分與電阻器薄膜表面上的電極對應)相碰撞的光致抗蝕劑放置在電阻較小的凸出部分的表面上。因此，可以避免凸出部分表面上以及相對于電阻器薄膜表面上的凸出部分定位在離心力作用方向前側(cè)的部分表面上的不平整涂覆，使得能夠形成具有更高精確度的電阻器，這使得能夠必然形成具有期望性質(zhì)以及在上述電極中具有更高尺寸精確度的半導體裝置。


圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的第一步驟的圖示；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的第二步驟的圖示；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的第三步驟的圖示；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的第四步驟的圖示；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的第五步驟的圖示；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的第六步驟的圖示；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的第七步驟的圖示；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的第八步驟的圖示；圖9示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的第九步驟的圖示；圖10示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的第十步驟的圖示；圖11示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的第十一步驟的圖示；和圖12示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置的有源區(qū)域的平面圖。
具體實施例方式
在下文中，將參考圖1至圖12描述本發(fā)明的實施例。本發(fā)明的半導體裝置制造方法包括場氧化物絕緣薄膜形成步驟，所述場氧化物絕緣薄膜形成步驟包括使半導體襯底11的表面經(jīng)歷局部氧化方法(所謂的LOCOS方法)，形成相對于半導體襯底11的表面增厚的場氧化物絕緣薄膜12以及通過使用場氧化物絕緣薄膜12將半導體襯底11的表面限定為多個有源區(qū)域13；電極形成步驟，所述電極形成步驟包括在半導體襯底11的表面上形成電極薄膜14，通過旋轉(zhuǎn)涂覆在電極薄膜14的表面上涂覆光致抗蝕劑15，使光致抗蝕劑15暴露于光以及刻蝕并移除電極薄膜14的不必要部分以形成電極16；和電阻器形成步驟，所述電阻器形成步驟包括在襯底11的表面上形成電阻器薄膜17，通過旋轉(zhuǎn)涂覆在電阻器薄膜17的表面上涂覆光致抗蝕劑15，使光致抗蝕劑15暴露于光以及刻蝕并移除電阻器薄膜17的不必要部分以形成電阻器18a和18b。在如上所述的每個步驟中，在光致抗蝕劑15的旋轉(zhuǎn)涂覆情況下，使光致抗蝕劑15落在半導體襯底11表面上的旋轉(zhuǎn)中心處或者其附近。
下文中，將詳細描述各個步驟。
首先，將參考圖1描述場氧化物絕緣薄膜形成步驟。
在場氧化物絕緣薄膜形成步驟，首先在半導體襯底11的表面上，使用雜質(zhì)對其中將形成有源區(qū)域13(隨后進行描述)的部分的一部分執(zhí)行離子注入。然后使得到的部分經(jīng)歷高溫退火處理以使雜質(zhì)擴散，從而形成良好擴散層11a。此處，在半導體襯底11由例如P型硅制成的情況下，使用磷作為雜質(zhì)執(zhí)行離子注入以得到N型的良好擴散層11a。接著，對半導體襯底11的表面進行局部氧化，同時布置掩模11b以面對半導體襯底11的表面，從而形成場氧化物絕緣薄膜12，所述每個掩模11b均被構(gòu)圖以對應于待由例如氮化硅形成或者制成的場氧化物絕緣薄膜12的平面視圖中的形狀。場氧化物絕緣薄膜12相對于原始的半導體襯底11的表面向內(nèi)和向外膨脹，且整個膨脹部分具有6000至8000的厚度。由于場氧化物絕緣薄膜12這樣得到，因此在半導體襯底11表面上限定了多個有源區(qū)域13。應當注意，每個有源區(qū)域13完全由場氧化物絕緣薄膜12包圍。
在這種情況下，不平整地形成了半導體襯底11的表面，同時場氧化物絕緣薄膜12相對于半導體襯底11的表面凸出，而每個有源區(qū)域13相對于其凹入。
接著，將參考圖2至圖4描述電極形成步驟。
在電極形成步驟中，首先，使每個有源區(qū)域13經(jīng)歷熱氧化處理，從而形成每個厚度均為100至400的柵氧化物絕緣薄膜11c。然后，對每個柵氧化物絕緣薄膜11c進行離子注入，從而對于每個柵氧化物絕緣薄膜11c賦予期望的閾值電壓。
接著，通過CVD方法在半導體襯底11的基本整個表面上形成例如由多晶硅制成的電極薄膜14。在這種情況下，形成不平整的電極薄膜14，以與半導體襯底11的不平整表面對應。換言之，電極薄膜14具有凸出部分14a和凹入部分14b。凸出部分14a對應于其中形成場氧化物絕緣薄膜12的部分，而凹入部分14b對應于其中形成有源區(qū)域13的部分。然后，使用諸如硼或者BF2的雜質(zhì)對電極薄膜14執(zhí)行離子注入，從而使整個電極薄膜14形成為P+型多晶硅(圖2)。
隨后，對電極薄膜14的表面進行濺射等，以形成由耐熔金屬硅化物制成的硅化鎢層19。然后，使用光致抗蝕劑15對硅化鎢層19的表面進行旋轉(zhuǎn)涂覆，在其上布置具有圖案的掩模，使整體暴露于光，并且刻蝕和移除不必要部分，從而形成由P+型多晶硅制成的多個電極16(圖3)。應當注意在圖3的實例中，多個電極16布置在各個有源區(qū)域13上。
然后，移除布置在電極16的表面上的每個光致抗蝕劑15，執(zhí)行熱氧化CVD方法、低壓CVD方法等，從而形成氧化物絕緣薄膜20以便覆蓋多個電極16的外部表面和硅化鎢層19(圖4)。
接下來，將參考圖5至11描述電阻器形成步驟。
在電阻器形成步驟中，首先，通過CVD方法或者濺射方法，在半導體襯底11的基本整個表面上形成厚度為500至3000且由例如多晶硅制成的電阻器薄膜17。在這種情況下，電阻器薄膜17具有凸出部分17a和凹入部分17b。凸出部分17a對應于其中形成場氧化物絕緣薄膜12的部分以及其中形成電極16的部分。場氧化物絕緣薄膜12相對于半導體襯底11的表面凸出。凹入部分17b對應于其中形成有源區(qū)域13的部分。有源區(qū)域13相對于半導體襯底11的表面凹入。然后，使用諸如硼或者BF2的雜質(zhì)，以例如大約1×1014原子/cm2的劑量，對電阻器薄膜17的整個表面進行離子注入，從而使整個電阻器薄膜17形成為低濃度P型多晶硅(圖5)。
然后，在電阻器薄膜17的表面上對光致抗蝕劑21進行構(gòu)圖，使得電阻器薄膜17的預定部分(在圖6的實例中，布置在場氧化物絕緣薄膜12上的電阻器薄膜17部分的一部分)局部曝光。此后，使用諸如硼或者BF2的雜質(zhì)對電阻器薄膜17的預定部分進行離子注入，從而形成具有不同雜質(zhì)濃度的電阻器薄膜。還可能通過以磷或砷執(zhí)行離子注入形成N型電阻器薄膜(圖6)。
隨后，從電阻器薄膜17的表面移除光致抗蝕劑21，通過旋轉(zhuǎn)涂覆將光致抗蝕劑15涂覆在電阻器薄膜17的表面，在半導體襯底11的表面上布置具有圖案的掩模，所述圖案對應于待形成的多個電阻器18a和18b的圖案形式，并使整體暴露于光。此后，通過執(zhí)行例如各向異性干法刻蝕(特別是，RIE)來移除電阻器薄膜17的不必要部分，從而形成第一電阻器18a和第二電阻器18b。第一電阻器18a由電阻器薄膜17的預定部分的N型多晶硅制成，而第二電阻器18b由P型多晶硅(圖7)制成。
接著，移除布置在第一電阻器18a和第二電阻器18b表面上的光致抗蝕劑15，對所述光致抗蝕劑21進行構(gòu)圖，使得其中沒有形成良好擴散層11a的多個有源區(qū)域13的部分被局部曝光，并使用砷對曝光的有源區(qū)域13進行離子注入。使與電極16連續(xù)且在其外圍的有源區(qū)域13的部分具有1×1016原子/cm3至1×1018原子/cm3的雜質(zhì)濃度，從而形成N型低濃度雜質(zhì)區(qū)域25(圖8)。
然后，移除光致抗蝕劑21，構(gòu)圖另外的光致抗蝕劑21，使得其中形成了良好擴散層11a的多個有源區(qū)域13的部分被局部曝光，并使用硼或者BF2對曝光的有源區(qū)域13中形成的良好擴散層11a進行離子注入。使與電極16連續(xù)且在其外圍的良好擴散層11a的部分具有1×1016原子/cm3至1×1018原子/cm3的雜質(zhì)濃度，從而形成P型低濃度雜質(zhì)區(qū)域22(圖9)。
接著，移除光致抗蝕劑21，構(gòu)圖另外的光致抗蝕劑21，以局部覆蓋包括良好擴散層11a和P型低濃度雜質(zhì)區(qū)域22的有源區(qū)域13以及除了其外部的外圍部分之外的第一電阻器18a的部分。使用砷以例如5×1015原子/cm2的劑量對第一電阻器18a外部的外圍部分以及半導體襯底11表面上的N型低濃度雜質(zhì)區(qū)域25執(zhí)行離子注入。因此，第一電阻器18a外部的外圍部分形成為高濃度雜質(zhì)區(qū)域23，使得能夠令人滿意地連接由例如鋁合金制成的導電線。此外，在N型低濃度雜質(zhì)區(qū)域25中，形成N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域24以包括作為NMOS晶體管的源和漏的有利特性。其中形成N型低濃度雜質(zhì)區(qū)域25和N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域24的有源區(qū)域13因此可以用作NMOS晶體管(圖10)。
然后，移除光致抗蝕劑21，并對另外的光致刻蝕劑21進行構(gòu)圖，以局部覆蓋第一電阻器18a、用作NMOS晶體管的有源區(qū)域13以及除了其外部的外圍部分之外的第二電阻器18b的部分。使用BF2以例如5×1015原子/cm2的劑量對第二電阻器18b外部的外圍部分和半導體襯底11表面上的P型低濃度雜質(zhì)區(qū)域22執(zhí)行離子注入。因而，使第二電阻器18b外部的外圍部分形成為高濃度雜質(zhì)區(qū)域26，使得能夠令人滿意地連接由例如鋁合金制成的導電線。此外，在P型低濃度雜質(zhì)區(qū)域22中，形成P型高濃度雜質(zhì)區(qū)域27以包括作為PMOS晶體管的源和漏的有利特性。其中形成P型低濃度雜質(zhì)區(qū)域22和P型高濃度雜質(zhì)區(qū)域27的有源區(qū)域13因此可以用作PMOS晶體管(圖11)。
此后，如在傳統(tǒng)半導體裝置制造過程的情況一樣，形成中間絕緣薄膜、接觸孔、導電線、保護薄膜等，從而形成MOS半導體裝置。
如圖12所示，在根據(jù)本發(fā)明實施例的場氧化物絕緣薄膜形成步驟，形成場氧化物絕緣薄膜12，使得在平面圖中觀察半導體襯底11時，在有源區(qū)域13中，部分13a朝著離心力作用方向F的前向側(cè)具有曲面凸出，所述部分13a對應于有源區(qū)域13的側(cè)表面部分，所述側(cè)表面部分沿著半導體襯底11的表面在離心力作用方向F與半導體襯底11表面上旋轉(zhuǎn)涂覆中的旋轉(zhuǎn)中心O相對，并且定位在離心力作用方向F的前向側(cè)。在圖12的實例中，在平面圖中所述有源區(qū)域13具有矩形形狀以及四個拐角，所述每個拐角朝著有源區(qū)域13的外側(cè)具有曲面凸出。
另外，在電極形成步驟，如圖12所示，刻蝕并移除電極薄膜14的不必要的部分，使得在平面圖中觀察半導體襯底11時，在電極16中，部分16a朝著離心力作用方向F的后向側(cè)具有曲面凸出，所述部分16a對應于電極16的側(cè)表面部分，所述側(cè)表面部分沿著半導體襯底11的表面在離心力作用方向F上與半導體襯底11表面上旋轉(zhuǎn)涂覆中的旋轉(zhuǎn)中心O相對，并且定位在離心力作用方向F的后向側(cè)。在圖12的實例中，電極16的所有拐角中的每個拐角朝著電極16的外側(cè)具有曲面凸出。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法和半導體裝置，形成場氧化物絕緣薄膜12，使得在平面圖中觀察半導體襯底11時，定位在旋轉(zhuǎn)涂覆中離心力作用方向F前向側(cè)的有源區(qū)域13側(cè)表面部分的部分13a朝著離心力作用方向F的前向側(cè)具有曲面凸出。結(jié)果，在電極形成步驟中的旋轉(zhuǎn)涂覆期間，流入與有源區(qū)域13對應的電極薄膜14表面上的凹入部分14b(圖2)中的抗蝕劑15可以以分散的方式流出凹入部分14b，而沒有集中在小面積內(nèi)。
因此，可以相對于電極薄膜14的表面上的凹入部分14b在定位在離心力作用方向F前側(cè)的部分中避免不平整涂覆，使得可以形成具有更高尺寸精確度的電極16。因此就可以避免因電極16的尺寸精確度降低而導致的電極16形成之后形成的電阻器18a和18b的尺寸精確度降低，使得可以形成具有期望性質(zhì)的半導體裝置。
此外，在電極形成步驟中，形成電極16，使得在平面圖中觀察半導體襯底11時，在旋轉(zhuǎn)涂覆中定位在離心力作用方向F后向側(cè)的電極16的部分側(cè)表面部分16a朝著離心力作用方向F的后向側(cè)具有曲面凸出。電極16的形狀使得可以平滑地將與凸出部分17a碰撞的(圖5)光致抗蝕劑15放置在電阻較小的凸出部分17a的表面上，所述凸出部分17a對應于電阻器薄膜17表面上的電極。因此，可以避免凸出部分17a以及相對于電阻器薄膜17表面上的凸出部分17a定位在離心力作用方向F前側(cè)的部分的不平整涂覆，使得能夠形成具有更高尺寸精確度的電阻器18a和18b，這使得能夠必然形成具有期望性質(zhì)的半導體裝置。
另外，由于經(jīng)過這些步驟形成半導體裝置，因此即使當多個電極16、多個電阻器18a以及多個電阻器18b形成在半導體襯底11的表面上時，可以避免根據(jù)半導體襯底11表面上位置的電極16和電阻器18a及18b的尺寸精確度偏差，使得能夠必然形成具有期望性質(zhì)的半導體裝置，如上所述。
應當注意，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不僅限于本發(fā)明的上述實施例，本發(fā)明的實施例可以進行各種變型只要它沒有偏離本發(fā)明的宗旨。
例如，在本發(fā)明的實施例中，在圖2示出的電極形成步驟中，形成電極薄膜14，并使用雜質(zhì)對電極薄膜14執(zhí)行離子注入，從而將電極薄膜14形成為P+型多晶硅。備選地，可以實施所謂摻雜CVD方法，其中在電極襯底11表面上的電極薄膜14形成中同時混合雜質(zhì)，使得直接形成P+型多晶硅的電極薄膜14。
另外，在本發(fā)明的實施例中，在圖3的電極形成步驟，由耐熔金屬硅化物制成的硅化鎢層19形成在電極層14的表面上。備選地，可以使用硅化鉬、硅化鈦或者硅化鉑。
另外，在本發(fā)明的實施例中，在圖4的電極形成步驟，執(zhí)行熱氧化CVD方法、低壓CVD方法等，從而形成厚度為100至500的氧化物絕緣薄膜20，以覆蓋電極16的外部表面等。備選地，在電極16的外部表面上等，可以形成絕緣薄膜，在每個絕緣薄膜中，厚度300的氧化物薄膜、通過CVD方法形成的厚度500的氮化物薄膜以及厚度為10的熱氧化物薄膜按照該順序?qū)盈B。
此外，在本發(fā)明的實施例中，在電阻器形成步驟中，首先使用諸如硼的雜質(zhì)對電阻器薄膜17的整個表面進行離子注入，從而使整個電阻器薄膜17形成為低濃度P型，如圖5中所示。備選地，不執(zhí)行離子注入，而在如上參考圖9所述的在良好擴散層11a中形成P型低濃度雜質(zhì)區(qū)域22的同時，使用硼或者BF2對第二電阻器18b的整個區(qū)域進行離子注入，從而使第二電阻器18b形成為低濃度P型多晶硅。
此外，在本發(fā)明的實施例中，在電阻器形成步驟，使用諸如磷的雜質(zhì)對電阻器薄膜17的預定部分進行局部離子注入，從而使所述部分形成為低濃度N型，如圖6中所示。備選地，不執(zhí)行離子注入，而在如上參考圖10所述的將第一電阻器18a外部的外圍部分形成為高濃度雜質(zhì)區(qū)域23的同時，可以使用高濃度雜質(zhì)區(qū)域23的高濃度雜質(zhì)摻雜整個第一電阻器18a，從而形成電阻低于本發(fā)明實施例中得到的第一電阻器18a的電阻的電阻器。
另外，在本發(fā)明的實施例中，在電阻器形成步驟中，使用諸如硼的雜質(zhì)對整個電阻器薄膜17進行離子注入，從而使整個電阻器薄膜17形成低濃度P型，如圖5中所示。備選地，不執(zhí)行離子注入，而在如上參考圖11所述的將第二電阻器18b外部的外圍部分形成為高濃度雜質(zhì)區(qū)域26的同時，可以使用高濃度雜質(zhì)區(qū)域26的高濃度雜質(zhì)摻雜整個第二電阻器18b，從而形成電阻低于本發(fā)明實施例中得到的第二電阻器18b的電阻的電阻器。
另外，可能在將圖2的電極薄膜14形成為圖3的電極16的同時形成第二電阻器18b。
此外，在本發(fā)明的實施例中，如圖12所示，每個有源區(qū)域13和電極16包括凸出表面部分。備選地，在有源區(qū)域13的側(cè)表面部分中，在旋轉(zhuǎn)涂覆中定位在離心力作用方向F的前向側(cè)的至少部分13a可以朝著離心力作用方向F的前向側(cè)具有曲面凸出。
另外，在本發(fā)明的實施例中，如圖12所示，電極16的所有拐角朝著離心力作用方向F的后向側(cè)具有曲面凸出。備選地，在電極16的側(cè)表面部分中，定位在離心力作用方向F的后向側(cè)的至少部分16a可以朝著離心力作用方向F的后向側(cè)具有曲面凸出。
權(quán)利要求
1.一種半導體裝置制造方法，包括場氧化物絕緣薄膜形成步驟，包括使半導體襯底表面經(jīng)歷局部氧化；沿著半導體襯底表面形成場氧化物絕緣薄膜；和通過使用場氧化物絕緣薄膜將半導體襯底表面分成多個有源區(qū)域；電極形成步驟，包括在半導體襯底表面上形成電極薄膜；通過旋轉(zhuǎn)涂覆在電極薄膜表面上涂覆光致抗蝕劑；使光致抗蝕劑暴露于光；和刻蝕并移除電極薄膜的不必要部分，以形成電極；和電阻器形成步驟，包括在襯底表面上形成電阻器薄膜；通過旋轉(zhuǎn)涂覆在電阻器薄膜的表面上涂覆光致抗蝕劑；使光致抗蝕劑暴露于光；和刻蝕并移除電阻器薄膜的不必要部分，以形成電阻器；其中，所述場氧化物絕緣薄膜形成步驟包括形成場氧化物絕緣薄膜，使得一部分沿著半導體襯底朝著離心力的前向方向具有曲面凸出，所述一部分構(gòu)成每個有源區(qū)域的側(cè)表面部分，與用于旋轉(zhuǎn)涂覆的半導體襯底表面的旋轉(zhuǎn)中心相對，且沿著半導體襯底表面定位在離心力作用方向的前側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置制造方法，其中，所述電極形成步驟包括刻蝕和移除不必要部分，使得在電極中，一個部分沿著半導體襯底朝著離心力作用方向的后向側(cè)具有曲面凸出，所述這樣一個部分對應于電極的側(cè)表面部分，所述側(cè)表面部分沿著半導體襯底表面在離心力作用方向上與半導體襯底表面上旋轉(zhuǎn)涂覆中的旋轉(zhuǎn)中心相對，并且定位在離心力作用方向的后向側(cè)。
3.一種半導體裝置，包括沿著半導體襯底表面布置的場氧化物絕緣薄膜，所述場氧化物絕緣薄膜將半導體襯底表面分成多個有源區(qū)域；電極；和電阻器；其中，所述場氧化物絕緣薄膜具有沿著半導體襯底朝著離心力的前向方向具有曲面凸出的部分，所述部分構(gòu)成每個有源區(qū)域的側(cè)表面部分，與用于旋轉(zhuǎn)涂覆的半導體襯底表面的旋轉(zhuǎn)中心相對，且沿著半導體襯底表面定位在離心力作用方向的前側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體裝置，其中當在平面圖中觀察半導體襯底時，電極包括朝著離心力作用方向的后向側(cè)具有曲面凸出的部分，所述部分對應于電極的側(cè)表面部分，所述側(cè)表面部分沿著半導體襯底表面在離心力作用方向上與半導體襯底表面上旋轉(zhuǎn)涂覆中的旋轉(zhuǎn)中心相對，并且定位在離心力作用方向的后向側(cè)。
全文摘要
提供了一種半導體裝置制造方法，包括場氧化物絕緣薄膜形成步驟，所述場氧化物絕緣薄膜形成步驟包括形成場氧化物絕緣薄膜(12)，使得當在平面圖中觀察半導體襯底(11)時，在有源區(qū)域(13)中，部分(13a)朝著離心力作用方向(F)的前向側(cè)具有曲面凸出，所述部分(13a)對應于所述有源區(qū)域(13)的側(cè)表面部分，所述側(cè)表面部分沿著半導體襯底(11)的表面在離心力作用方向(F)上與半導體襯底(11)的表面上旋轉(zhuǎn)涂覆中的旋轉(zhuǎn)中心(O)相對。
文檔編號H01L27/04GK101083228SQ20071010644
公開日2007年12月5日 申請日期2007年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月29日
發(fā)明者塚本明子, 長谷川尚, 小山內(nèi)潤 申請人:精工電子有限公司