技術(shù)編號：7231749
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置制造方法及半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù) 如在JP 10-303098A中所公開的，該領(lǐng)域的半導(dǎo)體裝置通常按照以下步驟順序形成場氧化物絕緣薄膜形成步驟，其中使半導(dǎo)體襯底表面經(jīng)歷局部氧化，以形成沿著半導(dǎo)體襯底表面增厚的場氧化物絕緣薄膜，從而將半導(dǎo)體襯底表面分成多個有源區(qū)域；電極形成步驟，其中在半導(dǎo)體襯底表面上形成電極薄膜，使通過旋轉(zhuǎn)涂覆涂覆至電極薄膜表面的光致抗蝕劑暴露于光，以及刻蝕電極薄膜的不必要部分并將其移除以形成電極；和電阻器形成步驟，其中在...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。