專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法，特別涉及切割的方法。
背景技術(shù)：
通常，在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，在晶片上形成了具有晶體管等各種元件的多個(gè)芯片之后，再進(jìn)行為了使芯片單片化的切割。當(dāng)象這樣進(jìn)行切割時(shí)，有時(shí)晶片或元件會發(fā)生破損，而成為半導(dǎo)體裝置的制造成品率下降的原因。例如，在進(jìn)行刀片切割時(shí)，有時(shí)在芯片的端部會產(chǎn)生欠缺(碎屑)(chipping)。當(dāng)這些碎片到達(dá)半導(dǎo)體裝置中的形成了晶體管等各種元件的區(qū)域時(shí)，會破壞半導(dǎo)體裝置的性能。
于是，至今為止仍在研究避免在進(jìn)行這樣的切割時(shí)對半導(dǎo)體裝置帶來破損的技術(shù)。
作為一個(gè)例子，參照

圖13(a)及圖13(b)對專利文獻(xiàn)1所公開的半導(dǎo)體晶片的切斷方法加以說明。
圖13(a)示出了半導(dǎo)體晶片11的一部分剖面。在半導(dǎo)體晶片11形成有具有各種元件的芯片，通過在劃片區(qū)域R中的切割線L上進(jìn)行切斷(切割)來使芯片單片化，圖中沒有特別示出。劃片區(qū)域R為設(shè)置在芯片之間的用以切割的區(qū)域。這里，在半導(dǎo)體晶片11上的劃片區(qū)域R中，在切割線L的兩側(cè)設(shè)置有絕緣膜12。
在圖13(b)中示出了用刀片13對半導(dǎo)體晶片11進(jìn)行切割時(shí)的樣子。切割是沿著位于兩個(gè)絕緣膜12之間的切斷線L進(jìn)行的。此時(shí)，即使晶片11的表面產(chǎn)生了欠缺(產(chǎn)生了碎屑形狀14)時(shí)，該碎屑也被絕緣膜12阻止住。也就是說，能夠抑制進(jìn)入到絕緣膜12之前的情況。因此，能夠抑制由碎屑而造成的半導(dǎo)體裝置的制造成品率的下降。
專利文獻(xiàn)1專利第3500813號公報(bào)不過，在一般切割工序中，有時(shí)當(dāng)形成在半導(dǎo)體晶片的結(jié)構(gòu)較脆弱時(shí)，該脆弱部分會因切割而被破壞，造成制造成品率極其不好的結(jié)果。
一般，使用刀片的切割是一邊提供為了除去切斷碎片等用的清洗液(例如，水)，一邊進(jìn)行的。因此，在切割時(shí)水的壓力會施加在半導(dǎo)體晶片上。結(jié)果造成形成在半導(dǎo)體晶片的結(jié)構(gòu)中存在有脆弱部分，該脆弱部分很容易因水的壓力而受到損傷。
能夠想到特別是當(dāng)半導(dǎo)體裝置具有中空部分時(shí)，覆蓋該中空部分的薄膜很容易因水的壓力而受到破壞的情況。于是，避免這樣的破壞，實(shí)現(xiàn)具有脆弱部分的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體就成了當(dāng)今課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述內(nèi)容，本發(fā)明的目的在于提供一種具有覆蓋中空部分的薄膜那樣的脆弱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括工序(a)，在具有多個(gè)芯片的半導(dǎo)體晶片中的各個(gè)芯片的規(guī)定區(qū)域上形成振動膜；工序(b)，將含有位于各個(gè)芯片的振動膜上的犧牲層的中間膜形成在半導(dǎo)體晶片上；工序(c)，在中間膜上形成固定膜；工序(d)，通過對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行刀片切割，來將各個(gè)芯片分開；以及工序(e)，通過對各個(gè)芯片進(jìn)行蝕刻，來除去犧牲層，在振動膜與固定膜之間設(shè)置空隙。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，由于在固定膜疊層在犧牲層上的狀態(tài)下進(jìn)行切割，然后，再除去犧牲層，因此能夠抑制切割時(shí)固定膜遭到破壞的現(xiàn)象。因而，能夠成品率良好地制造例如具有使振動膜和固定膜夾著空隙而設(shè)置的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)傳聲器(microphone)的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
另外，在工序(d)之前，最好還包括在固定膜上設(shè)置保護(hù)膜的工序。這樣一來，能夠更確實(shí)地抑制切割時(shí)對固定膜造成的破壞，能夠提高半導(dǎo)體裝置的制造成品率。
并且，最好在工序(e)中將保護(hù)膜與犧牲層一起除去。這樣一來，不需要設(shè)置用以除去保護(hù)膜的單獨(dú)工序，能夠抑制工序數(shù)的增加來制造半導(dǎo)體裝置。
其次，本發(fā)明的第二發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括工序(a)，在具有多個(gè)芯片的半導(dǎo)體晶片中的各個(gè)芯片的規(guī)定區(qū)域上形成振動膜；工序(b)，將含有位于各個(gè)芯片的振動膜上的犧牲層的中間膜形成在半導(dǎo)體晶片上；工序(c)，在中間膜上形成固定膜；工序(d)，通過對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行蝕刻，來除去犧牲層，在振動膜與固定膜之間設(shè)置空隙；以及工序(e)，通過對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行激光切割，來將各個(gè)芯片分開。
由于激光切割方法為不必提供清洗液而進(jìn)行的切割方法，因此即使對于在除去了犧牲層后而設(shè)置在空隙上的固定膜，也沒有在切割時(shí)遭到破壞的現(xiàn)象。結(jié)果是能夠確實(shí)地制造使振動膜和固定膜夾著空隙而設(shè)置的MEMS傳聲器的結(jié)構(gòu)。
另外，在第二半導(dǎo)體裝置的制造方法中，最好在工序(e)中，對形成了半導(dǎo)體晶片的固定膜的面粘貼表面保護(hù)膠帶，然后，從半導(dǎo)體晶片的另一面進(jìn)行激光切割。
這樣一來，由于能夠通過表面保護(hù)膠帶保護(hù)固定膜進(jìn)行切割，因此能夠更確實(shí)地抑制對固定膜的破壞。
并且，最好在工序(e)中，對與形成了半導(dǎo)體晶片的固定膜的面相反的面粘貼切割膠帶，然后，從形成了固定膜的面進(jìn)行激光切割。此時(shí)也能夠通過表面保護(hù)膠帶來保護(hù)固定膜進(jìn)行切割。
如上所述，能夠從半導(dǎo)體晶片的任意一個(gè)面來進(jìn)行激光切割。在進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的切割的區(qū)域(劃分線)中，由于在半導(dǎo)體晶片的任意一個(gè)面存在金屬膜、擴(kuò)散層或氧化膜等，因此激光被反射，有時(shí)不能進(jìn)行激光切割。但是，由于可以從半導(dǎo)體晶片的任意面開始照射激光，來進(jìn)行切割，因此能夠根據(jù)情況選擇照射激光的面。
并且，在第二半導(dǎo)體裝置的制造方法中，最好在工序(d)之后，且工序(e)之前，還包括對形成了半導(dǎo)體晶片的固定膜的面粘貼表面保護(hù)膠帶，然后，研磨半導(dǎo)體晶片的另一面的工序。在工序(e)中，從半導(dǎo)體晶片的上述另一面進(jìn)行激光切割。
這樣一來，能夠在對半導(dǎo)體晶片的與形成了固定膜的面相反一側(cè)的面進(jìn)行研磨(背面研磨)及切割兩個(gè)工序中，通過表面保護(hù)膠帶來保護(hù)固定膜。結(jié)果是不必為了背面研磨(back grind)及切割而分別粘貼膠帶，能夠減少工序數(shù)。
并且，最好工序(e)包括通過對各個(gè)芯片的周圍進(jìn)行激光照射來形成圍繞各個(gè)芯片的變質(zhì)層的工序、和通過對半導(dǎo)體晶片施加力來沿著變質(zhì)層將各個(gè)芯片分開的工序。
在被照射了激光的部分的半導(dǎo)體晶片、中間層及固定膜中，各材料發(fā)生變質(zhì)而產(chǎn)生變質(zhì)層。變質(zhì)層與變質(zhì)之前相比，物理強(qiáng)度下降，在將力施加在半導(dǎo)體晶片上時(shí)，半導(dǎo)體晶片會沿著該變質(zhì)層而被切斷。因此，能夠通過在圍繞各個(gè)芯片，進(jìn)行激光照射，設(shè)置變質(zhì)層之后，向半導(dǎo)體晶片施加力，來將各個(gè)芯片分開。能夠如下面所述的那樣，進(jìn)行激光切割。
其次，本發(fā)明的第三半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括工序(a)，在具有多個(gè)芯片的半導(dǎo)體晶片中的各個(gè)芯片的規(guī)定區(qū)域上形成振動膜；工序(b)，將含有位于各個(gè)芯片的振動膜上的犧牲層的中間膜形成在半導(dǎo)體晶片上；工序(c)，在中間膜上形成固定膜；工序(d)，通過對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行蝕刻，來除去犧牲層，在振動膜與固定膜之間設(shè)置空隙；以及工序(e)，通過在工序(d)之后，在固定膜上設(shè)置保護(hù)膜，同時(shí)，通過對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行刀片切割，來將各個(gè)芯片分開。
根據(jù)本發(fā)明的第三半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠確實(shí)地制造一邊通過保護(hù)膜抑制對固定膜的破壞，一邊對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割，具有使振動膜和固定膜夾著空隙來設(shè)置的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
另外，在第三半導(dǎo)體裝置的制造方法中，最好在工序(e)之后，還包括將各個(gè)芯片保持在芯片座，除去保護(hù)膜的工序。這樣一來，能夠確實(shí)地除去保護(hù)膜。
并且，在第三半導(dǎo)體裝置的制造方法中，最好在工序(e)中，對半導(dǎo)體晶片的與形成了固定膜的面相反的面粘貼切割膠帶，來進(jìn)行刀片切割。在工序(e)之后，還包括從粘貼在切割膠帶上的狀態(tài)的芯片上除去表面保護(hù)膜的工序。
這樣一來，能夠確實(shí)地除去保護(hù)膜，同時(shí)，不需要將各個(gè)芯片轉(zhuǎn)移到芯片座的作業(yè)。
其次，本發(fā)明的第四半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括工序(a)，在具有多個(gè)芯片的半導(dǎo)體晶片中的各個(gè)芯片的規(guī)定區(qū)域上形成振動膜；工序(b)，將含有位于各個(gè)芯片的振動膜上的犧牲層的中間膜形成在半導(dǎo)體晶片上；工序(c)，在中間膜上形成固定膜；工序(d)，在固定膜、中間膜及半導(dǎo)體晶片，從固定膜一側(cè)來形成圍繞各個(gè)芯片的槽；工序(e)，通過對形成了槽的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行蝕刻，來除去犧牲層，在振動膜與固定膜之間設(shè)置空隙；以及工序(f)，在工序(e)之后，通過將半導(dǎo)體晶片中的與形成了槽的面相反一側(cè)的面研磨至到達(dá)槽為止，來將上述各個(gè)芯片分開。
根據(jù)第四半導(dǎo)體裝置的制造方法，首先，在固定膜已疊層在犧牲層上的狀態(tài)下，從半導(dǎo)體晶片的形成了固定膜的面來形成圍繞各個(gè)芯片的槽。此時(shí)，通過形成沒有到達(dá)半導(dǎo)體晶片的另一面的槽(半切割)，來獲得分別含有振動膜等的芯片僅在另一面的附近為連在一起的狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片。由于在殘留有犧牲層的狀態(tài)下進(jìn)行切割，因此能夠抑制在該工序中對固定膜所造成的破壞。
其次，對這樣狀態(tài)下的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行蝕刻，除去犧牲層，然后，對半導(dǎo)體晶片的另一面進(jìn)行研磨(背面研磨)。通過將這樣的研磨進(jìn)行到從形成了固定膜的面開始設(shè)置的槽為止，來除去連接半導(dǎo)體晶片的各個(gè)芯片的部分。使各個(gè)芯片被切開，成為單片的芯片。這樣一來，能夠避免對固定膜等造成破壞，來制造半導(dǎo)體裝置。
并且，最好在工序(c)中，將槽形成為距各個(gè)芯片的振動膜具有規(guī)定的距離。
很容易想到在進(jìn)行為了除去犧牲層的蝕刻時(shí)，半導(dǎo)體晶片從溝的側(cè)面被蝕刻，從而影響到所制造的半導(dǎo)體裝置的性能的情況。于是，將槽相對于振動膜配置為兩者之間的距離包含考慮到這樣的溝的側(cè)面被蝕刻時(shí)的范圍的距離。這樣一來，能夠避免因槽的側(cè)面被蝕刻而帶來的影響，確實(shí)地制造半導(dǎo)體裝置。
(發(fā)明的效果)根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠通過在犧牲層上形成了固定膜之后，再除去犧牲層，來制造具有在空隙上形成了固定膜的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。這里，能夠通過在切割之后，除去犧牲層，用激光進(jìn)行切割，在固定膜上設(shè)置保護(hù)膜，或者在半切割之后進(jìn)行背面研磨，來抑制切割時(shí)清洗液的壓力對固定膜造成破壞的現(xiàn)象，確實(shí)地制造半導(dǎo)體裝置。
附圖的簡單說明圖1為示出了在本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例中形成的半導(dǎo)體裝置(MEMS傳聲器芯片100)的結(jié)構(gòu)圖。
圖2(a)～圖2(e)為說明本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖3(a)及圖3(b)為說明本發(fā)明的第一實(shí)施例的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖4(a)～圖4(c)為說明本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖5(a)及圖5(b)為接著圖4(a)～圖4(c)，說明本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖6(a)～圖6(c)為說明本發(fā)明的第二實(shí)施例的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖7(a)～圖7(c)為說明本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖8(a)及圖8(b)為接著圖7(a)～圖7(c)，說明本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖9(a)～圖9(c)為說明本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的其它工序的圖。
圖10(a)及圖10(b)為說明本發(fā)明的第四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖11(a)～圖11(c)為接著圖10(a)及圖10(b)，說明本發(fā)明的第四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖12為用以說明在本發(fā)明的第四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，切斷線L與犧牲層113之間的距離M的圖。
圖13(a)及圖13(b)為用以說明有關(guān)切割的以往技術(shù)的圖。
圖14為在MEMS傳聲器芯片100的空隙102a內(nèi)產(chǎn)生污染物時(shí)，說明本發(fā)明所抑制的污染物201的圖。
(符號的說明)100-MEMS傳聲器芯片；100a-芯片；101-半導(dǎo)體晶片；102-中間膜；102a-空隙；102b-貫穿孔；103-振動膜；103a-疊層材料膜；104-固定膜；104b-孔；111-蝕刻停止膜；112-氧化膜；113-犧牲層；114-BG膠帶；115-掩模；116-切割膠帶；117-保護(hù)膜；118-激光；119-表面保護(hù)膠帶；120-芯片座(chip holder)；121-連接部；122-槽；201-污染物；202-變質(zhì)層。
具體實(shí)施例方式
以下，以MEMS傳聲器芯片的制造為例，對本發(fā)明的實(shí)施例加以說明。首先，MEMS傳聲器芯片為具有圖1所示的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
如圖1所示，MEMS傳聲器芯片100是用半導(dǎo)體襯底101形成的。半導(dǎo)體襯底101具有貫穿孔101a，同時(shí)，在半導(dǎo)體襯底101上設(shè)置有具有位于貫穿孔101a上的空隙102a的中間膜102。并且，在貫穿孔101a上設(shè)置有堵住該貫穿孔101a的振動膜103。而且，設(shè)置有覆蓋中間膜102上及空隙102a的固定膜104。
這樣一來，空隙102a就被振動膜103和固定膜104夾著。并且，在空隙102a上的部分的固定膜104設(shè)置有音孔104a，同時(shí)，在振動膜103設(shè)置有孔103b。也就是說，固定膜104中的音孔104a具有將來自MEMS傳聲器芯片100外的聲音取入MEMS傳聲器芯片100內(nèi)的功能。并且，振動膜103中的孔103b具有讓氣壓與貫穿孔101a側(cè)一致的功能。
在具有這樣結(jié)構(gòu)的MEMS傳聲器芯片100中，振動膜103因通過音孔104a導(dǎo)入的聲波而產(chǎn)生振動。結(jié)果是由于固定膜104與振動膜103之間的距離產(chǎn)生變化，因此能夠?qū)⒊蔀樯喜侩姌O的固定膜104和成為下部電極的振動膜103之間的容量變化作為電信號取出。這樣一來，能夠?qū)⒙暡ㄞD(zhuǎn)換為電信號。
在下述各個(gè)實(shí)施例中，對MEMS傳聲器芯片100的制造方法加以說明(但是，本發(fā)明并不僅限定于MEMS傳聲器芯片的制造)。特別針對為了具有極其薄且獨(dú)立的(沒有成為與其它膜疊層在一起而被加強(qiáng)的結(jié)構(gòu))部分，而形成脆弱的振動膜103及固定膜104的方法加以詳細(xì)說明。
另外，在所制造的MEMS傳聲器芯片100中，有時(shí)在空隙102a內(nèi)產(chǎn)生污染物。
這里，所說的污染物是指例如在MEMS傳聲器芯片100的制造工序中產(chǎn)生的半導(dǎo)體晶片101的碎片、切割膠帶的碎片、用在切割中的刀片的碎片等。當(dāng)這樣的污染物201小于孔103b或音孔104a時(shí)，在MEMS傳聲器芯片100的制造工序中，這樣的污染物201會從孔103b或音孔104a進(jìn)入空隙102a內(nèi)，在制造工序結(jié)束之后仍留在空隙102a內(nèi)，如圖14所示。在圖14中，示出了附著在振動膜103上的污染物201，能夠認(rèn)為也附著在固定膜104、中間膜102的側(cè)面或半導(dǎo)體晶片101的側(cè)面。
當(dāng)產(chǎn)生這樣的污染物201時(shí)，MEMS傳聲器芯片100的性能會劣化。特別是傳聲器的頻率特性會劣化，難以獲得所需的質(zhì)量，成為MEMS傳聲器芯片100的制造成品率下降的原因。
另外，由于振動膜103及固定膜104較脆弱，因此一旦產(chǎn)生的污染物201不容易被除去，因而，最好防止該污染物的產(chǎn)生。
(第一實(shí)施例)以下，參照附圖對本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法加以說明。
圖2(a)～圖2(e)示出了本實(shí)施例的MEMS傳聲器芯片100的制造方法。
首先，如圖2(a)所示，在半導(dǎo)體晶片101的一個(gè)面(以下，稱為表面)上形成用以加工成振動膜103的疊層材料膜103a。疊層材料膜103a可以是例如從下向上依次將氮化硅(SiN)膜、多晶硅(PSPoly Silicon)膜、四乙基原硅酸鹽(TEOSTetraetylorthosilicate)膜及SiN膜疊層而成的結(jié)構(gòu)。
其次，形成覆蓋疊層材料膜103a的、具有對應(yīng)于振動膜103的加工形狀的圖案的、為例如二氧化硅(SiO2)膜的蝕刻停止膜111。
另外，在形成疊層材料膜103a時(shí)，有時(shí)在半導(dǎo)體晶片101中的與形成了疊層材料膜103a的面相反一側(cè)的面(以下，稱為背面)形成例如氧化膜112。
并且，在圖2(a)中示出了為在以后的工序中被切割的位置的切斷線L，包含一個(gè)疊層材料膜103a的范圍通過在切斷線L上進(jìn)行的切割而成為一個(gè)芯片。雖然在圖2(a)中僅示出了一個(gè)，但是在半導(dǎo)體晶片101中同時(shí)形成有多個(gè)這樣的成為各個(gè)芯片的結(jié)構(gòu)。
然后，將蝕刻停止膜111用作掩模來進(jìn)行蝕刻，對疊層材料膜103a進(jìn)行加工，獲得具有圖2(b)所示的形狀的振動膜103。此時(shí)，例如，對SiN膜進(jìn)行使用了氟氣的干蝕刻，對PS膜進(jìn)行使用了氟酸溶劑的濕蝕刻即可。
其次，如圖2(b)所示，將在振動膜103上具有犧牲層113的中間膜102形成在半導(dǎo)體晶片101上。并且，形成覆蓋犧牲層113及中間膜102上的固定膜104。
這里，通過例如BPSG(Boron Phosphorous Silicate Glass)來形成犧牲層113及中間膜102，并且，將固定膜104形成為具有與振動膜103同一結(jié)構(gòu)的疊層膜。也就是說，本實(shí)施例的固定膜104為從下向上依次疊層SiN膜、PS膜、TEOS膜及SiN膜的結(jié)構(gòu)。
另外，在本實(shí)施例的MEMS傳聲器芯片100中，通過先將中間膜102和犧牲層113作為一層形成，然后，再僅將振動膜103上的部分作為犧牲層113除去，來形成中間膜102和犧牲層113。但是，并不限定于此，還能夠分別形成中間膜102和犧牲層113。此時(shí)，也可以用不同的材料。
其次，如圖2(c)所示，對半導(dǎo)體晶片101進(jìn)行背面研磨。也就是說，對半導(dǎo)體晶片101的背面(與形成有振動膜103的面相反一側(cè)的面)進(jìn)行研磨，使半導(dǎo)體晶片101的厚度較薄。這是通過將BG(背面研磨)膠帶114粘貼在固定膜104上進(jìn)行的。例如可以將丙烯系粘結(jié)劑涂敷在聚乙烯制的膠帶上來作為BG膠帶114。
其次，如圖2(d)所示，在半導(dǎo)體晶片101的背面形成例如由氧化硅膜構(gòu)成的掩模115，利用該掩模115對半導(dǎo)體晶片101進(jìn)行蝕刻。來在半導(dǎo)體晶片101從背面形成貫穿孔101a，使振動膜103朝著貫穿孔101a露出。
其次，沿著切斷線L對半導(dǎo)體晶片101進(jìn)行切割，將各芯片分開，形成芯片100a。為此，在半導(dǎo)體晶片101的背面粘貼切割膠帶116，用刀片進(jìn)行切割。在圖2(e)中示出了對大致為兩個(gè)芯片100a的范圍進(jìn)行了切割的狀態(tài)。另外，例如可以將丙烯系粘結(jié)劑涂敷在聚烯烴制膠帶上來作為切割膠帶116。
這樣的切割是通過一邊提供以除去切斷碎片為目的的例如清洗用水，一邊進(jìn)行的。雖然固定膜104為較薄的膜，但是由于疊層在犧牲層113上，因此即使受到所提供的水的壓力，也不容易被破壞。
然后，剝離切割膠帶116，在芯片100a的狀態(tài)下進(jìn)行蝕刻處理，除去犧牲層113，形成空隙102a。這樣一來，就能夠獲得圖1所示的MEMS傳聲器芯片100的結(jié)構(gòu)。另外，在進(jìn)行該蝕刻時(shí)，能夠?qū)F用作蝕刻液。
如上所述，能夠通過在除去犧牲層113之前進(jìn)行用以形成芯片的切割，來抑制對固定膜104的破壞。接著，在進(jìn)行切割之后，除去犧牲層113，就能夠成品率良好地制造具有振動膜103和固定膜104夾著空隙102a形成的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置(MEMS傳聲器芯片100)。
并且，防止了切割工序中產(chǎn)生的切斷碎片作為圖14所示的那樣的污染物201殘留在空隙102a內(nèi)的現(xiàn)象。
也就是說，在切割時(shí)，產(chǎn)生半導(dǎo)體晶片101、中間膜102、切割膠帶116等碎片，并且，有時(shí)還產(chǎn)生切割刀片的碎片。有時(shí)這樣的碎片會小于孔103b或音孔104a，假設(shè)沒有犧牲層113的話，則能夠想像到這樣的碎片會進(jìn)入到空隙102a內(nèi)。如圖14所示，當(dāng)象這樣在MEMS傳聲器芯片100的完成品中產(chǎn)生了污染物201時(shí)，會使裝置的質(zhì)量劣化。
但是，根據(jù)本實(shí)施例的方法，在切割時(shí)留有犧牲層113。因此，防止了圖14所示的污染物201的產(chǎn)生。結(jié)果是提高了MEMS傳聲器芯片100的質(zhì)量及其制造成品率。
另外，在上述工序中，在形成固定膜104之后且在形成貫穿孔101a之前，進(jìn)行了半導(dǎo)體晶片101的背面研磨。但是，也可以在形成圖2(a)所示的振動膜103之前預(yù)先進(jìn)行背面研磨。此時(shí)，用已經(jīng)厚度較薄的半導(dǎo)體晶片101，與圖2(a)一樣，進(jìn)行振動膜103的形成。
而且，也可以在形成固定膜104之后，先進(jìn)行貫穿孔101a的形成，然后，再進(jìn)行背面研磨。
也能夠通過與圖2(a)～圖2(e)所示的工序不同的工序順序來制造MEMS傳聲器芯片100。
(第一實(shí)施例的變形例)其次，對第一實(shí)施例的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法加以說明。與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法相比，本變形例的特征在于，在固定膜104上設(shè)置保護(hù)膜。以下，參照附圖對該特征加以說明。圖3(a)及圖3(b)為示出了本變形例中的具有特點(diǎn)性的工序的圖。
首先，與第一實(shí)施例一樣，進(jìn)行圖2(a)～圖2(d)所述的工序。其次，如圖3(a)所示，在固定膜104上形成保護(hù)膜117。并且，將切割膠帶116粘貼在半導(dǎo)體晶片101的背面。然后，通過沿著切斷線L對保護(hù)膜117與半導(dǎo)體晶片101一起進(jìn)行刀片切割，來獲得芯片100a，如圖3(b)所示。這樣一來，能夠通過保護(hù)膜117更確實(shí)地抑制對固定膜104的破壞，提高M(jìn)EMS傳聲器芯片100的制造成品率。另外，能夠用丙烯等作為材料來形成保護(hù)膜117。
然后，除去保護(hù)膜117。這個(gè)工序也能夠在切割之后，作為用以除去保護(hù)膜117的獨(dú)立工序來進(jìn)行。此時(shí)，能夠通過在除去保護(hù)膜117之后，利用蝕刻除去犧牲層113來獲得圖1所示的半導(dǎo)體裝置。
并且，還能夠在為了除去犧牲層113而進(jìn)行的蝕刻中，同時(shí)除去保護(hù)膜117，來代替將除去保護(hù)膜117的工序作為獨(dú)立工序進(jìn)行的作法。這樣一來，能夠抑制工序數(shù)的增加，獲得圖1所示的半導(dǎo)體裝置。
(第二實(shí)施例)其次，參照附圖對本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法加以說明。在本實(shí)施例中，也以圖1所示的MEMS傳聲器芯片100為例加以說明。并且，由于除了將犧牲層113除去的工序及形成芯片的工序以外，均與第一實(shí)施例一樣，因此在這里以本實(shí)施例中的形成芯片的工序?yàn)橹骷右哉f明。另外，圖4(a)～圖4(c)、和圖5(a)及圖5(b)為說明本實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置的制造工序的圖。
具體地說，首先，與第一實(shí)施例一樣，進(jìn)行圖2(a)～圖2(d)的工序。藉此方法，能夠獲得具有多個(gè)成各個(gè)芯片的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片101，如圖2(d)所示。
其次，如圖4(a)所示，通過對半導(dǎo)體晶片101進(jìn)行蝕刻處理，來在晶片狀態(tài)下除去犧牲層113，形成空隙102a。另外，在圖4(a)中也示出了為以后要切割的位置的切斷線L，被切斷線L夾著的范圍成為以后通過切割而形成的一個(gè)芯片。因此，在圖4(a)中示出了半導(dǎo)體晶片101中的相當(dāng)于兩個(gè)芯片的范圍。
其次，如圖4(b)所示，從半導(dǎo)體晶片101的背面一側(cè)沿著切斷線L照射切割用的激光118。這樣一來，被照射了激光118的部分(切斷線L的附近)的半導(dǎo)體晶片101、中間膜102及固定膜104產(chǎn)生變質(zhì)，成為物理強(qiáng)度較低的變質(zhì)層202。
接著，如圖4(c)所示，在將切割用膠帶粘貼在半導(dǎo)體晶片101的背面，進(jìn)行拉伸(expand)之后，半導(dǎo)體晶片101等就在被照射了激光118的位置上被切斷，形成了芯片。這里的拉伸是指由于對照射激光118之后的半導(dǎo)體晶片101施加沿著面方向的力，因此使切割膠帶116撐開的意思。在圖4(c)中，如箭頭F所示，示出了拉伸切割膠帶116的情況。
藉此方法，就能夠制造出圖1所示的那樣的MEMS傳聲器芯片100。
另外，在被分割開的各個(gè)芯片的周圍殘留有變質(zhì)層202。當(dāng)照射的激光的輸出為1～10W時(shí)，殘留的變質(zhì)層202的寬度K為1～5μm左右。
在圖4(b)及圖4(c)中，示出了被照射了激光的切斷線L的部分的半導(dǎo)體激光101、中間膜102及固定膜104都成為變質(zhì)層202的情況。但是，也可以僅是有限的范圍成為變質(zhì)層202，具有沒有變質(zhì)的部分。只要使變質(zhì)層202形成為芯片100可通過圖4(c)的拉伸而分開的程度即可。
并且，代表變質(zhì)層202的是多晶體質(zhì)層。也就是說，能夠?qū)⒂蓡尉Ч铇?gòu)成的晶片用作本實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片101，此時(shí)，進(jìn)行了激光照射的部分的結(jié)晶結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，成為是多晶體質(zhì)層的變質(zhì)層202。
在單晶硅中，較理想的情況是所有的原子均排列規(guī)則，成為鉆石光柵結(jié)構(gòu)。而在多晶體質(zhì)層中，能夠看到原子排列在局部上具有規(guī)則排列的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，原子排列的結(jié)構(gòu)為多個(gè)這樣的局部結(jié)晶結(jié)構(gòu)集中在一起的結(jié)構(gòu)，在較大的區(qū)域中并不具有規(guī)則的排列。激光的照射使原子排列具有規(guī)則排列的區(qū)域變小了。
能夠用例如拉曼分光法等來證實(shí)這樣的單晶體及多晶體的不同。
利用這樣的激光照射及拉伸進(jìn)行的激光切割能夠在不提供清洗水的情況下進(jìn)行。因此，沒有位于空隙102a上的固定膜104因清洗水的壓力等而被破壞的情況。
即使在切割之前在晶片狀態(tài)下將犧牲層113除去時(shí)，也能夠通過激光切割的切割方法，在避免清洗水的壓力對固定膜104造成破壞的情況下，進(jìn)行切割。因此，能夠提高制造MEMS傳聲器芯片100時(shí)的成品率。
另外，也可以在激光照射之前，將表面保護(hù)膠帶119粘貼在固定膜104上，如圖5(a)所示。然后，從半導(dǎo)體晶片101的背面照射激光118。而且，能夠在將切割膠帶116粘貼在半導(dǎo)體晶片101的背面，剝離表面保護(hù)膠帶119之后，與圖4(c)一樣，進(jìn)行拉伸。當(dāng)象這樣使用表面保護(hù)膠帶119時(shí)，能夠防止切割時(shí)固定膜104等受到損傷的現(xiàn)象，能夠更確實(shí)地制造MEMS傳聲器芯片100。而且，能夠通過表面保護(hù)膠帶119防止污染物201向空隙102a內(nèi)侵入的現(xiàn)象(參照圖14)。
并且，也可以在通過對半導(dǎo)體晶片101進(jìn)行蝕刻處理將犧牲層113除去之后，將切割膠帶116粘貼在半導(dǎo)體晶片101的背面，如圖5(b)所示。此時(shí)，從半導(dǎo)體晶片101的表面一側(cè)照射激光118。然后，能夠進(jìn)行圖4(c)所示的拉伸，在由激光照射而產(chǎn)生變質(zhì)的部分上將半導(dǎo)體晶片101切斷，來形成芯片。
至于激光照射，即可以從半導(dǎo)體晶片101的表面一側(cè)進(jìn)行，也可以從半導(dǎo)體晶片101的背面一側(cè)進(jìn)行。在圖5(a)及圖5(b)中也由激光照射產(chǎn)生了變質(zhì)層，對其圖示加以省略。
如果在照射激光118的切斷線L中，在入射激光的面中存在氧化膜或金屬膜等的話，有時(shí)激光118會被反射。當(dāng)象這樣產(chǎn)生了激光的反射時(shí)，難以進(jìn)行激光切割。但是，如上所述，能夠從半導(dǎo)體激光101的各個(gè)面開始進(jìn)行激光照射。因此，只要表面及背面中的任意一個(gè)面是沒有氧化膜或金屬膜等的面的話，就能夠通過激光切割形成芯片。
另外，本實(shí)施例中的各構(gòu)成要素均能夠使用與第一實(shí)施例同樣的材料。在蝕刻中使用的藥液等也與第一實(shí)施例一樣。
(第二實(shí)施例)以下，對第二實(shí)施例的變形例加以說明。圖6(a)～圖6(c)為說明本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的圖。在本變形例中，首先，與第一實(shí)施例一樣，進(jìn)行形成固定膜104為止的工序，獲得圖2(b)所示的結(jié)構(gòu)。
其次，在半導(dǎo)體晶片101的背面形成掩模115，對于半導(dǎo)體晶片101從背面進(jìn)行蝕刻。藉此方法，形成貫穿孔101b，使振動膜103的背面在貫穿孔101b的一側(cè)露出。圖6(a)示出了該樣子。
其次，如圖6(b)所示，利用蝕刻除去犧牲層113，形成空隙102a。接著，如圖6(c)所示，在將表面保護(hù)膠帶119粘貼在固定膜104上之后，研磨半導(dǎo)體晶片101的背面(進(jìn)行背面研磨)。使半導(dǎo)體晶片101的厚度變薄。也就是說，本變形例與第二實(shí)施例相比，除去犧牲層113的工序與進(jìn)行研磨的工序的工序順序相反。
接著，進(jìn)行與圖5(a)所示的一樣的激光照射。使被照射了激光118的部分變質(zhì)，變得脆弱。而且，與圖4(c)一樣，在粘貼切割膠帶116的同時(shí)，剝離表面保護(hù)膠帶119，然后，進(jìn)行拉伸。使半導(dǎo)體晶片101、中間膜102及固定膜104在照射了激光118的部分中被切斷，能夠獲得具有在振動膜103上夾著空隙102a形成了固定膜104的結(jié)構(gòu)的各個(gè)芯片。
根據(jù)本變形例，能夠用表面保護(hù)膠帶119進(jìn)行背面研磨及激光照射這兩個(gè)工序。也就是說，與第二實(shí)施例時(shí)那樣，在剝離了用在背面研磨中的BG膠帶114之后，用表面保護(hù)膠帶119進(jìn)行激光照射時(shí)相比，能夠減少所使用的膠帶數(shù)。并且，還能夠減少膠帶的粘貼工序及剝離工序。結(jié)果是能夠簡化制造工序及降低成本。
(第三實(shí)施例)其次，參照附圖對本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法加以說明。在本實(shí)施例中，也以圖1所示的MEMS傳聲器芯片100為例加以說明。并且，由于除了將犧牲層113除去的工序及形成芯片的工序以外，均與第一實(shí)施例一樣，因此以本實(shí)施例中的形成芯片的工序?yàn)橹骷右哉f明。另外，圖7(a)～圖7(c)與圖8(a)及圖8(b)為說明本實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
具體地說，首先，與第一實(shí)施例一樣，進(jìn)行圖2(a)～圖2(d)的工序。這樣一來，如圖2(d)所示，就能夠獲得具有多個(gè)在振動膜103上隔著犧牲層113形成了固定膜104的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片101。
其次，如圖7(a)所示，通過對半導(dǎo)體晶片101進(jìn)行蝕刻處理，來在晶片狀態(tài)下除去犧牲層113，形成空隙102a。另外，在圖7(a)中也示出了為以后被切割的位置的切斷線L。這里也示出了通過切割而形成相當(dāng)于兩個(gè)芯片的范圍。
其次，如圖7(b)所示，在固定膜104上形成保護(hù)膜117。這可以用例如丙烯等作為材料形成。而且，將切割膠帶116粘貼在半導(dǎo)體晶片101的背面。
接著，如圖7(c)所示，對保護(hù)膜117與半導(dǎo)體晶片101一起進(jìn)行刀片切割。此時(shí)，能夠通過在固定膜104上形成有保護(hù)膜117，來抑制由切割時(shí)的清洗水的壓力而對固定膜104造成的破壞。
這樣一來，即使利用伴隨著洗凈水的提供的刀片切割時(shí)，也能夠一邊由保護(hù)膜117抑制對固定膜104造成的破壞，一邊進(jìn)行切割，獲得芯片。
通過在進(jìn)行這樣的切割時(shí)，形成有保護(hù)膜117，來防止圖14所示的空隙102a內(nèi)的污染物201的產(chǎn)生。
然后，在除去保護(hù)膜117之后，就能夠獲得與圖1一樣的MEMS傳聲器芯片100。為了除去保護(hù)膜117，例如，只要如圖8(a)所示，從切割膠帶116取下切割后形成的芯片，再將其轉(zhuǎn)移到芯片座120，然后，利用IPA(異丙基乙醇)等進(jìn)行清洗等即可。這樣一來，能夠更確實(shí)地進(jìn)行清洗。
并且，作為除去保護(hù)膜117用的其它方法，如圖8(b)所示，還能夠?qū)φ迟N在切割膠帶116的狀態(tài)下的芯片進(jìn)行IPA清洗。此時(shí)，由于不需要將芯片轉(zhuǎn)移到芯片座的作業(yè)，因此具有簡化工序的優(yōu)點(diǎn)。
如上所述，能夠成品率良好地制造具有在振動膜103上隔著空隙102a形成了固定膜104的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，具體地說，能夠成品率良好地制造MEMS傳聲器芯片100。而且，還實(shí)現(xiàn)了因防止了污染物的產(chǎn)生而帶來的質(zhì)量及成品率的提高。
另外，在上述工序中，在形成了固定膜104之后，進(jìn)行了背面研磨，其次形成了貫穿孔101a。但是，也可以與第一實(shí)施例時(shí)一樣，在形成振動膜103之前進(jìn)行背面研磨。
并且，還能夠在形成保護(hù)膜117之后且切割之前進(jìn)行背面研磨。圖9(a)～圖9(c)為說明這種情況的工序圖。
也就是說，在形成了圖2(b)的結(jié)構(gòu)之后，如圖9(a)所示，在半導(dǎo)體晶片101的背面設(shè)置了掩模115，然后，通過以掩模115為掩模的蝕刻來形成貫穿孔101b。
其次，如圖9(b)所示，在固定膜104上形成保護(hù)膜117。接著，將BG膠帶114粘貼在保護(hù)膜117上，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片101的背面研磨。如圖9(c)所示，從背面使半導(dǎo)體晶片101的厚度變薄。接著，在剝離BG膠帶114之后，與圖7(b)及圖7(c)一樣，粘貼切割膠帶116，進(jìn)行刀片切割。對于保護(hù)膜117的除去也與上述情況一樣。
(第四實(shí)施例)其次，參照附圖對本發(fā)明的第四實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法加以說明。圖10(a)及圖10(b)、和圖11(a)～圖11(c)為說明本實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
在本實(shí)施例中，也以圖1所示的MEMS傳聲器芯片100為例加以說明。并且，由于除了將犧牲層113除去的工序及形成芯片的工序以外，均與第一實(shí)施例一樣，因此以本實(shí)施例中的形成芯片的工序?yàn)橹骷右哉f明。
首先，與第一實(shí)施例一樣，進(jìn)行形成固定膜104為止的工序，獲得圖2(b)所示的結(jié)構(gòu)。也就是說，為在半導(dǎo)體晶片101上形成振動膜103，再在其上隔著犧牲層113形成了固定膜104的結(jié)構(gòu)。在此刻，沒有進(jìn)行背面研磨。
其次，如圖10(a)所示，在半導(dǎo)體晶片101的背面(與形成了振動膜103的面相反一側(cè)的面)形成掩模115，對半導(dǎo)體晶片101從背面進(jìn)行蝕刻。來形成貫穿孔101b，使振動膜103的背面在貫穿孔101b的一側(cè)露出。
其次，從半導(dǎo)體晶片101的表面進(jìn)行刀片切割。但是，如圖10(b)所示，在半導(dǎo)體晶片101的背面附近，將半導(dǎo)體晶片101的一部分作為較薄的連接部121留下來，以從表面設(shè)置槽122的方式來進(jìn)行刀片切割。結(jié)果使半導(dǎo)體晶片101中的應(yīng)該成為各個(gè)芯片的區(qū)域通過半導(dǎo)體晶片101較薄的部分即連接部121而連接起來。
在這樣的刀片切割中，由于固定膜104被疊層在犧牲層113上，因此能夠避免由洗凈水的壓力而造成的破壞。并且，由于存在犧牲層113，因此能夠防止因切割時(shí)產(chǎn)生的碎片而使圖14所示的污染物201殘留的現(xiàn)象。
其次，如圖11(a)所示，通過對形成了槽122的半導(dǎo)體晶片101進(jìn)行蝕刻處理，來除去犧牲層113，形成空隙102a。
接著，如圖11(b)所示，在將BG膠帶114粘貼在固定膜104上之后，對半導(dǎo)體晶片101的背面進(jìn)行研磨。至少要將這樣的背面研磨進(jìn)行到挖去連接部121，到達(dá)槽122為止。這樣一來，能夠使通過連接部121而相互連接在一起的成為各個(gè)芯片的區(qū)域分開，形成與圖1所示的一樣的MEMS傳聲器芯片100。
然后，如圖11(c)所示，粘貼接觸到各個(gè)芯片的背面的切割膠帶116。而且，能夠在剝離BG膠帶114之后，進(jìn)行相對于切割膠帶116的轉(zhuǎn)印(transfer)。
如上所述，以分別包圍含有振動膜103及固定膜104的成為芯片的區(qū)域的方式，利用切割從半導(dǎo)體芯片101的表面形成槽122，然后，將犧牲層113除去，接著，從半導(dǎo)體晶片101的背面進(jìn)行背面研磨。使用這樣的方法，能夠一邊抑制對固定膜104造成的破壞，一邊制造MEMS傳聲器芯片100那樣的半導(dǎo)體裝置。并且，通過防止切割工序中的污染物的產(chǎn)生，實(shí)現(xiàn)了質(zhì)量和制造成品率的上升。
另外，在為了除去犧牲層113而進(jìn)行蝕刻時(shí)，有時(shí)槽122的側(cè)面也被蝕刻，使槽122的寬度變寬。例如，如圖12所示，有時(shí)蝕刻從切斷線L進(jìn)行到侵入側(cè)面的位置E為止。當(dāng)產(chǎn)生了這樣的現(xiàn)象時(shí)，恐怕會對所制造的半導(dǎo)體裝置(MEMS傳聲器芯片100)的性能造成影響。
于是，例如，如圖12所示，使從切斷線L到后來成為空隙102a的犧牲層113的距離M為包含了預(yù)先考慮到溝122的側(cè)面因蝕刻處理而被蝕刻的范圍的距離。這樣一來，例如，即使槽122的側(cè)面被蝕刻到侵入側(cè)面的位置E為止時(shí)，也能夠避免對所制造的半導(dǎo)體裝置的性能造成影響的現(xiàn)象。
另外，在以上各實(shí)施例中所記載的各構(gòu)成要素的材料等均為列出的例子，在本發(fā)明中并不對各構(gòu)成要素的材料作特別限定。
(產(chǎn)業(yè)上的利用可能性)根據(jù)本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠避免切割時(shí)為脆弱結(jié)構(gòu)的部分遭到破壞，同時(shí)，避免污染物來進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的芯片化，特別有用于制造MEMS傳聲器芯片等。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括工序a，在具有多個(gè)芯片的半導(dǎo)體晶片中的上述各個(gè)芯片的規(guī)定區(qū)域上形成振動膜；工序b，將含有位于上述各個(gè)芯片的上述振動膜上的犧牲層的中間膜形成在上述半導(dǎo)體晶片上；工序c，在上述中間膜上形成固定膜；工序d，通過對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行刀片切割，來將上述各個(gè)芯片分開；以及工序e，通過對上述各個(gè)芯片進(jìn)行蝕刻，來除去上述犧牲層，在上述振動膜和上述固定膜之間設(shè)置空隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述工序d之前，還包括在上述固定膜上設(shè)置保護(hù)膜的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述工序e中，將上述保護(hù)膜與上述犧牲層一起除去。
4.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括工序a，在具有多個(gè)芯片的半導(dǎo)體晶片中的上述各個(gè)芯片的規(guī)定區(qū)域上形成振動膜；工序b，將含有位于上述各個(gè)芯片的上述振動膜上的犧牲層的中間膜形成在上述半導(dǎo)體晶片上；工序c，在上述中間膜上形成固定膜；工序d，通過對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行蝕刻，來除去上述犧牲層，在上述振動膜與上述固定膜之間設(shè)置空隙；以及工序e，通過對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行激光切割，來將上述各個(gè)芯片分開。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述工序e中，對上述半導(dǎo)體晶片的形成了上述固定膜的面粘貼表面保護(hù)膠帶，然后，從上述半導(dǎo)體晶片的另一面進(jìn)行上述激光切割。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述工序e中，對上述半導(dǎo)體晶片的與形成了上述固定膜的面相反的面粘貼切割膠帶，然后，從形成了上述固定膜的面進(jìn)行上述激光切割。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述工序d之后，且上述工序e之前，還包括對上述半導(dǎo)體晶片的形成了上述固定膜的面粘貼表面保護(hù)膠帶，然后，研磨上述半導(dǎo)體晶片的另一面的工序；在上述工序e中，從上述半導(dǎo)體晶片的上述另一面進(jìn)行上述激光切割。
8.根據(jù)權(quán)利要求4～7中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述工序e，包括通過對上述各個(gè)芯片的周圍進(jìn)行激光照射來形成圍繞上述各個(gè)芯片的變質(zhì)層的工序、和通過對上述半導(dǎo)體晶片施加力來沿著上述變質(zhì)層將上述各個(gè)芯片分開的工序。
9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括工序a，在具有多個(gè)芯片的半導(dǎo)體晶片中的上述各個(gè)芯片的規(guī)定區(qū)域上形成振動膜；工序b，將含有位于上述各個(gè)芯片的上述振動膜上的犧牲層的中間膜形成在上述半導(dǎo)體晶片上；工序c，在上述中間膜上形成固定膜；工序d，通過對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行蝕刻，來除去上述犧牲層，在上述振動膜與上述固定膜之間設(shè)置空隙；以及工序e，通過在上述工序d之后，在上述固定膜上設(shè)置保護(hù)膜，同時(shí)，通過對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行刀片切割，來將上述各個(gè)芯片分開。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述工序e之后，還包括將上述各個(gè)芯片保持在芯片座中，除去上述保護(hù)膜的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述工序e中，對上述半導(dǎo)體晶片的與形成了上述固定膜的面相反的面粘貼切割膠帶，進(jìn)行上述刀片切割；在上述工序e之后，還包括從粘貼在上述切割膠帶上的狀態(tài)的各個(gè)芯片除去上述保護(hù)膜的工序。
12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括工序a，在具有多個(gè)芯片的半導(dǎo)體晶片中的上述各個(gè)芯片的規(guī)定區(qū)域上形成振動膜；工序b，將含有位于上述各個(gè)芯片的上述振動膜上的犧牲層的中間膜形成在上述半導(dǎo)體晶片上；工序c，在上述中間膜上形成固定膜；工序d，從上述固定膜一側(cè)，在上述固定膜、上述中間膜及上述半導(dǎo)體晶片形成圍繞上述各個(gè)芯片的槽；工序e，通過對形成了上述槽的上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行蝕刻，來除去上述犧牲層，在上述振動膜與上述固定膜之間設(shè)置空隙；以及工序f，在上述工序e之后，通過將上述半導(dǎo)體晶片中的與形成了上述槽的面相反一側(cè)的面研磨至到達(dá)上述槽為止，來將上述各個(gè)芯片分開。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述工序d中，將上述槽形成為距上述各個(gè)芯片的上述振動膜具有規(guī)定的距離。
全文摘要
本發(fā)明公開了半導(dǎo)體裝置的制造方法。目的在于當(dāng)制造具有脆弱部分的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置時(shí)，在避免對半導(dǎo)體裝置造成損壞的情況下進(jìn)行切割。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100的制造方法，包括工序(a)，在具有多個(gè)芯片的半導(dǎo)體晶片(101)中的各個(gè)芯片的規(guī)定區(qū)域上形成振動膜(103)；工序(b)，將含有位于各個(gè)芯片的振動膜(103)上的犧牲層(113)的中間膜(102)形成在半導(dǎo)體晶片上；工序(c)，在中間膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通過對半導(dǎo)體晶片(101)進(jìn)行刀片切割，來將各個(gè)芯片(100a)分開；以及工序(e)，通過對各個(gè)芯片(100a)進(jìn)行蝕刻，來除去犧牲層(113)，在振動膜(103)與固定膜(104)之間設(shè)置空隙。
文檔編號H01L21/782GK101086956SQ200710106430
公開日2007年12月12日 申請日期2007年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月9日
發(fā)明者內(nèi)海勝喜, 隈川隆博, 松浦正美, 松島芳宏 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社