專利名稱：薄膜晶體管面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)通常包括一對(duì)顯示板，其具有場(chǎng)發(fā)生電極、偏振板和介于兩個(gè)顯示板之間的液晶層。場(chǎng)發(fā)生電極在液晶層上產(chǎn)生電場(chǎng)。而且，隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的變化，液晶分子的排列也變化。例如，當(dāng)產(chǎn)生電場(chǎng)時(shí)，液晶層的液晶分子改變他們的排列，由此還改變穿過(guò)液晶層的光的偏振。另外，LCD的偏振板阻斷或者傳輸偏振光，以適當(dāng)?shù)匦纬擅髁梁秃诎祬^(qū)，由此產(chǎn)生要顯示的所需圖像。
例如，LCD包括顯示板，該顯示板包括具有開關(guān)元件的多個(gè)像素、多個(gè)顯示信號(hào)線和具有多級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)器，該柵極驅(qū)動(dòng)器將柵極信號(hào)傳輸給顯示信號(hào)線的柵極線，以導(dǎo)通/截止像素的開關(guān)元件。
柵極驅(qū)動(dòng)器的每一級(jí)都連接到一個(gè)信號(hào)線。該級(jí)接收柵極導(dǎo)通/截止電壓、時(shí)鐘信號(hào)，并將輸入的柵極導(dǎo)通/截止電壓和時(shí)鐘信號(hào)傳輸給連接到其上的信號(hào)線。
柵極驅(qū)動(dòng)器可以與基板集成，然后柵極線可以延伸成直接連接到柵極驅(qū)動(dòng)器。在這種情況下，為了連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器的柵極線和柵極驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)線，形成露出柵極線的接觸孔，然后使用例如由氧化銦錫(ITO)制成的連接件，通過(guò)接觸孔使數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)線接觸。
作為選擇，如果柵極驅(qū)動(dòng)器形成在基板外面，則使用將柵極導(dǎo)通/截止信號(hào)線連接到柵極驅(qū)動(dòng)器的各級(jí)的焊盤部分，以將柵極導(dǎo)通/截止電壓傳輸?shù)綎艠O驅(qū)動(dòng)器的各級(jí)。在這種情況下，為了將焊盤部分連接到信號(hào)線，形成露出信號(hào)線的接觸孔，然后使用例如由ITO制成的連接件通過(guò)接觸孔使信號(hào)線和柵極驅(qū)動(dòng)器的各級(jí)相接觸。
而且，當(dāng)信號(hào)線的長(zhǎng)度隨著LCD的尺寸增加時(shí)，信號(hào)線的電阻也增加。因此，由于信號(hào)線的電阻增加導(dǎo)致出現(xiàn)信號(hào)延遲或者電壓降。因此，應(yīng)當(dāng)使用由具有低電阻率的材料例如鋁(Al)制成的配線作為信號(hào)線。
例如，當(dāng)在配線中使用鋁(Al)時(shí)，信號(hào)線可以具有包括Al層和另一層的多層結(jié)構(gòu)。
然而，如果包括Al的信號(hào)線直接與LCD的像素電極或者連接件中使用的ITO接觸，則Al可能被氧化或者腐蝕。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，提供了一種薄膜晶體管(TFT)陣列面板。該TFT陣列面板包括基板、形成在基板上的第一信號(hào)線、形成在第一信號(hào)線上并具有露出第一信號(hào)一部分的第一接觸孔的柵絕緣層、形成在柵絕緣層上的第一半導(dǎo)體、形成在第一半導(dǎo)體和柵絕緣層上的第二信號(hào)線及形成在第一半導(dǎo)體上并與第二信號(hào)線隔開的漏極電極。TFT陣列面板還包括形成在柵絕緣層上并通過(guò)第一接觸孔連接到第一信號(hào)線的導(dǎo)體、形成在第二信號(hào)線、漏極電極和導(dǎo)體上并具有露出漏極電極的第二接觸孔的鈍化層及形成在鈍化層上并通過(guò)第二接觸孔連接到漏極電極的像素電極。
鈍化層還可以包括露出導(dǎo)體一部分的第三接觸孔，并且TFT陣列面板還可以包括通過(guò)第三接觸孔連接到導(dǎo)體的接觸輔助件。第一信號(hào)線可以包括設(shè)置在第一半導(dǎo)體下面的柵極。
TFT陣列面板還可以包括形成在柵絕緣層下面并包括設(shè)置在第一半導(dǎo)體下面的柵極的第三信號(hào)線，以及連接到導(dǎo)體和第三信號(hào)線的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
TFT陣列面板還可以包括形成在第一信號(hào)線的露出部分和導(dǎo)體之間的第二半導(dǎo)體。第二半導(dǎo)體可以具有和第一接觸孔對(duì)準(zhǔn)的第四接觸孔，并且導(dǎo)體可以通過(guò)第一接觸孔和第四接觸孔連接到第一信號(hào)線。
除了第四接觸孔之外，第二半導(dǎo)體可以具有與導(dǎo)體基本上相同的平面形狀。
第一半導(dǎo)體可以朝著第二信號(hào)線和漏極電極延伸，并可以具有和下面的第一半導(dǎo)體基本相同的平面形狀。
TFT陣列面板還可以包括由與第一信號(hào)線相同的層制成并重疊像素電極的存儲(chǔ)電極，以及形成在設(shè)置在柵絕緣層上的存儲(chǔ)電極上的第三半導(dǎo)體。
第一信號(hào)線可以包括由鋁(Al)或者鋁(Al)合金制成的第一導(dǎo)電層。
第一信號(hào)線還可以包括設(shè)置在第一導(dǎo)電層下面的第二導(dǎo)電層，其包括鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉻(Cr)合金或者鉬(Mo)合金。
在第一信號(hào)線的露出部分可以通過(guò)第一接觸孔去除第一導(dǎo)電層。
第一接觸孔可以露出第一信號(hào)線的邊界。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，提供一種TFT陣列面板的制造方法。該方法包括在基板上形成第一信號(hào)線、在第一信號(hào)線上沉積柵絕緣層、在柵絕緣層上沉積本征非晶硅(a-Si)層、在本征非晶硅層上沉積非本征非晶硅(a-Si)層、在非本征a-Si層上形成具有取決于位置的厚度并露出非本征a-Si層的第一部分的光致抗蝕劑膜，以及使用光致抗蝕劑膜作為掩模，同時(shí)對(duì)非本征a-Si層、本征a-Si層和柵絕緣層構(gòu)圖，來(lái)形成非本征半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體和露出第一信號(hào)線一部分的第一接觸孔。該方法還包括在非本征半導(dǎo)體和通過(guò)第一接觸孔連接到第一信號(hào)線的導(dǎo)體上形成第二信號(hào)線和漏極電極，同時(shí)在數(shù)據(jù)線、漏極電極和導(dǎo)體上形成具有露出漏極電極一部分的第二接觸孔的鈍化層，以及形成通過(guò)鈍化層上的第二接觸孔連接到漏極電極的像素電極。
非本征半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體和第一接觸孔的形成可以包括使用光致抗蝕劑膜作為掩模來(lái)蝕刻非本征a-Si層的第一部分、下面的本征a-Si層和下面的柵絕緣層，使光致抗蝕劑膜變薄以露出非本征a-Si層的第二部分，去除非本征a-Si層的第二部分、下面的本征a-Si層以及下面的柵絕緣層，并去除剩余的光致抗蝕劑膜。
光致抗蝕劑膜的形成可以包括涂敷光致抗蝕劑，并曝光光致抗蝕劑，以通過(guò)具有透光的透明區(qū)域、半透明區(qū)域和阻光的不透明區(qū)域的掩模曝光光致抗蝕劑。透光的透明區(qū)域可以對(duì)應(yīng)于非本征a-Si層的第一部分，而半透明區(qū)域可以對(duì)應(yīng)于非本征a-Si層的第二部分。
第一接觸孔可以設(shè)置在非本征a-Si層的第一部分的下面。
第一信號(hào)線可以包括由鋁(Al)或者鋁(Al)合金制成的第一導(dǎo)電層。
第一信號(hào)線還可以包括設(shè)置在第一導(dǎo)電層下面的第二導(dǎo)電層，其包括鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉻(Cr)合金或者鉬(Mo)合金，并且該方法還可以包括在形成第一接觸孔之后去除第一導(dǎo)電層的露出部分。
鈍化層還可以具有露出導(dǎo)體一部分的第三接觸孔，并且形成像素電極可以包括形成通過(guò)第三接觸孔連接到導(dǎo)體的接觸輔助件。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，提供了一種TFT陣列面板的制造方法。該方法包括在基板上形成第一信號(hào)線、在第一信號(hào)線上沉積柵絕緣層、在柵絕緣層上沉積本征非晶硅(a-Si)層、在本征非晶硅層上沉積非本征非晶硅(a-Si)層、通過(guò)蝕刻非本征a-Si層、本征a-Si層和柵絕緣層形成露出一部分第一信號(hào)線的第一接觸孔、在非本征a-Si層上沉積導(dǎo)電層并形成具有取決于位置的厚度的光致抗蝕劑膜。該方法還包括使用光致抗蝕劑膜作為掩模，通過(guò)對(duì)導(dǎo)電層、非本征a-Si層和本征a-Si層構(gòu)圖，形成通過(guò)第一接觸孔連接到第一信號(hào)線的導(dǎo)體、第二信號(hào)線、漏極電極和下面的接觸輔助件和半導(dǎo)體，在數(shù)據(jù)線、漏極電極和導(dǎo)體上形成具有露出漏極電極一部分的第二接觸孔的鈍化層，并且在鈍化層上形成通過(guò)第二接觸孔連接到漏極電極的像素電極。
鈍化層還可以具有露出導(dǎo)體一部分的第三接觸孔，并且形成像素電極可以包括形成通過(guò)第三接觸孔連接到導(dǎo)體的接觸輔助件。
結(jié)合附圖，通過(guò)下面的描述可以更詳細(xì)地理解本發(fā)明的示范性實(shí)施例，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的TFT陣列面板的布置圖；圖2是圖1所示TFT陣列面板沿著線II-II’-II”-II剖取的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的TFT陣列面板的布置圖；圖4是圖1所示TFT陣列面板沿著線IV-IV’-IV”-IV剖取的截面圖；圖5、圖7、圖10和圖12是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，在其制造方法的中間步驟中，圖1和圖2所示TFT陣列面板的布置圖；圖6是圖5所示TFT陣列面板沿著線VI-VI’-VI”-VI剖取的截面圖；圖8是圖7所示TFT陣列面板沿著線VIII-VIII’-VIII”-VIII剖取的截面圖；圖9A到圖9F是圖7和圖8所示TFT陣列面板在其制造方法的中間步驟中的截面圖；圖11是圖10所示TFT陣列面板沿著線XI-XI’-XI”-XI剖取的截面圖；圖13是圖12所示TFT陣列面板沿著線XIII-XIII’-XIII”-XIII剖取的截面圖；圖14和圖17是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例，在其制造方法的中間步驟中，圖3和圖4所示TFT陣列面板的布置圖；圖15是圖14所示TFT陣列面板沿著線XV-XV’-XV”-XV剖取的截面圖；圖16A到圖16F是圖14和圖15所示TFT陣列面板在其制造方法的中間步驟中的截面圖；圖18是圖17所示TFT陣列面板沿著線XVIII-XVIII’-XVIII”-XVIII剖取的截面圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的TFT陣列面板的布置圖；圖20是圖19所示TFT陣列面板沿著線XX-XX’-XX”-XX剖取的截面圖；圖21、圖23和圖26是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，在其制造方法的中間步驟中，圖19和圖20所示TFT陣列面板的布置圖；圖22是圖21所示TFT陣列面板沿著線XXII-XXII’-XXII”-XXII剖取的截面圖；圖24是圖23所示TFT陣列面板沿著線XXIV-XXIV’-XXIV”-XXIV剖取的截面圖；圖25A到圖25F是圖23和圖24所示TFT陣列面板在其制造方法的中間步驟中的截面圖；圖27是圖26所示TFT陣列面板沿著線XXVII-XXVII’-XXVII”-XXVII剖取的截面圖；圖28是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的LCD的框圖；圖29是表示圖28所示LCD一部分顯示區(qū)域的布置圖；圖30是表示圖28所示LCD一部分驅(qū)動(dòng)區(qū)域的布置圖；圖31是圖30所示TFT陣列面板沿著線XXXI-XXXI’-XXXI”-XXXI剖取的截面圖；圖32、圖33、圖35和圖36是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，在其制造方法的中間步驟中，圖31所示TFT陣列面板的布置圖；圖34A到34F是圖33所示TFT陣列面板在其制造方法的中間步驟中的截面圖；圖37是表示圖28所示LCD一部分顯示區(qū)域的另一布置圖；圖38是表示圖28所示LCD一部分顯示區(qū)域的另一布置圖；以及圖39是圖37和圖38所示TFT陣列面板沿著線XXXIX-XXXIX’-XXXIX”-XXXIX剖取的截面圖。
具體實(shí)施例方式
在下文，將參考附圖具體描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。
如本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)認(rèn)識(shí)到，所述的示范性實(shí)施例可以以多種不同的方式進(jìn)行修改，而完全不脫離本發(fā)明的精神或者范圍。
為了清楚起見，在圖中夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在整個(gè)說(shuō)明書中相同的附圖標(biāo)號(hào)表示相同的元件。應(yīng)該理解的是，當(dāng)稱一個(gè)元件例如層、膜、區(qū)域或者基板在另一個(gè)元件上面時(shí)，他可以直接在其他元件之上，或者也可以存在插入元件。相反，當(dāng)稱一個(gè)元件“直接在另一元件之上”時(shí)，則不存在插入元件。
首先，參考圖1和2具體描述根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的薄膜晶體管(TFT)陣列面板。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的TFT陣列面板的布置圖，而圖2是圖1所示TFT陣列面板沿著線II-II’-II”-II剖取的截面圖。
在由例如透明玻璃或者塑料材料制成的絕緣基板110上形成多個(gè)柵極線121和多個(gè)存儲(chǔ)電極線131。
柵極線121傳輸柵極信號(hào)，并基本上以橫向方向延伸。每一個(gè)柵極線121包括向下突起的多個(gè)柵極電極124和具有與其他層或者外部驅(qū)動(dòng)電路接觸的大區(qū)域的柵極焊盤129。用于產(chǎn)生柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)電路可以安裝在柔性印刷電路板(FPC)膜上，其可以連接到基板110、直接安裝在基板110上或者集成到基板110上面。柵極線121可以延伸，以連接到可以集成在基板110上的驅(qū)動(dòng)電路。
給存儲(chǔ)電極線131提供預(yù)定的電壓，并且每一個(gè)存儲(chǔ)電極線131都包括基本上平行于柵極線121延伸的主干和從主干分叉的多個(gè)第一和第二存儲(chǔ)電極對(duì)133a和133b。每一個(gè)存儲(chǔ)電極線131都設(shè)置在兩個(gè)相鄰柵極線121之間，并且主干靠近兩個(gè)相鄰柵極線121之一。存儲(chǔ)電極133a和133b的每一個(gè)都具有連接到主干的固定端部分和與其相對(duì)設(shè)置的自由端部分。第一存儲(chǔ)電極133a的固定端部分具有大區(qū)域，而其自由端部分分叉成線性的分支和彎曲的分支。然而，存儲(chǔ)電極線131可以具有多種形狀和布置。
柵極線121和存儲(chǔ)電極線131包括設(shè)置其上的兩個(gè)導(dǎo)電膜，下膜和上膜，他們具有不同的物理特性。上層可以由低電阻率金屬制成，包括含鋁(Al)金屬，例如鋁(Al)和鋁(Al)合金，例如釹化鋁(AlNd)，用于減少信號(hào)延遲或者電壓降。例如，下層可以由例如含鉬(Mo)金屬的材料制成，例如鉬(Mo)或者鉬(Mo)合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)或者鈦(Ti)，其與其他材料例如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)相比具有良好的物理、化學(xué)和電接觸特性。然而，柵極線121和存儲(chǔ)電極線131可以具有例如包括含Al金屬的單層結(jié)構(gòu)。
在圖2中，對(duì)于柵極電極124、存儲(chǔ)電極線131和存儲(chǔ)電極133a和133b，分別用附加字母p和q表示其下膜和上膜。
柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的側(cè)面相對(duì)于基板110的表面傾斜，其傾斜角在從大約30到大約80度的范圍中。
在柵極線121和存儲(chǔ)電極線131上形成例如由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)制成的柵絕緣層140。柵絕緣層140具有露出柵極焊盤129的多個(gè)接觸孔141。
在柵絕緣層140上形成例如由氫化非晶硅(縮寫為“a-Si”)或多晶硅制成的多個(gè)半導(dǎo)體帶151。每個(gè)半導(dǎo)體帶151基本上以縱向方向延伸，并包括朝著柵極電極124分叉出去的多個(gè)突起154。半導(dǎo)體帶151在柵極線121和存儲(chǔ)電極線131附近變寬，使得半導(dǎo)體帶151覆蓋柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的很大區(qū)域。
在半導(dǎo)體帶151上形成多個(gè)歐姆接觸帶161和島165。例如，歐姆接觸161和165優(yōu)選由重?fù)诫sn型雜質(zhì)例如磷的n+氫化a-Si制成，或者他們可以由硅化物制成。每個(gè)歐姆接觸帶161包括多個(gè)突起163，而突起163和歐姆接觸島165成對(duì)設(shè)置在半導(dǎo)體帶151的突起154上。
半導(dǎo)體帶151和歐姆接觸161和165的側(cè)面相對(duì)于基板110的表面傾斜，其傾斜角度例如在大約30到大約80度的范圍中。
在歐姆接觸161和165及柵絕緣層140上形成多個(gè)數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極電極175和多個(gè)互連件178。
數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，并基本上以縱向方向延伸，以與柵極線121交叉。每個(gè)數(shù)據(jù)線171還與存儲(chǔ)電極線131交叉，并在存儲(chǔ)電極133a和133b的相鄰對(duì)之間延伸。每個(gè)數(shù)據(jù)線171包括朝著柵極電極124突起并彎曲成字母J形的多個(gè)源極電極173和與其他層或者外部驅(qū)動(dòng)電路接觸的數(shù)據(jù)焊盤179。用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路可以安裝在FPC膜上，其可以連接到基板110、直接安裝在基板110上或者集成到基板110上。數(shù)據(jù)線171可以延伸成連接到可以集成到基板110上的驅(qū)動(dòng)電路。
漏極電極175和數(shù)據(jù)線171隔開，并相對(duì)于柵極線124與源極電極173相對(duì)地設(shè)置。每個(gè)漏極電極175包括寬的端部和窄的端部。寬的端部重疊存儲(chǔ)電極線131，而窄的端部被源極電極173部分地圍繞。
柵極電極124、源極電極173和漏極電極175與半導(dǎo)體帶151的突起154一起形成具有溝道的TFT，該溝道形成在設(shè)置在源極電極173和漏極電極175之間的突起154中。
互連件178覆蓋通過(guò)柵絕緣層140的接觸孔141露出的柵極焊盤129，以接觸柵極焊盤129。
柵極線171、漏極電極175和互連件178可以由難熔金屬例如Cr、Mo、Ta、Ti或者其合金制成。然而，他們可以具有例如包括難熔金屬膜和低電阻率膜的多層結(jié)構(gòu)。然而，數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和互連件178可以由多種金屬或者導(dǎo)體制成。
數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和互連件178具有傾斜的邊緣外形，其傾斜角度的范圍是從大約30到大約80度。
歐姆接觸161和165只插設(shè)在下面的半導(dǎo)體帶151和其上面的重疊導(dǎo)體171和175之間，并減少其間的接觸電阻。盡管半導(dǎo)體帶151在大部分地方比數(shù)據(jù)線171要窄，但是如上所述，半導(dǎo)體帶151的寬度在柵極線121和存儲(chǔ)電極線131附近變大，以平滑表面的外形，由此避免數(shù)據(jù)線171斷開。然而，半導(dǎo)體帶151包括一些沒(méi)有被數(shù)據(jù)線171和漏極電極175覆蓋的露出部分，例如設(shè)置在源極電極173和漏極電極175之間的部分。
在數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、互連件178和半導(dǎo)體帶151的露出部分上形成鈍化層180。鈍化層180可以由例如無(wú)機(jī)絕緣體或者有機(jī)絕緣體制成，并且他可以具有平坦的頂表面。無(wú)機(jī)絕緣體的實(shí)例包括但不局限于氮化硅和氧化硅。有機(jī)絕緣體可以具有感光性和小于大約4.0的介電常數(shù)。鈍化層180可以包括無(wú)機(jī)絕緣體的下膜和有機(jī)絕緣體的上膜，使得他可以獲得有機(jī)絕緣體的良好絕緣特性，而避免半導(dǎo)體帶151的露出部分被有機(jī)絕緣體破壞。而且，由有機(jī)絕緣體制成的上層可以具有平坦的表面，以使得鈍化層具有平坦的頂表面。
鈍化層180具有分別露出互連件178、數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)焊盤179和漏極電極175的多個(gè)接觸孔181、182和185。鈍化層180和柵絕緣層140具有多個(gè)接觸孔183a和多個(gè)接觸孔183b，多個(gè)接觸孔183a露出第一存儲(chǔ)電極133a固定端部分附近的存儲(chǔ)電極線131的部分下膜133ap，而多個(gè)接觸孔183b露出第一存儲(chǔ)電極133a自由端部分的線性分支的下膜133bp。
在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)跨橋83和多個(gè)接觸輔助件81和82。例如，他們由透明導(dǎo)體如ITO或IZO或者反射導(dǎo)體如銀(Ag)、Al或其合金制成。
像素電極191通過(guò)接觸孔185與漏極電極175物理連接并且電連接，使得像素電極191從漏極電極175接收數(shù)據(jù)電壓。供給數(shù)據(jù)電壓的像素電極191和供給公共電壓的相對(duì)顯示板的公共電極共同產(chǎn)生電場(chǎng)。產(chǎn)生的電場(chǎng)反過(guò)來(lái)決定設(shè)置在兩個(gè)電極之間的液晶層的液晶分子的取向。像素電極191和公共電極形成被稱作“液晶電容器”的電容器，其在TFT關(guān)斷之后存儲(chǔ)施加的電壓。
像素電極191和連接到其上的漏極電極175重疊包括存儲(chǔ)電極133a和133b的存儲(chǔ)電極線131。像素電極191、連接到其上的漏極電極175和存儲(chǔ)電極線131形成被稱作“存儲(chǔ)電容器”的附加電容器，其增加了液晶電容器的存儲(chǔ)電容。
跨橋83跨過(guò)柵極線121，并分別通過(guò)接觸孔183a和183b連接到存儲(chǔ)電極線131的露出部分和存儲(chǔ)電極133b自由端部分的露出的線性分支，他們相對(duì)于柵極線121彼此相對(duì)設(shè)置。包括存儲(chǔ)電極133a和133b的存儲(chǔ)電極線131及跨橋83可以用來(lái)修補(bǔ)柵極線121、數(shù)據(jù)線171或者TFT中的缺陷。
接觸輔助件81和82分別通過(guò)接觸孔181和182連接到互連件178和數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)焊盤179。接觸輔助件81和82保護(hù)互連件178和數(shù)據(jù)焊盤179，并增強(qiáng)互連件178和數(shù)據(jù)焊盤179與外部裝置之間的粘著力。
互連件178插設(shè)在例如由含Al金屬制成的下柵極焊盤129和由其上的透明導(dǎo)體例如ITO制成的上接觸輔助件181之間，以避免由ITO導(dǎo)致的對(duì)Al的腐蝕。
現(xiàn)在，將參考圖3和圖4具體描述根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的TFT陣列面板。
圖3是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的TFT陣列面板的布置圖，而圖4是圖1所示TFT陣列面板沿著線IV-IV’-IV”-IV剖取的截面圖。
如圖3和圖4所示，根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的TFT陣列面板的層狀結(jié)構(gòu)基本上與圖1和圖2所示結(jié)構(gòu)相同。
在基板110上形成多個(gè)柵極線121和多個(gè)存儲(chǔ)電極線131。每個(gè)柵極線121包括柵極電極124和柵極焊盤129，而每個(gè)存儲(chǔ)電極線131包括存儲(chǔ)電極133a和133b。柵極線121和存儲(chǔ)電極線131包括具有良好接觸特性的下層和由含Al金屬制成的上層。在圖3和圖4中，分別用附加的字母p和q表示柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的下層和上層。在柵極線121和存儲(chǔ)電極線131上順序形成具有多個(gè)接觸孔141的柵極絕緣層140、包括突起154的多個(gè)半導(dǎo)體帶151、包括突起164的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165。
在歐姆接觸161和165及柵絕緣層140上形成包括源極電極173和數(shù)據(jù)焊盤179的多個(gè)數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極電極175和多個(gè)互連件178，并在其上形成鈍化層180。柵絕緣層140和鈍化層180具有多個(gè)接觸孔180、182、183a、183b和185。在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)接觸輔助件81和82及多個(gè)跨橋83。
然而，與圖1和圖2所示TFT陣列面板不同的是，去除了通過(guò)接觸孔141露出的柵極焊盤129的上層129q，以通過(guò)接觸孔141露出下層129p。而且，每個(gè)接觸孔141的尺寸大于每個(gè)柵極焊盤129的尺寸，以露出柵極焊盤129周圍的基板110，并且露出的基板110和柵極焊盤129的下層129p被互連件178覆蓋。
在根據(jù)本示范性實(shí)施例的TFT陣列面板中，去除由含Al金屬制成的柵極焊盤129的上層129q，使得可以避免因接觸ITO而導(dǎo)致對(duì)含Al金屬的腐蝕。
圖1和圖2中所示TFT陣列面板的很多特性可以應(yīng)用到圖3和圖4所示TFT陣列面板中。
現(xiàn)在，將參考圖5到圖13及圖1和圖2具體描述根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的圖1和圖2所示TFT陣列面板的制造方法。
圖5、圖7、圖10和圖12是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例，在其制造方法的中間步驟中，圖1和圖2中所示TFT陣列面板的布置圖。圖6是圖5所示TFT陣列面板沿著線VI-VI’-VI”-VI剖取的截面圖，圖8是圖7所示TFT陣列面板沿著線VIII-VIII’-VIII”-VIII剖取的截面圖，圖11是圖10所示TFT陣列面板沿著線XI-XI’-XI”-XI剖取的截面圖，圖13是圖12所示TFT陣列面板沿著線XIII-XIII’-XIII”-XIII剖取的截面圖，而圖9A到圖9F是圖7和圖8所示TFT陣列面板在其制造方法的中間步驟中的截面圖。
參考圖5和圖6，例如，通過(guò)濺射，在絕緣基板110上沉積下導(dǎo)電層，比如Cr、氮化鉻(Cr-N)或者M(jìn)o，然后在其上沉積含Al金屬的上導(dǎo)電層。通過(guò)光刻和腐蝕來(lái)圖案上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層，以形成具有雙層結(jié)構(gòu)的多個(gè)柵極線121和多個(gè)存儲(chǔ)電極線131。每個(gè)柵極線121包括柵極電極124和柵極焊盤129，而每個(gè)存儲(chǔ)電極線131包括存儲(chǔ)電極133a和133b。在圖中，分別用附加的字母p和q表示柵極線121和電極線131的下層和上層。
接下來(lái)，如圖7和圖8所示，在具有柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的基板上形成具有多個(gè)接觸孔141的柵絕緣層140、包括突起154的多個(gè)(本征)半導(dǎo)體帶151和包括突起164的多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶161。
現(xiàn)在，將參考圖9A到9F更具體地描述柵絕緣層140、非本征半導(dǎo)體帶161和(本征)半導(dǎo)體帶151的形成。
參考圖9A，例如，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，在基板上順序沉積柵絕緣層140、本征a-Si層150和非本征a-Si層160，然后在其上涂敷光致抗蝕劑膜400。
接下來(lái)，通過(guò)曝光掩模60來(lái)曝光光致抗蝕劑膜400，并在圖9A的上側(cè)示出了曝光掩模60的實(shí)例。
曝光掩模60包括基板61和形成在其上的多個(gè)不透明件62。根據(jù)曝光掩模60上不透明件62的分布，將曝光掩模60和基板110分割成透光的透明區(qū)域A、半透明區(qū)域B和擋光的不透明區(qū)域C。
在半透明區(qū)域B中，不透明件62在其間設(shè)置有預(yù)定的間隔，其小于用于平版印刷術(shù)的曝光裝置的分辨率，并被稱作狹縫圖案。在透光的透明區(qū)域A中沒(méi)有不透明件62，并在整個(gè)擋光的不透明區(qū)域C中都設(shè)置不透明件62。
半透明區(qū)域B可以具有格子圖案，或者代替狹縫圖案可以是具有中透射率或者中厚度的薄膜。
通過(guò)掩模60曝光光致抗蝕劑膜400，然后顯影曝光的光致抗蝕劑膜400。如圖9B所示，顯影的光致抗蝕劑膜400具有取決于位置的厚度，以便去除設(shè)置在透光的透明區(qū)域A中的光致抗蝕劑膜400，減少了設(shè)置在半透明區(qū)域B中的光致抗蝕劑膜400，而沒(méi)有去除設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的光致抗蝕劑膜400。
這里，根據(jù)隨后工藝步驟中的工藝條件調(diào)整設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的光致抗蝕劑膜400和設(shè)置在半透明區(qū)域B中的光致抗蝕劑膜400的厚度比例。例如，設(shè)置在半透明區(qū)域B中的光致抗蝕劑膜400的厚度可以等于或者小于設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的光致抗蝕劑膜400的厚度的一半。
例如，借助于可回流的光致抗蝕劑還可以獲得光致抗蝕劑膜400的取決于位置的厚度。具體地講，一旦借助于只具有透明區(qū)域和不透明區(qū)域的通常曝光掩模形成由可回流材料制成的光致抗蝕劑圖案，則要進(jìn)行回流工藝，以流到?jīng)]有光致抗蝕劑的區(qū)域，由此形成薄的部分。
接下來(lái)，使用剩余的光致抗蝕劑膜400作為掩模，蝕刻非本征非晶硅(a-Si)層160、本征a-Si層150和柵絕緣層140，以去除設(shè)置在透光的透明區(qū)域A中的非本征a-Si層160、本征a-Si層150和柵絕緣層140，使得如圖9C所示在柵絕緣層140中形成露出柵極焊盤129的接觸孔141。
如圖9D所示，對(duì)光致抗蝕劑膜400進(jìn)行拋光，使得全部去除設(shè)置在透明區(qū)域B中的光致抗蝕劑膜400，并使得設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的光致抗蝕劑膜400的厚度變薄。
參考圖9E，使用設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的剩余光致抗蝕劑膜400作為掩模，蝕刻非本征a-Si層160和本征a-Si層150，以形成非本征半導(dǎo)體帶161和本征半導(dǎo)體帶151。
最后，如圖9F所示，例如，通過(guò)拋光去除設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的剩余光致抗蝕劑膜400。
如上所述，使用一個(gè)曝光掩模圖案柵絕緣層140、本征a-Si層150和非本征a-Si層160，以在柵絕緣層140中形成露出柵極焊盤129的接觸孔141，并同時(shí)形成非本征半導(dǎo)體帶161和本征半導(dǎo)體帶151，使得不需要附加的曝光掩模。因此，結(jié)果還降低了生產(chǎn)成本。
在非本征半導(dǎo)體帶161和164及柵絕緣層140上沉積金屬層，然后通過(guò)光刻和蝕刻圖案化該金屬，以形成包括源極電極173和數(shù)據(jù)焊盤179的數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極電極175和多個(gè)互連件178。
其后，去除掉沒(méi)有被數(shù)據(jù)線171和漏極電極175覆蓋的非本征半導(dǎo)體帶164的露出部分，以完成包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165，并露出本征半導(dǎo)體帶151的部分。
接下來(lái)，通過(guò)光刻(和蝕刻)沉積和圖案化鈍化層180和柵絕緣層140，以形成分別露出互連件178、數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)焊盤179、第一存儲(chǔ)電極133a的固定端部分附近的部分存儲(chǔ)電極線131、第一存儲(chǔ)電極133a的自由端部分的線性分支部分和漏極電極175的多個(gè)接觸孔181、182、183a、183和185。
參考圖1和圖2，例如，通過(guò)濺射在鈍化層180上沉積ITO或者IZO，并通過(guò)光刻和腐蝕來(lái)圖案化，以形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)接觸輔助件81和82及多個(gè)跨橋83。
現(xiàn)在，將參考圖14到圖18及圖3和圖4具體描述根據(jù)本發(fā)明的本示范性實(shí)施例的圖3和圖4所示TFT陣列面板的制造方法。
圖14和圖17是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的圖3和圖4所示TFT陣列面板在其制造方法的中間步驟中的布置圖。圖15是圖14所示TFT陣列面板沿著線XV-XV’-XV”-XV剖取的截面圖，圖18是圖17所示TFT陣列面板沿著線XVIII-XVIII’-XVIII”-XVIII剖取的截面圖，而圖16A到圖16F是圖14和圖15所示TFT陣列面板在其制造方法的中間步驟中的截面圖。
參考圖14和圖15，在絕緣基板110上順序沉積下導(dǎo)電層和上導(dǎo)電層，并通過(guò)光刻和腐蝕進(jìn)行構(gòu)圖，以形成具有雙層結(jié)構(gòu)的多個(gè)柵極線121和多個(gè)存儲(chǔ)電極線131。每個(gè)柵極線121包括多個(gè)柵極電極124和柵極焊盤129，而每個(gè)存儲(chǔ)電極線131包括多個(gè)存儲(chǔ)電極133a和133b。在圖中，分別用附加的字母p和q表示柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的下層和上層。
其后，在具有柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的基板上形成具有多個(gè)接觸孔141的柵絕緣層140、包括突起154的多個(gè)(本征)半導(dǎo)體帶151和包括突起164的多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶161。接下來(lái)，去除通過(guò)接觸孔141露出的柵極焊盤129的上層129q，以露出其下層129p。
現(xiàn)在，將參考圖16A到16F更具體地描述圖14和圖15中所示柵絕緣層140、非本征半導(dǎo)體帶161和(本征)半導(dǎo)體帶151的形成。
參考圖16A，在基板上順序沉積柵絕緣層140、本征a-Si層150和非本征a-Si層160，然后在其上涂敷光致抗蝕劑膜400。
如圖16B所示，通過(guò)包括基板61和多個(gè)不透明件62的曝光掩模60曝光光致抗蝕劑膜400，然后顯影曝光的光致抗蝕劑膜400，使得幾乎去除掉設(shè)置在透光的透明區(qū)域A中的光致抗蝕劑膜400，減少設(shè)置在半透明區(qū)域B中的光致抗蝕劑膜400，而幾乎不去除設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的光致抗蝕劑膜400。
這里，與圖9A所示曝光掩模不同的是，圖16A所示透光的透明區(qū)域A的寬度稍微大于柵極焊盤129的寬度。
接下來(lái)，如圖16C所示，使用剩余的光致抗蝕劑膜400作為掩模蝕刻非本征a-Si層160、本征a-Si層150和柵絕緣層140，以在透光的透明區(qū)域A中形成露出柵極焊盤129的接觸孔141。其后，去除通過(guò)接觸孔141露出的柵極焊盤129的上層129q，以露出柵極焊盤129的下層129p的部分。
如圖16D所示，對(duì)光致抗蝕劑膜400進(jìn)行拋光，使得完全去除設(shè)置在半透明區(qū)域B中的光致抗蝕劑膜400，并使得設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的光致抗蝕劑膜400的厚度變薄。
如圖16E所示，接下來(lái)，使用設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的剩余光致抗蝕劑膜400作為掩模蝕刻非本征a-Si層160和本征a-Si層150，以形成非本征半導(dǎo)體帶161和本征半導(dǎo)體帶151。
最后，如圖16F所示，例如，通過(guò)拋光去除設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的剩余光致抗蝕劑膜400。
如上所述，使用一個(gè)曝光掩模圖案化柵絕緣層140、本征a-Si層150和非本征a-Si層160，以在柵絕緣層140中形成露出柵極焊盤129的接觸孔141，并同時(shí)形成非本征半導(dǎo)體帶161和本征半導(dǎo)體帶151。而且，可以去除掉包含Al并容易被氧化或者腐蝕的柵極焊盤129的上層129q，使得可以避免Al的腐蝕。
通過(guò)光刻和腐蝕來(lái)沉積和圖案化金屬層，以形成包括源極電極173和數(shù)據(jù)焊盤179的多個(gè)數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極電極175和多個(gè)互連件178。其后，去除沒(méi)有被數(shù)據(jù)線171和漏極電極175覆蓋的非本征半導(dǎo)體帶164的露出部分，以完成包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165，并露出本征半導(dǎo)體帶151的部分。
接下來(lái)，通過(guò)光刻(和腐蝕)來(lái)沉積和圖案化鈍化層180和柵絕緣層140，以形成如圖17和18所示的多個(gè)接觸孔181、182、183a、183b和185。
最后，在如圖3和如4所示鈍化層上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)接觸輔助件81和82及多個(gè)跨橋83。
現(xiàn)在，將參考圖19和20具體描述根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例的TFT陣列面板。
圖19是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的TFT陣列面板的布置圖，而圖20是圖19所示TFT陣列面板沿著線XX-XX’-XX”-XX剖取的截面圖。
如圖19和20所示，根據(jù)本示范性實(shí)施例的TFT陣列面板基本上類似于圖1和圖2所示的層狀結(jié)構(gòu)。
在基板110上形成包括多個(gè)柵極電極124和多個(gè)柵極焊盤129的多個(gè)柵極線121和包括多個(gè)存儲(chǔ)電極133a和133b的多個(gè)存儲(chǔ)電極線131。柵極線121和存儲(chǔ)電極線131包括含Al金屬，例如Al和Al合金。
在柵極線121和存儲(chǔ)電極線131上順序形成具有多個(gè)接觸孔141的柵絕緣層140、包括突起154的多個(gè)半導(dǎo)體帶151、包括突起164的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島。
在歐姆接觸161和165及柵絕緣層140上形成包括源極電極173和數(shù)據(jù)焊盤179的多個(gè)數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極電極175及多個(gè)互連件178，并在其上形成鈍化層180。
柵絕緣層140和鈍化層180具有多個(gè)接觸孔181、182、183a、183b和185。
在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)接觸輔助件81和82及多個(gè)跨橋83。
然而，與圖1和圖2所示TFT陣列面板不同的是，圖19和圖20所示TFT陣列面板包括設(shè)置在存儲(chǔ)電極133a和133b上并由與數(shù)據(jù)線171的相同層制成的多個(gè)加強(qiáng)件176a和176b。
而且，多個(gè)歐姆接觸島166a和166b及多個(gè)半導(dǎo)體島156a和156b設(shè)置在加強(qiáng)件176a和176b下面，并具有基本上和加強(qiáng)件176a和176b相同的平面形狀。
加強(qiáng)件176a和176b阻止含Al的存儲(chǔ)電極133a和133b與歐姆接觸島166a和166b及半導(dǎo)體島156a和156b露出和腐蝕。而且，多個(gè)歐姆接觸島168和多個(gè)半導(dǎo)體島158設(shè)置在互連件178下面，并基本上具有和互連件178相同的平面形狀。
半導(dǎo)體帶151還具有基本上與數(shù)據(jù)線171和漏極電極175及歐姆接觸161和165相同的平面形狀。然而，半導(dǎo)體帶151的突起154包括一些沒(méi)有被數(shù)據(jù)線171和漏極電極175覆蓋的露出部分，例如設(shè)置在源極電極173和漏極電極175之間的部分。
接觸孔141通過(guò)彼此具有基本上相同的平面形狀的半導(dǎo)體島158和歐姆接觸島168延伸，使得設(shè)置在其上的互連件178連接到柵極焊盤129。柵極線121和存儲(chǔ)電極線131具有含Al的單層。而且，鈍化層180具有包括下無(wú)機(jī)層180p和上有機(jī)層180q的雙層結(jié)構(gòu)。上有機(jī)層180q具有基本上平坦的表面。
圖1和圖2所示TFT陣列面板的很多特性可以應(yīng)用到圖19和圖20所示TFT陣列面板。
現(xiàn)在，將參考圖21到27及圖19和圖20具體描述根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例的圖19和圖20所示TFT陣列面板的制造方法。
圖21、圖23和圖26是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例，在其制造方法的中間步驟中，圖19和圖20中所示TFT陣列面板的布置圖。圖22是圖21所示TFT陣列面板沿著線XXII-XXII’-XXII”-XXII剖取的截面圖，圖24是圖23所示TFT陣列面板沿著線XXIV-XXIV’-XXIV”-XXIV剖取的截面圖，而圖27是圖26所示TFT陣列面板沿著線XXVII-XXVII’-XXVII”-XXVII剖取的截面圖。圖25A到圖25F是圖23和圖24所示TFT陣列面板在其制造方法的中間步驟中的截面圖。
例如，通過(guò)濺射在基板上沉積含Al金屬層，例如Al和Al合金，然后圖案金屬層，以形成包括多個(gè)柵極電極124和柵極焊盤129的多個(gè)柵極線121和包括多個(gè)存儲(chǔ)電極133a和133b的多個(gè)存儲(chǔ)電極線131。
參考圖23和圖24，形成柵絕緣層140、包括突起154的多個(gè)半導(dǎo)體帶151、多個(gè)半導(dǎo)體島156a、156b和158、包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)非本征半導(dǎo)體島165、166a、166b、168和169，并且通過(guò)一個(gè)平版印刷術(shù)步驟和幾個(gè)蝕刻步驟同時(shí)形成包括多個(gè)源極電極173和數(shù)據(jù)焊盤179的多個(gè)數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極電極175、多個(gè)互連件178和多個(gè)加強(qiáng)件176a和176b。
這里，非本征半導(dǎo)體島168、半導(dǎo)體島158和柵絕緣層140具有露出部分柵極焊盤129的多個(gè)接觸孔141。
現(xiàn)在，將參考圖25到圖25F更具體地描述圖23和圖24所示TFT陣列面板的形成。
參考圖25A，例如，通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)在基板上順序沉積柵絕緣層140、本征a-Si層150和非本征a-Si層160。接下來(lái)，蝕刻非本征a-Si層160、本征a-Si層150和柵絕緣層140，以形成如圖25B所示露出部分柵極焊盤129的多個(gè)接觸孔141。
例如，通過(guò)濺射沉積如圖25C所示的數(shù)據(jù)金屬層170，并在數(shù)據(jù)導(dǎo)電層170上形成如圖25D所示光致抗蝕劑膜410。
這里，光致抗蝕劑膜410具有取決于位置的厚度，使得設(shè)置在擋光的不透光區(qū)域F中的光致抗蝕劑膜410的厚度最厚，設(shè)置在半透明區(qū)域E中的光致抗蝕劑膜410的厚度比設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域F中的光致抗蝕劑膜410的薄，而設(shè)置在透光的透明區(qū)域D中的光致抗蝕劑膜410的厚度接近于零。
參考圖25E，通過(guò)使用光致抗蝕劑膜410作為掩模，蝕刻透光的透明區(qū)域D中露出的數(shù)據(jù)金屬層170，以形成多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體174、多個(gè)加強(qiáng)件176a和176b和多個(gè)互連件178。其后，蝕刻透光的透明區(qū)域D中露出的非本征a-Si層160和本征a-Si層150，以形成多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶164、多個(gè)非本征半導(dǎo)體島166a、166b和168、包括多個(gè)突起154的本征半導(dǎo)體帶151和多個(gè)本征半導(dǎo)體島56a、156b和158。
接下來(lái)，如圖25F所示，對(duì)光致抗蝕劑膜410進(jìn)行拋光，使得完全去除掉設(shè)置在半透明區(qū)域E中的光致抗蝕劑膜，使得設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域F中的光致抗蝕劑膜的厚度變薄。
其后，借助于擋光的不透明區(qū)域F中的剩余光致抗蝕劑膜410作為掩模蝕刻數(shù)據(jù)導(dǎo)體174，以形成包括多個(gè)源極電極173和多個(gè)漏極電極175的多個(gè)數(shù)據(jù)線171，并同時(shí)露出在源極電極173和漏極電極175之間的非本征半導(dǎo)體帶164的下面部分。
最后，蝕刻源極電極173和漏極電極175之間露出的非本征半導(dǎo)體帶164，以形成歐姆接觸161和165，并露出本征半導(dǎo)體帶154的部分。
接下來(lái)，通過(guò)光刻(和腐蝕)來(lái)沉積和圖案化鈍化層180和柵絕緣層140，以形成如圖26和圖27所示的多個(gè)接觸孔181、182、183a、183b和185。
最后，如圖19和20所示，在鈍化層上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)接觸輔助件81和82及多個(gè)跨橋83。
現(xiàn)在，將參考圖28具體描述根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD。
圖28是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的LCD的框圖。
如圖28所示，根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的LCD包括液晶面板組件300、連接到組件300的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500、連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500的灰度電壓發(fā)生器和控制組件300和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500的信號(hào)控制器。
液晶面板組件300包括彼此相對(duì)的TFT陣列面板和公共電極面板，以及介于兩個(gè)顯示板之間的LC層。TFT陣列面板包括與圖像顯示直接相關(guān)的顯示區(qū)域DA和與柵極驅(qū)動(dòng)器相關(guān)的控制區(qū)域CA。
在顯示區(qū)域DA中，形成多個(gè)柵極線G1-Gn、多個(gè)數(shù)據(jù)線D1-Dm、多個(gè)存儲(chǔ)電極線、多個(gè)像素電極和多個(gè)TFT。
在控制區(qū)域CA中，柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生柵極信號(hào)，而多個(gè)信號(hào)傳輸線將來(lái)自外部的各種信號(hào)傳輸?shù)綎艠O驅(qū)動(dòng)器。柵極驅(qū)動(dòng)器可以是包括多個(gè)順序連接的級(jí)的移位寄存器。
現(xiàn)在，將參考圖29到圖31具體描述圖28所示LCD的TFT陣列面板。
圖29是表示圖28所示LCD的顯示區(qū)域的一部分的布置圖，圖30是表示圖28所示LCD的驅(qū)動(dòng)區(qū)域的一部分的布置圖，而圖31是圖30所示TFT陣列面板沿著線XXXI-XXXI’-XXXI”-XXXI剖取的截面圖。
顯示單元DA的層狀結(jié)構(gòu)基本上與圖1和圖2中所示的類似，因此主要描述控制區(qū)域CA。
參考圖30，控制區(qū)域CA包括對(duì)應(yīng)于移位寄存器的一個(gè)級(jí)并產(chǎn)生柵極信號(hào)的多個(gè)電路部分610和傳輸各種信號(hào)的多個(gè)信號(hào)傳輸線。電路部分610包括多個(gè)TFT和多個(gè)連接線。TFT通過(guò)連接線彼此連接，并且TFT通過(guò)連接線連接到信號(hào)傳輸線。
現(xiàn)在，將描述TFT陣列面板的層狀結(jié)構(gòu)。
顯示區(qū)域DA中的多個(gè)柵極線121和多個(gè)存儲(chǔ)電極線131及控制區(qū)域CA中的多個(gè)柵極層信號(hào)傳輸線形成在絕緣基板110上。
每個(gè)柵極線121包括多個(gè)柵極電極124，并延伸到控制區(qū)域CA，以直接連接到那里，因此，沒(méi)有柵極焊盤。
柵極層信號(hào)傳輸線125-128傳輸信號(hào)，比如電壓，其需要控制電路部分610，并從外部輸入，并基本上以縱向方向延伸。
如圖1和圖2所示，柵極線121、存儲(chǔ)電極線131和柵極層信號(hào)傳輸線125-128具有包括下層和設(shè)置在下層上的上層的雙層結(jié)構(gòu)。在圖31中，分別用附加字母p和q表示每個(gè)下膜和每個(gè)上膜。
在柵極線12、存儲(chǔ)電極線131和柵極層信號(hào)傳輸線125-128上形成柵絕緣層140。柵絕緣層140具有分別露出柵極層信號(hào)傳輸線125、127和128的部分的多個(gè)接觸孔142a、142b和142c。
在柵絕緣層140上，形成多個(gè)半導(dǎo)體帶151，并在其上的顯示區(qū)域DA中形成包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165。
在歐姆接觸161和165及柵絕緣層140上，在顯示區(qū)域DA中形成多個(gè)數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175，并在控制區(qū)域CA中形成多個(gè)數(shù)據(jù)層信號(hào)傳輸線172a、172b和172c。
每個(gè)數(shù)據(jù)線171包括多個(gè)源極電極173和數(shù)據(jù)焊盤179。
像柵極層信號(hào)傳輸線125-128一樣，數(shù)據(jù)層信號(hào)傳輸線172a-172c傳輸信號(hào)，比如電壓，其需要控制電路部分610，并從外部輸入，并基本上以縱向方向延伸。數(shù)據(jù)層信號(hào)傳輸線172a-172c包括延伸到接觸孔142a-142c的多個(gè)突起172a1、172b1和172c1，以通過(guò)接觸孔142a-142c被連接到柵極層信號(hào)傳輸線125、127和128。數(shù)據(jù)層信號(hào)傳輸線172a和172b的部分包括朝著電路部分610延伸的多個(gè)延伸172a2和17262，以被連接到電路部分610。
在數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、數(shù)據(jù)層信號(hào)傳輸線172a-172c和半導(dǎo)體帶151的露出部分上形成鈍化層180。鈍化層180包括分別露出數(shù)據(jù)焊盤179和漏極電極175的多個(gè)接觸孔182和185。鈍化層180和柵絕緣層140具有露出第一存儲(chǔ)電極133a的固定端部分附近的存儲(chǔ)電極線131的部分下膜133ap的多個(gè)接觸孔183a，以及露出第一存儲(chǔ)電極133a的自由端部分的線性分支的下膜133bp的多個(gè)接觸孔183b。
在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)跨橋83和多個(gè)接觸輔助件81和82。
如上所述，在電路部分610中形成TFT和連接線，TFT具有和在顯示區(qū)域DA中形成的TFT基本相同的層狀結(jié)構(gòu)，而連接線由和柵極線121或者數(shù)據(jù)線171相同的層制成。柵極層連接線和數(shù)據(jù)層連接線可以通過(guò)形成在柵絕緣層140中的接觸孔彼此連接。
因此，柵層信號(hào)傳輸線125、127和128及數(shù)據(jù)層信號(hào)傳輸線172a-172c通過(guò)接觸孔181a、181b和181c彼此直接連接，而沒(méi)有由和像素電極191相同的材料制成的附加連接件連接。因此，可以避免ITO或者IZO和Al或者Al合金直接接觸產(chǎn)生的含Al金屬的氧化和腐蝕。
圖1和圖2所示TFT陣列面板的很多特性可以應(yīng)用到圖29到圖31所示TFT陣列面板。
現(xiàn)在將參考圖32到圖36和圖29到圖31具體描述根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的圖29到圖31所示TFT陣列面板的制造方法。
圖32、圖33、圖35和圖36是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例，在其制造方法的中間步驟中，圖31中所示TFT陣列面板的布置圖，而圖34A到34F是圖33所示TFT陣列面板在其制造方法的中間步驟中的截面圖。
參考圖32，在絕緣基板110上形成包括多個(gè)柵極電極124和柵極焊盤129的多個(gè)柵極線121、包括存儲(chǔ)電極133a和133b的多個(gè)存儲(chǔ)電極線和多個(gè)柵極層信號(hào)傳輸線125、126、127和128。柵極線121、存儲(chǔ)電極線131和柵層信號(hào)傳輸線125-128具有包括上層和下層的雙層結(jié)構(gòu)，在圖中，分別用附加字母p和q表示上層和下層。
接下來(lái)，如圖33所示，形成具有多個(gè)接觸孔141的柵絕緣層140、包括突起154的多個(gè)(本征)半導(dǎo)體帶151和包括突起164的多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶161。
現(xiàn)在，將參考圖34A到34F更具體地描述圖33所示TFT陣列面板的形成。
參考圖34A，例如，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)在基板上順序沉積柵絕緣層140、本征a-Si層150和非本征a-Si層160，然后在其上涂敷光致抗蝕劑膜400。
接下來(lái)，通過(guò)曝光掩模60來(lái)曝光光致抗蝕劑膜400，并顯影曝光的光致抗蝕劑膜400。曝光和顯影的光致抗蝕劑膜400具有如圖34B所示取決于位置的厚度。光致抗蝕劑膜400包括透光的透明區(qū)域A、半透明區(qū)域B和擋光的不透明區(qū)域C。
接下來(lái)，使用光致抗蝕劑膜400作為掩模，蝕刻非本征a-Si層160、本征a-Si層150和柵絕緣層140，以形成露出的部分柵極層信號(hào)傳輸線125、127和128的接觸孔142a-142c，如圖34C所示。
參考圖34D，對(duì)光致抗蝕劑膜400進(jìn)行拋光，使得完全去除掉設(shè)置在半透明區(qū)域B中光致抗蝕劑膜400，并使得設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的光致抗蝕劑膜400的厚度變薄。
接下來(lái)，使用設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的剩余光致抗蝕劑膜400作為掩模蝕刻非本征a-Si層160和本征a-Si層150，以形成包括突起164的非本征半導(dǎo)體帶161和包括突起154的本征半導(dǎo)體帶151，如圖34E所示。
最后，例如通過(guò)拋光，去除掉設(shè)置在擋光的不透明區(qū)域C中的剩余光致抗蝕劑膜400，如圖34F所示。
參考圖35，形成包括多個(gè)源極電極173和數(shù)據(jù)焊盤179的多個(gè)數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極電極175和柵極驅(qū)動(dòng)器600的多個(gè)數(shù)據(jù)層信號(hào)傳輸線172a、172b和172c。這里，通過(guò)接觸孔142a-142c將數(shù)據(jù)線171的突起172a1、172b1和172c1連接到露出的柵極層信號(hào)傳輸線125、127和128。
其后，去除掉沒(méi)有被數(shù)據(jù)線171和漏極電極175覆蓋的非本征半導(dǎo)體帶164的露出部分，以完成包括突起163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165，并露出本征半導(dǎo)體帶151的部分。
接下來(lái)，通過(guò)光刻(和腐蝕)來(lái)沉積和圖案化鈍化層180和柵絕緣層140，以形成分別露出數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)焊盤179、第一存儲(chǔ)電極133a的固定端部分附近的存儲(chǔ)電極線131的部分、第一存儲(chǔ)電極133a的自由端部分的線性分支的部分和漏極電極175露出的多個(gè)接觸孔182、183a、183b和185，如圖36所示。
最后，如圖29和圖31所示，在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)接觸輔助件81和82及多個(gè)跨橋83。
現(xiàn)在，將參考圖37到圖39具體描述根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的圖28所示TFT陣列面板。
圖37是表示圖28所示LCD的顯示區(qū)域的一部分的另一布置圖，圖38是表示圖28所示LCD的顯示區(qū)域的一部分的另一布置圖，而圖39是圖37和圖38所示TFT陣列面板沿著線XXXIX-XXXIX’-XXXIX”-XXXIX剖取的截面圖。
如圖37到圖39所示，根據(jù)本示范性實(shí)施例的TFT陣列面板的層狀結(jié)構(gòu)基本上和圖29到圖31所示相同。
控制區(qū)域CA包括產(chǎn)生柵極信號(hào)的多個(gè)電路部分610和傳輸各種信號(hào)的多個(gè)信號(hào)傳輸線。
顯示區(qū)域DA中的多個(gè)柵極線121和多個(gè)存儲(chǔ)電極線131及控制區(qū)域CA中的多個(gè)柵層信號(hào)傳輸線形成在絕緣基板110上。
例如，柵極線121和存儲(chǔ)電極線131具有由含Al金屬例如Al或者Al合金比如AlNd制成的單層結(jié)構(gòu)，用于減少信號(hào)延遲或者電壓降。
在柵極線121、存儲(chǔ)電極線131和柵層信號(hào)傳輸線125-128上，形成具有露出柵層信號(hào)傳輸線125、127和128的部分的多個(gè)接觸孔141的柵絕緣層140。包括突起163的多個(gè)半導(dǎo)體帶151和多個(gè)歐姆接觸帶161及多個(gè)歐姆接觸島165形成在其上的顯示區(qū)域DA中。
在顯示區(qū)域DA中形成多個(gè)數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175，并在歐姆接觸161和165及柵絕緣層140上的控制區(qū)域CA中形成多個(gè)數(shù)據(jù)層信號(hào)傳輸線172a、172b和172c。
每個(gè)數(shù)據(jù)線171包括多個(gè)源極電極173和數(shù)據(jù)焊盤179，并且數(shù)據(jù)層信號(hào)傳輸線172a-172c包括多個(gè)突起172a1、172b1和172c1，他們延伸到接觸孔142a-142c，以通過(guò)接觸孔142a-142c被連接到柵層信號(hào)傳輸線125、127和128。
在柵極線171、漏極電極175、數(shù)據(jù)層信號(hào)傳輸線172a-172c及半導(dǎo)體帶151的露出部分上形成鈍化層180。鈍化層180包括分別露出數(shù)據(jù)焊盤179和漏極電極175的多個(gè)接觸孔182和185。鈍化層180和柵絕緣層140具有分別露出第一存儲(chǔ)電極133a的固定端部分附近的部分存儲(chǔ)電極線131、第一存儲(chǔ)電極133a的自由端部分的部分線性分支和漏極電極175的多個(gè)接觸孔183a和183b。
鈍化層180具有包括下無(wú)機(jī)層180p和上有機(jī)層180q的雙層結(jié)構(gòu)。上有機(jī)層180q具有基本上平坦的表面。然而，鈍化層180可以具有單層結(jié)構(gòu)。
在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)跨橋83和多個(gè)接觸輔助件82。
然而，與圖29到圖31所示TFT陣列面板不同的是，圖37到圖39所示TFT陣列面板包括設(shè)置在存儲(chǔ)電極133a和133b上并由與數(shù)據(jù)線171相同的層制成的多個(gè)加強(qiáng)件176a和176b、設(shè)置在加強(qiáng)件176a和176b下面并具有和加強(qiáng)件176a和176b基本上相同平面形狀的多個(gè)歐姆接觸島166a和166b及多個(gè)半導(dǎo)體島156a和156b。半導(dǎo)體帶151還具有與數(shù)據(jù)線171、漏極電極175及歐姆接觸161和1651基本上相同的平面形狀。然而，半導(dǎo)體帶151的突起154包括一些沒(méi)有被數(shù)據(jù)線171和漏極電極175覆蓋的露出部分，比如設(shè)置在源極電極173和漏極電極175之間的部分。
圖29到31中所示TFT陣列面板的很多特性可以應(yīng)用到圖37到圖39所示TFT陣列面板。
根據(jù)本示范性實(shí)施例的TFT陣列面板的制造方法基本與圖21到圖27所示TFT陣列面板的類似。
以與柵極線121相同的步驟形成柵層信號(hào)傳輸線125-128，并以與數(shù)據(jù)線171相同的步驟形成數(shù)據(jù)層信號(hào)傳輸線172a-172c。而且，接觸孔142a-142c形成為如圖14和圖15所示的接觸孔141。
已經(jīng)描述了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，還應(yīng)當(dāng)注意的是，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見，本發(fā)明可以作出各種修改，而不脫離由所附權(quán)利要求的邊界和界限所限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管(TFT)陣列面板，包括基板；第一信號(hào)線，形成在該基板上柵絕緣層，形成在該第一信號(hào)線上，該柵絕緣層具有露出該第一信號(hào)線一部分的第一接觸孔；第一半導(dǎo)體，形成在該柵絕緣層上；第二信號(hào)線，形成在該第一半導(dǎo)體和該柵絕緣層上；漏極電極，形成在該第一半導(dǎo)體上，并與該第二信號(hào)線隔開；導(dǎo)體，形成在該柵絕緣層上，并通過(guò)該第一接觸孔連接到該第一信號(hào)線；鈍化層，形成在該第二信號(hào)線、該漏極電極和該導(dǎo)體上，該鈍化層具有露出該漏極電極的第二接觸孔；和像素電極，形成在該鈍化層上，并通過(guò)該第二接觸孔連接到該漏極電極。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列面板，其中該鈍化層還包括露出該導(dǎo)體一部分的第三接觸孔，該TFT陣列面板還包括通過(guò)該第三接觸孔連接到該導(dǎo)體的接觸輔助件，并且該第一信號(hào)線包括設(shè)置在該第一半導(dǎo)體下面的柵極。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列面板，還包括第三信號(hào)線，形成在該柵絕緣層下面，并包括設(shè)置在該第一半導(dǎo)體下面的柵極；和柵極驅(qū)動(dòng)電路，連接到該導(dǎo)體和該第三信號(hào)線。
4.如權(quán)利要求2或3所述的TFT陣列面板，還包括形成在該第一信號(hào)線的該露出部分和該導(dǎo)體之間的第二半導(dǎo)體，其中，該第二半導(dǎo)體具有與該第一接觸孔對(duì)準(zhǔn)的第四接觸孔，該導(dǎo)體通過(guò)該第一接觸孔和該第四接觸孔連接到該第一信號(hào)線，并且該第二半導(dǎo)體除了該第四接觸孔之外與該導(dǎo)體具有基本上相同的平面形狀。
5.如權(quán)利要求4所述的TFT陣列面板，其中該第一半導(dǎo)體朝著該第二信號(hào)線和該漏極電極延伸，并與其下面的第一半導(dǎo)體具有基本上相同的平面形狀。
6.如權(quán)利要求5所述的TFT陣列面板，還包括存儲(chǔ)電極，由與該第一信號(hào)線相同的層制成，并重疊該像素電極；和第三半導(dǎo)體，形成在設(shè)置于該柵絕緣層上的該存儲(chǔ)電極上。
7.如權(quán)利要求2或3所述的TFT陣列面板，其中該第一信號(hào)線包括第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層由選自于鋁(Al)和鋁(Al)合金組成的組中的材料制成。
8.如權(quán)利要求7所述的TFT陣列面板，其中該第一信號(hào)線還包括設(shè)置在該第一導(dǎo)電層下面的第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層由選自于鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉻(Cr)合金和鉬(Mo)合金組成的組中的材料制成。
9.如權(quán)利要求8所述的TFT陣列面板，其中通過(guò)該第一接觸孔在該第一信號(hào)線的該露出部分處去除掉該第一導(dǎo)電層。
10.如權(quán)利要求9所述的TFT陣列面板，其中該第一接觸孔露出該第一信號(hào)線的邊界。
11.一種薄膜晶體管(TFT)陣列面板的制造方法，包括在基板上形成第一信號(hào)線；在該第一信號(hào)線上沉積柵絕緣層；在該柵絕緣層上沉積本征非晶硅(a-Si)層；在該本征非晶硅層上沉積非本征非晶硅(a-Si)層；在該非本征a-Si層上形成光致抗蝕劑膜，該光致抗蝕劑膜具有取決于位置的厚度，并露出該非本征a-Si層的第一部分；使用該光致抗蝕劑膜作為掩模，通過(guò)對(duì)該非本征a-Si層、該本征a-Si層和該柵絕緣層構(gòu)圖，同時(shí)形成非本征半導(dǎo)體和本征半導(dǎo)體及露出該第一信號(hào)線一部分的第一接觸孔；在該非本征半導(dǎo)體上形成第二信號(hào)線和漏極電極，并同時(shí)形成通過(guò)該第一接觸孔連接到該第一信號(hào)線的導(dǎo)體；在該數(shù)據(jù)線、該漏極電極和該導(dǎo)體上形成具有露出該漏極電極一部分的第二接觸孔的鈍化層；并且在該鈍化層上形成通過(guò)該第二接觸孔連接到該漏極電極的像素電極。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成該非本征半導(dǎo)體、該本征半導(dǎo)體和該第一接觸孔包括使用該光致抗蝕劑膜作為掩模，蝕刻該非本征a-Si層的第一部分、其下面的本征a-Si層和其下面的柵絕緣層；使該光致抗蝕劑膜變薄，以露出該非本征a-Si層的第二部分；去除掉該非本征a-Si層的第二部分、其下面的本征a-Si層和其下面的柵絕緣層；并且去除掉剩余的光致抗蝕劑膜。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成該光致抗蝕劑膜包括涂敷光致抗蝕劑；并且通過(guò)具有透光的透明區(qū)域、半透明區(qū)域和擋光的不透明區(qū)域的掩模曝光該光致抗蝕劑，其中該透光的透明區(qū)域?qū)?yīng)于該非本征a-Si層的該第一部分，并且該半透明區(qū)域?qū)?yīng)于該非本征a-Si層的該第二部分。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該第一接觸孔設(shè)置在該非本征a-Si層的該第一部分下面。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該第一信號(hào)線包括由選自于鋁(Al)和鋁(Al)合金組成的組中的材料制成的第一導(dǎo)電層。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該第一信號(hào)線還包括設(shè)置在該第一導(dǎo)電層下面的第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層由選自于鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉻(Cr)合金和鉬(Mo)合金組成的組中的材料制成，并且還包括在形成該第一接觸孔之后，去除該第一導(dǎo)電層的該露出部分。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該鈍化層還包括露出該導(dǎo)體一部分的第三接觸孔，并且形成該像素電極包括形成通過(guò)該第三接觸孔連接到該導(dǎo)體的接觸輔助件。
18.一種薄膜晶體管(TFT)陣列面板的制造方法，包括在基板上形成第一信號(hào)線；在該第一信號(hào)線上沉積柵絕緣層；在該柵絕緣層上沉積本征非晶硅(a-Si)層；在該本征非晶硅層上沉積非本征非晶硅(a-Si)層；通過(guò)蝕刻該非本征a-Si層、該本征a-Si層和該柵絕緣層，形成露出該第一信號(hào)線一部分的第一接觸孔；在該非本征a-Si層上沉積導(dǎo)電層；形成具有取決于位置的厚度的光致抗蝕劑膜；使用該光致抗蝕劑膜作為掩模，通過(guò)對(duì)該導(dǎo)電層、該非本征a-Si層和該本征a-Si層構(gòu)圖，形成通過(guò)該第一接觸孔連接到該第一信號(hào)線的導(dǎo)體、第二信號(hào)線、漏極電極和其下面的接觸輔助件與半導(dǎo)體；在該數(shù)據(jù)線、該漏極電極和該導(dǎo)體上形成具有露出該漏極電極一部分的第二接觸孔的鈍化層；并且在該鈍化層上形成通過(guò)該第二接觸孔連接到該漏極電極的像素電極。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該鈍化層還包括露出該導(dǎo)體一部分的第三接觸孔，并且形成該像素電極包括形成通過(guò)該第三接觸孔連接到該導(dǎo)體的接觸輔助件。
全文摘要
一種薄膜晶體管(TFT)陣列面板，包括基板；第一信號(hào)線，形成在該基板上；柵絕緣層，形成在該第一信號(hào)線上，并具有露出該第一信號(hào)線一部分的第一接觸孔；第一半導(dǎo)體，形成在該柵絕緣層上；第二信號(hào)線，形成在該第一半導(dǎo)體和該柵絕緣層上；和漏極電極，形成在該第一半導(dǎo)體上，并與該第二信號(hào)線隔開。該TFT陣列面板還包括導(dǎo)體，形成在該柵絕緣層上，并通過(guò)該第一接觸孔連接到第一信號(hào)線；鈍化層，形成在該第二信號(hào)線、該漏極電極和該導(dǎo)體上，并具有露出該漏極電極的第二接觸孔；和像素電極，形成在該鈍化層上，并通過(guò)該第二接觸孔連接到該漏極電極。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101017835SQ20071009230
公開日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2007年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月7日
發(fā)明者柳春基, 金奉柱 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社