專利名稱：具有疊合透明電極的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，尤其涉及一種具有疊合透明電極的半 導(dǎo)體發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light emitting diode; LED)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中一個(gè)重要的課題是 如何將來(lái)自于焊墊(bonding pad)的電流均勻地分散至p-n結(jié)(p-n junction)以獲 得良好的發(fā)光效率。已知技術(shù)，諸如半導(dǎo)體窗戶層、導(dǎo)電透光氧化物膜、 與圖案化電極等皆已被使用于提升電流分散效果。
GaP窗戶層通常使用于AlGalnP系列的發(fā)光二極管。GaP的能隙(Eg)為 2.26eV，對(duì)于紅光、橘光、黃光、與部分綠光頻譜呈現(xiàn)透明，且GaP為間接 能隙半導(dǎo)體，較直接能隙半導(dǎo)體不會(huì)吸光。但GaP層需成長(zhǎng)至足夠厚度，例 如2fim 30^im,才能達(dá)到可接受的分散效果，而較厚的GaP窗戶層通常呈 現(xiàn)出較佳的電流分散效果。然而，成長(zhǎng)愈厚的窗戶層亦將耗費(fèi)更多的工藝時(shí) 間。
導(dǎo)電透光氧化物，諸如氧化銦錫(ITO)、氧化鎘錫(CTO)、與氧化銦(InO) 等，亦使用于提高電流分散效果。以氧化銦錫為例，其對(duì)于500nm 800nm 波長(zhǎng)的光具有約卯。/。的穿透率(transmittance),其電阻率(resistivity)約為3x 10-4Q-cm,薄層電阻(sheetresistance)約為10Q/口。 一般而言，對(duì)于小型管 芯，厚度介于0.1jim lnm的氧化銦錫即可達(dá)到令人滿意的電流分散效果。 利用已知的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，如濺射法(sputtering)、電子束蒸鍍法(electron beam evaporation)等方式可以在短時(shí)間內(nèi)形成所需的厚度。然而，隨著發(fā)光 二極管管芯面積日益增大(如15mil x 15mil以上)以及矩形管芯的發(fā)展，導(dǎo)電 透光氧化物的電流分散能力也漸顯不足。
圖案化電極亦是另一種常用來(lái)提高電流分散效果的方法。此方法是將電 極自接點(diǎn)向外延伸、p與n電極彼此交叉錯(cuò)合、或于接點(diǎn)周圍形成點(diǎn)狀、網(wǎng) 狀電極或其他圖案以期電流可以透過(guò)此圖案化電極均勻分散于至p-n結(jié)。為形成圖案化電極，通常需要將電極材料覆蓋于更多發(fā)光二極管之上表面。但 是，圖案化電極使用的材料通常為遮光金屬，因此會(huì)大幅影響發(fā)光二極管的 發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N可以分散輸入電流以提高發(fā)光效率的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。 在依本發(fā)明的實(shí)施例中，所披露的半導(dǎo)體發(fā)光裝置包含基板、位于基板 上方并具有遠(yuǎn)離基板之外表面的半導(dǎo)體外延層、位于外表面上方的第一透光 導(dǎo)電層、及位于第一透光導(dǎo)電層的第一表面上方的第二透光導(dǎo)電層，其中第 二透光導(dǎo)電層與第一透光導(dǎo)電層相接觸的面積小于第一透光導(dǎo)電層第一表 面的總面禾口、。
優(yōu)選地，第二透光導(dǎo)電層與第一透光導(dǎo)電層的表面面積比值不大于1/2。 第一透光導(dǎo)電層與第二透光導(dǎo)電層的材料包含相同或近似的組成元素。半導(dǎo) 體發(fā)光裝置的面積不小于15milx 15mil。
在多個(gè)實(shí)施例中，第 一透光導(dǎo)電層覆蓋外表面的全部面積或部分面積。 對(duì)于來(lái)自半導(dǎo)體外延層的光，第一透光導(dǎo)電層的穿透率大于第二透光導(dǎo)電層 的穿透率。第一透光導(dǎo)電層的導(dǎo)電系數(shù)小于第二透光導(dǎo)電層的導(dǎo)電系數(shù)。第 一透光導(dǎo)電層的厚度大于第二透光導(dǎo)電層的厚度。第二透光導(dǎo)電層包含多個(gè) 彼此電連接的區(qū)段。
在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包含凹槽及一接觸層，其中，凹槽 自半導(dǎo)體外延層的表面凹陷至底面以暴露出半導(dǎo)體外延層中的層或半導(dǎo)體
外延層中至少一層的部分，且自半導(dǎo)體外延層的第一側(cè)延伸至相對(duì)于第一側(cè) 的第二側(cè)，該接觸層位于該凹槽內(nèi)，并具有位于該底面上的延伸區(qū)段。在一 個(gè)變形例中，第一透光導(dǎo)電層與第二透光導(dǎo)電層至少其一環(huán)繞該凹槽。此外， 半導(dǎo)體發(fā)光裝置更可包含與第二透光導(dǎo)電層電連接的接點(diǎn)。
在再一實(shí)施例中，半導(dǎo)體外延層包含第一型半導(dǎo)體層、第二型半導(dǎo)體層、 及位于第 一型半導(dǎo)體層與第二型半導(dǎo)體層間的發(fā)光層。


圖1A是顯示依據(jù)本發(fā)明 一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面圖； 圖1B是顯示圖1A的發(fā)光二極管的上視圖；圖2是顯示依據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面圖； 圖3A與3B是顯示依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的透光導(dǎo)電層的配置圖； 圖4A與4B是顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的透光導(dǎo)電層的配置圖；及 圖5顯示依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的透光導(dǎo)電層的配置圖。
附圖標(biāo)i己"i兌明
10半導(dǎo)體發(fā)光裝置2201第一型半導(dǎo)體層
11基板2202發(fā)光層
12半導(dǎo)體外延層2203第二型半導(dǎo)體層
1201第一型半導(dǎo)體層2301第一透光導(dǎo)電層
1202發(fā)光層2302第二透光導(dǎo)電層
1203第二型半導(dǎo)體層2302電流分散區(qū)賴
1301第一透光導(dǎo)電層2302a電流分散區(qū)l殳
1302第二透光導(dǎo)電層2302b電流分散區(qū)賴二
14接點(diǎn)24第一接點(diǎn)
15電極25第二接點(diǎn)
20半導(dǎo)體發(fā)光裝置2501延伸區(qū)段
21基板26凹槽
22半導(dǎo)體外延層
具體實(shí)施例方式
以下配合圖式說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，本文中所稱的"層"包含單層或兩 層以上相同或不同材料組成的層結(jié)構(gòu)。各層可以直接或間接接觸。 第一實(shí)施例
如圖1A所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置10包含電極15、基板ll、半 導(dǎo)體外延層12、第一透光導(dǎo)電層1301、第二透光導(dǎo)電層1302、與接點(diǎn)14。 半導(dǎo)體外延層12中至少包含第一型半導(dǎo)體層1201、第二型半導(dǎo)體層1203、 與位于其間的發(fā)光層1202。第一型半導(dǎo)體層1201與第二型半導(dǎo)體層1203 二者所具有的導(dǎo)電性并不相同，可以是如p型、n型、與i型中至少其二。 在雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double heterostmcture; DH)中，第一型半導(dǎo)體層1201與第二 型半導(dǎo)體層1203具有大于發(fā)光層1202的能級(jí)。當(dāng)半導(dǎo)體外延層12承受偏 壓時(shí)，電子與空穴會(huì)在發(fā)光層1202及/或其附近復(fù)合而釋放光線。本發(fā)明中，在半導(dǎo)體外延層12上依序形成第一透光導(dǎo)電層1301與第二 透光導(dǎo)電層1302。第一透光導(dǎo)電層1301覆蓋半導(dǎo)體外延層12上表面的全部 區(qū)域或部分區(qū)域。第二透光導(dǎo)電層1302則僅覆蓋第一透光導(dǎo)電層1301上表 面的部分區(qū)域，亦即，第二透光導(dǎo)電層1302的面積小于第一透光導(dǎo)電層1301 的面積。本實(shí)施例中，雖僅例示兩層透光導(dǎo)電層，但超過(guò)兩層具有漸縮面積 的透光導(dǎo)電疊層亦為適用于本發(fā)明。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，第一透光導(dǎo)電層1301與第二透光導(dǎo)電層1302為 具有相異的電學(xué)A/或光學(xué)性質(zhì)的相同材料所形成，但此材料中組成元素的成 分或分量可以彼此相異，以使第一透光導(dǎo)電層1301的電阻率與穿透率大于 第二透光導(dǎo)電層1302的電阻率與穿透率。
第二透光導(dǎo)電層1302必須具有適當(dāng)?shù)碾娮杪?，使電流能夠分散至其?具有較大面積的第一透光導(dǎo)電層1301。第一透光導(dǎo)電層1301的薄層電阻或 電阻率大于第二透光導(dǎo)電層1302的薄層電阻/電阻率。第二透光導(dǎo)電層1302 功用之一是在保持適當(dāng)穿透率的情況下，使電流可以往遠(yuǎn)離接點(diǎn)14的方向 流動(dòng)，在此前提下，第二透光導(dǎo)電層1302的材料組成、厚度、與布局可以 視需要進(jìn)行調(diào)整。
電流經(jīng)由接點(diǎn)14流入第二透光導(dǎo)電層1302,并經(jīng)第二透光導(dǎo)電層1302 流入第一透光導(dǎo)電層1301,再經(jīng)由第一透光導(dǎo)電層1301流入半導(dǎo)體外延層 12中。電流經(jīng)由兩個(gè)透光導(dǎo)電層協(xié)力向四周流動(dòng)，可有效降低電流擁擠效應(yīng) (current crowding)。發(fā)光層1202中因更全面的光電轉(zhuǎn)換表現(xiàn)而獲得均勻且有 效利用的發(fā)光區(qū)域。
圖1B是例示圖1A中半導(dǎo)體發(fā)光裝置10的上視圖。視圖中，自接點(diǎn)14、 第一透光導(dǎo)電層1301、至第二透光導(dǎo)電層1302的面積逐漸增大，在適當(dāng)搭 配此三層的厚度、薄層電阻、與/及電阻率后，來(lái)自于接點(diǎn)14的電流漸層地 向外及向下流動(dòng)，使得電流可以分散至發(fā)光層1202中。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一透光導(dǎo)電層1301與第二透光導(dǎo)電層1302的形成 材料皆為ITO,但此兩層的ITO中所含的In、 O、或Sn至少其一的成分比 彼此并不相同，或者此兩層ITO是以不同的工藝條件形成，例如使用賊射法 形成第一透光導(dǎo)電層1301,而使用電子束蒸鍍法形成第二透光導(dǎo)電層1302， 反之亦可。優(yōu)選地，第一透光導(dǎo)電層1301的ITO具有較高的透光率，例如 卯％、 80%、 70%、或60%以上，而第二透光導(dǎo)電層1302的ITO具有較低的穿透率，例如50°/。以下，但具有較低的電阻率。如此，可以獲致一個(gè)具有
適當(dāng)光學(xué)與電學(xué)效能(例如穿透率與電阻)的發(fā)光裝置。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一透光導(dǎo)電層1301與第二透光導(dǎo)電層1302亦可分 別以ITO與Ni/Au或Au等金屬形成。為使金屬同時(shí)具有適當(dāng)?shù)拇┩嘎逝c電 阻率，其厚度需維持于0.005pm 0.2pm。在另一實(shí)施例中，第二透光導(dǎo)電層 1302的厚度小于第一透光導(dǎo)電層1301的表面粗糙度Ra，然而，在工藝容許 范圍內(nèi)，第二透光導(dǎo)電層1302的厚度亦可大于第一透光導(dǎo)電層1301的表面 粗糙度Ra。由于薄金屬層的電阻率小于ITO的電阻率，因此，可以協(xié)助電 流于ITO層擴(kuò)散且又不會(huì)遮蔽過(guò)量光線。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一透光導(dǎo)電層1301與第二透光導(dǎo)電層1302至少其 一的全部或部分區(qū)域?qū)τ诎l(fā)光層1202所發(fā)出光成呈現(xiàn)透明或具有50%以上 的穿透率，且第一透光導(dǎo)電層1301具有高于第二透光導(dǎo)電層1302的穿透率。 單一透光導(dǎo)電層亦可以為兩個(gè)或多個(gè)具有不同穿透率的部分所組成。為了使 電流在第二透光導(dǎo)電層1302中有較佳的電流分散特性，必須降低第二透光 導(dǎo)電層1302的電阻率，同時(shí)，第二透光導(dǎo)電層1302必須盡可能不吸收來(lái)自 于發(fā)光層1202的光。在另一實(shí)施例中，透光率較高的第一透光導(dǎo)電層1301 的厚度大于電阻率較低的第二透光導(dǎo)電層1302的厚度，但是本發(fā)明并不限 于此，兩個(gè)透光導(dǎo)電層的厚度組合是配合其使用材料的特性。
上述實(shí)施例中，基板11的材料包含但不限于SiC、GaAs、AlGaAs、GaAsP、 ZnSe、 III族氮化物(例如GaN)、藍(lán)寶石(sapphire)、 Si、或玻璃。第一型半導(dǎo) 體層1201與第二型半導(dǎo)體層1203的材料包含但不限于AlGalnP系列或m 族氮化物系列。發(fā)光層1202的結(jié)構(gòu)包含但不限于單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(single heterostmcture; SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double heterostructure; DH)、雙側(cè)雙異質(zhì) 纟吉構(gòu)(double-side double heterostructure; DDH)、 單量子阱(single quantum well; SQW)、或多量子阱(multi-quantum well; MQW)。
第一透光導(dǎo)電層1301的材料包含但不限于ITO、IZO、ZnO、CTO、In203、 Sn02、 MgO、 CdO、及其他透明金屬氧化物。第二透光導(dǎo)電層1302的材料 包含但不限于ITO、 IZO、 ZnO、 CTO、 ln203、 Sn02、 MgO、 CdO、及其他 透明金屬氧化物。第二透光導(dǎo)電層1302的材料包含但不限于Au、 Ni、 Ti、 In、 Pt、 Al、 Cr、 Rh、 Ir、 Co、 Zr、 Hf、 V、 Nb、前述材料的合金或疊層、 或其他具有可接受光電特性的金屬。第二實(shí)施例
參考圖2,依本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置20包含基板21、半 導(dǎo)體外延層22、第一透光導(dǎo)電層2301、第二透光導(dǎo)電層2302、第一接點(diǎn)24、 與第二接點(diǎn)25，其中第一接點(diǎn)24與第二接點(diǎn)25位于基板21的同側(cè)。半導(dǎo) 體外延層22至少包含第一型半導(dǎo)體層2201、第二型半導(dǎo)體層2203、與位于 其間的發(fā)光層2202。
在本實(shí)施例中，經(jīng)由第一接點(diǎn)24輸入的電流首先流入第二透光導(dǎo)電層 2302,并經(jīng)由第二透光導(dǎo)電層2302流入第一透光導(dǎo)電層2301，再經(jīng)由第一 透光導(dǎo)電層2301流入半導(dǎo)體外延層22中。電流經(jīng)由兩個(gè)透光導(dǎo)電層協(xié)力向 四周流動(dòng)，可以提升發(fā)光效率。
本實(shí)施例中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置20使用的材料，以及第一透光導(dǎo)電層 2301與第二透光導(dǎo)電層2302間的關(guān)系可以參考第一實(shí)施例中敘述。此外， 第二接點(diǎn)25與第一型半導(dǎo)體層2201間亦可以釆用與第一透光導(dǎo)電層23(H 與第二透光導(dǎo)電層2302相似的結(jié)構(gòu)或設(shè)計(jì)原則以增進(jìn)電流分散的效果。
本發(fā)明的第 一透光導(dǎo)電層與第二透光導(dǎo)電層的設(shè)計(jì)可以有以下變形，然 而，以下實(shí)施例并不用以限制本發(fā)明，任何適當(dāng)?shù)呐渲梅绞浇钥梢耘c本發(fā)明 的概念結(jié)合應(yīng)用的。
第三實(shí)施例
圖3A與3B是顯示半導(dǎo)體發(fā)光裝置10的第一透光導(dǎo)電層1301與第二 透光導(dǎo)電層1302的上視圖。該兩個(gè)視圖中，第二透光導(dǎo)電層1302形成于第 一透光導(dǎo)電層1301之上，且其面積小于第一透光導(dǎo)電層1301的面積。
本實(shí)施例中，第二透光導(dǎo)電層1301包含環(huán)繞區(qū)段1304與穿越區(qū)段1303。 如圖3A所示，環(huán)繞區(qū)段1304包含兩個(gè)環(huán)狀區(qū)段，其環(huán)繞接點(diǎn)14。穿越區(qū) 段1303自接點(diǎn)14向外延伸并穿過(guò)靠近接點(diǎn)14的第一個(gè)環(huán)狀區(qū)段，直抵遠(yuǎn) 離接點(diǎn)14的第二個(gè)環(huán)狀區(qū)段。這些區(qū)段間彼此電連接以傳導(dǎo)電流，而不以 實(shí)體連接為必要。來(lái)自接點(diǎn)14的電流經(jīng)穿越區(qū)段1303向外分散并流向第一 環(huán)狀區(qū)段與第二環(huán)狀區(qū)段。電流再經(jīng)兩個(gè)環(huán)狀區(qū)段分散至更廣的區(qū)域。
本實(shí)施例中，環(huán)繞區(qū)段1304與穿越區(qū)段1303并不限于圖式或文中的數(shù) 目。環(huán)繞區(qū)段亦可以如三角形、四邊形、五邊形、六邊形等多邊形的區(qū)段取 代。如圖3B所示，環(huán)繞區(qū)段1304包含兩個(gè)四邊形。穿越區(qū),殳1303可以貫 穿或不貫穿環(huán)繞區(qū)段1304。環(huán)繞區(qū)段1304可以輻射對(duì)稱(radial symmetry)或左右對(duì)稱(bilateral symmetry)接點(diǎn)14。接點(diǎn)14亦可以位于環(huán)繞區(qū)段1304中 4壬^可位置。
穿越區(qū)段與環(huán)繞區(qū)段必須具有一定線寬以分散電流但又不致遮蔽或吸 收過(guò)多光線。環(huán)繞區(qū)段1304與穿越區(qū)段1303的線寬分別可介于 0.1^im 50jLmi，優(yōu)選地，小于20jim。兩個(gè)區(qū)段的厚度則視其使用材料而定。 若使用金屬，厚度可以介于0.001pm l(im,優(yōu)選地介于0.005fim 0.05jim， 使其保有適當(dāng)程度的透光率；若使用ITO等透明氧化物則區(qū)段厚度可以更厚。
本實(shí)施例雖以圖1A的半導(dǎo)體發(fā)光裝置IO為例，但并不限于此，上述透 明導(dǎo)電層的配置方式亦可以適用于如圖2所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置20的第一 透光導(dǎo)電層2301、第二透光導(dǎo)電層2302、或其二者。
第四實(shí)施例如圖4A所示，兩個(gè)電流分散區(qū)段2302a與2302b位于第一透光導(dǎo)電層 2301之上，且其分別自第一接點(diǎn)24向外延伸并朝向第二接點(diǎn)25的方向。圖 式中，電流分散區(qū)段2302a與2302b形成近似U型的弧線。但是，電流分散 區(qū)段2302a與2302b亦可以由直線、曲線、或二者的結(jié)合所組成。電流分散 區(qū)段2302a與2302b優(yōu)選地可以靠近第一透光導(dǎo)電層2301的邊界以將電流 分散至較廣的區(qū)域。
第二接點(diǎn)25位于凹槽26的底面上。凹槽26的底面與第一接點(diǎn)24分別 位于發(fā)光層2202的兩側(cè)以形成電學(xué)通路。凹槽26可以由半導(dǎo)體外延層中任 一位置蝕刻達(dá)到超過(guò)發(fā)光層的深度。蝕刻的方式可以采用化學(xué)或物理蝕刻。
本實(shí)施例的另一變形如圖4B所示。凹槽26朝第一接點(diǎn)24方向延伸。 延伸區(qū)段2501形成于凹槽26中，并自第二接點(diǎn)25朝向第一接點(diǎn)24的方向 延伸。電流分散區(qū)段2302a與2302b的配置如圖4A所示。通過(guò)延伸區(qū)段2501, 電流可以更均勻地分散于第一接點(diǎn)24與第二接點(diǎn)25之間，以形成更多有效 的發(fā)光區(qū)域，進(jìn)而提高發(fā)光效率。
本實(shí)施例中，區(qū)段的覆蓋面積與位置隨著半導(dǎo)體發(fā)光裝置的大小調(diào)整。 相鄰最近獨(dú)立區(qū)段間的間隙介于lpm 500|im。區(qū)段的厚度介于O.lpm ~50pm。以金屬材料構(gòu)成的區(qū)段的厚度介于0.001 ^m l^im,優(yōu)選地介于 0.005pm 0.05nm,以ITO構(gòu)成的區(qū)段的厚度可以更厚，例如0.6pm以上。
第五實(shí)施例如圖5所示，電流分散區(qū)段2302位于第一透光導(dǎo)電層2301之上，且自 第 一接點(diǎn)24向外延伸并朝向第二接點(diǎn)25的方向。圖式中，電流分散區(qū)段2302 為直線，但是，電流分散區(qū)段2302亦可以為曲線、之形線或二者的結(jié)合所 組成。特別地，由上視圖觀的，半導(dǎo)體發(fā)光裝置20呈現(xiàn)矩形，其長(zhǎng)寬比值 介于1.1~3,優(yōu)選地大于1.5。凹槽26的詳細(xì)說(shuō)明可參考上述實(shí)施例。雖然本發(fā)明已iJt明如上，然其并非用以限制本發(fā)明的范圍、實(shí)施順序、 或使用的材料與工藝方法。對(duì)于本發(fā)明所作的各種4奮飾與變更，皆不脫本發(fā) 明的精神與范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包含基板；半導(dǎo)體外延層，位于該基板上方，并具有遠(yuǎn)離該基板之外表面；第一透光導(dǎo)電層，位于該外表面上方，且具有第一表面；以及第二透光導(dǎo)電層，位于該第一透光導(dǎo)電層上方，且具有第二表面，該第二表面的面積小于該第一表面的面積，且該第二透光導(dǎo)電層的光學(xué)特性及電學(xué)特性中至少其一不同于該第一透光導(dǎo)電層者。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第一透光導(dǎo)電層大體 上覆蓋該半導(dǎo)體外延層的該外表面的全部面積。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第一透光導(dǎo)電層對(duì)于 發(fā)自該半導(dǎo)體外延層的光的穿透率大于該第二透光導(dǎo)電層的穿透率。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第一透光導(dǎo)電層的導(dǎo) 電系數(shù)小于該第二透光導(dǎo)電層的導(dǎo)電系數(shù)。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第一透光導(dǎo)電層的厚 度大于該第二透光導(dǎo)電層的厚度。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第二透光導(dǎo)電層包含 多個(gè)彼此電相連的區(qū)段。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包含凹槽，自該半導(dǎo)體外延層的表面凹陷至底面以暴露出該半導(dǎo)體外延層中 至少一層的一部分，該凹槽自該半導(dǎo)體外延層的第一側(cè)延伸至相對(duì)于該第一 側(cè)的第二側(cè)；及接觸層，位于該溝槽內(nèi)。
8. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包含延伸區(qū)段，自該接觸 層朝外突出。
9. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第一透光導(dǎo)電層與該 第二透光導(dǎo)電層中至少其一環(huán)繞該凹槽。
10. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該半導(dǎo)體外延層包含第一型半導(dǎo)體層； 第二型半導(dǎo)體層；及發(fā)光層，位于該第一型半導(dǎo)體層與該第二型半導(dǎo)體層之間。
11. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第一透光導(dǎo)電層的材料擇自ITO、 IZO、 ZnO、 CTO、 ln203、 Sn02、 MgO、及CdO所構(gòu)成的群組。
12. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第二透光導(dǎo)電層的材 料擇自ITO、 IZO、 ZnO、 CTO、 ln203、 Sn02、 MgO、及CdO所構(gòu)成的群組。
13. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第二透光導(dǎo)電層的材 料擇自Al、 Au、 Cr、 In、 Ir、 Ni、 Pd、 Pt、 Rh、 Sn、 Ti、 Zr、 Hf、 V、 Nb、 及前述材料的合金或疊層所構(gòu)成的群組。
14. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第二透光導(dǎo)電層的該 第二表面與該第一透光導(dǎo)電層的該第一表面的面積比值不大于1/2。
15. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第二透光導(dǎo)電層為金 屬層或金屬疊層，該金屬層或該金屬疊層的厚度介于0.001pm liam。
16. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第二透光導(dǎo)電層的厚 度小于該第一透光導(dǎo)電層的表面粗糙度。
17. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第二透光導(dǎo)電層包含 區(qū)段，該區(qū)段的寬度不大于50jim。
18. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第一透光導(dǎo)電層與該 第二透光導(dǎo)電層包含相同的主要材料。
19. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該半導(dǎo)體發(fā)光裝置的面 積不小于15mil x 15mil。
20. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該半導(dǎo)體發(fā)光裝置的外 形為矩形。
全文摘要
本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包含基板、位于基板上方并具有遠(yuǎn)離基板的第一表面的半導(dǎo)體外延層、位于第一表面上方的第一透光導(dǎo)電層、及位于第一透光導(dǎo)電層上方的第二透光導(dǎo)電層，其中第二透光導(dǎo)電層的第二表面的面積小于第一透光導(dǎo)電層的第一表面的面積。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101286541SQ20071009174
公開(kāi)日2008年10月15日 申請(qǐng)日期2007年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月9日
發(fā)明者徐宸科, 震 歐 申請(qǐng)人:晶元光電股份有限公司