專利名稱：太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于 一種太陽能電池，且特別是有關(guān)于 一種具光學(xué)反射元件 的太陽能電池。
背景技術(shù)：
太陽能電池與 一般的電池不同。太陽能電池是將太陽能轉(zhuǎn)換成電能的裝
置，不需要透過電解質(zhì)來傳遞導(dǎo)電離子，而是改采半導(dǎo)體產(chǎn)生PN結(jié)(PN j unction )以獲4尋電 <立。
太陽能電池一種利用太陽光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體，其將高純度的半導(dǎo) 體材料加入一些雜質(zhì)使其呈現(xiàn)不同的性質(zhì)，如加入硼可形成P型半導(dǎo)體，加 入磷可形成N型半導(dǎo)體，PN兩型態(tài)的半導(dǎo)體結(jié)合后，當(dāng)太陽光入射時(shí)，會(huì) 產(chǎn)生電子與空穴，有電流通過時(shí)，則產(chǎn)生電力。
太陽能電池種類繁多，若依材料的種類來區(qū)分，可分為單晶硅(single crystal silicon)、 多晶硅(polycrystal silicon)或非晶珪(amorphous silicon, 簡稱 a-Si)等，要判別一個(gè)太陽能電池性能的好壞，主要是依據(jù)轉(zhuǎn)換效率的好壞來 決定，而提高轉(zhuǎn)換效率的主要做法其中之一是包括將太陽能電池制作成堆疊 式電池(TandemCell)。堆疊式電池是將兩個(gè)或兩個(gè)以上的電池元件堆疊，上 層電池是吸收較高能量的光譜，下層電池是吸收較低能量的光語，透過不同 材料的電池可將光子的能量層層吸收。
圖1繪示已知的堆疊式太陽能電池的剖面示意圖。為了方便說明，圖l 僅繪示說明所需的構(gòu)件。請(qǐng)參考圖1,已知的堆疊式太陽能電池1至少包括 第一光電轉(zhuǎn)換單元12、第二光電轉(zhuǎn)換單元14、反射層13、上玻璃基板ll、 下玻璃基板16及電極15。其中，電極15配置于下玻璃基板16上，反射層 13配置于第一光電轉(zhuǎn)換單元12及第二光電轉(zhuǎn)換單元14之間，而上玻璃基板 11配置于第一光電轉(zhuǎn)換單元12上。
上玻璃基板11為透明基板，當(dāng)光線17由上玻璃基板11入射時(shí)，部分 光線會(huì)經(jīng)由反射層13反射至第一光電轉(zhuǎn)換單元12,而部分光線會(huì)穿透反射層13至第二光電轉(zhuǎn)換單元14。更明確地說，當(dāng)光線17由上玻璃基板11入 射時(shí)，由于單層反射層13的材料特性，短波段波長會(huì)經(jīng)由反射層13反射至 第一光電轉(zhuǎn)換單元12中，且第一光電轉(zhuǎn)換單元重復(fù)吸收短波段波長，而長 波段波長穿透反射層13至第二光電轉(zhuǎn)換單元14內(nèi)并被第二光電轉(zhuǎn)換單元14 吸收。
反射層13在不同的厚度下對(duì)光線會(huì)產(chǎn)生不同的干涉效果。反射層13的 厚度必須控制在一定的范圍，才會(huì)得到短波段具高反射而長波段具低反射的 特性，然而，不同的反射層材料具有不同的折射率，因此，對(duì)于厚度的要求 條件亦不相同。圖2繪示為不同材料的反射層所需要的厚度與反射特性的曲 線圖，當(dāng)使用氧化鋅(ZnO)為反射層材料時(shí)，薄膜的厚度必須達(dá)到3000埃(A) 才會(huì)在低波長有較高的反射率，在此條件下，所達(dá)到的反射率為62%,當(dāng)使 用銦錫氧化物(ITO)為反射層材料時(shí)，反射層的厚度必須達(dá)到2500埃(A)，在 此條件下，所達(dá)到的反射率為40%。
第一光電轉(zhuǎn)換單元12及第二光電轉(zhuǎn)換單元14在電性傳導(dǎo)上具備串聯(lián)關(guān) 系，其利用反射層13將第一光電轉(zhuǎn)換單元12及第二光電轉(zhuǎn)換單元14串聯(lián)， 因此，若反射層的厚度較小，則串聯(lián)的電阻值亦會(huì)減少。為達(dá)到低串聯(lián)電阻 的要求必須使反射層的厚度減少，但減少反射層厚度又無法符合堆疊式太陽 能電池在反射率上的需求，且使用單層反射層所得到的反射效果并不顯著。 因此，已知的太陽能電池具有許多問題尚待解決。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述，本發(fā)明的目的就是在提供一種太陽能電池，具有高低折射 率的多層薄膜交互堆疊，以提高太陽能電池對(duì)光能量的吸收。
本發(fā)明的再一目的是在提供一種太陽能電池，其包括上述的堆疊式薄 膜，使太陽能電池具有優(yōu)選的光電轉(zhuǎn)換效率。
為達(dá)上述或與其他目的，本發(fā)明提出一種太陽能電池，此太陽能電池包 括基板、至少第一光電轉(zhuǎn)換單元、至少第二光電轉(zhuǎn)換單元及光學(xué)反射元件。 第一光電轉(zhuǎn)換單元及第二光電轉(zhuǎn)換單元配置于基板上，光學(xué)反射元件配置于 第一光電轉(zhuǎn)換單元及第二光電轉(zhuǎn)換單元之間，其中該光學(xué)反射元件由多層薄 膜堆疊所組成，且具有至少兩種不同的折射率。
依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的太陽能電池，其中第 一光電轉(zhuǎn)換單元包括第一半導(dǎo)體層、第一N型半導(dǎo)體層及第一P型半導(dǎo)體層，其中第一半導(dǎo)體層 配置于第一 N型半導(dǎo)體層及第一 P型半導(dǎo)體層之間，且第一半導(dǎo)體層的材料 為非晶硅。
依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的太陽能電池，其中第二光電轉(zhuǎn)換單元包括 第二半導(dǎo)體層、第二N型半導(dǎo)體層及第二P型半導(dǎo)體層，其中第二半導(dǎo)體層
配置于第二 N型半導(dǎo)體層及第二 P型半導(dǎo)體層之間，且第二半導(dǎo)體層的材料
為微晶硅。
依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的太陽能電池，其中光學(xué)反射元件包含至少 三層薄膜，薄膜包括透明導(dǎo)電薄膜或介電層。
依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的太陽能電池，其中第n+l層的介電層的折 射率不同于第n層及第n+2層的介電層的折射率，其中，n為正實(shí)數(shù)。
依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的太陽能電池，其中第n層及第n+2層的介 電層的折射率相同，或是第n層及第n+2層的介電層的折射率不同。
依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的太陽能電池，其中第n+l層的介電層的折 射率大于或小于第n層及第n+2層的介電層的折射率。其中介電層的折射率 介于1.3-5.6之間。
依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的太陽能電池，其中入射光源入射至光學(xué)反 射元件的波長范圍介于300-2500納米之間。
光線經(jīng)由第一光電轉(zhuǎn)換單元入射至光學(xué)反射元件及第二光電轉(zhuǎn)換單元， 且部分光線通過光學(xué)反射元件反射至第一光電轉(zhuǎn)換單元中。
依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的太陽能電池，其中光學(xué)反射元件的材料例 如是介電材料，包括氧化物或氮化物。優(yōu)選地，光學(xué)反射元件的材料包括銦 錫氧化物、鋅氧化物或錫氧化物。
依照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所述的太陽能電池，還包括電極及蓋板，電極配 置于基板上，電極的材料包括金屬或合金，而蓋板配置于該基板上且覆蓋住 第一光電轉(zhuǎn)換單元及第二光電轉(zhuǎn)換單元，蓋板的材料包括銦錫氧化物。其中 基板包括玻璃基板、石英基板或其他適當(dāng)材料的基板。
在本發(fā)明所提出的太陽能電池中，具高低折射率且相互堆疊的光學(xué)反射 元件，因此，可以選擇性的反射特定的波長范圍，并使得反射率增加，如此 一來，即可使太陽能電池具良好的光電轉(zhuǎn)換效率。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說明如下。


圖1為已知的堆疊式太陽能電池的剖面示意圖2為圖1的太陽能電池的反射層的厚度及反射特性的曲線圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的太陽能電池的剖面示意圖；以及
圖4為圖3的太陽能電池與已知的太陽能電池的反射特性比較的曲線圖。
附圖標(biāo)記il明
1、 3:太陽能電池 12、 32:第一光電轉(zhuǎn)換單元 14、 34:第二光電轉(zhuǎn)換單元 16:下玻璃基板 31:蓋板 36:基板
322:第一半導(dǎo)體層 341:第二P型半導(dǎo)體層 343:第二N型半導(dǎo)體層
具體實(shí)施例方式
圖3繪示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的太 陽能電池3至少包括第一光電轉(zhuǎn)換單元32、光學(xué)反射元件33、第二光電轉(zhuǎn) 換單元34及基板36。光學(xué)反射元件33配置于第一光電轉(zhuǎn)換單元32及第二 光電轉(zhuǎn)換單元34之間，第二光電轉(zhuǎn)換單元34及第一光電轉(zhuǎn)換單元32依序 堆疊配置于基板36上，且第一光電轉(zhuǎn)換單元32位于光入射面。以下針對(duì)第 一光電轉(zhuǎn)換單元32、第二光電轉(zhuǎn)換單元34及光學(xué)反射元件33的細(xì)部結(jié)構(gòu)與 配置關(guān)系的詳細(xì)說明如下。
在本實(shí)施例中，第一光電轉(zhuǎn)換單元32吸收能量較高的短波段波長，其 波長范圍介于300至700納米之間，第二光電轉(zhuǎn)換單元34吸收能量較低的 長波段波長，其波長范圍介于700至2500納米之間。
1:上玻璃基板 13:反射層 15、 35:電極 17、 37:光線 33:光學(xué)反射元件 321:第一P型半導(dǎo)體層 323:第一N型半導(dǎo)體層 342:第二半導(dǎo)體層第 一光電轉(zhuǎn)換單元32包括依序配置于第二光電轉(zhuǎn)換單元34上的第一 N 型半導(dǎo)體層323、第一半導(dǎo)體層322及第一P型半導(dǎo)體層321。第一半導(dǎo)體 層322的材料包括非摻雜的非晶硅(Amorphous- Si),第一 N型半導(dǎo)體層343 的材料包括N摻雜的非晶硅，第一 P型半導(dǎo)體的材料包括P摻雜的非晶硅。
另夕卜，第二光電轉(zhuǎn)換單元34包括依序堆疊設(shè)置于基板36上的第二 N型 半導(dǎo)體層343、第二半導(dǎo)體層342及第二P型半導(dǎo)體層341。第二半導(dǎo)體層 342的材料包括非摻雜的微晶硅(Micro-Crystalline Si)，第二N型半導(dǎo)體層343 的材料包括N摻雜微晶硅，第二P型半導(dǎo)體的材料包括P摻雜微晶硅?；?板36包括玻璃基板、石英基板或其他適當(dāng)材料的基板。
請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3,光學(xué)反射元件33配置于第一光電轉(zhuǎn)換單元32及第二 光電轉(zhuǎn)換單元34之間，光學(xué)反射元件的材料包括氧化物或氮化物例如是銦 錫氧化物、鋅氧化物、錫氧化物或其他適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料。
此外，在優(yōu)選實(shí)施例中，本發(fā)明的太陽能電池還包括配置于基板36上 的蓋板31及電極35,蓋板31覆蓋住第一光電轉(zhuǎn)換元件32及第二光電轉(zhuǎn)換 元件34,其材料例如為銦錫氧化物或其他適合的材料。電極35配置于該基 板36上，其中電極35的材料例如為金屬、合金或其他適當(dāng)?shù)牟牧稀?br> 請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3，為了增進(jìn)堆疊式太陽能電池光電轉(zhuǎn)換的特性，在本實(shí) 施例中，光學(xué)反射元件33由多層薄膜交互堆疊形成于第一光電轉(zhuǎn)換單元32 及第二光電轉(zhuǎn)換單元34之間，包括至少兩種不同折射率，其折射率介于 1.3-5.6之間，優(yōu)選介于1.4-2.6之間。在本實(shí)施例中，光學(xué)反射元件33由高 低折射率的薄膜交互堆疊所組成，或例如是由低高折射率的薄膜交互堆疊所 組成。在本實(shí)施例中，光學(xué)反射元件33包含至少三層薄膜，由第一介電層 331、第二介電層332及第三介電層333構(gòu)成，其中第二介電層的材料與其 他兩層介電層不同，第二介電層的材料例如是鋅氧化物(ZnO),其折射率大 約是1,4,或是碳化硅(SiC),其折射率大約是2.6,或是銦錫氧化物(ITO), 其折射率大約是1.8。在本實(shí)施例中，第一介電層及第三介電層可為相同或 不同的材料。
另外，在本實(shí)施例中，由于第二介電層的材料與其他兩層介電層不同， 因此，第二介電層的折射率不同于其他介電層，例如是第二介電層的折射率 小于第一介電層及第三介電層的折射率。當(dāng)然，第二介電層的折射率也可以 大于第一介電層及第三介電層的折射率。當(dāng)然，第一介電層及第三介電層的折射率相同也在本實(shí)施例的范圍內(nèi)。
當(dāng)光線37經(jīng)蓋板31入射至堆疊式太陽能電池3時(shí)，光線37會(huì)經(jīng)由第 一光電轉(zhuǎn)換單元32入射至光學(xué)反射元件33及第二光電轉(zhuǎn)換單元34中，其 中部分的光線37會(huì)經(jīng)由光學(xué)反射元件33反射入第一光電轉(zhuǎn)換單元中，而有 部分的光線37入射至第二光電轉(zhuǎn)換單元34。在本實(shí)施例中，光線的波長范 圍介于300-2500納米之間，其中經(jīng)光學(xué)反射元件33反射至第一光電轉(zhuǎn)換單 元32的波長范圍是介于300-700納米之間，穿過光學(xué)反射元件33入射至第 二光電轉(zhuǎn)換單元34的波長范圍介于700-2500納米之間。當(dāng)然，經(jīng)光學(xué)反射 元件33反射至第一光電轉(zhuǎn)換單元32的波長范圍也可介于在700-2500納米 之間，而穿過光學(xué)反射元件33入射至第二光電轉(zhuǎn)換單元34的波長范圍是介 于在300-700納米之間。
值得說明的是，在本實(shí)施例中，由于光學(xué)反射元件33是由不同折射率 的多層介電層交互堆疊所組成，因此，當(dāng)入射光37經(jīng)蓋板31入射至太陽能 電池3時(shí)，入射光37經(jīng)由第一介電層341第一次反射至第一光電轉(zhuǎn)換單元 32內(nèi)，而當(dāng)光線通過第二介電層時(shí)，入射光會(huì)經(jīng)第二介電層342第二次反射 至第一光電轉(zhuǎn)換單元32中，接下來，當(dāng)光線進(jìn)入至第三介電層343時(shí)，則 是經(jīng)第三介電層343第三次反射。綜上所述，因介電層間彼此折射率的差異， 入射光可重復(fù)的反射至第一光電轉(zhuǎn)換單元32,因此，激發(fā)更多的電子空穴對(duì) 形成于第一光電轉(zhuǎn)換單元32內(nèi)，并且，由于光學(xué)反射元件是由不同折射率 的多層介電層交互堆疊所組成，因此，當(dāng)入射光進(jìn)入第一光電轉(zhuǎn)換單元32 時(shí)，會(huì)因光線的干涉作用，可使得入射光在長波長具有較高的反射率，或是 使得在短波長具有較高的反射率。
請(qǐng)參閱圖4，圖4繪示在本實(shí)施例中光學(xué)反射元件的反射特性。在一實(shí) 施例中光學(xué)反射元件的組成結(jié)構(gòu)例如為，第一介電層、第二介電層及第三介 電層的材料分別是鋅氧化物(ZnO)、錫氧化物(Sn02)及鋅氧化物(ZnO),厚度 范圍分別是鋅氧化物(卯0埃)/錫氧化物(650埃)/鋅氧化物(9000埃)。在另一 實(shí)施例中，光學(xué)反射元件的組成結(jié)構(gòu)例如為，第一介電層、第二介電層及第 三介電層的材料分別是鋅氧化物(ZnO)、銦錫氧化物(ITO)及鋅氧化物(ZnO), 厚度范圍分別是鋅氧化物(800埃)/銦錫氧化物(800埃)/鋅氧化物(1000埃)。光學(xué)反射元件可以是如前述所述的任何組成結(jié)構(gòu)其中之一。
承上所述，與已知的太陽能電池比較之下，當(dāng)已知的光電伏打電池使用 單層鋅氧化物的反射層時(shí)，本發(fā)明的太陽能電池與已知的太陽能電池比較之
下所達(dá)成的反射率增加約15%，且厚度減少約600埃。當(dāng)已知的太陽能電池 使用單層銦錫氧化物的反射層時(shí)，在相同的厚度范圍的下，本發(fā)明的太陽能 電池的反射率可增加約35% ，當(dāng)已知的太陽能電池使用單層錫氧化物的反射 層時(shí)，本發(fā)明的太陽能電池的反射率增加約40%，厚度范圍約減少200埃。 在本發(fā)明中，光學(xué)反射元件反射的波長范圍介于300-2500埃之間，在一實(shí) 施例中，對(duì)短波長具較高反射率，其反射率為75-80%,因此本實(shí)施例的堆 疊式太陽能電池與已知的太陽能電池相比之下，其反射率增加，且反射層的 厚度減少，如此一來，即可使太陽能電池具良好的光電轉(zhuǎn)換效率。 綜上所述，本發(fā)明的堆疊式太陽能電池具有下列優(yōu)點(diǎn)
一、 本發(fā)明利用堆疊式反射層具有光學(xué)反射元件，其由不同折射率的薄 膜所組成，因此，當(dāng)入射的光線入射至太陽能電池時(shí)，通過高低不同折射率
堆疊形成的光學(xué)反射元件，可選擇性地反射特定波長范圍的入射光，并使得 反射率增加，進(jìn)而使光電伏打電池的光電轉(zhuǎn)換效能提高。
二、 與已知的堆疊式太陽能電池相比的下，本發(fā)明的光學(xué)反射元件的厚 度值減少，因此，有助于降低太陽能電池的串聯(lián)電阻值，以提升元件的表現(xiàn)。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與 潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種太陽能電池，包括一基板；至少第一光電轉(zhuǎn)換單元及第二光電轉(zhuǎn)換單元，該第一光電轉(zhuǎn)換單元及該第二光電轉(zhuǎn)換單元配置于該基板上；以及至少一光學(xué)反射元件，配置于該第一光電轉(zhuǎn)換單元及該第二光電轉(zhuǎn)換單元之間，其中該光學(xué)反射元件由多層薄膜堆疊所組成，且具有至少兩種不同的折射率。
2、 如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中該第一光電轉(zhuǎn)換單元包括 第一半導(dǎo)體層；以及第一 N型半導(dǎo)體層及第一 P型半導(dǎo)體層，其中該第一半導(dǎo)體層配置于該 第一 N型半導(dǎo)體層及該第一 P型半導(dǎo)體層之間。
3、 如權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其中該第一半導(dǎo)體層的材料為非 晶硅，該第一N型半導(dǎo)體層包括N摻雜的非晶硅，該第一P型半導(dǎo)體包括P 摻雜的非晶硅。
4、 如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中該第二光電轉(zhuǎn)換單元包括 第二半導(dǎo)體層；以及第二 N型半導(dǎo)體層及第二 P型半導(dǎo)體層，其中該第二半導(dǎo)體層配置于該 第二 N型半導(dǎo)體層及該第二 P型半導(dǎo)體層之間。
5、 如權(quán)利要求4所述的太陽能電池，其中該第二半導(dǎo)體層的材料為微 晶硅，該第二N型半導(dǎo)體層包括N摻雜微晶硅，該第二P型半導(dǎo)體包括P 摻雜微晶硅。
6、 如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中該光學(xué)反射元件包含至少三 層的該薄膜，該薄膜包括透明導(dǎo)電層或介電層。
7、 如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中該光學(xué)反射元件的材料包括 氧化物、氮化物、銦錫氧化物、鋅氧化物、錫氧化物或?qū)щ姴牧稀?br> 8、 如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中第n+l層的該薄膜的折射率 不同于第n層及第n+2層的該薄膜的折射率，其中n為正實(shí)數(shù)。
9、 如權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其中該第n層及該第n+2層的薄 膜的折射率為相同或不同。
10、 如權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其中該第n+l層的薄膜的折射率 大于或小于該第n層及第n+2層的介電層的折射率。
11、 如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中這些薄膜的折射率介于1,3-5.6 之間。
12、 如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中該介電層的材料包括鋅氧化 物，其折射率大約是1.4。
13、 如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中該介電層的材料包括碳化硅， 其折射率大約是2.6。
14、 如權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中該介電層的材料包括銦錫氧 化物，其折射率大約是1.8。
15、 如權(quán)利要求1所迷的太陽能電池，其中光線經(jīng)由該第一光電轉(zhuǎn)換單 元入射至該光學(xué)反射元件及該第二光電轉(zhuǎn)換單元，且該部分該光線通過該光 學(xué)反射元件反射入該第一光電轉(zhuǎn)換單元中。
16、 如權(quán)利要求15所述的太陽能電池，其中該入射光線入射至該光學(xué) 反射元件的波長范圍介于300-2500納米之間。
17、 如權(quán)利要求15所述的太陽能電池，其中該反射至該第一光電轉(zhuǎn)換 單元的光線的波長范圍是介于300-700納米之間，該入射至該第二光電轉(zhuǎn)換 單元34的光線的波長范圍介于700-2500納米之間。
18、 如權(quán)利要求15所述的太陽能電池，其中該反射至該第一光電轉(zhuǎn)換 單元的光線的波長范圍介于700-2500納米之間，而該入射至該第二光電轉(zhuǎn) 換單元的光線的波長范圍是介于300-700納米之間。
19、 如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其還包括電極及配置于該基板上 的蓋板，該蓋板并覆蓋住該第一光電轉(zhuǎn)換單元及該第二光電轉(zhuǎn)換單元。
20、 如權(quán)利要求19所述的太陽能電池，其中該電極的材料包括金屬或 合金，該蓋板的材料包括銦錫氧化物，該基板包括玻璃基板、石英基板或其 他適當(dāng)材料的基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種太陽能電池，其包括基板、至少第一光電轉(zhuǎn)換單元、至少第二光電轉(zhuǎn)換單元及光學(xué)反射元件。第一光電轉(zhuǎn)換單元及第二光電轉(zhuǎn)換單元配置于基板上，光學(xué)反射元件配置于第一光電轉(zhuǎn)換單元及第二光電轉(zhuǎn)換單元之間，其中該光學(xué)反射元件由多層薄膜堆疊所組成，且具有至少兩種不同的折射率。
文檔編號(hào)H01L31/042GK101286531SQ20071009174
公開日2008年10月15日 申請(qǐng)日期2007年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月9日
發(fā)明者姚富淵, 邢泰剛, 陳世鵬 申請(qǐng)人:臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司